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Hintergrund der Erfindung
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, das verwendet wird, wenn ein Wafer dünn ausgestaltet werden soll.
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Beschreibung des Stands der Technik
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In den vergangenen Jahren ist, um einen kleinen und leichten Bauelementchip zu implementieren, ein Bedarf aufgetreten, einen Wafer, der aus einem Material wie Silizium ausgestaltet ist, zu bearbeiten, sodass dieser dünn ausgestaltet ist. Ein Wafer wird zum Beispiel, nachdem ein Bauelement wie eine integrierte Schaltung ausgebildet ist, in jedem Bereich, der durch die vorgesehenen Teilungslinien (Straßen) an einer vorderen Oberfläche geteilt ist, an der hinteren Seite geschliffen, um eine gewünschte Dicke aufzuweisen.
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Im Übrigen, falls ein Wafer auf eine Dicke von 100 μm oder weniger dünn ausgestaltet ist, nimmt die Festigkeit signifikant ab und es wird schwierig, den Wafer bei den folgenden Schritten zu handhaben. Darum wurde ein Bearbeitungsverfahren vorgeschlagen, in welchem nur ein zentraler Abschnitt eines Wafers abgeschliffen wird, an welchem ein Bauelement ausgebildet ist, während die Dicke an einem äußeren umfänglichen Abschnitt des Wafers erhalten bleibt, sodass eine vorbestimmte Festigkeit nach dem Schleifen des Wafers überbleibt (zum Beispiel
japanische Offenlegungsschrift Nr. 2007-19461 ). In dem Bearbeitungsverfahren wird die Fläche der Rückseite des Wafers auf einen dünnen, zentralen Abschnitt des Wafers abgeschliffen, indem eine Schleifscheibe mit einem geringeren Durchmesser als dem des Wafers verwendet wird. Die Festigkeit des Wafers wird durch einen äußeren umfänglichen Abschnitt (ringförmiger Verstärkungsabschnitt) erhalten, dessen Dicke erhalten bleibt. Es sei angemerkt, dass der äußere umfängliche Abschnitt durch Bestrahlen eines Laserstrahls an der Grenze zwischen dem äußeren umfänglichen Abschnitt und dem zentralen Abschnitt später getrennt wird (zum Beispiel
japanische Offenlegungsschrift Nr. 2008-53341 ).
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Darstellung der Erfindung
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Im Übrigen ist ein Wafer mit einem Schutzfilm beschichtet, sodass, wenn ein Laserstrahl abgestrahlt wird, um einen äußeren Umfangsabschnitt des Wafers zu trennen, Verschmutzung (geschmolzenes Material oder dergleichen), die beim Abstrahlen des Laserstrahls generiert wird, nicht auf dem Wafer anhaftet. Der Schutzfilm ist über die gesamte Fläche der vorderen Fläche oder der hinteren Fläche des Wafers normalerweise durch eine Technik wie Spin-Coating aufgebracht. Jedoch ist ein solches Bearbeitungsverfahren, wie gerade beschrieben, weiterhin unbefriedigend, da es unökonomisch ist.
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Darum ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, das verwendet wird, um einen Wafer zu bearbeiten, sodass dieser dünn ausgestaltet ist, und hervorragend wirtschaftlich ist.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitgestellt, der an einer vorderen Seite einen Bauelementbereich aufweist, in dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen äußeren Umfangsüberschussbereich aufweist, welcher den Bauelementbereich umgibt, das einen Bearbeitungsschritt für einen Wafer zum dünnen Ausgestalten eines Abschnitts des Wafers beinhaltet, welcher dem Bauelementbereich von einer Rückseite entspricht, um einen kreisförmigen und dünn ausgestalteten Abschnitt auszubilden, während eine Dicke eines Abschnitts des Wafers, der dem äußeren umfänglichen Überschussbereich entspricht, erhalten bleibt, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt auszubilden, einen Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines Schutzfilms in nur einem Bereich des Wafers an der vorderen Oberflächenseite, der einer Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt und dem Verstärkungsabschnitt entspricht, einen Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut zum Abstrahlen eines Laserstrahls in dem Bereich, in welchem der Schutzfilm aufgetragen ist, auf die vorderen Oberflächenseite des Wafers, um eine Bearbeitung und an dem Wafer bereitzustellen, und einen Entfernungsschritt für einen Verstärkungsabschnitt zum Entfernen des Verstärkungsabschnitts von dem Wafer.
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Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitgestellt, der an einer vorderen Oberflächenseite einen Bauelementbereich, in welchem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen äußeren Umfangsüberschussbereich aufweist, welcher den Bauelementbereich umgibt, das einen Bearbeitungsschritt für einen Wafer, zum dünnen Ausgestaltens eines Abschnitts des Wafers, der dem Bauelementbereich entspricht, von einer Rückseite, um einen kreisförmigen dünn ausgestalteten Abschnitt auszubilden, während eine Dicke eines Abschnitts des Wafers, welcher dem äußeren Umfangsüberschussbereich entspricht, erhalten bleibt, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitts auszubilden, einen Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines Schutzfilms in nur einem Bereich des Wafers auf der rückseitigen Oberfläche, der einer Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt und dem Verstärkungsabschnitts entspricht, einen Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut zum Abstrahlen eines Laserstrahls auf den Bereich, in welchen der Schutzfilm aufgebracht ist, von der rückseitigen Oberfläche des Wafers, um eine Bearbeitungsnut an dem Wafer auszubilden, und ein Entfernungsschritt für einen Verstärkungsabschnitt zum Entfernen des Verstärkungsabschnitts von dem Wafer.
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In dem Aspekt der vorliegenden Erfindung bei dem Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm wird der Schutzfilm bevorzugt durch Einspritzen von partikelförmigen, flüssigen Kunststoff durch ein Einspritzmittel aufgebracht. Ferner ist in dem Aspekt der vorliegenden Erfindung der Schutzfilm vorzugsweise in einer Ringform ausgebildet, die eine breite aufweist, die größer als eine Distanz eines Bereichs ist, in dem Verschmutzung, die durch Bestrahlung durch den Laserstrahl generiert wird, verteilt wird.
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Mit dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Schutzfilm nur in einem Bereich eines Wafers aufgetragen, der einer Grenze zwischen einem dünn ausgestalteten Abschnitt und einem ringförmigen Verstärkungsabschnitts des Wafers entspricht. Darum tritt, im Vergleich mit einem alternativen Fall, in welchem der Schutzfilm über die gesamte Fläche des Wafers aufgetragen wird, kein Verschwenden des Schutzfilms auf, der auszubilden ist. In dieser Weise kann mit der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitgestellt werden, das ökonomisch hervorragend ist.
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Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden und die Erfindung selbst wird am besten durch einstudieren der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, ersichtlich und verstanden.
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Kurze Beschreibung der Figuren
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1A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wafer schematisch darstellt;
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1B ist eine perspektivische Ansicht, die einen Vorbereitungsschritt für eine Bearbeitung schematisch darstellt;
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1C ist eine Schnittansicht, die den Vorbereitungsschritt für eine Bearbeitung schematisch darstellt;
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2A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Bearbeitungsschritt für einen Wafer schematisch darstellt;
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2B ist eine Schnittansicht, die einen Wafer und weiteres nach dem Bearbeitungsschritt für einen Wafer darstellt;
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3A ist eine Schnittansicht, die einen erneuten Klebeschritt schematisch darstellt;
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3B ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die schematisch einen Schritt des Aufbringens eines Schutzfilms darstellt;
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3C ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt einer Bearbeitungsnut schematisch darstellt;
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4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Entfernungsschritt für einen Verstärkungsabschnitts schematisch darstellt;
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5A ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die einen Schritt des Aufbringens eines Schutzfilms entsprechend einer Modifikation schematisch darstellt; und
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5B ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut entsprechend einer Modifikation schematisch darstellt.
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Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet einen Bearbeitungsschritt für einen Wafer (siehe 2A und 2B), einen Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm (siehe 3B), einen Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut (siehe 3C) und einen Entfernungsschritt für einen Verstärkungsabschnitt (siehe 4). Bei dem Bearbeitungsschritt für den Wafer wird ein Abschnitt eines Wafers einem Bauelementbereich entsprechend von der rückseitigen Oberfläche geschliffen, um einen kreisförmig dünn ausgestalteten Abschnitt auszubilden, während die Dicke eines Abschnitts, der einem äußeren Umfangsüberschussbereich des Wafers entspricht erhalten bleibt, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt auszubilden. Bei dem Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm wird ein Schutzfilm nur in einem Bereich des Wafers an der vorderen Oberflächenseite, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt und dem Verstärkungsabschnitts entspricht, aufgebracht. Bei dem Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut wird ein Laserstrahl von der vorderseitigen Oberfläche auf den Bereich des Wafers gestrahlt, der mit dem Schutzfilm beschichtet ist, um eine Bearbeitungsnut an dem Wafer auszubilden. In dem Entfernungsschritt für den Verstärkungsabschnitts wird der Verstärkungsabschnitt von dem Wafer getrennt und entfernt. Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird detailliert im Folgenden beschrieben.
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1A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wafer, der zu bearbeiten ist, in der vorliegenden Ausführungsform darstellt. Wie in 1A dargestellt, ist ein Wafer 11 ein kreisförmiger, plattenähnlicher Gegenstand, der aus einem Material wie zum Beispiel Silikon oder Saphir ausgebildet ist und eine vordere Fläche 11a des Wafers 11 ist in einen zentralen Bauelementbereich 13 und einen äußeren Umfangsüberschussbereich 15 geteilt, der den Bauelementbereich 13 umgibt. Der Bauelementbereich 13 ist weiter in mehrere Bereiche durch vorgesehene Teilungslinien (Straßen) 17 geteilt, die in einem Gittermuster angeordnet sind, und ein Bauelement 19 wie eine integrierte Schaltung oder eine LED ist in jedem der mehreren Bereiche ausgebildet. Es sei angemerkt, dass der äußere umfängliche Abschnitt 11c des Wafers 11 angefast ist.
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In dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird zuerst ein Vorbereitungsschritt für eine Bearbeitung zum Fixieren eines Schutzelements an der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers durchgeführt. 1B ist eine perspektivische Ansicht, die den Vorbereitungsschritt für eine Bearbeitung schematisch darstellt, und 1C ist eine Schnittansicht, die schematisch den Vorbereitungsschritt der Bearbeitung darstellt. Wie in 13 und 1C dargestellt, ist ein Schutzelement 21, das an dem Wafer 11 fixiert ist, zum Beispiel ein anhaftendes Band, ein Kunststoffsubstrat, ein Wafer eines zu dem Wafer 11 ähnlichen oder unterschiedlichen Typs oder dergleichen, welches eine im Wesentlichen gleiche Form wie die des Wafers 11 aufweist. Eine vorderseitige Fläche 21a des Schutzelements 21 wird an der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers 11 angeklebt.
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Nachdem der Vorbereitungsschritt für ein Bearbeiten durchgeführt wurde, wird ein Bearbeitungsschritt für einen Wafer zum Abschleifen der hinterseitigen Oberfläche 11b des Wafers 11 durchgeführt, um einen kreisförmigen, dünn ausgebildeten Abschnitt und einen ringförmigen Verstärkungsabschnitts auszubilden. 2A ist eine perspektivische Ansicht, die den Bearbeitungsschritt für einen Wafer darstellt, und 2B ist eine Schnittansicht, die schematisch in Wafer 11 und weiteres nach dem Bearbeitungsschritt für den Wafer darstellt.
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Der Bearbeitungsschritt für den Wafer wird zum Beispiel durch eine Schleifvorrichtung 2 durchgeführt, die in 2A dargestellt ist. Die Schleifvorrichtung 2 beinhaltet einen Einspanntisch 4 um den Wafer 11 daran zu halten. Der Einspanntisch 4 ist mit einem Rotationsmechanismus (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden und rotiert um eine Drehachse, die im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung ist. Ferner ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) unterhalb des Einspanntischs 4 bereitgestellt und der Einspanntisch 4 wird in einer horizontalen Richtung durch den Bewegungsmechanismus bewegt. Eine Oberfläche des Einspanntischs 4 dient als eine Haltefläche, um den Wafer 11 daran zu halten. An der Haltefläche wirkt ein negativer Druck einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Flusspfad (nicht dargestellt) oder dergleichen, der in dem Inneren des Einspanntischs 4 ausgebildet ist, worauf eine Saugkraft zum Ansaugen des Wafers 11 generiert wird. Eine Schleifeinheit 6 ist oberhalb des Einspanntischs 4 angeordnet. Die Schleifeinheit 6 beinhaltet ein Spindelgehäuse 8, das an einem Hebemechanismus (nicht dargestellt) getragen wird. Eine Spindel 10 ist in dem Inneren des Spindelgehäuses 8 aufgenommen und mit einem Rotationsmechanismus (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden. Die Spindel 10 wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung durch eine Rotationskraft gedreht, die dazu von dem Rotationsmechanismus übertragen wird und nach oben und unten zusammen mit dem Schwindelgehäuse 8 durch den Hebelmechanismus bewegt wird. Ferner ist ein unterer Endabschnitt der Spindel 10 an dem Äußeren des Spindelgehäuses 8 freigelegt. Eine Schleifscheibe 12, die einen Durchmesser aufweist, der kleiner als der des Wafers 11 ist, ist an einem unteren Endabschnitt der Spindel 10 montiert. Die Schleifscheibe 12 beinhaltet eine Scheibenbasis 12a, die aus einem Metallmaterial wie Aluminium und Edelstahl ausgebildet ist. Mehrere Schleifsteine 12b sind ringförmig an einer unteren Fläche der Scheibenbasis 12a angeordnet.
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Bei dem Bearbeitungsschritt für einen Wafer wird eine hintere Fläche 21b eines Schutzelements 21, das an dem Wafer 11 fixiert ist, mit der Haltefläche des Einspanntischs 4 kontaktiert, um zu verursachen, dass ein negativer Druck der Saugquelle an der hinteren Fläche 21b wirken kann. Folglich wird der Wafer 11 an dem Einspanntisch 4 in einem Zustand gehalten, in welchem die hintere Fläche 11b an der oberen Seite freiliegt. Danach wird der Einspanntisch 4 zu einer Position einer äußeren Seitenkante der Schleifsteine 12b in einem Bereich, welcher der Grenze zwischen einem Bauelementbereich 13 und einem äußeren Umfangsüberschussbereich 15 entspricht, bewegt. In diesem Zustand werden der Einspanntisch 4 und die Schleifscheibe 12 einzelnen gedreht und die Spindel 10 abwärts bewegt. Die Menge der Abwärtsbewegung der Spindel 10 ist so groß, dass die untere Fläche der Schleifsteine 12b gegen die hintere Fläche 11b des Wafers 11 gedrückt wird. Folglich wird ein Abschnitt des Wafers 11, der dem Bauelementbereich 13 entspricht, von der hinterseitigen Oberfläche 11b geschliffen, um einen kreisförmigen, dünn ausgestalteten Abschnitt 23 auszubilden, während die Dicke eines Abschnitts des Wafers 11, der dem äußeren Umfangsüberschussbereich 15 entspricht, erhalten bleibt, wodurch ein ringförmiger Verstärkungsabschnitts 25 ausgebildet wird. Zum Beispiel, nachdem ein Abschnitt des Wafers 11, der dem Bauelementbereich 13 entspricht, zu einer Enddicke dünn ausgestaltet ist, wird der Schleifschritt beendet.
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Nachdem der Bearbeitungsschritt für einen Wafer durchgeführt wurde, wird ein erneuter Klebeschritt zum Aufkleben eines Zerteilungsbands an der hinterseitigen Fläche 11b des Wafers 11 und Entfernen des Schutzelements 21, das an der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers 11 fixiert ist, durchgeführt. 3A ist eine Schnittansicht, die schematisch den erneuten Klebeschritt darstellt. Wie in 3A dargestellt, wird in dem erneuten Klebeschritt ein Zerteilungsband 31 mit einem Durchmesser größer als der des Wafers 11 an der hinterseitigen Fläche 11b des Wafers 11 aufgeklebt und ein ringförmiger Rahmen 33 wird an einem äußeren umfänglichen Abschnitt des Zerteilungsband 31 fixiert. Folglich wird der Wafer 11 an dem ringförmigen Rahmen 33 durch das Zerteilungsband 31 getragen. Ferner wird das Schutzelement 21 an der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers 11 entfernt, um die vordere Fläche 11a des Wafers 11 freizulegen. Es sei angemerkt, dass in dem erneuten Klebeschritt das Schutzelement 21 entfernt werden kann, bevor das Zerteilungsband 31 auf den Wafer 11 geklebt wird, oder das Schutzelement 21 entfernt werden kann, nachdem das Zerteilungsband 31 auf den Wafer 11 wird.
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Nachdem der erneute Klebeschritt durchgeführt wurde, wird ein Beschichtungsschritt für einen Schutzfilms zum Aufbringen eines Schutzfilms nur in einem Bereich des Wafers 11 an der vorderen Fläche 11a durchgeführt, die der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 entspricht. 3B ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die den Beschichtungsschritt für den Schutzfilm schematisch darstellt.
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Der Beschichtungsschritt für den Schutzfilm wird zum Beispiel durch eine Beschichtungsvorrichtung 22 für einen Schutzfilm durchgeführt, die in 3B dargestellt ist. Die Beschichtungsvorrichtung 22 für einen Schutzfilm beinhaltet einen Einspanntisch 24, um den Wafer 11 daran zu halten. Der Einspanntisch 24 ist mit einem Rotationsmechanismus (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden und wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung gedreht. Ferner ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) unterhalb des Einspanntisch 24 bereitgestellt und der Einspanntisch 24 wird in einer horizontalen Richtung durch den Bewegungsmechanismus bewegt. Ein kreisförmig vertiefter Abschnitt 24a ist an einer oberen Fläche des Einspanntisch 24 ausgebildet und eine Halteplatte 26, die eine Form aufweist, die mit der des vertieften Abschnitts 24a übereinstimmt, ist in den vertieften Abschnitt 24a ist. Die Halteplatte 26 ist zum Beispiel aus einem porösen Material ausgebildet und eine obere Fläche der Halteplatte 26 dient als eine Haltefläche 26a zum Halten des Wafers 11. Der vertiefte Abschnitt 24a ist mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Flusspfad 24b oder dergleichen, der in dem inneren des Einspanntisch 24 ausgebildet ist, verbunden. Durch Verursachen eines negativen Drucks der Saugquelle an der Halteplatte 26 zu wirken, wird eine Saugkraft zum Ansaugen des Wafers 11 auf die Haltefläche 26a aufgebracht. Um den Einspanntisch 24 sind Klemmen 28 zum Fixieren eines ringförmigen Rahmens 33 bereitgestellt. Ferner ist oberhalb des Einspanntischs 24 eine ein Spritzdüse (ein Spritzmittel) 30 angeordnet, das dazu geeignet ist einen flüssigen Kunststoff 27 in der Form von feinen Partikeln auszustoßen.
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In dem Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm ist das Zerteilungsband 31, das an den Wafer 11 angeklebt ist, mit der Haltefläche 26a des Einspanntischs 24 kontaktiert und der ringförmige Rahmen 33 ist durch die Klemmen 28 fixiert. Durch Verursachen, dass ein negativer Druck der Sauquelle in diesem Zustand wirkt, wird der Wafer 11 an dem Einspanntisch 24 in einem Zustand gehalten, in welchem die vorderseitige Fläche 11a an der oberen Seite frei liegt. Danach wird der Einspanntisch 24 bewegt, um die ein Spritzdüse 30 in einem Bereich zu positionieren, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 entspricht. Danach wird, während der Einspanntisch 24 rotiert, ein partikelförmiger, flüssiger Kunststoff 27 von der Einspritzdüse 30 zu dem Wafer 11 eingespritzt. Folglich kann ein Schutzfilm 29 nur auf dem Bereich der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers 11 aufgebracht werden, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 entspricht.
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Als der flüssige Kunststoff 27 kann zum Beispiel ein wasserlösliches Kunststoffmaterial verwendet werden, das später einfach mit Wasser weggewaschen werden kann. Ferner ist der Schutzfilm bevorzugt in einer Form eines Rings ausgebildet, der eine Breite aufweist, die größer als eine Distanz ist, über welche Verschmutzungen (geschmolzene Substanz oder dergleichen), die in einem Ausbildungsschritt der Bearbeitungsnut später generiert werden, gestreut werden. Durch Ausbilden des Schutzfilms 29 in dieser Weise kann ein Anhaften der Verschmutzung, die durch Abstrahlen eines Laserstrahls auf den Wafer 11 generiert wird, sicher verhindert werden. Es sei angemerkt, dass, falls der Laser unter normalen Bedingungen abgestrahlt wird, der Schutzfilm 29 ungefähr 1 mm bis 3 mm sein kann. Ferner kann der Schutzfilm 29 so ausgebildet sein, dass es mindestens ein anhaften der Verschmutzung an dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 verhindert. Zum Beispiel kann der Schutzfilm 29 an einer Position ausgebildet sein, die zu dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 von der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitt 25 verschoben ist.
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Nachdem der Beschichtungsschritt für den Schutzfilm durchgeführt wurde wird ein Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut durch Abstrahlen eines Laserstrahls auf den Bereich des Wafers 11, der mit dem Schutzfilm 29 beschichtet ist, von der vorderseitigen Fläche 11a ausgeführt, um eine Bearbeitungsnut an dem Wafer 11 auszubilden. 3C ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt der Bearbeitungsnut schematisch darstellt.
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Der Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut wird zum Beispiel durch eine Laserbearbeitungsvorrichtung 32, die in 3C dargestellt ist, durchgeführt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 32 beinhaltet einen Einspanntisch 34 zum Halten des Wafers 11. Der Einspanntisch 34 ist mit einem Rotationsmechanismus (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden, und wird um eine Drehachse im Wesentlichen parallel zu der vertikalen Richtung gedreht. Ferner ist ein Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) unterhalb des Einspanntisch 34 bereitgestellt und der Einspanntisch 34 wird in einer horizontalen Richtung durch den Bewegungsmechanismus bewegt. Ein kreisförmiger, vertiefter Abschnitt 34a ist an einer oberen Fläche des Einspanntischs 34 ausgebildet und eine Halteplatte 36 in einer Form, die mit den vertieften Abschnitt übereinstimmt, wird in den vertieften Abschnitt 34a eingepasst. Die Halteplatte 36 ist zum Beispiel aus einem porösen Material ausgebildet und eine Oberfläche dient als eine Haltefläche 36a zum Halten des Wafers 11. Der vertiefte Abschnitt 34a wird mit einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Flusspfad 34b oder dergleichen, der in dem Inneren des Einspanntischs 34 ausgebildet ist, verbunden. Durch Verursachen eines negativen Drucks der Saugquelle an der Halteplatte 36 zu wirken, wird eine Saugkraft zum Ansaugen des Wafers 11 an der Haltefläche 36a generiert. Klemmen 38 zum Fixieren des Rahmens 33 sind an dem Umfang des Einspanntischs 34 bereitgestellt. Ferner ist eine Laserbearbeitungseinheit 40 oberhalb des Einspanntischs 34 bereitgestellt. Die Laserbearbeitungseinheit 40 führt einen Laserstrahl, der durch einen Laser-Oszillator (nicht dargestellt) pulsoszilliert wird, und strahlt den Laserstrahl L auf den Wafer 11 an dem Einspanntisch 34. Der Laseroszillator ist so ausgestaltet, dass dieser den Laserstrahl L einer Wellenlänge, die einfach durch den Wafer 11 absorbiert wird (Wellenlänge die eine Absorption aufweist), oszillieren kann.
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In dem Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut wird das Zerteilungsband 31, das auf dem Wafer 11 geklebt ist, zuerst mit der Haltefläche 36a des Einspanntischs 34 kontaktiert und der Rahmen 33 wird durch die Klemmen 38 fixiert. Ein negativer Druck der Saugquelle wird dazu gebracht in diesem Zustand zu wirken, um den Wafer 11 an dem Einspanntisch 34 in einem Zustand zu halten, in welchem die vorderseitige Fläche 11a zu der oberen Seite freiliegt. Danach wird der Einspanntisch 34 bewegt, um die Laserbearbeitungseinheit 40 in einem Bereich zu positionieren, welche der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitt 25 entspricht. Danach, während der Einspanntisch 34 gedreht wird, wird der Laserstrahl von der Laserbearbeitungseinheit 40 zu der vorderen Fläche 11a des Wafers 11 gestrahlt. Folglich wird der Laserstrahl L auf den Bereich abgestrahlt, der mit dem Schutzfilm 29 beschichtet ist, der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 entsprechend, wodurch eine Bearbeitungsnut an dem Wafer 11 ausgebildet werden kann. Es sei angemerkt, dass die Bearbeitungsnut vorzugsweise bis zu einer Tiefe ausgebildet ist, mit welcher der dünn ausgestaltete Abschnitt 23 und der Verstärkungsabschnitts 25 voneinander getrennt werden können. Falls der Verstärkungsabschnitt später geeignet entfernt werden kann, kann die Bearbeitungsnut zu einer Tiefe ausgebildet sein, mit welcher der dünn ausgestaltete Abschnitt 23 und der Verstärkungsabschnitt 25 nicht voneinander getrennt sind.
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Nachdem die der Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut durchgeführt wurde, wird ein Entfernungsschritt für den Verstärkungsabschnitts zum Entfernen des Verstärkungsabschnitts 25 von dem Wafer 11 durchgeführt. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die den Entfernungsschritt für den Verstärkungsabschnitts schematisch darstellt. Da die Bearbeitungsnut in dem Bereich entsprechend der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitt 25, wie in 4 dargestellt, ausgebildet ist, kann der Verstärkungsabschnitts 25 von dem Wafer 11 (dünn ausgestalteter Abschnitt 23) entfernt werden. Es sei angemerkt, dass in 4 das Zerteilungsband 31 auf dem Wafer 11 (dünn ausgestalteter Abschnitt 23) usw. ausgelassen ist.
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Wie oben beschrieben, wird mit dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform, da der Schutzfilm 29 nur an einem Bereich aufgebracht ist, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitts 25 des Wafers 11 entspricht, der Schutzfilm, der in dem Bereich ausgebildet ist, im Vergleich mit einem alternativen Fall, in welchem der Schutzfilm über die gesamte Fläche des Wafers ausgebildet ist, nicht verschwendet. Ferner wird in dem Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform, da das Verfahren des Einspritzens des partikelförmigen, flüssigen Kunststoffs 27 unter Verwendung der Einspritzdüse (Einspritzmittel) 30 ausgeführt wird, ohne ein Verfahren zu verwenden, bei dem das Meiste (zum Beispiel ungefähr 90%) eines solchen Rohmaterials wie beim Spin-Coating verschwendet wird, kann die Verwendung des Rohmaterials beim Ausbilden des Schutzfilms 29 signifikant verringert werden. In dieser Weise ist das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer entsprechend der vorliegenden Ausführungsform ökonomisch überlegen.
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Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Beschreibung der oben beschriebenen Ausführungsform beschränkt ist, sondern in verschiedenen modifizierten Formen ausgeführt werden kann. Zum Beispiel, während in der oben beschriebenen Ausführungsform der Schutzfilm 29 an der vorderseitigen Fläche 11a des Wafers 11 ausgebildet ist und der Laserstrahl L auf die vorderseitige Fläche 11a abgestrahlt wird, kann der Schutzfilm 29 an der rückseitigen Fläche 11b des Wafers 11 ausgebildet sein und der Laserstrahl L kann auf die hinterseitige Fläche 11b gestrahlt werden.
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5A ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die den Beschichtungsschritt eines Schutzfilms entsprechend einer Modifikation schematisch darstellt, und 5B ist eine erhöhte, partielle, seitliche Schnittansicht, die in Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut entsprechend der Modifikation darstellt. Nachdem ein Vorbereitungsschritt für eine Bearbeitung und ein Bearbeitungsschritt für einen Wafer ähnlich zu denen in der oben beschriebenen Ausführungsform durchgeführt werden, wobei der erneute Klebeschritt nicht durchgeführt wird.
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Der Beschichtungsschritt für einen Schutzfilm entsprechend der Modifikation wird zum Beispiel durch eine Beschichtungsvorrichtung 42 für einen Schutzfilm, die in 5A dargestellt ist, durchgeführt. Die Beschichtungsvorrichtung 42 für einen Schutzfilm beinhaltet einen Einspanntisch 44 zum Halten des Wafers 11. Der Einspanntisch 44 ist zum Beispiel ähnlich zu dem Haltetisch 24, der oben beschrieben ist, ausgestattet. Eine Einspritzdüse (Einspritzmittel) 46 wie ein Mikropunktspender oder dergleichen, die dazu in der Lage ist, flüssigen Kunststoff 27 in der Form von feinen Partikeln auszustoßen, ist über dem Einspanntisch 44 angeordnet.
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Bei dem Beschichtungsschritt für den Schutzfilm entsprechend der Modifikation wird die hintere Fläche 21b des Schutzelements 21 auf dem Wafer 11 zuerst mit der Haltefläche des Einspanntisch des 44 kontaktiert, sodass ein negativer Druck der Saugquelle auf den Wafer 11 wirkt. Folglich wird der Wafer 11 an dem Einspanntisch 44 in einem Zustand gehalten, in welchem die hinterseitige Fläche 11b zu der oberen Seite freiliegt. Danach wird der Einspanntisch 44 bewegt, um die Einspritzdüse 46 in einem Bereich zu positionieren, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und Verstärkungsabschnitts 25 entspricht. Es sei angemerkt, dass bei dem Beschichtungsschritt für den Schutzfilm entsprechend der vorliegenden Modifikation die Einspritzdüse 46 zu der inneren Seite um eine kleine Distanz von der Position genau über der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 positioniert sein kann. Danach, während der Einspanntisch 44 gedreht wird, wird der partikelförmige, flüssige Kunststoff 27 von der Einspritzdüse 46 zu dem Wafer 11 eingespritzt. Folglich kann der Schutzfilm 29 nur an dem Bereich des Wafers 11 an der rückseitigen Fläche 11b, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 in dem Verstärkungsabschnitt 25 entspricht, aufgebracht sein.
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Nachdem der Beschichtungsschritt für den Schutzfilm durchgeführt wurde, wird der Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut durchgeführt. Der Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut wird zum Beispiel durch eine Laserbearbeitungsvorrichtung 42, die in 5B dargestellt ist, durchgeführt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 52 beinhaltet einen Einspanntisch 54 zum Halten des Wafers 11. Der Einspanntisch 54 ist zum Beispiel ähnlich zu dem Einspanntisch 34, der oben beschrieben ist. Eine Laserbearbeitungseinheit 56 ist oberhalb des Einspanntischs 54 angeordnet. Die Laserbearbeitungseinheit 56 führt einen Laserstrahl, der durch einen Laser-Oszillator (nicht dargestellt) pulsoszilliert wird, und strahlt den Laserstrahl L auf den Wafer 11 an dem Einspanntisch 54. Der Laseroszillator ist so ausgestaltet, dass dieser den Laserstrahl L einer Wellenlänge, die einfach durch den Wafer 11 absorbiert wird (Wellenlänge die eine Absorption aufweist), oszillieren kann.
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In dem Ausbildungsschritt für die Bearbeitungsnut ist die hintere Fläche 21b des Schutzelements 21, die an dem Wafer 11 fixiert ist, zuerst mit der Haltefläche des Einspanntisch des 54 kontaktiert, sodass ein negativer Druck der Saugquelle auf die hintere Fläche 21b wirkt. Folglich wird der Wafer 11 an dem Einspanntisch 54 in einem Zustand gehalten, in welchem die rückseitige Fläche 11b zu der oberen Seite frei liegt. Danach wird der Einspanntisch 54 bewegt, um die Laserbearbeitungseinheit 56 in einem Bereich zu positionieren, welcher der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 und dem Verstärkungsabschnitts 25 entspricht. Danach wird, während der Einspanntisch 54 gedreht wird, der Laserstrahl von der Laserstrahlbearbeitungseinheit 56 zu der hinteren Fläche 11b des Wafers 11 gestrahlt. Folglich kann der Laserstrahl L auf den Bereich gestrahlt werden, der mit dem Schutzfilm 29 beschichtet ist, der Grenze zwischen dem dünn ausgestalteten Abschnitt 23 in den Verstärkungsabschnitts 25 entsprechend. Nachdem der Ausbildungsschritt für eine Bearbeitungsnut durchgeführt wurde, wird der Entfernungsschritt für den Verstärkungsabschnitts ähnlich zu dem in der Ausführungsform, die oben beschrieben wurde, durchgeführt.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Bereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in den Äquivalenzbereich der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2007-19461 [0003]
- JP 2008-53341 [0003]
