DE3541517C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3541517C2 DE3541517C2 DE3541517A DE3541517A DE3541517C2 DE 3541517 C2 DE3541517 C2 DE 3541517C2 DE 3541517 A DE3541517 A DE 3541517A DE 3541517 A DE3541517 A DE 3541517A DE 3541517 C2 DE3541517 C2 DE 3541517C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mol
- less
- dielectric
- ceramic composition
- pbtio3
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 12
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical class [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
- H01G4/1263—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische
keramische Zusammensetzung und insbesondere eine verbesserte
dielektrische keramische Zusammensetzung mit
einer hohen Dielektrizitätskonstante von nicht weniger
als 8000 und einer niedrigen Sintertemperatur von
900°C bis 1000°C.
In neuerer Zeit ist es zunehmend erforderlich, daß
elektronische Geräte für die Benutzung in der Industrie
oder durch den privaten Verbraucher so konstruiert
sind, daß sie klein sind, geringes Gewicht haben und
bei hohen Frequenzen arbeiten. Aus diesem Grunde besteht
wachsende Nachfrage nach monolithischen keramischen
Kondensatoren wegen ihres hohen Verhältnisses
Kapazitäts-zu-Volumen, der Möglichkeit ihrer Fertigung
in großen Stückzahlen sowie ihren herausragenden
elektrischen und physikalischen Kennwerten, darunter
der Hochfrequenz-Charakteristik und der Wärmebeständigkeit.
Die monolithischen keramischen Kondensatoren sind im
allgemeinen aus einer Anordnung zweier alternierender
Schichten aufgebaut, einer dielektrischen Schicht, die
aus einer dielektrischen keramischen Zusammensetzung
eines Bariumtritanat-Systems besteht, und einer inneren
Elektrode. Die dielektrische keramische Zusammensetzung
nach dem Stand der Technik hat eine hohe Sintertemperatur
von 1300°C bis 1400°C, so daß es erforderlich ist,
ein Edelmetall wie Au, Pt und Pd als Material für die
inneren Elektroden zu verwenden. Die Verwendung derartiger
Edelmetalle ist jedoch teuer und macht den
größeren Teil der Fertigungskosten der monolithischen
keramischen Kondensatoren aus. Auf diese Weise setzt
der Einsatz des Edelmetalls der Senkung der Fertigungskosten
der monolithischen Keramik-Kondensatoren Grenzen.
Zur Lösung dieses Problems wurde vorgeschlagen, eine
Glas-Komponente aus Oxiden von Bor, Bismut und Blei in
die obige modifizierte Bariumtitanat-Zusammensetzung
einzuarbeiten. Der Zusatz der Glas-Komponente erniedrigt
die Sintertemperatur auf 1100°C bis 1150°C und
ermöglicht so die Verwendung einer relativ preisgünstigen
Silber-Palladium-Legierung als Material für die
inneren Elektroden. Die Einarbeitung der Glas-Komponente
erniedrigt jedoch die Dielektrizitätskonstante, und
infolgedessen nimmt für eine vorgegebene Kapazität der
monolithische keramische Kondensator an Größe zu. Hieraus
folgt eine Zunahme der Menge des zu verwendenden
Elektrodenmaterials, wodurch eine Senkung der Fertigungskosten
der monolithischen keramischen Kondensatoren
erschwert wird.
Aus der DE 31 38 593 A1 ist eine als Kondensator
verwendbare Keramik bekannt, die erhalten wird durch
Bildung einer Mischung aus Strontiumtitanat, einer
Kombination von Metalloxiden, die aus 0,1-5% eines
Oxids eines vierwertigen Metalls aus der Reihe Ti, Zr,
Ge, Si oder Sn und etwa 0,5 bis 0,5% eines Oxids eines
dreiwertigen Metalls aus der Reihe Bi, B, Fe, Sb, La
und der seltenen Erd- und Übergangsmetalle sowie etwa
0,1 bis 5% eines Oxids eines zweiwertigen Metalls aus
der Reihe Sr, Ca, Ba oder Pb und etwa 0,5-5% eines
Oxids eines fünfwertigen oder sechswertigen Metalls aus
der Reihe W6+, Nb5+, Ta5+ oder Mo6+.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine dielektrische
keramische Zusammensetzung mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante von nicht weniger als 8000 und
einer niedrigen Sintertemperatur von 900°C bis 1000°C
verfügbar zu machen.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es,
eine dielektrische keramische Zusammensetzung verfügbar
zu machen, die als dielektrisches Material für monolithische
keramische Kondensatoren verwendet werden
kann, die innere Elektroden aus einer relativ preisgünstigen
Silber-Palladium-Legierung enthalten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine dielektrische
keramische Zusammensetzung verfügbar gemacht, die
im wesentlichen aus Pb(Ni1/3Nb1/3)O₃, PbTiO₃,
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und M(Cu1/3Nb2/3)O₃ (worin M wenigstens
ein aus der aus Ba, Sr und Ca bestehenden Gruppe ausgewähltes
Element bezeichnet) besteht, wobei die prozentualen
Stoffmenge-Anteile ("Mol-Prozente") der vier
Bestandteile die folgenden sind:
Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ | |
45 bis 75 Mol-% | |
PbTiO₃ | 20 bis 40 Mol-% |
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ | 0,5 bis 15 Mol-% |
M(Cu1/3Nb2/3)O₃ | 1,0 bis 10 Mol-% |
Die dielektrische keramische Zusammensetzung des obigen
Vier-Komponenten-Systems kann weiterhin als einen Zusatzstoff
Mangan in einer Menge von nicht mehr als
0,5 Mol-%, berechnet als MnO₂, bezogen auf 1 mol der
aus 45 bis 75 Mol-% Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, 20 bis 40 Mol-%
PbTiO₃, 0,5 bis 15 Mol-% Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und 1,0 bis 10 Mol-%
M(Cu1/3Nb2/3)O₃, worin M wenigstens ein aus der
aus Ba, Sr und Ca bestehenden Gruppe ausgewähltes
Element bezeichnet, bestehenden Grundzusammensetzung
enthalten.
Diese und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung sind der folgenden Beschreibung
unter Bezugnahme auf ihre bevorzugten Ausführungsformen
zu entnehmen.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß der
vorliegenden Erfindung wurde folgendermaßen hergestellt:
Als Ausgangs-Rohstoffe werden hochgereinigte Oxide (Reinheit: nicht weniger als 99,9%) PbO, NiO, Nb₂O₅, TiO₂, ZnO, WO₃, CuO, SrCO₃, BaCO₃, CaCO₃ und MnO₂ verwendet. Diese Rohstoffe wurden eingewogen zur Zubereitung von Mischungen mit einer jeweiligen Zusammensetzung des Produkts mit den in der Tabelle 1 angegebenen Zusammensetzungs-Anteilen. Jede der erhaltenen Mischungen (100 g) wurde 10 h in einer Polyethylen-Mühle mit Achat-Kugeln naß vermahlen. Die erhaltene Aufschlämmung wurde getrocknet, in eine Aluminiumoxid- Brennkapsel eingefüllt, 2 h bei einer Temperatur von 650°C bis 800°C calciniert und dann zerkleinert, wodurch ein Pulver des primären Reaktionsteilnehmers (calciniertes Pulver) hergestellt wurde. Das calcinierte Pulver wurde zusammen mit 3 Gew.-% Polyvinylalkohol, der als Bindemittel eingearbeitet war, naß vermahlen, getrocknet und dann durch ein Sieb der Maschenweite 0,3 mm gegeben. Das auf diese Weise erhaltene granulierte Pulver wurde mit einer Ölpresse unter einem Druck von 1962 bar zu Scheiben mit einem Durchmesser von 12 mm und einer Dicke von 1,2 mm gepreßt. Die Scheiben wurden in eine Zirconiumoxid-Brennkapsel überführt und dann in einem elektrischen Ofen in einer bleihaltigen Atmosphäre 2 h bei 900°C bis 1100°C gebrannt.
Als Ausgangs-Rohstoffe werden hochgereinigte Oxide (Reinheit: nicht weniger als 99,9%) PbO, NiO, Nb₂O₅, TiO₂, ZnO, WO₃, CuO, SrCO₃, BaCO₃, CaCO₃ und MnO₂ verwendet. Diese Rohstoffe wurden eingewogen zur Zubereitung von Mischungen mit einer jeweiligen Zusammensetzung des Produkts mit den in der Tabelle 1 angegebenen Zusammensetzungs-Anteilen. Jede der erhaltenen Mischungen (100 g) wurde 10 h in einer Polyethylen-Mühle mit Achat-Kugeln naß vermahlen. Die erhaltene Aufschlämmung wurde getrocknet, in eine Aluminiumoxid- Brennkapsel eingefüllt, 2 h bei einer Temperatur von 650°C bis 800°C calciniert und dann zerkleinert, wodurch ein Pulver des primären Reaktionsteilnehmers (calciniertes Pulver) hergestellt wurde. Das calcinierte Pulver wurde zusammen mit 3 Gew.-% Polyvinylalkohol, der als Bindemittel eingearbeitet war, naß vermahlen, getrocknet und dann durch ein Sieb der Maschenweite 0,3 mm gegeben. Das auf diese Weise erhaltene granulierte Pulver wurde mit einer Ölpresse unter einem Druck von 1962 bar zu Scheiben mit einem Durchmesser von 12 mm und einer Dicke von 1,2 mm gepreßt. Die Scheiben wurden in eine Zirconiumoxid-Brennkapsel überführt und dann in einem elektrischen Ofen in einer bleihaltigen Atmosphäre 2 h bei 900°C bis 1100°C gebrannt.
Jede der erhaltenen Keramik-Scheiben wurde auf ihren
beiden Seiten dadurch mit Silber-Elektroden versehen,
daß Borosilicat-Glasfritte enthaltende Silberpaste aufgetragen
und dann die Scheiben 10 min bei 750°C gebrannt
wurden, wodurch Proben für die Messungen der
elektrischen Eigenschaften hergestellt wurden.
Messungen wurden durchgeführt in bezug auf die Kapazität
(C), den dielektrischen Verlust (tan δ) und den
Isolierwiderstand (IR). Die Kapazität (C) und der dielektrische
Verlust (tan δ) wurden gemessen bei 1 kHz
und 1 Vrms mit einem handelsüblichen LCR-Meter.
Der Isolierwiderstand (IR) wurde gemessen nach Anlegen einer
Gleichspannung von 500 V für eine Dauer von 2 min mit
einem handelsüblichen Megaohm-Meter.
Die Dicke der Keramik-
Scheibe und der Durchmesser der gegenüberliegenden
Elektroden wurden zur Bestimmung der Dielektrizitätskonstante
(ε) und des spezifischen Widerstandes (ϕ) gemessen.
Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 dargestellt.
Die Sintertemperaturen für jede der Proben sind
ebenfalls in Tabelle 2 aufgeführt.
In den Tabellen 1 und 2 sind die mit einem Sternchen
(*) gekennzeichneten Proben solche, deren Zusammensetzung
außerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung
liegt, während die anderen Proben diejenigen sind,
die im Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten
sind.
Die in den Proben 17 bis 22 gemachten Mengenangaben sind auf
jeweils 100 Mol-% normiert.
Aus den in Tabelle 2 dargestellten Ergebnissen geht
hervor, daß die dielektrische keramische Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung eine hohe Dielektrizitätskonstante
von nicht weniger als 8000 und eine
niedrige Sintertemperatur im Bereich von 900°C bis
1000°C besitzt.
In der vorliegenden Erfindung sind die prozentualen
Stoffmengen-Anteile der vier Bestandteile
Pb(Ni1/3NB2/3)O₃, PbTiO₃, Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und
M(Cu1/3Nb2/3)O₂ aus folgenden Gründen auf die im Vor
stehenden definierten Bereiche begrenzt.
Erstens, wenn der Gehalt an Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ kleiner
als 45 Mol-% ist, nimmt die Dielektrizitätskonstante
auf weniger als 8000 ab, und der dielektrische Verlust
(tan δ) steigt auf mehr als 2,5% an. Wenn der Gehalt
an Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃ größer als 75 Mol-% ist, nimmt die
Dielektrizitätskonstante auf weniger als 8000 ab.
Zweitens, wenn der Gehalt an PbTiO₃ kleiner als
20 Mol-% ist, nimmt die Dielektrizitätskonstante auf
weniger als 8000 ab. Wenn der Gehalt an PbTiO₃ größer
als 40 Mol-% ist, nimmt die Dielektrizitätskonstante
auf weniger als 8000 ab, und der dielektrische Verlust-
Tangens steigt auf mehr als 2,5% an.
Drittens, wenn der Gehalt an Pb(Zn1/2W1/2)O₃ kleiner
als 0,5 Mol-% ist, steigt die Sintertemperatur auf eine
Temperatur oberhalb von 1000°C an, und die Dielektrizitätskonstante
nimmt auf weniger als 8000 ab. Wenn der
Gehalt an Pb(Zn1/2W1/2)O₃ größer als 15 Mol-% ist,
sinkt die Sintertemperatur auf eine Temperatur von
900°C oder weniger als 900°C ab, jedoch nimmt die Dielektrizitätskonstante
auf weniger als 8000 ab, und der spezifische
Widerstand fällt auf einen Wert unterhalb von
10¹¹ Ω · cm bei Raumtemperatur.
Wenn der Gehalt an M(Cu1/3Nb2/3)O₂ kleiner als
1,0 Mol-% ist, steigt die Sintertemperatur auf eine
Temperatur oberhalb von 1000°C an. Wenn der Gehalt an
M(Cu1/3Nb2/3)O₃ größer als 10 Mol-% ist, nimmt die Dielektrizitätskonstante
auf weniger als 8000 ab, und der
spezifische Widerstand fällt auf weniger als
10¹¹ Ω · cm.
Die zugesetzte Mangan-Menge ist aus folgenden Gründen
auf den Bereich von nicht mehr als 0,5 Mol-%, berechnet als
MnO₂, bezogen auf 1 mol der Grund-Zusammensetzung aus
den vier Komponenten begrenzt. Wenn die zugesetzte
Mn-Menge größer als 0,5 Mol-% ist, erniedrigt sich der
spezifische Widerstand auf weniger als 10¹¹ Ω · cm.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß der
vorliegenden Erfindung besitzt ausgezeichnete elektrische
und physikalische Eigenschaften. Hierzu zählen
- (1) eine hohe Dielektrizitätskonstante (ε) von nicht weniger als 8000;
- (2) ein niedriger dielektrischer Verlust (tan δ) von nicht mehr als 2,5%;
- (3) ein hoher spezifischer Widerstand von nicht weniger als 10¹¹ Ω · cm bei Raumtemperatur;
- (4) eine niedrige Sintertemperatur von 900°C bis 1000°C;
- (5) der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur und bei erhöhter Temperatur (85°C) können weiter erhöht werden durch Einarbeitung einer speziellen Menge Mn, und ein spezifischer Widerstand von nicht weniger als 10¹² Ω · cm bei Raumtemperatur läßt sich erzielen.
Dementsprechend kann die dielektrische keramische Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung als dielektrisches
Material verwendet werden nicht nur für
fixierte keramische Kondensatoren, sondern auch für
monolithische keramische Kondensatoren. Die dielektrische
keramische Zusammensetzung gemäß der vorliegenden
Erfindung hat eine niedrige Sintertemperatur und macht
es dadurch möglich, eine relativ preisgünstige Silber-
Palladium-Legierung als Material für innere Elektroden
monolithischer keramischer Kondensatoren zu verwenden.
Infolgedessen wird es möglich, monolithische keramische
Kondensatoren mit einem hohen Verhältnis Kapazität-zu-Volumen
bei geringen Kosten zu fertigen.
Claims (3)
1. Dielektrische keramische Zusammensetzung, bestehend im
wesentlichen aus Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, PbTiO₃,
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und M(Cu1/3Nb2/3)O₃ (worin M wenigstens
ein aus der aus Ba, Sr und Ca bestehenden Gruppe ausgewähltes
Element bezeichnet), wobei die prozentualen
Stoffmengen-Anteile ("Mol-Prozente") der vier Bestandteile
die folgenden sind:
Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃
45 bis 75 Mol-%
PbTiO₃ 20 bis 40 Mol-%
Pb(Zn1/2W1/2)O₃ 0,5 bis 15 Mol-%
M(Cu1/3Nb2/3)O₃ 1,0 bis 10 Mol-%
2. Dielektrische keramische Zusammensetzung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß sie weiterhin als einen
Zusatzstoff Mangan in einer Menge von nicht mehr als
0,5 Mol-%, berechnet als MnO₂, bezogen auf 1 mol der
aus 45 bis 75 Mol-% Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃, 20 bis 40 Mol-%
PbTiO₃, 0,5 bis 15 Mol-% Pb(Zn1/2W1/2)O₃ und 1,0 bis
10 Mol-% M(Cu1/3Nb2/3)O₃ (worin M wenigstens ein aus
der aus Ba, Sr und Ca bestehenden Gruppe ausgewähltes
Element bezeichnet) bestehenden Grundzusammensetzung,
enthält.
3. Dielektrische keramische Zusammensetzung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine hohe Dielektrizitätskonstante
von nicht weniger als 8000 und eine
niedrige Sintertemperatur im Bereich von 900°C bis
1000°C besitzt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59250798A JPS61128409A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3541517A1 DE3541517A1 (de) | 1986-05-28 |
DE3541517C2 true DE3541517C2 (de) | 1993-04-01 |
Family
ID=17213202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853541517 Granted DE3541517A1 (de) | 1984-11-27 | 1985-11-23 | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4601989A (de) |
JP (1) | JPS61128409A (de) |
CA (1) | CA1251037A (de) |
DE (1) | DE3541517A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4753905A (en) * | 1985-07-31 | 1988-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US4772985A (en) * | 1986-09-24 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thick film capacitor |
US4820670A (en) * | 1986-11-26 | 1989-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
DE69020260T2 (de) * | 1989-08-17 | 1996-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrische Keramikzusammensetzung und Vielschicht-Kondensator. |
JPH03102705A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
SG45241A1 (en) * | 1993-06-30 | 1998-01-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition |
AR041149A1 (es) * | 2002-09-06 | 2005-05-04 | Sanofi Aventis | Composicion para mejorar las caracteriasticas fisico-quimicas de materiales a base de apatita, sus utilizaciones y procedimiento para su realizacion |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS557713A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Production of optical fiber aggregate |
US4347167A (en) * | 1980-10-01 | 1982-08-31 | University Of Illinois Foundation | Fine-grain semiconducting ceramic compositions |
US4379319A (en) * | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
JPS6020914B2 (ja) * | 1983-04-21 | 1985-05-24 | 日本電気株式会社 | 電歪磁器組成物 |
US4542107A (en) * | 1983-05-30 | 1985-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250798A patent/JPS61128409A/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-11-23 DE DE19853541517 patent/DE3541517A1/de active Granted
- 1985-11-25 CA CA000496126A patent/CA1251037A/en not_active Expired
- 1985-11-25 US US06/801,483 patent/US4601989A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1251037A (en) | 1989-03-14 |
US4601989A (en) | 1986-07-22 |
JPS61128409A (ja) | 1986-06-16 |
DE3541517A1 (de) | 1986-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69209417T2 (de) | Nichtreduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE69822933T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und deren Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
DE4010827C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE19937999B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und dieselbe verwendender laminierter Keramikkondensator | |
DE4028279C2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE69728721T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und dieselbe benutzender monolithischer keramischer Kondensator | |
DE2943812C2 (de) | ||
DE68923781T2 (de) | Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante und keramische Kondensatorelemente. | |
DE10035612A1 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithischer Keramikkondensator | |
DE10024236A1 (de) | Keramikkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10043882B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil | |
DE3642226C2 (de) | ||
DE69025923T2 (de) | Keramische zusammensetzung und elektronisches teil daraus | |
DE112004001237B4 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und deren Verwendung für einen laminierten keramischen Kondensator | |
DE69201108T2 (de) | Keramischer Kondensator und sein Herstellungsverfahren. | |
DE68912988T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator. | |
DE3213148A1 (de) | Temperaturkompensierende keramische dielektrika | |
DE4005505A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
DE3541517C2 (de) | ||
DE4336089C2 (de) | Nicht-reduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE3212071C2 (de) | ||
DE3327768C2 (de) | ||
DE3011977C2 (de) | ||
DE69009016T2 (de) | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung. | |
DE4005507A1 (de) | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |