DE2641283A1

DE2641283A1 - Verfahren zur herstellung eines flachbildschirms

Info

Publication number: DE2641283A1
Application number: DE19762641283
Authority: DE
Inventors: Harhiro Machino
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1975-09-17
Filing date: 1976-09-14
Publication date: 1977-03-24
Also published as: GB1496755A; JPS5236467A; FR2325130A1; FR2325130B1; US4235001A; JPS5922337B2

Description

bu-fr

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: JA 975 001

Verfahren zur Herstellung eines Flachbildschirms

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für einen Flachbildschirm, wie es im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 beschrieben ist.

In der gebräuchlichsten Form besteht ein als Gasentladungsbildschirm ausgebildeter Flachbildschirm aus zwei Glassubstraten, deren : einander zugewandte Flächen jeweils mit einem Satz paralleler ¹ Leitungszüge überzogen sind. Dabei ist die Anordnung der Glassubstrate so getroffen, daß beim Zusammenbau die Leitungszüge beider Glassubstrate sich gegenseitig kreuzen. Eine Randversiegelung zusammen mit entsprechenden Abstandsstreifen zwischen beiden Glassubstraten gewährleistet einen hermetisch abgeschlossenen Hohlraum zwischen den Glassubstraten, der bei geeigneter Gasfüllung den Entladungsraum bildet. An den Kreuzungsstellen der oben erwähnten Leitungszüge auf den Glassubstraten lassen sich wahlweise bei entsprechender gleichzeitiger Erregung von Leitungszügen beider Glassubstrate Gasentladungsstrecken an den betreffenden Kreuζungsstellen ausbilden.

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Als nachteilig bei einer solchen Anordnung zeigt sich, daß großflächige Bildschirme sich hiermit nicht ohne weiteres realisieren lassen, da Durchbiegungen der Glasflächen unter Einwirkung des Luftdrucks zu Beeinträchtigungen des zuverlässigen und fehlerfreien Gasentladungsbetriebs führen. Um Abhilfe zu schaffen, ist eine entsprechende Anordnung von Abstandsstreifen nicht nur an der Peripherie des Bildschirms sondern auch in dessen Innenbereich vorgesehen worden. Eine derartige Lösung bringt aber einige Nachteile mit sich. Einmal wird die Herstellung komplizierter, indem zum Zusammenbau die Abstandsstreifen sowohl in einem vorläufigen als auch in einem endgültigen Verfahrensschritt an den vorgesehenen Stellen gleichzeitig fixiert werden müssen und zum anderen einen gewissen Flächenbereich innerhalb der Anzeigefläche beanspruchen und damit den Freiheitsgrad beim Anzeigebetrieb einschränken.

In der deutschen Offenlegungsschrift 2 248 6O8 ist eine andere Lösung des Problems beschrieben, die insofern günstiger als die oben beschriebene Lösung ist, als nur ein Glassubstrat zur Herstellung eines Gasentladungsbildschirms benötigt wird. Auf das Glassubstrat wird zunächst der erste Leitungszugsatz aufgebracht. An den vorgesehenen Kreuzungsstellen mit dem zweiten Leitungszugsatz werden dann jeweils Isolierschichtbereiche aufgetragen, so daß anschließend der zweite Leitungszugsatz, dessen Leitungen sich ja mit denen des ersten Leitungszugsatzes kreuzen sollen, aufgebracht werden können. Das sich hierbei ergebende Leitungszugmuster auf dem Glassubstrat wird abschließend mit einer dielektrischen Schicht überzogen, um einen wechselspannungsbetriebenen Gasentladungsbildschirm bereitzustellen. Zur Bildung des Gasentladungsraums wird das Leitungszugsmuster mit einer Abdeckung überwölbt, so daß ein Gasentladungsraum gebildet wird. Das die beiden Leitungszugsätze tragende Substrat ist in erster Linie ohne Einfluß auf den Anzeigebetrieb, da die Gasentladungsstrecken nicht zwischen zwei, dem Atmosphärendruck ausgesetzten Flächen gebildet werden.

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Nachteilig bei dieser Anordnung ist es jedoch, daß nur eine verhältnismäßig geringe Leitungszugsdichte vorgesehen werden kann, so daß die Sichtanzeige hierdurch beeinträchtigt wird. Geringfügige Verbesserungen lassen sich zwar dadurch erzielen, daß Hohlräume neben den Leitungszügen des einen Leitungszugsatzes und entsprechende Verlängerungen an den Leitungszügen des anderen Leitungszugsatzes im Bereich der Kreuzungsstellen angebracht werden, wobei dann die Hohlräume zur Ausbildung der Entladung zwischen diesen Verlängerungen und den Leitungszügen des anderen Leitungszugsatzes entsprechend günstig vorgesehen werden. Wenn auch geringfügige Verbesserungen der LeitungsZugdichte dank dieser Maßnahmen zu erzielen sind, so muß doch zur Vermeidung von übersprecheffekten ein Mindestabstand eingehalten werden, der durch die genannten LeitungszugsVerlängerungen und die seitlich der Leitungszüge des anderen Leitungszugsatzes angeordneten Hohlräume bedingt ist. Außerdem ergeben sich hierdurch bedingte spezielle zusätzliche Verfahrensschritte bei Herstellung eines solchen Gasentladungsbildschirms.

In der japanischen Offenlegungsschrift 12/72 ist ebenfalls ein Gasentladungsbildschirm beschrieben, dessen orthogonal zueinander verlaufende Leitungszugsätze ebenfalls auf einem Glassubstrat angeordnet sind. Hierbei ist jedoch im Gegensatz zur oben beschriebenen Ausführungsform der Leitungszugsatz mit der dielektrischen Oberzugsschicht überzogen. Der andere Leitungszugsatz der hierzu orthogonal verläuft, wird dann auf diesen dielektrischen überzug aufgebracht. Das ganze wird mit einer Abdeckung überwölbt, um so den Gasentladungsraum zu bilden. Auch hier wiederum ist das Problem gelöst, das bei üblichen Gasentladungsbild- : schirmen aufgrund der Durchbiegung der Glassubstrate unter Einfluß des Atmosphärendruckes vorliegt. Jedoch bleibt aber noch ein entscheidender Nachteil wirksam, nämlich der, daß sich die Gas- ' entladung längs der Oberfläche des dielektrischen Überzugs an den :, Kreuzungsstellen der Leitungszüge ausbreiten muß und nicht senkrecht zum Glassubstrat an den jeweiligen Kreuzungsstellen, da diese: vollständig durch dielektrisches Material gebildet bzw. ausgefüllt

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!sind. Auch hier zeigt sich, wie oben, daß es aufgrund dieser Maßnahmen unmöglich ist, die Gasentladungsstrecken und damit die Bildpunkte klar zu definieren, da die Leitungszugdichte und damit die Bildpunktdichte nicht auf den optimalen Wert gebracht werden kann, um so einen zuverlässig arbeitenden und zu betreibenden Gasentladungsbildschirm bereit zu stellen.

:In der japanischen Offenlegungsschrift 5 6059/73 ist ebenfalls ein Gasentladungsbildschirm für Wechselspannungsbetrieb gezeigt, bei dem die orthogonal sich kreuzenden Leitungszugsätze mit einer dazwischenliegenden dielektrischen Schicht auf einem Glas- :substrat angeordnet sind, ähnlich wie es oben beschrieben ist. Im Unterschied zur oben beschriebenen Ausführung jedoch sind wie bereits in der zuerst beschriebenen deutschen Offenlegungsschrift 2 248 608 in der Nachbarschaft jeder Kreuzungsstelle jeweils Hohlräume in der dielektrischen Schicht ausgebildet und so gestaltet, daß sich hierin die Gasentladungen für die Bildpunkte ausbilden können. Hier zeigt sich dann auch wiederum der Nachteil der durch die Ausführung nach der genannten deutschen Offenlegungsschrift gegeben ist, nämlich daß aufgrund der an jeder Kreuzungsstelle vorzusehenden Entladungshohlräume die Bildpunkt-Ielementdichte nicht ein gewisses Maß überschreiten darf, so daß !auch hiermit nicht eine optimale Lösung zu erreichen ist. j

!schließlich zeigt die japanische Offenlegungsschrift 37073/73 t 'ebenfalls eine Gasentladungsbildschirmstruktur, die im Prinzip den

j I

loben beschriebenen gleicht. Auch hier wiederum sind Entladungsjhohlräume an den Kreuzungsstellen der Leitungszüge vorgesehen. !Diese Entladungshohlräume befinden sich jedoch im Gegensatz zu den oben erwähnten Entladungshohlräumen unmittelbar an den Kreuzungsstellen, indem sie nämlich von dort befindlichen Lochungen j Iin den auf dem dielektrischen überzug befindlichen Leitungszügen !und darunterliegenden Lochungen im dielektrischen Oberzug bis auf

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ι die Oberflächen der unmittelbar auf dem Glassubstrat aufliegenden j Leitungszüge reichen, so daß hiermit ansich entsprechende Hohl- \räume für Gasentladungen an den richtigen Stellen bereit gestellt ίwerden. Diese Entladungshohlräume, die sich also unmittelbar an ϊden Kreuzungsstellen der orthogonal zueinander ausgerichteten I Leitungszugsätze befinden, ergeben damit den Vorteil, daß bei 'Vorsehen von speziellen Entladungshohlräumen im Prinzip kein beson· !derer Platzbedarf erforderlich ist. Aber dann ist doch wiederum

[der Nachteil zu verzeichnen, daß die einzelnen Leitungszüge auf

dem dielektrischen Oberzug entsprechend breit sein müssen, um die Lochungen aufnehmen zu können, was dann auch zu einer entsprechenden Verkomplizierung des anzuwendenden Herstellungsverfahrens führt. Auch in diesem Falle ist also festzustellen, daß !keine optimale Leitungszugsdichte bzw. Bildpunktelementdichte aufgrund der hierdurch bedingten Lösung des Problems zu verzeichnen ist.

^!Schließlich gilt noch zu bedenken, daß ein Wechselspannungsbe-S trieb des Gasentladungsbildschirms insofern in seiner Wirksamkeit herabgesetzt wird, als beide Leitungszüge nicht mit einer dielektrischen Schicht überzogen sind, sondern mehr oder weniger frei der Gasentladung ausgesetzt sind, so daß sich nur spärlich Wandentladungen, die für diese Betriebsweise ja unablässlich sind, ausbilden können.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren bereitzustellen, das in einfacher Weise gestattet, Flachbildschirme mit orthogonal zueinander ausgerichteten Leitungszügen auf nur einem Substrat herzustellen, wobei außerdem eine optimale Leitungsdichte und damit Bildpunktelementdichte bei zuverlässiger Betriebsweise der hergestellten Bildschirme zu erzielen ist.

Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe gelöst, wie es im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegeben ist.

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, Als Gasentladungsbildschirme ausgebildete Flachbildschirme dieser Art sind für Wechselstrombetriebsweise dann geeignet, wenn die j Leitungszüge mit einem dielektrischen Überzug versehen sind, so ! daß sie nicht direkt dem Gasentladungsraum ausgesetzt sind. Die J Wechselstrombetriebsweise beruht nämlich darauf, daß beim anfäng-j liehen Zünden einer Gasentladungsstrecke Ladungsträger an den be-;

■ treffenden Stellen der dielektrischen Überzugsschicht dieser j Leitungszüge angesammelt werden, die jeweils eine der Brennspan- j nung entgegengesetzt gerichtete Spannung aufzubauen vermögen. Bei, infolge der angelegten Wechselspannung erfolgenden Vorzeichenumkehr der an der Gasentladungsstrecke wirksamen Spannung wird bei geeigneter Frequenz der Wechselspannung die Zündbedingung der Gasentladungsstrecke jeweils aufrechterhalten, bis wiederum Ladungsträger entgegengesetzter Polarität eine der Brennspannung entgegengesetzt gerichtete Spannung aufbauen_f die dann bei erneut erfolgender Umkehr des Vorzeichens der an der Gasentladungsstrecke wirksamen Spannung den Zündzustand der Gasentladungsstrecke fortsetzt usw.

Andere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den entsprechenden Unteransprüchen zu entnehmen, wobei noch besonders hervorzuheben ist, daß die dielektrischen Überzüge der Leitungs- ; züge in vorteilhafter Weise durch Oxidation ihrer entsprechenden ; Oberflächenbereiche bereitgestellt werden können»

• Ein großer Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, daß z«r Herj stellung von Flachbildschirmen Verfahren angewendet werden kösi- : nen, wie sie zur Herstellung monolithisch integrierter Halblsi- ! terschaltraigen üblich sind»

Es zeigt sich, daß es mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens in vorteilhafter Weise möglich ist, s.B= einen Gasentladungsbildschirm mit optimaler LeitungsZugdichte bereitzustellen, da von konstruktiven Erfordernissen wie Verbreiterung der Leitungszüge ;zur Aufnahme von Lochungen, von LeitungsZugsverzweigungen an den

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Kreuzungsstellen oder Entladungshohlräumen neben den Leitungszügen Abstand genommen werden kann. Außerdem läßt sich das Herstellungsverfahren an sich wesentlich einfacher durchführen, als es bei den bekannten Verfahren der Fall ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist zwar zur Ausführung an Gasentladungsbildschirmen beispielsweise beschrieben, es läßt sich jedoch, wie ohne weiteres ersichtlich, ganz allgemein zur Herstellung von Flachbildschirmen wie z.B. auch von Flüssigkristallanzeigen verwenden, also bei Flachbildschirmen allgemein, bei denen zwischen gegenüberliegenden Elektroden spannungsansprechende Anzeigemedien eingebracht sind. Wobei die zwischen den Elektrodenleitungszügen liegende, als Abstandsmittel dienende Zwischenschicht in den Kreuzungsstellen von Elektrodenleitungen zugeordneten Bereichen zur Aufnahme des auf Spannung ansprechenden Anzeigemediums jeweils selektiv entfernt ist.

I i

Die Erfindung wird im folgenden anhand einer Ausführungsbei- ■ Spielsbeschreibung mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen !näher erläutert« [

! i

■ Es zeigea s

JFig. 4

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Querschnitte der erfindungsgemäß hergestellten Anordnung jeweils nach Abschluß eines charakteristischen Verfahrensganges,

einen vergrößerten Ausschnitt in perspektivischer Ansicht nach Abschluß des Verfahrens-

Schrittes B in Fig. 1,

i einen Querschnitt längs der gestrichelten Linie j

3-3 in Fig. 1E, j

einen Querschnitt, der die erfindungsgemäß hergestellte Anordnung im Stadium nach selektivem

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Entfernen dielektrischer überzugsbereiqhe zeigt,

den Ausschnitt einer erfindungsgemäß hergestellten Anordnung in Form eines Gasentladungsbildschirms gemäß der Erfindung.

Wie in Fig. 1A gezeigt, wird eine Reihe von parallel zueinander verlaufenden Leitungszügen 2 auf einem isolierenden Substrat, wie z.B. der Glasplatte 1, aufgebracht. Im vorliegenden Ausfüh- :rungsbeispiel sind als Beispiel nur vier Leitungszüge 2 dargestellt j Diese Leitungszüge 2 lassen sich beispielsweise durch Aufdampfen in Vakuum als metallische Schicht in gleichförmiger Dicke auf der Oberfläche der Glasplatte 1 mit anschließendem photolithographischen Verfahren und Ätzen aufbringen. Ein weiteres Verfahren I zum Aufbringen der Leitungszüge 2 könnte darin bestehen, daß j Metall über eine entsprechende Maske auf die Glasplatte 1 niederigeschlagen wird; ebensogut könnte natürlich auch jede andere be-Ikannte Methode Anwendung finden.

iIm vorliegenden Ausführungsbeispiel sollen die Leitungszüge 2 !vorzugsweise aus transparentem leitendem Material wie z.B. SnO₀ ioder In₃O₃ + SnO₂ bestehen, da die Glasplatte 1 als Anzeigefläche vorgesehen ist. Falls SnO₂ Anwendung findet, lassen sich die JLeitungszüge 2 durch Niederschlagen einer aufgestäubten Zinnoxidschicht in der Dicke von 1 um auftragen, indem die niedergeschlagene Zinnoxidschicht mit einem Photolack zur Darstellung des Leitungszugmusters überzogen und die Zinnoxidschicht mit Salzsäure oder Schwefelsäure abschließend selektiv ausgeätzt wird. Die Leitungszüge 2 besitzen eine Breite von 130 pm und sind jeweils 40 um voneinander getrennt. Die Leitungszüge 2 lassen sich auch darstellen, indem ein Elektronenstrahlverdampfungsverfahren unter Anwenden von Zinnoxid benutzt wird oder indem SnCl- auf die Glas-

platte bei einer Temperatur von 400 bis 700 aufgesprüht wird. Die Leitungszüge 2 können auch jeweils als Doppelleitung ausgeführt oder mit kleinen öffnungen versehen sein, wobei dann vorzugsweise Kupfer oder Aluminium als Leitungszugmaterial Anwendung findet, um an den jeweiligen Bildpunktstellen, die ja den wählba-

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;ren Gasentladungsstrecken entsprechen, die jeweilige Lichtausibeute zu erhöhen. Sind die Leitungszüge 2 aus hochleitendem Ma- :terial wie z.B. Kupfer gebildet, dann genügt eine Leitungszugs-,dicke von etwa 0,5 um. Wie noch im einzelnen beschrieben, sind die Leitungszüge 2 vorzugsweise so auf der Glasplatte 1 aufgeibracht, daß sie in einem vorgegebenen Abstand vom jeweiligen Glas- ;plattenende aufhören, so daß die dann freiliegenden Oberflächenbe-',reiche der Leitungszüge 2 insgesamt mit einer dielektrischen über. ;zugsschicht bedeckt werden können, um sie unter anderem bei nachfolgend angewendeten Ätzverfahren vor schädigenden Einflüssen zu .schützen.
j

; Wie erwähnt, wird anschließend an diesen ersten Verfahrensgang eine dielektrische Überzugsschicht 3 auf die Oberfläche des Substrats mit den darauf befindlichen Leitungszügen aufgebracht. Als Material für diese dielektrische Überzugsschicht 3 dient ;SiO₂, Al₃O₃, Si₄N₄ und dergl. Bei Siliciumdioxid wird die Glas-'platte 1 auf eine Temperatur von etwa 200° C aufgeheizt, wobei Siliciumdioxid in einer Dicke von 2 um mittels Hochfrequenz-Zer-

stäubung niedergeschlagen wird. Bei einer HP-Leistung von 500 bis 1000 Watt und 13,56 MHz beträgt die Niederschlagsrate etwa ι 250 Ä/min, und der Zerstäubungsvorgang wird während etwa 80 min .angewendet, um eine Siliciumdioxidschicht mit einer Dicke von 2 pn zu erhalten. Da wie gesagt, die Leitungszüge 2 in einem vorigegebenen Abstand vom Glasplattenende aufhören, werden nicht nur die oben liegenden Flächenbereiche sondern auch die Seiten- und Endflächen der Leitungszüge 2 von der dielektrischen Überzugsschicht 3 bedeckt.

Anschließend wird dann wie in Fig. 1A angedeutet, eine Zwischenschicht 4, bestehend aus Metall, oberhalb dieser dielektrischen Überzugsschicht 3 in gleichmäßiger Dicke aufgebracht. Das hierzu verwendete Metall ist derart gewählt, daß es sich leicht Niederschlagen, Ätzen und Oxidieren läßt, um wie erwünscht und weiter unten noch gezeigt, an den betreffenden Stellen elektrisch hochisolierende Bereiche zu bilden. Diesen Anforderungen wird Aluiminiura am ehesten gerecht.

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Aluminium wird also mittels Vakuumaufdampfens bei einem Vakuum
von etwa 1 χ 10 Torr unter Aufheizen der Glasplatte 1 auf etwa 300° C niedergeschlagen. Die Zwischenschicht 4 erhält damit
eine Aluminiumschichtdicke von etwa 10 pm. Wie noch näher ausgeführt, wird diese Aluminiumzwischenschicht 4 jedoch nicht über die Enden der Leitungszüge 2 niedergeschlagen, die für die Aussenanschlüsse zur Bereitstellung der Treibersignale auf die Leitungszüge 2 dienen sollen. Für diese Zwischenschicht 4 lassen
sich auch andere Metalle wie Tantal, Niob, Zirkonium und Hafnium verwenden; jedoch ist hierbei zu bedenken, daß sie hohe Schmelzpunkte haben und ein Zerstäubungsverfahren für ihren Niederschlag ' erfordern. Ein derartiges Zerstäubungsverfahren erfordert ziem- j lieh genaue Steuerung und benötigt einen gewissen Zeitraum, um ι

eine relativ dicke Schicht zu erhalten, da hiermit eine entsprechend niedrige Niederschlagsrate verbunden ist. Weiterhin gilt es zu bedenken, daß die Ätzlösung aus Flußsäure, die hierfür erforderlich ist, auch SiO₂ ätzt. Die Verwendung von Aluminium für
diese Zwischenschicht 4 ist demnach schon zweckmäßig. Jedoch
lassen sich die genannten Metalle für die Zwischenschicht 4 verwenden, wenn andere Materialien, wie Al₃O₃, Si₄N₄, die nicht durch Flußsäure angreifbar sind, als Material für die dielektrische
überzugsschicht dienen.

Als nächstes wird dann gemäß Fig„ 1B die z.B. aus Aluminium bestehende Zwischenschicht 4 in auswählbaren Bereichen oxidiert„ so
daß nur die Bereiche 5 zwischen den Leitungszügen 2 und die Bereiche 5' und 5" zu beiden Seiten der Anordnung in Aluminiumoxid (Al₃O₃) umgewandelt werden. Dieser Oxidationsvorgang wird durchgeführt, indem zunächst ein Photolack über die gesamte Oberfläche der aus Aluminium bestehenden Zwischenschicht 4 aufgetragen, selektiv gemäß dem gewünschten Leitungszugmuster exponiert und
dann anschließend die Photolackschicht entwickelt wird, so daß
nur die Bereiche 5, 5· und 5·' der aus Aluminium bestehenden
Zwischenschicht freigelegt werden; zum Abschluß erfolgt dann die ,Eloxierung dieser freigelegten Bereiche der aus Aluminium beste-

henden Zwischenschicht 4. Dieser Eloxiervorgang erfolgt in einer JA 975 001

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wässrigen 2%igen Schwefelsäurelösung bei einer Temperatur unterhalb von 20° C und einer Stromdichte von 0,01 bis 0,02 A/cm . Beim Oxidierungsvorgang wird die Schicht geringfügig dicker. In der Darstellung sind die Aluminiumoxidbereiche 5, 5' und 5'' als coplanar mit den Aluminiumbereichen 6 dargestellt, jedoch versteht es sich, daß die Zeichnung nur rein schematisch sein kann und nicht exakt die tatsächlichen Verhältnisse wiedergeben soll. Dies gilt ebenso für die Maßstabstreue, da in den Zeichnungen aus Gründen der Klarheit die Maßstabsverhältnisse entsprechend abgewandelt sind.

Die Darstellung nach Fig. 2 zeigt einen stark vergrößerten Ausschnitt der Anordnung nach Fig. 1B in perspektivischer Ansicht, wobei die Aluminiumzwischenschicht 4 in ihren Bereichen 5 und 5' durch Eloxierung in Aluminiumoxid umgewandelt und die dielektrische Oberzugsschicht 3 ausschnittsweise abgetragen ist. Da die dielektrische Überzugsschicht 3 ja transparent ist, sind auch die Leitungszüge durch diese Schicht hindurch zu erkennen. Jedenfalls ist auch aus der Darstellung nach Fig. 2 ersichtlich, daß die Leitungszüge 2 jeweils in einem vorgegebenen Abstand von der Endkante der Glasplatte 1 aufhören, so daß sie gänzlich mit der dielektrischen Oberzugsschicht 3 bedeckt sind, wohingegen die Zwischenschicht 4 derart aufgetragen ist, daß die Enden der Leitungszüge 2 von ihr nicht bedeckt sind.

Natürlich werden die Enden der Aluminiumsleitungszüge wenn sie Ifreiliegen, ebenfalls bis zu einem gewissen Maße oxidiert. Dies [läßt sich jedoch hinnehmen, da sie ja außerhalb der eigentlichen !Bildfläche liegen. Falls erforderlich, läßt sich die Photolack- ;schicht derart auftragen, daß außerdem noch die Enden der Alumi-

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niumleitungszüge 6 bedeckt werden. Außerdem könnte auch die Peri- \ pherie der Zwischenschicht 4 außerhalb der Bildfläche gewissermaßen zur Bildung eines Rahmens eloxiert werden. Auf alle Fälle müssen jedoch die Bereiche der Zwischenschicht 4, die zwischen den Leitungszügen 2 liegen, unbedingt oxidiert werden, da sie ja später als Abstandsstützen dienen sollen.

Fig. 1C zeigt eine zweite dielektrische überzugsschicht 7, die sich oberhalb der Zwischenschicht 4 erstreckt und damit die AIu-¹ miniumoxidbereiche 5, 5' und 5'' und die Aluminiumbereiche 6 bej deckt. Die dielektrische überzugsschicht 7 kann aus dem gleichen • Material wie die dielektrische überzugsschicht 3 bestehen und

! wird zweckmäßigerweise mit Hilfe von HF-Zerstäubungsverfahren in einer Dicke von 2 um niedergeschlagen,

J Wie in Fig. 1D gezeigt, wird dann ein zweiter Satz von parallelen Leitungszügen 8 auf die zweite dielektrische überzugsschicht 7 derart aufgetragen, daß sich die zugehörigen Leitungszüge ortho-

j gonal zu denen des ersten Leitungszugsatzes erstrecken. Die Lei- ! tungszüge 8 des zweiten Satzes besitzen die gleiche Dicke, die

gleiche Breite und den gleichen Abstand unter Verwendung gleichen Materials wie die ersten Leitungszüge 2. Jedoch im Unterschied zu den ersten Leitungszügen 2 können die Leitungszüge 8 auch aus undurchsichtigen leitenden Material, wie z.B. Kupfer bestehen_f da sich die Leitungszüge 8 auf der Rückseite des Sichtgeräts befinden und für die Lichtausbeute unbeachtlich bleiben. Wird Kupfer als Material für die zweiten Leitungszüge 8 verwendet, dann wird es in einer Dicke von 0,5 um aufgebracht. Auch diese zweiten Leitungszüge 8 sind so angeordnet, daß sie in einem vorgegebenen Abstand von den Seitenkanten der Zwischenschicht 4, wie in Fig. 1D gezeigt, aufhören.

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! Entsprechend Fig. 1E wird anschließend eine dritte dielektrische [ Überzugsschicht 9 oberhalb der zweiten Leitungszüge 8 aufgebracht, wobei das Material dieser dritten dielektrischen Überzugsschicht j 9 das gleiche ist wie das der dielektrischen Überzugsschichten 3 und 7, indem ebenfalls eine Dicke von 2 um mit Hilfe von HF-Zerstäubung aufgetragen wird. Wie sich weiter unten noch zeigt, würden falls die oberen Flächenbereiche und die Seitenflächen der zweiten Leitungszüge 8 nicht von der dielektrischen Überzugsschicht 9 bedeckt sind, im fertigen Gasentladungsbildschirm diese Oberflächenbereiche in direkter Berührung mit dem in Entladungs-

; raum befindlichen Gas stehen, so daß zwangsläufig dann eine Zer~ ! stäubung an diesen freiliegenden Oberflächenbereichen der zweiten ι Leitungszüge 8 während des Betriebs auftreten würde, was dann unter entsprechender Verunreinigung des Gases schließlich zu einer Zerstörung der Leitungszüge führen müßte. Mit anderen Worten _f ' auch die zweiten Leitungszüge 8 müssen vollständig von der di-I elektrischen Überzugsschicht 9 bedeckt sein. Dadurch, daß die zweiten Leitungszüge 8 in einem gewissen Abstand von den Seitenenden der Zwischenschicht 4 aufhören, sind die entsprechend freiliegenden Oberflächenbereiche ebenfalls vollständig von der dritten dielektrischen Überzugsschicht 9 bedeckt.

: Im nächsten Verfahrensgang werden die zweiten und dritten dielektrischen Überzugsschichten 7 und 9 selektiv ausgeätzt, um die Zwischenschicht 4 in den Bereichen zwischen den zweiten Leitungszügen 8 freizulegen. Hierzu wird Bezug auf die Querschnittsdarstellung in Fig. 3 genommen, entsprechend der gestrichelten Linie 3-3 in Fig. 1E. Die auszuätzenden Bereiche der zweiten dielektrischen Überzugsschichten 7 und 9 sind hier die Bereiche 10 zwischen den zweiten Leitungszügen 8 in Fig. 3. Um fernerhin das Ätzen der Aluminiumbereiche an den Seitenenden der Zwischenschicht 4 zu erleichtern, werden außerdem die Bereiche 11 in zweckmäßiger Weise ausgeätzt. Der Ätzvorgang selbst wird mit Hilfe photolithographischer Maskenverfahren in an sich bekannter Weise durchgeführt. Hierzu wird zunächst eine Photolackschicht auf die dritte dielektrische Überzugsschicht 9 aufge-

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tragen, selektiv exponiert und anschließend entwickelt, um die Photolackschicht in den Bereichen 10 und 11 zu entfernen. Die dielektrische Überzugsschicht 9, die in den Bereichen 10 und 11 freigelegt ist, wird einer Ätzlösung ausgesetzt, die nur die I zweiten und dritten dielektrischen Überzugsschichten anzugreifen ; vermag. Eine Lösung, bestehend aus 10%iger Flußsäure oder aus ; 10% HF+NH-F, kann hierzu Anwendung finden. j

Die Darstellung nach Fig. 4 zeigt das Ergebnis, nämlich eine An- i Ordnung, bei der die zweiten und dritten dielektrischen Überzugs- [ schichten 7 und 9 in den Bereichen 10 und 11 durch Ausätzen ab- ' getragen sind. Damit ist dann die Zwischenschicht 4 in den Berei- j chen 10 und 11 ihrerseits freigelegt. Auf jeden Fall ist bei : Anwendung des Ätzvorgangs darauf zu achten, daß die dielektri- j sehen überzugsschichten 7 und 9 immer noch vollständig die zwei- {

ten Leitungszüge 8 bedeckt halten. j

Als nächstes wird dann die so erhaltene Anordnung einer Ätzlösung j ausgesetzt, die lediglich die noch aus Aluminium bestehenden Be- ; reiche 6 in der Zwischenschicht 4 entfernen kann. Eine Ätzlösung, j die zwar Aluminium aber nicht Aluminiumoxid und nicht das dielektrische Überzugsmaterial zu ätzen vermag, wird hier angewendet. Zu diesem Zwecke lassen sich Ätzlösungen, basierend auf H₃PO₄ oder NaOH anwenden _r wobei eine geeignete Ätzlösraig in vorteilhafter Weise aus einer wässrigen Lösung, bestehend aus H-PO^ + HNO₃ bestehen kann» Nach Abschluß dieses Verfahrensganges zeigt sich, daß die Aluminiumbereiche 6 innerhalb der Zwischenschicht 4 durch Anwenden dieser Ätelösung abgetragen sind, die über die Bereiche 10 und 11 einzudringen und anzugreifen vermag, so daß sich die Hohlräume 12 wie in Fig. 1F gezeigt, ausbilden können. Tatsächlich entstehen diese Hohlräume 12 zwischen den ersten oder unteren Leitungszügen 2 und den zweiten oder oberen Leitungszügen 8, wobei sich die oberen Leitungszüge 8 im jeweils vorgegebenen Abstand von den unteren Leitungszügen dank der Aluminiumoxidinseln 5, 5' und 5^SI abstützen können. Auf diese Weise ergeben sich also Leitungszugsstützen, die die zweiten Leitungszüge 8 tragen,

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! ohne daß diese den ersten Leitungszügen 2 an den Kreuzungsstellen durch Stützmaterial verdeckt sind.

Beim Ätzen der Aluminiumbereiche 6 in der Zwischenschicht 4 dekken die mit der dielektrischen überzugsschicht versehenen Leitungszüge 8 teilweise die Aluminiumbereiche 6 ab und verhindern damit, daß die so maskierten Aluminiumbereiche dem Ätzvorgang

; unterliegen. Da das dielektrische Überzugsschichtmaterial und die Aluminiumoxidbereiche im wesentlichen nicht durch die das Aluminium ätzende Lösung angegriffen werden, läßt sich der Ätz-Vorgang über einen ausreichenden Zeitraum erstrecken, so daß die Aluminiumbereiche unterhalb der oberen Leitungszüge 8 vollständig unterschnitten werden können. Durch Anwenden von Ultraschall läßt sich der Abtragungsvorgang für das Aluminium noch beschleunigen. Da die Leitungszüge 2 und 8 vollständig mit der dielektrischen überzugsschicht bedeckt sind, können sie nicht durch die Aluminiumätzlösung angegriffen werden.

Wie in Fig. 1G gezeigt und in Fig. 4 angedeutet, wird eine Abdeckungsschale 13 in geeigneter Position angebracht, um einen ; Entladungsraum zur Bereithaltung des ionisierbaren Gases an

den Bildpunktelementen, wie sie durch die Kreuzungsstellen der ; oberen und unteren Leitungszüge definiert sind_f bereitzustellen. ■ Unter entsprechender Anwendung von Lötglas wird dann dieser Ent- \ ladungsraum hermetisch abgedichtet, indem die Enden der oberen 8 und der unteren Leitungszüge 2 zum Bereitstellen entsprechender Elektrodenanschlüsse in geeigneter Weise unter entspre- ! chender Abdichtung zwischen der Abdeckungsschale 13 und der mit j der dielektrischen überzugsschicht 7 bedeckten Zwischenschicht 4 herausgeführt sind. Ist die Peripherie der Zwischenschicht 4, wie i oben beschrieben, im Oxidationsvorgang als Rahmen ausgebildet, dann läßt sich die Absteckschale 13 auf diese als Rahmen ausgebildete Peripherieoxidation plazieren.

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Abschließend werden die Enden der dielektrischen überzüge-3, 7 unc 9 durch einen entsprechenden Ätzvorgang abgetragen, so daß die Enden der Leitungszüge 2 und 8 für die Außenanschlüsse freigelegt werden. Dieser Ätzvorgang läßt sich durchführen, indem die Bildschirmkanten in eine Lösung von 10 %iger HF-Säure oder in eine Lösung, bestehend aus 10 % HF + NH.F getaucht werden.

Fig. 5 zeigt wie gesagt, eine Kante des Gasentladungsbildschirms bei abgehobener Abdeckschale 13. Hier ist deutlich zu sehen, daß die oberen 8 und unteren Leitungszüge 2 vollständig mit einem dielektrischen Überzug versehen sind, mit Ausnahme für die freiliegenden Enden, die ja für die Außenanschlüsse vorgesehen sind.

Im vorstehenden ist ein spezielles Ausführungsbeispiel zur Erläuterung der Erfindung beschrieben. Es versteht sich jedoch, daß im Rahmen der Erfindung die praktische Ausführung unterschiedlich gestaltet werden kann.

Wenn z.B. zur Bildung des dielektrischen Überzugs für die unteren Leitungszüge 2 dielektrisches Material wie z.B. SiO₂ gemäß der Erfindung in bevorzugter Weise durch HF-Zerstäubung aufgetragen wird, läßt sich diese dielektrische Überzugsschicht andererseits auch durch entsprechendes Oxidieren der Oberflächen der unteren Leitungszüge bilden, so daß Oxidüberzugsschichten vor dem Niederschlagen der Zwischenschicht gebildet werden. Bei diesem Alternativverfahren läßt sich Aluminium, Tantal, Niob, Zirkonium oder Hafnium als Metall für die unteren Leitungszüge 2 in vorteilhafter Weise anwenden. So läßt sich z.B. eine Aluminiumschicht auf die Glasplatte 1 auftragen, wobei die gewünschten parallelen Leitungszüge 2 durch Anwenden wohlbekannter photolithographischer Maskenverfahren aus dieser Aluminiumschicht gebildet werden, wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben, wobei dann nur die Oberflächenbereiche der Aluminiumleitungszüge eloxiert werden, um so eine Aluminiumoxidschicht zu erhalten. Anstatt parallele Leitungszüge aus Aluminium mit Hilfe eines entsprechenden Ätz-

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Vorganges bereitzustellen, läßt sich die Aluminiumschicht auf der Glasplatte 1 auch streifenweise eloxieren, wobei dann auch parallel zueinander verlaufende Aluminiumleitungszüge ausgebildet ,werden, die untereinander durch diese eloxierten Streifen iso-

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jliert sind. In diesem Fall brauchen dann nur noch die oberen !Oberflächenbereiche der Aluminiumleitungszüge eloxiert zu werden. Die Reihenfolge der Verfahrensschritte, nämlich Eloxieren der Aluminiumschicht zum Erhalten der unteren Leitungszüge und anschließendes Eloxieren der Oberfläche der sich so gebildeten iAluminiumschichtbereiche, läßt sich auch umkehren. Wird der Ver- ;fahrensschritt zum Eloxieren der Aluminiumoberfläche vor dem Ver-Ifahrensschritt des Eloxierens der Aluminiumschicht in Form von ' I Streifen vorgenommen, dann läßt sich das streifenweise Eloxieren der Aluminiumschicht für die unteren Leitungszüge und der Zwi- ! schenschicht, die hierauf aufgebracht ist_f gleichzeitig durch- " führen. Die nachfolgenden Verfahrensschritte schließen sich dann ■ gemäß dem entsprechenden Verfahrensablauf an, wie im Zusammen- ; hang mit Fig. 1 beschrieben. \

•Außerdem lassen sich bei diesem alternativen Verfahren Tantal, ! ! Zirkonium, Niob oder Hafnium auch für die Bildung der Zwischenschicht verwenden. Werden jedoch wie im Falle der Fig. 1, die Verfahrensschritte nach dem Eloxieren der Zwischenschicht durchgeführt, dann sollten die dielektrischen Überzugsschichten 7 und 9 aus Al₃O₃, Si₄N₄ usw. bestehen, da SiO₂ durch Flußsäure wie oben beschrieben, angegriffen wird. Eine Lösung bestehend aus Flußsäure oder HF + HNO₃ stellt eine geeignete Ätzlösung für ' Tantal, Zirkonium, Niob und Hafnium dar. Da diese Ätzlösungen die Oxide der genannten Metalle nicht anzugreifen vermögen, läßt sich jedes dieser Metalle als Metall zum Oxidieren seiner Oberfläche verwenden und außerdem als Material für die Zwischenschicht. Da weiterhin die Ätzlösung für Aluminium, nämlich eine wässrige I Lösung aus H₃PO₄ + HNO₃, die Oxide von Tantal oder dergl. nicht ι anzugreifen vermag, läßt sich Tantal oder dergl. als Metall zum I Oxidieren seiner Oberflächen verwenden, wobei dann Aluminium für

j die Zwischenschicht Anwendung finden kann. JA 975 001

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j Im bevorzugten Ausführungsbeispiel sind zwar entsprechende Einj zelverfahrensschritte angegeben, um die dielektrische überzugs-I schicht 7 und die dielektrische Überzugsschicht 9 auf die oberen Leitungszüge 8 aufzutragen; es lassen sich jedoch einer oder mehrere dieser Verfahrensschritte ausschalten, indem die frei lie- ; genden Oberflächenbereiche der oberen Leitungszüge 8 zur Bildung ielektrischer Überzugsschichten eloxiert werden, nachdem die Aluminiumbereiche 6 der Abstandsschicht 4 abgetragen sind. In diesem Falle lassen sich Tantal, Niob, Zirkonium oder Hafnium für die ! oberen Leitungszüge 8 verwenden. Da diese Metalle nicht wesent- : lieh durch eine Ätzlösung für Aluminium angegriffen werden, erleiden sie auch keinen Schaden während des Ausätzens der Alumi-■ niumbereiche 6 aus der Zwischenschicht 4. Bei dieser Alternativmethode lassen sich die Verfahrensschritte von der Bildung der unteren Leitungszüge bis zum selektiven Eloxieren der Aluminiumzwischenschicht gemäß den Verfahrensschritten, wie sie im Zusammenhang mit der Fig. I beschrieben sind, oder gemäß der Verfahren, wie sie oben zur Oberflächenoxidation der unteren Leitungszüge erwähnt sind, durchführen. Wenn die Oberflächeneloxierung der j unteren Leitungszüge in dieser Alternativmethode angewendet wird, dann sind sowohl die oberen als auch die unteren Leitungszüge undurchsichtig. Ebenso kann auch bei Anwendung dieses Alterna- ;tiwerfahrens die Zwischenschicht aus Tantal, Niob, Zirkonium oder Hafnium gebildet sein. In diesem Falle jedoch sollten die j oberen Leitungszüge aus Aluminium bestehen, da, wenn die obejren Leitungszüge ebenfalls aus Tantal, Niob, Zirkonium oder i Hafnium bestünden„ sie außerdem während des Ätzvorgangs der Zwischenschicht angegriffen würden. Die für Tantal verwendete ■■ Ätzlösung wie HF + HNO₃ greift im wesentlichen Aluminium nicht Ian. Wird jedoch Tantal oder dergl. für die Zwischenschicht verwendet, dann können natürlich dielektrische tiberzugsmaterialiem j die durch Flußsäure angreifbar sind, nicht als Material für die !dielektrische übersugsschicht 3 auf den unteren Leitungszügen in Betracht kommen.

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! Es ist weiterhin möglich, den Verfahrensschritt zum Niederschlagen der dielektrischen überzugsschicht 3 auf die unteren Leitungszüge sowie mehr als einen der Verfahrensschritte zum Niederschlag der dielektrischen überzugsschicht 7 und der dielektrischen Überzugsschicht 9 auszuschalten, indem dielektrische Überzüge I durch gleichzeitiges Eloxieren der freigelegten Oberflächenbe- j reiche der unteren Leitungszüge 2 und der oberen Leitungszüge 8 j nach Ausätzen der Aluminiumbereiche 6 in der Zwischenschicht 4 ! aufgebracht werden. In diesem Falle sind die unteren Leitungs- ' züge 2 und die oberen Leitungszüge 8 aus Tantal, Niob, Zirkonium ι oder Hafnium gebildet, die ja nicht durch eine fitzlösung für Alu- i minium angreifbar sind. Auch in diesem Falle sind sowohl die unteren als auch die oberen Leitungszüge undurchsichtig.

' Wie bereits erwähnt, wird _{ wenn das Verfahren zum Bilden der unteren Leitungszüge zur gegenseitigen Isolierung voneinander durch entsprechendes Eloxieren der Metallschicht auf der Glasplatte 1 streifenweise erfolgt, das streifenweise Eloxieren der metallischen Schicht für die unteren Leitungszüge und für die Aluminium-

\ zwischenschicht gleichzeitig durchgeführt.

'■ Auch in diesem Falle läßt sich Tantal oder dergl. als Material j für diese Zwischenschicht verwenden. Jedoch sollte dann Alumiinium für die unteren und oberen Leitungszüge Verwendung finden, wobei das dielektrische Überzugsmaterial für die Schichten 7 oder

9 derart sein sollte, daß es nicht durch Fluorsäure angegriffen i
werden kann, die zum Ätzen von Tantal oder dergl. diene.

Ein weiteres brauchbares Verfahren zur Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe könnte darin bestehen _g daß z.B. eine Tantalschicht auf eine Glasplatte 1 niedergeschlagen wird, worüber dann die Aluminiumzwischenschicht aufgetragen wird. Anschließend werden dann die Tantalschicht und die Aluminiumzwischenschicht gleichzeitig streifenweise eloxiert, um dann die Oberfläche der Tan-

Italschicht nach fitzen der Aluminiumbereiche 6 ebenfalls zu eloxieren.

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Obgleich vorliegende Erfindung für spezielle Ausführungsßeispiele beschrieben ist, dürfte es sich verstehen, daß ohne weiteres auch andere Herstellungsverfahrensarten im Rahmen der Erfindung möglich sind. So dürfte es z.B. klar sein, daß, obgleich alle Gebiete der metallischen Zwischenschicht zwischen den unteren Leitungszügen in Streifenform eloxiert sind, um die erwünschten Stützelemente zu erhalten, ebenso auch lediglich die diskontinuierlichen Bereiche jedes Gebietes der metallischen Zwischenschicht zwischen den unteren Leitungszügen, welche erforderlich wären, um die oberen Leitungszüge so abzustützen, daß sie sich von den unteren Leitungszügen abheben, eloxiert werden können, um dann alle anderen Gebiete abtragen zu können. In diesem Falle jedoch läßt sich das Eloxieren der metallischen Schicht für die unteren Leitungszüge und der Zwischenschicht nicht gleichzeitig durchführen. Wenn fernerhin auch, gezeigt ist, daß die unteren und oberen Leitungszüge jeweils nur an einer Seite für die Zwecke der Außenanschlüsse gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel freigelegt sind, lassen sich natürlich ebenfalls abwechselnd auf gegenüberliegenden Seiten die entsprechenden Enden der Leitungszüge freilegen, um so bei hohen Leitungsdichten das Anbringen von Außenanschlüssen zu erleichtern, da hierzu dann der Platz von je zwei Leitungszügen zur Verfügung steht. Die Abdeckschale läßt sich schließlich in vorteilhafter Weise als Sichtseite des Datensichtgeräts verwenden, wobei dann das Substrat nicht notwendigerweise aus Glas zu bestehen braucht, sondern undurchsichtiges Material sein kann, was in mancher Hinsicht, z.B. Substratreinigung vor Aufbringen der Metallisierung, das Herstellungsverfahren wesentlich vereinfachen kann und damit den Aufwand entsprechend herabsetzt.

Im übrigen ist zwar die Erfindung am Beispiel der Herstellung eines Gasentladungsbildschirms dargestellt, jedoch dürfte ohne weiteres einzusehen sein, daß die Erfindung sich hierauf allein nicht erstrecken kann; da gemäß den Prinzipien des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens ohne weiteres auch andere Flach-

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bildschxrmsichtgeräte herstellbar sind. Dies trifft insbesondere zu für Flüssigkristallanzeigen bzw. elektrochrom!sehe Anzeigen, !bei denen ebenfalls auf Spannung ansprechende Medien zwischen gegenüberliegenden Elektrodensystemen vorgesehen sind. In die-¹sem Falle werden dann in die während des Herstellungsprozesses ;freigelegten Hohlräumen der Zwischenschicht anstelle von Gas ι Flüssigkristallsubstanzen oder die elektrochromische Wirkung !ausübenden Substanzen eingebracht.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

Verfahren zum Herstellen eines Flachbildschirms, indem auf ein Substrat ein erster Satz von parallel zueinander verlaufenden Leitungszügen aufgebracht wird, die von einer Zwischenschicht abgedeckt werden, auf die ihrerseits ein zweiter Satz von parallel verlaufenden, jedoch senkrecht zu denen des ersten Satzes ausgerichteten Leitungszügen angebracht wird, indem Lochungen an den Kreuzungsstellen der Leitungszüge beider Sätze in die elektrisch isolierende Zwischenschicht vorgesehen werden, die mit einem gemeinsamen Hohlraum in Verbindung stehen, der durch eine Abdeckung nach außen hermetisch abgeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat mit dem ersten Leitungssatz eine Zwischenschicht niedergeschlagen wird, die sowohl erste Bereiche, welche durch eine geeignete Behandlung abgetragen, als auch zweite Bereiche besitzt, die während dieser Behandlung erhalten bleiben, wobei die ersten Bereiche Bildelementen oder Bildpunktelementen zugeordnet sind und die zweiten Bereiche als Stützelemente hierzwischen zu liegen kommen, daß nach Aufbringen des zweiten Leitungssatzes auf die Zwischenschicht die ersten Bereiche in der Zwischenschicht durch die erwähnte Behandlung abgetragen werden, so daß Hohlräume zwischen den Leitungszügen des ersten Leitungssatzes und des zweiten Leitungssatzes nur an ihren Kreuzungsstellen freigelegt werden.

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Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Zwischenschicht eine metallische Schicht aufgebracht
wird, worin die zweiten Bereiche durch Oxidation gebildet
ι werden, so daß die ersten Bereiche aus Metall bestehen

bleiben, um durch Anwendung von Ätzverfahren abgetragen
! zu werden.

3. Verfahren nach dem Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten parallelen Leitungs-
■ züge mit einer dielektrischen Überzugsschicht bedeckt
j werden, so daß die Oberflächen der Leitungszüge bei An- ; wendung eines ionisierbaren Gases als Anzeigemedium hier™ ; mit nicht in Berührung gelangen. i

\ 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3_f- dadurch gekenn- |

: zeichnet, daß als metallische Zwischenschicht Aluminium

[ niedergeschlagen wird, daß zur Bildung der zweiten Be- !

! reiche mit Hilfe eines Masken Verfahrens eloxiert wird. ^l-

i ^:

j 5. Verfahren nach dem Anspruch 1 und 2 oder 3 und 4, da- ■

j durch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den genannten ; ! zweiten Bereichen der Zwischenschicht die Peripherie · ! rahmenartig eloxiert wird, um in einem letzten Verfahrensschritt zur Erstellung des Flachbildschirms hieran '■ ι die Kanten der Abdeckung zu befestigen und zu versiegeln.

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6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß nach Aufbringen der Leitungszüge des er- j sten Leitungssatzes auf das Substrat die freiliegenden i Oberflächenbereiche dieser Leitungszüge oxidiert werden.

7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekenn- j zeichnet, daß nach Auftragen der Leitungszüge des zwei- j ten Leitungssatzes auf die behandelte Zwischenschicht

die freiliegenden Oberflächenbereiche der Leitungszüge
des zweiten Leitungssatzes oxidiert werden.

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L 8.

Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxidieren der freiliegenden Bereiche der Leitungszüge des zweiten Leitungssatzes gleichzeitig mit der Oxidierung der freiliegenden Bereiche der Leitungszüge des ersten Leitungssatzes durchgeführt wird.

9.

! 10.

Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die behandelte Zwischenschicht eine dielektrische Überzugsschicht aufgetragen wird, die anschließend mit den Leitungszügen des zweiten Leitungssatzes versehen wird, um hierüber dann eine weitere dielektrische Überzugsschicht aufzubringen, die zusammen mit der zuerst aufgetragenen dielektrischen Überzugsschicht in den Bereichen zwischen den elektrischen Leitungszügen des zweiten Leitungssatzes selektiv ausgeätzt wird, so daß hierdurch außerdem jeweils Teilbereiche der ersten Bereiche der metallischen Zwischenschicht, die ja nicht oxidiert sind, freigelegt werden.

Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung als Sichtplatte angebracht wird.

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