KR20160115728A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20160115728A
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 웨이퍼를 얇게 가공할 때에 사용되는 경제적으로 우수한 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 복수의 디바이스 (19) 가 형성된 디바이스 영역 (13) 과 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역 (15) 을 표면 (11a) 측에 갖는 웨이퍼 (11) 의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면 (11b) 측으로부터 얇게 하여 원형의 박화부 (23) 를 형성함과 함께, 웨이퍼의 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부 (25) 를 형성하는 웨이퍼 가공 공정과, 박화부와 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 표면측의 영역에만 보호막 (29) 을 피복하는 보호막 피복 공정과, 웨이퍼의 표면측으로부터 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선 (L) 을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정과, 웨이퍼로부터 보강부를 제거하는 보강부 제거 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD OF MACHINING WAFER}
본 발명은, 웨이퍼를 얇게 가공할 때에 사용되는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
최근, 소형 경량인 디바이스 칩을 실현하기 위해서, 실리콘 등의 재료로 이루어지는 웨이퍼를 얇게 가공할 것이 요구되고 있다. 웨이퍼는, 예를 들어 표면의 분할 예정 라인 (스트리트) 에 의해 구획되는 각 영역에 IC 등의 디바이스가 형성된 후, 원하는 두께가 되도록 이면측을 연삭한다.
그런데, 웨이퍼를 100 ㎛ 이하의 두께까지 얇게 하면, 강성은 대폭 저하되어 후공정에서의 취급이 어려워진다. 그 때문에, 디바이스가 형성된 웨이퍼의 중앙 부분만을 연삭하여 외주 부분의 두께를 유지함으로써, 연삭 후의 웨이퍼에 소정의 강성을 남기는 가공 방법이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).
이 가공 방법에서는, 예를 들어 웨이퍼보다 소직경의 연삭 휠을 사용하여 웨이퍼의 이면측을 연삭하여, 중앙 부분을 얇게 한다. 웨이퍼의 강성은, 두께가 유지된 외주 부분 (환상의 보강부) 에 의해 유지된다. 또한, 이 외주 부분은, 이후에 중앙 부분과의 경계에 레이저 광선을 조사함으로써 분리된다 (예를 들어 특허문헌 2 참조).
일본 공개특허공보 2007-19461호 일본 공개특허공보 2008-53341호
그런데, 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼의 외주 부분을 분리할 때에는 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 데브리 (용융물 등) 가 웨이퍼에 부착되지 않도록, 웨이퍼에 보호막을 피복하고 있다. 이 보호막은, 통상적으로 스핀 코트 등의 기술로 웨이퍼의 표면 또는 이면의 전체에 형성된다.
그러나, 이와 같은 가공 방법에는 아직 경제적이지 않은 점이 있다. 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 웨이퍼를 얇게 가공할 때에 사용되는 경제적으로 우수한 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면측에 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 그 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면측으로부터 얇게 하여 원형의 박화부를 형성함과 함께, 웨이퍼의 그 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부를 형성하는 웨이퍼 가공 공정과, 그 박화부와 그 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 표면측의 영역에만 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정과, 웨이퍼의 표면측으로부터 그 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정과, 웨이퍼로부터 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
또, 본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면측에 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 그 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면측으로부터 얇게 하여 원형의 박화부를 형성함과 함께, 웨이퍼의 그 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부를 형성하는 웨이퍼 가공 공정과, 그 박화부와 그 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 이면측의 영역에만 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정과, 웨이퍼의 이면측으로부터 그 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정과, 웨이퍼로부터 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 보호막 피복 공정에서는, 입자상의 액상 수지를 분사 수단으로 분사함으로써 상기 보호막을 피복하는 것이 바람직하다.
또 본 발명에 있어서, 상기 보호막은, 상기 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 데브리가 비산되는 거리보다 폭이 넓은 링상으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서는, 웨이퍼의 박화부와 환상의 보강부의 경계에 상당하는 영역에만 보호막을 피복하므로, 웨이퍼의 전체에 보호막을 피복하는 경우와 비교하여, 형성되는 보호막에 낭비가 없다. 이와 같이, 본 발명에 의하면, 경제적으로 우수한 웨이퍼의 가공 방법을 제공할 수 있다.
도 1(A) 는, 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 1(B) 는, 가공 준비 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 1(C) 는, 가공 준비 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2(A) 는, 웨이퍼 가공 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 2(B) 는, 웨이퍼 가공 공정 후의 웨이퍼 등을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3(A) 는, 재첩착 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 3(B) 는, 보호막 피복 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이고, 도 3(C) 는, 가공홈 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 4 는, 보강부 제거 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5(A) 는, 변형예에 관련된 보호막 피복 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이고, 도 5(B) 는, 변형예에 관련된 가공홈 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼 가공 공정 (도 2(A) 및 도 2(B) 참조), 보호막 피복 공정 (도 3(B) 참조), 가공홈 형성 공정 (도 3(C) 참조) 및 보강부 제거 공정 (도 4 참조) 을 포함한다.
웨이퍼 가공 공정에서는, 웨이퍼의 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면측으로부터 연삭하여 원형의 박화부를 형성함과 함께, 웨이퍼의 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부를 형성한다. 보호막 피복 공정에서는, 박화부와 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 표면측의 영역에만 보호막을 피복한다.
가공홈 형성 공정에서는, 웨이퍼의 표면측으로부터 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성한다. 보강부 제거 공정에서는, 웨이퍼로부터 보강부를 분리하여 제거한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 상세히 서술한다.
도 1(A) 는, 본 실시형태에서 가공되는 웨이퍼를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (11) 는, 예를 들어 실리콘, 사파이어 등의 재료로 이루어지는 원형의 판상물이고, 표면 (11a) 은, 중앙의 디바이스 영역 (13) 과, 디바이스 영역 (13) 을 둘러싸는 외주 잉여 영역 (15) 으로 나눌 수 있다.
디바이스 영역 (13) 은, 격자상으로 배열된 분할 예정 라인 (스트리트) (17) 에 의해 추가로 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 IC, LED 등의 디바이스 (19) 가 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼 (11) 의 외주부 (11c) 는, 모따기 가공되어 있다.
본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서는, 먼저, 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에 보호 부재를 고정시키는 가공 준비 공정을 실시한다. 도 1(B) 는, 가공 준비 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 1(C) 는, 가공 준비 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1(B) 및 도 1(C) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (11) 에 고정되는 보호 부재 (21) 는, 예를 들어 웨이퍼 (11) 와 대체로 동형의 점착 테이프, 수지 기판, 웨이퍼 (11) 와 동종 또는 이종의 웨이퍼 등이다. 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에는 이 보호 부재 (21) 의 표면 (21a) 측이 첩착된다.
가공 준비 공정을 실시한 후에는 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측을 연삭하여 원형의 박화부와 환상의 보강부를 형성하는 웨이퍼 가공 공정을 실시한다. 도 2(A) 는, 웨이퍼 가공 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이고, 도 2(B) 는, 웨이퍼 가공 공정 후의 웨이퍼 (11) 등을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
웨이퍼 가공 공정은, 예를 들어 도 2(A) 에 나타내는 연삭 장치 (2) 로 실시된다. 연삭 장치 (2) 는, 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (4) 은, 모터 등의 회전 기구 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향으로 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 유지 테이블 (4) 의 하방에는 이동 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 유지 테이블 (4) 은 이 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
유지 테이블 (4) 의 상면은 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지면으로 되어 있다. 이 유지면에는 유지 테이블 (4) 의 내부에 형성된 유로 (도시 생략) 등을 통하여 흡인원 (도시 생략) 의 부압이 작용하여, 웨이퍼 (11) 를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
유지 테이블 (4) 의 상방에는 연삭 유닛 (6) 이 배치되어 있다. 연삭 유닛 (6) 은, 승강 기구 (도시 생략) 에 지지된 스핀들 하우징 (8) 을 구비하고 있다. 스핀들 하우징 (8) 의 내부에는 모터 등의 회전 기구 (도시 생략) 에 연결된 스핀들 (10) 이 수용되어 있다.
스핀들 (10) 은, 회전 기구로부터 전달되는 회전력에 의해 연직 방향으로 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전하고, 승강 기구에 의해 스핀들 하우징 (8) 과 함께 승강한다. 또, 스핀들 (10) 의 하단부는, 스핀들 하우징 (8) 의 외부에 노출되어 있다.
이 스핀들 (10) 의 하단부에는 웨이퍼 (11) 보다 소직경의 연삭 휠 (12) 이 장착되어 있다. 연삭 휠 (12) 은, 알루미늄, 스테인리스 등의 금속 재료로 형성된 휠 기대 (12a) 를 구비하고 있다. 휠 기대 (12a) 의 하면에는 복수의 연삭 지석 (12b) 이 환상으로 배열되어 있다.
웨이퍼 가공 공정에서는, 먼저, 웨이퍼 (11) 에 고정된 보호 부재 (21) 의 이면 (21b) 을 유지 테이블 (4) 의 유지면에 접촉시키고, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 웨이퍼 (11) 는, 이면 (11b) 측이 상방으로 노출된 상태로 유지 테이블 (4) 에 유지된다.
다음으로, 유지 테이블 (4) 을 이동시키고, 디바이스 영역 (13) 과 외주 잉여 영역 (15) 의 경계에 상당하는 영역에 연삭 지석 (12b) 의 외측의 가장자리를 위치 맞춤한다. 이 상태에서, 유지 테이블 (4) 과 연삭 휠 (12) 을 각각 회전시켜, 스핀들 (10) 을 하강시킨다. 스핀들 (10) 의 하강량은, 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측에 연삭 지석 (12b) 의 하면이 가압되는 정도로 한다.
이로써, 웨이퍼 (11) 의 디바이스 영역 (13) 에 상당하는 부분을 이면 (11b) 측으로부터 연삭하여 원형의 박화부 (23) 를 형성함과 함께, 웨이퍼 (11) 의 외주 잉여 영역 (15) 에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부 (25) 를 형성할 수 있다. 예를 들어 웨이퍼 (11) 의 디바이스 영역 (13) 에 상당하는 부분이 마무리 두께까지 박화되면, 이 연삭 스텝은 종료된다.
웨이퍼 가공 공정을 실시한 후에는 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측에 다이싱 테이프를 첩착함과 함께, 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에 고정된 보호 부재 (21) 를 제거하는 재첩착 (貼替) 공정을 실시한다. 도 3(A) 는, 재첩착 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 제첩착 공정에서는, 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측에 웨이퍼 (11) 보다 대직경의 다이싱 테이프 (31) 를 첩착하고, 이 다이싱 테이프 (31) 의 외주 부분에 환상의 프레임 (33) 을 고정시킨다. 이로써, 웨이퍼 (11) 는, 다이싱 테이프 (31) 를 통하여 환상의 프레임 (33) 에 지지된다.
또, 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에 고정된 보호 부재 (21) 를 박리하고, 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 을 노출시킨다. 또한, 이 제첩착 공정에서는, 다이싱 테이프 (31) 를 웨이퍼 (11) 에 첩착하기 전에 보호 부재 (21) 를 제거해도 되고, 다이싱 테이프 (31) 를 웨이퍼 (11) 에 첩착한 후에 보호 부재 (21) 를 제거해도 된다.
재첩착 공정을 실시한 후에는 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측의 영역에만 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정을 실시한다. 도 3(B) 는, 보호막 피복 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 보호막 피복 공정은, 예를 들어 도 3(B) 에 나타내는 보호막 피복 장치 (22) 에 의해 실시된다.
보호막 피복 장치 (22) 는, 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (24) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (24) 은, 모터 등의 회전 기구 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향으로 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 유지 테이블 (24) 의 하방에는 이동 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 유지 테이블 (24) 은 이 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
유지 테이블 (24) 의 상면에는 원형의 오목부 (24a) 가 형성되어 있고, 이 오목부 (24a) 에는 오목부 (24a) 의 형상에 합치하는 유지판 (26) 이 끼워 맞춰져 있다. 유지판 (26) 은, 예를 들어 다공질 재료에 의해 형성되어 있고, 그 상면은 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지면 (26a) 이 된다.
오목부 (24a) 는 유지 테이블 (24) 의 내부에 형성된 유로 (24b) 등을 통하여 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원의 부압을 유지판 (26) 에 작용시킴으로써, 유지면 (26a) 에는 웨이퍼 (11) 를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
유지 테이블 (24) 의 주위에는 환상의 프레임 (33) 을 고정시키기 위한 클램프 (28) 가 형성되어 있다. 또, 유지 테이블 (24) 의 상방에는 미세한 입자상의 액상 수지 (27) 를 분사 가능한 마이크로도트 디스펜서 등의 분사 노즐 (분사 수단) (30) 이 배치되어 있다.
보호막 피복 공정에서는, 먼저, 웨이퍼 (11) 에 첩착된 다이싱 테이프 (31) 를 유지 테이블 (24) 의 유지면 (26a) 에 접촉시키고, 환상의 프레임 (33) 을 클램프 (28) 로 고정시킨다. 이 상태에서 흡인원의 부압을 작용시킴으로써, 웨이퍼 (11) 는 표면 (11a) 측이 상방으로 노출된 상태로 유지 테이블 (24) 에 유지된다.
다음으로, 유지 테이블 (24) 을 이동시켜, 분사 노즐 (30) 을 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 위치 맞춤한다. 그리고, 유지 테이블 (24) 을 회전시키면서, 분사 노즐 (30) 로부터 입자상의 액상 수지 (27) 를 웨이퍼 (11) 에 분사한다. 이로써, 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측의 영역에만 보호막 (29) 을 피복할 수 있다.
액상 수지 (27) 로는, 예를 들어 물로 용이하게 씻어낼 수 있는 수용성의 수지를 사용하면 된다. 또, 보호막 (29) 은, 이후의 가공홈 형성 공정에서 발생하는 데브리 (용융물 등) 가 비산되는 거리보다 폭이 넓은 링상으로 형성되는 것이 바람직하다. 이로써, 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 데브리의 웨이퍼 (11) 로의 부착을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 레이저 광선을 통상적인 조사 조건에서 조사하는 것이면, 보호막 (29) 의 폭은 1 ㎜ ∼ 3 ㎜ 정도이면 된다. 또, 보호막 (29) 은, 적어도 박화부 (23) 로의 데브리의 부착을 방지할 수 있도록 형성되면 된다. 예를 들어 보호막 (29) 은, 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계보다 박화부 (23) 측에 치우친 위치에 형성되어도 된다.
보호막 피복 공정을 실시한 후에는 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측으로부터 보호막 (29) 이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼 (11) 에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정을 실시한다. 도 3(C) 는, 가공홈 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 가공홈 형성 공정은, 예를 들어 도 3(C) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (32) 로 실시된다.
레이저 가공 장치 (32) 는, 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (34) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (34) 은, 모터 등의 회전 기구 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향으로 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 유지 테이블 (34) 의 하방에는 이동 기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 유지 테이블 (34) 은 이 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
유지 테이블 (34) 의 상면에는 원형의 오목부 (34a) 가 형성되어 있고, 이 오목부 (34a) 에는 오목부 (34a) 의 형상에 합치하는 유지판 (36) 이 끼워 맞춰져 있다. 유지판 (36) 은, 예를 들어 다공질 재료에 의해 형성되어 있고, 그 상면은 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지면 (36a) 이 된다.
오목부 (34a) 는 유지 테이블 (34) 의 내부에 형성된 유로 (34b) 등을 통하여 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 흡인원의 부압을 유지판 (36) 에 작용시킴으로써, 유지면 (36a) 에는 웨이퍼 (11) 를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
유지 테이블 (34) 의 주위에는 환상의 프레임 (33) 을 고정시키기 위한 클램프 (38) 가 형성되어 있다. 또, 유지 테이블 (34) 의 상방에는 레이저 가공 유닛 (40) 이 배치되어 있다.
레이저 가공 유닛 (40) 은 레이저 발진기 (도시 생략) 로 펄스 발진된 레이저 광선 (L) 을 집광하여, 유지 테이블 (34) 상의 웨이퍼 (11) 에 조사한다. 레이저 발진기는 웨이퍼 (11) 에 흡수되기 쉬운 파장 (흡수성을 갖는 파장) 의 레이저 광선 (L) 을 발진할 수 있도록 구성되어 있다.
가공홈 형성 공정에서는, 먼저 웨이퍼 (11) 에 첩착된 다이싱 테이프 (31) 를 유지 테이블 (34) 의 유지면 (36a) 에 접촉시키고, 환상의 프레임 (33) 을 클램프 (38) 로 고정시킨다. 이 상태에서 흡인원의 부압을 작용시킴으로써, 웨이퍼 (11) 는 표면 (11a) 측이 상방으로 노출된 상태로 유지 테이블 (34) 에 유지된다.
다음으로, 유지 테이블 (34) 을 이동시켜, 레이저 가공 유닛 (40) 을 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 위치 맞춤한다. 그리고, 유지 테이블 (34) 을 회전시키면서, 레이저 가공 유닛 (40) 으로부터 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 을 향하여 레이저 광선 (L) 을 조사한다.
이로써, 보호막 (29) 이 피복된 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 레이저 광선 (L) 을 조사하여 웨이퍼 (11) 에 가공홈을 형성할 수 있다. 또한, 이 가공홈은, 박화부 (23) 와 보강부 (25) 를 분단하는 깊이로 형성되는 것이 바람직하지만, 이후에 보강부를 적절히 제거할 수 있으면, 박화부 (23) 와 보강부 (25) 를 분단하지 않는 깊이로 형성되어도 된다.
가공홈 형성 공정을 실시한 후에는 웨이퍼 (11) 로부터 보강부 (25) 를 제거하는 보강부 제거 공정을 실시한다. 도 4 는, 보강부 제거 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에는 가공홈이 형성되어 있으므로, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (11) (박화부 (23)) 로부터 보강부 (25) 를 제거할 수 있다. 또한, 도 4 에서는, 웨이퍼 (11) (박화부 (23)) 에 첩착된 다이싱 테이프 (31) 등이 생략되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서는, 웨이퍼 (11) 의 박화부 (23) 와 환상의 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에만 보호막 (29) 을 피복하므로, 웨이퍼의 전체에 보호막을 피복하는 경우와 비교하여, 형성되는 보호막에 낭비가 없다.
또, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서는, 스핀 코트와 같은 원료의 대부분 (예를 들어 약 9 할) 이 낭비되는 방법을 사용하지 않고, 분사 노즐 (분사 수단) (30) 로 미세한 입자상의 액상 수지 (27) 를 분사하는 방법을 사용하므로, 보호막 (29) 을 형성할 때의 원료의 소비를 대폭 억제할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 종래의 가공 방법과 비교하여 경제적으로 우수하다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어 상기 실시형태에서는, 웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에 보호막 (29) 을 형성하고, 표면 (11a) 측으로부터 레이저 광선 (L) 을 조사하고 있는데, 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성하고, 이면 (11b) 측으로부터 레이저 광선 (L) 을 조사해도 된다.
도 5(A) 는, 변형예에 관련된 보호막 피복 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이고, 도 5(B) 는, 변형예에 관련된 가공홈 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 상기 실시형태와 동일한 가공 준비 공정 및 웨이퍼 가공 공정을 실시한 후에는 재첩착 공정을 실시하지 않고 보호막 피복 공정을 실시한다.
변형예에 관련된 보호막 피복 공정은, 예를 들어 도 5(A) 에 나타내는 보호막 피복 장치 (42) 로 실시된다. 보호막 피복 장치 (42) 는, 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (44) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (44) 은, 예를 들어 상기 서술한 유지 테이블 (24) 과 동일하게 구성된다. 유지 테이블 (44) 의 상방에는 미세한 입자상의 액상 수지 (27) 를 분사 가능한 마이크로도트 디스펜서 등의 분사 노즐 (분사 수단) (46) 이 배치되어 있다.
변형예에 관련된 보호막 피복 공정에서는, 먼저, 웨이퍼 (11) 에 고정된 보호 부재 (21) 의 이면 (21b) 을 유지 테이블 (44) 의 유지면에 접촉시키고, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 웨이퍼 (11) 는, 이면 (11b) 측이 상방으로 노출된 상태로 유지 테이블 (44) 에 유지된다.
다음으로, 유지 테이블 (44) 을 이동시켜, 분사 노즐 (46) 을 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 위치 맞춤한다. 또한, 이 변형예에 관련된 보호막 피복 공정에서는, 분사 노즐 (46) 을 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계의 바로 위보다 약간 내측에 위치 맞춤해도 된다.
그리고, 유지 테이블 (44) 을 회전시키면서, 분사 노즐 (46) 로부터 입자상의 액상 수지 (27) 를 웨이퍼 (11) 에 분사한다. 이로써, 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측의 영역에만 보호막 (29) 을 피복할 수 있다.
보호막 피복 공정을 실시한 후에는 가공홈 형성 공정을 실시한다. 가공홈 형성 공정은, 예를 들어 도 5(B) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (52) 로 실시된다. 레이저 가공 장치 (52) 는, 웨이퍼 (11) 를 유지하는 유지 테이블 (54) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (54) 은, 예를 들어 상기 서술한 유지 테이블 (34) 과 동일하게 구성된다.
유지 테이블 (54) 의 상방에는 레이저 가공 유닛 (56) 이 배치되어 있다. 레이저 가공 유닛 (56) 은, 레이저 발진기 (도시 생략) 로 펄스 발진된 레이저 광선 (L) 을 집광하여, 유지 테이블 (54) 상의 웨이퍼 (11) 에 조사한다. 레이저 발진기는, 웨이퍼 (11) 에 흡수되기 쉬운 파장 (흡수성을 갖는 파장) 의 레이저 광선 (L) 을 발진할 수 있도록 구성되어 있다.
가공홈 형성 공정에서는, 먼저, 웨이퍼 (11) 에 고정된 보호 부재 (21) 의 이면 (21b) 을 유지 테이블 (54) 의 유지면에 접촉시키고, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이로써, 웨이퍼 (11) 는, 이면 (11b) 측이 상방으로 노출된 상태로 유지 테이블 (54) 에 유지된다.
다음으로, 유지 테이블 (54) 을 이동시켜, 레이저 가공 유닛 (56) 을 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 위치 맞춤한다. 그리고, 유지 테이블 (54) 을 회전시키면서, 레이저 가공 유닛 (56) 으로부터 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 을 향하여 레이저 광선 (L) 을 조사한다.
이로써, 보호막 (29) 이 피복된 박화부 (23) 와 보강부 (25) 의 경계에 상당하는 영역에 레이저 광선 (L) 을 조사하여 웨이퍼 (11) 에 가공홈을 형성할 수 있다. 가공홈 형성 공정을 실시한 후에는 상기 실시형태와 동일한 보강부 제거 공정을 실시하면 된다.
그 외, 상기 실시형태 및 변형예에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 웨이퍼
11a : 표면
11b : 이면
13 : 디바이스 영역
15 : 외주 잉여 영역
17 : 분할 예정 라인 (스트리트)
19 : 디바이스
21 : 보호 부재
21a : 표면
21b : 이면
23 : 박화부
25 : 보강부
27 : 액상 수지
29 : 보호막
31 : 다이싱 테이프
33 : 프레임
L : 레이저 광선
2 : 연삭 장치
4 : 유지 테이블
6 : 연삭 유닛
8 : 스핀들 하우징
10 : 스핀들
12 : 연삭 휠
12a : 휠 기대
12b : 연삭 지석
22 : 보호막 피복 장치
24 : 유지 테이블
24a : 오목부
24b : 유로
26 : 유지판
26a : 유지면
28 : 클램프
30 : 분사 노즐 (분사 수단)
32 : 레이저 가공 장치
34 : 유지 테이블
34a : 오목부
34b : 유로
36 : 유지판
36a : 유지면
38 : 클램프
40 : 레이저 가공 유닛
42 : 보호막 피복 장치
44 : 유지 테이블
46 : 분사 노즐 (분사 수단)
52 : 레이저 가공 장치
54 : 유지 테이블
56 : 레이저 가공 유닛

Claims (4)

  1. 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면측에 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼의 그 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면측으로부터 얇게 하여 원형의 박화부를 형성함과 함께, 웨이퍼의 그 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부를 형성하는 웨이퍼 가공 공정과,
    그 박화부와 그 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 표면측의 영역에만 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정과,
    웨이퍼의 표면측으로부터 그 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정과,
    웨이퍼로부터 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면측에 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼의 그 디바이스 영역에 상당하는 부분을 이면측으로부터 얇게 하여 원형의 박화부를 형성함과 함께, 웨이퍼의 그 외주 잉여 영역에 상당하는 부분의 두께를 유지하여 환상의 보강부를 형성하는 웨이퍼 가공 공정과,
    그 박화부와 그 보강부의 경계에 상당하는 웨이퍼의 이면측의 영역에만 보호막을 피복하는 보호막 피복 공정과,
    웨이퍼의 이면측으로부터 그 보호막이 피복된 영역에 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼에 가공홈을 형성하는 가공홈 형성 공정과,
    웨이퍼로부터 그 보강부를 제거하는 보강부 제거 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막 피복 공정에서는, 입자상의 액상 수지를 분사 수단으로 분사함으로써 상기 보호막을 피복하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막은, 상기 레이저 광선의 조사에 의해 발생하는 데브리가 비산되는 거리보다 폭이 넓은 링상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
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