DE3219284C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3219284C2
DE3219284C2 DE3219284A DE3219284A DE3219284C2 DE 3219284 C2 DE3219284 C2 DE 3219284C2 DE 3219284 A DE3219284 A DE 3219284A DE 3219284 A DE3219284 A DE 3219284A DE 3219284 C2 DE3219284 C2 DE 3219284C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
etching
silicon
reactive ion
tantalum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3219284A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3219284A1 (de
Inventor
Jean Serge New Providence N.J. Us Deslauriers
Hyman Joseph Berkeley Heights N.J. Us Levinstein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AT&T Technologies Inc filed Critical AT&T Technologies Inc
Publication of DE3219284A1 publication Critical patent/DE3219284A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3219284C2 publication Critical patent/DE3219284C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P50/268—
    • H10D64/01312—

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE19823219284 1981-05-22 1982-05-22 Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung Granted DE3219284A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26643381A 1981-05-22 1981-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3219284A1 DE3219284A1 (de) 1982-12-16
DE3219284C2 true DE3219284C2 (OSRAM) 1989-08-10

Family

ID=23014579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823219284 Granted DE3219284A1 (de) 1981-05-22 1982-05-22 Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS57198633A (OSRAM)
BE (1) BE893251A (OSRAM)
CA (1) CA1202597A (OSRAM)
DE (1) DE3219284A1 (OSRAM)
FR (1) FR2506519B1 (OSRAM)
GB (1) GB2098931B (OSRAM)
IT (1) IT1151209B (OSRAM)
NL (1) NL8202103A (OSRAM)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3216823A1 (de) * 1982-05-05 1983-11-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von strukturen von aus metallsilizid und polysilizium bestehenden doppelschichten auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch reaktives ionenaetzen
US4414057A (en) * 1982-12-03 1983-11-08 Inmos Corporation Anisotropic silicide etching process
DE3315719A1 (de) * 1983-04-29 1984-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von strukturen von aus metallsiliziden bzw. silizid-polysilizium bestehenden doppelschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen durch reaktives ionenaetzen
US4528066A (en) * 1984-07-06 1985-07-09 Ibm Corporation Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures
NL8500771A (nl) * 1985-03-18 1986-10-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een op een laag siliciumoxide aanwezige dubbellaag - bestaande uit poly-si en een silicide - in een plasma wordt geetst.
WO1987000345A1 (en) * 1985-06-28 1987-01-15 American Telephone & Telegraph Company Procedure for fabricating devices involving dry etching
DE4114741C2 (de) * 1990-07-04 1998-11-12 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Bildung einer Leiterbahn auf einem Halbleitersubstrat
US6177337B1 (en) * 1998-01-06 2001-01-23 International Business Machines Corporation Method of reducing metal voids in semiconductor device interconnection

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5519873A (en) * 1978-07-28 1980-02-12 Mitsubishi Electric Corp Forming method of metallic layer pattern for semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
GB2098931A (en) 1982-12-01
IT8221430A0 (it) 1982-05-21
GB2098931B (en) 1985-02-06
FR2506519A1 (fr) 1982-11-26
JPS57198633A (en) 1982-12-06
DE3219284A1 (de) 1982-12-16
BE893251A (fr) 1982-09-16
IT1151209B (it) 1986-12-17
FR2506519B1 (fr) 1985-07-26
NL8202103A (nl) 1982-12-16
CA1202597A (en) 1986-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2720893C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Sperrschicht oder eines ohmschen Kontakts
EP0010596B1 (de) Verfahren zur Ausbildung von Maskenöffnungen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE3706127C2 (OSRAM)
DE3686092T2 (de) Verfahren zur in-situ-herstellung einer schutzschicht auf photolack fuer plasmaaetzen.
DE69724192T2 (de) Verfahren zum Ätzen von Polyzidstrukturen
DE3140890C2 (de) Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung
DE69126149T2 (de) Trockenätzverfahren
DE3334624C2 (OSRAM)
DE69409347T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
EP0094528A2 (de) Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsilizid und Polysilizium bestehenden Doppelschichten auf integrierte Halbleiterschaltungen enthaltenden Substraten durch reaktives Ionenätzen
DE2617483C2 (de) Verfahren zum Abtragen von Silicium und Aluminium durch Ionenätzung unter Feldeinwirkung
DE4130391C2 (de) Verfahren zum selektiven entfernen einer schicht und dessen verwendung
DE69130787T2 (de) Ätzverfahren für eine leitende Doppelschicht-Struktur
DE10051380A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils unter Anwendung eines Schrumpfprozesses eines Strukturmerkmals
DE1640486C3 (de) Verfahren zum reaktiven Zerstäuben von elementarem Silicium
EP0013711A2 (de) Verfahren zum Ätzen von Chrom
DE3829015C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit abgerundeten Eckabschnitten
DE3219284C2 (OSRAM)
EP0126969B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsiliziden bzw. Silizid-Polysilizium bestehenden Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen durch reaktives Ionenätzen
DE102014101475A1 (de) Ätzen von porösem Metall
DE112006000811B4 (de) Ätzprozess für CD-Reduzierung eines ARC-Materials
DE10255936A1 (de) Verbesserte Technik zur Herstellung eines Oxid/Nitrid-Schicht-Stapels durch Steuern der Stickstoffionenkonzentration in einem Nitrierungsplasma
DE3852370T2 (de) Flankenstruktur aus organischem Material.
EP0013728A1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
DE10226603A1 (de) Verfahren zum Strukturieren einer Siliziumschicht sowie dessen Verwendung zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee