CN106024602A - 晶片的加工方法 - Google Patents

晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106024602A
CN106024602A CN201610139919.8A CN201610139919A CN106024602A CN 106024602 A CN106024602 A CN 106024602A CN 201610139919 A CN201610139919 A CN 201610139919A CN 106024602 A CN106024602 A CN 106024602A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
rib
protecting film
equivalent
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610139919.8A
Other languages
English (en)
Inventor
铃木克彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN106024602A publication Critical patent/CN106024602A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

提供将晶片加工得较薄时使用的经济性优良的晶片的加工方法。晶片(11)在正面(11a)侧具有形成有多个器件(19)的器件区域(13)和包围器件区域的外周剩余区域(15)，该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片加工工序，从背面(11b)侧使晶片的相当于器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部(23)，并且维持晶片的相当于外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部(25)；保护膜覆盖工序，仅对晶片的正面侧的相当于薄化部与加强部的边界的区域覆盖保护膜(29)；加工槽形成工序，从晶片的正面侧对覆盖有保护膜的区域照射激光光线(L)而在晶片上形成加工槽；以及加强部去除工序，将加强部从晶片去除。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及在将晶片加工得较薄时所使用的晶片的加工方法。
背景技术
近年，为了实现小型轻量的器件芯片而追求将由硅等材料制成的晶片加工得较薄。例如，作为晶片，在正面的被分割预定线(间隔道)划分的各区域内形成IC等器件之后，对背面侧进行磨削以达到期望的厚度。
但是，当使晶片变薄到100μm以下的厚度时，刚性会大幅地降低而使后续工序中的操作变难。因此，提出了如下的加工方法：通过仅对晶片的形成有器件的中央部分进行磨削而维持外周部分的厚度，从而在磨削后的晶片中保留规定的刚性(例如，参照专利文献1)。
例如，在该加工方法中，使用直径比晶片小的磨削磨轮来对晶片的背面侧进行磨削，使中央部分变薄。晶片的刚性通过维持了厚度的外周部分(环状的加强部)得以保持。另外，对于该外周部分，在这之后通过对其与中央部分的边界照射激光光线来将其分离(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开第2007-19461号公报
专利文献2：日本特开第2008-53341号公报
但是，在照射激光光线而将晶片的外周部分分离时，在晶片上覆盖有保护膜以便因激光光线的照射而产生的碎屑(溶融物等)不会附着在晶片上。通常，该保护膜通过旋涂等技术形成于晶片的正面或者背面的整体上。
发明内容
但是，在这样的加工方法中仍存在不经济的点。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种在将晶片加工得较薄时所使用的经济性优良的晶片的加工方法。
根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域以及包围该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：晶片加工工序，从背面侧使晶片的相当于该器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部，并且维持晶片的相当于该外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部；保护膜覆盖工序，仅对晶片的正面侧的相当于该薄化部与该加强部的边界的区域覆盖保护膜；加工槽形成工序，从晶片的正面侧对覆盖有该保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽；以及加强部去除工序，将该加强部从晶片去除。
并且，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域以及包围该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：晶片加工工序，从背面侧使晶片的相当于该器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部，并且维持晶片的相当于该外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部；保护膜覆盖工序，仅对晶片的背面侧的相当于该薄化部与该加强部的边界的区域覆盖保护膜；加工槽形成工序，从晶片的背面侧对覆盖有该保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽；以及加强部去除工序，将该加强部从晶片去除。
在本发明中，优选在所述保护膜覆盖工序中使用喷射构件来喷射粒子状的液状树脂从而覆盖所述保护膜。
并且在本发明中，优选所述保护膜形成为宽度比因所述激光光线的照射而产生的碎屑所飞散的距离大的环状。
在本发明的晶片的加工方法中，由于仅对晶片的相当于薄化部与环状的加强部的边界的区域覆盖保护膜，所以与对晶片的整体覆盖保护膜的情况相比，不会浪费所形成的保护膜。这样，根据本发明能够提供经济性优良的晶片的加工方法。
附图说明
图1的(A)是示意性地示出晶片的立体图，图1的(B)是示意性地示出加工准备工序的立体图，图1的(C)是示意性地示出加工准备工序的剖视图。
图2的(A)示意性地示出晶片加工工序的立体图，图2的(B)是示意性地示出晶片加工工序之后的晶片等的剖视图。
图3的(A)是示意性地示出转贴工序的剖视图，图3的(B)是示意性地示出保护膜覆盖工序的局部剖视侧视图，图3的(C)是示意性地示出加工槽形成工序的局部剖视侧视图。
图4是示意性地示出加强部去除工序的立体图。
图5的(A)是示意性地示出变形例的保护膜覆盖工序的局部剖视侧视图，图5的(B)是示意性地示出变形例的加工槽形成工序的局部剖视侧视图。
标号说明
11：晶片；11a：正面；11b：背面；13：器件区域；15：外周剩余区域；17：分割预定线(间隔道)；19：器件；21：保护部件；21a：正面；21b：背面；23：薄化部；25：加强部；27：液状树脂；29：保护膜；31：划片带；33：框架；L：激光光线；2：磨削装置；4：保持工作台；6：磨削单元；8：主轴外壳；10：主轴；12：磨削磨轮；12a：轮基台；12b：磨削磨具；22：保护膜覆盖装置；24：保持工作台；24a：凹部；24b：流路；26：保持板；26a：保持面；28：夹具；30：喷射喷嘴(喷射构件)；32：激光加工装置；34：保持工作台；34a：凹部；34b：流路；36：保持板；36a：保持面；38：夹具；40：激光加工单元；42：保护膜覆盖装置；44：保持工作台；46：喷射喷嘴(喷射构件)；52：激光加工装置；54：保持工作台；56：激光加工单元。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含：晶片加工工序(参照图2的(A)和图2的(B))、保护膜覆盖工序(参照图3的(B))、加工槽形成工序(参照图3的(C))以及加强部去除工序(参照图4)。
在晶片加工工序中，从背面侧对晶片的相当于器件区域的部分进行磨削而形成圆形的薄化部，并且维持晶片的相当于外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部。在保护膜覆盖工序中，仅对晶片的正面侧的相当于薄化部与加强部的边界的区域覆盖保护膜。
在加工槽形成工序中，从晶片的正面侧对覆盖有保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽。在加强部去除工序中，将加强部从晶片分离并去除。以下，对本实施方式的晶片的加工方法进行详述。
图1的(A)是示意性地示出在本实施方式中所加工的晶片的立体图。如图1的(A)所示，晶片11是由例如硅、蓝宝石等材料制成的圆形的板状物，正面11a被划分成中央的器件区域13以及包围器件区域13的外周剩余区域15。
器件区域13被呈格子状排列的分割预定线(间隔道)17进一步划分成多个区域，在各区域中形成有IC、LED等器件19。另外，晶片11的外周部11c被倒角加工。
在本实施方式的晶片的加工方法中，首先实施在晶片11的正面11a侧固定保护部件的加工准备工序。图1的(B)是示意性地示出加工准备工序的立体图，图1的(C)是示意性地示出加工准备工序的剖视图。
如图1的(B)和图1的(C)所示，例如，固定于晶片11的保护部件21是与晶片11大致相同形状的粘合带、树脂基板、与晶片11同种或者异种的晶片等。在晶片11的正面11a侧粘接该保护部件21的正面21a侧。
在实施了加工准备工序之后，实施对晶片11的背面11b侧进行磨削而形成圆形的薄化部和环状的加强部的晶片加工工序。图2的(A)是示意性地示出晶片加工工序的立体图，图2的(B)是示意性地示出晶片加工工序之后的晶片11等的剖视图。
例如，在图2的(A)所示的磨削装置2中实施晶片加工工序。磨削装置2具有保持晶片11的保持工作台4。卡盘工作台4与电动机等旋转机构(未图示)连结，绕与铅直方向大体平行的旋转轴旋转。并且，在保持工作台4的下方设置有移动机构(未图示)，保持工作台4通过该移动机构在水平方向上移动。
保持工作台4的上表面为保持晶片11的保持面。通过形成于保持工作台4的内部的流路(未图示)等对该保持面作用吸引源(未图示)的负压，在该保持面上产生用于吸引晶片11的吸引力。
在保持工作台4的上方配置有磨削单元6。磨削单元6具有被升降机构(未图示)支承的主轴外壳8。在主轴外壳8的内部收纳有与电动机等旋转机构(未图示)连结的主轴10。
主轴10借助从旋转机构传递的旋转力来绕与铅直方向大体平行的旋转轴旋转，并通过升降机构来与主轴外壳8共同升降。并且，主轴10的下端部露出至主轴外壳8的外部。
在该主轴10的下端部安装有直径比晶片11小的磨削磨轮12。磨削磨轮12具有由铝、不锈钢等金属材料形成的轮基台12a。在轮基台12a的下表面上呈环状地排列有多个磨削磨具12b。
在晶片加工工序中，首先，使固定在晶片11上的保护部件21的背面21b与保持工作台4的保持面接触，并使吸引源的负压作用于保持工作台4的保持面。由此，晶片11以背面11b侧朝向上方露出的状态被保持在保持工作台4上。
接着，使保持工作台4移动并将磨削磨具12b的外侧的缘定位在相当于器件区域13与外周剩余区域15的边界的区域。在该状态下，分别使保持工作台4和磨削磨轮12旋转，并使主轴10下降。主轴10的下降量为磨削磨具12b的下表面按压于晶片11的背面11b侧的程度。
由此，从背面11b侧对晶片11的相当于器件区域13的部分进行磨削而形成圆形的薄化部23，并且能够维持晶片11的相当于外周剩余区域15的部分的厚度而形成环状的加强部25。例如，当晶片11的相当于器件区域13的部分被薄化至最终厚度时，结束该磨削步骤。
在实施了晶片加工工序之后，实施如下的转贴工序：对晶片11的背面11b侧粘接划片带，并且去除固定于晶片11的正面11a侧的保护部件21。图3的(A)是示意性地示出转贴工序的剖视图。
如图3的(A)所示，在转贴工序中，在晶片11的背面11b侧粘合直径比晶片11大的划片带31，并在该划片带31的外周部分固定环状的框架33。由此，晶片11经由划片带31被环状的框架33支承。
并且，将固定于晶片11的正面11a侧的保护部件21剥离，而使晶片11a的正面11a露出。另外，在该转贴工序中，既可以在划片带31粘接于晶片11之前去除保护部件21，也可以在划片带31粘接于晶片11之后去除保护部件21。
在实施了转贴工序之后，实施如下的保护膜覆盖工序：仅对晶片11的正面11a侧的相当于薄化部23与加强部25的边界的区域覆盖保护膜。图3的(B)是示意性地示出保护膜覆盖工序的局部剖视侧视图。例如在图3的(B)所示的保护膜覆盖装置22中实施保护膜覆盖工序。
保护膜覆盖装置22具有保持晶片11的保持工作台24。卡盘工作台24与电动机等旋转机构(未图示)连结，绕与铅直方向大体平行的旋转轴旋转。并且，在保持工作台24的下方设置有移动机构(未图示)，保持工作台24通过该移动机构而在水平方向上移动。
在保持工作台24的上表面形成有圆形的凹部24a，在该凹部24a中嵌合有与凹部24a的形状相符的保持板26。例如，保持板26由多孔质材料形成，其上表面为保持晶片11的保持面26a。
凹部24a通过形成于保持工作台24的内部的流路24b等而与吸引源(未图示)连接。通过对保持板26作用吸引源的负压，从而在保持面26a上产生用于吸引晶片11的吸引力。
在保持工作台24的周围设置有用于固定环状的框架33的夹具28。并且，在保持工作台24的上方配置有能够喷射微细的粒子状的液状树脂27的微型点式分配器(micro dot dispenser)等的喷射喷嘴(喷射构件)30。
在保护膜覆盖工序中，首先，使粘接于晶片11的划片带31与保持工作台24的保持面26a接触，并通过夹具28来固定环状的框架33。在该状态下使吸引源的负压作用于保持面26a，由此，晶片11以正面11a侧朝向上方露出的状态被保持在保持工作台24上。
接着，使保持工作台24移动，将喷射喷嘴30定位在相当于薄化部23与加强部25的边界的区域。并且，使保持工作台24旋转同时从喷射喷嘴30对晶片11喷射粒子状的液状树脂27。由此，能够仅对晶片11的正面11a侧的相当于薄化部23与加强部25的边界的区域覆盖保护膜29。
例如可以使用容易被水冲洗掉的水溶性的树脂来作为液状树脂27。并且，优选保护膜29形成为宽度比之后的加工槽形成工序中产生的碎屑(溶融物等)所飞散的距离大的环状。由此，能够可靠地防止由于激光光线的照射而产生的碎屑附着在晶片11上。
另外，如果按照通常的照射条件来照射激光光线，则保护膜29的宽度为1mm～3mm左右即可。并且，保护膜29形成为至少能够防止碎屑附着在薄化部23上即可。例如，保护膜29也可以形成在比薄化部23和加强部25的边界偏向薄化部23侧的位置。
在实施了保护膜覆盖工序之后，实施从晶片11的正面11a侧对覆盖有保护膜29的区域照射激光光线而在晶片11上形成加工槽的加工槽形成工序。图3的(C)是示意性地示出加工槽形成工序的局部剖视侧视图。例如，在图3的(C)所示的激光加工装置32中实施加工槽形成工序。
激光加工装置32具有保持晶片11的保持工作台34。卡盘工作台34与电动机等旋转机构(未图示)连结，绕与铅直方向大体平行的旋转轴旋转。并且，在保持工作台34的下方设置有移动机构(未图示)，保持工作台34通过该移动机构在水平方向上移动。
在保持工作台34的上表面形成有圆形的凹部34a，在该凹部34a中嵌合有与凹部34a的形状相符的保持板36。例如，保持板36由多孔质材料形成，其上表面为保持晶片11的保持面36a。
凹部34a通过形成于保持工作台34的内部的流路34b等而与吸引源(未图示)连接。通过对保持板36作用吸引源的负压，在保持面36a上产生用于吸引晶片11的吸引力。
在保持工作台34的周围设置有用于固定环状的框架33的夹具38。并且，在保持工作台34的上方配置有激光加工单元40。
激光加工单元40对由激光振荡器(未图示)脉冲振荡出的激光光线L进行会聚，而对保持工作台34上的晶片11进行照射。激光振荡器构成为：能够振荡出容易被晶片11吸收的波长(具有吸收性的波长)的激光光线L。
在加工槽形成工序中，首先，使粘接于晶片11的划片带31与保持工作台34的保持面36a接触，并通过夹具38来固定环状的框架33。在该状态下使吸引源的负压作用于保持面36a，由此，晶片11以正面11a侧朝向上方露出的状态被保持在保持工作台34上。
接着，使保持工作台34移动，将激光加工单元40定位在相当于薄化部23与加强部25的边界的区域。并且，使保持工作台34旋转同时从激光加工单元40朝向晶片11的正面11a照射激光光线L。
由此，能够对覆盖有保护膜29的相当于薄化部23与加强部25的边界的区域照射激光光线L而在晶片11上形成加工槽。另外，优选该加工槽形成为将薄化部23与加强部25断开的深度，但是如果之后能够适当地去除加强部，则也可以形成为不将薄化部23与加强部25断开的深度。
在实施了加工槽形成工序之后，实施从晶片11中去除加强部25的加强部去除工序。图4是示意性地示出加强部去除工序的立体图。如图4所示，由于在相当于薄化部23与加强部25的边界的区域内形成有加工槽，所以能够将加强部25从晶片11(薄化部23)去除。另外，在图4中省略了粘接于晶片11(薄化部23)的划片带31等。
如上所述，在本实施方式的晶片的加工方法中，由于仅对晶片11的相当于薄化部23与环状的加强部25的边界的区域覆盖保护膜29，所以与对晶片的整体覆盖保护膜的情况相比，不会浪费所形成的保护膜。
并且，在本实施方式的晶片的加工方法中，没有使用如旋涂那样的浪费了大部分(例如，大约9成)原料的的方法，而是使用通过喷射喷嘴(喷射构件)30来喷射微细的粒子状的液状树脂27的方法，因此能够大幅地抑制在形成保护膜29时的原料的消耗。这样，本实施方式的晶片的加工方法与以往的加工方法相比经济性更优良。
另外，本发明不限于上述实施方式的描述，能够实施各种变更。例如，在上述实施方式中，在晶片11的正面11a侧形成保护膜29并从正面11a侧照射激光光线L，但是也可以在晶片11的背面11b侧形成保护膜29并从背面11b侧照射激光光线L。
图5的(A)是示意性地示出变形例的保护膜覆盖工序的局部剖视侧视图，图5的(B)是示意性地示出变形例的加工槽形成工序的局部剖视侧视图。在实施了与上述实施方式同样的加工准备工序和晶片加工工序之后，不实施转贴工序而实施保护膜覆盖工序。
例如，在图5的(A)所示的保护膜覆盖装置42中实施变形例的保护膜覆盖工序。保护膜覆盖装置42具有保持晶片11的保持工作台44。例如，保持工作台44采用了与上述的保持工作台24同样的构成。在保持工作台44的上方配置有能够喷射微细的粒子状的液状树脂27的微型点式分配器等的喷射喷嘴(喷射构件)46。
在变形例的保护膜覆盖工序中，首先，使固定于晶片11的保护部件21的背面21b与保持工作台44的保持面接触，并使吸引源的负压作用于保持工作台44的保持面。由此，晶片11以背面11b侧朝向上方露出的状态被保持于保持工作台44上。
接着，使保持工作台44移动，将喷射喷嘴46定位在相当于薄化部23与加强部25的边界的区域。另外，在该变形例的保护膜覆盖工序中，也可以将喷射喷嘴46定位在比薄化部23与加强部25的边界的正上方稍微靠内侧的位置。
并且，使保持工作台44旋转同时从喷射喷嘴46向晶片11喷射粒子状的液状树脂27。由此，能够仅对相当于薄化部23与加强部25的边界的晶片11的背面11b侧的区域覆盖保护膜29。
在实施了保护膜覆盖工序之后，实施加工槽形成工序。例如，在图5的(B)所示的激光加工装置52中实施加工槽形成工序。激光加工装置52具有保持晶片11的保持工作台54。例如，保持工作台54采用了与上述的保持工作台34同样的构成。
在保持工作台54的上方配置有激光加工单元56。激光加工单元56对由激光振荡器(未图示)脉冲振荡出的激光光线L进行会聚，而对保持工作台54上的晶片11进行照射。激光振荡器构成为：能够振荡出容易被晶片11吸收的波长(具有吸收性的波长)的激光光线L。
在加工槽形成工序中，首先，使固定于晶片11的保护部件21的背面21b与保持工作台54的保持面接触，并使吸引源的负压作用于保持工作台54的保持面。由此，晶片11以背面11b侧朝向上方露出的状态被保持于保持工作台54上。
接着，使保持工作台54移动，将激光加工单元56定位在相当于薄化部23与加强部25的边界的区域。并且，使保持工作台54旋转同时从激光加工单元56朝向晶片11的背面11b照射激光光线L。
由此，能够对相当于覆盖有保护膜29的薄化部23与加强部25的边界的区域照射激光光线L而在晶片11上形成加工槽。在实施了加工槽形成工序之后，实施与上述实施方式同样的加强部去除工序即可。
另外，上述实施方式和变形例的构造、方法等在不脱离本发明的目的的范围内能够实施适当变更。

Claims (4)

1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域以及包围该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：
晶片加工工序，从背面侧使晶片的相当于该器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部，并且维持晶片的相当于该外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部；
保护膜覆盖工序，仅对晶片的正面侧的相当于该薄化部与该加强部的边界的区域覆盖保护膜；
加工槽形成工序，从晶片的正面侧对覆盖有该保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽；以及
加强部去除工序，将该加强部从晶片去除。
2.一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域以及包围该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：
晶片加工工序，从背面侧使晶片的相当于该器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部，并且维持晶片的相当于该外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部；
保护膜覆盖工序，仅对晶片的背面侧的相当于该薄化部与该加强部的边界的区域覆盖保护膜；
加工槽形成工序，从晶片的背面侧对覆盖有该保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽；以及
加强部去除工序，将该加强部从晶片去除。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在所述保护膜覆盖工序中，使用喷射构件来喷射粒子状的液状树脂从而覆盖所述保护膜。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，
所述保护膜形成为宽度比因所述激光光线的照射而产生的碎屑所飞散的距离大的环状。
CN201610139919.8A 2015-03-27 2016-03-11 晶片的加工方法 Pending CN106024602A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-066741 2015-03-27
JP2015066741A JP2016187004A (ja) 2015-03-27 2015-03-27 ウェーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106024602A true CN106024602A (zh) 2016-10-12

Family

ID=56889791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610139919.8A Pending CN106024602A (zh) 2015-03-27 2016-03-11 晶片的加工方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2016187004A (zh)
KR (1) KR20160115728A (zh)
CN (1) CN106024602A (zh)
DE (1) DE102016204523A1 (zh)
TW (1) TW201705251A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024039868A1 (en) * 2022-08-19 2024-02-22 Lumileds Llc Open-ended holder device for removing sapphire substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117321734A (zh) * 2021-05-21 2023-12-29 罗姆股份有限公司 半导体晶片的加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101131921A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2009158763A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
JP2010073897A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
CN101740419A (zh) * 2008-11-25 2010-06-16 株式会社迪思科 保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置
JP2013081947A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp 半導体基板のアブレーション加工方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20080242052A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Tao Feng Method of forming ultra thin chips of power devices
JP5296386B2 (ja) * 2008-01-11 2013-09-25 株式会社ディスコ 積層デバイスの製造方法
JP2010022990A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜形成装置およびレーザー加工機
JP5851768B2 (ja) * 2011-08-30 2016-02-03 株式会社ディスコ 保護膜形成装置およびレーザー加工機

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101131921A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2009158763A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
JP2010073897A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
CN101740419A (zh) * 2008-11-25 2010-06-16 株式会社迪思科 保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置
JP2013081947A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp 半導体基板のアブレーション加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024039868A1 (en) * 2022-08-19 2024-02-22 Lumileds Llc Open-ended holder device for removing sapphire substrate

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016204523A1 (de) 2016-09-29
KR20160115728A (ko) 2016-10-06
JP2016187004A (ja) 2016-10-27
TW201705251A (zh) 2017-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105304561A (zh) 晶片的加工方法
US9685377B2 (en) Wafer processing method
KR102277933B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
US7348275B2 (en) Processing method for semiconductor wafer
US9362174B2 (en) Device wafer processing method
CN102237452B (zh) 光器件晶片的加工方法和激光加工装置
US9627242B2 (en) Wafer processing method
CN106992150A (zh) 晶片的加工方法
CN105261560A (zh) 晶片的加工方法
CN104690429B (zh) 光器件晶片的加工方法
TWI757277B (zh) 晶圓的加工方法
US20120064696A1 (en) Wafer machining method
CN106252198A (zh) 晶片的加工方法
US10115578B2 (en) Wafer and method of processing wafer
JP2017191825A (ja) ウエーハの加工方法
CN101859851A (zh) 晶片的加工方法
CN106024602A (zh) 晶片的加工方法
CN105720008A (zh) 晶片的加工方法
JP5961047B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6621338B2 (ja) 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法
US9627241B2 (en) Resin sheet attaching method
JP2018207010A (ja) デバイスチップの製造方法
JP2018014451A (ja) ウェーハの加工方法
CN106298651A (zh) 晶片的加工方法
JP2015149386A (ja) ウェーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20161012

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication