DE3145631C2 - Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung - Google Patents

Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung

Info

Publication number
DE3145631C2
DE3145631C2 DE3145631A DE3145631A DE3145631C2 DE 3145631 C2 DE3145631 C2 DE 3145631C2 DE 3145631 A DE3145631 A DE 3145631A DE 3145631 A DE3145631 A DE 3145631A DE 3145631 C2 DE3145631 C2 DE 3145631C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature
mol
dielectric
sintered
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3145631A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3145631A1 (de
Inventor
Hideo Yokohama Arima
Akira Ikegami
Tokio Fujisawa Isogai
Kiyoshi Yokohama Kawabata
Hirayoshi Tokio/Tokyo Tanei
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of DE3145631A1 publication Critical patent/DE3145631A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3145631C2 publication Critical patent/DE3145631C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • H01G4/1263Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C04B35/497Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
    • C04B35/499Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

Es wird eine Porzellanmasse beschrieben, die Pb(Fe ↓2 ↓/ ↓3W ↓1 ↓/ ↓3)O ↓3, PbTiO ↓3 und Pb(Yb ↓1 ↓/ ↓2Nb ↓1 ↓/ ↓2)O ↓3 vorzugsweise im Bereich enthält, der durch die umschlossene Fläche A-B-C-D-A des Dreiecksdiagramms der Figur 1 definiert wird. Die erfindungsgemäße Masse ergibt ein Sinterprodukt durch Sintern bei einer Temperatur, die so niedrig wie 1000 ° C oder weniger ist. Das resultierende Sinterprodukt hat eine hohe relative Dielektrizitätskonstante und eine kleine Tangente des dielektrischen Verlustes.

Description

und daß es zusätzlich Manganoxid in einer Menge von 0,05 bis 6 Mol-% enthält
2. Dielektrikum nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin MnO2 in einer Menge von 0,05 bis 6 Mol-%, bezogen auf 94 bis 99,95 Mol-% Pb(Fe2Z3W1n)O3 (a), PbTiO3 (y) und Pb(Ybl/2NbI/2)O3(z), enthält, wobei die Gesamtmenge 100 Mol-% betragt
Die Erfindung betrifft ein keramisches Pb(Fe2Z3WiZ3)O3 enthaltendes Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung.
Bislang wurde Bariumtitanat (BaTiO3) als Hauptkomponente für ein Material verwendet, das eine hohe Dielektrizitätskonstante hat und bei einer Temperatur von 1300 bis 14000C sintert. Um die relative Dielektrizitätskonstante von Bariumtitanat bei Raumtemperatur zu erhöhen oder um das Temperaturverhalten von Bariumtitanat zu verbessern, ist schon ein Verfahren angewandt worden, bei dem man verschiedene Oxide, wie Strontiumtitanat (SrTiO3), Calciumstannat (CaSnO3), Calciumtitanat (CaTiO3) etc., zu dem Bariumtitanat zusetzt. Da die Sintertemperatur, wie oben erwähnt, so hoch wie 1300 bis 14000C ist, hat die resultierende Bariumtitanatmasse die Nachteile, daß die Vorgänge bei hoher Temperatur durchgeführt werden sollten und daß ein teures Metall, wie Platin, Palladium oder dergleichen, das für die genannte Sintertemperatur geeignet ist, als Innenelektrode, und zwar insbesondere im Falle der Bildung eines Vielschicht-Kondensators, verwendet werden sollte.
Es wird dahei seit langem nach einem keramischen Dielektrikum gesucht, das bei der Herstellung von insbesondere Vielschicht-Kond;nsatof.:,n bei niedrigeren Temperaturen, insbesondere 10000C oder weniger, gesintert werden kann, so daß verschiedene erhebliche Vorteile erhalten werden können, wie z. B. die Anwendbarkeit von billigeren Metallen, z. B. Silberlegierungen, als Innenelektrode anstelle deroben genannten teuren Metalle, die Verwendbarkeit von billigeren Öfen aufgrund der niedrigeren Sintertemperatur und Einspaningen von Wärmeenergie.
Aus der DE-AS 16 71 170 ist ein piezoelektrisches Keramik-Material mit einem Anteil an Bleiytterbiumniobat bekannt. In Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR - Physical Series - Band 24, Nr. 10, Seiten 1275 bis 1281 (1960) wird im Zusammenhang mit einem keramischen Dielektrikum die Zusammensetzung Pb(Fe2Z3W1Z3)O3 beschrieben.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein keramisches Dielektrikum zur Verfugung zu stellen, das bei einer derart niedrigen Temperatur, wie 10000C oder weniger, gesintert werden kann.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei einem keramischen Dielektrikum der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß es aus Pb(Fe2/3W,/3)O3Oc), PbTiO3 (y) und Pb(Yb,/2Nb1/2)O3 (z) besteht, wobei die Summe der Komponenten x,y und ζ 100 Mol-% beträgt und die Verhältnismengen der Komponenten in den folgenden Mol-%-Bereichen liegen:
χ = 21 bis 90 Mol-%
y = 1 bis 64 Mol-%
z= 1 bis 69 Mol-%
und daß es zusätzlich Manganoxid in einer Menge von 0,05 bis 6 Mol-% enthält.
Das erfindungsgemäße Dielektrikum enthält Bleiferrowolframat(Pb(Fe2/3W,/3)O.,), Bleititanat (PbTiO1) und Bleiytterbiumniobat (Pb(Yb IZjNbIz2)O3) als die drei Hauptkomponenten und Mangandioxid (MnO2) als Sekundärkomponente.
Das erfindungsgemäße Dielektrikum kann aus Oxiden, Carbonaten, Hydroxiden, Chloriden und Nitraten von Blei, Eisen, Wolfram, Titan, Ytterbium, Niob und Mangan hergestellt werden. So werden beispielsweise Oxide der einzelnen Bestandteile (Metalle) durch ein herkömmliches Mischverfahren, beispielsweise unter Verwendung einer Misch- und Mahlmaschine, einer Kugelmühle oder dergleichen, genügend vermischt und sodann wird das Gemisch in Luft bei einer Temperatur von vorzugsweise 650 bis 9000C calciniert, wodurch die gewünschte Masse erhalten wird. Bei Calcinierungstemperaturen von mehr als 9000C besteht die Tendenz, daß die Masse zu stark calciniert, und es erfolgt in unerwünschter Weise eine Verdampfung von Bleioxid in der frühen Stufe. Wenn andererseits die Caicinierungstemperatur unterhalb 6500C liegt, dann ist die Calcinierung in unerwünschter Weise nicht ausreichend. Die Calcinierungszeit hängt von der Art der Ausgangsmaterialien, den Verhältnissen der Ausgangsmaterialien und der Caicinierungstemperatur ab. Im allgemeinen erfordert eine niedrigere Caicinierungstemperatur eine längere Calcinierungszeit. Die Calcinierungszeit ist gewöhnlich 0,5 bis 8 h. Das calcinierte Produkt wird sodann gemahlen, wobei beispielsweise eine Misch- und Mahlmaschine, eine
Kugelmühle oder dergleichen verwendet wird, wodurch ein Pulver mit der gewünschten Teilchengröße erhalten wird. Gewöhnlich wird das calcinierte Produkt zu einer Teilchengröße von höchstens 20 μΐη gemahlen. Das resultierende calcinierte Pulver wird durch eine herkömmliche Preßtechnik zu einer Scheibe verformt und anschließend gesintert. Das resultierende Sinterprodukt wird beispielsweise zur Herstellung eines Scheibenkondensators verwendet, wobei darauf Elektroden, beispielsweise unter Verwendung einer Silberelektrodenpaste, gebildet werden.
Das erfindungsgemäße Dielektrikum kann für einen Vielschicht-Kondensator, einen Dickfilm-Kondensator etc. verwendet werden. Wenn Vielschicht-Kondensatoren oder Dickfilm-Kondensatoren unter Verwendung des erfindungsgemäßen Dielektrikums hergestellt werden, dann können, weil billigere Silberlegierungen als Hauptkomponente für die Innenelektroden wegen der Sintertemperatur von 10000C oder weniger verwendet werden, die Produktionskosten erheblich vermindert werden und die Verfahrensweise wird aufgrund der Niedertemperatujrsinterung erleichtert.
Die Erfindung wird in den Beispielen und Vergleichsbeispielen erläutert.
Beispiele 1 bis 22 und Vergleichsbeispiele 1 bis 3
Oxide aus der Gruppe Bleioxid (PbO), Eisen(UI)-oxid (Fe2O3), Wolframoxid (WO3), Titanoxid (TiO2), Ytterbiumcotid (Yb2O3), Nioboxid (Nb2O5) und Manganoxid (MnO2) wurden als Ausgangsmaterialien verwendet und abgewogen, um die in Tabelle I aufgeführten Massen zu ergeben. Etwa 50 g Ausgangsmaterialien wurden pro Ansatz verwendet. Die einzelnen Oxide wurden abgewogen und etwa 30 ml destilliertes Wasser wurden in eine Achat-Kugelmühle eingegeben und es wurde etwa 8 h lang durchgemischt Das resultierende Gemisch wurde in einen Platintiegel eingegeben unr11 bis 2 h bei 650 bis 8500C calciniert. Die calcinierten Materialien wurden jeweils in einer Achat-Kugelmühle 4 bis 16 h lang vermählen. Zu jedem Pulver, das in einer Menge von 20 g erhalten worden war, wurde etwa 1 ml einer wäßrigen Lösung von 3% Polyvinylalkohol als Bindemittel zugesetzt. Scheiben mit einem Durchmesser von 15 mm und einer Dicke von etwa 1 mm wurden unter Anwendung eines Preßdrucks von etwa 78,4 N/mm2 auf die mit Bindemföel vermischten Pulver geformt. Die Scheiben wurden in den Beispielen 2 h bei 900 bis 1000°C gesintert, wodurch Sinterprodukte erhalten wurden. Silberelektroden wurden auf den Sinterprodukten gebildet, um die elektrischen Eigenschaften zu messen.
Die Kapazitäten und die Tangente tan <5 wurden gemessen, wobei ein Kapazitäts-Brückenmeßgerät mit einer Frequenz von 1 kHz bei 250C verwendet wurde. Die relativen Dielektrizitätskonstanten wurden aus den Meßwerten errechnet.
In den Vergleichsbeispielen wurden Dielektrika mit einer Zusammensetzung außerhalb des erfindungsgemäßen Bereiches verwendet. Beim Sintern dieser Massen bei 10000C oder weniger waren die resultierenden Sinterprodukte spröde und sie konnten fur den Test nicht verwendet werden. Diese Massen wurden daher bei 11000C gesintert.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle I zusammengestellt.
Tabelle I Beispiel Nr
Hauptkomponenten (Mol-%)
MnO2-Gehalt (Mol-%)
Sintertemperatur
(0C)
Relative
Dielektrizitätskonstanten
bei 25 °C
Tan ö
bei 250C
Beispiele 1
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
90 9 1 0.6 900 5 700 2.1
75 24 1 0.2 900 11200 2.2
60 39 i 0.1 900 2 700 1.0
35 64 1 0.1 1000 2 000 2.1
70 20 10 0.6 950 5 100 1.2
40 50 10 0.3 1000 2 400 2.0
70 10 20 1.0 950 7 800 1.4
60 20 20 0 950 5 300 6.5
60 20 20 0.05 950 4 700 5.0
60 20 20 0.1 950 4 300 2.2
60 20 20 0.5 950 4 000 1.0
60 20 20 1.0 950 4 000 0.8
60 20 20 3.0 950 3 100 2.5
60 20 20 5.0 95G 2 000 2.8
60 20 20 6.0 950 1800 3.8
40 40 20 1.0 . 1000 2 600 2.7
55 15 30 0.6 950 2 400 1.0
45 15 40 0.6 950 2 000 1.5
37 13 50 0.6 950 1500 1.5
30 10 60 0.8 1000 1200 1.9
30 1 69 1.0 1000 1900 2.2
21 10 69 0.8 1000 1 100 2.0
Fortsetzung Hauptkomponenten γ _ MnO2- Sinter Relative Tan (5
Beispiel Nr. (Mol-%) Gehalt temperatur Dielektrizi bsi 25°C
χ (Mol-%) (°C) tätskonstanten (%)
69 1 bei 25°C
40 40
Vergleichsbeispiele 30 5 75 0.1 1100 800 2.7
1 20 >bTiO3. 1.0 1100 900 2.0
2 20 1.0 1100 1000 2.5
3 ,0O3. Y: I Z: Pb(Yb|/2Nbl/2)O,.
Fußnote: X: PbCFe2/iW|
Aus Tabelle I ergibt sich, daß die erfindungsgemäßen Dielektrika bei einer Temperatur von 10000C oder weniger gesintert werden können und daß die resultierenden Sinterprodukte relativ hohe Dielektrizitätskonstanten, die so hoch wie 1000 bis 11 200 sind, und relativ niedrige Tangenten des dielektrischen Verlusts (tan 6) haben. Die Figur zeigt die Veränderungsverhältnisse bzw. Wechselverhältnisse der relativen Dielektrizitätskonstanten der einzelnen Massien, die in den Beispielen 1,17 und 20 verwendet wurden, in Abhängigkeit von der
Temperatur. In der Figur wird das Veränderungsverhaitnis aus der folgenden Gleichung:
Δετ = x 100 (%)
erhalten, worin
ετ: relative Dielektrizitätskonstante bei einer Temperatur T0C
r25: relative Dielektrizitätskonstante bei 25°C und
ÄT: Veränderungsverhältnis bzw. Wechselverhältnis der relativen Dielektrizitätskonstante bei einer Tempera-
tür T°C
Aus der Figur wird ersichtlich, daß bei den aus den erfindungsgemäßen Dielektrika erhaltenen Sinlerprodukten die relativen Dielektrizitätskonstanten unterschiedlich von der Temperatur, d. h. im Positiven oder im Negativen mit verschiedenen Werten, abhängig sind.
Aus Tabelle I geht weiterhin hervor, daß die Zugabe einer begrenzten Menge der Sekundärkomponente MnO2
die Tangente des dielektrischen Verlustes bzw. den dielektrischen Verlustwinkel (tan tf) kleiner macht. Wenn die
Menge von MnO2 0,05 bis 6 Mol-% in der Porzellanmasse ist, dann zeigt das resultierende Sinterprodukt einen so
ausgezeichneten Wert für tan δ wie 0,3 bis 5,0%.
Wie oben erwähnt, kann das erfindungsgemäße Dielektrikum bei einer derart niedrigen Temperatur, wie
10000C oder weniger gesintert werden, wodurch Sinterprodukte mit einer hohen relativen Dielektrizitätskonstante von 1000 bis 11 200, einer kleinen Tangente des dielektrischen Verlustes (tan <5) und verschiedenen Veränderungsverhältnissen bzw. Wechselverhältnissen von negativen bis positiven relativen Dielektrizitätskonstanten in Abhängigkeit von der Temperatur im Bereich der drei Komponenten, wie erfindungsgemäß definiert, erhalten werden können. Die Sinterprodukte können daher geeigneterweise als Materialien nicht nur für die Herstellung der üblichen Scheibenkondensatoren, sondern auch für die Herstellung von Vielschicht-Kondensatoren und Dickfilm-Kondensatoren verwendet werden. Fernerhin brauchen die zum Sintern der erfindungsgemäßen Dielektrika verwendeten Öfen nur eine Hitzebeständigkeit bis zu 10000C haben, so daß der Preis der Öfen erheblich vermindert werden kann und daß weiterhin aufgrund der niederen Sintertemperatur Ersparnisse der verbrauchten Wärmeenergie erhalten werden können. Wenn weiterhin Vielschicht-Kondensatoren und Dickfilm-Kondensatoren gebildet werden, dann können billige Legierungen, die Silber als Hauptkomponentc enthalten, als Innenelektrode anstelle des teuren Platins, Palladiums oder dergleichen verwendet werden, wodurch eine Erniedrigung der Produktionskosten dieser Kondensatoren ohne Verschlechterung der Eigenschaften erzielt werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Keramisches Pb(Fe2^W1n)O3 enthaltendes Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Pb(Fe273WiZ3)O3(X), PbTiO30») und Pb(YbI/2Nb1/2)O;(z) besteht, wobei die Summe der Komponenten x, y und ζ 100 Mol-% beträgt und die Verhältnismengen der Komponenten in den folgenden MoI-%-Bereichen liegen:
x = 21 bis 90 Mol-%
y = 1 bis 64 Mol-%
z=l bis 69 Mol-%
DE3145631A 1980-11-18 1981-11-17 Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung Expired DE3145631C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55162867A JPS5788077A (en) 1980-11-18 1980-11-18 Low temperature sintering ceramic composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3145631A1 DE3145631A1 (de) 1982-06-24
DE3145631C2 true DE3145631C2 (de) 1986-07-10

Family

ID=15762763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3145631A Expired DE3145631C2 (de) 1980-11-18 1981-11-17 Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4386387A (de)
JP (1) JPS5788077A (de)
DE (1) DE3145631C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3520839A1 (de) * 1984-06-13 1985-12-19 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto Dielektrische keramische zusammensetzung
DE3732054A1 (de) * 1986-09-24 1988-04-07 Toshiba Kawasaki Kk Dickschichtkondensator

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181407A (ja) * 1983-03-31 1984-10-15 株式会社東芝 高誘電率磁器組成物
US4542107A (en) * 1983-05-30 1985-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic compositions
US8999873B2 (en) * 2013-04-20 2015-04-07 King Abdulaziz City for Science and Technology (KACST) Artificial marble and method for manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3468800A (en) * 1967-06-12 1969-09-23 Tokyo Shibaura Electric Co Piezoelectric ceramic materials
US4078938A (en) * 1976-01-16 1978-03-14 Nippon Electric Company, Ltd. Ceramic compositions having high dielectric constant
CA1136399A (en) * 1978-08-01 1982-11-30 Osamu Iizawa High dielectric constant type ceramic composition
JPS5557204A (en) * 1978-10-24 1980-04-26 Nippon Electric Co Porcelain composition
JPS5617983A (en) * 1979-07-25 1981-02-20 Hitachi Ltd High dielectric constant ceramic composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3520839A1 (de) * 1984-06-13 1985-12-19 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto Dielektrische keramische zusammensetzung
DE3732054A1 (de) * 1986-09-24 1988-04-07 Toshiba Kawasaki Kk Dickschichtkondensator

Also Published As

Publication number Publication date
US4386387A (en) 1983-05-31
JPS5788077A (en) 1982-06-01
DE3145631A1 (de) 1982-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2943812C2 (de)
DE3800198A1 (de) Verfahren zur herstellung einer nicht-reduzierbaren dielektrischen keramischen zusammensetzung
DE4109948A1 (de) Temperaturkompensierendes, keramisches dielektrikum
DE2915409C2 (de)
DE3642226C2 (de)
DE3213148C2 (de) Dielektrische Keramikmasse
DE3924563C2 (de) Nicht-reduzierende dielektrische keramische Zusammensetzung
DE2631035C3 (de) Feinteiliges Pulver aus einer Bleititanat/Blei-Magnesium-Wolframat-Zusammensetzung und seine Verwendung
DE3321913C2 (de)
DE3524193A1 (de) Nicht-reduzierende dielektrische keramikzusammensetzungen
DE2608653C3 (de) Keramisches Dielektrikum
DE3145631C2 (de) Dielektrikum für die Niedertemperatursinterung
DE2914130C2 (de)
DE4336089C2 (de) Nicht-reduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung
DE3237571A1 (de) Keramisches dielektrikum auf basis von wismut enthaltendem bati0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)
DE3011977C2 (de)
DE3327768C2 (de)
DE2824870A1 (de) Verfahren zur herstellung eines dielektrikums mit perowskitstruktur
DE3426038A1 (de) Dielektrische keramische zusammensetzung
DE4005507A1 (de) Dielektrische keramische zusammensetzung
DE3625463C2 (de)
DE3730821C2 (de) Keramische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante
DE3541517C2 (de)
DE3206502C2 (de)
DE3834778C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: C04B 35/46

8126 Change of the secondary classification

Ipc: C04B 35/00

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee