DE3732054A1

DE3732054A1 - Dickschichtkondensator

Info

Publication number: DE3732054A1
Application number: DE19873732054
Authority: DE
Inventors: Takaaki Yasumoto; Osamu Furukawa; Nobuo Iwase; Mitsuo Harata; Masao Segawa
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-09-24
Filing date: 1987-09-23
Publication date: 1988-04-07
Also published as: US4772985A; DE3732054C2

Description

Die Erfindung betrifft einen Dickschichtkondensator.

Dickschichtkondensatoren sind derart aufgebaut, daß zwischen Metallelektroden eine gesinterte Schicht aus ferroelektrischen Materialien eingefügt ist. Für Dickschichtkondensatoren verwendete ferroelektrische Verbindungen besitzen nor malerweise einen schlechten Sintergrad, so daß die Ausbil dung einer Sinterschicht lediglich aus den ferroelektrischen Verbindungen erhebliche Schwierigkeiten bereitet. Aus diesem Grund wird bei üblichen Dickschichtkondensatoren als Binde mittel kristallines oder amorphes Glas zugesetzt, um durch Sintern die gesinterte Schicht aus den ferroelektrischen Materialien herstellen zu können.

Der Zusatz von Glas beeinträchtigt jedoch in hohem Maße die dielektrischen Eigenschaften der gesinterten Schicht aus den ferroelektrischen Materialien. Wenn beispielsweise handelsübliches kristallines oder amorphes Glas ferro elektrischen anorganischen Verbindungen einer Dielektrizi tätskonstante von 20 000 zugesetzt und die Mischung dann gesintert wird, sinkt die Dielektrizitätskonstante der er haltenen gesinterten Schicht aus den ferroelektrischen Materialien ganz deutlich auf 100 bis 1000, d. h. auf ½₀ bis ½₀₀ des Ausgangswerts vor dem Sintern. Dies ist darauf zurückzuführen, daß beim Sintern mit einem Glaszusatz die Perovskitstruktur der ferroelektrischen anorganischen Ver bindungen verlorengeht bzw. zerstört wird.

Da übliche Dickschichtkondensatoren in der gesinterten Schicht aus ferroelektrischen Materialien Glas enthalten, besitzen sie darüber hinaus auch eine schlechte Feuchtig keitsbeständigkeit. Schließlich kommt es in üblichen Kon densatoren leicht zu einer Wanderung von Elektrodenmetallen, d. h. die üblichen Kondensatoren besitzen eine schlechte Wanderungsbeständigkeit.

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, einen Dickschicht kondensator hohen Sintergrads, guter dielektrischer Eigen schaften und hoher Feuchtigkeitsbeständigkeit, bei dem sich auch wirksam eine Wanderung von Elektrodenmetallen verhin dern läßt, bereitzustellen.

Gegenstand der Erfindung ist somit ein Dickschichtkonden sator, der aus

(a) einer gesinterten Schicht aus einem ferroelektrischen Material, das hauptsächlich aus mindestens einer ferro elektrischen anorganischen Verbindung mit Perovskit struktur besteht, und einem anorganischen Bindemittel eutektischer Zusammensetzung, die bei einer Temperatur unterhalb der Sintertemperatur der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) eine flüssige Phase bildet, und
(b) mindestens zwei auf beiden Oberflächen der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material vorgesehenen Elektroden,

besteht.

Das in der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material enthaltene anorganische Bindemittel wirkt als Bindemittel bei einer Temperatur, bei der die Perovskit struktur der betreffenden ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) nicht zerstört wird. Aus diesem Grunde be halten die ferroelektrischen Verbindungen in der gesinterten Schicht ihre ursprüngliche Perovskitstruktur bei. Dies hat zur Folge, daß man einen hohen Sintergrad, gute dielektri sche Eigenschaften und eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit gewährleisten kann.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigt:

Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Dickschichtkondensators;

Fig. 2 einen Querschnitt durch eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Dickschichtkondensators in einem Zustand vor dem Sintern;

Fig. 3 einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungs form eines erfindungsgemäßen Dickschichtkondensators und

Fig. 4 und 5 graphische Darstellungen zum Vergleich der Einflüsse einer Alterung bei hoher Temperatur bei einem erfindungsgemäßen Dickschichtkondensator und einem bekannten Dickschichtkondensator.

Die folgende Tabelle I enthält Beispiele für zur Ausbildung einer gesinterten Schicht aus ferroelektrischen Materialien eines erfindungsgemäßen Dickschichtkondensators verwendbare ferroelektrische anorganische Verbindungen.

Tabelle I

Von diesen Verbindungen werden die folgenden besonders be vorzugt:

Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃-Ba(Cu_1/2W_1/2)O₃,
BaTiO₃, PbTiO₃ und
(Pb,X) (Zn_1/3Nb_2/3) (Mg_1/3Nb_2/3)Ti O₃;
X = Ba, Ca, Sr, La.

Beispiele für erfindungsgemäß brauchbare anorganische Binde mittel für die gesinterte Schicht aus ferroelektrischen Ma terialien sind folgende binäre Oxidmischungen:

PbO-CuO, PbO-WO₃, PbO-Nb₂O₅, PbO-Fe₂O₃,
PbO-ZnO, PbO-TiO₂, PbO-CaO, PbO-Sb₂O₃,
BaO-WO₃, Nb₂O₃-TiO₂, TiO₂-MgO, PbO-MgO u. dgl.

Selbstverständlich können auch Mischungen aus drei oder mehreren Oxiden verwendet werden. Erfindungsgemäß als an organische Bindemittel eignen sich auch Verbindungen, die während des Sinterns in Oxide der angegebenen Art über gehen, z. B. Nitride, Halogenide oder organometallische Verbindungen.

Das anorganische Bindemittel besitzt eine eutektische Zu sammensetzung, die bei einer Temperatur unterhalb der Sintertemperatur der ferroelektrischen anorganischen Ver bindung(en) mit der Perovskitstruktur eine flüssige Phase bildet und die Bildung der flüssigen Phase über einen weiten Zusammensetzungsbereich sicherstellt. Folglich kann das anorganische Bindemittel einen positiven Beitrag zur Sinterung der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) leisten, ohne deren Perovskitstruktur zu verändern. Das erfindungsgemäß eingesetzte anorganische Bindemittel fördert eine Schrumpfung der ferroelektrischen anorganischen Ver bindung(en) beim Sintern, wodurch eine dichte Masse ent steht und die Sinterung stabilisiert wird. Aus diesem Grund besitzt die erfindungsgemäß ausgebildete gesinterte Schicht aus ferroelektrischen Materialien gute dielektrische Eigen schaften, die denjenigen der ferroelektrischen anorgani schen Verbindung(en) selbst äquivalent sind. Darüber hinaus besitzt die betreffende Schicht auch eine hohe Feuchtigkeits- und Wanderungsbeständigkeit.

Das aus einer Mischung der angegebenen Art bestehende an organische Bindemittel kann den ferroelektrischen anorgani schen Verbindungen nach dem Vermischen der Einzelkomponenten direkt zugesetzt werden. Erforderlichenfalls kann das Binde mittel aber auch nach einer Vorsinterung zugesetzt werden.

Die Ausbildung des Elektrodenpaars erfolgt durch Aufdrucken einer Metallpaste, z. B. Au, Ag, Ag-Pd, Pt, Ag-Pt, Cu, Ni, Pd, W u. dgl., und Sintern der Pastenschicht. Bei einer bevorzug ten Ausführungsform der Erfindung wird eine Elektrode 2 a des Elektrodenpaars auf einem isolierenden Substrat 1, z. B. einem Aluminiumoxidsubstrat, ausgebildet. Darauf kommt dann eine gesinterte Schicht 3 aus einem ferroelektrischen Ma terial der angegebenen Zusammensetzung zu liegen. Auf dieser wird schließlich die andere Elektrode 2 b des Elektrodenpaars ausgebildet (vgl. Fig. 1).

Wie aus Fig. 3 hervorgeht, kann zwischen das isolierende Substrat 1 und untere Elektrode 2 a eine gesinterte Schicht 3 a aus ferroelektrischen Materialien, denen eine gegebene Menge des genannten anorganischen Bindemittels zugesetzt ist, ein gefügt werden. Bei dieser Bauweise läßt sich die Haftfestig keit zwischen der Elektrode 2 a und dem Substrat 1 im Ver gleich zu einer Bauweise, bei der die Elektrode 2 a direkt auf dem Substrat 1 aufliegt, verbessern.

Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines er findungsgemäßen Dickschichtkondensators erläutert.

Zunächst werden ferroelektrische anorganische Verbindungen gemäß Tabelle I hergestellt. Zu diesem Zweck werden Roh materialien zu einer Masse entsprechend einer bestimmten (einzelnen) ferroelektrischen anorganischen Verbindung gemischt, worauf die Mischung zur Synthese der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) vorgesintert u. dgl. wird. Die anorganischen Verbindungen brauchen nicht immer zu 100% Perovskitphase erhalten.

Ferner werden die Einzelkomponenten eines erfindungsgemäß einsetzbaren anorganischen Bindemittels derart miteinander gemischt, daß eine bestimmte eutektische Zusammensetzung erreicht wird. Die Zusammensetzung wird dann mit den ge nannten ferroelektrischen anorganischen Verbindungen ge mischt. Das Mischungsverhältnis hängt von den Arten an ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorgani schen Bindemitteln ab und kann nicht definitiv angegeben werden. Es gilt in der Regel, daß bei zu großem Bindemittel anteil die dielektrischen Eigenschaften der gesinterten Schicht schlechter werden. Wenn andererseits die Bindemit telmenge zu gering ist, erreicht man keinen ausreichenden Sintergrad. Folglich muß das Mischungsverhältnis derart gewählt werden, daß man eine Sinterschicht aus ferroelektrischen Materialien einerseits guter dielektrischer Eigen schaften und andererseits hohen Sintergrads erreicht. Für jeden Einzelfall läßt sich das optimale Mischungsverhältnis durch einfache Vorversuche ermitteln.

Das erhaltene Gemisch wird auf eine gegebene Größe vermahlen und dann mit einem Lösungsmittel und einem organischen Binde mittel versetzt. Hierbei erhält man eine ferroelektrische Paste. Wenn die durchschnittliche Teilchengröße des gemahlenen Gemischs 1,0 µm oder weniger beträgt, ist es schwierig, während des Sinterns ein Kristallwachstum sicherzustellen, was zu einer Verschlechterung der Dielektrizitätskonstante führt. Wenn andererseits die durchschnittliche Teilchen größe 10 µm übersteigt, kann das Aufdrucken der erhaltenen ferroelektrischen Paste Schwierigkeiten bereiten. Folglich sollte die durchschnittliche Teilchengröße im Bereich von 1,0-10 µm liegen. Zur Zubereitung der ferroelektrischen Paste geeignete Lösungsmittel sind üblicherweise verwendete Lösungsmittel, wie Terpineol, Methylglykol, Ethylglykol, n-Butanol und dergleichen. Als organische Bindemittel eignen sich normalerweise beim Ausformen keramische Massen ver wendete Bindemittel, wie Ethylacellulose, Methylcellulose, Polyacrylharze, Polystyrol, Polyurethan, Polyvinylalkohol, Polyvinylbutyral, Nitrocellulose und dergleichen.

Die genannte Metallpaste und die ferroelektrische Paste werden abwechselnd auf das isolierende Substrat aufgedruckt, so daß - in der angegebenen Reihenfolge - eine Schicht aus der Metallpaste, eine Schicht aus der ferroelektrischen Paste und eine Schicht aus einer anderen Metallpaste zu liegen kommen. Danach wird das erhaltene mehrlagige Gebilde gesintert. Auf diese Weise erhält man einen in Fig. 1 dar gestellten Dickschichtkondensator 4, bei welchem Metall elektroden 2 a und 2 b auf und unter der gesinterten Schicht 3 aus ferroelektrischen Materialien vorgesehen sind. Die Sintertemperatur variiert je nach der verwendeten Metall paste und ferroelektrischen Paste. In der Regel fällt die Sintertemperatur in einen Bereich, in dem weder eine Quellung noch ein Ablösen sonstiger Teile, wie Widerständen, Drahtanschlüssen u. dgl. erfolgen. Bei dem geschilderten Verfahren erfolgt eine gleichzeitige Sinterung der Paste schichten. Das Aufdrucken und Sintern können jedoch zur schrittweisen Ausbildung der Schichten 2 a, 3 und 2 b wieder holt werden.

Wird der Dickschichtkondensator in der geschilderten Weise hergestellt, liegt das anorganische Bindemittel in flüssiger Phase vor, wobei es seine Wirkung als Bindemittel entwickelt. Nach dem Sintern bildet das anorganische Bindemittel eine bindende Schicht an den Korngrenzen der ferroelektrischen anorganischen Verbindungen oder es ist in die Kristall gitter der ferroelektrischen anorganischen Verbindungen diffundiert. Es hat sich jedoch gezeigt, daß selbst dann, wenn das erfindungsgemäß einsetzbare anorganische Binde mittel in die Kristallgitter der ferroelektrischen anorgani schen Verbindung diffundiert ist, es anders als das bei den bekannten Verfahren verwendete Glas die Perovskitstruktur der ferroelektrischen Verbindung nicht zerstört. Die Folge ist, daß man in der geschilderten Weise einen Dickschicht kondensator hohen Sintergrads, guter dielektrischer Eigen schaften und hoher Feuchtigkeits- und Wanderungsbeständig keit erhält.

Im folgenden wird ein anderes Herstellungsverfahren erläu tert.

Bei dieser Ausführungsform wird eine zweite ferroelektrische Paste derselben Zusammensetzung, wie sie die bereits beschriebene ferroelektrische Paste ohne zugesetztes an organisches Bindemittel aufweist, zubereitet. Unter Ver wendung der zweiten ferroelektrischen Paste, der bereits genannten ferroelektrischen Paste und der Metallpaste werden - in der angegebenen Reihenfolge - auf ein Substrat 1 eine Metallpastenschicht 12 a, eine ferroelektrische Pasten schicht 13 a, eine zweite ferroelektrische Pastenschicht 14, eine ferroelektrische Pastenschicht 13 b und eine Metall pastenschicht 12 b aufgedruckt (vgl. Fig. 2). Wird das Ge bilde in dem in Fig. 2 dargestellten Zustand gesintert, werden die Pastenschichten 12 a, 13 a, 14, 13 b und 12 b ge sintert, wobei das in den Schichten 13 a und 13 b enthaltene anorganische Bindemittel in die zweite ferroelektrische Pastenschicht 14 diffundiert. Aus diesem Grunde läßt sich - obwohl die zweite ferroelektrische Pastenschicht 14 ur sprünglich kein anorganisches Bindemittel enthält - infolge Diffusion des anorganischen Bindemittels während des Sintervorgangs ein guter Sinterzustand erreichen. Da die erhaltene zweite gesinterte Schicht einen geringeren Ge halt an dem anorganischen Bindemittel aufweist als die oberen und unteren gesinterten Schichten, besitzt sie darüber hinaus gute dielektrische Eigenschaften. Da bei dieser Ausführungsform noch eine zweite gesinterte Schicht aus den ferroelektrischen Materialien gebildet wird, er hält man einen Dickschichtkondensator besserer dielektri scher Eigenschaften als sie der in Fig. 1 dargestellte Dickschichtkondensator aufweist. Bei dieser Ausführungs form kann das Sintern auch vor dem Auftragen der nächsten Pastenschicht erfolgen, so daß die einzelnen Pastenschichten 12 a, 13 a, 14, 13 b und 12 b getrennt gesintert werden.

Anhand von Fig. 3 wird eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Dickschichtkondensators erläutert. Bei der Herstellung dieser Ausführungsform eines erfindungs gemäßen Dickschichtkondensators werden nach und nach auf ein isolierendes Substrat 1 eine ferroelektrische Pasten schicht, eine Metallpastenschicht, eine ferroelektrische Pastenschicht und eine weitere Metallpastenschicht aufge druckt. Danach wird das erhaltene Gebilde gesintert und auf eine gewünschte Größe zurechtgeschnitten. So erhält man beispielsweise einen in Fig. 3 dargestellten Spitzen kondensator 5 mit abwechselnd aufeinanderfolgenden ge sinterten Schichten 3 a und 3 b aus ferroelektrischen Ma terialien und Elektroden 2 a und 2 b. Wie bereits angedeutet, besteht die Funktion der ferroelektrischen Schicht 3 a darin, die mechanische Haftung zwischen dem isolierenden Substrat 1 und der Elektrode 2 a zu verbessern. Der in Fig. 3 darge stellte Spitzenkondensator besteht aus zwei Elektroden schichten 2 a und 2 b und zwei ferroelektrischen Schichten 3 a und 3 b. In entsprechender Weise können auch Spitzenkonden satoren mit einer noch größeren Anzahl von Elektroden und ferroelektrischen Schichten hergestellt werden. Die Elektroden 2 a und 2 b und die ferroelektrischen Schichten 3 a und 3 b können nach und nach aufgedruckt und (statt einer gleichzeitigen Sinterung) gesintert werden.

Das beschriebene Verfahren zur Herstellung des Spitzen kondensators besitzt im Vergleich zur Herstellung eines Spitzenkondensators mit Hilfe eines folienartigen Grünlings folgenden Vorteil. Bei Verwendung eines folienartigen Grünlings benötigt man ein Spezialwerkzeug zum Halten einer mehrlagigen Folie. Bei dem geschilderten Verfahren besitzt jedoch das isolierende Substrat 1 Trägerfunktion, so daß man kein Spezialwerkzeug benötigt. Die Anzahl der Ver fahrensstufen läßt sich vermindern. Darüber hinaus kann man zum Entfetten und Sintern einen Dichschichtförderofen verwenden. Die Herstellung des jeweiligen Kondensators ist in kurzer Zeit beendet.

Bei der Herstellung erfindungsgemäßer Dickschichtkondensatoren wird das erhaltene Sinterprodukt vorzugsweise bei hoher Temperatur gealtert. Durch diese Alterung bei hoher Tempera tur lassen sich die dielektrischen Eigenschaften, z. B. die Dielektrizitätskonstante, der Verlustfaktor (tan δ 10^-2), der Volumenwiderstand u. dgl. verbessern. Darin unterscheidet sich das erfindungsgemäße Verfahren in erheblichem Maße von der Herstellung üblicher Dickschichtkondensatoren mit Hilfe von Glasbindemitteln, da in letzterem Falle eine Alterung bei hoher Temperatur die dielektrischen Eigenschaften ver schlechtert. Dies ist darauf zurückzuführen, daß Glas die Perovskitstruktur der gesinterten Schicht aus ferroelektrischen Materialien während der Alterung bei hoher Temperatur zerstört. Bei Verwendung der erfindungsgemäß einsetzbaren anorganischen Bindemittel erfolgt dagegen keine Beein trächtigung der Perovskitstruktur der gesinterten Schicht aus ferroelektrischen Materialien, es kommt vielmehr so gar zu einem besseren Kristallwachstum. Um dies zu er reichen, muß die Temperaturobergrenze bei der Alterung so festgelegt werden, daß keine Porenbildung, keine Quellung und kein Erschmelzen der ferroelektrischen Schichten und Elektroden erfolgen. Die Temperaturuntergrenze ergibt sich daraus, daß die Komponenten des anorganischen Binde mittels in ausreichendem Maße zur Diffusion in die ferro elektrischen Verbindungen befähigt werden.

Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veran schaulichen.

Beispiele 1 bis 16 (A) Herstellung ferroelektrischer anorganischer Verbin dungen

Als Ausgangsmaterialien werden PbO, Fe₂O₃, WO₃, Nb₂O₅, BaCO₃, CuO, MgCO₃ und NiO verwendet. Ihre Mengen werden derart gewählt, daß Zusammensetzungen entsprechend den ferroelektrischen Verbindungen PFN und BCW gemäß Tabelle I erhalten werden. Die molaren Mengen für die PFN- und BCW- Rezepturen und die NiO-, MgO- und MnO-Zusätze ergeben sich aus Tabelle II. Bei den Rezepturen werden die Mischungs verhältnisse PFN und BCW so eingestellt, daß für x und y in der folgenden Formel x+y=1 : x(PFN) - y(BCW) erfüllt ist.

Die vereinigten Rohmaterialien werden mittels einer Kugel mühle naßgemischt, worauf die erhaltenen Mischungen bei einer Temperatur von 700°C bis 800°C vorgesintert werden.

Danach werden die erhaltenen gesinterten Massen gemahlen und getrocknet, wobei ferroelektrische anorganische Ver bindungen erhalten werden.

(B) Herstellung anorganischer Bindemittel

Als Rohmaterialien werden PbO, CuO und WO₃ in Mengen ent sprechend den Molverhältnissen gemäß Tabelle II verwendet. Die Rohmaterialien werden mittels einer Kugelmühle naßge mischt und getrocknet, wobei eutektische Zusammensetzungen PbO-CuO und PbO-WO₃ erhalten werden. Die eutektischen Zu sammensetzungen werden bei einer Temperatur von 600-830°C vorgesintert. Danach werden die vorgesinterten Massen mittels einer Kugelmühle vermahlen und getrocknet und sind dann als anorganische Bindemittel einsatzfähig.

(C) Herstellung einer ferroelektrischen Paste

Die in der geschilderten Weise hergestellten ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorganischen Binde mittel werden in den aus Tabelle II ersichtlichen Mengen miteinander gemischt. 68 Gew.-% jeder Rezeptur werden mit 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethyl cellulose als organisches Bindemittel versetzt und ge mischt, wobei 16 Arten ferroelektrischer Paste erhalten werden.

(D) Herstellung eines Dickschichtkondensators

Unter Verwendung der ferroelektrischen Pasten werden wie folgt Dickschichtkondensatoren entsprechend Fig. 1 herge stellt. Auf ein 5,1×5,1 cm großes Aluminiumoxidsubstrat wird eine Metallpaste auf Ag-Pb-Basis aufgedruckt, worauf die Pastenschicht mit jeweils einer ferroelektrischen Paste der beschriebenen Art bedruckt wird. Auf die jeweilige ferroelektrische Pastenschicht wird dann nochmals eine Metallpaste auf Ag-Pb-Basis aufgedruckt, worauf das er haltene (mehrlagige) Gebilde 10 min lang in einem Band förderofen gesintert wird.

Von dem jeweils erhaltenen Dickschichtkondensator werden die Dielektrizitätskonstante und der Verlustfaktor (tan δ×10^-2) bei 1 kHz bestimmt. Die Ergebnisse finden sich in Tabelle II.

Zu Vergleichszwecken werden in entsprechender Weise übliche Dickschichtkondensatoren unter Verwendung von Glas als anorganischem Bindemittel hergestellt (Vergleichsprüflinge a bis e). Die Tabelle II zeigt auch die mit den Vergleichs prüflingen a bis e erhaltenen Ergebnisse.

Aus Tabelle II geht hervor, daß die bekannten Dickschicht kondensatoren (Vergleichsprüflinge a bis e) niedrige Di elektrizitätskonstanten von 12 bis 270, die erfindungsge mäßen Dickschichtkondensatoren (Prüflinge 1 bis 16) da gegen sehr hohe Dielektrizitätskonstanten von 4000 bis 15 000 aufweisen.

Einfluß einer Alterung bei hoher Temperatur

Die in Beispielen 2 und 9 (Prüflinge 2 und 9) bzw. Ver gleichsbeispiel c (Prüfling c) erhaltenen Dickschicht kondensatoren werden 5mal 10 min einer Temperatur von 900°C ausgesetzt. Nachdem jeder Alterungszyklus beendet ist, wird die Dielektrizitätskonstante gemessen, um eine Änderung der Dielektrizitätskonstante infolge Alterung bei hoher Temperatur zu prüfen. Die Ergebnisse sind in Fig. 4 graphisch dargestellt.

Der gemäß Beispiel 13 erhaltene erfindungsgemäße Prüfling 13 und der gemäß Vergleichsbeispiel c erhaltene Ver gleichsprüfling c werden 6mal jeweils 10 min einer Temperatur von 600°C ausgesetzt. Nachdem jeder Alterungszyklus beendet ist, wird der Volumenwiderstand bestimmt, um eine Änderung im Volumenwiderstand infolge Alterung bei hoher Temperatur zu prüfen. Die Ergebnisse sind in Fig. 5 graphisch dargestellt.

Die Fig. 4 und 5 zeigen, daß bei den erfindungsgemäßen Dickschichtkondensatoren durch Alterung bei hoher Temperatur die Dielektrizitätskonstante um 10% und der Volumen widerstand um das 100fache verbessert werden können. Im Gegensatz dazu verschlechtern sich bei den Vergleichs dickschichtkondensatoren nach Alterung bei hoher Temperatur sowohl die Dielektrizitätskonstante als auch der Volumen widerstand.

Werden die erfindungsgemäßen Dickschichtkondensatoren der Beispiele bei hoher Temperatur gealtert, ist keine Beein trächtigung feststellbar.

Beispiele 17 bis 47 (A) Herstellung einer ferroelektrischen anorganischen Verbindung

Zur Herstellung ferroelektrischer Verbindungen der in Tabellen III und IV angegebenen Zusammensetzung werden als Aus gangsmaterialien PbO, Fe₂O₃, WO₃, Nb₂O₅, BaCO₃, CuO, MgCO₃, MnCO₃, NiO, SrCO₃, ZrO₂, Co₂O₃, ZnO, TiO₂, Sb₂O₃ und Ta₂O₅ ver wendet. Die in den Tabellen III und IV benutzten Abkürzungen, z. B. PBZMT, verweisen auf ferroelektrische anorganische Ver bindungen gemäß Tabelle I. Die Molverhältnisse bei den ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und MnO als Zusatz sind in Tabelle III und IV ebenfalls angegeben. Werden mehrere Rezepturen entsprechend den ferroelektrischen anorganischen Verbindungen verwendet, werden sie in solchen Mengen eingesetzt, daß die Summe ihrer Molverhält nisse 1 ist.

Die miteinander vereinigten Rohmaterialien werden mittels einer Kugelmühle naßgemischt und bei einer Temperatur von 700-800°C vorgesintert. Danach werden sie mittels der Kugelmühle vermahlen und getrocknet. Hierbei erhält man verschiedene ferroelektrische anorganische Verbindungen.

(B) Herstellung von anorganischen Bindemitteln

Von den Rohmaterialien PbO, CuO, WO₃, Nb₂O₅, Sb₂O₃, BaO, Fe₂O₃, ZnO und CaO werden solche Mengen abgewogen, daß die in Tabellen III und IV angegebenen Molverhältnisse eingehal ten werden. Die abgewogenen Rohmaterialien werden mittels einer Kugelmühle naßgemischt und getrocknet, wobei man eutektische Zusammensetzungen PbO-CuO, PbO-WO₃, PbO-Nb₂O₃, PbO-CaO, PbO-Fe₂O₃, PbO-ZnO und BaO-WO₃ erhält. Diese eutektischen Zusammensetzungen werden bei einer Temperatur von 700-830°C vorgesintert und dann mittels einer Kugel mühle vermahlen und getrocknet. Hierbei erhält man an organische Bindemittel.

(C) Herstellung einer ferroelektrischen Paste

Die in der geschilderten Weise hergestellten ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorganischen Binde mittel werden in den in Tabellen III und IV angegebenen Verhältnissen gemischt. Zu jeweils 68 Gew.-% jeder Rezeptur werden 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethylcellulose als organisches Bindemittel zugesetzt, worauf das Ganze gemischt wird. Hierbei erhält man 30 Arten ferro elektrischer Pasten.

(D) Herstellung eines Dickschichtkondensators

Entsprechend Beispielen 1 bis 16 werden unter Verwendung der erhaltenen ferroelektrischen Pasten Dickschichtkondensatoren gemäß Fig. 1 hergestellt.

In den Beispielen 21 und 23 wird die ferroelektrische Paste als Pufferschicht zwischen dem Aluminiumoxidsubstrat und der Metallelektrode aufgedruckt und gesintert.

Eine Bestimmung der Dielektrizitätskonstante und des Ver lustfaktors (tan δ×10^-2) bei 1 kHz der erhaltenen Dick schichtkondensatoren ergibt die in den Tabellen III und IV angegebenen Ergebnisse.

Zu Vergleichszwecken werden in entsprechender Weise übliche Dickschichtkondensatoren mit Glas als anorganischem Binde mittel hergestellt (Vergleichsprüflinge f bis j). Die Tabellen III und IV enthalten auch die Ergebnisse der mit den Vergleichsprüflingen durchgeführten Messungen.

Aus Tabellen III und IV geht hervor, daß die bekannten Dickschichtkondensatoren (Vergleichsprüflinge f bis j) eine niedrige Dielektrizitätskonstante von 12 bis 2900, die erfindungsgemäßen Dickschichtkondensatoren der Bei spiele17 bis 47 dagegen sehr hohe Dielektrizitäts konstanten von 4000 bis 11 000 aufweisen.

Verträglichkeit mit einem aufgedruckten Widerstand.

In den Beispielen 1 bis 46 und Vergleichsbeispielen a bis j wird unter Verwendung einer handelsüblichen Widerstands paste nach folgenden beiden Verfahren auf einem einzigen Substrat zusammen mit dem Dickschichtkondensator ein Widerstand hergestellt. Bei dem ersten Verfahren wird eine Widerstandspastenschicht auf eine auf eine obere Metallpastenschicht aufgetragene Schicht aus einer Isolier paste eine Schicht aus einer Widerstandspaste aufgedruckt und gesintert. Bei dem zweiten Verfahren wird dem in Kontakt mit der ferroelektrischen Pastenschicht stehenden Dickschichtkondensator benachbart eine Widerstandspaste aufgedruckt und gesintert.

Die erhaltenen Widerstände werden geprüft. Im Falle der Beispiele 1 bis 46 lassen sich nach beiden Verfahren Widerstände des gewünschten Widerstandwerts herstellen. Im Gegensatz dazu lassen sich im Falle der Vergleichs beispiele a bis j nach keinem der beiden Verfahren Wider stände des gewünschten Widerstandwerts herstellen. Dies beruht darauf, daß das bei den Vergleichsprüflingen in der ferroelektrischen Paste als Bindemittel enthaltene Glas während des Sintervorgangs in die Schicht aus der Widerstandspaste diffundiert.

Beispiele 48 bis 53 (A) Herstellung ferroelektrischer anorganischer Verbin dungen

Zur Herstellung von Massen entsprechend den ferroelektrischen Verbindungen PFN und BCW gemäß Tabelle I werden als Ausgangsmaterialien PbO, Fe₂O₃, WO₃, Nb₂O₅, BaCO₃ und CuO gemischt. Die PFN- und BCW-Rezepturen werden in Molverhält nissen x : y (x+y=1) gemischt (vgl. Tabelle V).

Die miteinander vereinigten Rohmaterialien werden mittels einer Kugelmühle naßgemischt und dann bei einer Temperatur von 700-800°C vorgesintert. Die vorgesinterten Körper werden mittels einer Kugelmühle vermahlen und getrocknet, wobei ferroelektrische anorganische Verbindungen erhalten werden.

(B) Herstellung anorganischer Bindemittel

Als Rohmaterialien werden zur Einstellung von Molverhält nissen gemäß Tabelle V PbO, WO₃, CuO, Fe₂O₃, Nb₂O₃ und BaO in entsprechenden Mengen abgewogen. Die abgewogenen Roh materialien werden mittels einer Kugelmühle naßgemischt und getrocknet, wobei eutektische Zusammensetzungen PbO-CuO, PbO-WO₃, PbO-Nb₂O₅, PbO-Nb₂O₅-BaO-CuO, PbO-Nb₂O₅-WO₃ und PbO-WO₃-CuO erhalten werden. Die eutek tischen Zusammensetzungen werden direkt als anorganische Bindemittel verwendet. Andererseits werden die eutekti schen Zusammensetzungen auch bei Temperaturen von 600-1000°C vorgesintert, mittels einer Kugelmühle ver mahlen und getrocknet und dann als anorganisches Binde mittel verwendet.

(C) Herstellung einer ferroelektrischen Paste

Die in der geschilderten Weise hergestellten ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorganischen Binde mittel werden in den in Tabelle V angegebenen Verhältnissen gemischt. Jeweils 68 Gew.-% jeder Rezeptur werden mit 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethyl cellulose als organisches Bindemittel versetzt. Nach dem Vermischen erhält man insgesamt 6 Arten ferroelektrischer Pasten.

Weiterhin werden 68 Gew.-% der ferroelektrischen anorgani schen Verbindung mit 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethylcellulose als organischem Bindemittel versetzt. Nach dem Vermischen erhält man ferroelektrische Pasten ohne anorganisches Bindemittel.

(D) Herstellung eines Dickschichtkondensators

Nach einem Druckverfahren werden die anorganische Binde mittel enthaltenden ferroelektrischen Pasten, die von anorganischem Bindemittel freien ferroelektrischen Pasten und eine Metallpaste auf Ag-Pb-Basis zur Herstellung mehr lagiger Strukturen entsprechend Fig. 2 verwendet. Die erhaltenen mehrlagigen Strukturen werden 10 min lang in einem Förderbandofen bei einer Temperatur von 900°C ge sintert, wobei man Dickschichtkondensatoren erhält.

Eine Messung der Dielektrizitätskonstante und des Verlust faktors (tan δ×10^-2) bei 1 kHz der erhaltenen Dickschicht kondensatoren ergibt die in Tabelle V aufgeführten Ergeb nisse.

Zu Vergleichszwecken wird in entsprechender Weise ein üb licher Dickschichtkondensator mit Glas als anorganischem Bindemittel und ohne Schicht aus einer ferroelektrischen Paste (14 in Fig. 2) ohne anorganisches Bindemittel her gestellt (Vergleichsprüfling k).

Weiterhin wird in entsprechender Weise ein Dickschicht kondensator hergestellt, wobei jedoch die kein anorganisches Bindemittel enthaltende ferroelektrische Pastenschicht (14 in Fig. 2) weggelassen wird (Vergleichsprüfling I und II).

Die Tabelle V enthält auch die beim Test der Vergleichs prüflinge f einerseits bzw. I und II andererseits erhaltenen Ergebnisse.

Aus Tabelle V geht hervor, daß der übliche Dickschicht kondensator (Vergleichsprüfling k) eine niedrige Dielektrizi tätskonstante von 50 und die Dickschichtkondensatoren gemäß den erfindungsgemäßen Beispielen 48 bis 53 extrem hohe Di elektrizitätskonstanten von 13 000 oder darüber aufweisen. Diese Werte der erfindungsgemäßen Prüflinge liegen deutlich über den Dielektrizitätskonstanten der Vergleichsprüflinge I und II von 8000 bzw. 9000. Dies beruht auf der Einfügung und Sinterung ferroelektrischer Pasten (14 in Fig. 2) ohne anorganisches Bindemittel.

Beispiele 54 bis 68 (A) Herstellung ferroelektrischer anorganischer Verbin dungen

Zur Zubereitung von Massen entsprechend den ferroelektrischen anorganischen Verbindungen PFN und PCW gemäß Tabelle I werden als Ausgangsmaterialien PbO, Fe₂O₃, WO₃, Nb₂O₅, BaCO₃, CuO, MgCO₃ und NiO verwendet. Die Rezepturen der ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und die Mengen der NiO-, MgO- und MnO-Zusätze werden so gewählt, daß die in Tabelle VI angegebenen Molverhältnisse einge halten werden. In diesem Falle gilt, wie aus den Werten der Tabelle VI hervorgeht, x (PFN)-y (BCW) [x+y=1].

Nachdem die vereinigten Rohmaterialien mittels einer Kugel mühle naßgemischt und bei einer Temperatur von 700-800°C vorgesintert worden sind, werden sie mittels einer Kugel mühle vermahlen und getrocknet. Hierbei erhält man ferro elektrische anorganische Verbindungen.

(B) Herstellung anorganischer Bindemittel

Zur Gewährleistung molarer Verhältnisse entsprechend Tabelle VI werden PbO, CuO und WO₃ als Rohmaterialien in passender Menge abgewogen, mittels einer Kugelmühle naßge mischt und getrocknet, wobei eutektische Zusammensetzungen PbO-CuO bzw. PbO-WO₃ erhalten werden. Nach dem Vorsintern der eutektischen Massen bei einer Temperatur von 600-830°C werden sie mittels einer Kugelmühle vermahlen und ge trocknet, wobei anorganische Bindemittel erhalten werden.

(C) Herstellung ferroelektrischer Pasten

Die in der geschilderten Weise erhaltenen ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorganischen Bindemittel werden in den in Tabelle VI angegebenen Mengenverhältnissen gemischt. Jeweils 68 Gew.-% jeder Rezeptur werden mit 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethyl cellulose als organischem Bindemittel gemischt. Hierbei erhält man insgesamt 15 Arten ferroelektrischer Pasten.

(D) Herstellung eines Spitzenkondensators

Auf ein 5,1×5,1 cm großes Aluminiumoxidsubstrat werden nach und nach eine Metallpaste auf Ag-Pb-Basis, eine der in der geschilderten Weise hergestellten ferroelektrischen Pasten und die Metallpaste auf Ag-Pb-Basis aufgedruckt. Das erhaltene Gebilde wird 10 min lang mittels eines Förderbandofens bei 900°C gesintert. Jedes gesinterte Gebilde wird in Stücke zerschnitten, wobei man Spitzen kondensatoren der in Fig. 3 dargestellten Form erhält.

Eine Messung der Dielektrizitätskonstante und des di elektrischen Verlustfaktors (tan δ×10^-2) bei 1 kHz der erhaltenen Dickschichtkondensatoren ergibt die in Tabelle VI angegebenen Werte.

Zu Vergleichszwecken werden übliche Dickschichtkondensatoren mit Glas als anorganischem Bindemittel hergestellt (Vergleichsprüflinge l bis p). Ferner wird nach dem mit einem folienartigen Grünling arbeitenden Verfahren ein weiterer Vergleichsspitzenkondensator hergestellt (Ver gleichsprüfling III). Die Tabelle VI enthält auch die Ergebnisse der mit den Vergleichsspitzenkondensatoren erhaltenen Ergebnisse.

Die Ergebnisse der Tabelle VI zeigen, daß die üblichen Dick schichtkondensatoren (Vergleichsprüflinge l bis p) eine niedrige Dielektrizitätskonstante von 12 bis 270, die Dick schichtkondensatoren der erfindungsgemäßen Beispiele 54 bis 68 dagegen extrem hohe Dielektrizitätskonstanten von 4000 bis 7000 aufweisen.

Die Dicke des Spitzenkondensators entsprechend Vergleichs prüfling III beträgt, 0,6-1,0 mm, während die Dicke der Spitzenkondensatoren der erfindungsgemäßen Beispiele 54 bis 68 sehr gering ist, d. h. 0,5 mm oder weniger beträgt.

Beispiele 69 bis 98 (A) Herstellung ferroelektrischer anorganischer Verbin dungen

Zur Herstellung von Massen entsprechend den ferroelektrischen anorganischen Verbindungen gemäß Tabellen VII und VIII werden als Ausgangsmaterialien PbO, Fe₂O₃, WO₃, Nb₂O₅, BaCO₃, CuO, MgCO₃, MnCO₃, NiO, SrCO₃, CaCO₃, ZrO₂, Co₂O₃, ZnO, TiO₂, Sb₂O₃ und Ta₂O₅ verwendet. Abkürzungen, wie PBZMT und dergleichen in den Tabellen VII und VIII ver weisen auf ferroelektrische anorganische Verbindungen ge mäß Tabelle I. Die Mengen an den Bestandteilen der ferro elektrischen anorganischen Verbindungen und von MnO als Zusatz werden so gewählt, daß die Molverhältnisse gemäß Tabellen VII und VIII erreicht werden. Werden mehrere Arten von Rezepturen entsprechend den ferroelektrischen anorganischen Verbindungen verwendet, beträgt die Summe der Molverhältnisse 1.

Nachdem die miteinander vereinigten Rohmaterialien mittels einer Kugelmühle naßgemischt worden sind, werden sie bei einer Temperatur von 700-800°C vorgesintert, mit einer Kugelmühle vermahlen und getrocknet, wobei ferroelektrische anorganische Verbindungen erhalten werden.

(B) Herstellung anorganischer Bindemittel

Zur Gewährleistung der in Tabellen VII und VIII angegebenen Molverhältnisse werden geeignete Mengen an den Rohmaterialien PbO, CuO, WO₃, Nb₂O₅, Sb₂O₅, BaO, Fe₂O₃, ZnO und CaO abge wogen und mittels einer Kugelmühle naßgemischt. Hierauf werden die Mischungen getrocknet. Die hierbei erhaltenen eutektischen Zusammensetzungen PbO-CuO, PbO-WO₃, PbO-N₂O₅, PbO-Sb₂O₃, PbO-CaO, PbO-Fe₂O₃, PbO-ZnO und BaO-WO₃ werden direkt als anorganische Bindemittel verwendet. Anderer seits werden die eutektischen Zusammensetzungen auch bei einer Temperatur von 700-830°C vorgesintert, mittels einer Kugelmühle vermahlen und getrocknet und in dieser Form ebenfalls als anorganische Bindemittel zum Einsatz gebracht.

(C) Herstellung ferroelektrischer Pasten.

Die in der geschilderten Weise erhaltenen ferroelektrischen anorganischen Verbindungen und anorganischen Bindemittel werden in den in Tabellen VII und VIII angegebenen Molver hältnissen vereinigt. Jeweils 68 Gew.-% jeder Rezeptur wird mit 28 Gew.-% Terpineol als Lösungsmittel und 4 Gew.-% Ethylcellulose als organischem Bindemittel vermischt. Ins gesamt erhält man hierbei 30 Arten ferroelektrischer Pasten.

(D) Herstellung von Spitzenkondensatoren

Die verschiedenen Elektrodenmetallpasten gemäß Tabellen VII und VIII, die verschiedenen in der bei (C) geschilderten Weise erhaltenen ferroelektrischen Pasten und eine Metall paste werden nach und nach auf ein 5,1×5,1 cm großes Aluminiumoxidsubstrat aufgedruckt, worauf das jeweils er haltene Gebilde 10 min lang in einem Förderbandofen bei 900°C gesintert wird. Jedes gesinterte Gebilde wird in Stücke zerschnitten, wobei man Spitzenkondensatoren der in Fig. 3 dargestellten Bauweise erhält.

Eine Messung der Dielektrizitätskonstante und des Verlust faktors (tan δ×10^-2) bei 1 kHz der erhaltenen Dick schichtkondensatoren ergibt die in Tabellen VII und VIII enthaltenen Ergebnisse.

Zu Vergleichszwecken werden übliche Dickschichtkondensatoren mit Glas als anorganischem Bindemittel hergestellt (Ver gleichsprüflinge q bis u). Die Tabellen VII und VIII ent halten ebenfalls Angaben über die bei der Untersuchung der Vergleichsprüflinge erhaltenen Ergebnisse.

Die Ergebnisse der Tabelle VII und VIII zeigen, daß die üblichen Dickschichtkondensatoren (Vergleichsprüflinge q bis u) eine niedrige Dielektrizitätskonstante von 50 bis 2900, die Dickschichtkondensatoren der erfindungs gemäßen Beispiele 69 bis 98 dagegen extrem hohe Di elektrizitätskonstanten von 4000 bis 11 000 aufweisen.

Der nach dem mit einem folienartigen Grünling arbeitenden Verfahren hergestellte Spitzenkondensator (Vergleichs prüfling III) besitzt, wie bereits erwähnt, eine Dicke von 0,6-1,0 mm, während die Dicke der Spitzenkonden satoren der erfindungsgemäßen Beispiele 69 bis 98 sehr gering ist, d. h. 0,5 mm oder weniger beträgt.

Die erfindungsgemäßen Dickschichtkondensatoren besitzen, wie bereits ausgeführt, einen hohen Sintergrad, gute dielektrische Eigenschaften und eine hohe Feuchtigkeits- und Wanderungsbeständigkeit. Da darüber hinaus die er findungsgemäßen Dickschichtkondensatoren kompakt und dünn sind, lassen sie sich gut verpacken. Die bei ihrer Herstellung erforderliche Anzahl von Verfahrensstufen kann vermindert werden.

Claims

1. Dickschichtkondensator, bestehend aus

(a) einer gesinterten Schicht aus einem ferroelektrischen Material, das vornehmlich aus mindestens einer ferro elektrischen anorganischen Verbindung mit Perovskit struktur besteht, und einem anorganischen Binde mittel und
(b) mindestens zwei auf beiden Oberflächen der gesinter ten Schicht aus dem ferroelektrischen Material aus gebildeten Elektroden,

dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Bindemittel eine bei einer Temperatur un terhalb der Sintertemperatur der ferroelektrischen an organischen Verbindung(en) eine flüssige Phase bildende eutektische Zusammensetzung aufweist.

2. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Bindemittel in der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material an den Korn grenzen der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) vorhanden ist.

3. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Bindemittel in der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material in Kristalle der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) diffun diert ist.

4. Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Bindemittel in der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material an Korngrenzen und in Kristallen der ferroelektrischen anorganischen Ver bindung(en) vorhanden ist.

5. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß er als ferroelektrische an organische Verbindung(en) Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃-Ba(Cu_1/2W_1/2)O₃,
BaTiO₃, PbTiO₃ und/oder
(Pb,Ba) {(Zn_1/3Nb_2/3) (Mg_1/3Nb_2/3)Ti}O₃enthält.

6. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er als anorganisches Binde mittel eine der folgenden eutektischen Zusammensetzungen PbO-CuO, PbO-WO₃, PbO-Nb₂O₅, PbO-Fe₂O₃,
PbO-ZnO, PbO-TiO₂, PbO-CaO, PbO-Sb₂O₃,
BaO-WO₃, Nb₂O₃-TiO₂, TiO₂-MgO und PbO-MgOenthält.

7. Kondensator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß er als anorganisches Bindemittel eine solche Zu sammensetzung enthält, die durch Oxidation während des Sinterns in eine eutektische Zusammensetzung übergeht.

8. Kondensator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die gesinterte Schicht aus dem ferroelektrischen Material aus einer zentralen Lage geringen Gehalts an dem anorganischen Bindemittel sowie auf und unter der zentralen Lage vorgesehenen Lagen großen Gehalts an dem anorganischen Bindemittel besteht.

9. Dickschichtkondensator aus

(a) einer auf einem isolierenden Substrat gebildeten ersten Metallelektrodenschicht,
(b) einer direkt auf der ersten Metallelektrodenschicht vorgesehenen gesinterten Schicht aus einem ferro elektrischen Material und
(c) einer direkt auf der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material ausgebildeten zweiten Metallelektrodenschicht,

dadurch gekennzeichnet, daß die gesinterte Schicht aus dem ferroelektrischen Material vornehmlich aus mindestens einer ferroelektrischen an organischen Verbindung mit Perovskitstruktur und einem anorganischen Bindemittel eutektischer Zusammensetzung, die bei einer Temperatur unter der Sintertemperatur der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) eine flüssige Phase bildet, besteht.

10. Kondensator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen das isolierende Substrat und die erste Metall elektrodenschicht eine weitere gesinterte Schicht aus dem ferroelektrischen Material eingefügt ist.

11. Dickschichtkondensator aus

dadurch gekennzeichnet, daß die gesinterte Schicht aus dem ferroelektrischen Material vornehmlich aus mindestens einer ferroelektrischen an organischen Verbindung mit Perovskitstruktur und einem anorganischen Bindemittel eutektischer Zusammensetzung, die bei einer Temperatur unter der Sintertemperatur der ferroelektrischen anorganischen Verbindung(en) eine flüssige Phase bildet, besteht, und daß der Dickfilm kondensator zu einer Spitze einer gewünschten Größe zurechtgeschnitten ist.

12. Kondensator nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß auf der zweiten Metallelektrodenschicht mindestens ein mehrlagiges Gebilde aus der gesinterten Schicht aus dem ferroelektrischen Material und der zweiten Metallelektrodenschicht vorgesehen ist.

13. Kondensator nach Ansprüchen 11 oder 12, dadurch gekenn zeichnet, daß zwischen das isolierende Substrat und die erste Metallelektrodenschicht eine weitere gesinterte Schicht aus einem ferroelektrischen Material eingefügt ist.

14. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Sintern eine Alterung bei hoher Temperatur vorgesehen ist.