NL188775C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn.

Info

Publication number
NL188775C
NL188775C NLAANVRAGE8103007,A NL8103007A NL188775C NL 188775 C NL188775 C NL 188775C NL 8103007 A NL8103007 A NL 8103007A NL 188775 C NL188775 C NL 188775C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
manufacturing
wiring layer
insulating glass
layer separated
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8103007,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL8103007A (nl
NL188775B (nl
Original Assignee
Suwa Seikosha Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP55115027A external-priority patent/JPS5739554A/ja
Priority claimed from JP55115026A external-priority patent/JPS5739539A/ja
Application filed by Suwa Seikosha Kk filed Critical Suwa Seikosha Kk
Publication of NL8103007A publication Critical patent/NL8103007A/nl
Publication of NL188775B publication Critical patent/NL188775B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL188775C publication Critical patent/NL188775C/xx

Links

Classifications

    • H10P14/6928—
    • H10P14/6923—
    • H10W74/137—
    • H10W74/43—
    • H10P14/6334—
    • H10P14/69215—
NLAANVRAGE8103007,A 1980-08-21 1981-06-22 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn. NL188775C (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11502780 1980-08-21
JP11502680 1980-08-21
JP55115027A JPS5739554A (en) 1980-08-21 1980-08-21 Multilayer wiring method
JP55115026A JPS5739539A (en) 1980-08-21 1980-08-21 Semiconductor device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8103007A NL8103007A (nl) 1982-03-16
NL188775B NL188775B (nl) 1992-04-16
NL188775C true NL188775C (nl) 1992-09-16

Family

ID=26453643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8103007,A NL188775C (nl) 1980-08-21 1981-06-22 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn.

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE3132645A1 (enExample)
FR (1) FR2489042B1 (enExample)
GB (1) GB2082838B (enExample)
NL (1) NL188775C (enExample)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL109459C (enExample) * 1960-01-26
US3511703A (en) * 1963-09-20 1970-05-12 Motorola Inc Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide
GB1114556A (en) * 1965-11-26 1968-05-22 Corning Glass Works Ceramic article and method of making it
US3475210A (en) * 1966-05-06 1969-10-28 Fairchild Camera Instr Co Laminated passivating structure
FR2024124A1 (enExample) * 1968-11-25 1970-08-28 Ibm
US3752701A (en) * 1970-07-27 1973-08-14 Gen Instrument Corp Glass for coating semiconductors, and semiconductor coated therewith
US3887733A (en) * 1974-04-24 1975-06-03 Motorola Inc Doped oxide reflow process
JPS51144183A (en) * 1975-06-06 1976-12-10 Hitachi Ltd Semiconductor element containing surface protection film
DE2606029C3 (de) * 1976-02-14 1980-03-06 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Composit-Passivierungsglas auf der Basis PbO - B2 O3 - (SiO2 - Al2 O3 ) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten (20-300 Grad C) von bis zu 75 mal 10 7 /Grad C für Silicium-Halbleiterbauelemente mit
DE2611059A1 (de) * 1976-03-16 1977-09-29 Siemens Ag Gehaeuseloses halbleiterbauelement mit doppelwaermesenke
JPS583380B2 (ja) * 1977-03-04 1983-01-21 株式会社日立製作所 半導体装置とその製造方法
JPS5425178A (en) * 1977-07-27 1979-02-24 Fujitsu Ltd Manufacture for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
NL8103007A (nl) 1982-03-16
FR2489042A1 (fr) 1982-02-26
FR2489042B1 (fr) 1986-09-26
DE3132645C2 (enExample) 1991-01-10
GB2082838B (en) 1984-07-11
GB2082838A (en) 1982-03-10
NL188775B (nl) 1992-04-16
DE3132645A1 (de) 1982-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL188550C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL187328C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL191065C (nl) Kabel, gevormd uit een of meer lagen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van deze kabel.
IT8349330A0 (it) Metodo per fabbricare un sostrato composito di semiconduttore su isolante, con profilo controllato perdensita' di difetti
NL190645B (nl) Werkwijze voor het vormen van een beschermende diffussielaag.
NL189633C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een monolithische, geintegreerde micro-elektronische halfgeleiderketen.
NL181611C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een bedradingssysteem, alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van een dergelijk bedradingssysteem.
NL191424C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL182603C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel.
EP0067231A4 (en) SUBSTRATE WITH MULTILAYER WIRING.
NL7809490A (nl) Werkwijze voor het vormen van een metaallaag op een substraat, in het bijzonder voor het vervaardigen van een hybrideketen op een siliciumhoudend substraat.
NL186352B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL188774B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL186662B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7713064A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een lami- naat dat een fotoresistlaag omvat, alsmede laminaat verkregen volgens deze werkwijze.
NL189634C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL180174B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een racketraam.
NL188923C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL178749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een racket frame.
NL188775C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met meerdere bedradingslagen, die door isolerende glaslagen van elkaar gescheiden zijn.
NL194524B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor.
NL183756B (nl) Inrichting voor het vormen van een opstellaag uit baksteenvormlingen.

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 20010622