FR2489042B1 - Dispositif a semi-conducteur comportant une structure d'interconnexion multicouche et procede de fabrication correspondant - Google Patents

Dispositif a semi-conducteur comportant une structure d'interconnexion multicouche et procede de fabrication correspondant

Info

Publication number
FR2489042B1
FR2489042B1 FR8115610A FR8115610A FR2489042B1 FR 2489042 B1 FR2489042 B1 FR 2489042B1 FR 8115610 A FR8115610 A FR 8115610A FR 8115610 A FR8115610 A FR 8115610A FR 2489042 B1 FR2489042 B1 FR 2489042B1
Authority
FR
France
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
interconnection structure
layer interconnection
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
FR8115610A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
FR2489042A1 (fr
Inventor
Seiichi Iwamatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP55115027A external-priority patent/JPS5739554A/ja
Priority claimed from JP55115026A external-priority patent/JPS5739539A/ja
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
Publication of FR2489042A1 publication Critical patent/FR2489042A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2489042B1 publication Critical patent/FR2489042B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/6928—
    • H10P14/6923—
    • H10W74/137—
    • H10W74/43—
    • H10P14/6334—
    • H10P14/69215—
FR8115610A 1980-08-21 1981-08-12 Dispositif a semi-conducteur comportant une structure d'interconnexion multicouche et procede de fabrication correspondant Expired FR2489042B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55115027A JPS5739554A (en) 1980-08-21 1980-08-21 Multilayer wiring method
JP55115026A JPS5739539A (en) 1980-08-21 1980-08-21 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2489042A1 FR2489042A1 (fr) 1982-02-26
FR2489042B1 true FR2489042B1 (fr) 1986-09-26

Family

ID=26453643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8115610A Expired FR2489042B1 (fr) 1980-08-21 1981-08-12 Dispositif a semi-conducteur comportant une structure d'interconnexion multicouche et procede de fabrication correspondant

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE3132645A1 (enExample)
FR (1) FR2489042B1 (enExample)
GB (1) GB2082838B (enExample)
NL (1) NL188775C (enExample)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL109459C (enExample) * 1960-01-26
US3511703A (en) * 1963-09-20 1970-05-12 Motorola Inc Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide
GB1114556A (en) * 1965-11-26 1968-05-22 Corning Glass Works Ceramic article and method of making it
US3475210A (en) * 1966-05-06 1969-10-28 Fairchild Camera Instr Co Laminated passivating structure
FR2024124A1 (enExample) * 1968-11-25 1970-08-28 Ibm
US3752701A (en) * 1970-07-27 1973-08-14 Gen Instrument Corp Glass for coating semiconductors, and semiconductor coated therewith
US3887733A (en) * 1974-04-24 1975-06-03 Motorola Inc Doped oxide reflow process
JPS51144183A (en) * 1975-06-06 1976-12-10 Hitachi Ltd Semiconductor element containing surface protection film
DE2606029C3 (de) * 1976-02-14 1980-03-06 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Composit-Passivierungsglas auf der Basis PbO - B2 O3 - (SiO2 - Al2 O3 ) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (20-300 Grad C) von bis zu 75 mal 10 7 /Grad C für Silicium-Halbleiterbauelemente mit
DE2611059A1 (de) * 1976-03-16 1977-09-29 Siemens Ag Gehaeuseloses halbleiterbauelement mit doppelwaermesenke
JPS583380B2 (ja) * 1977-03-04 1983-01-21 株式会社日立製作所 半導体装置とその製造方法
JPS5425178A (en) * 1977-07-27 1979-02-24 Fujitsu Ltd Manufacture for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
NL8103007A (nl) 1982-03-16
FR2489042A1 (fr) 1982-02-26
DE3132645C2 (enExample) 1991-01-10
GB2082838B (en) 1984-07-11
NL188775C (nl) 1992-09-16
GB2082838A (en) 1982-03-10
NL188775B (nl) 1992-04-16
DE3132645A1 (de) 1982-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2524201B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type multicouche
FR2483127B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR2679069B1 (fr) Dispositif a semiconducteur comportant une couche d'interconnexion et procede de fabrication de celui-ci.
FR2499749B1 (fr) Dispositif de memoire a semiconducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
FR2604562B1 (fr) Dispositif semi-conducteur silicium-sur-isolant et procede de fabrication
FR2553576B1 (fr) Dispositif a circuits integres a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
FR2524709B1 (fr) Dispositif a semi-conducteur et procede pour sa fabrication
FR2638898B1 (fr) Dispositif a semiconducteurs a structure empilee et procede de fabrication
FR2538621B1 (fr) Dispositif a semi-conducteurs comportant un capteur de pression et procede de fabrication d'un tel dispositif
FR2555364B1 (fr) Procede de fabrication de connexions d'un dispositif a circuits integres a semi-conducteurs comportant en particulier un mitset
FR2351501A1 (fr) Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur fabrique de la sorte
FR2525388B1 (fr) Procede de fabrication d'un circuit integre planaire
FR2513987B1 (fr) Procede et dispositif de fabrication d'une preforme de guide de lumiere
FR2569872B1 (fr) Dispositif optique a transmission variable et procede de fabrication d'un tel dispositif
EP0139019A4 (en) Semiconductor device and method of manufacture thereof.
FR2512241B1 (fr) Dispositif electro-optique a haute fiabilite et son procede de fabrication
FR2691836B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs comportant au moins une puce et dispositif correspondant.
BE890772A (fr) Procede de fabrication d'un circuit integre
FR2462023B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
FR2349955A1 (fr) Procede pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur fabrique de la sorte
FR2635413B1 (fr) Procede de fabrication pour un dispositif metal-oxyde-semiconducteur
FR2498323B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif sensible a la temperature et ce dispositif
DE3277759D1 (en) Semiconductor device having new conductive interconnection structure and method for manufacturing the same
FR2531812B1 (fr) Dispositif a circuits integres a semiconducteurs du type " bi-cmos-ic " et son procede de fabrication
FR2560436B1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur comportant un film monocristallin sur un isolant

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse