NL188775B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn.Info
- Publication number
- NL188775B NL188775B NLAANVRAGE8103007,A NL8103007A NL188775B NL 188775 B NL188775 B NL 188775B NL 8103007 A NL8103007 A NL 8103007A NL 188775 B NL188775 B NL 188775B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- manufacturing
- wiring layer
- insulating glass
- layer separated
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55115026A JPS5739539A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Semiconductor device |
JP11502680 | 1980-08-21 | ||
JP11502780A JPS5739554A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Multilayer wiring method |
JP11502780 | 1980-08-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8103007A NL8103007A (nl) | 1982-03-16 |
NL188775B true NL188775B (nl) | 1992-04-16 |
NL188775C NL188775C (nl) | 1992-09-16 |
Family
ID=26453643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE8103007,A NL188775C (nl) | 1980-08-21 | 1981-06-22 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3132645A1 (nl) |
FR (1) | FR2489042B1 (nl) |
GB (1) | GB2082838B (nl) |
NL (1) | NL188775C (nl) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL109459C (nl) * | 1960-01-26 | |||
US3511703A (en) * | 1963-09-20 | 1970-05-12 | Motorola Inc | Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide |
GB1114556A (en) * | 1965-11-26 | 1968-05-22 | Corning Glass Works | Ceramic article and method of making it |
US3475210A (en) * | 1966-05-06 | 1969-10-28 | Fairchild Camera Instr Co | Laminated passivating structure |
FR2024124A1 (nl) * | 1968-11-25 | 1970-08-28 | Ibm | |
US3752701A (en) * | 1970-07-27 | 1973-08-14 | Gen Instrument Corp | Glass for coating semiconductors, and semiconductor coated therewith |
US3887733A (en) * | 1974-04-24 | 1975-06-03 | Motorola Inc | Doped oxide reflow process |
JPS51144183A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor element containing surface protection film |
DE2606029C3 (de) * | 1976-02-14 | 1980-03-06 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Composit-Passivierungsglas auf der Basis PbO - B2 O3 - (SiO2 - Al2 O3 ) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (20-300 Grad C) von bis zu 75 mal 10 7 /Grad C für Silicium-Halbleiterbauelemente mit |
DE2611059A1 (de) * | 1976-03-16 | 1977-09-29 | Siemens Ag | Gehaeuseloses halbleiterbauelement mit doppelwaermesenke |
JPS583380B2 (ja) * | 1977-03-04 | 1983-01-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置とその製造方法 |
JPS5425178A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-22 NL NLAANVRAGE8103007,A patent/NL188775C/nl not_active IP Right Cessation
- 1981-07-06 GB GB8120808A patent/GB2082838B/en not_active Expired
- 1981-08-12 FR FR8115610A patent/FR2489042B1/fr not_active Expired
- 1981-08-18 DE DE19813132645 patent/DE3132645A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3132645A1 (de) | 1982-06-09 |
NL188775C (nl) | 1992-09-16 |
GB2082838B (en) | 1984-07-11 |
GB2082838A (en) | 1982-03-10 |
FR2489042A1 (fr) | 1982-02-26 |
FR2489042B1 (fr) | 1986-09-26 |
NL8103007A (nl) | 1982-03-16 |
DE3132645C2 (nl) | 1991-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL188550C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat. | |
NL187328C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL194832B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm. | |
IT8349330A0 (it) | Metodo per fabbricare un sostrato composito di semiconduttore su isolante, con profilo controllato perdensita' di difetti | |
NL190645B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een beschermende diffussielaag. | |
NL191065C (nl) | Kabel, gevormd uit een of meer lagen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van deze kabel. | |
NL189633C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een monolithische, geintegreerde micro-elektronische halfgeleiderketen. | |
NL189325C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, omvattende het vormen van een patroon in silicium door plasma-etsen. | |
NL181611C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een bedradingssysteem, alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van een dergelijk bedradingssysteem. | |
NL182603C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel. | |
NL191424B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling. | |
NL7809490A (nl) | Werkwijze voor het vormen van een metaallaag op een substraat, in het bijzonder voor het vervaardigen van een hybrideketen op een siliciumhoudend substraat. | |
NL186081C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een gelaagd, lichtdoorlatend, brandwerend paneel. | |
NL186352C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7613487A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag. | |
NL187373C (nl) | Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL188432C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet. | |
NL186662C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL189634B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat. | |
NL188923C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL188775C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn. | |
NL180174B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een racketraam. | |
NL194524B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor. | |
NL178749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een racket frame. | |
NL191222C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een BiCMOS-schakeling. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Free format text: 20010622 |