DE3212071A1 - Dielektrischer koerper vom intergranularen isoliertyp und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents
Dielektrischer koerper vom intergranularen isoliertyp und verfahren zur herstellung desselbenInfo
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- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
Description
PHA 21064 -Τ 23.3.82
Dielektrischer Körper vom intergranularen Isoliertyp und Verfahren zur Herstellung· desselben.
Die Erfindung bezieht sich auf einen dielektrischen Körper vom intergranularen Isoliertyp, der aus einer
polykristallinen Keramik mit hoher effektiver Dielektrizitätskonstante besteht zum Gebrauch als Kondensator und
auf Verfahren zur Herstellung eines derartigen dielektrischen Körpers. Eine grosse effektive Dielektrizitätskonstante
wird in diesem Strukturtyp dadurch erreicht, dass die Korngrenzen einer herkömmlichen keramischen Halbleiters
mit einem Werkstoff mit hoher Dielektrizitatskonstaute
isoliert verden.
Dies wird dadurch erreicht, dass der Körper mit dem Isolierwerkstoff bedeckt und daraufhin erhitzt wird,
so dass der Isolierwerkstoff an den Korngrenzen diffundiert
.
Die US Patentschrift Nr. 3.933.668 beschreibt keramische Zusammensetzungen vom intergranularen Isolier- *yP> die hauptsächlich aus SrTiO-, zu geringfügigen Mengen aus Nb0O _ oder Ta0O _ und zu geringfügigen Mengen aus GeOp oder ZrO „ bestehen. Die Keramik hat entweder Bi0O0 oder ein Gemisch aus Bi0O0, PbO und B0O0 darin an den Korngrenzen diffundiert. Die erstgenannten Bestandteile werden gemischt, zu Scheiben gebildet und in einer reduzierenden Atmosphäre bei beispielsweise 135O°C bis i480°C gebrannt. Die gebrannten Scheiben werden danach mit Bi0O0, allein oder zusammen mit PbO und Bp0T bedeck* und danach während etwa zweu Stunden in einer oxydierenden Atmosphäre bei beispielsweise I3OO C gesintert um die Bedeckung an den Korngrenzen zu diffundieren.
Die US Patentschrift Nr. 3.933.668 beschreibt keramische Zusammensetzungen vom intergranularen Isolier- *yP> die hauptsächlich aus SrTiO-, zu geringfügigen Mengen aus Nb0O _ oder Ta0O _ und zu geringfügigen Mengen aus GeOp oder ZrO „ bestehen. Die Keramik hat entweder Bi0O0 oder ein Gemisch aus Bi0O0, PbO und B0O0 darin an den Korngrenzen diffundiert. Die erstgenannten Bestandteile werden gemischt, zu Scheiben gebildet und in einer reduzierenden Atmosphäre bei beispielsweise 135O°C bis i480°C gebrannt. Die gebrannten Scheiben werden danach mit Bi0O0, allein oder zusammen mit PbO und Bp0T bedeck* und danach während etwa zweu Stunden in einer oxydierenden Atmosphäre bei beispielsweise I3OO C gesintert um die Bedeckung an den Korngrenzen zu diffundieren.
Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, neue Werk-
3D stoffe für intergranulare Isolierung keramischer Dielektriken
zu schaffen, damit Zusammensetzungen erzeugt verden,
die eine sehr hohe effektive Dielektrizitätskonstante,
PHA 21064 9: 23.3.82
einen geringen Verlustfaktor und einen hohen spezifischen
Widerstand über einen weiten Temperaturbereich aufweisen.
Die vorliegende Erfindung schafft dazu einen dielektrischen Körper vom intergranularen Isoliertyp, der
aus.einer polykristallinen Keramik besteht, die eine Erdalkalimetall-Titanat, -Zirkonat oder eine Kombination
derselben enthält und das genannte Erdalkalimetall aus einem oder mehreren der Elemente Barium, Strontium und
Kalzium besteht und eine elektrisch isolierende dielektrische Schicht, die an den Korngrenzen des keramischen
Körpers liegt und eine Kombination aus Bi?0„ und einem
oder mehreren anderen Metalloxyden enthält und dadurch gekennzeichnet ist, dass die anderen Metalloxyde gewählt
sind aus NiO, AIpO,, und Cu2O.
¥0 die elektrisch isolierende dielektrische Schicht ausschliesslich aus Bi?0„ und Cu„O besteht, ist
das Verhältnis von Cu2O zu Bi20„ weniger als 1,5 Gewichtsprozent,
aber grosser als 0 Prozent. Bei de Kombination BipO„ und Al20„ ist das Verhältnis AlpO„ zu Bi2O- weniger
als 1,5 Gewichtsprozent jedoch grosser als 0 und bei der Kombination Bi„0_ und NiO ist das Verhältnis NiO zu
Bi„0_ weniger als 1,5 Gewichtsprozent jedoch grosser als
0.
Die vorliegende Erfindung schafft zugleich ein Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Körpers
vom intergranularen Isoliertyp aus einem polykristallinen Keramikkörper, wie obenstehend beschrieben. Nach dem erfindungsgemässen
Verfahren wird mindestens ein Teil der Oberfläche des Keramikkörpers mit einer Kombination aus
3^ BipO_ und einem oder mehreren anderen Metaloxyden bedeckt
und die Bedeckung in den Korngrenzen des Kerämikkörpers diffundiert. Das Verfahren weist dazu das Kennzeichen
auf, dass die anderen Metalloxyde gewählt sind aus NiO, A12O„ und Cu2O.
Figur 1 zeigt eine graphische Darstellung, in der die Änderung in der Kapazität der Proben 1, 6, 23,
30, 36 und 43 in Abhängigkeit der Temperatur angegeben
PHA 21064 T 23.3.82
ist.
Figur 2 zeigt eine graphische Darstellung, in der der Verlustfaktor der Proben 1, 6, 23, 30, 36 und 43
in Abhängigkeit der Temperatur angegeben ist. Ein dielektrischer Körper nach der Erfindung
vom intergranularen Isoliertyp enthält einen polykristallinen Keramikkörper und eine elektrisch isolierende dielektrische
Schicht, die sich in den Korngrenzen der Keramik befindet. Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung
umfassen geeignete Keramiken Erdalkalimetall-Titanate,
-Zirkonate oder Kombinationen derselben. Geeignete Erdalkalimetalle umfassen Barium, Strontium und Kalzium.
Vorzugsweise wird jedoch der keramische Werkstoff Strontiumtitanat (SrTiO„) verwendet.
Obschon geeignete Keramiken ausschliesslich aus
Strontiumtitanat bestehen können, werden vorzugsweise Siliziumdioxid (SiO2) und Strontiumkarbonat (SrCO„) der
Keramik zugefügt, damit das Sinterverhalten der Keramik und die KorngrZsse und Verteilung der Korngrösse derselben
beeinflusst werden kann. Andere Zusätze zu der Keramik mit einer günstigen Wirkung umfassen Niobiumpentoxid
(NbpO_) und Tantalpentoxid (Ta2O-), die η-leitende Dotierungsmittel
sind, die dazu dienen, die Leitfähigkeit der Keramik zu erhöhen. Diese letzteren zwei Hinzufügungen
beeinflussen zugleich das Sinterverhalten der Keramik.
Obschon die vorliegende Erfindung bei allen obenstehend beschriebenen keramischen Werkstoffen angewandt
werden kann, besteht in den untenstehenden Beispielen der keramische Werkstoff aus Strontiumtitanat, Strontiumkarbonat,
Niobiumpentoxid und Siliziumdioxid.
Insbesondere wurde in den folgenden Beispielen der keramische Werkstoff hergestellt aus:
1383 g SrTiO2 (98,67 Gewichtsprozent) 0.79g SrCO (0,056 Gewichtsprozent)
15,1 kg NbpO- (i,08i Gewichtsprozent)
2,71g SiO2 (0,193 Gewichtsprozent).
Der keramische Werkstoff wurde aus diesen Verbindungen
PHA. 21064 * 23.3.82
.dadurch hergestellt, dass sie zu eins.- Brei vermische
wurden. Aus diesem Brei wurden Platten hergestellt, die zu Scheiben mit einem Durchmesser von 10 mm und einer
Dicke von 0,64 mm gepresst wurden. Die Scheiben wurden danach bei 144O C wahrend h Stunden in einer reduzierenden
Atmosphäre aus 6$ H2 und 9^$ N„ gesintert. Es wurden
Scheiben mit einem Durchmesser von 8,6 mm und einer Dicke von 0,55mm erhalten.
Beispiel 1 ;
Beispiel 1 ;
Verschiedene Mengen (θ bis k g) Rupfer-I—Oxid
(Cu2O) wurden mit 20 g Wismutoxid (Bi„0„) gemischt um
Cu20/Bi20_ Gewichtsverhältnisse zwischen O und 20% zu erhalten.
Diese wurden je bei 85Ο C während zwei Stunden
gebrannt. Fritten mit unterschiedlichen Verhältnissen von
CUpO/BipO- wurden auf diese Weise erhalten.
Die obenstehend beschriebenen keramischen Scheiben wurden danach einseitig mit 10 Gewichtsprozenten
O- Fritte bedeckt. Die bedeckten Scheiben wurden
bei 1150oC während 2,5 Stunden in Luft thermisch behandelt
um den Frittenwerkstoff an den Korngrenzen durch die
ganze Scheibe hindurch zu diffundieren. Danach wurden
Silberelektroden auf beiden Seiten der Scheiben vorgesehen. Die dielektrischen Eigenschaften dieser Scheiben
sind in der Tafel erwähnt. In der Tafel I und in den Tafein H-V wurden alle Messungen bei. 1 Kiloherz durchgeführt
mit Ausnahme des spezifischen Widerstandes, der mit einem Gleichstron gemessen wurde. Ausserdem wurden,
wenn nie!
geftJhrt.
wenn nicht anders erwähnt, alle Messungen bei 25 C durch-
PHA 21064
23.3.82
TAFEL
Probe· | i20/l | Bi2O3 | 26. | eff | Tg Ö | (#) | if 50V, |
Nr. | (Ge-v | f .#) | 42. | 100 | o, | 4 | (2min Ohm-cm) |
1 | 0 | 36. | 800 | . 0, | 3 | 4,0x1010 | |
2 | ο, | 005 | 50. | 400 | o, | 4 | 6,6x1O9 |
3 | ο, | 01 | 48. | 500 | o, | 3 | 8,6x1O9 |
4 | ο, | 05 | 54. | 500 | o, | 4 | 4,4xio9 |
5 | 9» | 1 | 38. | 900 | o, | 1 | 9,6x1O9 |
6 | ο, | 5 | 41. | 4oo | o, | 6 | 4,8x1010 |
7 - | If | 0 | 35. | 100 | o, | 2 | 2,7x101° |
8 | 2, | 0 | 26. | 4oo | 1, | 5 | i,3xio11 |
9 | 3, | 0 | 22. | 800 | 3, | 9 | 1,8XIO10 |
10 | 5, | 0 | 25. | 900 | 8, | 2 | i,7xio9 |
11 | 10, | 0 | 100 | 12, | 1 | 1,2x108 | |
12 | 20, | 0 | 2,2x107 | ||||
Beispiel 2 | |||||||
Fritten mit Ου_θ/Βχ20ο Gewichtsverhältnissen
zwischen 0$ und 1,5% wurden auf dieselbe Art und Weise
wie im Beispiel 1 hergestellt. Keramische Scheiben mit der obenstehend beschriebenen Zusammensetzung wurden danach
einseitig mit 10 Gewichtprozent Cu20-Bi„0„—Fritte
bedeckt. Die bedeckten Scheiben wurden bei 11000C während
2,5 Stunden in Luft thermisch behandelt. Danach wurden auf beiden Seiten der Scheiben Silberelektroden vorgesehen.
Die dielektrischen Eigenschaften sind in der Tafel II erwähnt.
PHA 21064
TAFEL
II
Probe Nr. |
Cu20/Bx20 (Gew. 96) |
3 | <- eff | Tg b ($) | β 50 V, (2min Ohm-cm) |
13 | 0 | 32.200 | o,4 | 3,3xio8 | |
i4 -. | 0,005 | 36.600 | 0,1 | 4,9xio8 | |
15 | 0,01 | 37.400 | 0,2 | 9,ixio8 | |
16 | 0,05 | 35.600 | 0,1 | 4,6xio9 | |
17 | 0,1 | 34.700 | 0,6 | 4,6xio9 | |
18 | 0,5 | 36.200 | 0,2 | 4,6xio9 | |
19 | 1,0 | 36.900 | 0,3 | 9,2x108 | |
20 | 1,5 | 3O 0 500 | 0,4 | 7,6x109 | |
Beispiel |
Verschiedene Mengen (θ bis 1,2 g) Nickeloxid wurden mit 20 g Wismutoxid gemischt um NiO/BipO_
GewichtsVerhältnisse zwischen 0% und 6 % zu erhalten.
Diese Gemische wurden während zwei Stunden bei 850 C
gebrannt. Fritten mit unterschiedlichen Verhältnissen von NiO/Bi-O- wurden auf diese Weise erhalten.
Keramische Scheiben mit der obenstehend beschriebenen Zusammensetzung wurden danach einseitig mit
10 Gewichtsprozent der NiO-Bi2O_-Fritte bedeckt. Die bedeckten
Scheiben wurden bei 1150°C während 2^5 Stunden
in Luft thermisch behandelt. Danach wurden auf beiden Seiten der Scheiben Silberelektroden vorgesehen. Die
dielektrischen Eigenschaften dieser Scheiben sind in der
Tafel III angegeben.
PHA 2.1064 | (Gew. 9έ) | -10- | "-. - -"-"" -"· | 32120 23.3.8 |
0 | TAFEL | III | ||
Probe Nr. |
0,05 | C eff | tff 0 (°/>) | 2min(0hm-cm) |
1 | 0,1 | 26.100 | 0,4 | 4,0x1010 |
21 | 0,5 | 22.700 | 0,3 | 6,5x1O10 |
22 | 1 | 30.700 | 0,2 | 3,ixio10 |
23 | 2 | 33.600 | 0,2 | 6,6x1O10 |
24 | 3 | 32.600 | 0,2 | 1,3x1011 |
25 | 6 | 28.700 | 1,0 | 1,2x109 |
26 | 26.9ΟΟ | 3,0 | 3,3x1O7 | |
27 | 27^500 | 2,5 | 3,3,1O8 | |
Beispiel 4 | ||||
Verschiedene Mengen (θ bis 0,6g) Aluminiumoxid 2O.,) wurden mit 20 g Wismut oxid gemischt um AlpO„/
Bi2O- Gewichtsverhältnisse zwischen O^ und 3$ zu erhalten.
Diese Gemische wurden danach wahrend zwei Stunden bei 85O0C gebrannt. Fritten mit unterschiedlichen Verhältnissen
A1„O /BipO„ wurden auf diese Weise erhalten.
Keramische Scheiben mit der obenstehend beschriebenen Zusammensetzung wurden danach einseitig mit
10 Gewichtsprozent der AlpO„-BipO„-Fritte bedeckt. Die
bedeckten Scheiben wurden danach wahrend 2,5 Stunden bei
1150oC in Luft thermisch behandelt. Auf beiden Seiten·
der Scheiben wurden danach Silberelektroden vorgesehen. Die erhaltenen dielektrischen Eigenschaften sind in der
Tafel IV angegeben.
PHA 21064
1 28 29 30 31 32 33
■*M-
TAFEL IV
Al203/Bi203 | O eff | t ί | f | h | β 50V, 2min(Ohm-cm) |
0 | 26.100 | o, | h | 4,oxio10 | |
0,05 | 20,100 | o, | 5 | 8,0x1010 | |
0,1 | 20.900 | o, | 5 | 1f0x1011 | |
0,5 | 25.600 | o, | 8 | 4,9xio10 | |
1,0 | 20.500 | ο, | 5 | 7,4x1O10 | |
1,5 | I5.5OO | 2, | 0 | 5,0x1010 | |
3,0 | 12.100 | 2, | 5,1x1010 |
Verschieden Mengen Cu2O, Al2O und NiO wurden
mit 20 g Wismutoxid gemischt um (Al2O- + Cu2O + NiO)/
Bi2O,, GewichtsVerhältnisse zwischen 0$ und 1,5$ zu erhalten.
Diese Gemische wurden während zwei Stunden bei 85O0C gebrannt um Fritten zu erhalten.
Keramische Scheiben mit der obenstehend beschriebenen Zusammensetzung wurden danach einseitig mit 10 Gewichtsprozent
der Fritte bedeckt. Die bedeckten Scheiben wurden danach während 2,5 Stunden bei 1150°C in Luft
thermisch behandelt. Auf beiden Seiten der Scheiben wurden danach Silberelektroden vorgesehen. Die erhaltenen elektrischen
Eigenschaften sind in der Tafel V angegeben.
PHA 2.1064
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cn
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co cn
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cn
PHA. 21064 !β 23.3.82
Aus den obenstehenden Beispiale werden akzeptierbare
Ergebnisse erhalten für die Cu2O- BipO -Fritte,
wo das Gewichtsverhältnis CUpO/Bi2O„ zvischen 0 und 1,5/*
liegt. Für die NiO-Bi2O - und Al2O -Bi3O -Systeme sind
die bevorzugten Gewichtsverhältnisse 0 bis 2 bzw. 0 bis 1,5 Gewichtsprozent. Für Gemische von Fritten ist das
bevorzugte Gewichtsverhältnis zwischen 0 und 1,5 Gewichtsprozent
.
Die Tafel VT zeigt die Frequenzabhängigkeit der Kapazität sowie des Verlustfaktors für Probe Nummer
6. Diese dielektrischen Eigenschaften sind gegenüber
Frequenzänderungen sehr stabil.
TAFEL VT
Kapazität CnF) |
( Δ c/c) | 0,6 | Frequenz |
38,2 | 0,59ε | 0,3 | 120 Hz |
38,0 ?n |
0,3 | 1 KHz | |
37,8 | -0,5# | o,3 | 10 KHz |
37,8 | -0,59ε | o,3 | 20 KHz |
37,75 | -0,7# | 0,3 | 40 KHz |
>5 37,7 | -0,89ε | o,3 | 100 KHz |
37,65 | -0,99? | o,4 | 200 KHz |
37,6 | -1,0% | o,4 | 400 KHz |
37,8 | -0,596 | o,7 | 1,0 KHz |
30 39,2 | +3,2% | 2,0 KHz | |
Figur 1 zeigt eine graphische Darstellung der Änderung in der Kapazität (/^ C in %) als Funktion der
Temperatur (T) für Proben Nr^ 1,6, 23, 30, 36 und 43,
Nach Studierung dieser Graphik dürfte es einleuchten, dass die Proben Nr. 6 und 30 EIE (Electronic industries
Association) Typenbezeichnungskode Y7R entsprechen oder
PHA 2.1064 VT 23.3.82
besser sind. Alle Proben sind, besser als EIA Typenbezeichnungskode
Z5U und Y7S,
Figur 2 zeigt in einer graphischen Darstellung die Temperaturabhängigkeit (τ) des Verlustfaktors tg ο
der Proben Nr. 1, 6, 23, 30, 36 und 43. Alle Proben zeigen
einen akzeptierbar niedrigen Verlust über den ganzen Temperaturbereich von -55 bis +125°C.
Leerseite
Claims (12)
- PHA 21064 +2^ 23.3.82PATENTANSPRÜCHE:Λ J Dielektrischer Körper vom intergranularen Isoliertyp, der aus einer polykristallinen Keramik besteht, wobei die genannte Keramik ein Erdalkalimetalltitanat, -zirkonat oder eine Kombination derselben enthält, und das genannte Erdalkalimetall aus einem oder mehreren der Elemente Barium, Strontium und Kalzium besteht und eine elektrische isolierende dielektrische Schicht enthält, die an den Korngrenzen der Keramik liegt, welche Schicht eine Kombination aus Bi2O- und einem oder mehreren anderenMetalloxiden enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die anderen Metalloxide aus NiO, A12O„ und Cu„0 gewählt sind.
- 2. Dielektrischer Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende dielektrische Schicht Bi2O., und NiO enthält und dass darin dasVerhältnis NiO zu Bi2O- weniger ist als 2 Gewichtsprozent, jedoch grosser als 05ε.
- 3. Diel el* r is eher Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende dielektrische Schicht Bi2O4, und Al2O- enthält und dass darindas Verhältnis A12O„ zu Bi2O- weniger als 1,5 Gewichtsprozent ist, jedoch grosser als 05ε.
- 4. Dielektrischer Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende Schicht Bi2O., und Cu2O enthält und dass darin das Verhältnis Cu2Onc -^zu BipO., weniger ist als 1,5 Gewichtsprozent, jedoch grosser als O°/o%
- 5. Dielektrischer Körper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende dielektrische Schicht Bi20„ und zwei oder mehr Metalloxide aus Cu2O, Al2O- und NiO enthält und dass darin das Verhältnis Gesamtmetalloxid zu Bi2O- weniger ist als 1,5 Gewichtsprozent, jedoch grosser als 0$.PHA 21Ö64 *3 23.3.82
- 6. Dielektrischer Körper nach einem der Ansprüche 1'bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramik SrTiO„ enthält.
- 7. · Dielektrischer Körper nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramik weiterhin NbpO oder Ta2O enthält.
- 8. Dielektrischer Körper nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die Keramik weiterhin SiO2 und SrCO enthält.
- 9. Verfahren zum Herstellen eines dielektrischen Körpers vom intergranularen Isoliertyp aus einem polykristallinen Keramikkörper mit Korngrenzen nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die genannte Keramik einen Erdalkalimetalltitanat, -zirkonat oder eine Kombination derselben enthält und das genannte Erdalkalimetall aus einem oder mehreren der Elemente Barium, Strontium und Kalzium besteht, wobei mindestens ein Teil der Oberfläche des Keramikkörpers mit einem Kombination aus BipO_ und einem oder mehreren anderen Metalloxiden bedeckt wird und d±e Bedeckung in der Konigrenze des keramische Körpers diffundiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die anderen Metalloxide aus NiO, Al„0„ und Cu0O gewählt sind.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass die Bedeckung eine amorphe Fritte ist.
- 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusion an dem bedeckten keramischen Körper in Luft durchgeführt wird.
- 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der bedeckte keramische Körper während etwa 2,5 Stunden auf etwa 1100 - 1150°C erhitzt wird.13· Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der bedeckenden Menge zu dem keramischen Werkstoff etwa 10 Gewichtsprozent beträgt.
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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DE3212071C2 DE3212071C2 (de) | 1990-11-08 |
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ID=22952616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19823212071 Granted DE3212071A1 (de) | 1981-04-06 | 1982-04-01 | Dielektrischer koerper vom intergranularen isoliertyp und verfahren zur herstellung desselben |
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56162820A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Kiyoshi Okazaki | Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same |
ATE12760T1 (de) * | 1981-10-09 | 1985-05-15 | Bosch Gmbh Robert | Gegen umwelteinfluesse bestaendiges mehrschichtsystem fuer waermeschutzanwendung. |
JPS6023902A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
DE3523681A1 (de) * | 1985-07-03 | 1987-01-08 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung keramischer sinterkoerper |
US4900702A (en) * | 1987-10-27 | 1990-02-13 | Nippon Ferrite, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
FR2628096B1 (fr) * | 1988-03-02 | 1992-10-16 | Commissariat Energie Atomique | Composition ceramique dielectrique utilisable en hautes frequences et en hyperfrequences et son procede de fabrication |
FR2652535A1 (fr) * | 1989-10-03 | 1991-04-05 | Caine Stephane | Procede de fabrication simplifiee de pastilles de composition donnee appartenant au groupe des supraconducteurs, des ferrites et des materiaux a structure granulaire complexe. |
JPH0425105A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Sharp Corp | 誘電体薄膜およびその製造方法 |
JPH0563168A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Sharp Corp | アクテイブマトリクス基板 |
KR100215861B1 (ko) * | 1996-03-13 | 1999-08-16 | 구본준 | 유전체 박막 제조방법 및 이를 이용한 반도체 장치제조방법 |
CN112811901B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-03-03 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3074804A (en) * | 1957-11-29 | 1963-01-22 | Nat Res Dev | Intergranular barrier layer dielectric ceramic compositions and the method of production thereof |
US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
GB1526152A (en) * | 1976-01-20 | 1978-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive ceramics |
GB2026466A (en) * | 1978-06-01 | 1980-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ceramic capacitor composition |
DE2909098C3 (de) * | 1978-03-13 | 1981-02-19 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Sinterkörper aus halbleitendem keramischem Material auf Basis von mit Niob oder Tantal dotiertem Strontiumtitanat mit einer elektrisch isolierenden Schicht an den Korngrenzen |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3351500A (en) * | 1963-03-13 | 1967-11-07 | Globe Union Inc | Method of forming a transistor and varistor by reduction and diffusion |
US3594616A (en) * | 1968-06-19 | 1971-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ceramic capacitor comprising semiconductive barium titanate body and silver alloy electrodes containing minor amounts of lead oxide and bismuth oxide |
JPS5616531B2 (de) * | 1974-06-24 | 1981-04-16 | ||
JPS5828726B2 (ja) * | 1976-01-20 | 1983-06-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体コンデンサ用磁器 |
JPS6043651B2 (ja) * | 1976-11-24 | 1985-09-30 | 株式会社村田製作所 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
JPS5910950B2 (ja) * | 1978-01-12 | 1984-03-12 | 株式会社村田製作所 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
JPS5514665A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-01 | Murata Manufacturing Co | Boundary insulating semiconductor porcelain composition |
-
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3074804A (en) * | 1957-11-29 | 1963-01-22 | Nat Res Dev | Intergranular barrier layer dielectric ceramic compositions and the method of production thereof |
US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
GB1526152A (en) * | 1976-01-20 | 1978-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive ceramics |
DE2909098C3 (de) * | 1978-03-13 | 1981-02-19 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Sinterkörper aus halbleitendem keramischem Material auf Basis von mit Niob oder Tantal dotiertem Strontiumtitanat mit einer elektrisch isolierenden Schicht an den Korngrenzen |
GB2026466A (en) * | 1978-06-01 | 1980-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ceramic capacitor composition |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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