KR20200091337A - 캐리어판의 제거 방법 - Google Patents

캐리어판의 제거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200091337A
KR20200091337A KR1020190172786A KR20190172786A KR20200091337A KR 20200091337 A KR20200091337 A KR 20200091337A KR 1020190172786 A KR1020190172786 A KR 1020190172786A KR 20190172786 A KR20190172786 A KR 20190172786A KR 20200091337 A KR20200091337 A KR 20200091337A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier plate
work
workpiece
stepped portion
holding
Prior art date
Application number
KR1020190172786A
Other languages
English (en)
Inventor
가츠히코 스즈키
다카토시 사쿠라이
하야토 기우치
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20200091337A publication Critical patent/KR20200091337A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006Delaminating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121Using vibration during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1922Vibrating delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(과제) 워크로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있는 캐리어판의 제거 방법을 제공한다.
(해결 수단) 캐리어판의 표면에 임시 접착층을 개재하여 형성된 워크로부터 캐리어판을 제거하는 캐리어판의 제거 방법으로서, 워크가 형성된 표면측으로부터 캐리어판의 외주 가장자리를 따라 캐리어판의 외주부를 가공하여, 캐리어판의 표면측에 비해 캐리어판의 이면측이 측방으로 돌출된 단차부를 형성하는 단차부 형성 공정과, 단차부 형성 공정을 실시한 후, 캐리어판의 상방에 워크가 위치된 상태에서 워크를 상방으로부터 유지 유닛에 의해 유지하는 유지 공정과, 유지 공정을 실시한 후, 푸시 부재로 단차부에 하향의 힘을 가하여 캐리어판을 워크로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 워크로부터 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함하는 캐리어판의 제거 방법이 제공된다.

Description

캐리어판의 제거 방법{METHOD FOR REMOVING CARRIER PLATE}
본 발명은 임시 접착층을 개재하여 캐리어판의 표면에 형성된 워크로부터 캐리어판을 제거하는 캐리어판의 제거 방법에 관한 것이다.
휴대 전화기나 퍼스널 컴퓨터로 대표되는 전자 기기에서는, 전자 회로 등의 디바이스를 구비하는 디바이스 칩이 필수의 구성 요소로 되어 있다. 디바이스 칩은, 예를 들어, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼의 표면을 분할 예정 라인 (스트리트) 에 의해 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 디바이스를 형성한 후, 이 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할함으로써 얻어진다.
상기 서술한 바와 같은 방법으로 얻어진 디바이스 칩은, 예를 들어, CSP (Chip Size Package) 용의 마더 기판에 고정되어, 와이어 본딩 등의 방법으로 이 마더 기판의 단자 등에 전기적으로 접속된 후에, 몰드 수지로 봉지된다. 이와 같이, 몰드 수지에 의해 디바이스 칩을 봉지하여 패키지 디바이스를 형성함으로써, 충격, 광, 열, 물 등의 외적인 요인으로부터 디바이스 칩을 보호할 수 있게 된다.
최근에는, 웨이퍼 레벨의 재배선 기술을 이용하여 디바이스 칩의 영역 외에 패키지 단자를 형성하는 FOWLP (Fan-Out Wafer Level Package) 로 불리는 패키지 기술이 채용되기 시작하고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또, 웨이퍼보다 사이즈가 큰 패널 (대표적으로는, 액정 패널의 제조에 사용되는 유리 기판) 의 레벨로 패키지 디바이스를 일괄적으로 제조하는 FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging) 로 불리는 패키지 기술도 제안되어 있다.
FOPLP 에서는, 예를 들어, 임시의 기판이 되는 캐리어판의 표면에 임시 접착층을 개재하여 배선층 (RDL : Redistribution Layer) 을 형성하고, 이 배선층에 디바이스 칩을 접합한다. 다음으로, 디바이스 칩을 몰드 수지로 봉지하여, 패키지 패널을 얻는다. 그 후, 패키지 패널을 연삭 등의 방법에 의해 얇게 한 후에, 이 패키지 패널을 분할함으로써, 패키지 디바이스가 완성된다.
일본 공개특허공보 2016-201519호
상기 서술한 FOPLP 에서는, 예를 들어, 패키지 패널을 패키지 디바이스로 분할한 후에, 이 패키지 디바이스로부터 캐리어판이 제거된다. 구체적으로는, 캐리어판으로부터 각 패키지 디바이스를 픽업한다. 그런데, 패키지 디바이스의 사이즈가 작으면, 이 패키지 디바이스를 캐리어판으로부터 픽업하는 것은 어렵다.
