NL187373C - Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL187373C
NL187373C NLAANVRAGE8203903,A NL8203903A NL187373C NL 187373 C NL187373 C NL 187373C NL 8203903 A NL8203903 A NL 8203903A NL 187373 C NL187373 C NL 187373C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8203903,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL8203903A (nl
NL187373B (nl
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NLAANVRAGE8203903,A priority Critical patent/NL187373C/nl
Priority to US06/535,124 priority patent/US4533429A/en
Priority to DE19833334624 priority patent/DE3334624A1/de
Priority to IT23153/83A priority patent/IT1172413B/it
Priority to CA000438376A priority patent/CA1209722A/en
Priority to FR8315867A priority patent/FR2537341B1/fr
Priority to GB08326578A priority patent/GB2129213B/en
Priority to JP58186079A priority patent/JPS5987832A/ja
Publication of NL8203903A publication Critical patent/NL8203903A/nl
Publication of NL187373B publication Critical patent/NL187373B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL187373C publication Critical patent/NL187373C/nl

Links

Classifications

    • H10P14/61—
    • H10W10/0124—
    • H10W10/0125—
    • H10W10/13—
NLAANVRAGE8203903,A 1982-10-08 1982-10-08 Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. NL187373C (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE8203903,A NL187373C (nl) 1982-10-08 1982-10-08 Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
US06/535,124 US4533429A (en) 1982-10-08 1983-09-23 Method of manufacturing a semiconductor device
DE19833334624 DE3334624A1 (de) 1982-10-08 1983-09-24 Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte halbleiteranordnung
CA000438376A CA1209722A (en) 1982-10-08 1983-10-05 Semiconductor device manufacturing method using under-etching
IT23153/83A IT1172413B (it) 1982-10-08 1983-10-05 Metodo di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di tale metodo
FR8315867A FR2537341B1 (fr) 1982-10-08 1983-10-05 Procede permettant de realiser un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur realise selon ce procede
GB08326578A GB2129213B (en) 1982-10-08 1983-10-05 Semiconductor device with dielectric isolation
JP58186079A JPS5987832A (ja) 1982-10-08 1983-10-06 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8203903 1982-10-08
NLAANVRAGE8203903,A NL187373C (nl) 1982-10-08 1982-10-08 Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8203903A NL8203903A (nl) 1984-05-01
NL187373B NL187373B (nl) 1991-04-02
NL187373C true NL187373C (nl) 1991-09-02

Family

ID=19840387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8203903,A NL187373C (nl) 1982-10-08 1982-10-08 Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4533429A (nl)
JP (1) JPS5987832A (nl)
CA (1) CA1209722A (nl)
DE (1) DE3334624A1 (nl)
FR (1) FR2537341B1 (nl)
GB (1) GB2129213B (nl)
IT (1) IT1172413B (nl)
NL (1) NL187373C (nl)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2554638A1 (fr) * 1983-11-04 1985-05-10 Efcis Procede de fabrication de structures integrees de silicium sur ilots isoles du substrat
NL8401711A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een siliciumlichaam waarin plaatselijk een verzonken oxidelaag is aangebracht.
JP2533078B2 (ja) * 1984-11-27 1996-09-11 ソニー株式会社 不純物拡散方法
US4660278A (en) * 1985-06-26 1987-04-28 Texas Instruments Incorporated Process of making IC isolation structure
IT1200725B (it) * 1985-08-28 1989-01-27 Sgs Microelettronica Spa Struttura di isolamento in dispositivi mos e procedimento di preparazione della stessa
JPS6281727A (ja) * 1985-10-05 1987-04-15 Fujitsu Ltd 埋込型素子分離溝の形成方法
US4891092A (en) * 1986-01-13 1990-01-02 General Electric Company Method for making a silicon-on-insulator substrate
US4704186A (en) * 1986-02-19 1987-11-03 Rca Corporation Recessed oxide method for making a silicon-on-insulator substrate
US5182227A (en) * 1986-04-25 1993-01-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing the same
US4700461A (en) * 1986-09-29 1987-10-20 Massachusetts Institute Of Technology Process for making junction field-effect transistors
US4729816A (en) * 1987-01-02 1988-03-08 Motorola, Inc. Isolation formation process with active area protection
US5149669A (en) * 1987-03-06 1992-09-22 Seiko Instruments Inc. Method of forming an isolation region in a semiconductor device
US4775644A (en) * 1987-06-03 1988-10-04 Lsi Logic Corporation Zero bird-beak oxide isolation scheme for integrated circuits
FR2631488B1 (fr) * 1988-05-10 1990-07-27 Thomson Hybrides Microondes Circuit integre hyperfrequence de type planar, comportant au moins un composant mesa, et son procede de fabrication
JPH03156927A (ja) * 1989-10-24 1991-07-04 Hewlett Packard Co <Hp> アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法
US5293061A (en) * 1990-04-09 1994-03-08 Seiko Instruments Inc. Semiconductor device having an isolation layer region on the side wall of a groove
FR2672731A1 (fr) * 1991-02-07 1992-08-14 France Telecom Procede d'oxydation localisee enterree d'un substrat de silicium et circuit integre correspondant.
KR950002188B1 (ko) * 1992-02-12 1995-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치의 소자분리 방법
KR950004972B1 (ko) * 1992-10-13 1995-05-16 현대전자산업주식회사 반도체 장치의 필드산화막 형성 방법
US5470783A (en) * 1994-06-06 1995-11-28 At&T Ipm Corp. Method for integrated circuit device isolation
RU2096051C1 (ru) * 1995-02-24 1997-11-20 Григорий Борисович Альтшулер Устройство для лазерной обработки биологической ткани (его варианты)
US5661073A (en) * 1995-08-11 1997-08-26 Micron Technology, Inc. Method for forming field oxide having uniform thickness
US6830988B1 (en) 2000-01-06 2004-12-14 National Semiconductor Corporation Method of forming an isolation structure for an integrated circuit utilizing grown and deposited oxide
US6740592B1 (en) 2001-12-03 2004-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Shallow trench isolation scheme for border-less contact process
US20060052880A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Smith & Nephew, Inc. Plasma sprayed porous coating for medical implants
GB0818156D0 (en) * 2008-10-03 2008-11-12 Smith & Nephew Orthopaedics Ag Plasma spray process and products formed thereby

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1437112A (en) * 1973-09-07 1976-05-26 Mullard Ltd Semiconductor device manufacture
JPS5456381A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Production of semiconductor device
US4256514A (en) * 1978-11-03 1981-03-17 International Business Machines Corporation Method for forming a narrow dimensioned region on a body
US4326332A (en) * 1980-07-28 1982-04-27 International Business Machines Corp. Method of making a high density V-MOS memory array
EP0052948A1 (en) * 1980-11-24 1982-06-02 Motorola, Inc. Oxide isolation process
US4356211A (en) * 1980-12-19 1982-10-26 International Business Machines Corporation Forming air-dielectric isolation regions in a monocrystalline silicon substrate by differential oxidation of polysilicon
US4472240A (en) * 1981-08-21 1984-09-18 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device
US4398992A (en) * 1982-05-20 1983-08-16 Hewlett-Packard Company Defect free zero oxide encroachment process for semiconductor fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
DE3334624A1 (de) 1984-04-12
CA1209722A (en) 1986-08-12
NL8203903A (nl) 1984-05-01
GB8326578D0 (en) 1983-11-09
FR2537341B1 (fr) 1985-09-13
DE3334624C2 (nl) 1992-05-21
GB2129213A (en) 1984-05-10
JPS5987832A (ja) 1984-05-21
NL187373B (nl) 1991-04-02
FR2537341A1 (fr) 1984-06-08
IT1172413B (it) 1987-06-18
IT8323153A0 (it) 1983-10-05
GB2129213B (en) 1986-06-25
US4533429A (en) 1985-08-06
JPH0473295B2 (nl) 1992-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL187328C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL190256C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogevoelige inrichting.
NL186352C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL181611C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een bedradingssysteem, alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van een dergelijk bedradingssysteem.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL191621B (nl) Werkwijze voor het maken van een halfgeleiderinrichting.
NL184755C (nl) Werkwijze voor de vorming van kontakten voor de verbindingsdelen van een halfgeleiderinrichting.
NL188550C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL191587C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL186662C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
IT8322981A0 (it) Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttori.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL193393B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188923C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL186208C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.
NL189425C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een spiraalvormig gewikkelde pakking.
NL8802282A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een bicmos halfgeleiderinrichting.
IT8221430A0 (it) Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo a semiconduttori.
NL186207B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL176622C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee