DE2949332A1

DE2949332A1 - Anzeigefeld

Info

Publication number: DE2949332A1
Application number: DE2949332A
Authority: DE
Inventors: Norman Joseph Frame
Original assignee: Brady Corp
Current assignee: Brady Corp
Priority date: 1978-12-08
Filing date: 1979-12-07
Publication date: 1980-06-26
Also published as: GB2035649A; GB2035649B; FR2443730A1; US4266223A; CA1142631A

Description

Anzeigefeld

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Anzeigefelder.

Bei vielen Anwendungsfällen für Anzeigeeinrichtungen, einschließlich der Anwendung von Anzeigevorrichtungen für Fernsehgeräte und alphanumerischen Anzeigevorrichtungen , ist es wünschenswert, eine dünne Platte zu haben, auf der eine Matrix angeordnet ist, die aus diskreten, nah voneinander beabstandeten, Strahlung aussendenden Elementen besteht, die einzeln über einen großen Helligkeits- bzw. Leuchtkraftbereich gesteuert werden können.

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Herkömmliche Fernsehgeräte und einige alphanumerische Anzeigevorrichtungen verwenden eine sperrige bzw. voluminöse Kathodenstrahlröhre zur Steuerung von lumineszicrenden Elementen auf einem Anzeigeschirm. Es wird eine gute Leuchtdichte bzw. eine gute Helligkeit erreicht und es sind wenig Verbindungsleitungen erforderlich. Für viele Anwendungsfälle stellt jedoch die Größe der Röhre einen Nachteil dar. Es wurden zahlreiche Anzeigeeinrichtungen mit dünnen Platten vorgeschlagen, bei denen im allgemeinen die Adressierung von Reihen und Spalten erforderlich ist. Es sind daher zur Ansteuerung einer Anzeigeeinrichtung mit 520x520 Elementen 1040 äußere Verbindungen erforderlich. Beispielsweise ist in der US-PS 4 042 854 eine wechselstrombetriebene elektrolumineszierende Anzeigeeinrichtung beschrieben, bei der für jede Reihe und für jede Spalte An-Schlußleitungen und für jedes Anzeigeelement ein Paar von Dünnschicht-Transistoren und ein Kondensator vorgesehen sind.

Wenn elektrolumineszierende Vorrichtungen als die Strahlung aussendende Elemente verwendet werden, wird im allgemeinen eine größere Leuchtdichte gewünscht und es ist ebenfalls wünschenswert einen zufriedenstellende , helle Lumineszenz mit denselben Gleichspannungspegeln zu erzeugen,die gewöhnlich in logischen CMOS-Anordnungen verwendet werden (annähernd 15 Volt Gleichspannung), wobei dadurch zusätzliche Kosten eliminiert werden, die erforderlich sind, um logische Ausgangssignale auf höhere Spannungen zur Erzeugung der Lumineszenz umzuwandeln. Eine Schwierigkeit besteht bei herkömmlichen elektrolumineszierenden Vorrichtungen darin, daß bei der Verwendung einer Sandwich-Bauweise, bei der an jeder Seite einer lumineszierenden Schicht eine Flächen-Elektrode angeordnet ist, die transparente Elektrode zwischen dem transparenten Substrat und der lnrr>ineszierenden Schicht angeordnet ist. Infolge der Dünnheit und des hohen Wider-

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Standes trägt diese transparente Elektrode zu schädlichen bzw. nachteiligen Kapazitätseffekten bei, die die Betriebsgeschwindigkeit und die Frequenz begrenzen. Es ist daher wünschenswert eine elektrolamineszierende Anzeigevorrichtung anzugeben, die ausreichend dicke Elektroden aufweist, die alle an einer Seite der lumineszierenden Schicht angeordnet sind.

Es sind mehrere Anordnungen bekannt, bei denen transversale,voneinander beabstandete Elektroden an einer Seite der lumineszierenden Schicht angeordnet sind. In der US-PS 3 519 und der Uü-Γΰ 2 928 974 tslnd Anordnungen beschrieben, bei denen die Elektroden an der gegenüberliegenden Seite der Sichtseite der lumineszierenden Schicht angeordnet sind. In der US-PS 3 519 871 wird ein Gleichstrombetrieb vorgeschlagen und es ist eine vakuumaufgedampfte lumineszierende Schicht beschrieben. In der US-PS 3 312 825 ist ein wechselstromempfindliches halbleitendes lumineszierendes Material beschrieben, das breite Spalte zwischen transversal voneinander beabstandeten Elektroden ausfüllt. In der US-PS 2 628 974 ist eine wechselstromempfindliche Schicht beschrieben, die aus einem dielektrischen Basismaterial besteht, das mit kleinen die Elektroden bedeckenden Phosphorpartikeln beschicht ist. In der US-PS 3 731 353 ist eine gleichstromempfindliche Vorrichtung beschrieben, b nur entlang enger Zonen erzeugt werden.

% empfindliche Vorrichtung beschrieben, bei der Lumineszenzen

Die US-PS 3 889 016 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines gleichstromempfindlichen elektrolumineszierenden Films durch eine Vakuumabscheidung.

Gemäß einem Merkmal der vorliegenden Erfindung wird eine Mehrzahl von Dünnschicht-Transistorkreisen einer Anzeigeanordnung mit vielen Schichten zugefügt, wobei die Anzeigeanordnung eine durchsichtige äußere Schicht und eine Mehrzahl von diskreten Strahlung aussendenden Elementen unterhalb der äußeren Schicht aufweist. Die Kreise sind unterhalb der

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Strahlung emittierenden Elemente angeordnet, wobei ein Kreis in der Nähe wenigstens eines der Elemente angeordnet ist und diesem Element zugeordnet ist. Die Schalt anordnung enthält eine Schalteinrichtung zum Anlegen eines gemeinsamen Steuersignals für die Helligkeit an die Steuerelektrode des zugeordneten Strahlung emittierenden Elementes, wenn ein Einschaltsignal von einem vorangehenden Kreis und ein gemeinsames Zeitsignal ermittelt werden bzw. anliegen. Es ist eine Einrichtung vorgesehen, die die Schalteinrichtung während einer Zeit in einem leitenden Zustand hält, die ausreicht, um das Strahlung emittierende Element zu erregen. Eine Einrichtung legt ein Einschaltsignal an den nächstfolgenden Kreis an. Es sind Anschlußleitungen zum Anlegen der gemeinsamen Zeit-und Helligkeitssignale mit den Kreisen verbunden. Eine Auswahleinrichtung schaltet benachbarte Kreise empfindlich für unterschiedliche Zustände des Zeitsignals. Zustandsänderungen des Zeitsignals verursachen, daß die Transistorkreise das Helligkeitssteuersignal von einem Strahlung emittierenden Element zu einem anderen während einer fortwährenden Abtastung über die gesamte Anzeigeanordnung schalten. Gemäß diesem Merkmal stellt die vorliegende Erfindung eine Einrichtung zum Steuern der Helligkeit einer großen Matrix von Anzeigeelementen mit sehr wenig äußeren Anschlußleitungen (beispielsweise bei der bevorzugten Ausführungsform vier Anschlußleitungen) dar. Dadurch werden die zur Steuerung des Anzeigefeldes geforderten äußeren Schaltkreise in großem Maße vereinfacht. Außerdem kann das Feld unter Verwendung von bekannten Verfahrensschritten zur Abscheidung von Dünnschicht-Filmen mit großen Abmessungen, wie sie für Fernsehschirme und elektronische Anzeigeflächen und dgl. erforderlich sind,und zur Abscheidung von Dünnschicht-Filmen kleiner Abmessungen, wie sie für alphanumerische Anzeigeeinrichtungen erforderlich sind, erzeugt werden, wobei die gewünschte Dünne beibehalten werden kann. In der bevorzugten Ausführungsform werden zwei um 180° gegeneinander phasenverschobene Zeitsignale an zwei getrennte Anschluß-

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leitungen angelegt. Die Anschlußleitungen sind abwechselnd mit aufeinanderfolgenden Kreisen verbunden, um sicherzustellen, daß benachbarte Kreise nicht gleichzeitig auf die Zeitsignale ansprechen. Die mit der Steuerelektrode verbundene Gate-Elektrode dient dazu, um die Schalteinrichtung haltend zu schalten, nachdem das Einschaltsignal von dem vorhergehenden Kreis entfernt wurde. Eine von derselben Gate-Elektrode ausgehende Anschlußleitung , die ebenfalls mit der Steuerelektrode verbunden ist, ist mit einer Gate-Elektrode des nächstfolgenden Kreises verbunden und liefert auf diese Weise das Einschaltsignal. Die Schalteinrichtung enthält eine erste Drain-Elektrode , die mit dem gemeinsamen Helligkeitssignal verbunden ist, eine zweite Zwischen-Drain-Elektroden, eine Source-Elektrode, die mit der Steuerelektrode verbunden ist, zwei Gate-Elektroden, die die Verbindung zwischen der ersten Drain-Elektrode und der zweiten Drain-Elektrode steuern, wobei eine Gate-Elektrode mit der Anschlußleitung für das Einschaltsignal von dem vorhergehenden Transistor und die andere Gate- Elektrode mit der Steuerelektrode zum haltenden Schalten verbunden ist, und eine einzige Gate-Elektrode für das Zeitsignal, die die Verbindung zwischen der zweiten Drain-Elektrode und der Source-Elektrode steuert, wobei die Gate-Elektrode für das Zeitsignal abwechselnd in aufeinanderfolgenden Kreisen mit der einen oder der anderen Anschlußleitung für die beiden Zeitsignale verbunden wird. Bei dem Strahlungselement handelt es sich um ein elektrolumineszierendes Element, mit einer Flächenelektrode als Steuerelektrode.

Gemäß einem Merkmal der vorliegenden Er findung ist unterhalb der äußeren durchsichtigen Schicht der Anzeigeanordnung ein Elektrodengitter vorgesehen. Unterhalb des Elektrodengitters ist eine ununterbrochene Schicht mit einer im allgemeinen gleichmäßigen Dicke aus einem elektrolumineszierenden Material angeordnet, die durch eine Vakuumabscheidung hergestellt ist. Das Elektrodengitter weist infolge des Abstandes zwischen benachbarten Elektroden eine Transparenz auf, ist jedoch leitfähiger als transparente

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Elektroden. Auf diese Weise werden kapazitive Effekte vermindert und die maximale Betriebsfrequenz wird vergrößert. Bei der bevorzugtesten Ausführungsform ist der das Gitter kontaktierende elektrolumineszierende Film in geeigneter Weise mit Kupfer oder Mangan dotiert, um in bezug auf Gleichstrom empfindlich zu sein und er wird einer Gleichspannung ausgesetzt, die zwischen 15 und 25 Volt liegt. Das Gitter besteht aus zwei Elektroden , die ineinandergreifende enge Teile mit einer Breite aufweisen, die zwischen 0,5 und 1,5 mils liegt, und die voneinander durch einen Abstand zwischen 0,5 und 5 mils beabstandet sind, aufweisen. Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist eine strombegrenzende Schicht (beispielsweise eine Y₂O₃~Schicht mit einer Dicke zwischen 800 und 3000 A) zwischen dem Gitter und dem elektrolumines zierenden Material angeordnet, die keine Kupfer-Dotierung aufweist und bei der Lumineszenzen durch eine feldinduzierte Wechselspannung erzeugt werden.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist eine dritte Flächenelektrode unterhalb der lumineszierenden Schicht und der Gitterelektroden vorgesehen. Eine an die dritte Elektrode angelegte Spannung moduliert die Helligkeit der durch das transparente Substrat in Erscheinung tretenden Lumineszenzen. Bei der bevorzugtesten Ausführungsform ist eine isolierende Schicht zwischen der lumineszierenden Schicht und der dritten Elektrode vorgesehen. Die beiden anderen Elektroden weisen Teile auf, die ein Elektrodengitter bilden. Das Gitter kontaktiert das elektrolumineszierende Material, um einen Stromfluß durch das Material zu ermöglichen. Es werden Gleichspannungen an die Gitterelektrode und an die dritte Elektrode angelegt. Die Gleichspannung an der dritten Elektrode bewirkt, daß "Löcher" (positive Ladungsträger) in dem lumineszierenden Material in Richtung auf das Elektroden gitter driften, wodurch mehr Rekombinationszentren für eine

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¹I Lumineszenz in der Nähe des Gitters erzeugt werden. Dadurch

: ■ kann die Helligkeit der Lumineszenz durch das Potential der

dritten Elektrode gesteuert werden und es kann eine größere jj: Helligkeit bei kleinen Gleichspannungen, die gewöhnlich

i; in Zusammenhang mit CMOS-Anordnungen verwendet werden (bei-

% spielsweise 16 Volt) erreicht werden. Bei einer weiteren

ι? bevorzugten Ausführungsform trennt eine strombegrenzende,

(; isolierende Schicht das Elektrodengitter von dem lumines-

zierenden Material. Es werden eine Wechselspannung entweder an die dritte Elektrode oder an das Gitter und eine Gleichspannung an die jeweils andere Elektrode angelegt. Das

ΐ lumineszierende Material wird auf diese Weise nur gegenüber

P dem elektrischen Feld empfindlich gemacht und die Kombination

von Gleich- und Wechselspannungen vergrößert die Helligkeit.

Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden Dipole in der Kristallstruktur einer Schicht aus einem elektrolumineszierenden Material dadurch ausgerichtet, daß das Material in der Anwesenheit eines elektrischen Feldes abgeschieden wird. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird das elektrische <. ^M durch eine Gleichspannung erzeugt, die an das Elektrodengitter angelegt wird, auf dem das lumineszierende Material abgeschieden ist. Die Kristallstruktur mit den ausgerichteten Dipolen ermöglicht eine y vergrößerte Helligkeit.

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Im folgenden werden die Erfindung und deren Ausgestaltungen im Zusammenhang mit den Figuren beschrieben. Es zeigt:

Figur 1 eine Gesamtansicht der bevorzugtesten Ausführungsform, wobei die Teile verschiedener Schichten zum Zwecke der Darstellung weggelassen wurden,

Figur 2 eine perspektivische Darstellung einer Ecke dieser Ausführungsform, wobei Teile weggelassen wurden und wobei der Halbleiterisolator und die Gate-Schichten in einer auseinandergezogenen Darstellung oberhalb der darunterliegenden Schichten gezeigt sind,

Figur 3 einen Querschnitt entlang der Linie 3-3 der Figur 1,

Figur 4 einen Querschnitt entlang der Linie 4-4 der Figur 1,

Figur 5 eine schematische Darstellung, die den elektrischen Betrieb der Ausführungsform zeigt,

Figur 6 die Verläufe der Eingangssignale, und

Figur 7 einen Teilschnitt einer zweiten bevorzugten Ausführungsform an einem Ort, der dem Ort 3-3 der Figur 1 äquivalent ist, wobei der Schnitt eine strombegrenzte Schicht zwischen den Steuerelektroden und der lumineszierenden Schicht zeigt.

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In der Figur 1 ist ein lumineszierendes Anzeigefeld 10 dargestellt. Eine 5x7-Matrix aus diskreten Iumineszierenden Elementen , die, wenn sie selektiv beleuchtet sind, alphanumerische Zeichen bilden, wird durch die Abscheidung von verschiedenen Schichten auf einem Glassubstrat 12 (1/16 Inch dick) gebildet, durch die die Lumineszenz bzw. die Leuchtanregung beobachtet wird.

Die Gitterelektrode 14 wird dadurch gebildet, daß auf dem Substrat 12 durch eine Vakuumabscheidung ein dünner Aluminiumfilm (1000 A) auf der oberen Oberfläche des Substrates abgeschieden wird und daß dann ein 1mil breiter windungsförmiger Spalt durch die Verwendung eines auf diese Breite fokussierten Laserstrahls eingedampft wird. Dadurch entstehen zwei elektrische Wege, die aus 1 mil breiten Elektrodenfingern 16, 18 bestehen, die 1mil voneinander beabstandet sind. Die elektrolumineszxerende Schicht 20 aus Zinksulfid, das mit Magnesium und Kupfer aktiviert ist, wird durch eine Vakuumabscheidung ohne Maskierung auf der Steuerelektrode 14 bis zu einer Dicke von 2 μπι aufgebracht, wodurdi eine ausreichend große Kapazität entsteht.Ein Gleichspannungspegel von 25V wird an das Gitter bzw. die Elektrode 14 während der Abscheidung der Schicht 20 angelegt, um so Dipole in der kristallinen Zinksulfid - Struktur auszubilden. Ein Formierstrom wird an das elektrolumineszierende Material nach der Abscheidung angelegt, um Kupferionen zu der geerdeten Elektrode des Gitters 14 zu leiten. Diese Kupferionen bilden einen dünnen p-Bereich an der geerdeten Elektrode. Die Isolatorschicht aus Al-O^ wird auf die Schicht 20 durch eine Vakuumabscheidung bis zu einer Dicke von 3000 A ebenfalls ohne Maskierung aufgebracht. Bei dieser Dicke ist das Al^O₃ durchscheinend. (Alle Vakuumabscheidungsschritte werden bei einem Druck vo
Druck ausgeführt).

bei einem Druck von 1x10~ Torr oder bei einem kleineren

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Zusätzliche Schichten oberhalb der Schicht 22 werden unter der Verwendung von einer von sechs Abscheidungsmasken aufgebracht. Die hinteren Elektroden 24, die aus 35 diskreten Aluminiumrechtecken ( 30 mils² , Abstand voneinander: 10 mils) bestehen, die in einer 5x7-Matrix angeordnet sind, werden durch Vakuumabscheidung bis zu einer Dicke von 2500 A unter Verwendung einer Maske Nr. 1 abgeschieden, wobei diese Maske quadratische Löcher aufweist. Eine zweite isolierende Schicht 26 aus Al-O₃ wird bis zu einer Dicke von 1000 A über den hinteren Elektroden 24 abgeschieden, wobei hierzu eine Maske Nr. 2 zur Ausbildung von rechteckigen Löchern 28 mit abgerundeten Ecken verwendet wird.

Auf der isolierenden Schicht 26 wird eine Matrix von Dünn- ;; schicht-Schalttransistoren aufgebracht. Ein Muster von drei |i Goldelektroden, nämlich den Drain-Elektroden 30, zwischen- f gelagerten Drain-Elektroden 32 und Source-Elektroden 34, wird zu jeder hinteren Elektrode 24 ausgerichtet,bis zu einer Dicke von 1000A* abgeschieden, wobei hierfür eine Maske Nr. 3 verwendet wird. | Alle Drain-Elektroden 30 sind miteinander zu einem elek- f trischen Kreis durch 1000 um breite Drain-Anschlußleitungen t verbunden. Jede Elektrode der Elektroden 30, 32 und 34 ist | 300 um breit und 50 um von den benachbarten Elektroden beabstandet. Es wird Gold für die Elektroden 30, 32 und 34 verwendet, um einen guten ohmschen Kontakt zu der Halbleiterschicht 40 sicherzustellen. Die Source-Elektroden 34 erstrecken sich über die Kanten der Löcher 28 und kontaktieren die hinteren Elektroden 24 (Figur 2). Um die Abscheidung des Goldes auf der vertikalen Fläche (Figur 2) des Loches 28 zu bewerkstelligen, wird die Abscheidung unter schrägen Winkeln zur Schicht 26 ausgeführt. Die Halbleiterschicht 40 aus CdS wird auf den Elektroden 30, 32 und 34 bis zu einer Dicke von 3000 A unter der Verwendung der Maske Nr. 2 abgeschieden. Eine dritte Isolatorschicht 42 aus Al₃O₃ wird auf der Halbleiterschicht bis zu einer Dicke von 600 A abgeschieden, wobei ebenfalls die Maske Nr. 2 verwendet wird.

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Die Löcher 41 und 44 , die in den Schichten 40 und 42 jeweils hergestellt werden, sind zu dem Loch 28 in der Schicht ausgerichtet.

Oberhalb der isolierenden und halbleitenden Schichten wird ein Muster von im allgemeinen horizontalen Gate-Elektroden und zugeordneten Anschlußleitungen in zwei Stufen bzw. Verfahrensschritten abgeschieden. Zuerst werden die Zeitsignal-Anschluß leitung 50 , die Abzweigleitungen 70, die Gates 48 und die zwischengelagerten Gates 46 , die alle aus Aluminium bestehen, bis zu einer Dicke von 2000 A abgeschieden, wobei hierfür die Maske Nr. 4 verwendet wird. Die zwischengelagerten Gates 46 erstrecken sich nach unten in die ausgerichteten Löcher 28, 41 und 44, um die Source-Elektroden und die hinteren Elektroden 24 zu kontaktieren. Die Abscheidung wird unter einem schrägen Winkel zur Schicht 42 ausgeführt, um eine angemessene Abscheidung der Gate-Elektroden 46 auf vertikalen Flächen der Löcher 28, 41 und sicherzustellen. Um die Überkreuzungspunkte zu isolieren, werden isolierende Flecke bzw. Bereiche 56 aus Al₃O₃ (Dicke 1000 A) auf ausgewählten Bereichen der Anschlußleitungen 50 und der Gates 48 (Figur 2) unter Verwendung der Maske Nr. 5 abgeschieden. Schließlich werden zweite Zeitsignal-Anschlußleitungen 58 , Abzweigleitungen 72 und Gate-Elektroden 60 bis zu einer Dicke von 2000 A unter Verwendung der Maske Nr. 6 abgeschieden. Die Zeitsignal-Ansdiußleitungen 50 und 58 sind 1000 μπι breit; die Gate Elektroden 46, 48 und 60 sind 300 μπι breit. Eine nicht dargestellte Epoxy -Vergußmasse wird auf die gesamte obere Oberfläche aus Isolierungs--und Abdichtgründen aufgebracht. Eine getrennte Anschlußleitung 62 , die das Startsignal führt, dient als ein Gate für das untere links angeordnete Element (Figur 1). Es erstrecken sich sechs Anschlußleitungen zur unteren linken Ecke des Feldes 10 (Figur 1) um externe Verbindungen herzustellen. Dabei handelt es sich um die Zeitsignal-Anschlußleitungen 50, 58, die Startsignal-Anschlußleitung 62 , die Drain-Anschlußleitung 36 und nicht darge-

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stellte Anschlußleitungen, die die Elektrodenfinger 18 und 20 miteinander verbinden.

Nachdem jede der verschiedenen Schichten abgeschieden ist, werden sogenannte Mono-Schichten, das sind Schichten mit nur einer monomolekularen Dicke, aus absorbierten Gasen durch einen Glimmentladungsbeschuß

vor der Abscheidung der nachfolgenden Schichten entfernt bzw. gereinigt.

In der Figur 7 ist eine zweite Ausführungsform dargestellt, bei der eine isolierende Schicht 90 aus Y₂°3 C^{300 A} dick) auf den Elektroden 16 und 18 abgeschieden wird, um den Stromfluß durch die lumineszierende Schicht zu begrenzen. Bei dieser Ausführungsform wird eine gegenüber Wechselstrom empfindliche Phosphorschicht verwendet, bei der es sich beispielsweise um ZnS:Mn ohne Kupferdotierung handelt.

Betrieb.

Das Anzeigefeld 10 besteht aus 35 einzelnen lumineszierenden Elementen. Jedes Element wird durch eine an die Elektrpden 16 und 18 angelegte erste niedrige Gleichspannung (zwischen 5 und 10 Volt) und durch eine zweite an die hintere Elektrode angelegte Gleichspannung (4 bis 15 Volt) erregt. Die Spannung an den Elektroden 16 und 18 ist tief genug eingestellt, daß sie alleine nicht ausreicht, um eine bedeutende sichtbare Lumineszenz zu bewirken. Es muß die hintere Elektrode auch erregt sein, damit eine bedeutende Lumineszenz eintritt. Eine der Elektroden 16 und 18 ist geerdet. Die positive Spannung an der Elektrode 24 bewirkt, daß "Löcher" (positive Ladungsträger) in dem elektrolumineszierenden Material in Richtung auf die Elektroden 16 und 18 driften , wobei in dem Gitterbereich mehr Rekombinationszentren und daher mehr sicht-

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bare Lumineszenzen hervorgerufen werden. Die isolierende Schicht 22 isoliert die Elektrode 24, um einen Feldeffektbetrieb hervorzurufen.

Die Spannung an Elektroden 16 und 18 wird durch eine Spannungsquelle 9 2 (Figur 5) an in den Figuren nicht dargestellten Anschlußleitungen angelegt. Die an jede der 35 Elektroden 24 angelegte Spannung entspricht dem augenblicklichen Wert von V (Figuren 5 und 6) während des Intervalls, in dem eine besondere Elektrode 24 erregt ist. Die Matrix aus zwischenverbundenen Dünnschicht-Transistoren erregt sequentiell einzelne Elektroden 24 dadurch, daß sie V_DD während einer periodischen Abtastung an die Elektroden schaltet.

Das Startsignal T (ein 4 Volt-Gleichspannungspuls einer kurzen Dauer) an den Anschlußleitungen 62 leitet die Abtastung dadurch ein, daß es den aus der Gate-Elektrode 62, der Drain-Elektrode 30 und der zwischengelagerten Drain-Elektroden 32 in dem ersten Matrixelement in der unteren linken Ecke des Feldes (Figuren 1 und 2) gebildeten Transistor in die Sättigung bringt, wobei in der Tat ein erster Schalter an den Drain-Elektroden 30 und 32 (Figur 6) geschlossen wird. Gleichzeitig mit diesem Vorgang treibt ein Signal S₂ (4 Volt Gleichspannung im hohen Zustand; 0,0 Volt Gleichspannung im niedrigen Zustand) an der Leitung 58 den durch die Gate-Elektrode 60, die zwischengelagerte Drain-Elektrode 32 und die Source-Elektrode 34 bestimmten Transistor in die Sättigung, wodurch tatsächlich ein zweiter Schalter (Figur 6) geschlossen wird. Wenn beide Schalter, nämlich der erste und der zweite Schalter gleichzeitig geschlossen werden, wird die Elektrode 24 durch ein Signal V_DD erregt und es tritteine Lumineszenz an dem ersten Element im Verhältnis zum Spannungspegel von V_DD ein. Das Signal V_DD erscheint auch an der zwischengelagerten Gate-Elektrode 46, das auch zu der Source-Elektrode 34 gehört, und dient so als Haltekreis, um den ersten Schalter zwischen den Drain-Elektroden und 32 geschlossen zu halten, nachdem das Startsignal T ver-

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schwindet. Ά

Am Ende des ersten Zeitintervalls wird S- klein (0,0 Volt ·,,;

Gleichspannung) und S. wird hochpegelig (4 Volt Gleichspannung) &

(Figur 6). Dies hat zur Folge, daß die erste Elektrode 24 ■

entregt wird , weil der zweite Schalter geöffnet ist, und §-

daß die nächste nachgeschaltete Elektrode 24 erregt wird. ?*

Die Spannung V an der zwischengelagerten Gate-Elektrode 46 ti

hat das nächstfolgende Element durch das Schließen des ersten ||

Schalters (ein Teil der Gate-Elektrode wirkt als eine Einschalt- I

leitung) schaff geschaltet bzw. eingeschaltet und das Signal S₁ ti

an der Anschlußleitung 50 und der Gate-Elektrode 48 hat den \ zweiten Schalter geschlossen. Der erste Schalter wird dann

durch den Halteeffekt der zweiten zwischengeschalteten *'|

Gate-Elektrode 46 im geschlossenen Zustand gehalten. I

Jedes Element in der 5x7-Matrix wird daher periodisch durch
V_nn erregt. Ein genügendes Nachleuchten der Lumineszenz
wird durch das mit Magnesium aktivierte Zinksuflid ermöglicht,
um eine zweite Periode von 1/75 zwischen dem aufeinanderfolgenden Anlegen von V_ßD an irgendein Element zu ermöglichen.
Die Rückleitung 80 verbindet die zwischengelagerte Gate-Elektrode 46 des letzten Elements über die Diode 82 mit der
Start-Anschlußleitung 62. Die Diode 84 arbeitet in Verbindung
mit der Diode 82 um zu verhindern, daß das Startsignal T
die Rückleitung 80 erregt und umgekehrt. Beide Diode sind an
der Peripherie des Feldes 10 angeordnet.

Der minimale Spannungspegel des Signals V_D_wird so ausgewählt, daß er hoch genug ist, um den ersten Schalter jedes
Elements zu halten, während er keine sichtbare Lumineszenz
verursacht. Der maximale Spannungspegel von V__D entspricht
der maximalen, gewünschten Lumineszenz.

Um eine gleichzeitige ERregung aller Elemente zu verhindern,

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weisen die Zeitsignale S und S₂ nicht koinzidierende Flanken bzw. Kanten auf. S wird tiefpegelig, kurz bevor S₁ hochpegelig wird für aufeinanderfolgende Zeitperioden ist dieser Vorgang ähnlich. Die Eigenkapazität hält zwischengelagerte Gate-Elektroden 46 eine ausreichende Zeit lang»damit das nachfolgende Element sich haltend einschaltet.

Bei der bevorzugtesten Ausführungsform wird die Lumineszenz durch eine Stromleitung durch die Schicht 20 zwischen den

, Elektroden 16 und 18 bewirkt, wobei der Betrag des Stroms

durch die an die hinteren Elektroden 24 angelegte Spannung V_nn moduliert wird. Bei der zweiten bevorzugten, in der '. Figur 7 dargestellten Ausführungsform ist die Lumineszenz

vollständig eine Funktion der an die Gitterelektroden 16 und 18 und an die hintere Elektrode 24 angelegten Felder. Die isolierende Schicht 90 aus ^ν ₂°3 ^verilindert einen Stromfluß über das Gitter. Um die zweite Ausführungsform zu betreiben wird eine tiefpegelige Wechselspannung an die Gitterelektroden 16 und 18 angelegt und es wird eine Gleichspannung an der hinteren Elektrode 24 verwendet, um die Lumineszenz zu modulieren bzw. zu regulieren. Die Ver bindung von Gleichspannungs- und Wechselspannungssignalen bewirkt eine verbesserte Leuchtdichte bzw. Helligkeit. Hierzu wird auf die Veröffentlichung "AC-DC Electroluminescence", Physical Review, Vol. 113, No. 5, März1,1959 hingewiesen,

' bei der eine wechselstrom-modulierte Gleichspannung bei einer

Zwei-Elektroden-Struktur an eine zwischen den Elektroden vorhandene lumineszierende Schicht angelegt wird.

Das Anlegen eines Potentials von 25 Volt Gleichspannung

; an die Gitterelektroden 16 und 18 während der Abscheidung

der lumineszierenden Schicht beeinflußt die Kristallstruktur des ZnS während der Kristallisationskernbildung, der Agglomeration und des nachfolgenden Wachsens in ausreichender Weise, um die lumineszierenden Teile des Z'iS besser bloßzulegen bzw. auszusetzen und um dadurch die Leuchtkraft bzw. Helligkeit zu vergrößern.

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WEitere Ausführungsformen.

Es kann beispielsweise die Anzahl der Anzeigeelemente für Fernseh-Anforderungen vergrößert werden (beispielsweise kann eine 520x520 Matrix vorgesehen werden). Das Anzeigefeld kann in einzelne Matrices unterbrochen werden, die durch getrennte Zeit-und Kelligkeitssteuersignale gesteuert werden, um eine Anpassung an ein begrenztes Nachleuchten in dem elektroluinineszierenden Material zu bewirken. Die elektrolumineszierenden Anzeigeelemente können durch andere Strahlung aussendende Vorrichtungen ersetzt werden, bei denen es sich beispielsweise um Flüssigkristall- oder Gasplasma-Vorrichtungen handeln kann. Es kann auch anstelle der bevorzugten Struktur mit drei Elektroden ein elektrolumineszierendes Anzeigeelement vorgesehen werden, bei den eine Elektrode an jeder Seite einer zwischengelagerten lumineszierenden Schicht angeordnet ist.

Außerdem kann das Elektrodengitter 14 in eine Mehrzahl von einzelnen Gittern unterteilt werden und die hinteren Elektroden 24 können weggelassen werden, um so eine Lumineszenz allein durch eine an diese Gitter direkt angelegte Gleichstrom- oder Wechselstromerregung zu erzeugen. Die geforderten Spannungspegel würden sich den Spannungspegeln von bereits bekannten Gleichstrom- und Wechselstrom-Sandwich-Anordnungen angleichen bzw. anpassen. Die Dicke der elektrolumineszierenden Schicht 20 kann auf weniger als 3000 A vermindert werden und es können öffnungen in der Schicht 20 vorgesehen werden, um Verbindungen zu den Schaltkreisen herzustellen. Es können auch andere äußere Schaltvorrichtungen vorgesehen werden.

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Claims

PATENTEN JV JtLTE DR. DIETERV. BEZOLD 2949332

DIPL. ING. PETER SCHÜTZ DIPL. ING. AVOLFGANG HEUSLER

MARIA-THERESIA-STnASSE 22

POSTFACH 86 06 08 D-8000 MUEJiCHEN 8β

TELEFON 080/476006 476810

TELEX 02263S TELEGRAMM SOMBEZ

W.H.BRADY CO. 10680/vP
U.S.Serial No. 967,578

Filed: December 8, 1978

W.H. BRADY CO.

Milwaukee, Wisconsin (V.St.A.)

Anzeigefeld

Patentansprüche

/"Λ

( 1. lAnzeigefeld mit mehreren Schichten, einer Außenschicht und einer V^/Mehrzahl von einzelnen Strahlung emittierenden Elementen unterhalb der Außenschicht, wobei jedes Element eine Steuerelektrode zur Erregung des Elements aufweist und wobei die Außenschicht für die von den Elementen ausgesendete Strahlung

'; durchlässig ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl

;, von Dünnfilm-Transistorkreisen unterhalb der Elemente ange-

I ordnet ist, daß jeder Kreis in der Nähe wenigstens eines

1| Elements angeordnet und diesem Element zugeordnet

I' ist, daß eine Zeitsignalanschlußleitung zum Anlegen eines

ff 030026/0709

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gemeinsamen Zeitsignals an die Kreise vorgesehen ist, daß eine Helligkeits-Anschlußleitung zum Anlegen eines gemeinsamen Steuersignals zur Steuerung der Helligkeit an die Kreise vorgesehen ist, daß eine Einschalt-Anschlußleitung zum Anlegen von durch einzelne der Kreise erzeugten Einschaltsignalen an auf die Kreise folgende Kreise, daß die Einschalt-Anschlußleitung dadurch die Mehrzahl der Kreise in Reihe miteinander verbindet, daß eine Auswahleinrichtung vorgesehen ist, die aus den Kreisen eine erste Gruppe, die nur auf einen ersten Zustand des Zeitsignals anspricht und eine zweite Gruppe, die nur auf einen zweiten Zustand des Zeitsignals anspricht, bildet, daß die Kreise der zweiten Gruppe in der Reihe zwischen den Kreisen der ersten Gruppe angeordnet sind, daß dabei benachbarte Kreise in jeder Reihe nicht auf denselben Zustand des Zeitsignals ansprechen, daß jeder Transistorkreis, eine Schalteinrichtung zum Anlegen des gemeinsamen Steuersignals zur Steuerung der Helligkeit von der Helligkeits-Anschlußleitung an die Steuerelektrode des benachbarten Anzeigeelements, wenn das Einschaltsignal von einem vorhergehenden Kreis und das gemeinsame Zeitsignal ermittelt werden, eine Einrichtung, die die Schalteinrichtung für eine Zeit in einem leitenden Zustand hält, in dem das Helligkeitssignal an die Steuerelektrode angelegt wird, die ausreicht, um das Strahlung emittierende Element zu erregen und eine Einrichtung zum Anlegen eines Einschaltsignals an die Einschalt-Anschlußleitung enthält, um den nachfolgenden Kreis in der Reihe einzuschalten, und daß sich der Zustand des Zeitsignals aufeinanderfolgend zwischen dem ersten Zustand und dem zweiten Zustand ändert und bewirkt, daß die Transistorkreise in der Reihe aufeinanderfolgend eingeschaltet werden, wodurch die Strahlung emittierenden Elemente einer Abtastbewegung entsprechend angeregt werden.

2. Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitsignal-Anschlußleitung eine erste und eine zweite

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Zeitsignal- Leitung enthält, an denen erste und zweite Zeitsignale anliegen und daß die Auswahleinrichtung eine Abzweigleitung aufweist, die die erste und die zweite Zeitsignal- Leitung miteinander verbindet, um die Transistorkreise in der Reihe abwechselnd anzusteuern .

3. Anzeigefeld nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zeitsignal-Leitung mit der Abzweig-Leitung verbunden ist, die zu dem ersten und jede ungeradzahligen anderen Kreis in der Reihe führt, daß die zweite Zeit signal-Leitung durch die Abzweigleitungen zu dem zweiten und jedem anderen geradzahligen Kreis in der Reihe verbunden ist, daß das erste Zeitsignal und das zweite Zeitsignal die Form von Impulszügen aufweisen, die zueinander um 180° phasenverschoben sind und Spannungen anlegen, die zwischen einem hohen Spannungszustand und einem niedrigen Spannungszustand schwanken, und daß benachbarte Kreise in der Reihe nicht gleichzeitig den hohen Spannungszustand eines Zeitsignals ermitteln.

4. Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die die Schalteinrichtung der Transistorkreise in einem leitenden Zustand hält, eine Halteeinrichtung aufweist, die während eines Intervalls arbeitet, in dem das Zeitsignal ermittelt wird und nachdem das Einschaltsignal entfernt wurde.

5. Anzeigefeld nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halteeinrichtung ein Gate aufweist, an das die an der Steuerelektrode anliegende Spannung angelegt wird, und daß das Steuersignal zum Steuern der Helligkeit, das an der Steuerelektrode anliegt, die zum Halten erforderliche Spannung liefert.

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6. Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einschalt-Anschlußleitung eine Einschaltleitung enthält, die mit einem Gate des nachfolgenden Transistors in der Reihe verbunden ist, daß die Einrichtung zum Anlegen eines Einschaltsignals eine Leitung enthält, die die Steuerelektrode mit der Einschaltleitung verbindet und daß dadurch die Steuerspannung zur Steuerung der Helligkeit, die an der Steuerelektrode anliegt, das Einschaltsignal liefert.

7. Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Transistorkreis eine erste, eine zweite und eine dritte Gate-Elektrode aufweist, daß die erste Gate-Elektrode mit der Steuerelektrode des zugeordneten Strahlung emittierenden Elements verbunden ist, daß eine Halbleiterschicht unterhalb der Gate-Elektroden angeordnet ist, daß eine erste und zweite Drain-Elektrode und eine Source-Elektrode unterhalb der Halbleiterschicht angeordnet sind, daß die Source-Elektrode mit der Steuerelektrode und der ersten Gate-Elektrode verbunden ist,

daß die Zeitsignal-Anschlußleitung eine erste und eine zweite Zeitsignalleitung zum Anlegen von ersten und zweiten Zeitsignale an sich abwechselnden Kreise der Reihe enthält, daß das erste und das zweite Zeitsignal die Form von Impulsreihen aufweisen, die zwischen hohen und niedrigen Spannungszuständen schwanken und um 180° gegeneinander phasenverschoben sind, daß die Helligkeits-Anschlußleitung eine Helligkeits-Steuerleitung aufweist, die mit der ersten Drain-Elektrode verbunden ist, daß die Einschalt-Anschlußleitung eine Mehrzahl von Einschaltleitungen aufweist, die die Steuerelektrode jedes Kreises und die zweite Gate-Elektrode des nachfolgenden Kreises miteinander verbinden, daß die Auswahleinrichtung Abzweigleitungen aufweist, die die erste Zeitsignalleitung mit der dritten

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Gate-Elektrode der ungeradzahligen Kreise der Reihe und die zweite Zeitsignalleitung mit den dritten Gate-Elektroden der geradzahligen Kreise der Reihe verbindet, daß eine Änderung des Zustandes des Zeitsignals, bei dem eine hohe Spannung an die dritte Gate-Elektrode des Kreises angelegt wird, eine Leitung zwischen der zweiten Drain-Elektrode und der Source-Elektrode bewirkt, daß das Anliegen eines Einschaltsignals der zweiten Gate-Elektrode eine Leitung zwischen der ersten Drain-Elektrode und der zweiten Drain-Elektrode bewirkt, daß dadurch das Steuersignal zum Steuern der Helligkeit an die Steuerelektrode und gleichzeitig an die erste Gate-Elektrode und an die Einschaltleitung angelegt wird, und daß die Einschaltleitung das Signal an die zweite Gate-Elektrode des nachfolgenden Kreises der Reihe liefert, um diesen Kreis in Vorbereitung auf die nächste Zustandsänderung des Zeitsignals vorzubereiten.

8. Anzeigefeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

das Strahlung emittierende Element ein elektrolumineszierendes Element ist und daß die Steuerelektrode eine von wenigstens zwei Elektroden ist, die sich in der Nähe einer Schicht aus einem elektrolumineszierenden Material in dem Element befinden.

9. Anzeigefeld nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektroden dritte Elektroden der Elemente sind und daß außerdem zwei weitere Elektroden vorgesehen sind , die an der Seite des 1amineszierenden Materials angeordnet sind, die der dritten Elektrode gegenüberliegt, daß die weiteren Elektroden ein Elektrodengitter bildende querlaufende und ineinandergreifende Teile aufweist, und daß an die dritten Elektroden Potentiale durch das Steuersignal zum Steuern der Helligkeit angelegt werden, die durch die die Helligkeit der Elemente steuernden Transistorkreise angeschaltet werden.

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ΙΟ. Anzeigefeld mit mehreren Schichten mit einer Außenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste und eine zweite Elektrode unterhalb der Außenschicht angeordnet sind, daß jede Elektrode Teile aufweist, die in Querrichtung von den Teilen der anderen Elektrode beabstandet sind, daß eine Schicht aus elektrolumineszierendem Material unterhalb der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist, daß eine dritte Elektrode unterhalb der lumineszierenden Schicht vorgesehen ist, daß die dritte Elektrode sich quer über einen Anzeigebereich der lumineszierenden Schicht erstreckt, daß der Anzeigebereich ein einzelnes Anzeigeelement der Anzeigevorrichtung bestimmt, und daß die Erregung der dritten Elektrode gleichzeitig mit der Erregung der ersten und der zweiten Elektrode im Bereich der lumineszierenden Schicht eine Lumineszenz erzeugt.

11. Anzeigefeld nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine isolierende Schicht zwischen der lumineszierenden Schicht und der dritten Elektrode vorgesehen ist, daß im wesentlichen verhindert wird, daß ein Strom an der dritten Elektrode fließt, daß eine an die dritte Elektrode angelegte Spannung ein Feld in dem elektrolumineszierenden Material erzeugen kann, um Ladungsträger senkrecht zur Elektrode zu bewegen, so daß die Helligkeit der durch die durchsichtige Außenschicht sichtbaren Lumineszenz geändert wird.

12. Anzeigefeld nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine strombegrenzende Schicht zwischen dem elektrolumineszierenden Material und der ersten und der zweiten Elektrode vorgesehen ist und daß im wesentlichen verhindert wird, daß Strom zwischen der ersten und der zweiten Elektrode fließt und daß eine Lumineszenz durch das zwischen den Elektroden erzeugte Feld beeinflußt wird.

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13. Anzeigefeld nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem eine isolierende Schicht unterhalb der lumineszierenden Schicht und eine Mehrzahl von dritten Elektroden zusätzlich zu der zuvor erwähnten dritten Elektrode unterhalb der isolierenden Schicht vorgesehen sind, daß jede dritte Elektrode sich in Querrichtung über einen Anzeigebereich der lumineszierenden Schicht erstreckt, daß die Anzeigebereiche eine Matrix aus einzelnen Anzeigeelementen bestimmen, daß die erste und die zweite Elektrode jeweils eine Mehrzahl von Teilen aufweisen, die in Querrichtung ineinandergreifen und von den entsprechenden Teilen der anderen Elektrode beabstandet sind, um ein Elektrodengitter zu bilde-i, das sich über einen Bereich erstreckt, der eine Mehrzahl von Anzeigebereichen umfaßt, daß die Erregung des Gitters für die Mehrzahl der Anzeigebereiche durch Anlegen eines Potentials an die erste und zweite Elektrode bewirkt wird und daß die Lumineszenz an einzelnen Anzeigebereichen durch das an die dritten Elektroden angelegte Potential gesteuert wird.

14. Anzeigefeld mit mehreren Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß eine Außenschicht , eine Mehrzahl von Elektroden unterhalb der Außenschicht und eine Schicht aus einem elektrolumineszierenden Material unterhalb der Elektroden vorgesehen sind, daß die Kristallstruktur des Materials ausgerichtete Dipole aufweist,und daß das Anlegen eines elektrischen Feldes an das lumineszierende Material mit den ausgerichteten Dipolen eine Lumineszenz größerer H eiligkeit bewirkt, als eine entsprechende Lumineszenz an dem Material ohne ausgerichtete Dipole.

15. Anzeigefeld nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrzahl der Elektroden eine erste und eine zweite Elektrode aufweist, wobei jede dieser Elektroden Teile besitzt, die in Querrichtung ineinandergreifen und von den entsprechenden Teilen der anderen Elektrode beabstandet

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sind, um ein Elektrodengitter zu bilden,und daß das Anlegen J eines elektrischen Potentials an das Gitter während der | Abscheidung des elektrolumineszierenden Materials die ge- f

ty wünschte Ausrichtung der Dipole in der Kristallstruktur | des Materials bewirkt.

16. Verfahren zur Herstellung eines vielschichtigen elektrolumineszierenden Anzeigefeldes mit einem Substrat, einer
Schicht aus einem elektrolumineszierenden Material und
wenigstens einer Elektrodenschicht, dadurch gekennzeichnet,
daß ein elektrisches Feld an den Bereich in der Nähe einer

Abscheidungsoberflache des Substrates angelegt wird, daß ^-

Il das elektroluminesz^erende Material auf das Substrat durch |

Vakuumabscheidung in der Anwesenheit des elektrischen Feldes |

vorgenommen wird, und daß die sich daraus ergebende Kristall- |

struktur des auf dem Substre.t abgeschiedenen Materials §

ausgerichtete Dipole enthält. i;|

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß . die Richtung des elektrischen Feldes quer zur Normalen

der Abscheidungsoberf lache des Substrates verläuft. s|

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß | das in Querrichtung verlaufende elektrische Feld dadurch | erzeugt wird, daß eine Gleichspannung zwischen in Quer- | richtung voneinander beabstandete Elektroden auf dem I Substrat angelegt wird. |

19. Anzeigefeld mit mehreren Schichten, dadurch gekennzeichnet, | daß eine transparente dielektrische Außenschicht und ein | Elektrodengitter vorgesehen sind , das auf der inneren Ober- U fläche der Außenschicht angeordnet ist, daß das Gitter zwei f Elektroden mit in Querrichtung ineinandergreifenden Teilen | aufweist, daß die Breite der ineinandergreifenden Teile | gleich oder kleiner ist als die Breite der Spalte zwischen || diesen Teilen, daß eine ununterbrochene im allgemeinen gleich- |

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mäßige dicke Schickt aus einem halbleitenden durch Vakuumabscheidung erzeugten elektrolumineszjarenden Material unterhalb des Elektrodengitters vorgesehen ist, daß durch die Anlegung eines Potentials an die Elektroden in der Schicht eine Lumineszenz erzeugbar ist und daß die Abtrennung bzw. Entfernung zwischen den Elektroden ausreichend groß ist, um eine beträchtliche Lichtübertragung zwischen den Elektroden und durch die Außenschicht zu ermöglichen.

20. Anzeigefeld nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß eine dielektrische Schicht zwischen dem Gitter und dem halbleitenden elektro?umiieszierenden Material vorgesehen ist und daß es die dielektrische Schicht ermöglicht, daß eine Wechselspannung an das Gitter angelegt wird, um eine Flächenlumineszenz hervorzurufen.

21. Anzeigefeld nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß

die Schicht aus halbleitendeia elektrolumineszierenden Material dotiert ist, so daß sie in bezug auf Gleichstrom empfindlich ist und daß die Schicht das Gitter kontaktiert, wodurch durch die Anlegung einer Gleichspannung eine Flächenlumineszenz erzeugbar ist.

22. Anzeigefeld nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine Dicke aufweist, die größer ist als die doppelte Dicke der Elektroden , wodurch bewirkt wird, daß die Lumineszenz in den Spalten zwischen den Elektroden und in Bereichen in der Nähe der Elektrode entsteht.

23. Anzeigefeld nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitterelektroden in Querrichtung eine Breite aufweisen, die zwischen 0,5 und 1,5nils liegt und daß die Elektroden in Querrichtung einen Abstand aufweisen, der zwischen C,5 und 5 nils liegt.

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24. Verfahren zur Herstellung eines vielschichtigen elektrolumineszierenden Anzeigefeldes, dadurch gekennzeichnet, daß durch Vakuumabscheidung eine ununterbrochene Schicht aus einem leitenden Elektrodenmaterial abgeschieden wird, daß selektiv gewundene Bereiche des Elektrodenmaterials entfernt werden, so daß ein aus zwei Elektroden mit in Querrichtung irviinandergre if enden Teilen zusammengesetztes Elektrodengitter entsteht, und daß eine ununterbrochene Schicht aus einem halbleitenden elektrolumineszierenden Material auf dem Gitter durch Vakuumabscheidung aufgebracht wird.

25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Vakuumabscheidung des elektrolumineszierenden Materials durch Vakuumabscheidung eine ununterbrochene Schicht aus einem dielektrischen Material auf das Gitter aufgebracht wird.

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