DE3132645C2 - - Google Patents

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DE3132645C2
DE3132645C2 DE3132645A DE3132645A DE3132645C2 DE 3132645 C2 DE3132645 C2 DE 3132645C2 DE 3132645 A DE3132645 A DE 3132645A DE 3132645 A DE3132645 A DE 3132645A DE 3132645 C2 DE3132645 C2 DE 3132645C2
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DE3132645A
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Inventor
Seiichi Suwa Nagano Jp Iwamatsu
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Suwa Seikosha KK
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Suwa Seikosha KK
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    • H10P14/6928—
    • H10P14/6923—
    • H10W74/137—
    • H10W74/43—
    • H10P14/6334—
    • H10P14/69215—

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
DE19813132645 1980-08-21 1981-08-18 Halbleiterelement und verfahren zur herstellung einer mehrschichtverdrahtung bei einem solchen Granted DE3132645A1 (de)

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DE3132645A1 DE3132645A1 (de) 1982-06-09
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NL8103007A (nl) 1982-03-16
FR2489042A1 (fr) 1982-02-26
FR2489042B1 (fr) 1986-09-26
GB2082838B (en) 1984-07-11
NL188775C (nl) 1992-09-16
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