JPH06206766A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH06206766A JPH06206766A JP5018162A JP1816293A JPH06206766A JP H06206766 A JPH06206766 A JP H06206766A JP 5018162 A JP5018162 A JP 5018162A JP 1816293 A JP1816293 A JP 1816293A JP H06206766 A JPH06206766 A JP H06206766A
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- dielectric ceramic
- batio
- dielectric
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高誘電率を有し、容量の温度変化率が小さ
く、さらに１０μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相
の存在しない組織の均一な誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の
含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2
Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選
ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）
と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜
９９．４モル％と、Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％
と、Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％との範囲内にある
主成分１００モル％に対し、副成分として、ＭｇＯ０．
２〜５．０モル％と、ＭｎＯ０．０５〜１．０モル％と
を含有する、誘電体磁器組成物である。
く、さらに１０μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相
の存在しない組織の均一な誘電体磁器組成物を提供す
る。 【構成】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の
含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2
Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 の中から選
ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）
と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜
９９．４モル％と、Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％
と、Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％との範囲内にある
主成分１００モル％に対し、副成分として、ＭｇＯ０．
２〜５．０モル％と、ＭｎＯ０．０５〜１．０モル％と
を含有する、誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は誘電体磁器組成物に関
し、特にたとえば、薄膜対応の積層コンデンサなどの誘
電体材料として用いられる、誘電体磁器組成物に関す
る。
し、特にたとえば、薄膜対応の積層コンデンサなどの誘
電体材料として用いられる、誘電体磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層コンデンサは、表面に内部
電極ペーストが塗布されたシート状のＢａＴｉＯ3 を主
成分とする誘電体を複数枚積層するとともに、各シート
の内部電極を交互に並列に一対の外部接続用電極に接続
し、これを焼結して一体化することによって形成され
る。近年のエレクトロニクスの進展に伴って、電子部品
の急速な小型化が進行し、このような積層コンデンサ
は、広範囲の電子回路に使用されるようになってきてい
る。
電極ペーストが塗布されたシート状のＢａＴｉＯ3 を主
成分とする誘電体を複数枚積層するとともに、各シート
の内部電極を交互に並列に一対の外部接続用電極に接続
し、これを焼結して一体化することによって形成され
る。近年のエレクトロニクスの進展に伴って、電子部品
の急速な小型化が進行し、このような積層コンデンサ
は、広範囲の電子回路に使用されるようになってきてい
る。
【０００３】一方、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体
磁器組成物として、従来よりさまざまな種類の組成が提
案されてきた。それらの中で、容量の温度変化率が小さ
く、かつ高誘電率を有する誘電体磁器組成物として、特
開昭６１−２７５１６４号などに開示されているＢａＴ
ｉＯ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｃｏ2 Ｏ3 系組成物が最も一般的
であり、広範な積層コンデンサの基本的な組成として使
用されている。これらの誘電体磁器組成物では、ＢａＴ
ｉＯ3 にＮｂ2 Ｏ5 およびＣｏ2 Ｏ3 が部分的に拡散し
た構造からなっており、純粋なＢａＴｉＯ3 のキュリー
点を有する組成部分と、室温あるいは室温以下にキュリ
ー点を有する組成部分とが、主としてセラミックス各結
晶粒の中心部と周辺部とに存在している複合体によっ
て、容量の温度変化の平坦性が得られている。
磁器組成物として、従来よりさまざまな種類の組成が提
案されてきた。それらの中で、容量の温度変化率が小さ
く、かつ高誘電率を有する誘電体磁器組成物として、特
開昭６１−２７５１６４号などに開示されているＢａＴ
ｉＯ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −Ｃｏ2 Ｏ3 系組成物が最も一般的
であり、広範な積層コンデンサの基本的な組成として使
用されている。これらの誘電体磁器組成物では、ＢａＴ
ｉＯ3 にＮｂ2 Ｏ5 およびＣｏ2 Ｏ3 が部分的に拡散し
た構造からなっており、純粋なＢａＴｉＯ3 のキュリー
点を有する組成部分と、室温あるいは室温以下にキュリ
ー点を有する組成部分とが、主としてセラミックス各結
晶粒の中心部と周辺部とに存在している複合体によっ
て、容量の温度変化の平坦性が得られている。
【０００４】上述のように、ＢａＴｉＯ3 にＮｂ2 Ｏ5
およびＣｏ2 Ｏ3 が部分的に拡散した構造からなる誘電
体を主成分とする誘電体磁器組成物は、容量の温度変化
率が小さいにもかかわらず、３５００〜４０００の高誘
電率を示すため、小型大容量用途の積層コンデンサ材料
として広く用いられている。
およびＣｏ2 Ｏ3 が部分的に拡散した構造からなる誘電
体を主成分とする誘電体磁器組成物は、容量の温度変化
率が小さいにもかかわらず、３５００〜４０００の高誘
電率を示すため、小型大容量用途の積層コンデンサ材料
として広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の誘電体磁器組成物では、ＢａＴｉＯ3 のＴｉサイトに
固溶しやすいＮｂおよびＣｏが部分的にＢａＴｉＯ3 に
固溶されるため、焼成時に掃き出されたＴｉがＢａＴｉ
Ｏ3 との間で低融点のＴｉリッチな相、たとえばＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 相，Ｂａ4 Ｔｉ13Ｏ30相，Ｂａ6 Ｔｉ17Ｏ40相
などで代表されるいわゆる二次相を生成しやすいという
性質があった。これらの二次相は低誘電率であるため、
容量値の低下が問題となっていた。さらに、これらのＴ
ｉリッチな二次相は針状結晶に成長しやすく、積層コン
デンサの小型大容量化のために素子厚を薄層化すると、
時として針状結晶が素子厚を越え電極間にわたって存在
する場合があり、高温における信頼性の点で大きな問題
となっていた。したがって、これらの従来の誘電体磁器
組成物は、高誘電率を有する組成系ではあるものの、小
型大容量化のための薄層化には限界があった。
の誘電体磁器組成物では、ＢａＴｉＯ3 のＴｉサイトに
固溶しやすいＮｂおよびＣｏが部分的にＢａＴｉＯ3 に
固溶されるため、焼成時に掃き出されたＴｉがＢａＴｉ
Ｏ3 との間で低融点のＴｉリッチな相、たとえばＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 相，Ｂａ4 Ｔｉ13Ｏ30相，Ｂａ6 Ｔｉ17Ｏ40相
などで代表されるいわゆる二次相を生成しやすいという
性質があった。これらの二次相は低誘電率であるため、
容量値の低下が問題となっていた。さらに、これらのＴ
ｉリッチな二次相は針状結晶に成長しやすく、積層コン
デンサの小型大容量化のために素子厚を薄層化すると、
時として針状結晶が素子厚を越え電極間にわたって存在
する場合があり、高温における信頼性の点で大きな問題
となっていた。したがって、これらの従来の誘電体磁器
組成物は、高誘電率を有する組成系ではあるものの、小
型大容量化のための薄層化には限界があった。
【０００６】また、この現象は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｂ2
Ｏ5 −Ｃｏ2 Ｏ3 系組成物のみならず、ＢａＴｉＯ3 −
Ｎｂ2 Ｏ5 −ＭｎＯ系組成物などのＮｂ2 Ｏ5 を含むＢ
ａＴｉＯ3 系組成物一般にあてはまる問題点であった。
Ｏ5 −Ｃｏ2 Ｏ3 系組成物のみならず、ＢａＴｉＯ3 −
Ｎｂ2 Ｏ5 −ＭｎＯ系組成物などのＮｂ2 Ｏ5 を含むＢ
ａＴｉＯ3 系組成物一般にあてはまる問題点であった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、高
誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに１０
μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相の存在しない組
織の均一な誘電体磁器組成物を提供することである。
誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに１０
μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相の存在しない組
織の均一な誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、Ｒ
ｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜
４．０モル％との範囲内にある主成分１００モル％に対
し、副成分として、ＭｇＯ０．２〜５．０モル％と、Ｍ
ｎＯ０．０５〜１．０モル％とを含有する、誘電体磁器
組成物である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量
％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈ
ｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種
類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配
合比が、ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％と、Ｒ
ｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％と、Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜
４．０モル％との範囲内にある主成分１００モル％に対
し、副成分として、ＭｇＯ０．２〜５．０モル％と、Ｍ
ｎＯ０．０５〜１．０モル％とを含有する、誘電体磁器
組成物である。
【０００９】さらに、副成分として、ＳｉＯ2 を３．０
モル％以下含有させてもよい。
モル％以下含有させてもよい。
【００１０】さらに、上記全成分を１００重量部とし
て、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とす
る酸化物ガラスを２．５重量部以下含有させてもよい。
て、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とす
る酸化物ガラスを２．５重量部以下含有させてもよい。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、ＢａＴｉＯ3 ，希土
類酸化物およびＣｏ2 Ｏ3 を主成分とする誘電体材料に
ＭｇＯ，ＭｎＯを添加することによって、３５００以上
の高誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに
１０μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相が存在せ
ず、組織が均一で、高温における信頼性に優れた誘電体
磁器組成物を得ることができる。さらに、ＳｉＯ2 ある
いは酸化物ガラスを添加することによって、焼成温度の
低下および焼成コストの低減が可能である。
類酸化物およびＣｏ2 Ｏ3 を主成分とする誘電体材料に
ＭｇＯ，ＭｎＯを添加することによって、３５００以上
の高誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに
１０μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相が存在せ
ず、組織が均一で、高温における信頼性に優れた誘電体
磁器組成物を得ることができる。さらに、ＳｉＯ2 ある
いは酸化物ガラスを添加することによって、焼成温度の
低下および焼成コストの低減が可能である。
【００１２】したがって、この誘電体磁器組成物を、た
とえば積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用
いれば、従来の組成系では不可能であった薄層化への展
開が可能となり、積層セラミックコンデンサのこれまで
以上の小型大容量化を容易に達成することが可能とな
る。
とえば積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用
いれば、従来の組成系では不可能であった薄層化への展
開が可能となり、積層セラミックコンデンサのこれまで
以上の小型大容量化を容易に達成することが可能とな
る。
【００１３】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１４】
【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアル
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，希土類
酸化物，Ｃｏ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，酸化
物ガラスを準備した。これらの原料を表１に示す組成割
合となるように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番
号１〜２１については、アルカリ金属酸化物の含有量が
０．０３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２２
については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重
量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２３について
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢ
ａＴｉＯ3 を使用した。
カリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，希土類
酸化物，Ｃｏ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，酸化
物ガラスを準備した。これらの原料を表１に示す組成割
合となるように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番
号１〜２１については、アルカリ金属酸化物の含有量が
０．０３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２２
については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重
量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２３について
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢ
ａＴｉＯ3 を使用した。
【００１５】
【表１】
【００１６】得られた秤量物を分散媒とともに、ＰＳＺ
ボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを得
た。次に、この原料スラリに有機系バインダ，可塑剤を
添加し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によっ
てシート成形して、セラミックグリーンシートを得た。
このときのセラミックグリーンシートの厚さは１２μｍ
であった。
ボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを得
た。次に、この原料スラリに有機系バインダ，可塑剤を
添加し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によっ
てシート成形して、セラミックグリーンシートを得た。
このときのセラミックグリーンシートの厚さは１２μｍ
であった。
【００１７】次いで、このようにして得られたセラミッ
クグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペース
トを印刷し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシート
を積層したのち、厚み方向に圧着することによって積層
体を得た。この積層体に３２０℃で５時間保持の条件で
脱バインダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１
００の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度
で２時間焼成し、磁器を得た。焼成後のユニットの誘電
体素子厚は８μｍであった。
クグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペース
トを印刷し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシート
を積層したのち、厚み方向に圧着することによって積層
体を得た。この積層体に３２０℃で５時間保持の条件で
脱バインダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１
００の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度
で２時間焼成し、磁器を得た。焼成後のユニットの誘電
体素子厚は８μｍであった。
【００１８】
【表２】
【００１９】得られた磁器に、銀ペーストを塗布して、
焼き付けることによって、銀電極を形成して積層セラミ
ックコンデンサとした。そして、この積層セラミックコ
ンデンサの室温における容量値，誘電損失ｔａｎδ，絶
縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ），容量の温度変化率（ＴＣＣ）
および超加速ライフ試験におけるＭＴＴＦ（ｍｅａｎｔ
ｉｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）を測定した。その結果
を表２にまとめて示す。なお、容量値は誘電率εに換算
して示す。
焼き付けることによって、銀電極を形成して積層セラミ
ックコンデンサとした。そして、この積層セラミックコ
ンデンサの室温における容量値，誘電損失ｔａｎδ，絶
縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ），容量の温度変化率（ＴＣＣ）
および超加速ライフ試験におけるＭＴＴＦ（ｍｅａｎｔ
ｉｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）を測定した。その結果
を表２にまとめて示す。なお、容量値は誘電率εに換算
して示す。
【００２０】誘電率ε，誘電損失ｔａｎδについては、
温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条件で測
定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５℃にお
いて直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測定し、その
結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。さらに、温
度変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準
とした時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ
-55 ／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２
５℃の間において、容量温度変化率が最大である値の絶
対値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につ
いて示す。また、ＭＴＴＦについては、試料数ｎ＝１８
個について、１５０℃で電界強度を１６．０（ｋＶ／ｍ
ｍ）印加したときの絶縁破壊に至るまでの時間からワイ
ブルプロットによって算出している。
温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、交流電圧１Ｖの条件で測
定した。また、絶縁抵抗値については、温度２５℃にお
いて直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測定し、その
結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。さらに、温
度変化率（ＴＣＣ）については、２５℃の容量値を基準
とした時の−５５℃，１２５℃における変化率（ΔＣ
-55 ／Ｃ25，ΔＣ+125／Ｃ25）および−５５℃〜＋１２
５℃の間において、容量温度変化率が最大である値の絶
対値、いわゆる最大変化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max ）につ
いて示す。また、ＭＴＴＦについては、試料数ｎ＝１８
個について、１５０℃で電界強度を１６．０（ｋＶ／ｍ
ｍ）印加したときの絶縁破壊に至るまでの時間からワイ
ブルプロットによって算出している。
【００２１】表２から明らかなように、この発明にかか
る誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサ
は、薄層であっても優れた特性を示し、高温における信
頼性に優れている。
る誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサ
は、薄層であっても優れた特性を示し、高温における信
頼性に優れている。
【００２２】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。
【００２３】まず、主成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２４】主成分であるＢａＴｉＯ3 の構成比率を９
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号２２および２３に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
２．０〜９９．４モル％とするのは、構成比率が９２．
０モル％未満の場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3
の構成比率が多くなるため、試料番号４に示すように、
絶縁抵抗値および誘電率の低下が生じ好ましくない。ま
た、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９９．４モル％を超える
場合には、希土類元素およびＣｏ2 Ｏ3 の添加の効果が
なく、試料番号３に示すように、高温部（キュリー点付
近）の容量温度変化率が大きく（＋）側にはずれ好まし
くない。さらに、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属酸化物
含有量を０．０４％以下とするのは、０．０４％を超え
ると、試料番号２２および２３に示すように、誘電率の
低下が生じ、実用的でなくなり好ましくない。
【００２５】次に、副成分の範囲の限定理由について説
明する。
明する。
【００２６】ＭｇＯ添加量を０．２〜５．０モル％とす
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号１７に示すように、薄層化した場合に、容量温度変化
率を示すカーブがシングルピーク化する傾向があり、低
温部で（−）側にはずれ、高温部（キュリー点近傍）で
（＋）側にはずれる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向
上の効果もなくなるので好ましくない。また、添加量が
５．０モル％を超える場合には、試料番号１５に示すよ
うに、誘電率および絶縁抵抗値の低下が生じるので好ま
しくない。
るのは、添加量が０．２モル％未満の場合には、試料番
号１７に示すように、薄層化した場合に、容量温度変化
率を示すカーブがシングルピーク化する傾向があり、低
温部で（−）側にはずれ、高温部（キュリー点近傍）で
（＋）側にはずれる傾向があるとともに、絶縁抵抗値向
上の効果もなくなるので好ましくない。また、添加量が
５．０モル％を超える場合には、試料番号１５に示すよ
うに、誘電率および絶縁抵抗値の低下が生じるので好ま
しくない。
【００２７】ＭｎＯ添加量を０．０５〜１．０モル％と
するのは、添加量が０．０５モル％未満の場合には、試
料番号９に示すように、絶縁抵抗値の低下、誘電損失の
増大およびＭＴＴＦ値の低下が生じるので好ましくな
い。また、添加量が１．０モル％を超える場合には、試
料番号１２に示すように、絶縁抵抗値の低下およびＭＴ
ＴＦ値の低下が生じるので好ましくない。
するのは、添加量が０．０５モル％未満の場合には、試
料番号９に示すように、絶縁抵抗値の低下、誘電損失の
増大およびＭＴＴＦ値の低下が生じるので好ましくな
い。また、添加量が１．０モル％を超える場合には、試
料番号１２に示すように、絶縁抵抗値の低下およびＭＴ
ＴＦ値の低下が生じるので好ましくない。
【００２８】ＳｉＯ2 添加量を３．０モル％以下とする
のは、添加量が３．０モル％を超える場合には、試料番
号２１に示すように、誘電率の低下が生じ好ましくな
い。
のは、添加量が３．０モル％を超える場合には、試料番
号２１に示すように、誘電率の低下が生じ好ましくな
い。
【００２９】最後に、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を２．５重量
部以下とするのは、添加量が２．５重量部を超える場合
には、試料番号１９に示すように、ＳｉＯ2 の場合と同
様に、誘電率の低下が生じるので好ましくない。
Ｏ2 を主成分とする酸化物ガラスの添加量を２．５重量
部以下とするのは、添加量が２．５重量部を超える場合
には、試料番号１９に示すように、ＳｉＯ2 の場合と同
様に、誘電率の低下が生じるので好ましくない。
Claims (3)
- 【請求項１】 不純物として含まれるアルカリ金属酸化
物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ
3 ）と、Ｃｏ2 Ｏ3 との配合比が、 ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、および Ｃｏ2 Ｏ3 ０．３〜４．０モル％ の範囲内にある主成分１００モル％に対し、 副成分として、 ＭｇＯ ０．２〜５．０モル％、および ＭｎＯ ０．０５〜１．０モル％ を含有する、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 さらに副成分として、ＳｉＯ2 を３．０
モル％以下含有する、請求項１の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 さらに上記全成分を１００重量部とし
て、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 を主成分とす
る酸化物ガラスを２．５重量部以下含有する、請求項１
の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01816293A JP3259394B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01816293A JP3259394B2 (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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