NL8202103A - Werkwijze voor het met behulp van reactieve ionen etsen van tantalum en silicium bevattende lagen. - Google Patents

Werkwijze voor het met behulp van reactieve ionen etsen van tantalum en silicium bevattende lagen. Download PDF

Info

Publication number
NL8202103A
NL8202103A NL8202103A NL8202103A NL8202103A NL 8202103 A NL8202103 A NL 8202103A NL 8202103 A NL8202103 A NL 8202103A NL 8202103 A NL8202103 A NL 8202103A NL 8202103 A NL8202103 A NL 8202103A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
etching
equipment
plasma
gas
Prior art date
Application number
NL8202103A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL8202103A publication Critical patent/NL8202103A/nl

Links

Classifications

    • H10P50/268—
    • H10D64/01312—

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL8202103A 1981-05-22 1982-05-21 Werkwijze voor het met behulp van reactieve ionen etsen van tantalum en silicium bevattende lagen. NL8202103A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26643381A 1981-05-22 1981-05-22
US26643381 1981-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8202103A true NL8202103A (nl) 1982-12-16

Family

ID=23014579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8202103A NL8202103A (nl) 1981-05-22 1982-05-21 Werkwijze voor het met behulp van reactieve ionen etsen van tantalum en silicium bevattende lagen.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS57198633A (OSRAM)
BE (1) BE893251A (OSRAM)
CA (1) CA1202597A (OSRAM)
DE (1) DE3219284A1 (OSRAM)
FR (1) FR2506519B1 (OSRAM)
GB (1) GB2098931B (OSRAM)
IT (1) IT1151209B (OSRAM)
NL (1) NL8202103A (OSRAM)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3216823A1 (de) * 1982-05-05 1983-11-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von strukturen von aus metallsilizid und polysilizium bestehenden doppelschichten auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch reaktives ionenaetzen
US4414057A (en) * 1982-12-03 1983-11-08 Inmos Corporation Anisotropic silicide etching process
DE3315719A1 (de) * 1983-04-29 1984-10-31 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von strukturen von aus metallsiliziden bzw. silizid-polysilizium bestehenden doppelschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen durch reaktives ionenaetzen
US4528066A (en) * 1984-07-06 1985-07-09 Ibm Corporation Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures
NL8500771A (nl) * 1985-03-18 1986-10-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een op een laag siliciumoxide aanwezige dubbellaag - bestaande uit poly-si en een silicide - in een plasma wordt geetst.
WO1987000345A1 (en) * 1985-06-28 1987-01-15 American Telephone & Telegraph Company Procedure for fabricating devices involving dry etching
DE4114741C2 (de) * 1990-07-04 1998-11-12 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Bildung einer Leiterbahn auf einem Halbleitersubstrat
US6177337B1 (en) * 1998-01-06 2001-01-23 International Business Machines Corporation Method of reducing metal voids in semiconductor device interconnection

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5519873A (en) * 1978-07-28 1980-02-12 Mitsubishi Electric Corp Forming method of metallic layer pattern for semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
GB2098931A (en) 1982-12-01
IT8221430A0 (it) 1982-05-21
GB2098931B (en) 1985-02-06
FR2506519A1 (fr) 1982-11-26
JPS57198633A (en) 1982-12-06
DE3219284A1 (de) 1982-12-16
BE893251A (fr) 1982-09-16
IT1151209B (it) 1986-12-17
FR2506519B1 (fr) 1985-07-26
DE3219284C2 (OSRAM) 1989-08-10
CA1202597A (en) 1986-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4472237A (en) Reactive ion etching of tantalum and silicon
US5958801A (en) Anisotropic etch method
US5624582A (en) Optimization of dry etching through the control of helium backside pressure
US5013398A (en) Anisotropic etch method for a sandwich structure
EP0221093B1 (en) Double layer photoresist technique for side-wall profile control in plasma etching processes
EP2353173B1 (en) Methods of fabricating substrates
US5925577A (en) Method for forming via contact hole in a semiconductor device
US5691246A (en) In situ etch process for insulating and conductive materials
KR20010029859A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US5792672A (en) Photoresist strip method
US5283208A (en) Method of making a submicrometer local structure using an organic mandrel
NL8202103A (nl) Werkwijze voor het met behulp van reactieve ionen etsen van tantalum en silicium bevattende lagen.
US5271799A (en) Anisotropic etch method
US4937643A (en) Devices having tantalum silicide structures
JPH0445974B2 (OSRAM)
JPH0626202B2 (ja) パターン付け方法
US4608118A (en) Reactive sputter etching of metal silicide structures
US3592707A (en) Precision masking using silicon nitride and silicon oxide
TWI262558B (en) Planarization method of spin-on material layer and manufacturing method of photoresist layer
US6960496B2 (en) Method of damascene process flow
JPH02219231A (ja) 半導体集積回路内の移動性イオン汚染を低減するための方法
JPS63202953A (ja) 半導体装置の製造方法
NL8303731A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde keten.
RU2057204C1 (ru) Способ получения конфигурации элементов кремнийсодержащих слоев
US20050236366A1 (en) Use of C2F6 gas to gain vertical profile in high dosage implanted poly film

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BT A notification was added to the application dossier and made available to the public
BB A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed