JPH03102705A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH03102705A JPH03102705A JP1241584A JP24158489A JPH03102705A JP H03102705 A JPH03102705 A JP H03102705A JP 1241584 A JP1241584 A JP 1241584A JP 24158489 A JP24158489 A JP 24158489A JP H03102705 A JPH03102705 A JP H03102705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- glass
- main component
- weight
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910019653 Mg1/3Nb2/3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 241000208202 Linaceae Species 0.000 description 1
- 235000004431 Linum usitatissimum Nutrition 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は誘電体磁器組戊物、特（こ、小形で大容量の積
層チノプコンデンサの誘電体材料として有用な磁器組或
物に関する。
層チノプコンデンサの誘電体材料として有用な磁器組或
物に関する。
（従来の技術）
従来、積層セラミックコンデンサの誘電体材料としては
、ＢａＴｉＯ３を主体とした誘電体磁器組戊物か使用さ
れているか、これらの組戊物の焼結温度が１３００℃以
上と高いため、積層コンデンサの内部電極材料としてＰ
ｔ，Ｐｄなどの貴金属を使用しなければならず、製造コ
ストが高くなるという問題があった。
、ＢａＴｉＯ３を主体とした誘電体磁器組戊物か使用さ
れているか、これらの組戊物の焼結温度が１３００℃以
上と高いため、積層コンデンサの内部電極材料としてＰ
ｔ，Ｐｄなどの貴金属を使用しなければならず、製造コ
ストが高くなるという問題があった。
この問題を解決するため、近年、ＰｂＴｉＯ３を主体と
する磁閤材料、例えば、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚＪｂｚ７３）（
１＋Ｐｂ（Ｚｒ＋＋ｚ３Ｎｂｔｚ３）０３ＰｂＴｉＯ３
系（特開昭５７−２７９７４号公報）、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚ
Ｊｂｔｚ３）Ｏ＋−Ｐｂ（Ｚｒ＋＋ｚｔＷ＋ｚ２）０３
−ＰｂＴｉ０３系（４１ｊ間昭６２−１１５６０８号公
報）あるいはＰｂ（Ｆｅ２／３）Ｏ：＋Ｗ＋ｚ：＋）Ｏ
＊ Ｐｂ（Ｆｅ＋ｚＪｂ＋ｚｔ）Ｏ３系の誘電体磁器
組成物が提案されている。これらの磁器組成物は比誘電
率が１００００〜１５０００と高く、焼結温度が１００
０゜Ｃ程度と低いため、内部電極材料としてＡｇ−Ｐｄ
合金を使用でき、積層コンデンサの誘電体材料として有
用である。
する磁閤材料、例えば、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚＪｂｚ７３）（
１＋Ｐｂ（Ｚｒ＋＋ｚ３Ｎｂｔｚ３）０３ＰｂＴｉＯ３
系（特開昭５７−２７９７４号公報）、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚ
Ｊｂｔｚ３）Ｏ＋−Ｐｂ（Ｚｒ＋＋ｚｔＷ＋ｚ２）０３
−ＰｂＴｉ０３系（４１ｊ間昭６２−１１５６０８号公
報）あるいはＰｂ（Ｆｅ２／３）Ｏ：＋Ｗ＋ｚ：＋）Ｏ
＊ Ｐｂ（Ｆｅ＋ｚＪｂ＋ｚｔ）Ｏ３系の誘電体磁器
組成物が提案されている。これらの磁器組成物は比誘電
率が１００００〜１５０００と高く、焼結温度が１００
０゜Ｃ程度と低いため、内部電極材料としてＡｇ−Ｐｄ
合金を使用でき、積層コンデンサの誘電体材料として有
用である。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、Ｐ ｂＴ ｉ Ｏ ｊ系磁鼎組成物は、
ｐｂの酸化還元電位か低く、耐メッキ性に劣ることから
、表面実装対応部品の誘電体材料としての使用が困難で
あった。即ち、Ｎｉ，Ｓｎ，半田等の電解メソキ時にコ
ンデンサユニット表面のｐｂが還元し、導電性を持つよ
うになるため、メッキ成長によるンヨート不良、外観不
良、Ｑや絶縁抵抗の劣化などを発生するという問題があ
った。
ｐｂの酸化還元電位か低く、耐メッキ性に劣ることから
、表面実装対応部品の誘電体材料としての使用が困難で
あった。即ち、Ｎｉ，Ｓｎ，半田等の電解メソキ時にコ
ンデンサユニット表面のｐｂが還元し、導電性を持つよ
うになるため、メッキ成長によるンヨート不良、外観不
良、Ｑや絶縁抵抗の劣化などを発生するという問題があ
った。
従って、本発明は、誘電率が１５０００以上と高く、焼
結温度が１０００℃以下で、常温及び高温での体積抵抗
が高く、電解メッキ時の酸化還元反応による特性の劣化
のない誘電体磁器組成物を得ること目的とするものであ
る。
結温度が１０００℃以下で、常温及び高温での体積抵抗
が高く、電解メッキ時の酸化還元反応による特性の劣化
のない誘電体磁器組成物を得ること目的とするものであ
る。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記課題を解決するための手段として、一般
式： ｘＰｂ（Ｍｇ＋ ｚ３Ｎｂｔ／３）Ｏ＋−ＹＰｂ（Ｃｕ
ｔ ／２Ｗｌ ／ＪＯｓ−ｚＰｂＴｉｏｓ（但し、Ｘ＋
Ｖ＋ Ｚは各成分のモル分率で、Ｘ＋ｙ＋Ｚ一ｉ．ｏ
ｏを満足し、第１図に於ける下記組成比を有する点Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲
内の組成比を有する。）で示される組成を有する３成分
系固溶体を主成分とし、該主或分１００重量部に対し、
６００〜９００゜Ｃの範囲内の融点を有するガラス組成
物を０．５〜１．５重量部含有してなる誘電体磁器組成
物を提供するものである。
式： ｘＰｂ（Ｍｇ＋ ｚ３Ｎｂｔ／３）Ｏ＋−ＹＰｂ（Ｃｕ
ｔ ／２Ｗｌ ／ＪＯｓ−ｚＰｂＴｉｏｓ（但し、Ｘ＋
Ｖ＋ Ｚは各成分のモル分率で、Ｘ＋ｙ＋Ｚ一ｉ．ｏ
ｏを満足し、第１図に於ける下記組成比を有する点Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲
内の組成比を有する。）で示される組成を有する３成分
系固溶体を主成分とし、該主或分１００重量部に対し、
６００〜９００゜Ｃの範囲内の融点を有するガラス組成
物を０．５〜１．５重量部含有してなる誘電体磁器組成
物を提供するものである。
ｘ ｙ ＺＡ
０．７５ ０．１０ ０．１５Ｂ ０．７
５ ０．０５ ０．２０Ｃ ０．９５
０，０３ ０．０２Ｄ ０．９５ ０．
０５ ０．００前記ガラス組成物としては、融点が
６００〜９００゜Ｃの範囲内のものであれば、任意のも
のを使用できるが、ＢａＯ−Ｓｉｎ，系ガラスを採用す
るのが好適である。
０．７５ ０．１０ ０．１５Ｂ ０．７
５ ０．０５ ０．２０Ｃ ０．９５
０，０３ ０．０２Ｄ ０．９５ ０．
０５ ０．００前記ガラス組成物としては、融点が
６００〜９００゜Ｃの範囲内のものであれば、任意のも
のを使用できるが、ＢａＯ−Ｓｉｎ，系ガラスを採用す
るのが好適である。
（作用）
本発明に係る誘電体磁器組或物は、Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚ３Ｎ
ｂｔｚ＊）０３−Ｐｂ（ＣＬｌ＋ ｚｔＬ ｚｔ）Ｏｓ
−ＰｂＴｉＯ＋系に融点が６００〜９００℃の範囲内に
あるガラス組成物を所定量含有させることによって、焼
或時に溶融したガラスが粒子をコーティングするフラソ
クスとして作用し、メッキ時の酸化還元反応を防止する
働きをし、メッキ成長を阻止するため、特性の劣化が防
止される。
ｂｔｚ＊）０３−Ｐｂ（ＣＬｌ＋ ｚｔＬ ｚｔ）Ｏｓ
−ＰｂＴｉＯ＋系に融点が６００〜９００℃の範囲内に
あるガラス組成物を所定量含有させることによって、焼
或時に溶融したガラスが粒子をコーティングするフラソ
クスとして作用し、メッキ時の酸化還元反応を防止する
働きをし、メッキ成長を阻止するため、特性の劣化が防
止される。
本発明に係る誘電体磁器組成物の組成を前記範囲に限定
した理由について説明すると、まず、主成分の組或範囲
を、第１図に於ける点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする多角
形ＡＢＣＤで囲まれた範囲、即ち、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを
結ぶ線上およびそれらの点で囲まれた範囲内の組成比を
有するものに限定したのは、次の狸由による。
した理由について説明すると、まず、主成分の組或範囲
を、第１図に於ける点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする多角
形ＡＢＣＤで囲まれた範囲、即ち、点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを
結ぶ線上およびそれらの点で囲まれた範囲内の組成比を
有するものに限定したのは、次の狸由による。
即ち、点Ａ，Ｂを結ふ線よりも外側の組成では、誘電率
が１５０００未満となり、点Ｂ，Ｃを桔ぶ線よりも外側
の組成では、焼桔温度かｌｏｏＯ’ｃを越えるので好ま
しくない。また、点Ｃ，Ｄを結ぶ線よりの外側の組成で
は、誘電率が１５０００未満となると同時に、焼結温度
が１０００℃を越え、点Ａ，Ｄを結ぶ線よりも外側の組
或では、誘電体損失が２．０％を越えるので好ましくな
いからである。
が１５０００未満となり、点Ｂ，Ｃを桔ぶ線よりも外側
の組成では、焼桔温度かｌｏｏＯ’ｃを越えるので好ま
しくない。また、点Ｃ，Ｄを結ぶ線よりの外側の組成で
は、誘電率が１５０００未満となると同時に、焼結温度
が１０００℃を越え、点Ａ，Ｄを結ぶ線よりも外側の組
或では、誘電体損失が２．０％を越えるので好ましくな
いからである。
前記ガラス組成物は耐メッキ性を向上させると共（ご、
焼結温度を低下させるために添加させるが、その添加量
が、主成分ｌＯＯ重量部に対し、０．５重量部未満では
、その効果が得られず、１．５重量部を越えると、ガラ
ス熔融時に偏折を生じてコンデンサユニットの一部が異
常成長するので、前記範囲とした。
焼結温度を低下させるために添加させるが、その添加量
が、主成分ｌＯＯ重量部に対し、０．５重量部未満では
、その効果が得られず、１．５重量部を越えると、ガラ
ス熔融時に偏折を生じてコンデンサユニットの一部が異
常成長するので、前記範囲とした。
（実施例）
主成分の出発原料として、ｐｂ３ｏ．、Ｍ ｇ Ｃ Ｏ
３、Ｎｂ，０５、ＣｕＯ，Ｗ，０３、およびＴ ｒ
Ｏ ｔを用い、これらを９０．５モル％Ｐ ｂ（Ｍｇ＋
７３Ｎ ｂｔｚ３）０ ３３モル％Ｐｂ（Ｃｕ＋ｚ，
Ｗ＋ｚｔ）０３ ６．５モル％ｐ．ｂＴｉｅ３となるよ
うにＡ会し、湿式粉砕した後、７００〜８００℃で２時
問仮焼し、粉砕して仮焼粉末を得た。
３、Ｎｂ，０５、ＣｕＯ，Ｗ，０３、およびＴ ｒ
Ｏ ｔを用い、これらを９０．５モル％Ｐ ｂ（Ｍｇ＋
７３Ｎ ｂｔｚ３）０ ３３モル％Ｐｂ（Ｃｕ＋ｚ，
Ｗ＋ｚｔ）０３ ６．５モル％ｐ．ｂＴｉｅ３となるよ
うにＡ会し、湿式粉砕した後、７００〜８００℃で２時
問仮焼し、粉砕して仮焼粉末を得た。
この仮焼粉末１００重量部に対し、ポリビニルブチラー
ル６重量部、可塑剤２．６重量部、ＢａＯＳｉ０２系ガ
ラス粉末１．０！１′￥量部、トルエン４３．３重量部
、エタノール３９，５重量部を加えて混合した後、ドク
ターブレード注によりグリーンシ一トを成形し、積層、
チノプ加工した後、９００〜９５０°Ｃで焼或して試料
とした。
ル６重量部、可塑剤２．６重量部、ＢａＯＳｉ０２系ガ
ラス粉末１．０！１′￥量部、トルエン４３．３重量部
、エタノール３９，５重量部を加えて混合した後、ドク
ターブレード注によりグリーンシ一トを成形し、積層、
チノプ加工した後、９００〜９５０°Ｃで焼或して試料
とした。
なお、ＢａＯ−Ｓｉｎ，系ガラス粉末の具体的組成は、
次のとおりである。
次のとおりである。
Ｂａ０ １８．８２重量％、ＬＬＯ １３．７２重星％
、Ｃａ０５．ｌ９ｉｌｆ量％、Ｓｒ０９．５１重！１１
％、Ａｃ，ｏ． ｔ．９６重量％、Ｔｉｅ，４．７０重
量％、ＳｉＯ＝４６．ｌＯ重量％ この試料をＮｉ電解メソキおよびＳｎ電解メ．，キした
ところ、チップ表面に金属析出は認められず、また、そ
の比誘電率（ε）、誘電体損失（ＤＦ，ｔａｎδ）およ
び絶縁抵抗は下記の通りであった。
、Ｃａ０５．ｌ９ｉｌｆ量％、Ｓｒ０９．５１重！１１
％、Ａｃ，ｏ． ｔ．９６重量％、Ｔｉｅ，４．７０重
量％、ＳｉＯ＝４６．ｌＯ重量％ この試料をＮｉ電解メソキおよびＳｎ電解メ．，キした
ところ、チップ表面に金属析出は認められず、また、そ
の比誘電率（ε）、誘電体損失（ＤＦ，ｔａｎδ）およ
び絶縁抵抗は下記の通りであった。
ε≧２８０００
ｔａｎδ≦ ２．０％
ＬｏｇｌＲ≧１０
ちなみに、前記仮焼粉末のみを用いて調製した試料では
、焼結温度が１０００〜１１００℃であり、電解メノキ
時にチップ表面にもメッキ金属の析出を生じた。また、
電解メッキ後の電気特性は次の通りであった。
、焼結温度が１０００〜１１００℃であり、電解メノキ
時にチップ表面にもメッキ金属の析出を生じた。また、
電解メッキ後の電気特性は次の通りであった。
ε≦２００００
ｔａｎδ≧５％
ＬｏｇｌＲ≦７
これらの結果から、本発明に係る磁器組或物は、ガラス
或分を含有させることによって９００〜９５０゜Ｃの焼
成温度で焼結させることかてき、また、チノブ表面の金
属析出もなく、特性の劣化かないことが判る。
或分を含有させることによって９００〜９５０゜Ｃの焼
成温度で焼結させることかてき、また、チノブ表面の金
属析出もなく、特性の劣化かないことが判る。
（発明の効果）
本発明によれば、従来のものより低い温度、即ち、９０
０〜９５０℃で焼成できるので、省工不ルギーを図るこ
とかでき、また、Ａｇ−Ｐｄ合金を内部電極材料として
使用する場合でも、貴金属含有量の少ない合金、例えば
、Ａｇ／Ｐｄ比が８５／ｌ５〜１００／Ｏの合金を使用
でき、コストダウンを図ることができる。
０〜９５０℃で焼成できるので、省工不ルギーを図るこ
とかでき、また、Ａｇ−Ｐｄ合金を内部電極材料として
使用する場合でも、貴金属含有量の少ない合金、例えば
、Ａｇ／Ｐｄ比が８５／ｌ５〜１００／Ｏの合金を使用
でき、コストダウンを図ることができる。
また、電解メノキしてもメノキ成長による特性の劣化か
なく、しかも、ＪＩＳ規格Ｆ特性を満たし、小形大容量
で表面実装可能な積届コンデンサを製遣できるなど、俺
れた効果か得られる。
なく、しかも、ＪＩＳ規格Ｆ特性を満たし、小形大容量
で表面実装可能な積届コンデンサを製遣できるなど、俺
れた効果か得られる。
第１図は本発明に係る誘電体磁恭組或物の組戊“範囲を
示す三元図である。 第１図
示す三元図である。 第１図
Claims (2)
- （１）一般式： ｘＰｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
−ｙＰｂ（Ｃｕ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３−
ｚＰｂＴｉＯ＿３（但し、ｘ，ｙ，ｚは各成分のモル分
率で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００を満足し、第１図に於ける
下記組成比を有する点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする多角
形ＡＢＣＤで囲まれた範囲内の組成比を有する。）で示
される組成を有する３成分系固溶体を主成分とし、該主
成分１００重量部に対し、６００〜９００℃の範囲内の
融点を有するガラス組成物を０．５〜１．５重量部を含
有してなる誘電体磁器組成物。 ｘ ｙ ｚ Ａ ０．７５ ０．１０ ０．１５ Ｂ ０．７５ ０．０５ ０．２０ Ｃ ０．９５ ０．０３ ０．０２ Ｄ ０．９５ ０．０５ ０．００ - （２）前記ガラス組成物がＢａＯ−ＳｉＯ＿２系ガラス
である請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241584A JPH03102705A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/583,601 US5098869A (en) | 1989-09-18 | 1990-09-17 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241584A JPH03102705A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102705A true JPH03102705A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17076486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1241584A Pending JPH03102705A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5098869A (ja) |
| JP (1) | JPH03102705A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69209613T2 (de) * | 1991-10-24 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrisches-keramisches Verbundmaterial |
| JPH09208312A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP3513787B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| US6514891B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-02-04 | Lg Electronics Inc. | Thick dielectric composition for solid state display |
| JP3818030B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2006-09-06 | 株式会社村田製作所 | 多層基板の製造方法 |
| JP4618383B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5551758A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-15 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric constance ceramic composition |
| GB2107300B (en) * | 1981-07-03 | 1985-04-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
| US4450240A (en) * | 1982-03-17 | 1984-05-22 | Nippon Electric Co., Ltd. | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
| US4525768A (en) * | 1984-02-28 | 1985-06-25 | Standard Telephones And Cables, Plc | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
| JPS61128409A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1241584A patent/JPH03102705A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-17 US US07/583,601 patent/US5098869A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5098869A (en) | 1992-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100218225B1 (ko) | 적층 세라믹 커페시터 및 이의 제조방법 | |
| JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP4521387B2 (ja) | 耐還元性誘電体磁器組成物 | |
| KR100444230B1 (ko) | 내환원성 유전체 자기 조성물 | |
| DE69710259T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
| DE69710265T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendender monolithischer keramischer Kondensator | |
| KR19980063871A (ko) | 세라믹 조성물 및 이 세라믹 조성물로 제조된 적층 세라믹커패시터 | |
| US20030168624A1 (en) | Piezoelectric ceramic material, method for production thereof and electroceramic multi-layer component | |
| US5723395A (en) | Dielectric ceramic composition, its preparation method, multilayer chip capacitor, dielectric filter, and electronic parts | |
| JPH03102705A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH029755A (ja) | 高誘電率セラミックス組成物 | |
| JPH11106259A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02303081A (ja) | 圧電性磁器組成物 | |
| JPH1017359A (ja) | 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ | |
| JPH05290625A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2803320B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0945581A (ja) | 積層型コンデンサ | |
| JPH07118429B2 (ja) | 積層コンデンサ内部電極用導電性塗料 | |
| JP2926827B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0629140B2 (ja) | 圧電素子材料及びその製造方法 | |
| KR100254798B1 (ko) | 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물 | |
| KR100254797B1 (ko) | 고유전율계 캐패시터 조성물 | |
| JPH06103656B2 (ja) | 積層コンデンサ内部電極用導電性塗料 | |
| JP3963832B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び積層コンデンサ | |
| KR100474249B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법 |