DE3120477C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen

Info

Publication number
DE3120477C2
DE3120477C2 DE3120477A DE3120477A DE3120477C2 DE 3120477 C2 DE3120477 C2 DE 3120477C2 DE 3120477 A DE3120477 A DE 3120477A DE 3120477 A DE3120477 A DE 3120477A DE 3120477 C2 DE3120477 C2 DE 3120477C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
clamping
disk
semiconductor
semiconductor wafer
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3120477A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3120477A1 (de
Inventor
Toshiyuki Hachioji Tokio/Tokyo Mori
Shinji Tokio/Tokyo Sekiya
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7102580U external-priority patent/JPS5833705Y2/ja
Priority claimed from JP6847180A external-priority patent/JPS6022500B2/ja
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE3120477A1 publication Critical patent/DE3120477A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3120477C2 publication Critical patent/DE3120477C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068Table-like supports for panels, sheets or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

Ein Bearbeitungs- bzw. Aufspannkopf (34) zum Ansaugen bzw. Aufspannen und Fixieren eines Silizium-Plättchens für integrierte Schaltkreise besteht aus einer Aufspannscheibe (10) und einer diese aufnehmenden und umschließenden Fassung (13). Die Aufspannscheibe (10) besteht aus einem gesinterten Formkörper aus einem anorganischen Werkstoff in Form einer oberen Schicht (11) einer feine Poren bildenden Körnung und einer unteren Schicht (12) einer etwas gröberen, größere Poren bildenden Körnung. Die undurchlässige Fassung (13) besteht aus einem Sinterkörper aus demselben Werkstoff wie die Aufspannscheibe (10). Aufspannscheibe (10) und Fassung (17) sind durch ein niedrigschmelzendes Glas (14) miteinander verbunden. Die Aufspannscheibe (10) steht mit einer die Fassung (13) durchsetzenden Verbindungsbohrung (19) sowie mit einer Wasser-Einspritzbohrung (50) und einer Luftabsaugbohrung (51) eines unteren Sockels (21) in Verbindung. Bevor das Plättchen (5) angesaugt bzw. aufgespannt wird, wird über die Einspritzbohrung (50) Wasser zur Benetzung der Aufspannfläche eingespritzt. Aufgrund der Oberflächenspannung des Wassers wird das Plättchen (5) zum Mittelbereich der Aufspannfläche verlagert. Anschließend wird das Plättchen durch Luftabsaugung gegen die Aufspannfläche angesaugt. Nach der Bearbeitung wird wiederum Wasser eingespritzt, um das Plättchen aufschwimmen zu lassen.

Description

ziehbar ist, um auf der Oberfläche der Spannscheibe Bei der dort beschriebenen Anordnung geht es um die
(10) einen Wasserfilm (56) auszubilden. Ausnutzung der elastischen und dehnbaren Eigenschaf-
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn- 50 ten der Membran, um die einzelnen Halbleiter-Chips in zeichnet, daß die obere (11) und die untere Schicht den gewünschten Abstand voneinander zu bringen, wo-(12) der Spannscheibe (10) aus dem gleichen anorga- bei es auf eine genaue zentrische Anordnung der HaIbnischen Material bestehen. leiterscheibe überhaupt nicht ankommt, wie ausdrück-
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch lieh in der Beschreibung dargelegt ist. Die Frage der gekennzeichnet, daß die Fassung (13) aus dem glei- 55 Zentrierung eines Werkstückes auf der Spannscheibe ist chen anorganischen Material wie die Spannscheibe dort weder angesprochen noch erforderlich, da es ledig-(10) besteht. Hch um die Trennung der einzelnen Elemente geht.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Vorrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, Spannscheibe (10) etwas kleiner als der des Halblei- 60 mit denen das Zentrieren des jeweiligen Werkstückes in terplättchens (5) ist und der Durchmesser der Fas- vorteilhafter Weise erleichtert und vereinfacht wird,
sung (13) etwas größer als der des Halbleiterplätt- Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dachens (5) ist, und daß die Ansaugfläche der Spann- durch aus, daß eine kreisförmige Spannscheibe verwenscheibe (10) sowie die Oberseite der Fassung (13) det wird, die etwa den gleichen Durchmesser wie das zu sich im wesentlichen auf gleichem Niveau befin- 65 haltende Halbleiterplättchen aufweist, daß auf der Aufden. spannfläche der kreisförmigen Spannscheibe ein Was-
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, serfilm erzeugt wird, daß das Halbleiterplättchen aufge-
dadurch gekennzeichnet, daß die Spannscheibe (10) legt und durch die Oberflächenspannung des Wasserfil-
mes in seine zentrierte Stellung gebracht wird, woraufhin das Halbleiterplättchen in seiner zentrierten Steli'ing durch Ansaugung fixiert wird.
In Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, daß das Wasser durch Öffnungen bzw. Poren in der Spannscheibe zugeführt und abgeführt wird.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn man bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nach der Behandlung oder Bearbeitung des Halbleiterplättchens erneut Wasser Li Form eines Wasserfilmes durch die poröse Spannscheibe austreten läßt, so daß das Halbieiterplättchen aufschwimmt und sich leicht entfernen läßt
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, daß die Spannscheibe kreisförmig ausgebildet ist und etwa den gleichen Durchmesser wie das zu haltende Halbieiterplättchen aufweist, daß die Spannscheibe als einstückiger poröser Körper mit einer oberen Schicht mit feinen Poren und mit einer unteren Schicht mit groben Poren ausgebildet ist, daß die Spannscheibe in eine ihren Umfang umgebende Fassung aus nicht-porösem Material eingesetzt ist, und daß die Spannscheibe und die Fassung an eine Zuführungsleitung und eine Rückleitung angeschlossen sind, durch die Wasser zuführbar und abziehbar ist, um auf der Oberfläehe der Spannscheibe einen Wasserfilm auszubilden.
In Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorgesehen, daß die obere und untere Schicht der Spannscheibe aus dem gleichen anorganischen Material bestehen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn auch die Fassung aus dem gleichen anorganischen Material wie die Spannscheibe besteht
In Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorgesehen, daß der Durchmesser der Spannscheibe etwas kleiner als der des Halbleiterplättchens ist 3s und der Durchmesser der Fassung etwas größer als der des Halbieiterplättchen ist und daß die Ansaugfiäche der Spannscheibe sowie die Oberseite der Fassung sich im wesentlichen auf gleichem Niveau befinden.
Dabei erweist es sich als zweckmäßig, wenn die Spannscheibe in einer Ausnehmung der Fassung mit einem niedrig schmelzenden Glas fixiert ist.
Mit dem Verfahren und der Vorrichtung gemäß der Erfindung wird in vorteilhafer Weise erreicht, daß sich durch Ausnutzung der Oberflächenspannung eines Wasserfilmes das jeweilige Halbieiterplättchen zuverlässig zentrieren läßt, um anschließend die gewünschte Bearbeitung des Halbleiterplättchens vorzunehmen. Die Spannscheiben können dabei auswechselbar und mit verschiedenen Größen bzw. Abmessungen im Durchmesser vorgesehen sein, um den jeweiligen Durchmessern der zu behandelnden Halbieiterplättchen Rechnung zu tragen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels und unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in
F i g. 1 eine Schnittansicht einer Vorrichtung zum Aufspannen von Halbieiterplättchen
F i g. 2a, 2b und 2c Schnittansichten der einzelnen Bauteile der Vorrichtung gemäß F i g. 1;
F i g. 3 eine Draufsicht einer Fassung der Vorrichtung gemäß F i g. 2b;
F i g. 4 eine Draufsicht einer Anschlußscheibe der Vorrichtung gemäß F i g. 2c,; F i g. 5 eine Schnittansicht eines unteren Sockels;
F i g. 6 eine Draufsicht des Sockels gemäß F i g. 5; und F i g. 7 eine Schnittansicht zur Erläuterung, wie sich ein Werkstück unter der Einwirkung der Oberflächenspannung von Wasser verlagert
Gemäß F i g. 2a weist eine Spannscheibe 10 eine poröse obere Schicht 11 mit feinen Por.sn sowie eine poröse untere Schicht 12 mit groben Poren auf, wobei beide Schichten 11 und 12 der Spannscheibe 10 durch Sintern miteinander verbunden sind. Die Spannscheibe 10 hat einen geringfügig kleineren Durchmesser als ein das Werkstück bildendes Halbleiter-Plättchen 5, zum Beispiel aus Silicium, wobei neun Spannscheibengrößen im Durchmesserbereich von etwa 50,6 —152,4 mm mit Durchmesserabstufungen von jeweils 12,7 mm verwendet werden. Die obere Schicht 11, z. B. aus einem Alundum-Schleifpulver mit einer Körnung von 40 und/oder 60 zur Gewährleistung der feinen Porosität und die untere Schicht 12 aus grobem Schleifpulver mit einer Körnung von beispielsweise 20 zur Gewährleistung einer groben Porosität sind in der erwähnten Weise durch Sintern miteinander verbunden. Die Spannscheibe 10 besteht somit aus der oberen Schicht 11 mit einer Dicke von etwa 2 mm und der mit dieser verbundenen unteren Schicht 12 mit einer Dicke von etwa 6 mm.
Die F i g. 2b und 3 zeigen eine Fassung 13, in welche die Spannscheibe 10 einsetzbar ist. Eine in der Fassung 13 ausgebildete Ausnehmung 14 hat einen Innendurchmesser, der an den Außendurchmesser der jeweils einzusetzenden Spannscheibe 10 angepaßt ist. Die Fassung 13 besteht dabei aus dem gleichen Werkstoff wie die Spannscheibe 10, beispielsweise aus Alundum-Schleifpulver außerordentlich kleiner Körnung (z. B. vom Typ 600), das so gesintert ist, daß die Fassung nicht-porös ist. In der Innenfläche der Ausnehmung 14 sowie in der Außenfläche der Fassung 13 sind jeweils flache Nuten 15,16,17 und 18 im zentralen Bereich sowie um diesen herum ausgebildet. Die flachen Nuten 15 und 17 sowie 16 und 18 sind jeweils durch Verbindungsbohrungen 19 bzw. 20 miteinander verbunden.
In der Unterseite der Fassung 13 sind Gewindebohrungen 23 für Befestigungsschrauben vorgesehen, mit deren Hilfe in der nachstehend beschriebenen Weise eine Zwischenscheibe oder Anschlußscheibe 22 an einem unteren Sockel 21 befestigt werden kann. Zur Befestigung der Spannscheibe 10 an der Fassung 13 wird Glaspulver 24 mit niedrigem Schmelzpunkt auf die Innenfläche der Ausnehmung 14 aufgetragen, mit Ausnahme der flachen Nuten 15 und 16. Auf die mit dem Glaspulver beschichtete Innenfläche der Fassung 13 wird anschließend die Spannscheibe 10 unter Druck aufgesetzt, woraufhin die Anordnung zum Schmelzen des Glaspulvers auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt wird. Die Spannscheibe 10 wird somit mit der Fassung 13 durch eine luftdichte Abdichtungsschicht verbunden.
Die Anschlußscheibe 22 hat gemäß den F i g. 2c und 4 in bezüglich ihrer Dicke und ihres Durchmessers genau festgelegte Anmessungen. An einer Stelle des Außenumfangs der Anschlußscheibe 22 ist eine Aussparung 24 mit einer genau festgelegten Breite w vorgesehen. In der Oberseite und der Unterseite der Anschlußscheibe 22 sind flache Nuten bzw. Vertiefungen 25 bzw. 26 ausgebildet. Im Zentrum sowie an drei Stellen um das Zentrum herum vorgesehene Verbindungsbohrungen 27 dienen ?.ur Verbindung der oberseitigen und unterseitigen Vertiefungen 25 und 26 miteinander. Um die flachen Vertiefungen 25 und 26 herum sind in Winkelabständen von 60° für die Aufnahme von Magneten vorgesehene Bohrungen 26 ausgebildet, die jeweils eine Stufe 29 als
10
15
25
30
Anlage für einen Magneten aufweisen. In jeder Bohrung 26 ist ein Magnet 30 angeordnet und mit einem Abstandsstück 31 festgelegt. Bohrungen 32 dienen zur Aufnahme von Schrauben 33, mit denen die Anschlußscheibe 22 an der Fassung 13 befestigbar ist.
Der gesamte Spannkopf 34 besteht somit aus der Spannscheibe 10 der Fassung 13 und der Anschlußscheibe 22. Auf die Ansaug- bzw. Aufspannfläche des Spannkopfes 34 ist eine relativ weiche, dünne Kunststoffschicht in einer Dicke von einigen Mikrometern bis zu einigen hundert Mikrometern aufgestrichen oder aufgesprüht. Diese Überzugsschicht ist dabei mit zahlreichen kleinen Poren versehen, damit durch diesen Überzug die Ansaugwirkung nicht beeinträchtigt wird.
Gemäß den F i g. 5 und 6 hat der untere Sockel 21 nahezu denselben Durchmesser wie der Spannkopf 34. An seiner Oberseite ist eine Ausnehmung 35 mit einem der Anschlußscheibe 22 angepaßten Durchmesser ausgebildet. In dieser Ausnehmung 35 ist mit Schrauben 37 eine Scheibe 36 befestigt, die nahezu dieselbe Form wie die Anschlußscheibe 22 hat. Die Scheibe 36 weist im Mittelbereich ihrer Oberseite und ihrer Unterseite flache Verfiefungen 36 und 39 sowie eine zentrale Verbindungsbohrung 40 auf. Um die flachen Vertiefungen
36 und 39 herum sind in Winkelabständen von 60° Magnetaufnahme-Bohrungen 41 mit jeweils einer Magnetanlage-Schulter 42 vorgesehen.
In jede Bohrung 41 ist jeweils ein Magnet 43 mit einem Abstandsstück 44 eingesetzt Mit Schraubenbohrungen 45 im Sockel 21 fluchtende Schraubenbohrungen 46 dienen zur Aufnahme von jeweils einer Schraube
37 zur Befestigung der Scheibe 36 am Sockel 21. Die Scheibe 36 unterscheidet sich von der Anschlußscheibe 22 dadurch, daß sie einen mit einer Schraube 46 befestigten Ansatz 47 mit einem Durchmesser entsprechend der Breite w der Aussparung 24 aufweist wobei dieser Ansatz 47 in die Aussparung 24 einzugreifen vermag. Eine Reinigungswasser-Einspritzbohrung 50 und eine Luftabsaugbohrung 51 sind von einer flachen Vertiefung 49 in der der flachen Ausnehmung 39 der Scheibe 36 gegenüberstehenden Fläche zur Seitenfläche des Sockel 21 gebohrt. Der untere Sockel 21 ist mit Schrauben 52 an einem Mitnehmer- bzw. Antriebssockel 53 befestigt. Auf ein Aussparungsteil 54 längs der Umfangsfläche des oberen Endes des Sockel 21 ist eine Abdrückplatte 55 aufgesetzt, mit deren Hilfe der Spannkopf 34 zum Abnehmen hochgedrückt werden kann.
Bei der oben beschriebenen Vorrichtung wird nach der Auswahl eines Spannkopfes 34 mit einer Spannscheibe 10 mit einem für den vorgesehenen Zweck geeigneten Durchmesser die an der Unterseite des Spannkopfes 34 angebrachte Anschlußscheibe 22 in die Ausnehmung 35 des Sockels 21 eingesetzt und nach rechts oder links gedreht, bis die Aussparung 24 den zur Verbindung dienenden Ansatz 47 aufnimmt Dabei sinkt die Anschlußscheibe 22 weiter in die Ausnehmung 35 hinein, wobei sie durch die Anziehungskraft der oberen und unteren Magnete 30 bzw. 43 fest mit der unteren Scheibe verbunden ist.
In diesem in F i g. 7 dargestellten Zustand sickert das unter Druck über die Reinigungswasser-Einspritzbohrung 50 eingeführte Wasser über die flachen Vertiefungen 39 und 49, die Verbindungsbohrung 40, die flachen Vertiefungen 26 und 38, die Verbindungsbohrung 27, die flachen Vertiefungen 17, 18 und 25, die Verbindungsbohrungen 19 und 20 sowie die flachen Vertiefungen 15 und 16 langsam auf der Oberseite der Spannscheibe 10 heraus, um aufgrund der Oberflächenspannung des Wassers einen Wasserfilm 56 zu bilden. Wenn sodann ein Halbleiterplättchen 5 auf den Wasserfilm aufgelegt wird, wird es in der in F i g. 7 mit einem Pfeil angedeuteten Weise auf der Spannscheibe 10 in seine zentrale Position verlagert, um dort in einer zentrierten Stellung stehen zu bleiben. Anschließend werden Wasser und Luft über die Luftabsaugbohrung 51 abgesaugt, so daß das Haibleiter-PläUchen 5 an die Spannscheibe 10 angesaugt und auf ihr fixiert wird. Anschließend können die entsprechenden Bearbeitungen, wie Schleifen, Einstechen von Schlitzen oder dergleichen durchgeführt werden.
Wenn nach der Bearbeitung der Unterdruck aufgehoben und über die Reinigungswasser-Einspritzbohrung 50 wiederum Wasser eingeleitet wird, so schwimmt das Halbleiter-Plättchen 5 auf der Spannscheibe 10 auf, so daß es zum nächsten Reinigungsvorgang überführt werden kann.
Die Anziehungskraft zwischen den Magneten 30 und 43 muß dabei so gewählt werden, daß bei der Einführung von unter Druck stehendem Wasser zum Aufschwimmen des Halbleiter-Plättchens 5 nach abgeschlossener Bearbeitung der Spannkopf 34 nicht aufschwimmt, während sich die Magnete 30 und 43 trotzdem zum Auswechseln des Spannkopfes 34 durch einen anderen vergleichsweise einfach voneinander trennen lassen.
Auch wenn bei der oben beschriebenen Ausführungsform sowohl in der Anschlußscheibe 22 als auch in der Scheibe 36 jeweils Magnete 30 und 43 angeordnet sind, kann einer dieser Magnete auch durch einen magnetischen Körper ersetzt werden.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
40
45
50

Claims (4)

1 2 in einer Ausnehmung (14) der Fassung (13) mit ei-Patentansprüche: nem niedrigschmelzenden Glas (24) fixiert ist
1. Verfahren zum Aufspannen von Halbleiterplättchen auf der Aufspannfläche einer Spannscheibe, 5
wobei das Halbleiterplättchen durch einen in der Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufspanne,!
Spannscheibe erzeugten Unterdruck gegen die Auf- von Halbleiterplättchen auf der Aufspannfläche einer
spannfläche gezogen und auf dieser fixiert wird, da- Spannscheibe, wobei das Halbleiterplättchen durch ei-
durch gekennzeichnet, daß eine kreisförmi- nen in der Spannscheibe erzeugten Unterdruck gegen
ge Spannscheibe verwendet wird, die etwa den glei- 10 die Aufspannfläche gezogen und auf dieser fixiert wird,
chen Durchmesser wie das zu haltende Halbleiter- Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum
plättchen aufweist Aufspannen von Halbleiterplättchen auf der Aufspann-
daß auf der Aufspannfläche der kreisförmigen fläche einer Spannscheibe, auf der das Halbleiterplätt-
Spannscheibe ein Wasserfilm erzeugt wird, chen durch einen in der aus porösem Material bestehen-
daß das Halbleiterplättchen aufgelegt und durch die 15 den Spannscheibe erzeugten Unterdruck gegen die
Oberflächenspannung des Wasserfilmes in seine Spanniläche gezogen und auf dieser fixiert wird,
zentrierte Stellung gebracht wird, Ein Verfahren und eine Vorrichtung dieser Art sind
woraufhin das Halbleiterplättchen in seiner zentrier- aus der DE-PS 17 64 691 bekannt und dienen zum Tren-
ten Stellung durch Ansaugung fixiert wird. nen einer Mehrzahl von plättchenförmigen oder würfel-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 20 förmigen Gegenständen. Insbesondere geht es in dieser zeichnet daß das Wasser durch öffnungen bzw. Po- Druckschrift darum, größere Halbleiterplättchen in ren in der Spannscheibe zugeführt und abgeführt kleine Halbleiter-Chips gewünschter Größe zu teilen wird. und die so geteilten Halbleiter-Chips räumlich vonein-
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ander zu trennen, um sie einzeln abnehmen zu können, gekennzeichnet daß man nach der Behandlung oder 25 Die vorher entsprechend einem gewünschten Tei-Bearbeitung des Halbleiterplättchens erneut Wasser lungsmuster geritzten Halbleiterplättchen werden auf in Form eines Wasserfilmes durch die poröse Spann- der dort beschriebenen Vorrichtung mit einer Unterscheibe austreten läßt, so daß das Halbleiterplätt- druckanordnang fixiert, wobei ein poröser Block in eichen aufschwimmt und sich leicht entfernen läßt ner Fassung angeordnet und an eine Saugleitung ange-
4. Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiter- 30 schlossen ist Über dem porösen Block der Vorrichtung plättchen auf der Aufspannfläche einer Spannschei- ist eine poröse Membran aus einem elastischen und be, auf der das Halbleiterplättchen durch einen in dehnbaren Material angebracht und mit Klemmteilen der aus porösem Material bestehenden Spannschei- an einer Platte befestigt
be erzeugten Unterdruck gegen die Spannfläche ge- Bei der dort beschriebenen Anordnung wird die auf
zogen und auf dieser fixiert wird, dadurch gekenn- 35 der dehnbaren Membran liegende Halbleiterscheibe ei-
zeichnet, daß die Spannscheibe (10) kreisförmig aus- ner Druck- oder Schwingungsbeaufschlagung ausge-
gebildet ist und etwa den gleichen Durchmesser wie setzt, so daß die Halbleiterscheibe gemäß dem vorgege-
das zu haltende Halbleiterplättchen (5) aufweist, benen eingeritzten Muster in die Halbleiter-Chips zer-
daß die Spannscheibe (10) als einstückiger poröser bricht Während dieses Arbeitsganges ist die Halbleiter-
Körper mit einer oberen Schicht (11) mit feinen Po- 40 scheibe durch Unterdruck gegen den porösen Block an-
ren und mit einer unteren Schicht (12) mit groben gesaugt Nach der Beendigung der Zerteilung der HaIb-
Poren ausgebildet ist, daß die Spannscheibe (10) in leiterscheibe wird die Platte mit der daran befestigten
eine ihren Umfang umgebende Fassung (13) aus dehnbaren Membran abgesenkt, wobei eine flächenmä-
nicht-porösem Material eingesetzt ist und daß die ßige Dehnung der Membran erfolgt und die auf der
Spannscheibe (10) und die Fassung (13) an eine Zu- 45 Membran liegenden Einzelteile voneinander getrennt
führungsleitung (50) und eine Rückleitung (51) ange- und vereinzelt werden, so daß sie sich anschließend ein-
schlossen sind, durch die Wasser zuführbar und ab- zein abnehmen lassen.
DE3120477A 1980-05-23 1981-05-22 Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen Expired DE3120477C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7102580U JPS5833705Y2 (ja) 1980-05-23 1980-05-23 吸着固定装置
JP6847180A JPS6022500B2 (ja) 1980-05-23 1980-05-23 位置合せ載置方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3120477A1 DE3120477A1 (de) 1982-03-11
DE3120477C2 true DE3120477C2 (de) 1986-02-27

Family

ID=26409693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3120477A Expired DE3120477C2 (de) 1980-05-23 1981-05-22 Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen

Country Status (2)

Country Link
US (2) US4521995A (de)
DE (1) DE3120477C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3725188A1 (de) * 1987-07-29 1989-02-09 Siemens Ag Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2521895A1 (fr) * 1982-02-23 1983-08-26 Ansermoz Raymond Tasseau multiple pour le rodage, au lapidaire, de pieces en forme de lames minces
JPS60103651U (ja) * 1983-12-19 1985-07-15 シチズン時計株式会社 真空吸着台
JPS60109859U (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 株式会社 デイスコ 半導体ウエ−ハ表面研削装置
DE3401856C2 (de) * 1984-01-20 1986-04-24 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh, 8225 Traunreut Kontaktkopiereinrichtung
JPS63210148A (ja) * 1987-02-26 1988-08-31 Nikko Rika Kk 真空チヤツク用プラスチツクス焼結体
US5029418A (en) * 1990-03-05 1991-07-09 Eastman Kodak Company Sawing method for substrate cutting operations
USRE36890E (en) * 1990-07-31 2000-10-03 Motorola, Inc. Gradient chuck method for wafer bonding employing a convex pressure
JP2634343B2 (ja) * 1991-10-28 1997-07-23 信越化学工業株式会社 半導体ウェーハの保持方法
US5267418A (en) * 1992-05-27 1993-12-07 International Business Machines Corporation Confined water fixture for holding wafers undergoing chemical-mechanical polishing
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5435482A (en) * 1994-02-04 1995-07-25 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having a coplanar solder ball contact array
US5749999A (en) * 1994-02-04 1998-05-12 Lsi Logic Corporation Method for making a surface-mount technology plastic-package ball-grid array integrated circuit
JP3042293B2 (ja) * 1994-02-18 2000-05-15 信越半導体株式会社 ウエーハのポリッシング装置
JP2933488B2 (ja) * 1994-08-10 1999-08-16 日本電気株式会社 研磨方法および研磨装置
US5897424A (en) * 1995-07-10 1999-04-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Renewable polishing lap
JP3072962B2 (ja) * 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
US5809987A (en) * 1996-11-26 1998-09-22 Micron Technology,Inc. Apparatus for reducing damage to wafer cutting blades during wafer dicing
JP3348429B2 (ja) * 1996-12-26 2002-11-20 信越半導体株式会社 薄板ワーク平面研削方法
JPH10193260A (ja) * 1996-12-27 1998-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ保持治具
DE69813374T2 (de) * 1997-05-28 2003-10-23 Tokyo Seimitsu Co. Ltd., Mitaka Halbleiterscheibe Poliervorrichtung mit Halterring
JPH11138429A (ja) * 1997-11-11 1999-05-25 Sony Corp 研磨装置
US5964646A (en) * 1997-11-17 1999-10-12 Strasbaugh Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers
KR100292612B1 (ko) * 1997-12-08 2001-08-07 윤종용 반도체 웨이퍼 정렬시스템 및 이를 이용하는 웨이퍼 정렬방법
US6142857A (en) * 1998-01-06 2000-11-07 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing with improved backing arrangement
US5989104A (en) * 1998-01-12 1999-11-23 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with monopiece pressure plate and low gimbal point
ATE242064T1 (de) * 1998-02-14 2003-06-15 Lam Res Corp Vorrichtung zum laden von halbleiterscheiben
JP2907209B1 (ja) * 1998-05-29 1999-06-21 日本電気株式会社 ウェハ研磨装置用裏面パッド
US6358129B2 (en) * 1998-11-11 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members
US6173948B1 (en) * 1999-01-20 2001-01-16 International Business Machines Corporation Dimensional compensating vacuum fixture
US6491570B1 (en) * 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
JP2000323440A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル
FR2802340B1 (fr) 1999-12-13 2003-09-05 Commissariat Energie Atomique Structure comportant des cellules photovoltaiques et procede de realisation
US6209532B1 (en) * 2000-02-09 2001-04-03 Texas Instruments Incorporated Soft handling process tooling for low and medium volume known good die product
US6561884B1 (en) * 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
JP3433930B2 (ja) * 2001-02-16 2003-08-04 株式会社東京精密 ウェーハの平面加工装置及びその平面加工方法
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
US7281535B2 (en) * 2004-02-23 2007-10-16 Towa Intercon Technology, Inc. Saw singulation
JP4520327B2 (ja) * 2004-03-31 2010-08-04 不二越機械工業株式会社 吸水方法及び吸水装置
JP5033354B2 (ja) * 2006-05-29 2012-09-26 不二越機械工業株式会社 ワークセンタリング装置
WO2009013941A1 (ja) * 2007-07-23 2009-01-29 Creative Technology Corporation 基板吸着装置及びその製造方法
US8021211B2 (en) * 2008-04-18 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Substrate holder with liquid supporting surface
JP5943742B2 (ja) * 2012-07-04 2016-07-05 三菱電機株式会社 半導体試験治具およびそれを用いた半導体試験方法
CN103406848B (zh) * 2013-07-24 2015-06-10 昆山迈致治具科技有限公司 一种pcb板支撑吸附治具
CN103415145B (zh) * 2013-07-24 2016-12-28 昆山迈致治具科技有限公司 一种pcb板吹风支撑吸附治具
CN103978405B (zh) * 2014-05-05 2017-05-24 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种工件的镜面保护方法及研磨装置
CN105332992B (zh) * 2014-07-30 2018-01-12 睿励科学仪器(上海)有限公司 真空吸盘
US10933594B2 (en) * 2014-10-14 2021-03-02 Technical Tooling LLC Method for forming a part using a layup tool
US10300569B2 (en) 2014-10-14 2019-05-28 Technical Tooling L.L.C. Method for fabricating vacuum fixturing using granular media
JP6726591B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 株式会社ディスコ 加工装置
JP7143021B2 (ja) * 2018-07-09 2022-09-28 株式会社ディスコ ポーラスチャックテーブル、ポーラスチャックテーブルの製造方法、及び、加工装置
CN109108773A (zh) * 2018-08-22 2019-01-01 芜湖市黄山松工业地坪新材料有限公司 一种便于在打磨后降低建材表面温度的打磨装置
JP7555676B2 (ja) * 2020-12-16 2024-09-25 株式会社ディスコ 保持テーブルの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1607292A (en) * 1925-01-10 1926-11-16 Miller Edward Glassware-grinding machine
DE802794C (de) * 1939-05-13 1951-02-26 Douglas Taylor Schleif- oder Poliermaschine fuer optische Linsen o. dgl.
US2521030A (en) * 1949-04-09 1950-09-05 Ross Heater & Mfg Co Inc Floating drill jig apparatus
DE1237942B (de) * 1962-07-19 1967-03-30 Siemens Ag Vorrichtung zum Haltern scheibenfoermiger Werkstuecke aus Halbleitermaterial durch Ansaugen
US3233887A (en) * 1963-01-28 1966-02-08 Dunham Tool Company Inc Vacuum chuck
US3294392A (en) * 1963-05-31 1966-12-27 Dunham Tool Company Inc Vacuum chucking
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3449870A (en) * 1967-01-24 1969-06-17 Geoscience Instr Corp Method and apparatus for mounting thin elements
DE1982787U (de) * 1968-01-13 1968-04-04 Albert Fezer Vorrichtung zum halten von insbesondere duennwandigen werkstuecken, z. b. duennen blechen, folien od. dgl.
US3730134A (en) * 1970-12-17 1973-05-01 F Kadi Pneumatic wafer spinner and control for same
US3860399A (en) * 1972-12-07 1975-01-14 Gen Electric Liquid blocking technique for working a member to precise optical tolerances
DE2327583C3 (de) * 1973-05-30 1979-02-01 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Vakuumhalter zum Randschleifen von Kontaktlinsen aus einem flexiblen Werkstoff
GB1526933A (en) * 1974-09-13 1978-10-04 Johnson Matthey Co Ltd Vacuum head for handling transfers
US3953013A (en) * 1974-12-31 1976-04-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for clamping a workpiece in a quasi-liquid medium
DE7524713U (de) * 1975-08-04 1976-08-12 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Haltevorrichtung fuer duenne scheiben
JPS52155494A (en) * 1976-06-21 1977-12-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Process for w orking parallel plane of wafer
DE7922341U1 (de) * 1979-08-04 1979-11-08 Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh, 6100 Darmstadt Vakuum-aufspanntisch zum aufspannen von duennen folien

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3725188A1 (de) * 1987-07-29 1989-02-09 Siemens Ag Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse

Also Published As

Publication number Publication date
US4625463A (en) 1986-12-02
DE3120477A1 (de) 1982-03-11
US4521995A (en) 1985-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3120477C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen
DE102006042026B4 (de) Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
DE102005014740B4 (de) Bandexpansionsvorrichtung
DE102004025707B4 (de) Verfahren zum Teilen eines nicht-metallischen Substrats
DE69518202T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Oberflächenschleifen eines Werkstücks
DE69504549T2 (de) Gerät zum Polieren von Wafers
DE10260233B4 (de) Verfahren zum Befestigen eines Werkstücks mit einem Feststoff an einem Werkstückträger und Werkstückträger
DE2846398A1 (de) Verfahren zum zertrennen einer halbleiterplatte in mehrere plaettchen
DE102017105503B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE10350176A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
DE3045760A1 (de) Verfahren zum planschleifen von flachen platten u.dgl.
DE102016215472A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019206713A1 (de) Waferteilungsverfahren
DE3438980A1 (de) Halterung zum stuetzen eines werkstuecks
DE1928203B2 (de) Haltevorrichtung fuer flaechige werkstuecke
EP1208945B1 (de) Verfahren zum Herstellen von abrasiven Werkzeugen
DE102019212840A1 (de) SiC-SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN
DE102016224033A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE60214182T2 (de) Methode und vorrichtung zur überführung eines scheibenförmigen werkstücks
DE3033944C2 (de) Werkstückhalter und Verfahren zu seiner Herstellung
DE60210910T2 (de) Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe, in dem ein laminiertes Substrat als Stütze für diese Scheibe verwendet wird
DE102016204523A1 (de) Bearbeitungsverfahren für Wafer
WO2016097082A1 (de) Vakuumspannvorrichtung zum aufspannen von werkstücken
DE102014227005A1 (de) Verfahren zum Aufteilen eines Wafers in Chips
DE60032521T2 (de) Verfahren zur herstellung von mikroelektromechanische vorrichtungen enthaltenden bauelementen durch verwendung von wenigstens einem uv-härtbaren band

Legal Events

Date Code Title Description
8101 Request for examination as to novelty
8105 Search report available
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: KERN, R., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: POPP, E., DIPL.-ING.DIPL.-WIRTSCH.-ING.DR.RER.POL.

8110 Request for examination paragraph 44
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: POPP, E., DIPL.-ING.DIPL.-WIRTSCH.-ING.DR.RER.POL.

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition