JPH09208312A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH09208312A JPH09208312A JP8032761A JP3276196A JPH09208312A JP H09208312 A JPH09208312 A JP H09208312A JP 8032761 A JP8032761 A JP 8032761A JP 3276196 A JP3276196 A JP 3276196A JP H09208312 A JPH09208312 A JP H09208312A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で焼結され、かつ、誘電率が高く、十分
な機械的強度を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 この発明は、マグネシウム・ニオブ酸鉛
〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕、チタン酸ストロン
チウム〔ＳｒＴｉＯ3 〕、チタン酸鉛〔ＰｂＴｉＯ3 〕
からなる誘電体磁器組成物であって、〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x ・〔ＳｒＴｉＯ3 〕y ・〔ＰｂＴｉ
Ｏ3 〕z と表したとき（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００；
ｘ，ｙ，ｚはモル部を表す。）、（ｘ，ｙ，ｚ）の三成
分組成図において、Ａ（７２，１０，１８）、Ｂ（７
６，５，１９）、Ｃ（５７，５，３８）、Ｄ（４８，２
０，３２）の４点を結ぶ線上およびこの範囲内にあり、
この主成分１００モル部に対して、（Ｐｂ1-x Ｂａx ）
（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 〔ただし、０≦ｘ≦１〕が５モ
ル部以下（ただし、０モル部は含まず。）添加された、
誘電体磁器組成物である。
な機械的強度を有する誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 この発明は、マグネシウム・ニオブ酸鉛
〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕、チタン酸ストロン
チウム〔ＳｒＴｉＯ3 〕、チタン酸鉛〔ＰｂＴｉＯ3 〕
からなる誘電体磁器組成物であって、〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x ・〔ＳｒＴｉＯ3 〕y ・〔ＰｂＴｉ
Ｏ3 〕z と表したとき（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００；
ｘ，ｙ，ｚはモル部を表す。）、（ｘ，ｙ，ｚ）の三成
分組成図において、Ａ（７２，１０，１８）、Ｂ（７
６，５，１９）、Ｃ（５７，５，３８）、Ｄ（４８，２
０，３２）の４点を結ぶ線上およびこの範囲内にあり、
この主成分１００モル部に対して、（Ｐｂ1-x Ｂａx ）
（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 〔ただし、０≦ｘ≦１〕が５モ
ル部以下（ただし、０モル部は含まず。）添加された、
誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は誘電体磁器組成物
に関し、特にたとえば、積層セラミックコンデンサなど
の材料として用いられる誘電体磁器組成物に関する。
に関し、特にたとえば、積層セラミックコンデンサなど
の材料として用いられる誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、誘電体磁器組成物として、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主成分とする誘電体
磁器組成物が広く実用化されている。このようなチタン
酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物は、通常１
３００〜１４００℃という高い焼成温度が必要とされ
る。そのため、この誘電体磁器組成物を積層コンデンサ
に利用する場合には、内部電極として、この高い焼成温
度に耐え得る材料、たとえば白金，パラジウムなどの高
価な貴金属を使用しなければならず、製造コストが高く
なってしまう。積層コンデンサの製造コストを低減させ
るためには、銀，ニッケルなどを主成分とする安価な金
属が内部電極に使用できるような誘電体磁器組成物、す
なわち、できるだけ低温で焼結できる誘電体磁器組成物
が必要とされていた。
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主成分とする誘電体
磁器組成物が広く実用化されている。このようなチタン
酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物は、通常１
３００〜１４００℃という高い焼成温度が必要とされ
る。そのため、この誘電体磁器組成物を積層コンデンサ
に利用する場合には、内部電極として、この高い焼成温
度に耐え得る材料、たとえば白金，パラジウムなどの高
価な貴金属を使用しなければならず、製造コストが高く
なってしまう。積層コンデンサの製造コストを低減させ
るためには、銀，ニッケルなどを主成分とする安価な金
属が内部電極に使用できるような誘電体磁器組成物、す
なわち、できるだけ低温で焼結できる誘電体磁器組成物
が必要とされていた。
【０００３】一方、誘電体磁器組成物の電気的特性とし
て、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高い
ことが基本的に要求される。また、積層チップコンデン
サの場合には、チップコンデンサを基板に実装したとき
に、基板とチップコンデンサを構成している誘電体磁器
組成物との熱膨張係数の違いによって、チップコンデン
サに機械的な歪みが加わり、チップコンデンサにクラッ
クが発生したり、破損したりする場合がある。この場
合、チップコンデンサを構成している誘電体磁器組成物
の機械的強度が低いほど、クラックが入りやすく、容易
に破損し、信頼性が低くなるため、誘電体磁器組成物の
機械的強度を増大させることは、実用上極めて重要なこ
とである。
て、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高い
ことが基本的に要求される。また、積層チップコンデン
サの場合には、チップコンデンサを基板に実装したとき
に、基板とチップコンデンサを構成している誘電体磁器
組成物との熱膨張係数の違いによって、チップコンデン
サに機械的な歪みが加わり、チップコンデンサにクラッ
クが発生したり、破損したりする場合がある。この場
合、チップコンデンサを構成している誘電体磁器組成物
の機械的強度が低いほど、クラックが入りやすく、容易
に破損し、信頼性が低くなるため、誘電体磁器組成物の
機械的強度を増大させることは、実用上極めて重要なこ
とである。
【０００４】以上のことから、低温で焼結でき、かつ、
機械的強度の高い誘電体磁器組成物の開発が望まれてい
た。
機械的強度の高い誘電体磁器組成物の開発が望まれてい
た。
【０００５】特開昭５５−２１８５０号において、低温
で焼結できる誘電体磁器組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ2/3
Ｗ1/3 ）Ｏ3 −ＰｂＺｒＯ3 からなる二成分組成物が提
案されている。
で焼結できる誘電体磁器組成物として、Ｐｂ（Ｆｅ2/3
Ｗ1/3 ）Ｏ3 −ＰｂＺｒＯ3 からなる二成分組成物が提
案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５５−２１８５０号に開示されている二成分組成物は、
誘電損失が高く、しかも、比抵抗が低く、さらなる改善
が望まれていた。そのため、特開昭５５−２３０５８号
において、第三成分として、Ｐｂ（Ｍｎ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ
3 などを添加し、上記の欠点を改善する提案がなされて
いる。しかし、Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 −ＰｂＺｒ
Ｏ3 およびこれにＰｂ（Ｍｎ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 などを添
加したものは、いずれも誘電体磁器組成物の抗折強度が
低く、積層コンデンサとしたときの用途は、狭い範囲に
限定せざるを得なかった。さらに、特開昭５８−６０６
７０号において、Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系の誘電体磁器
組成物が提案されているが、上記の誘電体磁器組成物と
同様に、機械的強度に関しては十分ではなかった。
５５−２１８５０号に開示されている二成分組成物は、
誘電損失が高く、しかも、比抵抗が低く、さらなる改善
が望まれていた。そのため、特開昭５５−２３０５８号
において、第三成分として、Ｐｂ（Ｍｎ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ
3 などを添加し、上記の欠点を改善する提案がなされて
いる。しかし、Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 −ＰｂＺｒ
Ｏ3 およびこれにＰｂ（Ｍｎ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 などを添
加したものは、いずれも誘電体磁器組成物の抗折強度が
低く、積層コンデンサとしたときの用途は、狭い範囲に
限定せざるを得なかった。さらに、特開昭５８−６０６
７０号において、Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系の誘電体磁器
組成物が提案されているが、上記の誘電体磁器組成物と
同様に、機械的強度に関しては十分ではなかった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
温で焼結され、かつ、誘電率が高く、十分な機械的強度
を有する誘電体磁器組成物を提供することである。
温で焼結され、かつ、誘電率が高く、十分な機械的強度
を有する誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、マグネシウ
ム・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕、チ
タン酸ストロンチウム〔ＳｒＴｉＯ3 〕、チタン酸鉛
〔ＰｂＴｉＯ3 〕からなる誘電体磁器組成物であって、
〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x ・〔ＳｒＴｉ
Ｏ3 〕y ・〔ＰｂＴｉＯ3 〕z と表したとき（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００；ｘ，ｙ，ｚはモル部を表す。）、
（ｘ，ｙ，ｚ）の三成分組成図において、Ａ（７２，１
０，１８）、Ｂ（７６，５，１９）、Ｃ（５７，５，３
８）、Ｄ（４８，２０，３２）の４点を結ぶ線上および
この範囲内にあり、この主成分１００モル部に対して、
（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 〔ただし、
０≦ｘ≦１〕が５モル部以下（ただし、０モル部は含ま
ず。）添加された、誘電体磁器組成物である。
ム・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕、チ
タン酸ストロンチウム〔ＳｒＴｉＯ3 〕、チタン酸鉛
〔ＰｂＴｉＯ3 〕からなる誘電体磁器組成物であって、
〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x ・〔ＳｒＴｉ
Ｏ3 〕y ・〔ＰｂＴｉＯ3 〕z と表したとき（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００；ｘ，ｙ，ｚはモル部を表す。）、
（ｘ，ｙ，ｚ）の三成分組成図において、Ａ（７２，１
０，１８）、Ｂ（７６，５，１９）、Ｃ（５７，５，３
８）、Ｄ（４８，２０，３２）の４点を結ぶ線上および
この範囲内にあり、この主成分１００モル部に対して、
（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 〔ただし、
０≦ｘ≦１〕が５モル部以下（ただし、０モル部は含ま
ず。）添加された、誘電体磁器組成物である。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、低温で焼結され、か
つ、誘電特性に優れ、従来にない高い機械的強度を有す
る誘電体磁器組成物が得られる。この誘電体磁器組成物
は、１２０ＭＰａ以上の抗折強度を有し、積層チップコ
ンデンサとしたときの使用にも十分耐え得ることができ
る。さらに、この発明によれば、１３０ＭＰａ以上の抗
折強度を有しつつ、比誘電率が９０００以上で、ＪＩＳ
に規定するＤ特性をも満足する誘電体磁器組成物も得ら
れている。
つ、誘電特性に優れ、従来にない高い機械的強度を有す
る誘電体磁器組成物が得られる。この誘電体磁器組成物
は、１２０ＭＰａ以上の抗折強度を有し、積層チップコ
ンデンサとしたときの使用にも十分耐え得ることができ
る。さらに、この発明によれば、１３０ＭＰａ以上の抗
折強度を有しつつ、比誘電率が９０００以上で、ＪＩＳ
に規定するＤ特性をも満足する誘電体磁器組成物も得ら
れている。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】出発原料として、工業用のＰｂ3
Ｏ4 ，ＭｇＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｃ
ｕＯ，ＷＯ3 を用いて、表１の組成比となるように所定
量秤量し、イオン交換水を溶媒として、１６時間ボール
ミル混合を行って、混合粉を得た。そして、得られた混
合粉を大気中７５０℃で２時間仮焼し、仮焼粉を得た。
次に、この仮焼粉と、トルエンなどの有機溶媒、ＰＶＢ
などのバインダ、ＤＯＰなどの可塑剤を用いて、グリー
ンシート成形用のスラリーを得た。このスラリーを用い
て、厚み５０〜６０μｍのグリーンシートをドクターブ
レード法によって得た。得られたグリーンシートを加工
することによって、直径１０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの円
板試料および４５ｍｍＬ×５ｍｍＷ×１．５ｍｍｔの直
方体試料を得た。これらの試料を大気中で脱バインダー
したのちに、大気中９５０〜１１００℃で２時間焼成
し、磁器試料を得た。
Ｏ4 ，ＭｇＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｃ
ｕＯ，ＷＯ3 を用いて、表１の組成比となるように所定
量秤量し、イオン交換水を溶媒として、１６時間ボール
ミル混合を行って、混合粉を得た。そして、得られた混
合粉を大気中７５０℃で２時間仮焼し、仮焼粉を得た。
次に、この仮焼粉と、トルエンなどの有機溶媒、ＰＶＢ
などのバインダ、ＤＯＰなどの可塑剤を用いて、グリー
ンシート成形用のスラリーを得た。このスラリーを用い
て、厚み５０〜６０μｍのグリーンシートをドクターブ
レード法によって得た。得られたグリーンシートを加工
することによって、直径１０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの円
板試料および４５ｍｍＬ×５ｍｍＷ×１．５ｍｍｔの直
方体試料を得た。これらの試料を大気中で脱バインダー
したのちに、大気中９５０〜１１００℃で２時間焼成
し、磁器試料を得た。
【００１２】
【表１】
【００１３】得られた磁器試料の中で、円板試料に関し
ては、試料の両面に銀ペーストを塗布したのちに、大気
中８００℃で焼き付け、誘電特性の測定に供した。比誘
電率（εｒ）については、温度２５℃、周波数１ｋＨ
ｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓの条件下で得たものである。ま
た、静電容量温度特性（ＴＣＣ）に関しては、２０℃の
静電容量を基準として、−２５℃および８５℃での静電
容量の変化率を算出した。測定条件は、周波数１ｋＨ
ｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓである。
ては、試料の両面に銀ペーストを塗布したのちに、大気
中８００℃で焼き付け、誘電特性の測定に供した。比誘
電率（εｒ）については、温度２５℃、周波数１ｋＨ
ｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓの条件下で得たものである。ま
た、静電容量温度特性（ＴＣＣ）に関しては、２０℃の
静電容量を基準として、−２５℃および８５℃での静電
容量の変化率を算出した。測定条件は、周波数１ｋＨ
ｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓである。
【００１４】一方、直方体試料に関しては、３点曲げに
よる抗折強度の測定に供した。すなわち、オートグラフ
にて支点間距離を３０ｍｍにして試料をセットし、０．
５ｍｍ／分にてクロスヘッドを進ませたときの破壊荷重
をＰとしたときに、次の式（１）によって、抗折強度σ
を求めた。 σ＝３・Ｐ・Ｌ／２・Ｗ・ｔ2 ・・・（１） ただし、Ｌは支点間距離、Ｗは試料の幅、ｔは試料厚み
である。抗折強度の値としては、各試料ごとに１５〜２
０個の値からワイブルプロットを得て、そのワイブル統
計解析によって得られた平均値を採用した。
よる抗折強度の測定に供した。すなわち、オートグラフ
にて支点間距離を３０ｍｍにして試料をセットし、０．
５ｍｍ／分にてクロスヘッドを進ませたときの破壊荷重
をＰとしたときに、次の式（１）によって、抗折強度σ
を求めた。 σ＝３・Ｐ・Ｌ／２・Ｗ・ｔ2 ・・・（１） ただし、Ｌは支点間距離、Ｗは試料の幅、ｔは試料厚み
である。抗折強度の値としては、各試料ごとに１５〜２
０個の値からワイブルプロットを得て、そのワイブル統
計解析によって得られた平均値を採用した。
【００１５】上記のようにして得られた抗折強度および
誘電特性のデータを、実施例一覧表として表１に示す。
表１中に示されているＰＭＮ，ＳＴ，ＰＴ，ＰＢＣＷ
は、それぞれ、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，ＳｒＴ
ｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 ，（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2
Ｗ1/2 ）Ｏ3 を表している。ただし、試料番号１〜１６
は、（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 におい
て、ｘ＝０での実施例であり、試料番号１７はｘ＝０．
５での実施例であり、試料番号１８はｘ＝１での実施例
である。また、表１中に表記されているσは抗折強度
で、単位はＭＰａであり、付記されているｍ値は、ワイ
ブル統計解析より得られた値である。なお、各試料番号
において、＊印を付した試料はこの発明の範囲外のもの
であり、それ以外はこの発明の範囲内のものである。一
方、表１に示した各実施例に基づいて、図１に主成分の
三成分組成図（三元図）を示した。三元図に付した番号
は、表１における試料番号に一致する。
誘電特性のデータを、実施例一覧表として表１に示す。
表１中に示されているＰＭＮ，ＳＴ，ＰＴ，ＰＢＣＷ
は、それぞれ、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，ＳｒＴ
ｉＯ3 ，ＰｂＴｉＯ3 ，（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2
Ｗ1/2 ）Ｏ3 を表している。ただし、試料番号１〜１６
は、（Ｐｂ1-x Ｂａx ）（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 におい
て、ｘ＝０での実施例であり、試料番号１７はｘ＝０．
５での実施例であり、試料番号１８はｘ＝１での実施例
である。また、表１中に表記されているσは抗折強度
で、単位はＭＰａであり、付記されているｍ値は、ワイ
ブル統計解析より得られた値である。なお、各試料番号
において、＊印を付した試料はこの発明の範囲外のもの
であり、それ以外はこの発明の範囲内のものである。一
方、表１に示した各実施例に基づいて、図１に主成分の
三成分組成図（三元図）を示した。三元図に付した番号
は、表１における試料番号に一致する。
【００１６】以下に、表１および図１に従って、組成範
囲限定の理由について述べる。試料番号１および試料番
号５のように、Ｂ−Ｃ線より下側に位置する場合には、
抗折強度が１００ＭＰａ以下となり好ましくない。ま
た、試料番号１２および試料番号１４のように、Ｃ−Ｄ
線およびＡ−Ｂ線の外側に位置する場合においても、抗
折強度が９０ＭＰａおよび１０５ＭＰａであり、鉛系誘
電体磁器組成物の従来並みの強度であり、好ましくな
い。さらに、試料番号１３のように、Ｄ−Ａ線より上側
に位置する場合には、抗折強度が１１５ＭＰａである
が、この発明の目的を達成するには十分とは言えず、好
ましくない。副成分については、試料番号１５のよう
に、添加されない場合には、１２００℃でも未焼結であ
り、低温で焼結可能という鉛系誘電体磁器組成物の特徴
が損なわれ、好ましくない。また、試料番号１６のよう
に、副成分が５モル部を越えて添加された場合、抗折強
度が極端に低下し（本例の場合は９０ＭＰａ）、好まし
くない。
囲限定の理由について述べる。試料番号１および試料番
号５のように、Ｂ−Ｃ線より下側に位置する場合には、
抗折強度が１００ＭＰａ以下となり好ましくない。ま
た、試料番号１２および試料番号１４のように、Ｃ−Ｄ
線およびＡ−Ｂ線の外側に位置する場合においても、抗
折強度が９０ＭＰａおよび１０５ＭＰａであり、鉛系誘
電体磁器組成物の従来並みの強度であり、好ましくな
い。さらに、試料番号１３のように、Ｄ−Ａ線より上側
に位置する場合には、抗折強度が１１５ＭＰａである
が、この発明の目的を達成するには十分とは言えず、好
ましくない。副成分については、試料番号１５のよう
に、添加されない場合には、１２００℃でも未焼結であ
り、低温で焼結可能という鉛系誘電体磁器組成物の特徴
が損なわれ、好ましくない。また、試料番号１６のよう
に、副成分が５モル部を越えて添加された場合、抗折強
度が極端に低下し（本例の場合は９０ＭＰａ）、好まし
くない。
【００１７】ところで、表１の実施例から明らかなよう
に、試料番号４では、比誘電率９４００，抗折強度１３
２ＭＰａ、また、試料番号１０では、比誘電率５３０
０，抗折強度１４５ＭＰａが得られており、かつ、ＴＣ
Ｃのデータより双方ともＪＩＳに規定するＤ特性を満足
している。鉛系誘電体磁器組成物においては、高強度か
つ高誘電率であり、さらに、ＪＩＳに規定するＤ特性を
満足するものは皆無に誓い状況から鑑みるに、上記の本
実施例は特筆に値すると言えよう。
に、試料番号４では、比誘電率９４００，抗折強度１３
２ＭＰａ、また、試料番号１０では、比誘電率５３０
０，抗折強度１４５ＭＰａが得られており、かつ、ＴＣ
Ｃのデータより双方ともＪＩＳに規定するＤ特性を満足
している。鉛系誘電体磁器組成物においては、高強度か
つ高誘電率であり、さらに、ＪＩＳに規定するＤ特性を
満足するものは皆無に誓い状況から鑑みるに、上記の本
実施例は特筆に値すると言えよう。
【図１】表１に示した各実施例に基づく主成分の三成分
組成図である。
組成図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 マグネシウム・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3〕、チタン酸ストロンチウム〔Ｓｒ
ＴｉＯ3 〕、チタン酸鉛〔ＰｂＴｉＯ3 〕からなる誘電
体磁器組成物であって、 〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x ・〔ＳｒＴｉ
Ｏ3 〕y ・〔ＰｂＴｉＯ3〕z と表したとき（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００；ｘ，ｙ，ｚはモル部を表す。）、
（ｘ，ｙ，ｚ）の三成分組成図において、 Ａ（７２，１０，１８） Ｂ（７６，５，１９） Ｃ（５７，５，３８） Ｄ（４８，２０，３２） の４点を結ぶ線上およびこの範囲内にあり、 この主成分１００モル部に対して、（Ｐｂ1-x Ｂａx ）
（Ｃｕ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 〔ただし、０≦ｘ≦１〕が５モ
ル部以下（ただし、０モル部は含まず。）添加された、
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032761A JPH09208312A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 誘電体磁器組成物 |
| EP97100547A EP0788123B1 (en) | 1996-01-26 | 1997-01-15 | Dielectric ceramic composition |
| DE69700414T DE69700414T2 (de) | 1996-01-26 | 1997-01-15 | Keramische dielektrische Zusammensetzung |
| CN97102334A CN1062540C (zh) | 1996-01-26 | 1997-01-23 | 介电陶瓷组合物 |
| KR1019970002135A KR100231799B1 (ko) | 1996-01-26 | 1997-01-25 | 유전체 세라믹 조성물 |
| SG1997000173A SG50003A1 (en) | 1996-01-26 | 1997-01-25 | Dielectric ceramics composition |
| US08/790,772 US5733832A (en) | 1996-01-26 | 1997-01-27 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032761A JPH09208312A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09208312A true JPH09208312A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=12367832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8032761A Pending JPH09208312A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5733832A (ja) |
| EP (1) | EP0788123B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09208312A (ja) |
| KR (1) | KR100231799B1 (ja) |
| CN (1) | CN1062540C (ja) |
| DE (1) | DE69700414T2 (ja) |
| SG (1) | SG50003A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001181028A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-07-03 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 |
| KR20030042483A (ko) * | 2001-11-22 | 2003-06-02 | (주) 디엔에프솔루션 | 납 마그네슘 니오베이트/납 티타네이트 강유전체막 형성용용액 |
| CN110845230A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-02-28 | 西安工业大学 | 一种三元系铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷及其制备方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913843B1 (en) * | 1997-03-31 | 2006-02-08 | TDK Corporation | Non-reducing dielectric ceramic material |
| KR20010026107A (ko) * | 1999-09-03 | 2001-04-06 | 이광호 | 저온 소결이 가능한 피엠엔-피아이엔계 고유전율 세라믹 유전체 및 그 제조방법 |
| US6690567B1 (en) | 2002-09-26 | 2004-02-10 | Ceramphysics, Inc. | Capacitive energy storage device |
| WO2005050263A2 (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Red Sky Systems, Inc. | Ternary ceramic dielectric coating for an optical repeater pressure vessel |
| CN101531511B (zh) * | 2009-04-11 | 2011-11-09 | 桂林工学院 | 一种低温烧结的高热稳定微波介电陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5523058A (en) | 1978-08-04 | 1980-02-19 | Tdk Electronics Co Ltd | Highly dielectric ceramic composition |
| JPS5521850A (en) | 1978-08-01 | 1980-02-16 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
| JPS5860670A (ja) | 1981-10-01 | 1983-04-11 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS60670A (ja) * | 1983-06-15 | 1985-01-05 | Fujitsu Kiden Ltd | 磁気カ−ド検証方式 |
| JPS62290009A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US5032558A (en) * | 1987-10-09 | 1991-07-16 | Martin Marietta Corporation | Electrostrictive ceramic material including a process for the preparation thereof and applications thereof |
| JP2615977B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1997-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JPH02303081A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電性磁器組成物 |
| DE69020260T2 (de) * | 1989-08-17 | 1996-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrische Keramikzusammensetzung und Vielschicht-Kondensator. |
| JPH03102705A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| SG45241A1 (en) * | 1993-06-30 | 1998-01-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition |
| US5658485A (en) * | 1995-10-03 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Pyrochlore based oxides with high dielectric constant and low temperature coefficient |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8032761A patent/JPH09208312A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-15 DE DE69700414T patent/DE69700414T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-15 EP EP97100547A patent/EP0788123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-23 CN CN97102334A patent/CN1062540C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-25 KR KR1019970002135A patent/KR100231799B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-25 SG SG1997000173A patent/SG50003A1/en unknown
- 1997-01-27 US US08/790,772 patent/US5733832A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001181028A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-07-03 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 |
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| CN110845230A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-02-28 | 西安工业大学 | 一种三元系铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100231799B1 (ko) | 1999-12-01 |
| EP0788123A3 (en) | 1997-09-24 |
| DE69700414T2 (de) | 2000-02-17 |
| CN1163875A (zh) | 1997-11-05 |
| KR970060278A (ko) | 1997-08-12 |
| CN1062540C (zh) | 2001-02-28 |
| DE69700414D1 (de) | 1999-09-23 |
| EP0788123B1 (en) | 1999-08-18 |
| US5733832A (en) | 1998-03-31 |
| EP0788123A2 (en) | 1997-08-06 |
| SG50003A1 (en) | 1998-06-15 |
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