DE3130407A1

DE3130407A1 - Aktivmatrixanordnung fuer eine anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE3130407A1
Application number: DE19813130407
Authority: DE
Inventors: Shinji Suwa Nagano Morozumi
Original assignee: Suwa Seikosha KK
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1980-07-31
Filing date: 1981-07-31
Publication date: 1982-03-25
Also published as: HK88887A; FR2488013B1; GB2081018B; DE3130407C2; US4582395A; GB2081018A; FR2488013A1

Description

Aktivmatrixanordnung für'eine Anzeigevorrichtung

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Aktivmatrixanordnung für eine Anzeigevorrichtung mit einem MIS-(Metall-Isolator-Hälbleiter-)-Transistorfeld.

Anzeigefelder mit Aktivmatrizes sind interessant geworden, weil diese Matrizes vergrößert und damit die Anzeigefelder vergrößert und mit einer großen Anzahl von Punkten ausgestattet werden können. Insbesondere überlegt man jetzt den Einsatz einer solchen Aktivmatrix für Fernsehanzeigen, da passive Anzeigeelemente wie Flüssigkristalle Beschränkungen bezüglich des Tastver-. hältnisses bei dynamischen Systemen unterworfen sind.

Fig. 1 zeigt eine Matrixzelle 1 einer herkömmlichen Matrix. Eine Adressenleitung X ist mit dem Gate eines Transistors 2 verbunden. Wenn der Transistors 2 eingeschaltet wird, wird ein Signal an einer Datenleitung Y als elektrische Ladung in einem Speicherkondensator 3 gespeichert. Das Signal steuert zugleich mit der Speicherung eine Flüssigkristall-(FK)-Zelle 4 an, bis erneut Daten eingeschrieben werden. VC ist ein Sammelelektrodensignal. Da durch die FK-Zelle nur ein geringer Leckstrom fließt, reicht es aus, die Ladung während einer kurzen Zeit einzuspeichern. Der Transistor und der Kondensator werden in gleicher Weise wie übliche integrierte Schaltungen hergestellt.

Fig. 2 zeigt eine Anordnung der mittels eines Siliciumgateverfahrens hergestellten Zelle von Fig. 1. Der Tran-

sistor 2 und der Kondensator 3 sind auf einer Siliciumeinkristall scheibe ausgebildet. Die Adressenleitung X und eine obere Elektrode 11 des Kondensators sind aus polykristallinem Silicium (Polysilicium) hergestellt, während die Datenleitung Y und eine Steuerelektrode 13 der Flüssigkristallzelle aus Aluminium bestehen. Das Substrat und das Aluminium sowie das Polysilicium und das Aluminium sind durch Kontaktlöcher 7, 8 und 9 miteinander verbunden.
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Die mittels dieses gewöhnlichen Herstellungsverfahrens für integrierte Schaltkreise gefertigte Matrixanordnung besitzt folgende Nachteile :

Zunächst ist der Herstellungsprozeß, da es der gleiche wie für integrierte Schaltkreise ist, kompliziert und teuer, und man erhält eine geringe Ausbeute infolge eines Übergangsleckstroms zwischen dem Siliciumsubstrat und den anderen Elemente mit der Folge eines Anstiegs der Gesamtkosten für die Herstellung. Insbesondere fließt ein Leckstrom durch den Übergang zwischen dem Siliciumsubstrat und einer Diffusionsschicht für Source und Drain des Transistors. Dieser Leckstrom hängt im wesentlichen von Fehlern im Einkristall ab. In einer gewohnlichen Zelle soll dieser Leckstrom kleiner als 100 pA sein. Bei der dargestellten Anordnung ist es schwierig diesen Leckstrom in sämtlichen von mehreren zehntausend Zellen auszuschalten. Der ÜbergangsIeckstrom führt dazu, daß die im Kondensator 3 gespeicherte Ladung abfließt, wodurch der Änze'igekontrast verringert wird.

Nachteilig ist weiter, daß Licht, welches in das Siliciumsubstrat durch einen Spalt an der Aluminiumelektrode eintritt, die Bildung von Elekron-Loch-

31 3Ό 4 O

paaren verursacht, die zu einem Fotostrom führen, der ■ebenfalls den Kondensator 3 mit der Folge einer Kontrastverringerung entlädt.

Ein weiterer Nachteil kann schließlich sein, daß die Steuerelektrode für die FK-Zelle aus Aluminium besteht und lichtundurchlässig ist. Man kann daher keine lichtdurchlässige Anordnung wie etwa eine herkömmliche FeIdeffekt-FK-Zelle verwenden, sondern muß auf eine Anordnung zurückgreifen, bei der Licht von einer Oberfläche der Aluminiumelektrode reflektiert wird, das heißt auf eine sogenannte Guest-Host-FK-Zelle oder eine DSM-FK-Zelle. Die Guest-Host-FK-Zelle besitzt jedoch einen schwachen Kontrast, während bei der DSM-FK-Zelle der Betrachungs-

"J5 winkel beschränkt ist.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Aktivmatrixanordnung zu schaffen, bei der ein Teil oder alle der vorgenannten Probleme nicht auftreten, die insbesondere einfach und mit hoher Ausbeute hergestellt werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale einer der Ansprüche 1 bis 3 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter bezug auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer Matrixzelle einer herkömmlichen Aktivmatrix,

Fig. 2 eine Draufsicht auf die Matrixzel.le von Fig. 1, die auf Blocksilicium aus-

-j * gebildet ist,

Fig. 3 ein Schaltbild einer Matrixzelle gemäß

der Erfindung,

Fig. 4A und

4B eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht der Matrixzelle,

Fig. 5A,

5B und 5C einzelne Schritte zur Herstellung der Matrixzelle,

Fig. 6 und

<r 7 graphische Darstellungen von Kennlinien

einer Siliciumdünnschicht,

Fig. 8A,

j 8B, 9A und

! ' 20 ^ weitere Ausführungsformen der Erfindung,

Fig. 10 ' eine Querschnittsansicht eines zusammen-

^: gesetzten Aktivmatrixanzeigefeldes gemäß

der Erfindung,

25

. Fig. 11,

13 und 15 Schaltbilder peripherer Steuerschaltun

gen zur Verwendung in Verbindung mit der Erfindung und

30

Fig. 12 und

14 Signalverlaufe in den peripheren Steuer

schaltungen .

35

Fig. 3 ist ein Schaltbild einer Matrixzelle gemäß der

Erfindung. Diese Matrixzelle unterscheidet sich von der nach Fig. 1 im wesentlichen dadurch, daß eine Masseleitung GND für den Kondensator 3 hinzugekommen ist. Wie später noch erläutert werden wird, kann unter Umständen aber auch auf den Kondensator 3 und die Masseleitung verzichtet werden. Das Einschreiben und Halten von Daten in die Matrixzelle erfolgt im wesentlichen in gleicher Weise wie bei der herkömmlichen Matrixzelle nach Fig. 1. Die Masseleitung GND wird auf einer konstanten Vorspannung gehalten, wobei der Vorspannungswert oder ein Signalwert nach Wunsch ausgewählt wird. Ein Kondensator 21, der zwischen die Datenleitung Y und die Masseleitung GND geschaltet ist, oder ein Kondensator 22, der zwischen die Datenleitung Y und die Adressenleitung X geschaltet ist, dienen dazu, die Eingangsanzeigedaten abzutasten und zu halten. Sie sind insbesondere bei den Ausführungsformen nach den Fig. 8 und 9 nicht unbedingt erforderlich.

Fig. 4ä zeigt eine Draufsicht auf eine Matrixzelle, während Fig. 4B eine Schnittansicht längs der Linie B-B in Fig. 4A ist. Auf einem transparenten Substrat 33 sind eine erste Dünnschicht 28 aus Silicium, die Source, Drain und Kanal eines Transistors bildet, eine zweite Dünnschicht 26 oder eine gleichwirkende Schicht als Gateleitung, die als Gate des Transistors wirkt, eine Masseleitung 27 und eine Datenleitung 25, die aus einem transparenten Material mit niedrigem Widerstand, etwa einem transparenten leitenden Film aus SnO₂ oder einer Metallschicht eine Dicke von etlichen 10 μπι. oder weniger ausgebildet. Durch Kontaktlöcher 29 hindurch sind diese Schichten und eine Steuerelektrode 31 für die FK-Zelle miteinander verbunden. Der Uberdeckungsbereich zwischen der Masseleitung 27 und der Steuerelektrode 31 bildet den Kondensator 3

(Fig. 3) für die Ladungsspeicherung. Durch eine N Diffusion (oder eine P -Diffusion falls ein P-Kanal gebildet werden soll) sind eine Source 34 und eine Drain 35 des Transistors gebildet. Der Kanal 30 liegt unter einer Gateelektrode 38; zwischen ihnen befindet sich ein Gateisolierfilm 36. Die Gateelektrode 38 ist von einem Isolierfilm 37, etwa einem Oxidfilm, umgeben.

Fig. 5 dient der Erläuterung eines Verfahrens zur

Herstellung der Aktivmatrixzelle, die in Fig. 4 gezeigt ist. Es stehen zwei Herstellungsverfahren zur Verfügung, das eine ein Niedrigtemperaturverfahren und das andere ein Hochtemperaturverfahren. Das Niedrlgtemperaturverfahren geht von transparentem Substratglas oder

Glas mit hohem Schmelzpunkt wie Pyrex oder Coming-Glas aus und wird bei einer Temperatur von 600°C oder niedriger ausgeführt. Das Substrat ist billig. Bei diesem Niedrigtemperaturverfahren wird auf dem Substrat 33 eine Dünnschicht 40 aus Silicium durch einen CVD-

(chemische Gasphasenabscheidung)-Schritt, etwa einem Plasma-CVD-Schritt oder einem CVD-Schritt bei reduziertem Druck, oder durch Aufsprühen ausgebildet und die Dünnschicht dann durch Fotätzen in die gewünschte Form ge- bracht.- Danach wird ihre Oberfläche in einer O^-Plasmaatmosphäre oxidiert. In der Praxis kann auch mittels eines CVD-Schritts ein gleichwirkender Isolierfilm aufgebracht werden. Als Folge wird auf der Siliciumdünnschicht 40 ein Oxidfilm 41 gebildet, von dem ein Teil später als Gateisolierfilm dienen wird (Fig. 5A) . Nachfolgend wird in gleicher Weise wie die erste Dünnschicht eine zweite Dünnschicht aus Silicium aufgebracht und mittels Fotoätzens zum Gate 38 geformt. Dann wird der Oxidfilm 41 geätzt, wobei die zweite Dünnschicht als Maske dient, und dadurch 2um Gateisolierfilm 36 gemacht.

Gleichzeitig werden als Vorbereitung zur Diffusion Fenster geöffnet und Ionen implantiert, um eine Diffusion auszuführen, wodurch die Source 34 und die Drain 35 gebildet werden (Fig. 5B) .· Danach wird die Anordnung erneut einer Plasmabehandlung in einer 0„-Atmosphäre ausgesetzt, um einen Plasmaoxidfilm 37 auf der Oberfläche auszubilden, und bei einer Temperatur im Bereich von 400⁰C bis 600⁰C geglüht (Fig. 5C). Das voranstehende Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß die Siliciumdünnschicht direkt durch eine Plasmabehandlung oxidiert wird und der Gateisolierfilm des -Transistors sowie der dielektrische Film eines Kondensators, die auf diese Weise hergestellt werden, vorteilhafter als Oxidfilme sind, die durch einen CVD- Schritt hergestellt wurden, und zwar insofern vorteilhafter, als die Beweglichkeit und die Zuverlässigkeit verbessert sind.

Das Hochtemperaturverfahren basiert auf der Verwendung eines transparenten Substrats mit einem Schmelzpunkt von 600⁰C oder mehr und umfaßt einen Schritt, der bei einer Temperatur oberhalb 600⁰C ausgeführt wird. Da bei diesem Verfahren eine Wärmebehandlung bei hoher Temperatur möglich ist, werden die Beweglichkeit und die Zuverlässigkeit der hergestellten Transistoren noch besser. Ein Hochtemperaturverfahren soll nachfolgend erneut unter bezug auf Fig. 5 beschrieben werden, da der Aufbau des hergestellten Transistors der gleiche wie bei dem nach dem Niedertemperaturverfahren hergestellten Transistor ist. In Fig. 5A wird auf dem transparenten Substrat 33 durch einen CVD-Schritt bei reduziertem Druck oder normalem Druck eine erste Dünnschicht 40 aus Silicium ausgebildet und zur Bildung einer Insel geformt. Diese wird dann bei einer Temperatur zwischen 900°C und 1100⁰C termisch oxidiert, wobei sich ein

Oxidfilm 41 bildet. Nachfolgend wird gemäß Darstellung in Fig. 5B eine zweite Dünnschicht aus Silicium in gleicher Weise wie die erste Silicium-Dünnschicht aufgebracht und zur Gateelektrode 38 geformt, die dann als Maske zum Ätzen des Isolierfilms 41 verwendet wird. N oder P -Fremdstoffe werden vorher aufgebracht oder Ionen implantiert ohne den Isolierfilm 41 zu ätzen, um. die Source 34 und die Drain 35 zu bilden. Danach wird ein termischer Oxidfilm 37 in gleicher Weise wie der Gateisolierfilm (41 in Fig. 5A, 36 in Fig. 5B) ausgebildet, der als dielektrischer Film für den Kondensator (3 in Fig. 3) dient (Fig. 5C).

Bei der in Fig. 4 gezeigten Anordnung ist der Gateisolierfilm selbst-ausgerichtet durch Bilden der ersten Silicium-Dünnschicht auf dem dünnen Oxid- oder Siliciumfilm. Diese Selbstausrichturig vermindert parasitäre Kapazitäten und verhindert dadurch eine Verringerung der Beweglichkeit und der Geschwindigkeit verglichen mit einkristallinem Bulk- bzw. Blocksilicium. Ferner wir.d der Oxidfilm auf der zweiten Silicium-Dünnschicht bzw. der Isolierfilm, auf der Dünnschicht als dielektrischer Film für den der Ladungsspeicherung dienenden Kondensator 3 {Fig. 3) und die Kondensatoren 21, 22 (Fig. 3) zum Abtasten und Halten der Daten verwendet.

Bei der herkömmlichen Matrix mit massivem Silicium oder Blocksilicium (Fig. 2) werden der Isolierfilm des Transistors und der dielektrische Film des Kondensators vollständig von einem termischen Oxidfilm dieses Blocksiliciums gebildet. Wo jedoch das Eindotieren von Fremdstoffen zu einem selbst-ausgerichteten Gate führt, wie in Fig. 5B, kann sich unter der zweiten Siliciumschicht, die eine Elektrode des Kondensators bilden wird, keine Dotierung hoher Dichte ergeben. Der so hergestellte Kondensator ist nicht stabil und schwierig einzusetzen.

Damit dieser Kondensator verwendet werden kann, ist ein zusätzlicher Schritt nötig, um die untere Elektrode des Kondensators stark mit Fremdstoffen zu dotieren, wie beim Blocksilicium. Daher ist, wie in Fig. 4 gezeigt, der dielektrische Film, der das Dielektrikum des Kondensators bilden wird, auf der zweiten Silicium-Dünnschicht ausgebildet, um hierdurch das Verfahren zu vereinfachen und einen stabilen Kondensator zu erhalten.

Die auf den Schritt von Fig. 5C folgenden Schritte sind für das Niedrigtemperaturverfahren und das Hochtemperaturverfahren im wesentlichen gleich. Es werden Kontaktlöcher gebildet, um einen Kontakt zwischen der Leitung, der ersten und der zweiten Siliciumschicht herzustellen.

■J5 Ein Material, das als Leitung und transparente Steuerelektrode dient,, das heißt ein lichtdurchlässiger leitender Film, ein Metallfilm mit einer Dicke von etlichen 10 .μια oder weniger oder ähnliches werden mittels Aufsprühen oder Aufdampfen angebracht und durch Fotoätzen geformt. Wenn ein lichtempfindlicher leitender Film verwendet wird, bei dem ein direkter Kontakt mit der Siliciumr-Dünnschicht schwierig ist, kann eine Substanz wie Au, Ni-Cr oder ähnliches auf eine Kontaktfläche zur Erleichterung' des Kontakts aufgebracht werden.

Da der nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellte Transistor eine verringerte Beweglichkeit und einen vergrößerten Leckstrom im Sperrzustand verglichen mit einem auf Blocksilicium hergestellten Transistor aufweist, muß zur Vermeidung von Schwierigkeiten beim Gebrauch Sorge getragen werden.

Die Kurve (A) in Fig. 6 gibt die Beweglichkeit eines Transistors bei 10 Volt an, welcher mittels des Hochtemperaturverfahrens hergestellt wurde derart, daß die

erste Silicium-Dünnschicht bei verschiedenen Temperaturen in einem CVD-Schritt bei reduziertem Druck aufgebracht wurde. Es zeigte sich experimentell, daß die Beweglichkeit schlagartig besser wird, wenn die Temperatür der Abscheidung unter 600⁰C fällt. Demzufolge läßt sich eine bessere Beweglichkeit und ein verlässlicheres Verhalten erzielen, wenn man die erste Silicium-Dünnschicht mittels eines CVD-Schritts bei reduziertem Druck und einer Temperatur von 600⁰C oder weniger ausbildet.

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Fig. 7 zeigt die Kurve des Sperrstroms (Leckstrom im Sperrzustand) Ic des Transistors bei 10 Volt als Funktion der Dicke der ersten Silicium-Dünnschicht. Experimente haben ergeben, daß der Sperrstrom unter 500 pA oder weniger fällt, und eine sorgenfreie Verwendung ermöglicht, wenn die Dicke der ersten Silicium-Dünnschicht 0,37 μΐη j oder weniger beträgt.

j ■ Das Niedrigtemperaturverfahren sowie das Hochtemperatur-

20 verfahren führen zu einer starken. Verminderung der Be-ί -

ί weglichkeit. Es wird daher daran gedacht, eine Verbesserung durch eine Wärmebehandlung der ersten Silicium-ί Dünnschicht mit einem Läser- oder Elektronenstrahl zu

erreichen, der bei hoher Temperatur lokal angewendet

wird, wobei Sorge dafür getragen wird, daß das Substrat

nicht nachteilig beeinflußt wird. Die Kurve (B) in j Fig. 6 zeigt die bessere Beweglichkeit eines Transis

tors mit einer Silicium-Dünnschicht, die genauso wie die für die Kurve (A) vorbereitet und mit einem Laserstrahl von 0,12 mJ pro Impuls und einer Pulsbreite von 50 ns unter Verwendung einer Q-Schaltmethode bestrahlt wurde. Die Beweglichkeit eines nach dem Niedrigtemperaturverfahren durch Abscheidung auf einem Glas mit hohem Schmelzpunkt bei 500⁰C bis 540⁰C hergestellten Transistors, der dann unter gleichen Bedingungen einer

Laser-Wärmebehandlung unterzogen wurde, stimmt im wesentlichen mit der durch die Kurve (B) in Fig. 6 wiedergegebenen überein. Aus dem voranstehenden zeigt sich, daß eine lokale Wärmebehandlung mittels eines Laser- .

oder Elektronenstrahls sowohl beim Niedrigtemperaturverfahren als auch beim Hochtemperaturverfahren wirkungsvoll ist.

Fig. 8.zeigt einen anderen Aufbau einer Matrixzelle gemäß der Erfindung. Fig. 8A ist eine Draufsicht, in der man eine Adressenleitung 51 erkennt, die mit dem Gate eines Kanals 54 eines Transistors verbunden ist, dessen Source und Drain von einer Datenleitung 50 bzw. einer Steuerelektrode und Kondensatorelektrode 52 gebildet werden. Eine Masseleitung 53 wird zugleich mit der Adressenleitung 50 hergestellt und bildet die andere Elektrode des Kondensators. Fig. 8B ist eine Querschnittsansicht längs der Linie B-B von Fig. 8A. Zur Herstellung dieser Matrixzelle soll als Beispiel das Hochtemperaturverfahren beschrieben werden. Auf einem Substrat 57 aus Glas mit einem hohem Schmelzpunkt wie beispielsweise Quarz, wird in einer Dicke von etwa 0,3 μΐη .Polysilicium aufgewachsen (bei einer abgewandelten Ausführungsform werden über dessen gesamte Oberfläche dann Phosphorionen implantiert urn eine N-leitende Siliciumschicht zu bilden) Ein dünner Film aus SiO _? kann vorher ausgebildet werden, wenn der innige Haftkontakt verbessert werden soll. Nachdem aus dieser Polysiliciumschicht das Gate 51 und die Kondensatoreleketrode 53 durch Fotoätzen gebildet wurden, werden Filme 55 und 56 aus SiO₂ mittels termischer Oxidation in einer Dicke von etwa 0,15 um als Gateisolierfilm, und dielektrischer Film des Kondensators aufgewachsen. Nachfolgend wird eine zweite Schicht aus Polysilicium ausgebildet und mit Hilfe der Fotoätztechnik in gewünschte Form gebracht. Nach Aufbringen einer Foto-

resistmaske werden dann Phosphorionen in Bereichen ausgenommen den Kanal 54 implantiert und dadurch Source und Drainelektroden, die Datenleitung 50 und eine Steuerelektrode für die FK-Zelle, die zugleich als Kondensatorelektrode 52 wirkt, erzeugt. Die Eigenschaften des soweit hergestellten Transistors (Schwellenspannung, Leitwert) sind unzureichend, weshalb der Kanal 54 oder das gesamte Substrat gleichförmig mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, um das Polysilicium innerhalb kurzer . Zeit zum Zwecke des Kornwachstums zu schmelzen und zu verfestigen. Hierdurch werden die Eigenschaften verbessert. Diesen Schritt nennt man "Laserwarmbehandlung", wovon vorne bereits die Rede war.

Fig. 9 A zeigt in einer Querschnittsansicht eine weitere Ausführungsform einer MatrixzeTle gemäß der Erfindung, die auf einem gewöhnlichen Glassubstrat nach dem Niedrigtemperaturverfahren aufgebaut ist. Auf dem Glassubstrat 70 ist eine Polysiliciumschicht mittels eines Niedrigtemperaturwachstumsprozesses wie Aufsprühen oder Plasma-CVD aufgebracht, über diese gesamte' Siliciumschicht werden dann Phoshpor oder Borionen implantiert. Mittels· Fotoätzens werden ein Gate 73 und eine Kondensatorelektrode 72 ausgebildet. Ein Isolierfilm 74 aus SiO₂ oder ähnlichem, wird dann ebenfalls mittels eines Niedrigtemperaturwachstunisprozesses aufgebracht. Bei. niedriger Temperatur wird dann eine zweite Schicht 75 aus Polysilicium ausgebildet, die als Source und Drain des Transistors, als weitere Kondensatorelektrode' und als Steuerelektrode für die FK-Zelle .dient. Diese Polysiliciumschicht ist nicht dotiert, oder es werden Borionen in die Siliciumschicht in einem Ausmaß zur Verbesserung der Schwellenspannung implantiert (bei einer abgewandelten Ausführungsform werden Phosphorionen in den Source und den Drain-Bereich und in den Bereich implantiert,

der die Kondensatorelektrode und die Steuerelektrode darstellt, ausgenommen den Bereich des Kanals 78). Danach wi,rd ein lokal begrenzter Teil oder die gesamte Anordnung zum Zwecke der Wärmebehandlung mit einem Laserstrahl bestrahlt. Der Laserstrahl wird teilweise in der ersten Polysilicumschicht absorbiert, durchläuft jedoch das Glassubstrat 70. Eine Wärmebehandlung ohne nachteilige Beeinflussung des Glassubstrats ist möglich, wenn die Behandlung mit einer geeigneten Laser-Strahlenenergie und während eines geeigneten Zeitinterva,lls zur Aktivierung der ionenimplantierten Fremdstoffe in der ersten Polysiliciumschicht und zum Kornwachstum (speziell im Kanal 78) der zweiten Polysiliciumschicht durchgeführt wird. Das Zeitintervall wird im Fall eines Impulslasers durch die Impulsbreite und im Fall eines Dauerstrichlasers durch die Abtastgeschwindigkeit bestimmt. Eine solche Anordnung zeichnet sich dadurch aus, daß ein kostengünstigeres Glas verwendet werden . kanu, da das Glassubstrat durch die LaserWarmbehandlung wesentlich weniger nachteilig beeinflußt wird als durch eine gewöhnliche Wärmebehandlung, wobei gleichzeitig die Läserwarmbehandlung zu einer Aktivierung der Fremdstoffe und zu einem Kornwachstum des Polysiliciums im Kanal führt., wodurch die Eigenschaften des Transistors, insbesondere die Beweglichkeit, verbessert werden.

Danach wird Aluminium aufgebracht und durch Fotoätztechnik zur Bildung von Source und Drainelektroden 76, 77 in ein Muster gebracht. Da Aluminium und Silicium an sich keinen sauberen Kontakt miteinander bilden, werden sie dann einer Wärmebehandlung ausgesetzt oder mit einem schwachen Laserstrahl bestrahlt.

Fig. 9B zeigt im Querschnitt eine weitere Ausführungsform einer Matrixzelle gemäß der Erfindung, die sich von der

Ausführungsform gemäß Fig. 9A im wesentlichen durch das Fehlen der Aluminiumelektroden 76 und 77 unterscheidet. AuCh₁ bei dieser Ausführungsform ist die Matrixzelle auf einem gewöhnlichen Glassubstrat 70'' aufgebaut. Eine erste Polysiliciumschicht wird auf dem Glassubstrat 70' mittels eines Niedrigtemperaturwachstumsprozesses, etwa durch Aufsprühen oder Plasma-CVD, aufgebracht. Phosphor oder Borionen werden über die gesamte Siliciumschicht implantiert. Durch Fotoätzen wird diese Schicht dann zu einem Gate 73' und einer Kondensatorelektrode 72' geformt. Ein aus SiO₂ oder ähnlichem bestehender Isolierfilm 74' wird dann ebenfalls mittels eines Niedrigtemperaturwachstumspro.zesses ausgebildet. Dann wird eine zweite Polysiliciumschicht 75" bei niedriger ' Temperatur ausgebildet, die als Source und Drain des Transistors, als Kondensatorelektrode und als Steuerelektrode dienen soll. Die Siliciumschicht ist nicht dotiert, oder es werden Borionen in die Siliciumschicht in einem Ausmaß zur Verbesserung der Schwellenspannung implantiert. Phosphorionen werden im Bereich von Source und Drain und in dem Bereich implantiert, der die Kondensator- und die Steuerelektrode bildet, ausgenommen der Kanal 78'. Das weitere Verfahren entspricht dann dem von Fig. 9A, jedoch ohne Aufbringen der Aluminiumelektroden, deren es wegen der Ionenimplantation in die zweite Polysiliciumschicht nicht bedarf.

Der Vorteil der Ausführungsform. nach Fig. 9A besteht darin, daß wegen der Verwendung von Aluminiumelektroden keine Ionenimplantation zur Bildung, von Elektroden notwendig ist, während im Fall von Fig. 9B der Vorteil darin besteht, daß die durch Ionenimplantation gebildeten Source und Drainelektroden 76' und 77' und auch die Steuerelektrode durchsichtig sind.

Natürlich kann auch die Anordnung von Fig. 8 mit dem Niedertemperaturverfahren hergestellt werden. Dieser Aufbau zeichnet sich dadurch aus, daß das Gate des

Transistors von der ersten Siliciumschicht und der Kanal des Transistors von der zweiten Siliciumschicht gebildet werden, so daß eine starke Diffusion je nach Wunsch auf beiden Silicium-Dünnschichten möglich ist und der durch Oxidation der ersten Siliciumschicht gebildete Gateoxidfilm oder Gateisolierfilm auf der ersten Siliciumschicht als dielektrische Schicht für den Speicherkondensator zur Verfügung steht. Daher reicht ein Verfahrensschritt zur Herstellung von beiden. Ein weiterer Vorteil bei der Anordnung von Fig. 8 besteht darin, daß die erste Siliciumschicht eine Adressenleitung und eine Masselei-

f§ tung abgibt, während die zweite Siliciumschicht eine Datenleitung bildet. Folglich ist kein Verfahrensschritt notwendig zum Aufbringen von Verdrahtungsmaterial und zur Formung des letzteren durch Fotoätzen, wie es bei der Anordnung von Fig. 4 der Fall ist. Wird die Siliciumschicht als transparente Steuerelektrode für die FK-Zelle verwendet, dann erhält man eine ausreichende Transparenz., wenn die Dicke 0,3 μΐη oder weniger beträgt.

Fig. 10 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, bei der die Matrixanordnung gemäß der Erfindung eingesetzt ist. Ein Flüssigkristallkörper 68 ist' zwischen einem Quarzsubstrat 65 mit einer darauf angeordneten transparenten Steuerelektrode 67 und einer Glasschicht 66 mit einer Sammelelektrode 69, die als transparente leitende Elektrode ausgebildet ist, sandwichartig eingeschlossen. Diese Kombination ist ihrerseits zwischen Polarisatorplatten . 62 und 63 eingeschlossen. An der Polarisatorplatte 63 ist eine Reflektorplatte 64 befestigt. Von oben einfallendes Licht durchläuft im wesentlichen die Polysi-

liciumelektrode 67 und wird von der Reflektorplatte reflektiert, bevor es von einem menschlichen Auge wahrgenommen wird. Solch eine Anordnung erlaubt die Verwendung einer gewöhnlichen Feldeffektsteuerung, das heißt den Einsatz sogenannter verdrillter nematischer FK-Zellen, die einen hohen Kontrast liefern und einen weiten Betrachungswinkel zulassen. Die in den Fig. 4, 8 und 9 gezeigten Ausführungsformen/ die eine transparente Steuerelektrode für die FK-Zelle auf einem transparenten Substrat verwenden, liefern einen wesentlich höheren Kontrast als jene Ausführungsformen, die ein Blocksiliciumsubstrat besitzen, da letzteres undurchsichtig ist und bei ihnen keine verdrillten nematischen FK-Zellen, die einen maximalen Kontrast gewährleisten, eingesetzt werden können.

Ausführungsformen der Erfindung, bei denen ein undurchsichtiges Substrat oder eine undurchsichtige Steuerelektrode verwendet wird, liefern keine wesentliche Kontrastverbesserung, wenn Guest-Host-FK-Zellen oder .

DSM-FK-Zellen wie bei herkömmlichen Blocksilicium eingesetzt werden. Jedoch ist die Erfindung auch bezüglich dieser Ausfuhrungsformen vorteilhaft, da das Herstellungsverfahren einfacher ist, die Ausbeute bei jedem. Schritt besser ist und ein Verschwinden des angezeigten Bildes infolge eines Leckstroms durch Lichteinfall verhindert wird.

Verwendet man als Substrat Glas, Quarz- oder ähnliches bei der vorliegenden Erfindung, dann kann ein Anzeigefel.d leichter als im herkömmlichen Fall zusammengesetzt werden, bei dem eine Elektrode der FK-Zelle aus Blocksilicium" gebildet wird. Herkömmlicherweise wird eine Siliciumscheibe anstelle des Substrats 65 in Fig.. 10 verwendet. Da es sich hierbei um eine Einkristallsilicium-

scheibe handelt, bricht diese leicht längs einer Spaltebene, wenn beim Zusammenbau Kräfte aus sie ausgeübt werden. Darüberninaus treten bei solch einer Siliciumscheibe häufig starke Verwerfungen von 10 μπι oder mehr auf, wenn sie einer Wärmebehandlung unterzogen wird, während der Flüssigkristallkörper eine Dicke von 5 bis μπι besitzt. Da die Dicke des Flüssigkristallkorpers konstant bleibt, wird das Zusammensetzen schwierig.

Die Flüssigkristalle werden bei hoher Temperatur ungenügend abgedichtet, da sie und das über ihnen befindliche Glas unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. All diese Probleme werden bei der erfindungsgemäßen Anordnung vermieden, bei der Glas, oder ein ähnliches Material als das Substrat für die untere Elektrode verwendet wird. Daher kann das Anzeigefeld problemlos und mit guter Ausbeute in gleicher Ttfeise wie gewöhnliche Flüssigkristallfelder zusammengesetzt werden.

Der Kondensator ( 3 in Fig. 3) dient dazu, die anzuzeigenden Daten für die Matrixzelle in Form einer Ladung während einer gewissen Zeit zu halten, im Fall eines Fernsehbildes beispielsweise für etwa 16 ms zu halten. Wenn der Dünnschichtsiliciumtransistor einen Leckstrom von 100 pA oder weniger bei 10 Volt hat, dann sollte der Kondensator eine Kapazität von 0,5 bis 1 pF besitzen. Wenn die Dicke des Flüssigkristalls 10 μια oder weniger beträgt, insbesondere bei einer hohen spezifischen induktiven Kapaz-ität von 10 oder mehr, hat der Flüssigkr !staukörper selbst eine Kapazität von 0,5 pF oder mehr, so daß der Kondensator nicht mehr erforderlich ist. Die Masseleitung GND und der Kondensator 3 in Fig. 3 können daher entfallen, so daß die wirksame Flüssigkristallfläche und damit der Kontrast größer werden und durch Fehlen unnötiger Elemente die Ausbeute besser

*J wird. Die Abtast- und Haltekapazität der Datenleitung Y wird hauptsächlich durch den parasitären Kondensator 22 an der Kreuzung zwischen der Datenleitung und der Adressenleitung gebildet.

Der Transistor gemäß der Erfindung läßt es zu, daß externe Treiber- oder Steuerschaltungen für die Äktivmatrix, das heißt ein Schieberegister und eine Abtastoder Halteschaltung auf demselben Substrat ausgebildet werden.

Fig. 11 zeigt eine Steuerschaltung für die Gateleitung gemäß der Erfindung. Eine Schieberegisterzelle 80 enthält vier Transistoren 81 bis 84 und einen einzigen Bootstrap-Kondensator 85. Ein an einen Startimpulseingang SP angelegtes Potential, dem der Binärwert "1" zugeordnet ist, wird aufeinanderfolgend.synchron mit Zwei-Phasen-Takt Signalen 01, 0₂ übertragen. Ausgangssignale D₁, D₂, D₃ ... der Schieberegisterzellen werden an die Gateleitungen G₁, G-, G₃ ... zur aufeinanderfolgenden Auswahl der Gateleiturigen angelegt, wie dies in Fig. 12 dargestellt ist. Mit dem Eingang jeder der Schieberegisterzellen ist ein Transistor 81 als Eingangsübertragungsglied oder -tor verbunden. Das Potential "1" wird zunächst an den Punkten T₁, T~, T- ... gespeichert und mittels der Bootstrap-Kondensatoren 85 an die Ausgänge

D₁, überschrieben. Ohne die von den Transistoren

81 gebildeten Eingangsübertragungsglieder wären der Ausgang D₁ mit dem Punkt T₂, der Ausgang D₃ mit dem Punkt T₃ etc. kurzgeschlossen, so daß die Bootstrapkapazität sehr viel größer als eine Gateleitungskapazität CGi

(CG₁, CG₂, CG₃ ) sein müßte. Das Muster bzw. die

integrierte Schaltung würde dann größer und entsprechend die Ausbeute geringer sein. Um die Ausgänge D₁ ... auf den Potentialwert "0" zu "entladen" braucht lediglich

der Punkt T₃ mit dem Transistor 84 verbunden zu werden. Wenn das Schieberegister bei niedriger Frequenz betrieben wird, wird jedoch, da es selbst bei einem kleinen Leckstrom versagt, ein Transistor 83 zur Fixierung .5 des Potentials hinzugefügt, um für jede Halbperiode des Taktsignals den Potentialwert "0" wiederherzustellen und dadurch die Ausbeute zu vergrößern und die Arbeitsweise zu stabilisieren. Fig. 12 zeigt die in der Anordnung von Fig. 11 auftretenden Signale wobei diese durch die Punkte gekennzeichnet sind, an denen sie auftreten.

Fig. 13 zeigt eine Treiber- oder Steuerschaltung für die Datenleitung der Erfindung. Eine Schieberegisterzelle 86 enthält einen Bootstrap-Kondensator 88, Transistoren 89, 91, die für den Betrieb der Zelle erforderlich sind, und einen Rücksetztransistor 90 zur Auswahl eines später beschriebenen Schieberegisters. Ein Startimpuls SP wird über ein Eingangsglied oder-tor 87 einer ersten Schieberegisterzelle geliefert. Ausgangssignale S₁, S^, ... der Schieberegisterzellen werden Abtast-. und Haltetransistoren H., H₂, ... geliefert. Synchron mit einem Abtastsignal wird ein Videoeingangssignal VS (ein Videosignal oder ein Datenschreibsignal) abgetastet und in den jeweiligen parasitären Kondensatoren CD₁, CD_, ... der Datenleitung gehalten. Da die Steuerschaltung für die Datenleitung alle Operationen während einer Zeile ausführt, arbeitet sie mit hoher Geschwindigkeit und im wesentlichen ohne Befürchtung weqen eines Leckstroms.Sorge muß jedoch dafür getragen werden, daß trotz, des Hochgeschwindigkeitsbetriebs der Stromverbrauch, der bei hoher Geschwindigkeit anzusteigen neigt, minimal gehalten wird.

Das Schieberegister hat den Potentialwert "1" nur an einem von m-Bits (bzw. Zellen), so daß der Stromverbrauch

niedrig ist, solange das Schieberegister nicht getaktet wird- Die Abtast- und Haltetransistoren H. bis H

1 m

müssen mit hoher Geschwindigkeit schalten. Diese Bedingung kann daher erfüllt werden, weil die Gates dieser Transistoren mit EingangsSignalen beliefert werden, deren Amplitude infolge der in Fig. 14 gezeigten Bootstrap-Wirkung etwa zweimal größer als das Taktsignal ist.

Fig. 15 zeigt die anhand der Fig. 11 bis 14 erläuterten Komponenten in Kombination zu einer aktiven Matrixanordnung, die Datenschieberegister 98, 99, Dummy- oder Leerzellen 94, 95 zur Erzeugung von RückkehrSignalen bei den letzten Stufen sowie Abtast- und Haltetransistoren H bis H aufweist, wobei die Anordnung in bezug auf eine horizontale Mittellinie symmetrisch ist. Gateschieberegister 92, 93 sowie Dummy- oder Leerzellen 96, 97 sind symmetrisch in bezug auf eine vertikale Mittellinie angeordnet. Die periphere Schaltung muß nicht symmetrisch sein, und es kann auch nur eine Hälfte vorgesehen sein. Bei der dargestellten Ausführungsform sind jedoch zum Zwecke der besseren Ausbeute eine Vielzahl von Reihen, das heißt zwei Reihen von Schieberegistern vorgesehen. Auch vier oder acht Reihen von Schieberegistern könnten diesen Zweck erfüllen.

Wenn bei der Steuerschaltung nach Fig. 15 die Transistoren aus Silicium-Dünnschichten gemäß der Erfindung aufgebaut sind, ergeben sich folgende Vorteile. Da auf der Datenle itungs se ite die Taktfrequenz- hoch ist, etliche MHz, ist der Stromverbrauch durch parasitäre Kondensatoren an der Taktleitung größer als durch die Schieberegister. Genauer gesagt würde bei Blocksilicium (massives Silicium) die Kapazität an der Taktleitung und die Kapazität am Übergang zum Substrat sich auf

100 pF oder mehr belaufen. Dies würde zu einer Verringerung der Geschwindigkeit der Taktimpulse und zu einem Stromverbrauch von 10 mA oder mehr führen. Dagegen hat das Isoliersubstrat der vorliegenden Erfindung eine parasitäre Kapazität von einigen pF, wodurch der Stromverbrauch stark herabgesetzt wird und die Arbeitsgeschwindigkeit heraufgesetzt wird. Das Blocksilicium würde es'erlauben, eine Schwellenspannung infolge eines Rückgateeffekts anzuheben, falls das Potential an der

•JO Source des Transistors 82 von Fig. 11 erhöht würde. - Als Folge davon wäre es nötig, die Spannung am Punkt T₁, das heißt am Gate des Transistors 82 zu erhöhen, um die erforderliche Signal spannung zu erhalten. Dies, würde dazu führen, daß entweder der Pegel des Taktsignals

■J5 erhöht werden oder der Bootstrap-Kondensator 85 eine erheblich größere Fläche benötigen würde. Bei der erfindungsgemäßen Anordnung schwimmt jedoch das Transistorsubstrat, ohne Veranlassung zu einem Rückgateeffekt zu geben, so daß die Taktamplitude mit dem Ergebnis eines geringeren Stromverbrauchs kleiner sein kann und auch der Bootstrap-Kondensator klein sein kann und eineentsprechend geringe Fläche erfordert. Die Bootstrap-Kondensatoren in der peripheren Steuerschaltung der vorliegenden Erfindung werden grundsätzlich von den Isolierfilmen zwischen den Gates und den Kanälen der Transistoren gebildet, ein Merkmal, das sie von den Speicherkondensatoren unterscheidet. Der Bootstrap-Kondensator sollte eine Zwischenelektrodenkapazität haben, die durch die Spannung am Gate oder an der oberen Elektrode veränderbar ist. Zu diesem Zweck wird die untere Elektrode des Kondensators durch eine Siliciumschicht gebildet, die leicht oder gar nicht dotiert ist. ·

Die gleichzeitige Ausbildung der Matrixzellen der Aktiv-

matrix und der peripheren Steuerschaltung mit der Silicium-Dünnschicht auf dem Isoliersubstrat erlaubt eine leichte Verbindungsverdrahtung und maclt den gesamten Zusammenbau kostengünstiger. Da die periphere Steuerschaltung ein nicht-invertierendes, verhältnisloses * Schieberegister enthält, wie in den Fig. 11 und 13 gezeigt, wobei die parasitäre Kapazität in großem Ausmaß reduziert ist, können eine Verringerung des Gesamtstromverbrauchs, eine vergrößerte Ausbeute und geringere Kosten erreicht werden.

Wie oben beschrieben, schafft die Erfindung eine Aktivmatrix mit SiIiciumtransistören und Siliciumkondensatoren auf einem Substrat und ist vorteilhafter als bekannte Vorrichtungen aus folgenden Gründen:

Das Herstellungsverfahren ist einfach und kostengünstiger. Bei Blocksilicium waren früher sechs getrennte Fotoätzschritte erforderlich, während drei oder vier Fotoätzschritte gemäß der Erfindung ausreichen. Man kann eine erhöhte Ausbeute erwarten, da im Vergleich zu Blocksilicium sehr viel weniger PN-übergänge mit geringem Übergangsleckstrom vorhanden sind.

90% oder mehr des von oben einfallenden Lichts geht hindurch und die Diffusionszeit bzw» die Lebensdauer der Ladungsträger im Polysilicium ist kurz, so daß im wesentlichen kein Fotostrom erzeugt wird, und der Leckstrom infolge einfallenden Lichts 10 pA oder weniger beträgt, selbst wenn das einfallende Licht eine Beleuchtungsstärke von 10000 Ix besitzt. Ein wiedergegebenes Bild verschwindet deshalb nicht unter dem Einfluß einfallenden Lichts.

Wenn das transparente Substrat unter der Steuerung einer

transparenten Flüssigkristallansteuerung steht, können Feldeffektflüssigkristalle mit einem maximalen Kontrast verwendet, werden, so daß der Anzeigeschirm ein hohes Ausmaß an Helligkeit aufweist und die Anzeige eine besonders gute Qualität besitzt.

Wenn das Substrat aus Glas oder einem ähnlichen Material besteht, kann das Anzeigefeld leicht zusammengesetzt werden und die Ausbeute beim Zusammenbau vergrößert werden sowie schließlich der Zusammenbau selbst verglichen mit Vorrichtungen auf der Basis herkömmlichen Blocksiliciums vereinfacht werden.

Mit der peripheren Steuerschaltung für die Aktivmatrix kann eine große Verringerung des Stromverbrauchs erzielt werden.

Das Aktivmatrixanzeigefeld gemäß der Erfindung ermöglicht einen tragbaren Flüssigkristallfernsehempfänger mit geringem Stromverbrauch. Es kann ein Fernsehschirm aufgebaut werden, der einen hohen Kontrast auch dann liefert, wenn er außerhalb geschlossener Räume bei hoher Sonneneinstrahlung benutzt wird.

* unter einem "verhältnislosen" Schieberegister ist ein MOS-Schieberegister zu verstehen, bei dem das Verhältnis von Größe des aktiven Transistors zu der des Lasttransistors keinen Einfluß hat.

Claims

BLUMBACH- WESHRVs^R6£lSf .· KRAMER ZWIRNER - HOFFMANN

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Patentansprüche

■1.1 Aktivmatrixanordnung für eine Anzeigevorrichtung, gekennzeichnet , durch eine Siliciumdünnschicht (40, Fig. 5A; 75, Fig. 9A; 75', Fig. 9B), die den Kanal (30, Fig. 4; 54, Fig. 8A; 78, Fig. 9A; 78', Fig. 9B) eines Transistors bildet.

2, Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 1, g e k e η η zeichnet durch eine erste Siliciumdünnschicht (40, Fig. 5; 51, 53, Fig. 8; 72, 73, Fig. 9A; 72 V, 73', Fig. 9B), einen auf der ersten Siliciumdünnschicht ausgebildeten Isolierfilm (41, Fig. 5; 55, 56, Fig. 8; 74, Fig. 9A; 74', Fig. 9B) und auf dem Isolierfilm eine zweite Siliciumdünnschicht (38, Fig. 5; 5O₇ 52, 54, Fig. 8; 75, Fig. 9A; 75^f, Fig. 9B).

3. Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die eine Siliciumdünnschicht den Kanal und die andere das Gate eines

München: R. Kramer Dipt.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · E. Hoffmann Dlpl.-lng. Wiesbaden: P, G. Blumbach Dipl.-Ing. · P.Bergen Prof. Dr. jur.Dipl.-lng^Pat.-Ass., Pat.-Anw. bis 1979 ■ G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.

Transistors bilden.

4. Äktiymatrixanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet _T daß der Isolierfilm (56, Fig. 8; 74', Fig. 9B) eine dielektrische Schicht eines Kondensators und die beiden Siliciumdünnschichten (52, 53, Fig. 8; 72', 75', Fig. 9B) jeweilige Elektroden des Kondensators bilden.

5. Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß auf der zweiten SiIiciumdünnschicht (38, Fig. 4B) ein zweiter Isolierfilm (37, Fig. 4B) und auf diesem ein Verdrahtungsmaterial (31) ausgebildet sind, wobei der Zweite Isolierfilm eine dielektrische Schicht eines Speicherkondensators und die zweite Siliciumdünnschicht sowie das Verdrahtungsmaterial jeweilige Elektroden des Kondensators bilden.

6. Aktivmatrixanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß sie mittels eines Niedrigtemperaturverfahrens bei einer Temperatur von 600^eC oder darunter hergestellt ist und daß der erste und/oder der zweite Isolierfilm ein in einem O₂~Plasma gebildeter Oxidfilm ist.

7. Aktivmatrixanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumdünnschicht an der Stelle des Kanals mittels eines Laserstrahls oder eines Elektronenstrahls einer Wärmebehandlung unterzogen ist.

8. Aktivmatrixanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet _s daß die Siliciumdünnschicht bei einer Temperatur von 600⁰C

oder weniger mittels eines CVD-Verfahrens bei reduziertem Druck hergestellt ist.

9. Aktivmatrixanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumdünnschicht eine Dicke von 0,37 um oder weniger besitzt.

10. Aktivmatrixanordnurig nach einem der Ansprüche 1 bis 4,-" gekennzeichnet durch ein transparentes Substrat und eine transparente Steuerelektrode für einen Flüssigkristall auf diesem Substrat.

11. Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 10, gekenn zeichnet durch ein Verdrahtungsmaterial für eine Datenleitung, wobei die transparente Steuerelektrode aus dem gleichen Material wie die Datenleitung gebildet ist.

-12. Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die transparente Steuerelektrode aus einem transparenten leitenden Film, einem Film aus Metall mit einer Dicke von 0,05 μπι oder weniger oder einer Siliciumdünnschicht besteht.

.

13. Aktivmatrixanordnung nach einem der Ansprüche 1

bis 5, dadurch ge kenn ze ichne t daß sie mittels eines Hochtemperaturverfahrens bei 600⁰C oder mehr hergestellt ist und der erste und/oder der zweite Isolierfilm durch thermische Oxidation der ersten bzw. der zweiten Siliciumdünnschicht gebildet ist.

14. Aktivmatrixanordnung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch einen nach Art einer verdrillten nematischen Zelle ansteuerbaren Flüssig-

kristall für ein Anzeigefeld.

15. Aktxvmatrixanordnung nach einem der vorhergehenden

Ansprüche, gekennzeichnet durch ein Substrat, auf welchem die Aktivmatrix und eine periphere Steuerschaltung ausgebildet sind, welche ein nicht-invertierendes verhältnisloses Schieberegister aufweist.