한편으로, 패키지 패널을 패키지 디바이스로 분할하기 전에, 패키지 패널로부터 캐리어판을 박리하고, 제거하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 임시 접착층의 접착력은 어느 정도 강하기 때문에, 패키지 패널이나 캐리어판을 손상시키지 않고 캐리어판을 패키지 패널로부터 박리하는 것이 어려웠다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 패키지 패널 등의 워크로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있는 캐리어판의 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 캐리어판의 표면에 임시 접착층을 개재하여 형성된 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판의 제거 방법으로서, 그 워크가 형성된 그 표면측으로부터 그 캐리어판의 외주 가장자리를 따라 그 캐리어판의 외주부를 가공하여, 그 캐리어판의 그 표면측에 비해 그 캐리어판의 이면측이 측방으로 돌출된 단차부를 형성하는 단차부 형성 공정과, 그 단차부 형성 공정을 실시한 후, 그 캐리어판의 상방에 그 워크가 위치된 상태에서 그 워크를 상방으로부터 유지 유닛에 의해 유지하는 유지 공정과, 그 유지 공정을 실시한 후, 푸시 부재로 그 단차부에 하향의 힘을 가하여 그 캐리어판을 그 워크로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 그 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함하는 캐리어판의 제거 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사한 후에, 또는 그 워크와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사하면서, 그 단차부에 하향의 힘을 가하여 그 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 액체에 침지한 상태에서, 그 단차부에 하향의 힘을 가하는 것이 바람직하다. 또, 그 액체에는, 계면 활성제를 함유시켜도 된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 그 액체에 침지한 상태에서, 그 푸시 부재에 진동을 부여하면서 그 단차부에 하향의 힘을 가하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 그 액체에 침지한 상태에서, 그 액체에 진동을 부여하면서 그 단차부에 하향의 힘을 가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 워크가 형성된 캐리어판의 표면측으로부터 캐리어판의 외주 가장자리를 따라 캐리어판의 외주부를 가공하여, 캐리어판의 표면측에 비해 캐리어판의 이면측이 측방으로 돌출된 단차부를 형성한다. 따라서, 워크를 상방으로부터 유지 유닛에 의해 유지한 상태에서, 단차부에 하향의 힘을 가함으로써, 워크로부터 캐리어판을 용이하게 제거할 수 있다. 또, 단차부에 가하는 하향의 힘과 함께, 캐리어판에 작용하는 중력을 이용할 수 있기 때문에, 단차부에 가하는 하향의 힘이 작은 경우에도, 워크로부터 캐리어판을 제거할 수 있다.
도 1(A) 는, 캐리어판과 워크를 포함하는 복합 기판의 구성예를 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 단차부 형성 공정에서 복합 기판의 캐리어판측이 유지되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 2(A) 는, 단차부 형성 공정에서 캐리어판에 단차부가 형성되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 2(B) 는, 캐리어판의 외주부의 전체에 단차부가 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3(A) 는, 유지 공정에 대해 나타내는 단면도이고, 도 3(B) 는, 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이며, 도 3(C) 는, 워크로부터 캐리어판이 제거된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4(A) 는, 제 1 변형예의 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이고, 도 4(B) 는, 제 2 변형예의 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법은, 캐리어판의 표면에 임시 접착층을 개재하여 형성된 워크로부터 캐리어판을 제거할 때에 사용되며, 단차부 형성 공정 (도 1(B), 도 2(A) 및 도 2(B) 참조), 유지 공정 (도 3(A) 참조) 및 캐리어판 제거 공정 (도 3(B) 및 도 3(C) 참조) 을 포함한다.
단차부 형성 공정에서는, 워크가 형성된 표면측으로부터 캐리어판의 외주 가장자리를 따라 캐리어판의 외주부에 절삭 블레이드를 절입시켜, 이 캐리어판에 단차부를 형성한다. 유지 공정에서는, 캐리어판의 상방에 워크가 위치된 상태에서, 이 워크측을 상방으로부터 유지한다. 캐리어판 제거 공정에서는, 푸시 부재로 단차부에 하향의 힘을 가하여 캐리어판을 워크로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써, 워크로부터 캐리어판을 제거한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에 대해 상세히 서술한다.
도 1(A) 는, 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서 사용되는 복합 기판 (1) 의 구성예를 나타내는 단면도이다. 복합 기판 (1) 은, 예를 들어, 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 절연체 재료로 형성된 캐리어판 (3) 을 포함하고 있다. 이 캐리어판 (3) 은, 예를 들어, 대체로 평탄한 제 1 면 (표면) (3a) 과, 제 1 면 (3a) 과는 반대측의 제 2 면 (이면) (3b) 을 갖고, 제 1 면 (3a) 측 또는 제 2 면 (3b) 측으로부터 본 평면에서 보았을 때 사각 형상으로 구성되어 있다. 캐리어판 (3) 의 두께는, 예를 들어 2 ㎜ 이하, 대표적으로는 1.1 ㎜ 이다.
또한, 본 실시형태에서는, 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 절연체 재료로 이루어지는 캐리어판 (3) 을 사용하고 있지만, 캐리어판 (3) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 판 등을 캐리어판 (3) 으로서 사용할 수도 있다. 원반상의 반도체 웨이퍼 등을 캐리어판 (3) 으로 해도 된다.
캐리어판 (3) 의 제 1 면 (3a) 측에는, 임시 접착층 (5) 을 개재하여 워크 (7) 가 형성되어 있다. 임시 접착층 (5) 은, 예를 들어, 금속막이나 절연체막 등을 중첩함으로써 제 1 면 (3a) 의 대체로 전체에 형성되며, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 접착하는 기능을 갖는다. 또, 임시 접착층 (5) 은, 접착제로서 기능하는 수지막 등에 의해 구성되는 경우도 있다.
임시 접착층 (5) 의 두께는, 예를 들어 20 ㎛ 이하, 대표적으로는 5 ㎛ 이다. 후술하는 캐리어판 제거 공정에서 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하여, 제거할 때에는, 이 임시 접착층 (5) 이, 캐리어판 (3) 측에 밀착된 제 1 부분 (5a) (도 3(C) 참조) 과, 워크 (7) 측에 밀착된 제 2 부분 (5b) (도 3(C) 참조) 으로 분리된다.
워크 (7) 는, 예를 들어, 패키지 패널이나 패키지 웨이퍼 등으로도 불리며, 임시 접착층 (5) 에 접하는 배선층 (RDL) (도시 생략) 과, 배선층에 접합된 복수의 디바이스 칩 (9) 과, 각 디바이스 칩 (9) 을 봉지하는 몰드 수지층 (11) 을 포함한다. 이 워크 (7) 는, 예를 들어, 평면에서 보았을 때 캐리어판 (3) 과 대체로 동일한 크기, 형상으로 구성되어 있다. 또, 워크 (7) 의 두께는, 예를 들어 1.5 ㎜ 이하, 대표적으로는 0.6 ㎜ 이다.
또한, 워크 (7) 의 제 1 면 (표면) (7a) 측은, 연삭 등의 방법으로 가공되어도 된다. 또, 워크 (7) 내에서 인접하는 디바이스 칩 (9) 의 사이의 영역에는, 분할 예정 라인 (절단 예정 라인) 이 설정된다. 임의의 분할 예정 라인을 따라 워크 (7) 를 절단함으로써, 워크 (7) 는, 각각 하나 또는 복수의 디바이스 칩 (9) 을 포함하는 복수의 워크편으로 분할된다.
모든 분할 예정 라인을 따라 워크 (7) (또는 워크편) 를 절단하면, 각 디바이스 칩 (9) 에 대응하는 복수의 패키지 디바이스가 얻어진다. 단, 워크 (7) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 워크 (7) 는, 주로 배선층으로 구성되고, 디바이스 칩 (9) 이나 몰드 수지층 (11) 등을 포함하지 않는 경우도 있다.
본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 먼저, 상기 서술한 복합 기판 (1) 을 구성하는 캐리어판 (3) 의 외주부에 단차부를 형성하는 단차부 형성 공정을 실시한다. 구체적으로는, 먼저, 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측을 유지하여 워크 (7) 측을 상방에 노출시킨다. 도 1(B) 는, 단차부 형성 공정에서 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측이 유지되는 모습을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1(B) 에서는, 일부의 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다.
이 단차부 형성 공정은, 도 1(B) 등에 나타내는 절삭 장치 (2) 를 사용하여 실시된다. 절삭 장치 (2) 는, 복합 기판 (1) 을 유지하기 위한 척 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 척 테이블 (4) 은, 예를 들어, 스테인리스로 대표되는 금속 재료로 이루어지는 원통상의 프레임체 (6) 와, 다공질 재료로 이루어지고 프레임체 (6) 의 상부에 배치되는 유지판 (8) 을 포함한다.
유지판 (8) 의 상면은, 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측을 흡인하고, 유지하기 위한 유지면 (8a) 으로 되어 있다. 이 유지판 (8) 의 하면측은, 프레임체 (6) 의 내부에 형성된 유로 (6a) 나 밸브 (10) 등을 통해 흡인원 (12) 에 접속되어 있다. 그 때문에, 밸브 (10) 를 열면, 흡인원 (12) 의 부압을 유지면 (8a) 에 작용시킬 수 있다.
척 테이블 (4) (프레임체 (6)) 은, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 이 회전 구동원이 발생시키는 힘에 의해, 상기 서술한 유지면 (8a) 에 대해 대체로 수직인 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 척 테이블 (4) (프레임체 (6)) 은, 가공 이송 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 상기 서술한 유지면 (8a) 에 대해 대체로 평행한 가공 이송 방향으로 이동한다.
복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측을 유지하여 워크 (7) 측을 상방에 노출시킬 때에는, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (3b) 을 척 테이블 (4) 의 유지면 (8a) 에 접촉시킨다. 그리고, 밸브 (10) 를 열어, 흡인원 (12) 의 부압을 유지면 (8a) 에 작용시킨다. 이로써, 복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측이 척 테이블 (4) 에 의해 유지되고, 워크 (7) 측이 상방에 노출된다.
복합 기판 (1) 의 캐리어판 (3) 측을 유지하여 워크 (7) 측을 상방에 노출시킨 후에는, 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리를 따라 단차부를 형성한다. 도 2(A) 는, 단차부 형성 공정에서 캐리어판 (3) 에 단차부 (3c) 가 형성되는 모습을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2(A) 에서는, 일부의 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있다.
도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (4) 의 상방에는 절삭 유닛 (14) 이 배치되어 있다. 절삭 유닛 (14) 은, 유지면 (8a) 에 대해 대체로 평행한 회전축이 되는 스핀들 (16) 을 구비하고 있다. 스핀들 (16) 의 일단측에는, 결합재에 지립이 분산되어 이루어지는 환상의 절삭 블레이드 (18) 가 장착되어 있다.
스핀들 (16) 의 타단측에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 연결되어 있고, 스핀들 (16) 의 일단측에 장착된 절삭 블레이드 (18) 는, 이 회전 구동원이 발생시키는 힘에 의해 회전한다. 절삭 유닛 (14) 은, 예를 들어, 승강 기구 (도시 생략) 와 산출 이송 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 유지면 (8a) 에 대해 대체로 수직인 연직 방향과, 연직 방향 및 가공 이송 방향에 대해 대체로 수직인 산출 이송 방향으로 이동한다.
캐리어판 (3) 에 단차부 (3c) 를 형성할 때에는, 먼저, 복합 기판 (1) 을 유지한 척 테이블 (4) 을 회전시켜, 가공의 대상이 되는 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리의 일부 (평면에서 보았을 때 사각형의 한 변에 상당하는 부분) 를, 가공 이송 방향에 대해 대체로 평행하게 한다. 다음으로, 척 테이블 (4) 과 절삭 유닛 (14) 을 상대적으로 이동시켜, 상기 서술한 외주 가장자리의 일부의 연장선 상방에 절삭 블레이드 (18) 를 위치시킨다.
또, 절삭 블레이드 (18) 의 하단을, 캐리어판 (3) 의 제 1 면 (3a) 보다 낮고, 제 2 면 (3b) 보다 높은 위치에 위치시킨다. 그 후, 절삭 블레이드 (18) 를 회전시키면서, 척 테이블 (4) 을 가공 이송 방향으로 이동시킨다. 이로써, 도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 면 (3a) 측으로부터 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리의 일부를 따라 절삭 블레이드 (18) 를 절입시켜, 이 외주 가장자리의 일부에 상당하는 캐리어판 (3) 의 외주부의 일부를 가공할 수 있다.
여기서는, 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (3b) 에 도달하지 않는 깊이까지 절삭 블레이드 (18) 를 절입시키고 있다. 그 때문에, 외주부의 일부에는, 제 1 면 (3a) 측에 비해 제 2 면 (3b) 측이 측방 (제 1 면 (3a) 또는 제 2 면 (3b) 에 대해 평행한 방향에 있어서 외향) 으로 돌출된 계단상의 단차부 (3c) 가 형성된다.
캐리어판 (3) (외주부) 과 절삭 블레이드 (18) 의 중첩되는 폭 (즉, 형성되는 단차부 (3c) 의 폭, 또는 돌출량) 은, 워크 (7) 로부터 잘라내어지는 패키지 디바이스 등에 영향이 생기지 않는 범위 내에서 설정된다. 예를 들어, 워크 (7) 의 외주부에 설정되는 잉여 영역 (외주 잉여 영역) 의 폭이 넓은 경우에는, 캐리어판 (3) (외주부) 과 절삭 블레이드 (18) 의 중첩되는 폭 (단차부 (3c) 의 폭) 을 넓게 설정할 수 있다. 캐리어판 (3) 의 제거 용이성 등을 고려하면, 단차부 (3c) 의 폭은, 예를 들어 0.2 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하로 설정되는 것이 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 임시 접착층 (5) 및 워크 (7) 는, 평면에서 보았을 때 캐리어판 (3) 과 대체로 동일한 크기, 형상으로 구성되어 있다. 그 때문에, 워크 (7) 가 형성되어 있는 제 1 면 (3a) 측으로부터 캐리어판 (3) 의 외주부의 일부에 절삭 블레이드 (18) 를 절입시키면, 임시 접착층 (5) 및 워크 (7) 의 대응되는 영역도 동시에 제거된다.
