JPH06206765A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH06206765A JPH06206765A JP5018161A JP1816193A JPH06206765A JP H06206765 A JPH06206765 A JP H06206765A JP 5018161 A JP5018161 A JP 5018161A JP 1816193 A JP1816193 A JP 1816193A JP H06206765 A JPH06206765 A JP H06206765A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ニッケルなどの卑金属を内部電極材料とする
積層コンデンサなどの誘電体材料として用いられる、非
還元性誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量
が、０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 とＴｂ2 Ｏ3 ，
Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中の１種類以上
の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）とＣｏ2 Ｏ3 との配合比
が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ2 Ｏ
3 ０．３〜４．０モル％とＣｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モ
ル％との範囲内の主成分１００モル％に、ＢａＯ０．２
〜４．０モル％とＭｎＯ０．２〜３．０モル％とＭｇＯ
０．５〜５．０モル％とＢａＺｒＯ3０．５〜４．０モ
ル％とからなる副成分を含有し、上記全成分を１００重
量部としてＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成
分とする酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する
非還元性誘電体磁器組成物である。
積層コンデンサなどの誘電体材料として用いられる、非
還元性誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量
が、０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 とＴｂ2 Ｏ3 ，
Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中の１種類以上
の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）とＣｏ2 Ｏ3 との配合比
が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％とＲｅ2 Ｏ
3 ０．３〜４．０モル％とＣｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モ
ル％との範囲内の主成分１００モル％に、ＢａＯ０．２
〜４．０モル％とＭｎＯ０．２〜３．０モル％とＭｇＯ
０．５〜５．０モル％とＢａＺｒＯ3０．５〜４．０モ
ル％とからなる副成分を含有し、上記全成分を１００重
量部としてＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成
分とする酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する
非還元性誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
成物に関し、特にたとえば、ニッケルなどの卑金属を内
部電極材料とする積層コンデンサなどの誘電体材料とし
て用いられる、非還元性誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢａＴｉＯ3 を主成分とする従来の誘電
体磁器材料は、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成
すると、還元され、半導体化を起こすという性質を有し
ていた。そのため、内部電極材料としては、誘電体磁器
材料の焼結する高温下でも溶融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼成しても酸化
されない、たとえばＰｄ，Ｐｔなどの貴金属を用いなけ
ればならなかった。これは、製造される積層コンデンサ
の低コスト化の大きな妨げとなっていた。
体磁器材料は、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成
すると、還元され、半導体化を起こすという性質を有し
ていた。そのため、内部電極材料としては、誘電体磁器
材料の焼結する高温下でも溶融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼成しても酸化
されない、たとえばＰｄ，Ｐｔなどの貴金属を用いなけ
ればならなかった。これは、製造される積層コンデンサ
の低コスト化の大きな妨げとなっていた。
【０００３】そこで、上述の問題点を解決するために、
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極材料として使用す
ることが望まれていた。しかし、このような卑金属を内
部電極材料として使用して、従来の条件で焼成すると、
電極材料が酸化されてしまい、電極としての機能を果た
さない。そのため、このような卑金属を内部電極の材料
として使用するためには、酸素分圧の低い中性または還
元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コンデ
ンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘電
特性とを有する誘電体磁器材料が望まれていた。これら
の条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば特開昭
６３−１０３８６１号のＢａＴｉＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ
−希土類酸化物系の組成や、特公昭６１−１４６１１号
のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
たとえばＮｉなどの卑金属を内部電極材料として使用す
ることが望まれていた。しかし、このような卑金属を内
部電極材料として使用して、従来の条件で焼成すると、
電極材料が酸化されてしまい、電極としての機能を果た
さない。そのため、このような卑金属を内部電極の材料
として使用するためには、酸素分圧の低い中性または還
元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コンデ
ンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘電
特性とを有する誘電体磁器材料が望まれていた。これら
の条件をみたす誘電体磁器材料として、たとえば特開昭
６３−１０３８６１号のＢａＴｉＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ
−希土類酸化物系の組成や、特公昭６１−１４６１１号
のＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の組成が提案されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−１０３８６１号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、絶縁抵抗および誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）が、主成分であるＢａＴｉＯ3 の粒子径に敏
感に影響を受けるため、安定した特性を得るための制御
が困難であり、実用的であるとは言えなかった。
６３−１０３８６１号に開示されている非還元性誘電体
磁器組成物では、絶縁抵抗および誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）が、主成分であるＢａＴｉＯ3 の粒子径に敏
感に影響を受けるため、安定した特性を得るための制御
が困難であり、実用的であるとは言えなかった。
【０００５】また、特公昭６１−１４６１１号に開示さ
れている組成物は、得られる誘電体磁器の誘電率が２０
００〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用してい
る従来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５
００と比較すると劣っていた。したがって、この組成物
をコストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換
えるのは、コンデンサの小型大容量化という点で不利で
あり、問題が残されていた。
れている組成物は、得られる誘電体磁器の誘電率が２０
００〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用してい
る従来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５
００と比較すると劣っていた。したがって、この組成物
をコストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換
えるのは、コンデンサの小型大容量化という点で不利で
あり、問題が残されていた。
【０００６】さらに、この組成物の誘電率の温度変化率
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であり、いわゆる
ＪＩＳに規格されているＢ特性であるが、＋８５℃を超
える高温では、１０％を大きく超えてしまい、ＥＩＡに
規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてしまうと
いう欠点があった。
（ＴＣＣ）は、２０℃の容量値を基準として、−２５℃
から＋８５℃の温度範囲では±１０％であり、いわゆる
ＪＩＳに規格されているＢ特性であるが、＋８５℃を超
える高温では、１０％を大きく超えてしまい、ＥＩＡに
規定されているＸ７Ｒ特性をも大きくはずれてしまうと
いう欠点があった。
【０００７】また、上記の組成物を始めとして、これま
で提案されてきた非還元性誘電体磁器組成物は、従来の
材料と比較して絶縁抵抗値が低いため、特に誘電体厚み
の薄層化を行う場合に大きな障害となっていた。
で提案されてきた非還元性誘電体磁器組成物は、従来の
材料と比較して絶縁抵抗値が低いため、特に誘電体厚み
の薄層化を行う場合に大きな障害となっていた。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗値が静電容
量値との積（ＣＲ積）で表した場合６０００以上であ
り、さらに容量温度変化率が、２５℃の容量値を基準と
して、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわたって±１５
％の範囲内にあることを満足し、誘電体厚みが１０μｍ
あるいはそれ以下の薄層に対応できる非還元性誘電体磁
器組成物を提供することである。
酸素分圧下であっても、組織が半導体化せず焼成可能で
あり、かつ誘電率が３０００以上、絶縁抵抗値が静電容
量値との積（ＣＲ積）で表した場合６０００以上であ
り、さらに容量温度変化率が、２５℃の容量値を基準と
して、−５５℃〜１２５℃の広い範囲にわたって±１５
％の範囲内にあることを満足し、誘電体厚みが１０μｍ
あるいはそれ以下の薄層に対応できる非還元性誘電体磁
器組成物を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ
０．５〜５．０モル％と、ＢａＺｒＯ3 ０．５〜４．
０モル％とを含有し、さらに上記全成分を１００重量部
として、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分
とする酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、
非還元性誘電体磁器組成物である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、
Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3
０．３〜４．０モル％との範囲内にある主成分１００モ
ル％に対し、副成分として、ＢａＯ ０．２〜４．０モ
ル％と、ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％と、ＭｇＯ
０．５〜５．０モル％と、ＢａＺｒＯ3 ０．５〜４．
０モル％とを含有し、さらに上記全成分を１００重量部
として、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分
とする酸化物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、
非還元性誘電体磁器組成物である。
【００１０】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、絶縁抵抗値が静電容量との積（ＣＲ積）で表
した場合６０００以上であるとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足し、薄層の積層セラミックコンデ
ンサに対応できる。
成物は、中性または還元性の雰囲気において１２６０〜
１３００℃の温度で焼成しても、組織が還元されて半導
体化することがない。さらに、この非還元性誘電体磁器
組成物は、絶縁抵抗値が静電容量との積（ＣＲ積）で表
した場合６０００以上であるとともに、３０００以上の
高誘電率を示し、容量温度変化率もＥＩＡに規定されて
いるＸ７Ｒ特性を満足し、薄層の積層セラミックコンデ
ンサに対応できる。
【００１１】したがって、この発明にかかる非還元性誘
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いる場合、内部電極材料としてＮｉなどで代
表される卑金属材料を用いることができる。そのため、
従来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を
落とすことなく、材料の置き換えが可能となり、大幅な
コストダウンを行うことが可能となる。
電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサの誘電体材
料として用いる場合、内部電極材料としてＮｉなどで代
表される卑金属材料を用いることができる。そのため、
従来のＰｄなどの貴金属を用いたものに比べて、特性を
落とすことなく、材料の置き換えが可能となり、大幅な
コストダウンを行うことが可能となる。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１３】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，希土類
酸化物，Ｃｏ2 Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，Ｂ
ａＺｒＯ3 ，酸化物ガラスを準備した。これらの原料を
表１に示す組成割合となるように秤量して、秤量物を得
た。なお、試料番号１〜３２については、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用
し、試料番号３３については、アルカリ金属酸化物の含
有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番
号３４については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，希土類
酸化物，Ｃｏ2 Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 ，ＭｎＯ，ＭｇＯ，Ｂ
ａＺｒＯ3 ，酸化物ガラスを準備した。これらの原料を
表１に示す組成割合となるように秤量して、秤量物を得
た。なお、試料番号１〜３２については、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用
し、試料番号３３については、アルカリ金属酸化物の含
有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番
号３４については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
【００１４】
【表１】
【００１５】得られた秤量物を分散媒とともに、ＰＳＺ
ボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを得
た。次に、このスラリに有機系バインダ，可塑剤を添加
し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によってシ
ート成形して、セラミックグリーンシートを得た。この
ときのセラミックグリーンシートの厚さは１２μｍであ
った。
ボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを得
た。次に、このスラリに有機系バインダ，可塑剤を添加
し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によってシ
ート成形して、セラミックグリーンシートを得た。この
ときのセラミックグリーンシートの厚さは１２μｍであ
った。
【００１６】次いで、このようにして得られたセラミッ
クグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペース
トを印刷し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシート
を交互に積層したのち、厚み方向に圧着することによっ
て積層体を得た。この積層体から切り出すことによっ
て、セラミック生ユニットを得た。このセラミック生ユ
ニットを、３２０℃で５時間保持の条件で脱バインダを
行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００の還元雰
囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２時間焼成
し、磁器を得た。焼成後のユニットの誘電体素子厚は８
μｍであった。
クグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペース
トを印刷し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシート
を交互に積層したのち、厚み方向に圧着することによっ
て積層体を得た。この積層体から切り出すことによっ
て、セラミック生ユニットを得た。このセラミック生ユ
ニットを、３２０℃で５時間保持の条件で脱バインダを
行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００の還元雰
囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２時間焼成
し、磁器を得た。焼成後のユニットの誘電体素子厚は８
μｍであった。
【００１７】
【表２】
【００１８】得られた磁器の両面に、外部電極用銀ペー
ストを塗布して、焼き付けることによって、銀電極を形
成して積層セラミックコンデンサとした。そして、この
積層セラミックコンデンサの室温における誘電率ε，誘
電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ），容量の温
度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結果を表２にまと
めて示す。
ストを塗布して、焼き付けることによって、銀電極を形
成して積層セラミックコンデンサとした。そして、この
積層セラミックコンデンサの室温における誘電率ε，誘
電損失ｔａｎδ，絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ），容量の温
度変化率（ＴＣＣ）を測定した。その結果を表２にまと
めて示す。
【００１９】なお、誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについ
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧１６Ｖを１２０秒間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、温度変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容
量値を基準とした時の−５５℃，１２５℃における変化
率（ΔＣ-55 ／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃
〜＋１２５℃の間において、容量温度変化率が最大であ
る値の絶対値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜
max ）について示す。
ては、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条
件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５
℃において直流電圧１６Ｖを１２０秒間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、温度変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容
量値を基準とした時の−５５℃，１２５℃における変化
率（ΔＣ-55 ／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃
〜＋１２５℃の間において、容量温度変化率が最大であ
る値の絶対値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜
max ）について示す。
【００２０】表２から明らかなように、この発明にかか
る非還元性誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコ
ンデンサは、薄層であっても優れた特性を示す。
る非還元性誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコ
ンデンサは、薄層であっても優れた特性を示す。
【００２１】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２２】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２３】主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を９
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３３および３４に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号３３および３４に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２４】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２５】ＢａＯ添加量を０．２〜４．０モル％とす
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号９に示すように、雰囲気焼成中に組織が半導体化し、
絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ましくない。ま
た、添加量が４．０モル％を超える場合には、試料番号
１２に示すように、焼結性が低下するので好ましくな
い。
【００２６】また、ＭｎＯ添加量を０．２〜３．０モル
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、
試料番号１７に示すように、組織の耐還元性向上に効果
がなくなり、絶縁抵抗値の著しい低下をまねくので好ま
しくない。また、添加量が３．０モル％を超える場合に
は、試料番号１５に示すように、絶縁抵抗値の低下が生
じるので好ましくない。
【００２７】ＭｇＯ添加量を０．５〜５．０モル％とす
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２２および２３に示すように、静電容量の温度変化率
を示すカーブがシングルピーク化する傾向があり、低温
部で（−）側にはずれ、高温部（キュリー点近傍）で
（＋）側にはずれる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向
上の効果もなくなるので好ましくない。また、添加量が
５．０モル％を超える場合には、試料番号２６に示すよ
うに、誘電率εおよび絶縁抵抗値の低下が生じるので好
ましくない。
るのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、試料番
号２２および２３に示すように、静電容量の温度変化率
を示すカーブがシングルピーク化する傾向があり、低温
部で（−）側にはずれ、高温部（キュリー点近傍）で
（＋）側にはずれる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向
上の効果もなくなるので好ましくない。また、添加量が
５．０モル％を超える場合には、試料番号２６に示すよ
うに、誘電率εおよび絶縁抵抗値の低下が生じるので好
ましくない。
【００２８】ＢａＺｒＯ3 添加量を０．５〜４．０モル
％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、
試料番号３１および３２に示すように、絶縁抵抗値の向
上に効果がなく好ましくない。また、添加量が４．０モ
ル％を超える場合には、試料番号２９に示すように、絶
縁抵抗値の向上にはさらに効果があるものの、高温部
（キュリー点近傍）での容量温度変化率が（−）側には
ずれる傾向があるので好ましくない。
％とするのは、添加量が０．５モル％未満の場合には、
試料番号３１および３２に示すように、絶縁抵抗値の向
上に効果がなく好ましくない。また、添加量が４．０モ
ル％を超える場合には、試料番号２９に示すように、絶
縁抵抗値の向上にはさらに効果があるものの、高温部
（キュリー点近傍）での容量温度変化率が（−）側には
ずれる傾向があるので好ましくない。
【００２９】最後に、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２１に示すように、焼結温度を低下
させる効果、および耐還元性向上の効果がなくなるので
好ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場
合には、試料番号１９に示すように、誘電率εの低下が
生じるので好ましくない。
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を０．５〜
２．５重量％とするのは、添加量が０．５重量％未満の
場合には、試料番号２１に示すように、焼結温度を低下
させる効果、および耐還元性向上の効果がなくなるので
好ましくない。また、添加量が２．５重量％を超える場
合には、試料番号１９に示すように、誘電率εの低下が
生じるので好ましくない。
Claims (1)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ
3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、および Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％ の範囲内にある主成分１００モル％に対し、 副成分として、 ＢａＯ ０．２〜４．０モル％、 ＭｎＯ ０．２〜３．０モル％、 ＭｇＯ ０．５〜５．０モル％、および ＢａＺｒＯ3 ０．５〜４．０モル％ を含有し、さらに上記全成分を１００重量部として、Ｂ
ａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とする酸化
物ガラスを０．５〜２．５重量部含有する、非還元性誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01816193A JP3227859B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| EP93121153A EP0605904B1 (en) | 1993-01-08 | 1993-12-30 | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| DE69304034T DE69304034T2 (de) | 1993-01-08 | 1993-12-30 | Nichtreduzierbare, dielektrische keramische Zusammensetzung |
| SG1996001572A SG50446A1 (en) | 1993-01-08 | 1993-12-30 | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| US08/178,124 US5397753A (en) | 1993-01-08 | 1994-01-06 | Nonreducible dielectric ceramic composition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01816193A JP3227859B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06206765A true JPH06206765A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3227859B2 JP3227859B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=11963890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01816193A Expired - Lifetime JP3227859B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0605904B1 (ja) |
| JP (1) | JP3227859B2 (ja) |
| DE (1) | DE69304034T2 (ja) |
| SG (1) | SG50446A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007145649A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650367A (en) * | 1994-01-28 | 1997-07-22 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic composition |
| EP0684214B1 (en) * | 1994-05-24 | 1998-03-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5453908A (en) * | 1994-09-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by holmium donor doping |
| US5635741A (en) * | 1994-09-30 | 1997-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by erbium donor doping |
| US5646081A (en) * | 1995-04-12 | 1997-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reduced dielectric ceramic compositions |
| US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
| DE19546237A1 (de) * | 1995-12-12 | 1997-06-19 | Philips Patentverwaltung | Vielschichtkondensator mit Dielektrikum aus modifiziertem Bariumstrontiumtitanat |
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| JP3513787B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2004-03-31 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| WO1998054737A2 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ceramic (multilayer) capacitor and a ceramic barium titanate composition comprising dysprosium, calcium, zirconium, manganese and niobium |
| SG65086A1 (en) * | 1997-07-23 | 1999-05-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
| WO1999018587A2 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ceramic multilayer capacitor |
| TW434600B (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition, laminated ceramic capacitor, and method for producing the laminate ceramic capacitor |
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| KR100586961B1 (ko) * | 2004-04-14 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 자기조성물과 초박층 적층세라믹 콘덴서 |
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| TW201245098A (en) * | 2007-09-28 | 2012-11-16 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| KR101973417B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 저온 소성용 유전체 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| TWI766181B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-06-01 | 興勤電子工業股份有限公司 | 陶瓷組成物用於熱敏電阻之用途、陶瓷燒結體用於熱敏電阻之用途、熱敏電阻及其製法 |
| CN112408975B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-11-04 | 兴勤电子工业股份有限公司 | 陶瓷组成物、陶瓷烧结体、叠层型陶瓷电子元件及其制法 |
| CN112759384B (zh) * | 2019-11-06 | 2022-09-30 | 兴勤电子工业股份有限公司 | 陶瓷组成物用于热敏电阻器的用途、陶瓷烧结体用于热敏电阻器的用途及热敏电阻器 |
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1993
- 1993-01-08 JP JP01816193A patent/JP3227859B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-30 SG SG1996001572A patent/SG50446A1/en unknown
- 1993-12-30 EP EP93121153A patent/EP0605904B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-30 DE DE69304034T patent/DE69304034T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-06 US US08/178,124 patent/US5397753A/en not_active Expired - Lifetime
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