DE3210083A1 - Bariumtitanat-system-halbleiterkeramik - Google Patents
Bariumtitanat-system-halbleiterkeramikInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramiken
und insbesondere Halbleiter-, .keramiken eines Bariumtitanat-Systems mit einer positiven
Temperatur-Charakteristik des Widerstandes, die eine hohe Durchbruchsspannung und eine ausgezeichnete
Beständigkeit gegenüber Einschaltspannungsspitzen aufweisen.
Halbleiterkeramiken eines Bariumtitanat-Systems besitzen eine Zusammensetzung derart, daß sie einen im wesentlichen
aus Bariumtitanat bestehenden Hauptbestandteil enthalten sowie eine kleinere Menge eines oder
mehrerer Halbleitereigenschaften erzeugender Mittel ausgewählt aus der Gruppe Nb, Bi, Sb, W, Th und Seltenerdelemente
wie Y, La und Ce. Diese Halbleiterkeramiken besitzen bei gewöhnlicher Temperatur einen niedrigen
spezifischen Widerstand und eine sprunghafte positive Änderung des Widerstandes in einem engen Temperaturbereich,
oder einen Curie-Punkt.
Der Curie-Punkt der Bariumtitanat-Halbleiterkeramiken
hängt von ihrem Hauptbestandteil .ab und beträgt normalerweise etwa 1200C. Der Curie-Punkt kanri jedoch dadurch
zu einer höheren oder niedrigeren Temperatur hin verschoben werden, daß ein Teil des Ba oder Ti durch
ein geeignetes Element ersetzt wird. Beispielsweise kann der Curie-Punkt dadurch zu einer höheren Temperatur
hin verschoben werden, daß ein Teil des Ba durch Pb ersetzt wird. Er kann auch zu einer niedrigeren Temperatur
hin verschoben werden, indem ein Teil des Ba
durch Sr oder ein Teil des Ti durch Zr oder Sn ersetzt wird.
·:· ··" "··"· '" ' 3210Ö83
Es ist bekannt, daß der Zusatz von Mn in einer Menge von 0,03 bis 0,15 Mol-% eine Erhöhung des Ausmaßes der
Widerstandsänderung bei Temperaturen über dem Curie-Punkt ermöglicht. Es ist auch bekannt, daß der Zusatz
von SiO2 in einer Menge von 0,5 bis 5 Mol-% eine Verminderung
des spezifischen Widerstandes bei gewöhnlicher Temperatur ermöglicht. Derart modifizierte HaIbleiterkeramiken
können als Materialien für Widerstände mit positivem Temperaturkoeffizienten verwendet werden,
die beispielsweise als thermostatische Heizelemente, Strom-Steuerelemente, thermische Regler und dergleichen
einsetzbar sind. Wenn jedoch die mit Blei modifizierte Bariumtitanat-Halbleiterkeramik als Strom-Steuerelement
für die Inbetriebnahme von Motoren verwendet wird, tritt eine hohe Einschaltspannungsspitze auf, und der
Anlaßstrom fließt über einen langen Zeitraum, so daß
das Element einen schichtförmigen Bruch erleidet. Man kann diesem Problem in der Weise beikommen, daß man
einen Teil des Bariums durch Blei und Calcium ersetzt . · und Siliciumdioxid und Mangan in die Grundmasse einarbeitet.
Derartige Halbleiterkeramiken können als Materialien für Strom-Steuerelemente zum Anlassen von Motoren
verwendet we'rden, eignen sich jedoch nicht für andere Zwecke.
5 Es wurde vorgeschlagen, Bariumtitanat-Halbleiterkeramiken in der Weise zu modifizieren, daß ein Teil des Bariums
durch Calcium oder durch Calcium und Strontium ersetzt und Mn und SiO2 eingearbeitet wird. Diese •Halbleiterkeramiken
besitzen einen niedrigen spezifischen Widerstand von weniger als lOSi.cm und eine dielektrische
Durchbruchsspannung von maximal 48 V/mm. Diese Durchbruchsspannung ist jedoch zu niedrig, um diese
Halbleitcrkeramiken praktisch einsetzen zu können, und
außerdem weisen diese Halbleiterkeramiken eine schlechte
Beständigkeit gegenüber Einschaltstromspitzen auf, wenn sie den Einschaltspannungsspitzen einer Wechselspannung
ausgesetzt werden.
Ebenfalls vorgeschlagen wurden Halbleiterkeramiken, die
hervorragende Charakteristiken hinsichtlich der Durchbruchsspannung und der Hochtemperaturbelastung besitzen.
Solche Halbleiterkeramiken können dadurch erhalten werden, daß ein Teil des Bariums .durch Blei und Strontium
ersetzt und Mn und SiO„ eingearbeitet wird, aber es ist unmöglich, dadurch Halbleiterkeramiken mit ausgezeichneter
Beständigkeit gegen Einschaltspannungsspitzen zu erzeugen.
Nunmehr wurde gefunden, daß der gemeinsame Zusatz von
Pb, Sr und Ca zu der Bariumtitanat-Halbleiterkeramik-■Masse die Herstellung solcher Halbleiterkeramiken ermöglicht, die für verschiedene Zwecke verwendet werden können, wie beispielsweise als Elemente zum Anlassen von Motoren, Entmagnetisierungs-Schaltelemente, thermostatische Heizelemente und dergleichen.
Pb, Sr und Ca zu der Bariumtitanat-Halbleiterkeramik-■Masse die Herstellung solcher Halbleiterkeramiken ermöglicht, die für verschiedene Zwecke verwendet werden können, wie beispielsweise als Elemente zum Anlassen von Motoren, Entmagnetisierungs-Schaltelemente, thermostatische Heizelemente und dergleichen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind verbess'serte
Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramiken, die verschiedene Anwendungen besitzen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind außerdem
verbesserte Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramiken mit positiver Temperaturcharakteristik des Widerstandes, hoher Stehstoßspannung und ausgezeichneter Beständigkeit gegen Einschaltspannungsspitzen.
verbesserte Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramiken mit positiver Temperaturcharakteristik des Widerstandes, hoher Stehstoßspannung und ausgezeichneter Beständigkeit gegen Einschaltspannungsspitzen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramik
verfügbar gemacht,'die im wesentlichen aus einem Hauptbestandteil besteht, der
eine kleine Menge eines oder mehrerer Halbleitereigenschäften erzeugenden Mittels, Manganoxide und Siliciumdioxid
eingearbeitet enthält, und dadurch gekennzeichnet ist, daß der Hauptbestandteil im wesentlichen aus
30 bis 95 Mol-% BaTiO3, 3 bis 25 Mol-% CaTiO3., 1 bis
30 Mol-% SrTiO3 und 1 bis 50 Mol-% PbTiO3 besteht. Manganoxide
und Siliciumdioxid sind als Zusatzstoffe in den Hauptbestandteil eingearbeitet. Bezogen aiaft 1 mol
des Hauptbestandteils beträgt der Gehalt an Manganoxiden 0,03 bis 0,15 Mol-%, berechnet als Mn, und an Siliciumdioxid
0,5 bis 5 Mol-%, berechnet als SiO-.
Wie aus Vorstehendem zu ersehen ist, besteht der Hauptbestandteil
im wesentlichen aus BaTiO3,'CaTiO3, SrTiO3
und PbTiO-. Mit anderen Worten ist ein Teil des Bariums in dem Bariumtitanat durch Ca, Sr und Pb ersetzt. Es
ist bekannt, daß der alleinige Zusatz von Pb zu dem · Bariumtitanat zu einer Verschiebung des Curie-Punkts
des letzteren zu einer höheren Temperatur hin beiträgt und daß der alleinige Zusatz von Sr zu dem Bariumtitanat
zu einer Verschiebung des Curie-Punkts des letzteren zu einer niedrigeren Temperatur hin beiträgt. Es
wurde nunmehr gefunden, daß der gemeinsame Zusatz von Pb, Sr und Ca zu der im wesentlichen aus Bariumtitanat
und einem oder mehreren Halbleitereigenschaften erzeugenden Mitteln bestehenden Halbleiterkeramik-Masse dazu
beiträgt, die Durchbruchsspannung und die Widerstandsfähigkeit gegen Einschaltspannungsspitzen zu erhöhen.
Darüber hinaus zeitigt die Einarbeitung von Pb, Sr und Ca auch die Wirkung, daß die Sintertemperatur im. Vergleich
zu der üblichen Sintertemperatur der Bariumtitanat-Kerami.k um 5O0C gesenkt werden kann.
β- * ■*
Die Gründe dafür/ daß die Zusammensetzung des Hauptbestandteils wie oben angegeben definiert wurde, sind
. ■folgende:
Wenn der Gehalt an BaTiO, weniger als 30 .Mol-% beträgt,
ergeben sich Schwierigkeiten dabei, die Keramik halbleitend zu machen, und eine Erhöhung des spezifischen
Widerstandes is.t die Folge. Wenn der Gehalt an BaT.iO.,
mehr als 95 Mol-% beträgt, tritt eine beträchtliche Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften ein.
Wenn der Gehalt an CaTiO3 weniger als 2 Mol-r% beträgt,
verursacht er keine Wirkung. Wenn er mehr als 25 Mol-% beträgt, ist eine Erniedrigung der Durchbruchsspannung
und der Beständigkeit gegen Exnschaltspannungsspitzen die Folge.
Wenn der Gehalt an SrTiO- weniger als 1 Mol-% beträgt,
verursacht er keine. Wirkung, und wenn er mehr als 30 Mol-% beträgt, tritt eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften ein.
. Wenn der Gehalt an PbTiO- weniger als 1 Mol-% beträgt,
bewirkt er keine Verbesserung der Eigenschaften, und die erzeugte Keramik kann nicht zum praktischen Einsatz gelangen. Ein über 50 Mol-% hinausgehender Gehalt an PbTiO3 bedingt Schwierigkeiten dabei, die Keramik halbleitend zu machen.
bewirkt er keine Verbesserung der Eigenschaften, und die erzeugte Keramik kann nicht zum praktischen Einsatz gelangen. Ein über 50 Mol-% hinausgehender Gehalt an PbTiO3 bedingt Schwierigkeiten dabei, die Keramik halbleitend zu machen.
Als Halbleitereigenschaften erzeugendes Mittel kann ■ mindestens ein Element aus der Gruppe Seltenerdelemente,
Nb, Bi, Sb, W und Th verwendet werden. Als Seltenerdelemente in Betracht kommen Y, La und Ce, jedoch
« t* V*.
nicht, nur diese. Eines oder mehrere dieser Halbleitereigenschaften
verleihenden Mittel können in die Zusammensetzung in einer Menge von 0,2 bis 1,0 Mol-% eingearbeitet
werden. Ein Zusatz außerhalb dieses Bereichs hat eine Erhöhung des spezifischen Widerstandes ■ zur
Folge. ·
.Gemäß der vorliegenden Erfindung werden weiterhin.Manganoxide
in die Bariumtitanat-Halbleiterkeramik-Zusammensetzung
eingearbeitet. Die Menge der Manganoxide 10· . beträgt 0,03 bis 0,15 Mol-%, berechnet als Mn und bezogen
auf den Hauptbestandteil. Die Einarbeitung von Manganoxiden ermöglicht eine beträchtliche Erhöhung des
Ausmaßes der Widerstandsänderung mit der Temperatur in dem Bereich der positiven Widerstands-Temperatur-Cha-.15
rakteristik oberhalb des Curie-Punktes. Der Mangan-Gehalt ist aus den Gründen auf den Bereich von 0,03 bis
0,15 Mol-% begrenzt, weil ein Gehalt von weniger als 0,03 Mol-% nicht zu einer Verbesserung der Temperatur-Gharakteristik
beiträgt und ein Gehalt von mehr als 0,15 Mol-% eine beträchtliche Erhöhung des spezifischen
Widerstandes zur Folge hat.
Die Keramik gemäß der vorliegenden Erfindung enthält weiterhin Siliciumdioxid in einer Menge von 0,5 bis
5 Mol-%, berechnet als SiO~. Der Zusatz des Siliciumdioxids
trägt dazu bei, die Änderung des spezifischen Widerstandes zu regulieren, die auf der Veränderung der
zugesetzten Menge des halbleitend mächenden Mittels beruht, und ermöglicht die Herstellung von Halbleiterkoramiken
mit niedrigem spezifischen Widerstand bei gewöhnlichen Temperaturen. Ein Zusatz von Siliciumdioxid
in Mengen außerhalb des angegebenen Bereichs macht die Erzielung dieser Wirkungen unmöglich.
·· 9 —
Die Halbleiterkeramiken gemäß der vorliegenden Erfindung
besitzen- hohe Curie-Punkte und sind hervorragend in bezug auf ihre Durchbruchsspannungs-Charakteristik
und die Beständigkeit gegenüber Einschaltspannungsspitzen, so daß es möglich ist, sie als Stromregler, thermische
Regler, thermostatische Heizelemente und dergleichen
zu verwenden.
Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind den folgenden Erläuterungen anhand der
Beispiele in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung zu entnehmen.
Beispiele in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung zu entnehmen.
Fig. 1 ist ein Diagramm, das die Widerstands-Temperatur-Charakteristik
von Halbleiterkeramiken eines Bariumtitanat-Systems gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. ■ .
zeigt. ■ .
Hergestellt wurden BaCO-, CaCO3, SrCO3, Pb3O4 und
als Rohstoffe für den Hauptbestandteil sowie Y<0^,
La3O3, CeO_ und Nd2O3, MnCO3 und SiO . Diese Rohstoffe
wurden in solchen Mengen eingewogen, daß Zusammensetzungen mit den jeweils in Tabelle 1 angegebenen Mengenverhältnissen
erhalten wurden; anschließend wurden sie • im Naßverfahren miteinander vermischt, entwässert, getrocknet
und 1 h bei 11500C gebrannt. Der Klinker" wurde gebrochen, vermählen und pulverisiert und dann unter
einem Druck von 981 bar (1000 kg/cm2) zu Scheiben geformt. Die Scheiben wurden 1,5 h bei 128O0C gebrannt,
wonach Halbleiterkeramik-Scheiben mit einem Durchmesser • von 17,5 mm und einer Dicke von 2,5 mm erhalten wurden.
Die auf diese Weise hergestellten Halbleiter-Keramiken wurden auf beiden Oberflächen mit Elektroden aus einer
In-Ga-Legierung versehen.
An den auf diese Weise erhaltenen Proben wurden Messungen des Widerstandes bei gewöhnlicher Temperatur
(250C), der Durchbruchsspannung, des Curie-Punkts und dor Beständigkeit gegenüber Spannungsspitzen beim Einschalten
durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.
Bei der Probe Nr. 24 war eine Messung der betreffenden Eigenschaften unmöglich, da die Scheiben während der
Stufe des Brennens teilweise geschmolzen und infolgedessen zusammengeklebt waren.
In Tabelle 2 wird als Durchbruchsspannung diejenige maximale Spannung angegeben, die an die Probe angelegt
werden konnte, bevor ein Durchbruch stattfand, wobei die angelegte momentane Spannung Schritt für Schritt
erhöht wurde. Die Beständigkeit gegenüber Einschaltspannungsspitzeh
wird durch diejenige maximale Spannung· 20. bezeichnet, die an die Probe angelegt wurde, bevor diese
beim Anlegen einer momentanen Einschalt-Wechselspannungsspitze zu Bruch ging.
In den Tabellen 1 und 2 sind die mit einem Sternchen * gekennzeichneten Proben solche, deren Zusammensetzung
außerhalb des Rahmens der vorliegenden Erfindung liegen; die anderen Proben fallen in den Rahmen der
vorliegenden Erfindung.
- Ii - ■
Probe Hauptbestandteil (Mol-%) Halblei- Zusatzstoff
terbild. (Mol-%)
Nr. BaTiO3 CaTiO3 SrTiO3 PbTiO3 Mittel. Mn
(Mol-%)
1* | 100 | 0 | 0 | 0 | ' Y2O3:0,4 | 0,05 | 2 |
'. 2* | 85 | 15 | 0 | 0 | Il | Il | ' Il |
3* | 92 | 0 | 8 | 0 | Il | Il | Il |
.4* | 95 | 0 | 0 | 5 | Il | Il | Il |
5* | 87 | 0 | 8 | 5 | Il | Il | Il |
6* | 85 | 2 | 8 | 5 | Il | Il | Il |
7 | 82 | • 5 | 8 | 5 | Il | Il | • Ii |
8 | 77. | 10 | 8 | 5 | Il ■ | Il | Il |
9 | 67 | 20 | 8 | 5 | Il | Il | Il |
10* | 57 | 30 | 8 | 5 | ' Il | Il | Il |
11* | 80 | 15 | 0 | 5 | Il | Il | Il |
12 | 78 | 15 | 2 | 5 | Il | Il | Il |
13 | 65 | 15 | 15 | 5 | Il | Il | |
14 | 55 | 15 | 25 | 5 | Il | Il | Il |
15* | 45 | 15 | 35 | 5 | Il | Il | Il |
16* | 77 | 15 | 8 | 0 | Il | Il | Il |
17 | 75 ' | 15 | 8 | 2 | . ir | Il | Il |
18 | 52 | 15 | 8 | 25 | Il | Il | Il |
19 | 32 | 15 | 8 | 45 · | Il | - Il | Il |
20* | 27 · | 20 | 25 | 28 | Il | Il | Il |
21* | ■ 17 | 15 | 8 | 60 | Il | Il | Il |
22 | 72 | 15 | 8 | 5 | Il | Il | Il |
23* | 72 | 15 | 8 | 5 | Il | Il | 0,2 |
24* | 72 | 15 | 8 | 5 | Il | Il | 8-, 2 |
25* | 72 | 15 | 8 | 5 | Il | 0,01 | • 2 |
26* | 72 | 15 | 8 | 5 | Il | 0.20 | 2 |
Probe | Hauptbestandteil (MoI- | CaTiO3 | -%) | 5 | Halblei | Zusatzstoff |
5 | terbild. | (Mol-%) | ||||
Nr. | BaTiO3 | 15 | SrTiO3 PbTiO-j | 5 | Mittel | Mn SiO2 |
15 | 5 | (Mol-%) | ||||
27* | ■ 72 | 15 | 8 | 5 | Y2O3:0,l | 0,05 2 |
28 | 72 | 15 | 8 | 5 | Y2O3:0,8 | Il Il |
.29* | 72 | 15 | 8 | Y2O3:1,2 | Il Il | |
30 | 72 | 15 | 8 | La3O3:0,4 | Il Il | |
31 | 72 | 8 | CeO2:0,4 | it ' Ii | ||
. 32 | 72 | 8 | Nd3O3:0,4 | Il Il | ||
Tabelle 2 | ||||||
Probe Widerstand Durchbruchs-Nr. spannung
Sl
Curie- Beständigkeit Punkt gegen Einschalt-Spannungsspitze
0C V
1* | 2,34 | 200 | 129,4 | 70 |
2* | 2,26 | 224 | 128,2 | 100 |
3* | 2,12 | 200 | 100,3 | 120 |
4* | 2,42 | 224 | 138,1 | 100 |
5* | 3,69 | 250 | 130,6 | 180 |
6* | 4,01 | 280 | 129,4 | 200 |
7 . · | 4,38 | 560 | 128,8 | 355 |
8 | 4,98 | 630 | 127,5 | 400 ' |
9 | 5,32 | 500 | 126,6 | 400 |
- 13 -
Probe Nr.
Widerstand Durchbruchsspannung
Sl
Curie- Beständigkeit Punkt gegen Einschalt-Spannungsspitze
0C · V
10* | 43,44 | 450 | 123,8 | 315 |
11* | 4,04 | 250 | • 136,0 | • 180 |
12 | 4,13 | 560 | 131,7 | 355 |
13 | 4,57 | 630 | 87,0 | 400 |
14 | 4,89 · | 560 | . 5.6 ,3 | 355 |
15* | 7,98 | 450 | 36,8 | 250 |
16* | 2,96 | 224 | 90,5 | 120 . |
17 | 6,64 | 500 | 143,7 | 400 |
18 | 10,52 | 720 | 194,9 | 630 |
19 | 15,71 | 800 | 283,8 | 560. |
20* | 127,0 | - | - | - |
21* | 284,7 | - | - | - |
. 22 | 3,83 | 500 | 125,7 | 315 |
23* | 121,28 | - | 122,3' | - |
" 24* | - | "- | ·>- ' | - |
25* | 103,24 | 200 | 121,4' | - |
26* | 982,53 | - | - · | - |
27* | 3,53K | - | 118,2 | . - |
28 | 8,93 | 560 | 122,7 | 500 |
• 29* | 622,3 | - | 120,6 | - |
30 | 4,20 | 56Ö | 124,3 | 315 |
31 | 4,08 | 500 | 125,7 | 280 ' |
32 | 4,57 | 560 | 125,1 | 315 |
- 14 -
Wie aus'den Ergebnissen in Tabelle 2 zu entnehmen ist,
haben die Proben Nr. 7, 8, 9, 12, 22, 28, 30, 31. und 32 hohe Durchbruchsspannungen und eine hohe Beständigkeit
gegenüber Spannungsspitzen beim Einschalten. Deshalb
sind diese Halbleiterkeramiken als Materialien für Stromsteuerelemente zum Anlassen von Motoren besonders geeignet.
sind diese Halbleiterkeramiken als Materialien für Stromsteuerelemente zum Anlassen von Motoren besonders geeignet.
Wie aus Fig. 1 zu ersehen ist, besitzt die Probe Nr. 14 eine hohe Durchbruchsspannung und einen scharfen Anstieg
. des spezifischen Widerstandes, die es· ermöglichen, Widerstände mit positivem Temperaturkoeffizienten
zur Verwendung in einer Löschschaltung in Fernsehempfangsgeräten herzustellen.
Die Proben Nr. 17, 18 und 19 besitzen hohe Curie-Punk-. te, so daß diese Halbleiterkeramiken als Materialien
für thermostatische Heizelemente gut geeignet sind', bei' denen die Erzeugung einer großen Wärmemenge erforderlich
ist. Weiterhin haben diese Halbleiterkeramiken hohe Durchbruchsspannungen, so daß sie einen sicheren
Betrieb garantieren.
Betrieb garantieren.
Claims (3)
- VON KREISLER SCHÖNWALD EISHOLD VON KREISLER KELLER SELTING WERNERMurata Manufacturing Co., Ltd. Kyoto-fu, Japan.PATENTANWÄLTE Dr.-Ing. von Kreisler 11973Dr.-Ing. K. Schönwald, Köln Dr.-Ing. K. W.Eishold, Bad Soden . Dr. J. F. Fues, Köln Dipl.-Chem. Alek von Kreisler, Köln Dipl.-Chem. Carola Keller, Köln Dipl.-Ing. G. Selling, Köln Dr. H.-K. Werner, KölnDEICHMANNHAUS AM HAUfTBAHNHOFD-5000 KÖLN 118. März 1982 ,AvK/GF-PatentansprücheBariumtitanat-System-Halbleiterkeramik, enthaltend einen Hauptbestandteil, der eine kleine Menge eines oder mehrerer Halbleitereigenschaften erzeugender Mittel enthält, und in diesen eingearbeitet Manganoxide und Siliciumdioxid, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptbestandteil im wesentlichen aus 30 bis 95 Mol-% BaTiO3 bis 25 Mol-% CaTiO3, 1 bis 30 Mol-% SrTiO3
50 Mol-% PbTiO3 besteht.und 1 bis - 2. ■Bariumtitanat-System-Halbleiterkeramik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Manganoxiden, berechnet als Mn, 0,03 bis 0,15 Mol-% und der Gehalt an Siliciumdioxid, berechnet als SiO2, 0,5 bis 5 Mol-% , .jeweils bezogen auf 1 mol des Hauptbestandteils, beträgt.
- 3. Bariumtitanat-System-IIalbleiterkeramik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das eine oder die mehreren Halbleitereigenschaften erzeugenden Mittel ausgewählt werden aus' der Gruppe Seltenerdelemente, Nb/ Bi, Sb, W und Th und der Gehalt an diesen Mitteln 0,2 bis 1 Mol-% beträgt.
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