JP2009158763A - 保護膜被覆装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエーハの加工面に保護膜が被覆されていない状態でのレーザ加工を回避する。
【解決手段】紫外光の波長の光を吸収する成分を含む液状の樹脂により保護膜10aが形成されるウエーハ10の加工面に対して、光照射手段76によって紫外光の波長領域の光を照射し、その反射光の有無を検出手段77で検出し、反射光が検出された場合に保護膜10aが被覆されていない旨を報知手段78によって報知させるようにしたので、ウエーハ10の加工面上で保護膜10aが被覆されていない領域や部分があった場合には紫外光の波長領域の反射光が保護膜10aに吸収されずに検出されることで、加工面に保護膜10aが被覆されていない状態を確認でき、この結果を報知させることで、被覆手段の点検、保護膜の被覆し直し等の対処を採ることができるようにした。
【選択図】 図5

Description

本発明は、レーザ光線が照射されるウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置に関するものである。
IC,LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザ加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。レーザ加工装置によってウエーハを個々のデバイスに分割する場合、レーザ光線の照射によって発生するデブリが飛散してウエーハの加工面に付着しデバイスの品質を低下させるという問題がある。
このような問題に対して、ウエーハの加工面に液状樹脂を被覆して保護膜を形成することで、デブリがウエーハの加工面に付着しないようにした保護膜被覆装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−201178号公報
しかしながら、特許文献1に示されるような保護膜被覆装置では、ウエーハの加工面に液状樹脂を被覆する液状樹脂噴射ノズルの噴射口に液状樹脂が固着して液状樹脂の噴射が阻害されることがある。この結果、保護膜の被覆が不十分となり、ウエーハの加工面の全面に保護膜が被覆されていない状態でレーザ加工してしまうことがあり、デブリ対策として不十分である。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの加工面に保護膜が被覆されていない状態でのレーザ加工を回避することができる保護膜被覆装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる保護膜被覆装置は、ウエーハの加工面にレーザ光線を照射してレーザ加工を施す前にウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、ウエーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウエーハの加工面に所定の波長の光を吸収する成分を含む液状の樹脂を前記保護膜として被覆する被覆手段と、ウエーハの加工面に所定の波長領域の光を照射する光照射手段と、該光照射手段で照明されたウエーハの加工面からの所定の波長の反射光を検出する検出手段と、該検出手段により前記反射光が検出された場合に前記保護膜が被覆されていない旨を報知する報知手段と、を備えることを特徴とする。
また、本発明にかかる保護膜被覆装置は、上記発明において、前記所定の波長領域は、紫外光の波長領域、または赤外光の波長領域であることを特徴とする。
本発明にかかる保護膜被覆装置は、所定の波長の光を吸収する成分を含む液状の樹脂により保護膜が形成されるウエーハの加工面に対して、所定の波長領域の光を照射してその反射光の有無を検出し、反射光が検出された場合に保護膜が被覆されていない旨を報知させるようにしたので、ウエーハの加工面上で保護膜が被覆されていない領域や部分があった場合には所定の波長領域の反射光が保護膜に吸収されずに検出されることで、加工面に保護膜が被覆されていない状態を確認でき、この結果を報知させることで、被覆手段の点検、保護膜の被覆し直し等の対処を採ることができ、ウエーハの加工面に保護膜が被覆されていない状態でのレーザ加工を回避することができるという効果を奏する。
以下、本発明を実施するための最良の形態である保護膜被覆装置について図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態の保護膜被覆装置が一体に組み込まれたレーザ加工装置を示す外観斜視図である。本実施の形態のレーザ加工装置1は、略直方体状の装置ハウジング2を備えている。装置ハウジング2は、加工送り方向であるX軸方向に移動自在に配設されてウエーハ10を保持するチャックテーブル3を備える。チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。また、レーザ加工装置1は、チャックテーブル3上に保持されたウエーハ10にパルスレーザ光線を集光照射するレーザ光線照射手段4と、チャックテーブル3上に保持されたウエーハ10の表面を撮像し、レーザ光線照射手段4から照射されるパルスレーザ光線によって加工すべき領域をCCD等の撮像素子で撮像して検出する撮像手段5と、撮像手段5によって撮像された画像、その他の各種情報等を表示する表示手段6とを備えている。
さらに、レーザ加工装置1は、ウエーハ10を収容するカセット13が載置されるカセット載置部13aを備えている。カセット載置部13aには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル13bが配設されており、このカセットテーブル13b上にカセット13が載置される。ウエーハ10は、環状のフレーム11に装着された粘着テープ12の表面に貼着されており、粘着テープ12を介して環状のフレーム11に支持された状態でカセット13に収容される。ウエーハ10は、特に図示しないが、表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC,LSI等のデバイスが形成されている。このように構成されたウエーハ10は、図1に示すように、環状のフレーム11に装着された粘着テープ12に表面を上側にして裏面が貼着される。
また、レーザ加工装置1は、カセット13に収納された加工前のウエーハ10を搬出するとともに加工後のウエーハ10をカセット13に搬入するウエーハ搬出入手段14と、ウエーハ搬出入手段14によって搬出された加工前のウエーハ10を仮置きする仮置きテーブル15と、仮置きテーブル15に搬出された加工前のウエーハ10をチャックテーブル3に搬送する第1の搬送経路に配設され加工前のウエーハ10の加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置7と、チャックテーブル3に保持された加工後のウエーハ10を仮置きテーブル15に搬送する第2の搬送経路に配設され加工後のウエーハ10の加工面に被覆されている保護膜を洗浄除去する洗浄手段8と、を備えている。ここで、第1の搬送経路と第2の搬送経路とは、それぞれ異なる搬送経路として設定されている。
また、レーザ加工装置1は、仮置きテーブル15に搬出された加工前のウエーハ10を保護膜被覆装置7に搬送するとともに洗浄手段8によって洗浄された加工後のウエーハ10を仮置きテーブル15に搬送する第1の搬送手段16と、保護膜被覆装置7によって保護膜が被覆された加工前のウエーハ10をチャックテーブル3に搬送するとともにチャックテーブル3に保持された加工後のウエーハ10を洗浄手段8に搬送する第2の搬送手段17とを備えている。
ここで、第1の搬送手段16は、仮置きテーブル15と保護膜被覆装置7と洗浄手段8とに対して等距離の位置に配設されている。この第1の搬送手段16は、一般に使用されている搬送手段と同一の構成でよく、環状のフレーム11の両端を吸引保持する搬送パッドを有する保持手段16aと、保持手段16aを上下方向に昇降可能で、かつ、旋回可能に支持する支持手段16bとからなっている。このように構成された第1の搬送手段16は、仮置きテーブル15に搬出された加工前のウエーハ10(環状のフレーム11に装着された粘着テープ12の表面に貼着された状態)を保護膜被覆装置7に搬送するとともに洗浄手段8によって洗浄された加工後のウエーハ10(環状のフレーム11に装着された粘着テープ12の表面に貼着された状態)を仮置きテーブル15に搬送する。
また、第2の搬送手段17は、チャックテーブル3と保護膜被覆装置7と洗浄手段8との間でウエーハ10を搬送し得る位置に配設されたもので、環状のフレーム11の両端を吸引保持する搬送パッドを有する保持手段17aと、保持手段17aを上下方向に昇降可能で、かつ、旋回可能に支持する支持手段17bととからなっている。このように構成された第2の搬送手段17は、保護膜被覆装置7によって保護膜が被覆された加工前のウエーハ10(環状のフレーム11に装着された粘着テープ12の表面に貼着された状態)をチャックテーブル3に搬送するとともにチャックテーブル3に保持された加工後のウエーハ10(環状のフレーム11に装着された粘着テープ12の表面に貼着された状態)を支持手段17bの旋回動作によって洗浄手段8に搬送する。洗浄手段8は、加工後のウエーハ10を吸引保持して回転するスピンナテーブル、洗浄用の洗浄水ノズル、乾燥用のエアーノズル等を備える。
次に、本実施の形態の保護膜被覆装置7について、図2〜図5を参照して説明する。図2は、保護膜被覆装置の分解斜視図であり、図3は、保持テーブルが搬入・搬出位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す概略縦断正面図であり、図4は、保持テーブルが作業位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す概略縦断正面図であり、図5は、保護膜チェック手段の構成例を示す概略図である。
保護膜被覆装置7は、保持テーブル機構71と、この保持テーブル機構71を包囲して配設された保持テーブル収容手段72を備える。保持テーブル機構71は、保持テーブル711と、この保持テーブル711を回転駆動する電動モータ712と、この電動モータ712を上下方向に移動可能に支持する支持機構713とを備える。保持テーブル711は、多孔性材料から形成された吸着チャック711aを備え、この吸着チャック711aが図示しない吸引手段に連通しており、吸着チャック711a上に載置されたウエーハ10を吸引手段の負圧により吸引保持する。また、保持テーブル711には、環状フレーム11を固定するためのクランプ714が配設されている。電動モータ712は、その駆動軸712aの上端に保持テーブル711が連結されている。支持機構713は、複数本、例えば3本の支持脚713aと、これら支持脚713aをそれぞれ連結し電動モータ712に取り付けられた複数本、例えば3本のエアシリンダ713bとからなり、エアシリンダ713bを作動することにより、電動モータ712および保持テーブル711を図3に示す上方位置である搬入・搬出位置と、図4に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
また、保持テーブル収容手段72は、収容容器721と、この収容容器721を支持する3本の支持脚722と、電動モータ712の駆動軸712aに装着されたカバー部材723とを備える。収容容器721は、図3および図4に示すように、円筒状の外側壁721aと底壁721bと内側壁721cとからなる。底壁721bの中央部には電動モータ712の駆動軸712aが挿通する穴721dが設けられており、この穴721dの周縁から上方に突出する内側壁721cが形成されている。カバー部材723は、円筒状に形成され、その外周縁から下方に突出するカバー部723aを備えている。このように形成されたカバー部材723は、電動モータ712および保持テーブル711が図4に示す作業位置に位置付けられると、カバー部723aが収容容器721を構成する内側壁721cの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。
また、保護膜被覆装置7は、保持テーブル711に保持された加工前のウエーハ10の加工面に、液状樹脂を供給し保護膜を形成するための被覆手段74を備える。被覆手段74は、保持テーブル711に保持された加工前のウエーハ10の加工面に向けて液状樹脂を供給する樹脂液供給ノズル741と、この樹脂液供給ノズル741を揺動させる正転・逆転可能な電動モータ742を備えており、樹脂液供給ノズル741が図示しない樹脂液供給源に接続されている。樹脂液供給ノズル741は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部741aと、このノズル部741aの基端から下方に延びる支持部741bとからなり、支持部741bが収容容器721を構成する底壁721bに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない液状樹脂供給源に接続されている。また、樹脂液供給ノズル741の支持部741bが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部741bとの間をシールする図示しないシール部材が装着されている。
ここで、ウエーハ10の加工面に保護膜を形成するための液状樹脂としては、例えばPVA(Poly Vinyl Alcohol)、PEG(Poly Ethylene Glycol)、PEO(Poly Ethylene Oxide)等の水溶性のレジストが望ましい。特に、本実施の形態では、レーザ光線照射手段4で用いるレーザ光線が300〜400nmの紫外光領域の波長光であり、このようなレーザ光線による加工性を向上させるために、液状樹脂としては、所定の波長の光として紫外光を吸収する成分を含む液状樹脂が用いられている。
また、本実施の形態の保護膜被覆装置7は、保護膜チェック手段75を備えている。この保護膜チェック手段75は、図5に示すように、光照射手段76と検出手段77と報知手段78とからなる。光照射手段76は、チャックテーブル711に保持されたウエーハ10の加工面に対して所定の波長領域である紫外光領域300〜400nmの光を照射するためのものであり、例えば、発光波長355nmの紫外光LED761と、この紫外光LED761からの照明光でウエーハ10を上方から垂直に落射照明させるためのハーフミラー762と、落射照明光の光軸周りを斜光照明するために紫外光リングライト763とからなる。
検出手段77は、光照射手段76で照明されたウエーハ10の加工面からの所定の波長、例えば紫外光領域の反射光の有無を検出するためのものであり、光照射手段76で照明されたウエーハ10の加工面を、ハーフミラー762、フィルタ771を介して順次撮像する紫外線CCD等を用いたカメラ772と、カメラ772が撮像した画像データに基づき紫外光領域の反射光の有無を検出する制御部773とからなる。制御部773は、保護膜形成前にカメラ772が撮像した画像データを一時記憶するメモリ774と、保護膜形成後にカメラ772が撮像した画像データと保護膜形成前に撮像されてメモリ774に記憶された画像データとを演算処理する演算部775と、演算部775の演算結果に対して所定の閾値を用いて紫外光領域の反射光を検出したか否かを判定する判定部776とを備える。また、制御部773は、ウエーハ10の加工面の撮像時の光照射手段76の動作を制御する。
ここで、光照射手段76およびカメラ772は、保護膜チェック機構751としてユニット化され、チャックテーブル711の上空に対して図示しない移動機構により進退自在に設けられている。
また、報知手段78は、検出手段77の判定部776により反射光が検出された場合にウエーハ10の加工面に保護膜が被覆されていない旨を報知するためのものであり、本実施の形態の場合、表示手段6を利用し、保護膜が被覆されていない旨を表示させることができる。
次に、レーザ加工装置1の動作について説明する。まず、環状フレーム11に保護テープ12を介して支持された加工前のウエーハ10は、加工面を上側にしてカセット13の所定位置に収容されており、図示しない昇降手段によってカセットテーブル13bが上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、ウエーハ搬出入手段14が進退作動して搬出位置に位置付けられたウエーハ10を仮置きテーブル15に搬出し、中心位置合せを行う。中心位置合わせされたウエーハ10は、第1の搬送手段16の保持手段16aによって吸引保持され、支持手段16bを中心とする旋回動作によって保護膜被覆装置7の保持テーブル711上に搬送され、吸引保持される。また、環状フレーム11がクランプ714によって固定される。このとき、保持テーブル711は、図3に示す搬入・搬出位置に位置付けられており、樹脂供給ノズル741は図2および図3に示すように、保持テーブル711の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。
このような保護膜形成前の状態において、図3に示すように、制御部773による制御の下に保護膜チェック機構751を待機位置から保持テーブル711上に進出させる。そして、保護膜チェック機構751を例えばウエーハ10の加工面全域を撮像走査するように低速で移動させ、光照射手段76によりウエーハ10の加工面を紫外光領域の波長光で照明しながらカメラ772でウエーハ10の加工面を全域に亘って順次撮像する。この際、ウエーハ10の加工面には保護膜が形成されていないので、カメラ772で順次撮像される画像は、反射光画像となり、基本的には、明るい画像となる。カメラ772で順次撮像された画像データは、メモリ774に一旦格納される。
このような撮像後、保護膜チェック機構751を保持テーブル711の上方から退避させるとともに、保持テーブル711を図4に示す作業位置に位置付け、電動モータ742を作動して樹脂液供給ノズル741を支持部741bを中心として揺動させ、ノズル部741aの先端を保持テーブル711上に保持されたウエーハ10の加工面の中央領域の上方に位置付ける。次に、電動モータ712を作動して保持テーブル711を300〜1000rpmの回転速度で回転させる。この状態で、ノズル部741aからウエーハ10の加工面の中央領域に所定量の液状樹脂を30秒間程度滴下する。この結果、ウエーハ10の加工面上に滴下された液状樹脂は、遠心力によって外周部まで流動し、ウエーハ10の加工面を被覆する。この液状樹脂は、経時的に硬化し、ウエーハ10の加工面上に保護膜10aとして形成される。なお、10bは、ウエーハ10の加工面側のパターン面である。この保護膜10aの厚さは、滴下される液状樹脂の量によって決まるが、1〜10μm程度でよい。
被覆手段74による保護膜被覆工程が終了すると、保持テーブル711を再び図3に示す搬入・搬出位置に位置付け、制御部773による制御の下に保護膜チェック機構751を待機位置から保持テーブル711上に進出させ、保護膜チェック工程を実行する。すなわち、保護膜チェック機構751を例えばウエーハ10の加工面全域を撮像走査するように低速で移動させ、光照射手段76によりウエーハ10の加工面を紫外光領域の波長光で照明しながらカメラ772でウエーハ10の加工面を全域に亘って順次撮像する。この際、撮像領域において保護膜10aが形成されていれば、紫外光領域の照射光が保護膜10aで吸収されて反射されないので暗い画像となるのに対して、撮像領域において保護膜10aが形成されていなければ、紫外光領域の照射光が吸収されずにウエーハ10の加工面で反射されて(反射光有り)、膜形成前と同様の明るい画像となる。なお、保護膜被覆前と被覆後のウエーハ10の画像は、環状フレーム11の基準位置等を起点として撮像することで対応付けられる。
カメラ772で順次撮像された画像データは、メモリ774に格納されている画像データとともに、演算部775に取り込まれ、両画像データの差分がとられる。ここで、上述のように、保護膜10aが形成されている撮像領域の画像データは暗めの画像となるのに対して、保護膜10aが形成されていない撮像領域の画像データは反射光に基づき明るめの画像となることから、保護膜被覆前の加工面の明るめの画像との差分をとった場合、保護膜10aが形成されていない部分があると、差分の小さな部分が出現することとなる。そこで、判定部776は、演算部775による差分演算により得られた結果に対して、予め設定された所定の閾値を適用し、差分が閾値よりも大きければウエーハ10の加工面全域に亘って保護膜10aが正常に形成されているが、差分が閾値以下となる部分が存在した場合には、加工面上において保護膜10aが被覆されていない部分が存在するものとして判定する。
判定部776で保護膜10aが完全には被覆されていないと判定された場合には、制御部773は、その旨を報知手段78を通じてオペレータに報知させる。この場合の対応としては、例えば、保護膜被覆装置7により当該ウエーハ10に対する保護膜被覆工程を再度実行して保護膜10aを形成し直し、再度、保護膜10aが正常に形成されているか否かを検出するようにしてもよい。この際、保護膜10aを形成し直しても、保護膜10aの形成が不十分だった場合には、保護膜被覆装置7の樹脂液供給ノズル741に液状樹脂が固着していないか否か等の点検・補修作業を行うようにしてもよい。この点検・補修作業は、判定部776からの最初の出力に基づき行うようにしてもよい。さらには、保護膜10aの形成が不十分なウエーハ10を取り除いて、後続の処理を進めるようにしてもよい。いずれにしても、ウエーハ10の加工面全域に保護膜10aが形成されていない状態で、後述するレーザ加工が施されることはない。
上述の保護膜チェック工程において、判定部776によりウエーハ10の加工面全域に保護膜10aが正常に形成されていると判定された場合には、保持テーブル711に保持されているウエーハ10の吸引保持を解除する。そして、ウエーハ10は、第2の搬送手段17の保持手段17aによって吸引保持され、支持手段17bを中心とする旋回動作によりチャックテーブル3上に搬送され、吸引保持される。ウエーハ10を保持したチャックテーブル3は、撮像手段5の直下に位置付けられる。
そこで、撮像手段5および図示しない制御手段によってウエーハ10に所定方向に形成されているストリートと、ストリートに沿ってレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段4との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザ光線照射位置のアライメントが遂行される。また、ウエーハ10に形成されている上述のストリートに直交する方向のストリートに対しても、同様にレーザ光線照射位置のアライメントが遂行される。
以上のようにしてレーザ光線照射位置のアライメントが行われたら、チャックテーブル3をレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段4が位置するレーザ光線照射領域に移動し、所定のストリートをレーザ光線照射手段4の直下に位置付ける。そして、レーザ光線照射手段4からパルスレーザ光線を照射しつつチャックテーブル3、すなわちウエーハ10をX方向に所定の加工送り速度で移動させる。そして、ストリートの他端がレーザ光線照射手段4の直下位置に達したら、パルスレーザ光線の照射を停止するとともにチャックテーブル3、すなわちウエーハ10の移動を停止する。このようなレーザ光線照射工程を実行することにより、ウエーハ10のストリートにはレーザ加工溝が形成される。このとき、レーザ光線の照射によりデブリが発生しても、このデブリは保護膜10aによって遮断され、デバイスおよびボンディングパッド等に付着することはない。このようなレーザ光線照射工程をウエーハ10の全てのストリートに対して実行する。
上述のレーザ光線照射工程をウエーハ10の全てのストリートに沿って実行した後、ウエーハ10を保持しているチャックテーブル3を、最初にウエーハ10を吸引保持した位置に戻し、ここでウエーハ10の吸引保持を解除する。そして、ウエーハ10を有するフレーム11の左右両端を第2の搬送手段17の保持手段17aによって吸引保持し、支持手段17bを中心とする旋回動作によって洗浄手段8に搬送する。そして、洗浄手段8によってウエーハ10を回転させながら洗浄ノズルから洗浄水を供給することで、ウエーハ10の表面に被覆された水溶性の保護膜を洗い流す。このとき、レーザ加工時に発生したデブリも一緒に除去される。
洗浄が完了し、エアーノズルからのエアー供給によりウエーハ10が乾燥したら、洗浄手段8内のウエーハ10を、第1の搬送手段16によって仮置きテーブル15に搬出する。仮置きテーブル15に搬出された加工後のウエーハ10は、ウエーハ搬出入手段14によってカセット13の所定位置に収納される。
なお、加工済みのウエーハ10を洗浄手段8に搬送し、洗浄工程および乾燥工程を実行している間に、ウエーハ搬出入手段14を作動して次に加工する加工前のウエーハ10をカセット13から仮置きテーブル15に搬出し、仮置きテーブル15に搬出されたウエーハ10を第1の搬送手段16によって保護膜被覆装置7に搬送する。そして、保護膜被覆装置7に搬送された次に加工するウエーハ10に対して上述の保護膜被覆工程を同様に実行する。このようにして保護膜被覆工程が実行されたウエーハ10は、第2の搬送手段17によってチャックテーブル3上に搬送され、上述したレーザ光線照射工程が実行される。そして、レーザ光線照射工程が実行されたウエーハ10は、第2の搬送手段17によって洗浄手段8に搬送され、上述した洗浄工程および乾燥工程が実行される。
このように、本実施の形態の保護膜被覆装置7によれば、紫外光領域の波長の光を吸収する成分を含む液状の樹脂により保護膜10aが形成されるウエーハ10の加工面に対して、紫外光の波長領域の光を照射してその反射光の有無を検出し、反射光が検出された場合に保護膜10aが被覆されていない旨を報知させるようにしたので、ウエーハ10の加工面上で保護膜10aが被覆されていない領域や部分があった場合には紫外光の波長領域の反射光が保護膜10aに吸収されずに検出されることで、加工面に保護膜10aが被覆されていない状態を確認でき、この結果を報知させることで、被覆手段74の点検、保護膜10aの被覆し直し等の対処を採ることができ、ウエーハ10の加工面に保護膜10aが被覆されていない状態でのレーザ加工を回避することができる。
本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。本実施の形態では、カメラ772を用いてウエーハ10の加工面(保護膜10a)を撮像しその画像データに基づいて反射光の有無を検出するようにしたが、カメラ772のような撮像手段に限らない。例えば、図6に示すように、カメラ772に代えて紫外線センサ777を用い、保護膜形成工程終了後に、この紫外線センサ777が保護膜10aの形成されていない加工面から反射光される紫外光成分の光の検出を可能とし、この紫外線センサ777が所定光量以上の紫外光成分を検出した場合には、判定部778が反射光有りとして保護膜10aの被覆が不十分であると判定するようにしてもよい。
また、本実施の形態では、ウエーハ10の加工面に対して保護膜チェック機構751側を移動させて撮像走査するようにしたが、保護膜チェック機構751をウエーハ10の半径方向に低速で移動させるとともに、ウエーハ10を電動モータ712により低速回転させることで、相対的にウエーハ10の加工面全域を撮像走査させるようにしてもよい。
また、本実施の形態では、レーザ加工に用いるレーザ光の波長領域が紫外光領域の場合を想定し、紫外光の波長領域の光を吸収する成分を含む保護膜10aを形成する例で説明したが、レーザ加工に用いるレーザ光の波長領域が例えば1000〜3000nm程度の赤外光領域の場合であれば、赤外光の波長領域の光を吸収する成分を含む保護膜10aを形成するようにすればよい。この場合、光照射手段76がウエーハ10に照射する照射光の波長領域を赤外光領域とし、カメラ77や紫外線センサ777に代えて、赤外光の波長領域に感度を有するカメラやセンサを用いるようにすればよい。
また、本実施の形態では、スピンナ方式で保護膜10aを塗布形成する被覆手段74の例で説明したが、特に、保護膜の被覆方式を問うものではなく、他の方式であってもよい。例えば、複数の樹脂液噴射ノズルからなる噴射ヘッドを、保持テーブルに保持されたウエーハの上空を横切るように移動させてウエーハの加工面上に液状樹脂を噴射させて保護膜を形成する方式であってもよい。
また、本実施の形態では、レーザ加工装置1に一体に組み込まれた保護膜被覆装置7の例で説明したが、保護膜被覆装置が単独で設けられている場合であっても同様に適用できる。
本発明の実施の形態の保護膜被覆装置が一体に組み込まれたレーザ加工装置を示す外観斜視図である。 保護膜被覆装置の分解斜視図である。 保持テーブルが搬入・搬出位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す概略縦断正面図である。 保持テーブルが作業位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す概略縦断正面図である。 保護膜チェック手段の構成例を示す概略図である。 保護膜チェック手段の変形例を示す概略図である。
符号の説明
7 保護膜被覆装置
10 ウエーハ
10a 保護膜
74 被覆手段
76 光照射手段
77 検出手段
78 報知手段
711 保持テーブル

Claims (2)

  1. ウエーハの加工面にレーザ光線を照射してレーザ加工を施す前にウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置であって、
    ウエーハを保持する保持テーブルと、
    該保持テーブルに保持されたウエーハの加工面に所定の波長の光を吸収する成分を含む液状の樹脂を前記保護膜として被覆する被覆手段と、
    ウエーハの加工面に所定の波長領域の光を照射する光照射手段と、
    該光照射手段で照明されたウエーハの加工面からの所定の波長の反射光の有無を検出する検出手段と、
    該検出手段により前記反射光が検出された場合に前記保護膜が被覆されていない旨を報知する報知手段と、
    を備えることを特徴とする保護膜被覆装置。
  2. 前記所定の波長領域は、紫外光の波長領域、または赤外光の波長領域であることを特徴とする請求項1に記載の保護膜被覆装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010089982A1 (ja) 2009-02-03 2010-08-12 日本曹達株式会社 リライタブル記録材料
JP2013022608A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Disco Corp レーザ加工装置
JP2014215068A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社ディスコ 保護膜検出装置
JP2015065386A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社ディスコ 保護膜検出装置
KR20160051595A (ko) * 2014-10-30 2016-05-11 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
JP2016169971A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社ディスコ 保護膜検出方法
CN106024602A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2021028622A (ja) * 2019-08-13 2021-02-25 東京電力ホールディングス株式会社 ケーブルの診断装置及び診断方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5591560B2 (ja) * 2010-03-02 2014-09-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5902529B2 (ja) * 2012-03-28 2016-04-13 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
JP6918418B2 (ja) * 2017-09-08 2021-08-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7013084B2 (ja) * 2017-09-08 2022-01-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7013085B2 (ja) * 2017-09-08 2022-01-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7118522B2 (ja) * 2017-09-19 2022-08-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7118521B2 (ja) * 2017-09-19 2022-08-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261340A (ja) * 1985-09-11 1987-03-18 Fuji Electric Co Ltd ウエハの要位置合せ角検出装置
JPH06302689A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエーハのダイシング方法
JPH1116810A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006073828A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2006122982A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2006156804A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Canon Machinery Inc ウェーハリング移送システム

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261340A (ja) * 1985-09-11 1987-03-18 Fuji Electric Co Ltd ウエハの要位置合せ角検出装置
JPH06302689A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエーハのダイシング方法
JPH1116810A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
JP2004322168A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006073828A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2006122982A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2006156804A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Canon Machinery Inc ウェーハリング移送システム

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010089982A1 (ja) 2009-02-03 2010-08-12 日本曹達株式会社 リライタブル記録材料
JP2013022608A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Disco Corp レーザ加工装置
JP2014215068A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社ディスコ 保護膜検出装置
JP2015065386A (ja) * 2013-09-26 2015-04-09 株式会社ディスコ 保護膜検出装置
KR20160051595A (ko) * 2014-10-30 2016-05-11 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
KR102340012B1 (ko) * 2014-10-30 2021-12-16 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
JP2016169971A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社ディスコ 保護膜検出方法
CN106024602A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2016187004A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021028622A (ja) * 2019-08-13 2021-02-25 東京電力ホールディングス株式会社 ケーブルの診断装置及び診断方法

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