DE3725188A1 - Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse - Google Patents
Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesseInfo
- Publication number
- DE3725188A1 DE3725188A1 DE19873725188 DE3725188A DE3725188A1 DE 3725188 A1 DE3725188 A1 DE 3725188A1 DE 19873725188 DE19873725188 DE 19873725188 DE 3725188 A DE3725188 A DE 3725188A DE 3725188 A1 DE3725188 A1 DE 3725188A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate holder
- holder according
- substrate
- fingers
- base body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
- B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Substrathalter mit optimaler Wärme
ableitung, vorzugsweise zur Montage auf einem Drehteller, für
das Trockenätzen, insbesondere für das Ionenstrahlätzen.
Beim Trockenätzen, insbesondere beim Ionenstrahlätzen, werden
die Substrate in der Vakuumkammer auf Haltevorrichtungen bewegt.
Diese Halter sind zu mehreren auf einem Drehteller montiert und
drehen sich zusätzlich um die eigene Achse (Planetenbewegung).
An die Halter werden folgende Anforderungen gestellt:
- a) Gute Ableitung der vom Ionenstrahl in das Substrat einge brachten Wärme zum Kühlsystem des Drehtellers.
- b) Einfaches, schnelles sowie sicheres Befestigen und Lösen der Substrate auf und von dem Halter.
- c) Be- und Entladen des Halters ohne Verschmutzung der Sub strate.
- d) Optimale Belegungsdichte der nutzbaren Fläche.
Für runde, steife Substrate (Dicke < 1 mm) werden Halter mit
Überwurfringen verwendet. Für runde, flexible Substrate, zum
Beispiel Si-Wafer von 0,5 mm Dicke, gibt es zum Teil bereits
Halter ohne lose Teile mit Schnellverschluß in Form beweglicher
Backen. Diese Haltevorrichtungen beschränken sich aber in ihrer
Anwendung auf runde, flexible Substrate und sind im Hinblick
auf die Wärmeableitung nicht optimal.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Substrathalter
der eingangs genannten Art zu konzipieren, der steife Substrate
beliebiger Form aufnehmen kann. Außerdem soll er so gestaltet
sein, daß er die unter a) bis d) genannten Anforderungen erfüllt.
Diese Aufgabe wird gemäß dem Kennzeichen des Anspruchs 1 ge
löst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
Die wesentlichen Vorteile der Erfindung sind die gute Ableitung
der in das Substrat eingebrachten Wärme, das einfache, schnel
le und sichere Befestigen des Substrats, das Be- und Entladen
ohne Kontamination der Substrate und die optimale Belegung, die
damit in der Ätzkammer erzielt werden kann.
Die Erfindung wird anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in Schrägrißdarstellung einen Grundkörper eines Sub
strathalters teilweise im Schnitt und
Fig. 2 einen Hebering.
Nach der Darstellung in den Figuren wird ein Substrat 1 auf
einem Grundkörper 2 durch Haltefinger 3 gehalten, auf die Druck
federn 4 einwirken. In dem in Pfeilrichtung drehbaren Hebering
5 sind Schrauben 6 vorgesehen, die Justierkugeln 7 in eine V-Nut
8 des Grundkörpers 2 schieben. Auf der Oberfläche des Heberinges
sind geneigte Flächen 9 vorgesehen. Zwischen dem Hebering und
den Haltefingern wird der Kontakt durch Kugeln 10 in den Fingern
hergestellt. Eine Stellschraube 11 gleitet auf einer geneigten
Fläche, die zu einem gehärteten Stahlkeil 12 gehört. Am Umfang
des Heberinges sind Bohrungen 13 und am Umfang des Grundkörpers
Aussparungen 14 vorgesehen. Ein Stahlzylinder 15 mit Gewinde
zapfen 17 ist in den Grundkörper 2 eingeführt und wird durch
einen Querstift 16 gehalten. 18 ist ein querliegendes, zylindri
sches Unterteil am Haltefinger 3.
Der vorgeschlagene Halter ist für steife Substrate jeder Form
geeignet. Eine typische Anwendung ist die Aufnahme von 4 mm
dicken, runden Titancarbidscheiben, wie sie zur Herstellung von
Dünnfilmmagnetköpfen verwendet werden.
Das Substrat 1 liegt zentrisch auf dem Grundkörper 2 des Hal
ters. Dazwischen befindet sich eine dünne, aufgeklebte Gummi
scheibe (nicht gezeichnet), die geringe Planitätsabweichungen
der beiden Oberflächen ausgleichen kann, was für ausreichende
Wärmeabfuhr unbedingt erforderlich ist. Der dazu notwendige
Andruck erfolgt über vier (wahlweise drei) Haltefinger 3 (der
vordere ist in der Zeichnung weggelassen), die durch Druckfe
dern 4 konstante Kräfte ausüben. Zum Bewegen der Haltefinger 3
beim Be- und Entladen dient ein Hebering 5, der über den unte
ren Teil des Grundkörpers geschoben wird. Durch Eindrehen von
vier (wahlweise drei) Schrauben 6 werden dahinterliegende Ju
stierkugeln 7 teilweise aus ihren Innensenkungen in die V-Nut
8 des Grundkörpers gedrückt. Die Kugeln fixieren einerseits den
Ring in axialer Richtung gegen den Druck der Federn 4, anderer
seits rollt er beim Verdrehen auf ihnen ab.
Beim Drehen des Ringes heben oder senken seine keilförmig ge
neigten Flächen 9 die Haltefinger 3. Der Kontakt ist durch Fe
derdruck über die Kugeln 10 in den Fingern hergestellt. Nach der
Darstellung bedeutet Drehen im Uhrzeigersinn Anheben der Finger.
Abgesenkt wird durch Gegendrehung, bis die Haltefinger mit
ihrem übergreifenden Oberteil am Substrat aufsitzen und den
Ring entlasten. Anschläge stoppen die Drehbewegung in beiden
Richtungen (nicht gezeichnet).
Damit die Haltefinger das Substrat beim Be- und Entladen ganz
freigeben, werden sie nicht nur angehoben, sondern gleichzeitig
in ihrem oberen Teil nach außen weggekippt. Das bewirkt die
Stellschraube 11, die durch ein von den Federn 4 auf die Halte
finger ausgeübtes Drehmoment beim Vertikalhub der Finger auf
einer geneigten Fläche gleitet. Um Abrieb zu vermeiden, gehört
diese Fläche zu einem gehärteten Stahlkeil 12, der in eine Nut
gelegt ist. Damit die Finger 3 gleichzeitig eine Hub- und eine
Drehbewegung ausführen können, haben sie ein querliegendes zy
lindrisches Unterteil 18, das in einer Nut des Grundkörpers ge
führt wird.
Das Verdrehen des Heberinges erfolgt mit einem in die regelmäßig
am Umfang angeordneten Bohrungen 13 eingesteckten Stift.
Zum Greifen des Substrates mit der Pinzette sind im Grundkörper
Aussparungen 14 angebracht.
Der Halter ist auf die gekühlte Fläche des Drehtellers ge
schraubt. Dazu hat er einen axialen Stahlzylinder 15 mit Ge
windezapfen 17. Der Zylinder wird durch einen Querstift 16 ge
halten. Sowohl Zylinder als auch Querstift haben etwas Spiel,
so daß sich die Kontaktflächen von Halter und Drehteller ohne
Verspannung aneinanderlegen können.
Justierung: Verdrehen der Schrauben 6 bewirkt ein Anheben oder
Senken des Heberinges 5; so können geringe Dickenschwankungen
des Substrates ausgeglichen werden (ca. ± 0,5 mm). Für Substra
te mit stark unterschiedlicher Dicke sind unterschiedliche Hal
tefinger erforderlich. Die Stellschrauben 11 werden so weit
herausgedreht, daß sie bei abgesenkten Haltefingern den Keil 12
nicht mehr ganz berühren. Das bewirkt, daß die Finger beim Anhe
ben zunächst am Grundkörper 2 anliegen und damit senkrecht vom
Substrat abheben, ohne auf ihm zu gleiten.
Die Vorteile des vorgeschlagenen Substrathalters werden analog
der eingangs aufgelisteten Kriterien erläutert:
Die durch den Ionenbeschuß in das Substrat gebrachten hohen
Wärmemengen müssen über Wärmeleitung an den gekühlten Drehtel
ler abgegeben werden. Die Ätzleistung ist in der Regel nur
durch die Temperaturerhöhung des Substrates begrenzt.
Als Material für den Grundkörper des Substrates wird Al vorge
schlagen, für Hebering, Haltefinger und Gewindezylinder Edel
stahl. Cu hat zwar höhere Wärmeleitfähigkeit als Al, ist je
doch schwerer und weicher. Es müßte in jedem Fall hart plattiert
werden, was eine ab und zu erforderliche Oberflächenüberarbei
tung erschwert.
Überwurfringe wie auch die Backen der Si-Waferhalter haben den
Nachteil, daß sie, durch ihre großen exponierten Flächen, hohe
Wärmemengen aufnehmen und sie in erster Linie über das Substrat
ableiten, weil die punkt- oder linienförmigen Kontaktflächen
zum Halter zu klein sind. Haltefinger sind wegen ihrer geringe
ren Oberfläche und des besseren Kontaktes zum gekühlten Grund
körper günstiger.
Für gleichbleibende und gute Substratkühlung ist eine konstante
und ausreichende Anpreßkraft auf das Substrat notwendig. Diese
ist bei Überwurfringen ohne Spiralfedern, wo man durch den Grad
der Verdrehung mehr oder weniger spannt und das elastische
Glied eine Spange ist, nicht gegeben. Beim vorgeschlagenen Hal
ter ist die Kraft vom Operator unabhängig und durch Wahl der
Federn leicht zu optimieren.
Beim Lösen und Befestigen von Überwurfringen muß in der Regel
der gesamte Halter vom Drehteller geschraubt werden. Durch Ab
nutzung der weichen Zwischenbleche (In, Sn) und den Grad der
Verdrehung (das heißt Anpressung) ändert sich hier der Wärme
leitwiderstand ständig. Der vorgeschlagene Halter wird auf dem
Drehteller be- und entladen.
Es erfolgt ohne Lösen des Halters vom Drehteller, also schnell.
Die gespreizten Finger zentrieren beim Schließen das Substrat
selbst. Die Anpressung des Substrats ist konstant. Eine Ver
letzungsgefahr der Substratoberflächen durch lose Teile, wie
dem Überwurfring, besteht nicht.
Bei Haltern mit Überwurfring muß sowohl zum Lösen und Befesti
gen des Ringes als auch des Halters selbst über das Substrat
gegriffen werden, wodurch Partikel auf die Oberfläche gelangen
können, zumal wenn Schlupf und damit Abrieb am Handschuh ent
steht. Eine starke Kontaminationsquelle sind die angesputterten
losen Schichten im unteren Teil des Halters, der beim Verdrehen
des Überwurfringes gehalten werden muß. Beim vorgeschlagenen
Substrathalter wird weder über das Substrat gegriffen, noch der
Handschuh mit Sputterschichten vom Halter kontaminiert.
Wegen der unterschiedlichen Ionenstromdichte auf dem Drehteller
können die Substrathalter zumeist nur ringförmig um seinen Mit
telpunkt angeordnet werden. Zur optimalen Flächennutzung müssen
die Substrat möglichst nahe beisammen sein, der Haltemechanis
mus darf lateral nur geringen Raum beanspruchen. Beim vorgeschla
genen Halter ist das realisiert, indem man benachbarte Halter
so setzt, daß die Haltefinger des einen bei der synchronen Dreh
bewegung zwischen die des anderen zu liegen kommen.
Claims (13)
1. Substrathalter, vorzugsweise zur Montage auf einem Drehtel
ler, mit optimaler Wärmeableitung für das Trockenätzen, insbe
sondere für das Ionenstrahlätzen, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein viereckiger oder zylindrischer Grund
körper (2) mit Gewindezapfen (17) vorgesehen ist, daß ferner auf
der Deckfläche des Grundkörpers das Substrat (1) zentrisch mit
wenigstens drei Halterfingern (3) gehalten wird, die zum Be- und
Entladen über einen, mit keilförmig geneigten Flächen ausgestat
teten und in beiden Richtungen drehbaren Hebering bewegbar sind,
der über den unteren Teil des Grundkörpers geschoben ist.
2. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß auf der Halteroberfläche eine
Gummischeibe fest angebracht ist.
3. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Hebering (5) Schrauben (6)
radial angeordnet sind, die beim Eindrehen dahinterliegende
Justierkugeln (7) aus ihren Innensenkungen in eine V-Nut (8)
des Grundkörpers drücken.
4. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Kontakt zwischen den Halte
fingern (3) und dem Hebering (5) durch Federdruck über Kugeln
(10) in den Fingern hergestellt ist.
5. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß Anschläge vorgesehen sind, die
die Drehbewegung des Heberinges in beiden Richtungen stoppen.
6. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß in der Anzahl der Haltefinger
(3) Stellschrauben (11) vorgesehen sind, die durch ein von den
Federn (4) auf die Haltefinger ausgeübtes Drehmoment beim Ver
tikalhub der Finger auf einer geneigten Fläche gleiten.
7. Substrathalter nach Anspruch 6, dadurch ge
kennzeichnet daß die geneigte Fläche zu einem
gehärteten Stahlkeil (12) gehört, der in eine Nut gelegt ist.
8. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Haltefinger (3) ein quer
liegendes, zylindrisches Unterteil (18) aufweisen.
9. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß am Umfang des Heberinges (5)
Bohrungen (13) angeordnet sind, die das Verdrehen des Heberin
ges mittels eines eingesteckten Stiftes ermöglichen.
10. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Grundkörper (2) Aussparun
gen (14) zum Greifen des Substrates angebracht sind.
11. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Haltefinger (3) austausch
bar sind, um verschieden dicke Substrate halten zu können.
12. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß Substrate unterschiedlicher
Dicke durch radiales Verschieben der Justierkugeln (7) in der
V-Nut (8) gehalten werden.
13. Substrathalter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß sich der Gewindezapfen (17) an
einem Stahlzylinder (15) befindet, der in den Grundkörper (2)
eingeführt und arretiert ist, um den Halter ohne Verspannung
auf dem Drehteller zu befestigen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873725188 DE3725188A1 (de) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873725188 DE3725188A1 (de) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3725188A1 true DE3725188A1 (de) | 1989-02-09 |
Family
ID=6332659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873725188 Withdrawn DE3725188A1 (de) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3725188A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0392516A2 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-17 | Tokyo Electron Limited | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
DE10032005B4 (de) * | 2000-06-30 | 2004-01-15 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Waferhalterad mit einer Andrückvorrichtung in einer Waferbeschichtungsanlage |
AT510606B1 (de) * | 2011-02-09 | 2012-05-15 | Leica Mikrosysteme Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur probenpräparation |
CN102501154A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-06-20 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法 |
EP3103581A1 (de) * | 2015-06-11 | 2016-12-14 | Schneeberger Holding AG | Positioniervorrichtung |
CN111139442A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-12 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 旋转夹具及真空镀膜设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2748101A1 (de) * | 1976-11-01 | 1978-05-03 | Ibm | Einrichtung zum koplanaren ausrichten eines werkstuecks, insbesondere eines flachen, z.b. scheibenfoermigen werkstuecks |
DE3120477C2 (de) * | 1980-05-23 | 1986-02-27 | Disco Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen |
DD241090A1 (de) * | 1985-09-19 | 1986-11-26 | Hochvakuum Dresden Veb | Substrathalter zum trockenaetzen und/oder beschichten im vakuum |
-
1987
- 1987-07-29 DE DE19873725188 patent/DE3725188A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2748101A1 (de) * | 1976-11-01 | 1978-05-03 | Ibm | Einrichtung zum koplanaren ausrichten eines werkstuecks, insbesondere eines flachen, z.b. scheibenfoermigen werkstuecks |
DE3120477C2 (de) * | 1980-05-23 | 1986-02-27 | Disco Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zum Aufspannen von Halbleiterplättchen |
DD241090A1 (de) * | 1985-09-19 | 1986-11-26 | Hochvakuum Dresden Veb | Substrathalter zum trockenaetzen und/oder beschichten im vakuum |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0392516A2 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-17 | Tokyo Electron Limited | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
EP0392516A3 (de) * | 1989-04-11 | 1991-08-14 | Tokyo Electron Limited | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
DE10032005B4 (de) * | 2000-06-30 | 2004-01-15 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Waferhalterad mit einer Andrückvorrichtung in einer Waferbeschichtungsanlage |
AT510606B1 (de) * | 2011-02-09 | 2012-05-15 | Leica Mikrosysteme Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur probenpräparation |
CN102501154A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-06-20 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法 |
CN102501154B (zh) * | 2011-10-26 | 2014-01-29 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种离子束抛光过程中工件装卡装置和方法 |
EP3103581A1 (de) * | 2015-06-11 | 2016-12-14 | Schneeberger Holding AG | Positioniervorrichtung |
EP3124169A1 (de) * | 2015-06-11 | 2017-02-01 | Schneeberger Holding AG | Positioniervorrichtung |
US10359103B2 (en) | 2015-06-11 | 2019-07-23 | Schneeberger Holding Ag | Positioning device |
US10428918B2 (en) | 2015-06-11 | 2019-10-01 | Schneeberger Holding Ag | Positioning device |
CN111139442A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-12 | 中山市博顿光电科技有限公司 | 旋转夹具及真空镀膜设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0886305B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Silizium-Wafer | |
EP0397029B1 (de) | Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück sowie Vakuumprozesskammer | |
DE3855424T2 (de) | Haltevorrichtung für Substratscheiben | |
DE19755694C2 (de) | Handhabungsvorrichtung für dünne, scheibenförmige Gegenstände | |
EP0611273B1 (de) | Träger für scheibenförmige Gegenstände | |
DE69809308T2 (de) | Mechanisches Greifergelenk für Roboter | |
EP0769205B1 (de) | Vorrichtung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere siliciumwafer | |
DE3915038C2 (de) | ||
EP3385771B1 (de) | Haltevorrichtung für probenträger und verfahren zum ein- und ausbringen eines probenträgers | |
DE2132174A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines dielektrisch isolierten Halbleitergebildes | |
DE1110544B (de) | Einscheiben-Laeppmaschine fuer Halbleiterscheiben | |
DE19748020A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben | |
EP1042787A1 (de) | Haltevorrichtung | |
DE112007002404T5 (de) | Verfahren zum Festhalten eines Siliciumwafers, Einspannvorrichtung zur Wärmebehandlung und wärmebehandelter Wafer | |
DE3725188A1 (de) | Halbautomatischer substrathalter fuer waermeprozesse | |
DE2755852A1 (de) | Anlage zum behandeln von substraten mittels eines ionenstrahls | |
DE102010026610A1 (de) | Unterdruck-Saugeinheit und Greifer | |
DE102016211709B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern | |
DE3912296A1 (de) | Vorrichtung zur aufnahme und halterung von substraten | |
DE102012214998B4 (de) | Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe | |
DE69104128T2 (de) | Spannen eines Werkstücks. | |
EP1907597B1 (de) | Vorrichtung zum einspannen und positionieren eines verdampferschiffchens | |
DE638269C (de) | Drehschalter, insbesondere fuer Messzwecke, mit einer feststehenden Achse und einem um diese drehbaren Tragkoerper fuer auf flachen Kontaktbahnen schleifende Stromabnehmer | |
WO2024023326A1 (de) | Vorrichtung zur thermischen behandlung von substraten, insbesondere halbleiter-wafern | |
DE102016222144A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Abrichten von Poliertüchern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |