DE3011977C2 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].[O-][W]([O-])(=O)=O SSWAPIFTNSBXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 5
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Fe+3].[Fe+3] LIKBJVNGSGBSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Mg+2].[O-][W]([O-])(=O)=O DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
- H01G4/1263—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/472—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on lead titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine bei niedriger Temperatur
sinterbare dielektrische Zusammensetzung der im Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 angegebenen Art und deren Verwendung .
Eine derartige dielektrische Zusammensetzung ist aus der
DE-OS 27 01 411 bekannt. Diese besteht aus einer festen
Lösung von Bleiferroniobat in Bleiferrowolframat, außerdem ist
noch Bleimanganoniobat oder Bleimanganoantimonat enthalten und es wird
zwischen 880 und 990°C gesintert. Dises Produkt weist bei
20°C eine Dielektrizitätskonstante über 5000, einen Verlustfaktor
tan δ von weniger als 5,5% und einen spezifischen Widerstand von wenigstens
10⁹ Ω cm auf.
Weiterhin ist eine dielektrische Zusammensetzung aus einer festen
Lösung von Bleititanat in Bleimagnesiowolframat bekannt ("Soviet
Physics-Solid State", Vol. 2 (1960), Seiten 63-65), die in PbO-Dampf
atmosphäre bei 1000-1050°C gesintert wird und eine Dielektrizitätskonstante
bis etwa 5500 bei 20°C aufweisen kann.
Eine dielektrische Zusammensetzung, die sich
zum Sintern bei einer niedrigen, und zwar bei höchstens
100°C liegenden Temperatur eignet, ist aufgrund der folgenden
Vorteile bei der Herstellung von Dickschichtkondensatoren
sehr zu bevorzugen:
- (1) Ein billigerer Sinterofen als bei herkömmlicher Bariumtitanat-Keramik ist dann verwendbar.
- (2) Wärmeenergie kann eingespart werden.
- (3) Ein billigeres Metall der Silbergruppe kann als Elektrode verwendet werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine dielektrische
Zusammensetzung der eingangs vorausgesetzten Art zu entwickeln, die
mit einer von den bekannten abweichenden Zusammensetzung bei
einer Temperatur von höchstens 900°C sinterbar ist und nach dem
Sintern eine relative Dielektrizitätskonstante von wenigstens
2000 bei 25°C, einen Verlustfaktor von höchstens 5% bei 25°C
und einen spezifischen Widerstand von wenigstens 10⁹ Ω cm
bei 25°C aufweist, und deren Verwendung anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden
Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung und die Verwendung
der dielektrischen Zusammensetzung sind in den Patentansprüchen 2 bis 4
gekennzeichnet.
Um die relative Dielektrizitätskonstante von Bleiferrowolframat
bei 25°C zu verbessern, ist es erforderlich,
die Curie-Temperatur von -95°C auf eine höhere Temperatur
zu verschieben. Hierfür wurde es als wirksam angesehen, dem
Bleiferrowolframat Bleititanat und Bariumtitanat mit einer
hohen Curie-Temperatur zuzusetzen, doch wurde gefunden, daß
der Zusatz von Bariumtitanat den Verlustfaktor und den
spezifischen Widerstand bei 25°C nicht verbessern kann,
während der Zusatz von Bleititanat mit der relativen Dielek
trizitätskonstante von 7000 bei der Curie-Temperatur
(490°C) aufgrund des hohen Schmelzpunktes von 1285°C kaum
zu einem gesinterten dichten Stoff führen kann. Jedoch kann es
in feste Lösung gehen, wenn es zusammen mit Bleiferro
wolframat gesintert wird, und daher bei einer niedrigen
Temperatur, wie bei höchstens 1000°C, und mit einer relativen
Dielektrizitätskonstante von wenigstens 2000 bei 25°C gesintert
werden kann.
Andererseits sind Nickeloxid, Zinkoxid, Mangandioxid,
Wismutoxid usw. allgemein als Zusatz zur Verbesserung des
Verlustfaktors und des spezifischen Widerstandes bei 25°C
der dielektrischen Zusammensetzungen bekannt. Jedoch war
es nicht bekannt, ob diese Zusätze für eine aus Bleiferro
wolframat und Bleititanat bestehende dielektrische Zusammensetzung wirksam
sind oder nicht.
Die Erfinder fanden, daß unter diesen Zusätzen Mangandioxid
für die dielektrische Zusammensetzung wirksam ist.
Dielektrische Zusammensetzungen, in denen
x unter 0,005 oder über 0,65 in der genannten allgemeinen
Formel ist, haben eine relative Dielektrizitätskonstante von
weniger als 2000 bei 25°C, wenn sie bei 1000°C gesintert
sind. Wenn der Manganzusatz unter 0,05 Mol-% bleibt, läßt sich beim Verlustfaktor
und beim spezifischen Widerstand keine Verbesserung
erzielen. Wenn er über 5,2 Mol-% liegt, wird der Rückgang der
relativen Dielektrizitätskonstante beträchtlich. Daher
liegen solche dielektrischen Zusammensetzungen außerhalb des
Bereichs der Erfindung.
Ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen, bei
niedrigerer Temperatur sinterbaren dielektrischen Zusammensetzung
wird im folgenden erläutert:
- (a) Oxide von Blei, Eisen, Wolfram, Titan und Mangan oder Vorstufen für diese Verbindungen (z. B. Karbonate, Hydroxide, Chloride, Nitrate usw.) werden gleichmäßig pulverisiert und nach dem üblichen Mischverfahren (z. B. durch einen Mörser mit einem Stößel, eine Kugelmühle usw.) gemischt.
- (b) Die erhaltene gleichmäßige Mischung wird an Luft
bei einer Temperatur von 650-900°C kalziniert. Die
Kalzinierung bei einer höheren Temperatur als 900°C führt
zur Verdampfung von Bleioxid und auch zu übermäßigem Sintern,
wodurch das nachfolgende Pulverisieren schwierig wird,
und ist daher nicht vorzuziehen, während die Kalzinierung
bei einer Temperatur unter 650°C diese unvollständig macht.
Die Kalzinierungsdauer hängt von den Ausgangsstoffen, ihrem Mischungsverhälntis und der Kalzinierungstemperatur ab. Die übliche Kalzinierungsdauer ist 0,5 bis 8 h. - (c) Das erhaltene kalzinierte Produkt wird dann in einem Mahlwerk, einer Kugelmühle usw. pulverisiert, um Pulver mit der gewünschten Korngröße zu erhalten. Die übliche Korngröße ist höchstens 20 µm.
- (d) Das Pulver des kalzinierten Produkts wird nach der üblichen Preßtechnik beispielsweise zu Scheiben geformt und gesintert. Bei der Herstellung von Dickschichtkondensatoren wird das Pulver zu einer dielektrischen Paste verarbeitet, und die Paste wird auf eine auf einer Substratplatte vorgesehene untere Elektrode aufgebracht und ausgebacken. Dann wird eine obere Elektrode auf der ausgebackenen Paste angebracht.
Weiterhin wird die Erfindung anhand von Beispielen und der Zeichnung
näher erläutert; darin zeigt
Fig. 1 eine Aufsicht eines Dickschichtkondensators und
Fig. 2 einen Querschnitt längs der Linie II-II der Fig. 1.
Bleioxid (PbO), Eisen(III)Oxid (Fe₂O₃), Wolframoxid
(WO₃), Titanoxid (TiO₂) und Mangandioxid (MnO₂) wurden
in den in der Tabelle 1, No. 1-37 gezeigten Anteilen
ausgewogen, wobei Bleiferrowolframate und Bleititanat anstelle
der genannten Materialien verwendet werden können. 50 g der
jeweiligen ausgewogenen Mischung wurden in eine Kugelmühle
aus einem Quarztopf mit Kieseln zusammen mit 30 ml destilliertem
Wasser geben und zum Erhalten einer gleichmäßigen Mischung
pulverisiert. Die erhaltene gleichmäßige Mischung wurde
zur Entfernung des Wassers daraus getrocknet, und die getrocknete
Mischung wurde in einen Platintiegel gegeben und
bei einer Temperatur von 650 bis 850°C 1 bis 2 h kalziniert.
Dann wurde die kalzinierte Mischung in einer Kugelmühle aus
einem Quarztopf mit Kieseln 16 h pulverisiert, 20 g des
Pulvers wurde 1 ml einer wäßrigen, 3%igen Polyvinylalkohol
lösung als Bindemittel zugesetzt, und diese Mischung wurde
unter einem Druck von 0,8 t/cm² zu einer Scheibe von 15 mm Durchmeser
und 1 mm Dicke geformt. Die Scheibe wurde bei einer
Temperatur von 900 bis 1000°C 10 min bis 2 h gesintert.
Die erhaltene gesinterte Scheibe wurde mit einer elektrisch
leitenden Silberpaste zur Bildung von Elektroden zwecks
Erhaltens einer Probe zum Messen der elektrischen Eigenschaften
überzogen.
Die Kapazität und der Verlustfaktor (tan δ) wurden mit
einer Kapazitätsmeßbrücke bei 25°C und 1 kKz gemessen,
und die relative Dielektrizitätskonstante (ε) wurde nach
der folgenden Gleichung berechnet.
worin C die Kapazität (pF), S die Elektrodenfläche (cm²)
und d die Dicke des dielektrischen Stoffes (cm) bedeuten.
Der Isolationswiderstand wurde mit einem Hochwiderstands
messer gemessen, und der spezifische Widerstand ρ (Ω cm)
wurde nach der folgenden Gleichung berechnet:
worin R den Isolationswiderstand (Ω), S die Elektroden
fläche (cm²) die Dicke des dielektrischen Stoffes (cm)
bedeuten. Die Messung des Isolationswiderstandes wurde
30 s nach Anlegen eines Gleichstrompotentials von 50 V an
den dielektrischen Stoff während 15 s durchgeführt.
Die Tabelle 1 zeigt die Ergebnisse der Messung der relativen
Dielektrizitätskonstante, des Verlustfaktors und des
spezifischen Widerstandes des gesinterten Produkts jeweils
bei 25°C. Die folgenden Tatsachen (1) bis (3) sind den
Ergebnissen offenbar zu entnehmen.
- (1) Die im Hauptanspruch beanspruchte, bei niedriger Temperatur sinterbare dielektrische Zusammensetzung, die durch die allgemeine Formel: Pb(Fe2/3W1/3)1-x Ti x O₃mit 0,05 bis 5,2 Mol-% MnO₂ dargestellt ist, worin 0,005 x 0,50 ist, kann eine relative Dielektri zitätskonstante von wenigstens 2000 bei 25°C, einen Verlustfaktor von höchstens 5% bei 25°C und einen spezifischen Widerstand von wenigstens 10⁹ Ω cm bei 25°C aufweisen, auch wenn sie bei einer Temperatur von höchstens 900°C gesintert ist.
- (2) Die im Anspruch 2 beanspruchte dielektrische Zusammensetzung in der 0,005 x 0,35 ist, kann eine relative Dielek trizitätskonstante von wenigstens 2000 bei 25°C, einen Verlustfaktor von höchstens 5% bei 25°C und einen spezifischen Widerstand von wenigstens 10⁹ Ω cm bei 25°C aufweisen, auch wenn sie nur 10 min bei 900°C gesintert ist.
- (3) Die im Anspruch 3 beanspruchte dielektrische Zusammensetzung in der 0,005 x 0,300 ist, kann eine relative Dielek trizitätskonstante von 3400-9500 bei 25°C, einen Verlustfaktor von höchstens 5% bei 25°C und einen spezifischen Widerstand von wenigstens 10⁹ Ω cm bei 25°C aufweisen, auch wenn sie 10 min bei 900°C gesintert ist.
Bleioxid, Eisen(III)oxid, Wolframoxid, Titanoxid und
Mangandioxid wurden in den in der Tabelle 1, No. 3, 6, 9, 12,
15, 20, 27 und 30 gezeigten Anteilen ausgewogen und in der
gleichen Weise wie im Beispiel 1 zu kalziniertem Pulver verarbeitet.
Das erhaltene Pulver hatte die maximale Korngröße
von 20 µm. 30 g des Pulvers wurden mit 5 ml einer
Äthylzelluloselösung in α-Terpineol vermischt und mit
einem Dreiwalzenkneter zu einer dielektrischen Paste verknetet.
Dann wurde die dielektrische Paste dreimal auf eine
Aluminiumoxidsubstratplatte 1 gedruckt und getrocknet,
um die Isolierschicht 2 zu ergeben, wie in Fig. 1 und 2
gezeigt ist. Eine Silber als Hauptbestandteil enthaltende
Elektrodenpaste wurde auf die Isolierschicht 2 gedruckt und
zum Erhalten einer unteren Elektrode 3 getrocknet. Außerdem
wurde die dielektrische Paste zweimal auf die untere Elektrode 3
gedruckt und zur Bildung der dielektrischen Schicht 4 getrocknet.
Die Silber als Hauptbestandteil enthaltende Elektrodenpaste
wurde auf die dielektrische Schicht 4 gedruckt und
zur Bildung einer oberen Elektrode 5 getrocknet. Dann wurde
die erhaltene Mehrschichtplatte in einem Bandofen bei 900°C
10 min gesintert, um einen Dickenschichtkondensator zu erhalten.
Der erhaltene Dickschichtkondensator hatte die
Isolierschicht 2 mit einer Dicke von 70-100 µm und die
dielektrische Schicht 4 in einer Dicke von 40-50 µm.
Die relative Dielektrizitätskonstante und der Verlustfaktor
(tan δ) des Dickenschichtkondensators wurden in der
gleichen Weise wie im Beispiel 1 gemessen, und die Ergebnisse
hiervon sind in der Tabelle 2 angegeben. Es ist aus der
Tabelle 2 ersichtich, daß die aus den
bei niedrigerer Temperatur sinterbaren dielektrischen Zusammensetzungen
hergestellten Dickschichtkondensatoren eine
relative Dielektrizitätskonstante von wenigstens 2000 bei
25°C, einen Verlustfaktor von höchstens 5% bei 25°C
und einen spezifischen Widerstand von wenigstens 7 × 10⁹ Ω cm
aufwiesen.
Ein Dickschichtkondensator ohne die Isolierschicht 2 nach
Fig. 1 und 2 hat den in der Tabelle 2 gezeigten unterlegene
Eigenschaften, doch sind die Eigenschaften praktisch verwertbar.
Die bei niedrigerer Temperatur sinterbare
dielektrische Zusammensetzung läßt sich auch für einen Vielschicht
kondensator verwenden.
Claims (4)
1. Bei niedriger Temperatur sinterbare dielektrische Zusammensetzung
aus Bleiferrowolframat und einem zweiten Bleimischoxid
sowie einer Manganverbindung,
dadurch gekennzeichnet,
daß die dielektrische Zusammensetzung der Formel
Pb(Fe2/3W1/3)1-x Ti x O₃mit 0,005 x0,50 und unter Zusatz
von 0,05 bis 5,2 Mol-% MnO₂
entspricht, und daß die Zusamensetzung durch Sintern bei Temperaturen
von höchstens 900°C erhalten wird.
2. Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß 0,005 x 0,35 beträgt und daß sie durch 10minütiges
Sintern bei 900°C erhalten wird.
3. Dielektrische Zusammensetzung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß 0,005 x 0,30 beträgt.
4. Verwendung der nach einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellten
dielektrischen Zusammensetzung als Ausgangsmaterial zur Herstellung
eines Dickschichtkondensators.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54035460A JPS597665B2 (ja) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3011977A1 DE3011977A1 (de) | 1980-10-09 |
DE3011977C2 true DE3011977C2 (de) | 1988-12-01 |
Family
ID=12442390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803011977 Granted DE3011977A1 (de) | 1979-03-28 | 1980-03-27 | Bei niedrigerer temperatur sinterbare dielektrische zusammensetzung und diese verwendender dickschichtkondensator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4308571A (de) |
JP (1) | JPS597665B2 (de) |
DE (1) | DE3011977A1 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018086B2 (ja) * | 1981-04-13 | 1985-05-08 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用磁器誘電体 |
US4379319A (en) * | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
FR2522870A1 (fr) * | 1982-03-02 | 1983-09-09 | Europ Composants Electron | Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum stable en fonction de la temperature et condensateur utilisant cette composition |
US4791391A (en) * | 1983-03-30 | 1988-12-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Planar filter connector having thick film capacitors |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3472776A (en) * | 1965-09-15 | 1969-10-14 | Charlotte Chem Lab Inc | Electrically stabilized ferroelectric compositions of perovskite lattice structure (batio3 plus mn impurities) and method of making the same |
US3864159A (en) * | 1972-12-04 | 1975-02-04 | Owens Illinois Inc | Capacitor having thick-film glass-ceramic dielectric layer and method for manufacture |
US3995300A (en) * | 1974-08-14 | 1976-11-30 | Tdk Electronics Company, Limited | Reduction-reoxidation type semiconducting ceramic capacitor |
US4048546A (en) * | 1975-07-09 | 1977-09-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric powder compositions |
US4078938A (en) * | 1976-01-16 | 1978-03-14 | Nippon Electric Company, Ltd. | Ceramic compositions having high dielectric constant |
-
1979
- 1979-03-28 JP JP54035460A patent/JPS597665B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-03-26 US US06/134,281 patent/US4308571A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-27 DE DE19803011977 patent/DE3011977A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4308571A (en) | 1981-12-29 |
JPS55130863A (en) | 1980-10-11 |
DE3011977A1 (de) | 1980-10-09 |
JPS597665B2 (ja) | 1984-02-20 |
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