상기 서술한 바와 같은 순서로 캐리어판 (3) 의 외주부의 일부에 단차부 (3c) 를 형성한 후에는, 동일한 순서로 캐리어판 (3) 의 외주부의 다른 부분에도 단차부 (3c) 를 형성한다. 캐리어판 (3) 의 외주부의 전체에 단차부 (3c) 가 형성되면, 단차부 형성 공정은 종료한다. 도 2(B) 는, 캐리어판 (3) 의 외주부의 전체에 단차부 (3c) 가 형성된 상태를 나타내는 단면도이다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 2(B) 에 나타내는 바와 같이, 캐리어판 (3) 의 외주부의 전체에 단차부 (3c) 를 형성하고 있지만, 단차부 (3c) 는, 적어도 캐리어판 (3) 의 외주부의 임의의 일부에 형성되어 있으면 된다. 또, 캐리어판이나 워크가 평면에서 보았을 때 원형 (즉, 원반상) 인 경우에는, 예를 들어, 절삭 블레이드 (18) 를 캐리어판의 외주부에 절입시키면서 척 테이블 (4) 을 회전시킴으로써, 캐리어판에 단차부를 형성할 수 있다.
단차부 형성 공정 후에는, 복합 기판 (1) 의 워크 (7) 측을 상방으로부터 유지하는 유지 공정을 실시한다. 도 3(A) 는, 유지 공정에 대해 나타내는 단면도이다. 유지 공정은, 도 3(A) 등에 나타내는 박리 장치 (22) 를 사용하여 실시된다. 박리 장치 (22) 는, 복합 기판 (1) 의 워크 (7) 측을 상방으로부터 유지하기 위한 유지 유닛 (24) 을 구비하고 있다.
유지 유닛 (24) 의 하부에는, 워크 (7) 의 제 1 면 (7a) 과 동일 정도의 크기를 갖는 유지면 (24a) 이 형성되어 있다. 이 유지면 (24a) 에는, 유로 (도시 생략) 나 밸브 (도시 생략) 등을 통해 흡인원 (도시 생략) 이 접속되어 있다. 그 때문에, 밸브를 열면, 유지면 (24a) 에 흡인원의 부압이 작용한다. 또, 유지 유닛 (24) 은, 승강 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 연직 방향으로 이동한다.
유지 공정에서는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 캐리어판 (3) 의 상방에 워크 (7) 가 위치된 상태에서, 이 워크 (7) 의 제 1 면 (7a) 에 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 을 접촉시킨다. 그리고, 밸브 (30) 를 열어, 흡인원의 부압을 유지면 (24a) 에 작용시킨다. 이로써, 복합 기판 (1) 의 워크 (7) 측이 상방으로부터 유지 유닛 (24) 에 의해 유지된다.
또한, 본 실시형태의 유지 공정에서는, 워크 (7) 의 제 1 면 (7a) 을 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 에 대해 직접 접촉시키고 있지만, 워크 (7) 의 제 1 면 (7a) 과 유지 유닛 (24) 의 유지면 (24a) 사이에 포러스 시트 등을 개재시켜도 된다. 이로써, 유지면 (24a) 과의 접촉에서 기인하는 워크 (7) 의 손상이나 오염 등을 방지할 수 있게 된다.
유지 공정 후에는, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 실시한다. 도 3(B) 는, 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이고, 도 3(C) 는, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 이 제거된 상태를 나타내는 단면도이다. 이 캐리어판 제거 공정은, 계속해서 박리 장치 (22) 를 사용하여 실시된다.
도 3(B) 에 나타내는 바와 같이, 유지 유닛 (24) 의 측방에는, 이 유지 유닛 (24) 에 의해 유지되는 복합 기판 (1) 의 단차부 (3c) 에 상당하는 위치에, 봉상의 푸시 부재 (26) 가 배치되어 있다. 이 푸시 부재 (26) 는, 예를 들어, 유지 유닛 (24) 을 이동시키는 승강 기구와는 별개의 승강 기구 (도시 생략) 에 의해 지지되어 있고, 유지 유닛 (24) 으로부터 독립적으로 연직 방향으로 이동한다.
캐리어판 제거 공정에서는, 먼저, 유지 유닛 (24) 과 푸시 부재 (26) 를 함께 상방으로 이동시켜, 유지 유닛 (24) 에 유지되어 있는 복합 기판 (1) 을 들어 올린다. 즉, 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (3b) 측을 하방에 노출시킨다. 다음으로, 유지 유닛 (24) 의 위치를 유지한 채로 푸시 부재 (26) 를 하방으로 이동시키고, 이 푸시 부재 (26) 의 하단을 단차부 (3c) 에 접촉시킨다. 즉, 푸시 부재 (26) 에 의해 캐리어판 (3) 의 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가한다.
상기 서술한 바와 같이, 복합 기판 (1) 의 워크 (7) 측은, 유지 유닛 (24) 에 의해 상방으로부터 유지되어 있다. 그 때문에, 푸시 부재 (26) 에 의해 캐리어판 (3) 의 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가하면, 캐리어판 (3) 은 임시 접착층 (5) 을 경계로 워크 (7) 로부터 박리되어, 낙하한다. 즉, 캐리어판 (3) 은, 워크 (7) 로부터 멀어지는 방향으로 이동한다. 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 의 전체가 분리되고, 캐리어판 (3) 이 워크 (7) 로부터 제거되면, 캐리어판 제거 스텝은 종료한다.
이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 캐리어판의 제거 방법에서는, 워크 (7) 측으로부터 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리를 따라 캐리어판 (3) 의 외주부를 가공하여, 캐리어판 (3) 의 제 1 면 (표면) (3a) 측에 비해 캐리어판 (3) 의 제 2 면 (이면) (3b) 측이 측방으로 돌출된 단차부 (3c) 를 형성하고 있다.
따라서, 워크 (7) 를 상방으로부터 유지 유닛 (24) 에 의해 유지한 상태에서, 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가함으로써, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 용이하게 제거할 수 있다. 또, 단차부 (3c) 에 가하는 하향의 힘과 함께, 캐리어판 (3) 에 작용하는 중력을 이용할 수 있기 때문에, 단차부 (3c) 에 가하는 하향의 힘이 작은 경우에도, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 제거할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 서술한 실시형태의 기재에 제한되지 않고 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예를 들어, 상기 서술한 실시형태의 푸시 부재 (26) 는, 유지 유닛 (24) 으로부터 독립적으로 연직 방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있지만, 이 푸시 부재 (26) 는, 적어도 유지 유닛 (24) 에 대해 상대적으로 이동할 수 있으면 된다.
그 때문에, 예를 들어, 푸시 부재 (26) 를 박리 장치 (22) 의 케이싱 (도시 생략) 등에 고정시키고, 유지 유닛 (24) 만을 이동시킴으로써, 유지 유닛 (24) 에 대해 푸시 부재 (26) 를 상대적으로 이동시켜도 된다. 또, 상기 서술한 실시형태에서는, 1 개의 푸시 부재 (26) 를 사용하고 있지만, 복수의 푸시 부재 (26) 를 사용할 수도 있다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 워크 (7) 측으로부터 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리를 따라 절삭 블레이드 (18) 를 절입시킴으로써 단차부 (3c) 를 형성하고 있지만, 예를 들어, 워크 (7) 측으로부터 캐리어판 (3) 의 외주 가장자리를 따라 레이저 빔을 조사함으로써 단차부 (3c) 를 형성해도 된다. 이 경우에는, 절삭 장치 (2) (절삭 유닛 (14)) 대신에, 적어도 캐리어판 (3) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 조사할 수 있는 레이저 가공 장치 (레이저 가공 유닛) 가 사용된다.
또, 캐리어판 제거 공정에 있어서 캐리어판 (3) 을 제거할 때에, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이 (임시 접착층 (5) 에 상당하는 영역) 에 유체를 분사할 수도 있다. 도 4(A) 는, 제 1 변형예의 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이다. 도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 이 제 1 변형예에서 사용되는 박리 장치 (22) 의 유지 유닛 (24) 의 측방에는, 노즐 (32) 이 배치되어 있다. 노즐 (32) 에는, 유로 (도시 생략) 나 밸브 (도시 생략) 등을 통해 유체 (34) 의 공급원 (도시 생략) 이 접속되어 있다.
이 노즐 (32) 로부터, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이에 유체 (34) 를 분사한 후에, 또는 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이에 유체 (34) 를 분사하면서, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가함으로써, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있다. 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이에 분사하는 유체 (34) 로는, 예를 들어, 에어나 물 등을 사용할 수 있다. 단, 유체 (34) 의 종류 등에 특별한 제한은 없다.
또, 캐리어판 제거 공정에 있어서 캐리어판 (3) 을 제거할 때에, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 액체에 침지해도 된다. 도 4(B) 는, 제 2 변형예의 캐리어판 제거 공정에 대해 나타내는 단면도이다. 도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 이 제 2 변형예에서 사용되는 박리 장치 (22) 의 유지 유닛 (24) 의 하방에는, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 수용할 수 있는 크기의 조 (42) 가 배치되어 있다. 조 (42) 내에는, 물 등의 액체 (44) 가 저장된다.
조 (42) 내의 액체 (44) 에 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 침지한 상태에서, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가하여, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 박리하면, 워크 (7) 로부터 박리된 캐리어판 (3) 은 액체 (44) 중을 낙하한다. 그 결과, 캐리어판 (3) 을 공기 중에서 낙하시키는 경우에 비해 낙하에 수반되는 충격이 작아져, 캐리어판 (3) 의 파손이나, 박리 장치 (22) 의 진동 등을 방지할 수 있다.
또한, 이 액체 (44) 에는 계면 활성제를 함유시켜도 된다. 액체 (44) 에 함유시키는 계면 활성제로는, 임시 접착층 (5) 에 침입하기 쉬운 아니온 계면 활성제나 카티온 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 이와 같이, 임시 접착층 (5) 에 침입하기 쉬운 계면 활성제를 액체 (44) 에 함유시킴으로써, 계면 활성제가 침입한 영역으로부터 임시 접착층 (5) 이 분리되기 쉬워져, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있다.
또, 제 2 변형예에서는, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 액체 (44) 에 침지한 후, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가할 때에, 이 푸시 부재 (26) 에 초음파 등의 진동을 부여해도 된다. 구체적으로는, 초음파 등의 진동을 푸시 부재 (26) 에 부여하면서, 이 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가한다. 이 경우에는, 푸시 부재 (26) 로부터 전달되는 진동의 작용에 의해, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있게 된다.
동일하게, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 액체 (44) 에 침지한 후, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가할 때에, 액체 (44) 에 초음파 등의 진동을 부여해도 된다. 구체적으로는, 초음파 등의 진동을 액체 (44) 에 부여하면서, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가한다. 이 경우에는, 액체 (44) 로부터 전달되는 진동의 작용에 의해, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있게 된다.
또, 제 2 변형예에 대해, 추가로 제 1 변형예를 조합해도 된다. 즉, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 를 액체 (44) 에 침지한 후, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이 (임시 접착층 (5) 에 상당하는 영역) 에 유체를 분사할 수도 있다. 예를 들어, 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이에 유체 (34) 를 분사한 후에, 또는 캐리어판 (3) 과 워크 (7) 사이에 유체 (34) 를 분사하면서, 푸시 부재 (26) 로 단차부 (3c) 에 하향의 힘을 가함으로써, 워크 (7) 로부터 캐리어판 (3) 을 보다 용이하게 박리할 수 있다.
그 외에, 상기 서술한 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 복합 기판
3 : 캐리어판
3a : 제 1 면 (표면)
3b : 제 2 면 (이면)
3c : 단차부
5 : 임시 접착층
7 : 워크
7a : 제 1 면 (표면)
9 : 디바이스 칩
11 : 몰드 수지층
2 : 절삭 장치
4 : 척 테이블
6 : 프레임체
6a : 유로
8 : 유지판
8a : 유지면
10 : 밸브
12 : 흡인원
14 : 절삭 유닛
16 : 스핀들
18 : 절삭 블레이드
22 : 박리 장치
24 : 유지 유닛
24a : 유지면
26 : 푸시 부재
32 : 노즐
34 : 유체
42 : 조
44 : 액체

Claims (8)

  1. 캐리어판의 표면에 임시 접착층을 개재하여 형성된 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판의 제거 방법으로서,
    그 워크가 형성된 그 표면측으로부터 그 캐리어판의 외주 가장자리를 따라 그 캐리어판의 외주부를 가공하여, 그 캐리어판의 그 표면측에 비해 그 캐리어판의 이면측이 측방으로 돌출된 단차부를 형성하는 단차부 형성 공정과,
    그 단차부 형성 공정을 실시한 후, 그 캐리어판의 상방에 그 워크가 위치된 상태에서 그 워크를 상방으로부터 유지 유닛에 의해 유지하는 유지 공정과,
    그 유지 공정을 실시한 후, 푸시 부재로 그 단차부에 하향의 힘을 가하여 그 캐리어판을 그 워크로부터 멀어지는 방향으로 이동시킴으로써 그 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는 캐리어판 제거 공정을 포함하는, 캐리어판의 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사한 후에, 또는 그 워크와 그 캐리어판 사이에 유체를 분사하면서, 그 단차부에 하향의 힘을 가하여 그 워크로부터 그 캐리어판을 제거하는, 캐리어판의 제거 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 액체에 침지한 상태에서, 그 단차부에 하향의 힘을 가하는, 캐리어판의 제거 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 액체에 침지한 상태에서, 그 단차부에 하향의 힘을 가하는, 캐리어판의 제거 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    그 액체에는, 계면 활성제를 함유시키는, 캐리어판의 제거 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    그 액체에는, 계면 활성제를 함유시키는, 캐리어판의 제거 방법.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 그 액체에 침지한 상태에서, 그 푸시 부재에 진동을 부여하면서 그 단차부에 하향의 힘을 가하는, 캐리어판의 제거 방법.
  8. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 캐리어판 제거 공정에서는, 그 워크와 그 캐리어판을 그 액체에 침지한 상태에서, 그 액체에 진동을 부여하면서 그 단차부에 하향의 힘을 가하는, 캐리어판의 제거 방법.
KR1020190172786A 2019-01-22 2019-12-23 캐리어판의 제거 방법 KR20200091337A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019008376A JP7146354B2 (ja) 2019-01-22 2019-01-22 キャリア板の除去方法
JPJP-P-2019-008376 2019-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200091337A true KR20200091337A (ko) 2020-07-30

Family

ID=71402555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190172786A KR20200091337A (ko) 2019-01-22 2019-12-23 캐리어판의 제거 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10933618B2 (ko)
JP (1) JP7146354B2 (ko)
KR (1) KR20200091337A (ko)
CN (1) CN111463162A (ko)
DE (1) DE102020200724B4 (ko)
SG (1) SG10201913555XA (ko)
TW (1) TWI816969B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022020952A (ja) * 2020-07-21 2022-02-02 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
US20230420270A1 (en) 2020-11-11 2023-12-28 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method for producing wiring board
EP4362614A1 (en) * 2021-06-24 2024-05-01 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Circuit board manufacturing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) * 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
US5091331A (en) * 1990-04-16 1992-02-25 Harris Corporation Ultra-thin circuit fabrication by controlled wafer debonding
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
JP4668052B2 (ja) * 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
JP4965485B2 (ja) * 2008-02-29 2012-07-04 東京応化工業株式会社 処理液浸透ユニットおよび処理装置
CN101582265A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 新科实业有限公司 磁头分离辅助装置及利用该装置制造磁头的方法
EP2402981B1 (de) * 2009-03-18 2013-07-10 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
EP2706562A3 (de) * 2009-09-01 2014-09-03 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens
EP2381464B1 (de) * 2010-04-23 2012-09-05 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP5902406B2 (ja) * 2010-06-25 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 分離方法および半導体装置の作製方法
JP5740550B2 (ja) * 2011-01-07 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CH706293B1 (de) * 2011-02-09 2016-07-15 Branson Ultrasonics Corp Verfahren und Gerät zum Trennen von zusammenklebenden Teilen, insbesondere von Laminaten.
KR101869922B1 (ko) * 2011-11-28 2018-06-22 삼성디스플레이 주식회사 진공 필링 장치 및 진공 필링 방법
JP2014033161A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6366996B2 (ja) * 2014-05-19 2018-08-01 株式会社ディスコ リフトオフ方法
KR101898121B1 (ko) * 2015-10-22 2018-09-12 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리 방법 및 그러한 방법을 위해 설계된 장치
US10259207B2 (en) * 2016-01-26 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming separation starting point and separation method
JP6305447B2 (ja) 2016-01-28 2018-04-04 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー キャリア基板を外すための屈曲可能なキャリア台、デバイス、および方法
TWI732005B (zh) 2016-07-29 2021-07-01 日商富士軟片股份有限公司 套組、洗淨劑組成物及半導體元件的製造方法
JP6976828B2 (ja) * 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201519A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI816969B (zh) 2023-10-01
TW202029311A (zh) 2020-08-01
DE102020200724A1 (de) 2020-07-23
SG10201913555XA (en) 2020-08-28
DE102020200724B4 (de) 2024-03-21
JP7146354B2 (ja) 2022-10-04
US20200230936A1 (en) 2020-07-23
US10933618B2 (en) 2021-03-02
JP2020119952A (ja) 2020-08-06
CN111463162A (zh) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200091337A (ko) 캐리어판의 제거 방법
CN110828362B (zh) 载板的去除方法
JP7262904B2 (ja) キャリア板の除去方法
US11538710B2 (en) Carrier plate removing method
JP6991673B2 (ja) 剥離方法
US11024542B2 (en) Manufacturing method of device chip
JP7262903B2 (ja) キャリア板の除去方法
KR20220011075A (ko) 캐리어 판의 제거 방법
JP2023018321A (ja) キャリア板の除去方法