DE3587737T2

DE3587737T2 - Flüssigkristallanzeigeschirm und Verfahren zu seiner Herstellung.

Info

Publication number: DE3587737T2
Application number: DE85308217T
Authority: DE
Inventors: Shunpei Semiconductor Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1984-11-12
Filing date: 1985-11-12
Publication date: 1994-05-05
Anticipated expiration: 2005-11-13
Also published as: KR900006938B1; US4828363A; EP0184341A2; KR860004326A; EP0184341A3; EP0184341B1; CN1003959B; US4850679A; US4846558A; DE3587737D1; CN85109301A

Description

Die Erfindung betrifft einen Flüssigkristallanzeigeschirm, der Flüssigkristallpixelelemente verwendet, von denen jedes ein nicht lineares Element mit einer Diodencharakteristik und ein Flüssigkristallelement umfaßt. Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkristallanzeigeschirms
Es ist ein Anzeigeschirm vorgeschlagen worden, der m·n (mit n≥1 und m≥1) Flüssigkristallpixelelemente M&sub1;&sub1; bis M1n, M&sub2;&sub1; bis M2n . . . und Mm1 bis Mmn verwendet. Das Flüssigkristallpixelelement M&ijlig; (mit i = 1, 2 . . . n, j = 1, 2 . . . n) umfaßt ein nichtlineares Element U&ijlig; mit einer Diodencharakteristik und ein Flüssigkristallelement L&ijlig;.
In diesem Anzeigeschirm ist das Flüssigkristallpixelelement M&ijlig; mit einer Zeilenleiterlage Fi und einer Spaltenleiterlage H an deren Schnittpunkt verbunden.
Mit einem solchen Anzeigeschirm kann eine Bildanzeige vorgesehen werden, indem die Flüssigkristallpixelelemente M&sub1;&sub1; bis Mmn unter Benutzung der Zeilenleiterlagen Fi bis Fm und der Spaltenleiterlagen H&sub1; bis Hn angetrieben bzw. angesteuert werden.
Beispiele für solche Einrichtungen sind in der U.S.-PS 4,413,883 und der europäischen Patentanmeldung EP-A-0070598 beschrieben.
Der bekannte Typ eines Anzeigeschirms ist komplex in der Struktur des nichtlinearen Elementes U&ijlig;, in der Struktur des Flüssigkristallelementes L&ijlig; und in der Struktur zur Verbindung des Flüssigkristallpixelelementes M&ijlig; mit der Zeilenleiterlage Fi und der Spaltenleiterlage Hj.
Aufgrund dessen ist der bekannte Flüssigkristallanzeigeschirm schwierig herzustellen und kostspielig.
Weiterhin ist es schwierig m·n Flüssigkristallpixelelemente M&sub1;&sub1; bis Mmn in einer (m·n) Matrixform mit einer hohen Dichte anzuordnen, so daß die Auflösung der Bildanzeige relativ niedrig bzw. schlecht ist.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen neuen Flüssigkristallanzeigeschirm vorzuschlagen, der Flüssigkristallpixelelemente benutzt, von denen jedes ein Flüssigkristallelement und ein nichtlineares Element mit einer Diodencharakteristik umfaßt und mit dem nichtlinearen Element in Reihe verbunden ist.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, neue Verfahren für die Herstellung eines solchen Flüssigkristallanzeigeschirms vorzuschlagen.
Gemäß einem ersten Aspekt sieht die Erfindung eine Flüssigkristallpixelanzeige vor mit einem ersten und einem zweiten Substratglied, die einander gegenüberliegend in einem vorbestimmten Abstand im wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind, und mit Flüssigkristall, welches zwischen das erste und das zweite Substratglied eingefüllt ist; wobei das erste Substratglied ein erstes Substrat, m streifenähnliche Zeilenelektroden F&sub1;, F&sub2; . . . Fm, die auf der inneren Oberfläche des ersten Substrates angeordnet sind und jeweils eine Breite w aufweisen, und n Anzeigeelektroden C&ijlig; (mit j = 1, 2 . . . n), die mit jeder Zeilenelektrode Fi (mit i = 1, 2 . . . m) durch ein zugeordnetes nichtlineares Element U&ijlig; mit einer Diodencharakteristik gekoppelt sind, umfaßt; das zweite Substratglied ein zweites Substrat und eine Vielzahl von n·q mit q als ganzer Zahl gleich oder größer 1, streifenähnlicher Leiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; . . . H1q; H&sub2;&sub1; H&sub2;&sub2; . . . H2q; . . . und Hn1, Hn2 . . . Hnq, die sequentiell bzw. aufeinanderfolgend auf der inneren Oberfläche des zweiten Substrats in der Zeilenrichtung angeordnet sind und sich in der Spaltenrichtung erstrecken umfaßt, während die Leiterlagen Hj1 bis Hjq gegenüber den Anzeigenelektroden C1j bis Cmj angeordnet sind;
die sich dadurch auszeichnet, daß jedes nichtlineare Element U&ijlig; als ein Laminat A&ijlig; vorgesehen ist mit einer ersten Lage Q&ijlig; die auf einem Teil D&ijlig; der zugeordneten Zeilenelektrode Fi angeordnet ist, wobei jede Lage Q&ijlig; in der Zeilenrichtung angeordnet ist und im wesentlichen dieselbe Breite w wie die Zeilenelektrode Fi aufweist, und mit einer zweiten Leiterlage Ei, die auf der Lage Q&ijlig; ausgebildet ist und im wesentlichen dieselbe Breite w wie die Lage Q&ijlig; aufweist, wobei die zwei Seitenflächen des Laminates A&ijlig;, die sich in der Zeilenrichtung erstrecken, mit Isoliermaterial (K&ijlig;, K&ijlig;'; Ki) bedeckt sind und die zugeordnete Anzeigeelektrode C&ijlig; im wesentlichen eine Breite gleich der Länge des Laminates aufweist und sich in einer Spaltenrichtung über das Laminat A&ijlig; und auf das Isoliermaterial erstreckt.
Bei bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung umfaßt der Flüssigkristallanzeigeschirm (a) ein erstes und ein zweites Substratglied, die gegenüberliegend in einem vorbestimmten Abstand im wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind, und (b) Flüssigkristall, welches zwischen das erste und zweite Substratglied eingefüllt ist.
Das erste Substratglied umfaßt (a) ein erstes Substrat mit einer isolierenden Oberfläche, (b) eine Vielzahl m von streifenähnlichen Leiterlagen F&sub1;, F&sub2;, F&sub3; . . . Fm, die auf dem ersten Substrat in der Spaltenrichtung angeordnet sind und sich in der Zeilenrichtung erstrecken, (c) eine Vielzahl n von Lagen Qi1 bis Qin, die auf der Leiterlage Fi (mit i = 1, 2 . . . m) in der Zeilenrichtung angeordnet sind und im wesentlichen dieselbe Breite wie die letztere haben, (d) eine Leiterlage E&ijlig;, die auf der Lage Q&ijlig; (mit j = 1, 2 . . . m) geformt ist und dieselbe Breite und Länge wie die letztere hat, (e) einen Teil D&ijlig; der Leiterlage Fi, der unter der Lage Q&ijlig; liegt, wobei die Lage Q&ijlig; und die Leiterlage E&ijlig; ein Laminatglied A&ijlig; bilden, (f) Isolierlagen K&ijlig; und K&ijlig;', die jede über die gesamten Bereiche der Seitenflächen des Laminatgliedes gebildet sind (oder (f)' Isolierlagen Ki, die auf dem ersten Substrat ausgebildet sind und sich zwischen dem Laminatglied Ai1 bis Ain und A(i+1)1 bis A(i+1)n erstrecken) und (g) eine Leiterlage C&ijlig; die auf dem ersten Substrat und entsprechend dem Laminatglied A&ijlig; ausgebildet ist, wobei die Leiterlage C&ijlig; im wesentlichen ebenso breit wie das Laminatglied A&ijlig; lang ist und sich auf der Seitenfläche der Isolierlage K&ijlig; und auf die Isolierlage K&ijlig;, das Laminatglied Au und die Isolierlage K&ijlig;' erstreckt und die beiden Seitenflächen, die die Breite der Leiterlage C&ijlig; begrenzen, im wesentlichen mit den beiden Seitenflächen übereinstimmen, die die Länge des Laminatgliedes A&ijlig; begrenzen bzw. definieren (oder (g)' eine Leiterlage C&ijlig;, die auf der Isolierlage Ki und entsprechend dem Laminatglied A&ijlig; geformt ist, wobei die Leiterlage C&ijlig; im wesentlichen ebenso breit wie das Laminatglied A&ijlig; lang ist und sich auf das Laminatglied A&ijlig; erstreckt und die beiden Seitenflächen, die die Breite der Leiterlage C&ijlig; begrenzen bzw. definieren, im wesentlichen mit den beiden Seitenflächen übereinstimmen, die die Länge des Laminatgliedes A&ijlig; begrenzen).
Das zweite Substratglied umfaßt (a) ein zweites Substrat mit einer isolierenden Oberfläche und (b) eine Vielzahl n·q (mit q als einer ganzen Zahl gleich oder größer 1) streifenähnlicher Leiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; . . . H1q; H&sub2;&sub1;, H&sub2;&sub2; . . . H2q; . . . und Hn1, Hn2, Hn3 . . . Hnq die sequentiell bzw. aufeinanderfolgend auf dem zweiten Substrat in der Zeilenrichtung angeordnet sind und sich in der Spaltenrichtung erstrecken, wobei die Leiterlagen Hj1 bis Hjq den Leiterlagen C1j bis Cmj gegenüberliegen.
Das Laminatglied A&ijlig; bildet ein nichtlineares Element U&ijlig; Die Leiterlage Hjr (wobei r = 1, 2, . . . q ist), ein Teil B&ijlig;r der Leiterlage C&ijlig;, der der Leiterlage Hjr gegenüberliegt, und der Teil des Flüssigkristalls, der zwischen die Leiterlage Hjr und den Teil B&ijlig;r gefüllt ist, bildet ein Flüssigkristallelement L&ijlig;r.
Bei einem solchen Flüssigkristallanzeigeschirm gemäß der Erfindung kann das Flüssigkristallelement L&ijlig;r angetrieben bzw. angesteuert werden, indem ein Steuersignal an das Flüssigkristallanzeigelement M&ijlig;r über die Reihenleiterlage Fi und die Spaltenleiterlage Hjr angelegt wird. Infolgedessen sieht der Flüssigkristallanzeigeschirm eine Bildanzeige vor.
Da das Flüssigkristallelement L&ijlig;r durch die Leiterlage Hjr, den Teil B&ijlig;r der Leiterlage C&ijlig;, der der Leiterlage Hjr gegenüberliegt, und den Teil des Flüssigkristalls zwischen der Leiterlage Hjr und dem Teil B&ijlig;r gebildet wird, wie es oben erwähnt worden ist, ist das Flüssigkristallelement L&ijlig;r einfach in der Struktur.
Weiterhin wird das nichtlineare Element U&ijlig; von dem vorstehend erwähnten Laminatglied A&ijlig; gebildet und ist somit einfach in der Konstruktion.
Der Flüssigkristallanzeigeschirm gemäß der vorliegenden Erfindung ist einfach strukturiert insofern, als das Flüssigkristallanzeigeelement L&ijlig;r und das nichtlineare Element U&ijlig; über die Leiterlage C&ijlig; in Reihe verbunden sind, um die Flüssigkristallanzeigeeinrichtung M&ijlig;r zu bilden und insofern, als die Flüssigkristallanzeigeeinrichtung M&ijlig;r an einer Seite mit der Zeilenleiterlage Fi, die die andere Elektrode des nichtlinearen Elementes U&ijlig; bildet, und an der anderen Seite mit der Spaltenleiterlage Hjr, die die andere Elektrode des Flüssiganzeigeelementes L&ijlig;r bildet, verbunden ist.
Infolgedessen ist der erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigeschirm weit einfacher in der Struktur bzw. im Aufbau als es bekannt war; infolgedessen können m·(m·g) Anzeigekristallelemente M&sub1;&sub1;&sub1; bis Mmmq in einer m·(n·q) Matrixform mit einer hohen Dichte angeordnet werden, wodurch eine Bildanzeige mit hoher Auflösung vorgesehen wird.
Darüber hinaus kann gemäß der Erfindung der Flüssigkristallanzeigeschirm mit der vorstehenden exzellenten Eigenschaft durch ein erfindungsgemäßes Herstellungsverfahren produziert werden mit den Schritten (A) Präparieren eines ersten Substratgliedes, (B) Präparieren eines zweiten Substratgliedes, (C) Drehen des zweiten Substratgliedes mit der Oberseite nach unten und Anordnen des ersten und zweiten Substratgliedes in einer gegenüberliegenden und im wesentlichen parallelen Beziehung zueinander und (D) Füllen von Flüssigkristall in den Spalt, der durch das erste und das zweite Substratglied umgrenzt wird.
Das Präparieren eines ersten Substratgliedes umfaßt die Schritte (a) Bilden eines Laminatgliedes A, welches sich aus einer Leiterlage F, einer Lage Q und einer Leiterlage E, die in dieser Reihenfolge laminiert sind, zusammensetzt, und zwar auf einem ersten Substrat, (b) Strukturieren des Laminatgliedes A in eine erste Vielzahl von m streifenähnlichen Laminatgliedern A&sub1; bis Am, die aufeinanderfolgend in der Spaltenrichtung angeordnet sind und sich in der Zeilenrichtung erstrecken, (c) Ablagern bzw. Abscheiden einer Isolierlage K über dem gesamten Bereich des ersten Substrates, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am abzudecken; (d) selektives Wegätzen der Isolierlage K zur Bildung von Isolierlagen Ki (und Ki') auf beiden Seiten des Laminatgliedes Ai (wobei i = 1, 2 . . .m ist) die die Breite der Laminatglieder Ai definieren bzw. begrenzen; (e) Formen einer Leiterlage C über den gesamten Bereich des ersten Substrates, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km (und K&sub1;' bis Km') abzudecken; und (f) Strukturieren der Leiterlage C, der zweiten Leiterlagen E&sub1; bis Em und der Lagen Q&sub1; bis Qm, um Anzeigeelektroden Ci1 bis Cin zu formen, die sich über das Laminatglied Ai und auf die Isolierlage Ki erstrecken, und um aus jedem Laminatglied Aj eine Vielzahl von n getrennten Laminatgliedern A&ijlig; (für j = 1 bis n) zu bilden, von denen sich jedes aus einer Leiterlage E&ijlig;, einer Lage Q&ijlig; und einem unter der Lage Q&ijlig; liegenden Teil D&ijlig; der Zeilenelektrode Fi zusammensetzt.
Das Präparieren eines zweiten Substratgliedes umfaßt die Schritte, auf einem zweiten Substrat mit einer isolierenden Oberfläche eine Vielzahl von n·q, mit q als einer ganzen Zahl gleich oder größer 1, Leiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; . . . H1q; H&sub2;&sub1;, H&sub2;&sub2; . . . H2q; . . . und Hn1, Hn2 . . . Hq zu bilden, die aufeinanderfolgend in der Zeilenrichtung angeordnet sind und sich in der Spaltenrichtung erstrecken, wobei die Leiterlagen Hj1, Hj2, . . . und Hiq den Anzeigeelektroden C1j, C2j, . . . und Cmj des ersten Substratgliedes entsprechen.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren erfordert nur drei Masken für die Fabrikation der Flüssigkristallanzeige, d. h. eine für die Formierung der Laminatglieder A&sub1; bis Am, eine für die Formierung der Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cm und die Laminatglieder A&sub1;&sub1; bis Amm und eine für die Formierung der Leiterlagen H&sub1;&sub1; H1r bis Hn1 Hnr.
Infolgedessen kann der Flüssigkristallanzeigeschirm mit den vorstehenden Vorteilen leicht mit geringen Kosten hergestellt werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfassen die Schritte (c) bis (f) zum Präparieren des ersten Substratgliedes die Schritte: (c) Ablagern bzw. Abscheiden einer Isolierlage K mit einer Dicke geringer als die Laminatglieder A&sub1; bis Am über den gesamten Bereich des ersten Substrates, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am abzudecken, (oder (C)' Abscheiden einer Isolierlage K mit einer Dicke größer als die Laminatglieder A&sub1; bis Am über den gesamten Bereich des ersten Substrats, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am zu bedecken), (d) selektives Wegätzen der Isolierlage K, um auf beiden Seiten des Laminatgliedes Ai (mit i = 1, 2 . . .m) zu formen, die die Breite des zweiten Laminatgliedes Ai begrenzen bzw. definieren, (oder (d)' selektives Wegätzen der Isolierlage K, um eine Isolierlage Ki zu formen, die sich zwischen den Laminatgliedern Ai und A(i+1) erstreckt und mit diesen bündig ist), (e) Formen einer Leiterlage C über den gesamten Bereich des ersten Substrats, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km und K&sub1;' bis Km' abzudecken, (oder (e)' Formen einer Leiterlage C über den gesamten Bereich des ersten Substrates, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km abzudecken) und (f) Strukturieren der Leiterlage C, der zweiten Leiterlagen E&sub1; bis Em und der Lagen Q&sub1; bis Qm, um Anzeigeelektroden Ci1 bis Cin, die sich von dem Substrat auf die Isolierlage Ki und das Laminatglied Ai erstrecken und an der Seitenfläche der Isolierlage Ki vorbeigehen, Lagen Qi1 bis Qin und Leiterlagen Ei1 bis Ein zu bilden, wobei ein unter der Lage Q&ijlig; liegender Teil D&ijlig; der Leiterlage Fi1 die Lage Q&ijlig; und die Leiterlage E&ijlig; das Laminatglied A&ijlig; bilden, (oder (f)' Strukturieren der Leiterlage C, der zweiten Leiterlagen E&sub1; bis Em und der Lagen Q&sub1; bis Qm, um Leiterlagen Ci1 bis Cin, die sich von der Isolierlage Ki auf das Laminatglied Ai erstrecken, Lagen Qi1 bis Qin und Leiterlagen Ei1 bis Ein bilden, wobei ein unter der Lage Q&ijlig; liegender Teil D&ijlig; der Reihenelektrode Fi, die Lage Q&ijlig; und die Leiterlage E&ijlig; das Laminatglied A&ijlig; bilden).
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung beispielsweise beschrieben; in dieser zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht, die eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms schematisch veranschaulicht;
Fig. 2, 3, 4 u. 5 Schnittansichten entlang den Linien II-II, III-III, IV-IV bzw. V-V in Fig. 1;
Fig. 6 eine graphische Darstellung, die die Spannungs(V)- Strom (I)- Kennlinie des nichtlinearen Elementes, welches in dem in den Fig. 1 bis 5 gezeigten, erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirm benutzt wird, in Vergleich mit der V-I- Kennlinie eines bekannten nichtlinearen Elementes zeigt;
Fig. 7 eine graphische Darstellung, die einen Teil der in Fig. 6 gezeigten V-I-Kennlinie wiedergibt,
Fig. 8 ein elektrisches Verbindungsdiagramm des in den Fig. 1 bis 5 gezeigten, erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms, Fig. 9-14 Diagramme zur Erläuterung der Herstellung des Flüssigkristallanzeigeschirms mit dem erfindungsgemäßen Verfahren,
Fig. 15 eine Draufsicht, die eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms zeigt,
Fig. 16, 17 u. 18 Schnittansichten entlang den Linien XVI- XVI, XVII-XVII, XVIII-XVIII bzw. XIX-XIX in Fig. 15,
Fig. 20 ein elektrisches Verbindungsdiagramm des in den Fig. 15 bis 19 gezeigten erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms und
Fig. 21 bis 26 Diagramme, die die Herstellung des in den Fig. 15 bis 19 gezeigten Flüssigkristallanzeigeschirms gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren veranschaulichen.
Fig. 1 bis 5 zeigen eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms, in welchem ein Substrat 1 eine isolierende Oberfläche aufweist. Das Substrat 1 ist beispielsweise aus alkalifreiem Glas hergestellt.
Auf dem Substrat 1 sind aufeinanderfolgend in Spaltenrichtung eine Vielzahl m von Zeilenleiterlagen F&sub1;, F&sub2; . . . Fm angeordnet. Die Zeilenleiterlage Fi, ebenfalls Zeilenelektrode genannt, kann bevorzugt aus einer Lage 2, die beispielsweise aus Aluminium gebildet ist, und einer nicht transparenten Lage 3, die beispielsweise aus Chrom gebildet ist, zusammengesetzt sein.
Auf der Zeilenleiterlage Fi ist aufeinanderfolgend eine Vielzahl von n Lagen Qi1, Qi2 . . . Qin ausgebildet, von denen jede beispielsweise als Nicht-Einkristall-Halbleiter ausgebildet ist. Die Lagen Qi1, Qi2 . . . Qin haben dieselbe Breite wie die Zeilenleiterlage Fi.
Die Lage Qi1 (mit i = 1, 2 . . . m und j = 1, 2 . . . n) kann vorgesehen sein beispielsweise mit einer Struktur vom n-i-n- Typ bzw. n-i-n-Struktur, die sich aus einer n-Typ-Lage bzw. einer n-Lage einer i-Lage und einer n-Lage zusammensetzt, mit einer n-i-p (oder p&supmin;)-i-n-Struktur, die sich aus einer n-Lage, einer i-Lage, einer p (oder p&supmin;)-Lage, einer i-Lage und einer n-Lage zusammensetzt, einer p-i-p-Struktur, die sich aus einer p-Lage, einer i-Lage und einer p-Lage zusammensetzt, oder mit einer p-i-n (oder n&supmin;)-i-p-Struktur, die sich aus einer p-Lage, einer i-Lage, einer n (oder n&supmin;)-Lage, einer i-Lage und einer p-Lage zusammensetzt. Die Lage Q&ijlig; kann ebenfalls nur eine sehr dünne isolierende Lage sein, die Tunnelstrom hindurchgehen läßt. Jedoch zeigen die Fig. 1 bis 5 den Fall, bei welchem die Lage Q&ijlig; die n-i-n-Struktur aufweist. Aus Gründen der Kürze bezieht sich die folgende Beschreibung auf den Fall, bei welchem die Lage Q&ijlig; die n-i-n- Struktur aufweist.
Die Lage Q&ijlig; hat eine n-Nicht-Einkristall-Siliciumlage 21, die auf der Zeilenleiterlage Fi gebildet ist, eine i-Lage 22 eines Nicht-Einkristall-Halbleiters, der auf der Lage 21 ausgebildet ist, und eine n-Nicht-Einkristall-Siliciumlage 23, die auf der Lage 22 ausgebildet ist. Die Lage 22 ist prinzipiell aus Silicium gebildet, enthält jedoch Kohlenstoff (C)' Stickstoff (N) oder Sauerstoff (O) in einer Menge von 1/10 oder weniger relativ zum Silicium und ist somit aus einem Nicht-Einkristall-Halbleiter dargestellt durch SixCix (mit 0< x< 1) gebildet.
Die Lage Q&ijlig; ist über dem gesamten Bereich ihrer oberen Fläche mit einer leitenden Lage E&ijlig; bedeckt. Die leitende Lage E&ijlig; ist beispielsweise aus Chrom gebildet.
Der Teil der leitenden Lage Fi, der unter der Lage Q&ijlig; liegt, die Lage Q&ijlig; und die leitende Lage E&ijlig; bilden ein Lagenglied A&ijlig;.
Die Lagenglieder A&ijlig; sind über den gesamten Bereich ihrer gegenüberliegenden seitlichen Oberflächen mit isolierenden Lagen K&ijlig; bzw. K&ijlig;' bedeckt. Die isolierenden Lagen K&ijlig; und sind beispielsweise aus Siliciumnitrit oder Siliciumoxid gebildet und haben eine Dicke von 0,1 bis 0,5 um.
Auf dem Substrat 1 sind in einer Matrixform m·n (mit m> 1, und n> 1) leitende Lagen C&sub1;&sub1; bis C1n, C&sub2;&sub1; bis C2n, C&sub3;&sub1; bis C3n, . . . und Cm1 bis Cmn angeordnet, wobei diese Lagen C&ijlig; ebenfalls Anzeigeelektroden genannt werden.
Die leitende Lage C&ijlig; (mit i = 1, 2, . . . m und j = 1, 2, . . . n) ist in der Gestalt rechtwinklig und umfaßt einen relativ großen Bereich, beispielsweise 100 um Breite und 150 um Länge.
Die leitende Lage bzw. Leiterlage C&ijlig; erstreckt sich auf dem Lagenglied A&ijlig;, d. h. der Leiterlage E&ijlig; und der isolierenden Lage K&ijlig; und K&ijlig;' durch die Seitenfläche der isolierenden Lage bzw. Isolierlage K&ijlig; und stellt Kontakt mit der Leiterlage E&ijlig; her. Die Leiterlage C&ijlig; hat im wesentlichen dieselbe Breite wie die Länge des Lagengliedes A&ijlig;, d. h. die Leiterlage E&ijlig;, und ist beispielsweise aus Chrom und nicht transparent ausgebildet. In diesem Fall sind die gegenüberliegenden Seitenflächen der Leiterlage C&ijlig;, die die Breite der Leiterlage C&ijlig; bestimmen, im wesentlichen mit den gegenüberliegenden Seitenflächen des Lagengliedes A&ijlig; ausgerichtet bzw. gefluchtet, die die Länge des Lagengliedes A&ijlig; bestimmen.
Weiterhin ist eine relativ dünne Isolationsschutzlage 25 auf dem Substrat 1 abgeschieden bzw. aufgebracht, um die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn, die aktiven Lagen bzw. Aktivlagen A&sub1;&sub1; bis A1n, A&sub2;&sub1; bis A2n . . . Am1 bis Amn, die Isolierlagen K&sub1;&sub1; bis Kmn und K&sub1;&sub1;' bis Knn' und Teile der zeilenleitenden Lagen bzw. Zeilenleiterlagen F&sub1;, F&sub2; . . . Fm, die nicht mit den Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis C1n, C&sub2;&sub1; bis C&sub2; . . . Cm1 bis Cmn bedeckt sind, zu bedecken.
Die Leiterlagen F&sub1; bis Fm, die Lagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn, die Isolierlagen K&sub1;&sub1; bis Kmn und K&sub1;&sub1;' bis Kmn und die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn bilden ein Substratglied 7.
Das Substratglied 7 wird beispielsweise wie folgt geformt:
Eine Leiterlage F, die schließlich die Zeilenleiterlagen F&sub1; bis Fm bilden wird, eine Lage Q, die schließlich die Lagen Q&sub1;&sub1; bis Qmn bilden wird, und eine Leiterlage E, die schließlich die Leiterlagen E&sub1;&sub1; bis Emn bilden wird, werden in dieser Reihenfolge auf dem Substrat 1 abgeschieden bzw. abgelagert, wie es in den Fig. 9A bis 9E gezeigt ist. Die Leiterlage F, die Lage Q und die Leiterlage E bilden ein Lagenglied A, welches schließlich die Lagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn bildet.
Die Leiterlage F kann durch eine bekannte Methode, beispielsweise durch ein Kathodenzerstäubungs- oder Elektronenstrahlverdampfungs-Verfahren geformt bzw. hergestellt werden.
Die Lage Q kann ebenfalls durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise ein CVD-, Plasma-CVD- oder Photo-CVD-Verfahren geformt werden.
In meinem Experiment wurde das Substrat 1 mit darauf gebildeter Leiterlage F durch eine Lade- und Entladekammer in eine erste Reaktionskammer geladen, in welcher eine Glimmentladung über dem Substrat 1 mit einer Hochfrequenz von 13,56 MHz in einer Atmosphäre mit Silan SiH&sub4;, Phosphin PH&sub3; und Wasserstoff erzeugt wurde, wobei die Substrattemperatur in dem Bereich von 200 bis 250ºC gehalten wurde. Als Folge dessen wurde eine mikrokristalline n-Siliciumlage, die eine Leitfähigkeit von 10&supmin;² bis 10² (Ωcm)&supmin;¹ aufwies und Wasserstoff als ein Rekombinationszentrums-Neutralisiermittel enthielt, 300 bis 1000 Å dick auf der Leiterlage F abgelagert. Als nächstes wurde das Substrat 1 von der ersten Reaktionskammer in die nächste zweite Reaktionskammer bewegt, in welcher eine Gasmischung aus Silan SimH2m+2 (mit m = 1, 2, 3, . . . ) (beispielsweise SiH&sub4;) und Methylsilan Sin(CH&sub3;)4-n (mit n = 1, 2, 3) in ein Plasma entladen, durch welches eine i-Einkristallsiliciumlage von SixC1x 0,2 bis
1 um dick auf der n-Lage abgelagert wurde. Danach wurde das Substrat 1 von der zweiten Reaktionskammer zu der ersten Reaktionskammer zurückgeführt, in welcher eine andere n-Lage ähnlich der obigen n-Lage durch dieselbe Methode auf der i- Nicht-Einkristall-Siliciumlage abgelagert wurde, wodurch das Laminatglied Q mit n-i-n-Struktur erhalten wurde.
Die Leiterlage E kann ebenfalls durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise durch ein Zerstäubungs- bzw. Vakuumzerstäubungs- oder ein Elektronenstrahlverdampfungsverfahren gebildet werden.
Als nächstes wird das Lagenglied A einem bekannten Strukturierungsprozess unter Benutzung einer ersten Maske unterworfen, wobei m Lagenglieder A&sub1; bis Am derselben Struktur als Zeilenleiterlagen F&sub1; bis Fm vorgesehen werden, wie es in den Fig. 10A bis 10E gezeigt ist.
Als nächstes wird eine Isolierlage K, die letztlich die Isolierlagen K&sub1;&sub1; bis Kmn und K&sub1;&sub1;' bis Kmn' bildet, und die relativ dünn im Vergleich zum Lagenglied A&sub1; bis Am ist, durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise ein Plasma-CVD-Verfahren auf der gesamten Oberfläche des Substrates 1 abgelagert, um die Aktivlagen A&sub1; bis Am zu bedecken, wie es in den Fig. 11A bis 11E gezeigt ist.
Als nächstes wird die Isolierlage K selektiv durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise ein Plasma-Ätzverfahren weggeätzt, um Isolierlagen Ki und Ki' auf beiden Seiten des Laminatgliedes Ai zu formen, die die Breite des Laminatgliedes Ai begrenzen, wie es in den Fig. 12A bis 12E gezeigt ist.
Als nächstes wird eine Leiterlage C auf dem gesamten Bereich des Substrates 1 abgelagert, um das Laminatglied A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km und K1' bis Km' zu bedecken, wie es in den Fig. 13A bis 13E gezeigt ist.
Als nächstes werden die Leiterlage C, die Lagen Q&sub1; bis Qm und die Leiterlagen E&sub1; bis Em auf den Lagengliedern A&sub1; bis Am durch ein bekanntes Verfahren unter Benutzung einer zweiten Maske in die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn, die Lagen Q&sub1;&sub1; bis Qmn und die Leiterlagen E&sub1;&sub1; bis Emn strukturiert, wie es in den Fig. 14A bis 14E gezeigt ist. In diesem Fall werden die Leiterlagen F&sub1; bis Fm nicht strukturiert. Die Lage Q&ijlig;, der Teil der Leiterlage Fi, der unter der Lage Q&ijlig; liegt, und die Leiterlage E&ijlig; bilden das Laminatglied Ai
Als nächstes werden die Isolierlagen K&sub1; bis Km und K&sub1;' bis Km' durch ein bekanntes Verfahren weggeätzt in die Isolierlagen K&sub1;&sub1; bis Kmn und K&sub1;&sub1;' bis Kmn'.
Als nächstes wird die dünne Isolierschutzlage 25 auf der gesamten Oberfläche des Substrates 1 abgelagert, um die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn, die Lagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn, die Isolierlagen K&sub1;&sub1; bis Kmn und K&sub1;&sub1;' bis Kmn' und die Teile der Leiterlagen F&sub1; bis Fm, die nicht mit den Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn überdeckt sind, zu überdecken.
Mit Rückbezug auf die Fig. 1 bis 5 wird ein anderes Substratglied 11, welches sich von dem vorstehend erwähnten Substratglied 7 unterscheidet, vorgesehen.
Das Substratglied 11 weist auf einem Substrat 12 entsprechend dem Substrat 1 eine Vielzahl von n·q (mit q≥1, in diesem Fall q = 3) aufeinanderfolgend angeordneter Spaltenleiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; und H&sub1;&sub3;; H&sub2;&sub1;, H&sub2;&sub2; und H&sub2;&sub3;; . . . Hn1, Hn2 und Hn3 aufweist, die jeweils in gegenüberliegender Beziehung bzw. Gegenbeziehung zu den Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cm1; C&sub1;&sub2; bis Cm2; . . . C1n bis Cmn angeordnet sind und sich in Spaltenrichtung erstrecken. Die Spaltenleiterlagen Hj1, Hj2 und Hj3 können erhalten werden, indem eine Leiterlage durch ein bekanntes Verfahren auf dem Substrat 12 geformt und dann die Leiterlagen durch eine dritte Maske strukturiert wird.
Die Spaltenleiterlagen Hj1, Hj2 und Hj3 werden über ihren gesamten Flächen mit roten, grünen bzw. blauen Filtern Sj1, Sj2 bzw. Sj3 bedeckt.
Weiterhin wird eine Isolierschutzlage 26, die beispielsweise aus einem organischen Bereich gebildet ist, auf der gesamten Fläche des Substrates 12 durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise Beschichten abgelagert, um die Filter S&sub1;&sub1; bis Sn1, S&sub1;&sub2; bis Sn2 und S&sub1;&sub3; bis Sn3 zu überdecken.
Das Substratglied 11 wird mit der Oberseite nach unten durch ein geeignetes (nicht gezeigtes) Stützmittel in gegenüberliegender Beziehung zur Oberseite des Substratgliedes 7 parallel dazu angeordnet. In diesem Fall werden die Leiterlagen C1j bis Cmj des Substratgliedes 7 und die Spaltenleiterlagen Hj1, Hj2 und Hj3 des Substratgliedes 11 von Fläche zu Fläche miteinander gehalten.
Ein Raum, der durch die Substratglieder 7 und 11 umgrenzt wird, wird mit Flüssigkristall 13 gefüllt.
In der oben in Verbindung mit den Fig. 1 bis 5 beschriebenen Struktur bilden ein Teil 14 der Leiterlagen C&ijlig; auf dem Substrat 1 und ein Teil 15 der Leiterlage Hjr (mit r = 1, 2, 3) auf dem Substrat 12, die einander gegenüberliegen, und ein Teil 16R des Flüssigkristalls 13 zwischen dem Teil 14 der Leiterlage C&ijlig; und dem Teil 15 der Leiterlage Hjr ein Flüssigkristallelement L&ijlig;r, welches die Teile 14 und 15 als seine Elektroden B&ijlig;r bzw. B&ijlig;r' benutzt.
Wenn geringe Spannungen an das Teil 14, welches als Elektrode B&ijlig;r der Leiterlage C&ijlig; dient, und das Teil 15, welches als Elektrode B&ijlig;r' der Leiterlage Hjr dient, angelegt werden, dann bleibt das Flüssigkristallelement L&ijlig;e opak, wenn jedoch hohe Spannungen angelegt werden, wird es transparent.
Das Lagenglied A&ijlig; bildet ein nichtlineares Element U&ijlig;, welches den Teil 17 der Leiterlage Fi unter der Lage Q&ijlig; und die Leiterlage E&ijlig; als seine Elektroden D&ijlig; bzw. D&ijlig;' benutzt. Das Element U&ijlig; zeigt solche nichtlinearen Spannungs(V)-Strom(A)- Kennlinien 51 und 61, wie sie in den Fig. 6 und 7 gezeigt sind. Das Element U&ijlig; weist eine Verschiebungs- bzw. Versetzungsspannung auf, die in der Mitte zwischen den Spannungen liegt, die das Flüssigkristallelement L&ijlig;r transparent bzw. nicht transparent machen.
Das Flüssigkristallelement L&ijlig;r und das nicht lineare Element U&ijlig; sind in Reihe miteinander verbunden und bilden somit eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung M&ijlig;r.
Gemäß der oben in bezug auf die Fig. 1 bis 5 beschriebenen Anordnung sind die Elektrode B&ijlig;r des Flüssigkristallelementes L&ijlig;r und die Elektrode D&ijlig;r' des nichtlinearen Elementes U&ijlig; miteinander gemeinsam bzw. einander gleich. Die Elektrode B&ijlig;r' der Flüssigkristallelemente L1ær der Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen M&ijlig;r ist mit der Spaltenleiterlage Hjr verbunden, und die Elektrode D&ijlig; des nichtlinearen Elementes U&ijlig; ist mit der Leiterlage F verbunden. Weiterhin sind die Spaltenleiterlagen Hj1, Hj2 und Hj3 mit den roten, grünen bzw. blauen Filtern Sj1, Sj2 und Sj3 bedeckt.
Infolgedessen kann gemäß der in Verbindung mit den Fig. 1 bis 5 beschriebenen Anordnung, da die Flüssigkristallelemente L&ijlig;r gesteuert werden können, transparent bzw. nicht transparent zu sein, indem durch Benutzung von Zeilen- und Spaltendekodern 51X und 51Y an die Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen M&ijlig;1, M&ijlig;2 und M&ijlig;3 über die Leiterlagen Fi und Hj1, Fi und Hj2, und Fi und Hj3 rote, wie in Fig. 8 gezeigt, grüne und blaue Treibsignale bzw. Steuersignale angelegt werden, eine Farbanzeige vorgesehen werden.
Infolgedessen kann der in den Fig. 1 bis 5 gezeigte Flüssigkristallanzeigeschirm mit einer Farbbildanzeige vorgesehen werden.
Die Fig. 15 bis 19 zeigen eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigeschirms.
In den Fig. 15 bis 19 sind gleiche Teile, die denen in den Fig. 1 bis 5 entsprechen, mit denselben Bezugsziffern bezeichnet und es folgt keine detaillierte Beschreibung von diesen.
Der in den Fig. 15 bis 19 gezeigte Flüssigkristallanzeigschirm weist dieselbe Konstruktion, wie sie in den Fig. 1 bis 5 Veranschaulicht ist, auf mit Ausnahme der folgenden Punkte:
Die Isolierlagen Ki1 bis Kin und K(i+1)1', bis K(i+1)n' in den Fig. 1 bis 5 sind durch eine Isolierlage Ki ersetzt. Die Isolierlage Ki erstreckt sich zwischen den Laminatgliedern Ai1 bis Ain und A(i+1)1 bis A(i+1)n und im wesentlichen bündig bzw. fluchtend mit diesen; infolgedessen ist die Leiterlage C&ijlig; auf der Isolierlage Ki geformt und erstreckt sich auf das Laminatglied A&ijlig; und die Isolierlage K(i-1).
Weiterhin sind die Spaltenleiterlagen Hi1, Hj2 und Hj3 in den Fig. 1 bis 5 durch eine Spaltenleiterlage Hi ersetzt und infolgedessen sind die Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen
M&ijlig;1, M&ijlig;2 und M&ijlig;3 durch eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung M&ijlig; ersetzt.
Weiterhin sind die Filter S&sub1;&sub1; bis Sn1, S&sub1;&sub2; bis Sn2 und S&sub1;&sub3; bis Sn3 weggelassen worden.
Gemäß der oben anhand der Fig. 1 bis 5 beschriebenen Ausführungsform stimmen die Elektrode B&ijlig;r des Flüssigkristallelementes L&ijlig; und die Elektrode D&ijlig;' des nichtlinearen Elementes U&ijlig; miteinander überein. Die Elektrode V&ijlig;' des Flüssigkristallelementes L1j der Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen M&ijlig; ist mit der Spaltenleiterlage Hj verbunden und die Elektrode D&ijlig; des nichtlinearen Elementes U&ijlig; ist mit der Leiterlage Fi verbunden. Infolgedessen kann gemäß der in den Fig. 15 bis 19 beschriebenen Anordnung, da das Flüssigkristallelement L&ijlig; gesteuert werden kann, transparent bzw. nicht transparent zu sein, und zwar in dem unter Benutzung der Zeilen- und Spalten-Dekoder 51X und 51Y an die Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen M&ijlig;, M&ijlig; und M&ijlig; über die Leiterlagen Fi und Hj Treibsignale bzw. Steuersignale angelegt werden, eine einfarbige Anzeige vorgesehen werden.
Infolgedessen kann mit der in den Fig. 1 bis 5 dargestellten Flüssigkristallanzeigetafel eine Anzeige mit einfarbigem Bild vorgesehen werden.
Das in den Fig. 15 bis 19 veranschaulichte Substratglied 7 kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden:
Eine Leiterlage F, die schließlich die Leiterlagen F&sub1; bis Fn bildet, ein Lagenlaminatglied, welches schließlich die Lagenlaminatglieder Q&sub1;&sub1; bis Qmn bildet, und eine Leiterlage E, die schließlich die Leiterlagen E&sub1;&sub1; bis Emn bildet, werden in dieser Reihenfolge auf dem Substrat 1 abgelagert bzw. abgeschieden, wie es in den Fig. 21A bis 21E gezeigt ist, und zwar wie in dem Fall des in den Fig. 9A bis 9E gezeigten Beispiels. Die Leiterlage F, die Nicht-Einkristall-Halbleiterlage Q und die Leiterlage E bilden ein Aktivlagenglied A, welches schließlich die Aktivlagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn bildet, wie es vorstehend beschrieben worden ist.
Als nächstes wird das Aktivlagenglied A einem bekannten Strukturierungsprozeß unter Benutzung einer ersten Maske unterworfen, wobei m Lagenglieder A&sub1; bis Am derselben Struktur wie die Leiterlagen F&sub1; bis Fm, wie es in den Fig. 22A bis 22E gezeigt ist, wie in dem Fall des in den Fig. 10A bis 10E gezeigten Beispiels vorgesehen werden.
Als nächstes wird eine Isolierlage K auf Fotoresist bzw. Fotolack, die schließlich die Isolierlage Ki bildet, durch ein bekanntes Verfahren, beispielsweise ein Plasma-CVD-Verfahren auf der gesamten Oberfläche des Substrats 1 abgelagert bzw. abgeschieden, um die Lagen A&sub1; bis Am abzudecken, wie es in den Fig. 23A bis 23E gezeigt ist.
Als nächstes wird die Isolierlage K durch Licht 30 bestrahlt, ohne irgendeine Maske zu benutzen, wie es in den Fig. 23A bis 23B gezeigt ist, und dann wird sie in die Isolierlage Ki entwickelt, wie es in den Fig. 25A bis 24E gezeigt ist.
Als nächstes wird eine Leiterlage C auf dem gesamten Bereich des Substrates 1 abgelagert bzw. abgeschieden, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km abzudecken, wie es in den Fig. 25A bis 25E gezeigt ist.
Als nächstes werden die Leiterlage C, die Leiterlagen E&sub1; bis Em und die Lagen Q&sub1; bis Qm der Lagenglieder A&sub1; bis Am durch ein bekanntes Verfahren unter Benutzung einer zweiten Maske in die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn, die Lagen Q&sub1;&sub1; bis Qmn und die Leiterlagen E&sub1;&sub1; bis Emn der Lagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn strukturiert, wie es in den Fig. 26A bis 26E gezeigt ist.
Als nächstes wird die dünne Isolierlage 25 auf der gesamten Oberfläche des Substrates 1 abgeschieden, um die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn, die Lagenglieder A&sub1;&sub1; bis Amn die Isolierlagen K&sub1; bis Km und die Teile der Leiterlagen F&sub1; bis Fm, die nicht durch die Leiterlagen C&sub1;&sub1; bis Cmn bedeckt sind, zu bedecken.

Claims

1. Flüssigkristallpixelanzeige mit einem ersten und einem zweiten Substratglied (7, 11), die einander gegenüberliegend in einem vorbestimmten Abstand im wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind, und mit Flüssigkristall (13), welches zwischen das erste und das zweite Substratglied eingefüllt ist; wobei

das erste Substratglied (7) ein erstes Substrat (1), m streifenähnliche Zeilenelektroden F&sub1;, F&sub2; . . . Fm, die auf der inneren Oberfläche des ersten Substrates angeordnet sind und jeweils eine Breite w aufweisen, und n Anzeigeelektroden C&ijlig; mit j = 1, 2 . . . n, die mit jeder Zeilenelektrode Fi mit i = 1, 2 . . . m durch ein zugeordnetes nicht lineares Element U&ijlig; mit einer Diodencharakteristik gekoppelt sind, umfaßt;

das zweite Substratglied (11) ein zweites Substrat (12) und eine Vielzahl von n·q mit q als ganzer Zahl gleich oder größer 1, streifenähnlicher Leiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; . . . H1q; H&sub2;&sub1; . . . H&sub2;&sub2; . . . H2q; . . . und Hn1, Hn2 . . . Hnq, die sequentiell bzw. aufeinanderfolgend auf der inneren Oberfläche des zweiten Substrats (12) in der Zeilenrichtung angeordnet sind und sich in der Spaltenrichtung erstrecken umfaßt, während die Leiterlagen Hj1 bis Hjq gegenüber den Anzeigenelektroden C&sub1;j bis Cmj angeordnet sind;

dadurch gekennzeichnet, daß jedes nicht lineare Element U&ijlig; als ein Laminat A&ijlig; vorgesehen ist mit einer ersten Lage Q&ijlig; die auf einem Teil D&ijlig; der zugeordneten Zeilenelektrode Fi angeordnet ist, wobei jede Lage Q&ijlig; in der Zeilenrichtung angeordnet ist und im wesentlichen dieselbe Breite w wie die Zeilenelektrode F aufweist, und mit einer zweiten Leiterlage Ei, die auf der Lage Q&ijlig; ausgebildet ist und im wesentlichen dieselbe Breite w wie die Lage Q&ijlig; aufweist, wobei die Seitenflächen des Laminates A&ijlig;, die sich in der Zeilenrichtung erstrecken, mit Isoliermaterial K&ijlig;, K&ijlig;'; Ki bedeckt sind und die zugeordnete Anzeigeelektrode C&ijlig; im wesentlichen eine Breite gleich der Länge des Laminates aufweist und sich in einer Spaltenrichtung über das Laminat A&ijlig; und auf das Isoliermaterial erstreckt.

2. Anzeige nach Anspruch 1, in der sich das auf dem Substrat gebildete Isoliermaterial Ki zwischen aneinandergrenzenden Laminatgliedern Ai1 bis Ain und im wesentlichen mit diesen fluchtend bzw. bündig erstreckt.

3. Anzeige nach Anspruch 1, in der das Isoliermatieral K&ijlig;, K&ijlig;' im wesentlichen nur die Seitenflächen des Laminates A&ijlig; bedeckt.

4. Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkristallanzeigeschirms mit den Schritten:

(A) Präparieren eines ersten Substratgliedes durch:

(a) Bilden eines Laminatgliedes A aus einer Leiterlage F, einer Lage Q und einer Leiterlage E, die in dieser Reihenfolge laminiert werden, und zwar auf einem ersten Substrat;

(b) Pattern bzw. Rastern des Laminatgliedes A in eine erste Vielzahl von m streifenähnlichen Laminatgliedern A&sub1; bis Am, die aufeinanderfolgend in der Spaltenrichtung angeordnet werden und sich in der Zeilenrichtung erstrecken;

(c) Ablagern bzw. Abscheiden einer Isolierlage K über den gesamten Bereich des ersten Substrats, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am abzudecken;

(d) selektives Wegätzen der Isolierlage K, um Isolierlagen Ki (und K') auf beiden Seiten des Laminatgliedes Ai (mit i = 1, 2 . . . m) zu formen, die die Breite der Laminatglieder Ai begrenzen;

(e) Formen einer Leiterlage C über den gesamten Bereich des ersten Substrates, um die Laminatglieder A&sub1; bis Am und die Isolierlagen K&sub1; bis Km (und K&sub1;' bis Km') abzudecken, und

(f) Pattern bzw. Rastern der Leiterlage C, der zweiten Leiterlagen E&sub1; bis Em und der Lagen Q&sub1; bis Qm, um Displayelektroden Ci1 bis Cin zu formen, die sich über das Laminatglied A und auf die Isolierlage Ki erstrecken, und um aus jedem Laminatglied Ai eine Vielzahl von n getrennten Laminatgliedern A&ijlig; (für j = 1 bis n) zu formen, von denen sich jedes aus einer Leiterlage E&ijlig;, einer Lage Q&ijlig; und einem unter der Lage Q&ijlig; liegenden Teil D&ijlig; der Zeilenelektrode F zusammensetzt,

(B) Präparieren eines zweiten Substratgliedes durch Formen einer Vielzahl von n·q, mit q als einer ganzen Zahl gleich oder größer 1, Leiterlagen H&sub1;&sub1;, H&sub1;&sub2; . . . H1q; H&sub2;&sub1;, H&sub2;&sub2; . . . H2q; . . . und Hn1, Hn2, Hnq, die in der Zeilenrichtung angeordnet sind und sich in der Spaltenrichtung erstrecken, und zwar auf einem zweiten Substrat mit einer isolierenden Oberfläche, wobei die Leiterlagen Hj1, Hj2, . . . und Hjq den Displayelektroden C1j, C2j, . . . und Cmj des ersten Substratgliedes entsprechen, (C) Umdrehen des zweiten Substratgliedes mit der Oberseite nach unten und Anordnen des ersten und zweiten Substratgliedes in gegenüberliegender und im wesentlichen paralleler Beziehung zueinander und

(D) Füllen von Flüssigkristall in den Spalt, der durch das erste und zweite Substratglied umgrenzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 4, bei welchem der Schritt (d) Wegätzen der Isolierlage K, wobei Teile der Isolierlage belassen werden, die sich im wesentlichen nur entlang Seitenflächen der Laminatglieder und nicht im wesentlichen entlang dem Substrat erstrecken, und der Schritt

(f) Pattern bzw. Rastern der Leiterlage C umfaßt, um Displayelektroden Ci1 bis Cin zu bilden, die sich von dem Substrat auf die Isolierlage Ki und das Laminatglied Ai erstrecken und auf der Seitenfläche der Isolierlage Ki verlaufen.

6. Verfahren nach Anspruch 4, bei welchem der Schritt (d) Wegätzen der Isolierlage K umfaßt, um eine Isolierlage Kj zu formen, die sich zwischen aneinandergrenzenden Laminatgliedern A&sub1; bis Am und im wesentlichen mit diesen fluchtend bzw. bündig erstreckt.