NL182603C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel.

Info

Publication number
NL182603C
NL182603C NLAANVRAGE7807983,A NL7807983A NL182603C NL 182603 C NL182603 C NL 182603C NL 7807983 A NL7807983 A NL 7807983A NL 182603 C NL182603 C NL 182603C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
wiring layers
conductive wiring
conductive
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7807983,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7807983A (nl
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of NL7807983A publication Critical patent/NL7807983A/nl
Priority to JP50121079A priority Critical patent/JPS55500544A/ja
Application granted granted Critical
Publication of NL182603C publication Critical patent/NL182603C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76819—Smoothing of the dielectric

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
NLAANVRAGE7807983,A 1977-07-27 1978-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel. NL182603C (nl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50121079A JPS55500544A (nl) 1978-07-27 1979-07-27

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9015177A JPS5425178A (en) 1977-07-27 1977-07-27 Manufacture for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7807983A NL7807983A (nl) 1979-01-30
NL182603C true NL182603C (nl) 1988-04-05

Family

ID=13990488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7807983,A NL182603C (nl) 1977-07-27 1978-07-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4305974A (nl)
JP (1) JPS5425178A (nl)
DE (1) DE2832740C2 (nl)
NL (1) NL182603C (nl)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL188775C (nl) * 1980-08-21 1992-09-16 Suwa Seikosha Kk Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn.
US4452826A (en) * 1980-11-24 1984-06-05 Hughes Aircraft Company Use of polysilicon for smoothing of liquid crystal MOS displays
US4407851A (en) * 1981-04-13 1983-10-04 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device
US4492717A (en) * 1981-07-27 1985-01-08 International Business Machines Corporation Method for forming a planarized integrated circuit
JPS58115834A (ja) * 1981-12-29 1983-07-09 Nec Corp 半導体装置の製造方法
DE3228399A1 (de) * 1982-07-29 1984-02-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen einer monolithisch integrierten schaltung
JPS5982746A (ja) * 1982-11-04 1984-05-12 Toshiba Corp 半導体装置の電極配線方法
JPS5986246A (ja) * 1982-11-08 1984-05-18 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
FR2537779B1 (fr) * 1982-12-10 1986-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede de positionnement d'un trou de contact electrique entre deux lignes d'interconnexion d'un circuit integre
JPS60239042A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US4587138A (en) * 1984-11-09 1986-05-06 Intel Corporation MOS rear end processing
US4620986A (en) * 1984-11-09 1986-11-04 Intel Corporation MOS rear end processing
JPH0669038B2 (ja) * 1984-12-19 1994-08-31 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US4693780A (en) * 1985-02-22 1987-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Electrical isolation and leveling of patterned surfaces
US4576834A (en) * 1985-05-20 1986-03-18 Ncr Corporation Method for forming trench isolation structures
FR2588417B1 (fr) * 1985-10-03 1988-07-29 Bull Sa Procede de formation d'un reseau metallique multicouche d'interconnexion des composants d'un circuit integre de haute densite et circuit integre en resultant
WO1987002828A1 (en) * 1985-11-04 1987-05-07 Motorola, Inc. Glass intermetal dielectric
DE3615519A1 (de) * 1986-05-07 1987-11-12 Siemens Ag Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten
DE3627417A1 (de) * 1986-08-13 1988-02-18 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von niederohmigen verbindungen in der isolationsschicht zwischen zwei metallisierungsebenen
GB2206540B (en) * 1987-06-30 1991-03-27 British Aerospace Aperture forming method
US5008730A (en) * 1988-10-03 1991-04-16 International Business Machines Corporation Contact stud structure for semiconductor devices
US5088003A (en) * 1989-08-24 1992-02-11 Tosoh Corporation Laminated silicon oxide film capacitors and method for their production
US5300813A (en) * 1992-02-26 1994-04-05 International Business Machines Corporation Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias
US5502002A (en) * 1992-05-21 1996-03-26 Hughes Aircraft Company Polyimide passivation of GaAs microwave monolithic integrated circuit flip-chip
DE69329999T2 (de) * 1993-12-29 2001-09-13 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen, insbesondere intelligenter Leistungsanordnungen
EP0665597A1 (en) * 1994-01-27 1995-08-02 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe IGBT and manufacturing process therefore

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3663277A (en) * 1969-08-04 1972-05-16 Ncr Co Method of insulating multilevel conductors
GB1363815A (en) * 1971-12-06 1974-08-21 Tektronix Inc Semiconductor device and method of producing same
JPS4879987A (nl) * 1972-01-28 1973-10-26
JPS5121753B2 (nl) * 1972-02-09 1976-07-05
DE2547792C3 (de) * 1974-10-25 1978-08-31 Hitachi, Ltd., Tokio Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
JPS5249772A (en) * 1975-10-18 1977-04-21 Hitachi Ltd Process for production of semiconductor device
JPS5819129B2 (ja) * 1975-12-10 1983-04-16 株式会社東芝 ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ

Also Published As

Publication number Publication date
NL7807983A (nl) 1979-01-30
JPS5425178A (en) 1979-02-24
DE2832740C2 (de) 1984-10-11
DE2832740A1 (de) 1979-02-01
US4305974A (en) 1981-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182603C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel.
NL186048C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL181611C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een bedradingssysteem, alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van een dergelijk bedradingssysteem.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7700521A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een con- servenblik en inrichting voor de uitvoering van deze werkwijze.
NL178019C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een draadkabel.
NL173562C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een in lengterichting waterdichte lichtgeleiderkabel.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7704225A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van buizen uit schroeflijnvormig gewikkelde banen.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL180372C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gedrukte bedradingen.
NL173688C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement bestaande uit een parallelschakeling van ten minste twee in hoofdzaak identieke deelelementen.
NL179774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugeninrichting met een zwevende geheugenelektrode.
NL188124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7805986A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een gelamineerde struktuur.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7706802A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
BK Erratum

Free format text: CORRECTION TO PAMPHLET

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee