CN117321734A - 半导体晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

半导体晶片的加工方法包括以下工序：准备具有主体部和缘部的半导体晶片的工序，该缘部具备具有比主体部大的厚度的突出部；在半导体晶片的第二面粘贴切割带来支撑半导体晶片的工序；将由切割带支撑的半导体晶片设置于基座的载置台部的工序；以及在主体部支撑于载置台部的状态下切断主体部的周缘部来分离主体部和缘部的工序。将半导体晶片设置于基座的工序包括在突出部与基座(41)的表面隔开间隔的状态以主体部支撑于载置台部的方式将半导体晶片设置于基座的工序。

Description

半导体晶片的加工方法
技术领域
本公开涉及半导体晶片的加工方法。
背景技术
公知有以下结构：若将晶体管等的半导体元件的制造所使用的半导体晶片研磨的较薄则半导体晶片翘曲，因此通过不研磨而是保留半导体晶片的外周部来抑制半导体晶片的翘曲。在从这样的半导体晶片将半导体元件单片化的情况下，在将半导体元件单片化之前，切断半导体晶片的外周部而形成平坦的半导体晶片(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－98248号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1中的切断半导体晶片的外周部的工序中，首先，粘贴有粘着带的半导体晶片设置于保持台的凹部保持部以及环状间隔物。在此，凹部保持部的高度位置和环状间隔物的高度位置的差与半导体晶片的外周部和比半导体晶片的外周部靠内方的平坦部的厚度的差相等。该情况下，半导体晶片的平坦部以粘着带与凹部保持部相接的方式设置于保持台，半导体晶片的外周部以粘着带与环状间隔物相接的方式设置于环状间隔物。接着，通过利用负压吸引源整体地吸引粘着带，从而半导体晶片被吸引保持于保持台。接着，半导体晶片的平坦部中与外周部相邻的部分切断。
然而，在凹部保持部的高度位置和环状间隔物的高度位置的差与半导体晶片的外周部和比半导体晶片的外周部靠内方的平坦部的厚度的差不同的情况下，有时半导体晶片的切断的部分从凹部保持部浮起。在以该状态切断半导体晶片的情况下，有半导体晶片的平坦部破损的担忧。
用于解决课题的方案
解决上述课题的半导体晶片的加工方法具备以下工序：准备具有主体部和缘部的半导体晶片的工序，该主体部具有形成有半导体元件的第一面以及朝向与上述第一面相反的一侧的第二面，该缘部具有比上述主体部大的厚度并且从上述主体部的厚度方向观察时以环状包围上述主体部，而且具有相对于上述主体部的上述第二面向上述厚度方向上的与上述第一面相反的方向突出的突出部；在上述半导体晶片的上述第二面粘贴保持带来支撑上述半导体晶片的工序；准备包含载置台部以及外周部的基座的工序，该载置台部具有用于支撑上述主体部的支撑面，该外周部具有比上述载置台部的上述支撑面低的高度位置的表面；将由上述保持带支撑的上述半导体晶片以上述主体部支撑于上述载置台部的上述支撑面的方式设置于上述基座的工序；以及在上述主体部支撑于上述载置台部的状态下，通过切断上述主体部的周缘部来分离上述主体部和上述缘部的工序，将上述半导体晶片设置于上述基座的工序包括在上述突出部与上述基座的上述外周部的上述表面隔开间隔的状态下，以上述主体部支撑于上述载置台部的方式将上述半导体晶片设置于上述基座的工序。
发明效果
根据上述半导体晶片的加工方法，在切断半导体晶片时能够抑制半导体晶片的破损。
附图说明
图1是表示半导体晶片的剖面构造的剖视图。
图2是粘贴有框架的保持带的俯视图。
图3是图2的3－3线的剖视图。
图4是在保持带支撑有半导体晶片的状态的俯视图。
图5是图4的5－5线的剖视图。
图6是在加工半导体晶片的工序中使用的加工装置的局部立体图。
图7是图6的加工装置的俯视图。
图8是图7的加工装置的8－8线的剖视图。
图9是在图6的加工装置上设置了由保持带支撑的半导体晶片的状态的立体图。
图10是在加工装置上设置了由保持带支撑的半导体晶片的状态的局部剖视图。
图11是表示将由保持带支撑的半导体晶片的主体部与缘部分离的工序的立体图。
图12是图11中的加工装置、保持带、框架、以及半导体晶片的局部剖视图。
图13是表示使缘部从保持带隔开间隔的工序的示意性的剖视图。
图14是表示将半导体晶片以预定的芯片尺寸切断的工序的立体图。
图15是比较例的半导体晶片的加工方法中的加工装置、保持带、框架、以及半导体晶片的局部剖视图。
图16是与图15不同的比较例的半导体晶片的加工方法中的加工装置、保持带、框架、以及半导体晶片的局部剖视图。
图17是变更例的半导体晶片的加工方法中的加工装置、保持带、框架、以及半导体晶片的局部剖视图。
图18是变更例的半导体晶片的加工方法中的加工装置的基座的俯视图。
图19是变更例的半导体晶片的加工方法中的加工装置、保持带、框架、以及半导体晶片的局部剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对半导体晶片的加工方法的实施方式进行说明。以下所示的实施方式例示了用于将技术的思想具体化的结构、方法，各构成部件的材质、形状、构造、配置、尺寸等不限定于下述的说明。
[实施方式]
参照图1～图14，对本实施方式的半导体晶片的加工方法进行说明。
图1表示半导体晶片10的剖面构造。如图1所示，半导体晶片10具有：主体部11；以及以包围主体部11的方式形成、且具有比主体部11大的厚度的成为外周部的缘部12。从主体部11的厚度方向观察到的半导体晶片10的形状是圆形状。半导体晶片10例如由包含硅(Si)的材料形成。在本实施方式中，半导体晶片10的外径例如为200mm左右。
在半导体晶片10形成有凹部13。凹部13通过对平板状的半导体晶片进行研磨而形成。由此，形成主体部11以及缘部12。缘部12构成比凹部13靠外方的部分。也就是，半导体晶片10的主体部11通过研磨而厚度比缘部12薄。换言之，缘部12以比主体部11厚的方式形成。
主体部11是形成有晶体管等半导体元件的区域。从主体部11的厚度方向观察到的主体部11的形状是圆形。半导体晶片10的主体部11的厚度例如为300μm以下。在一例中，半导体晶片10的主体部11的厚度为70μm以上且220μm以下。
主体部11具有在其厚度方向上相互朝向相反侧的第一面11s以及第二面11r。主体部11的厚度方向与“与第一面11s垂直的方向”相同。以后，将“从与第一面11s垂直的方向观察时”称为“俯视”。因此，俯视与“从主体部11的厚度方向观察时”相同。
第一面11s是作为设备的表面构造而形成有半导体元件的面。第一面11s作为平坦面而形成。因此，第一面11s可以说是元件形成区域。
第二面11r是形成有凹部13的一侧的面，作为平坦面而形成。第二面11r构成凹部13的底面。主体部11的厚度规定为第一面11s与第二面11r之间的距离。
缘部12具有比主体部11大的厚度，并且从主体部11的厚度方向观察时以环状包围主体部11，而且具有突出部12A，该突出部12A相对于主体部11的第二面11r在主体部11的厚度方向上向与第一面11s相反的方向突出。
在俯视时，突出部12A以包围主体部11的方式设置。在俯视时，突出部12A以与主体部11相邻的方式设置。突出部12A形成为环状。突出部12A具有在其厚度方向上相互朝向相反侧的第一面12s以及第二面12r。
第一面12s是朝向与主体部11的第一面11s相同的一侧的面。在本实施方式中，第一面12s具有与第一面11s成为同一面的部分。
第二面12r是朝向与主体部11的第二面11r相同的一侧的面。在俯视时，第二面12r以从主体部11的第二面11r隔开间隔的方式设置。第二面12r在主体部11的厚度方向上相对于主体部11的第二面11r向与第一面11s相反的一侧隔开间隔地配置。
在第二面12r与第二面11r之间设有倾斜面12ra。倾斜面12ra是将第二面12r与第二面11r连接的面。也就是，倾斜面12ra是构成突出部12A的面。另外，倾斜面12ra可以说是构成凹部13的内侧面的面。倾斜面12ra随着从第二面11r朝向第二面12r而向远离第一面12s的一侧倾斜。
突出部12A的厚度规定为第一面12s与第二面12r之间的距离。突出部12A的厚度例如为500μm以上。在一例中，突出部12A的厚度为600μm以上且720μm以下。缘部12为了提高半导体晶片10的强度来抑制半导体晶片10的翘曲而形成。由此，半导体晶片10的搬运变得容易。
这样的半导体晶片10在以预定的芯片尺寸切断之前从半导体晶片10切断并除去缘部12。在本实施方式中，半导体晶片10的加工方法具备半导体晶片准备工序、带粘贴工序、基座准备工序、设置工序、切断工序、除去工序、以及单片化工序。以下对各工序的详细进行说明。
(半导体晶片准备工序)
半导体晶片准备工序是准备图1所示的半导体晶片10的工序。在半导体晶片准备工序中，既可以通过纳入半导体晶片10来准备半导体晶片10、也可以通过研磨半导体基板来形成半导体晶片10。
(带粘贴工序)
带粘贴工序是在半导体晶片准备工序之后进行的工序。在带粘贴工序中，首先，准备粘贴有框架30的切割带20。在此，切割带20是“保持带”的一例。
如图2所示，在俯视时，框架30形成为环状。换言之，框架30形成为具有开口部31的平板状。俯视时的开口部31的形状为圆形。在本实施方式中，框架30的外缘具有四个平坦部32。四个平坦部32在绕框架30的中心的方向(圆周方向)上以等间隔配置。如图3所示，框架30具有在其厚度方向上相互朝向相反侧的第一面30s以及第二面30r。
如图2所示，切割带20以覆盖框架30的开口部31的方式粘贴于框架30。俯视时的切割带20的形状为圆形。切割带20的周缘部20A粘贴于框架30的内周端部。周缘部20A构成切割带20的外周端部。这样，切割带20的周缘部20A固定于框架30。切割带20由具有挠性的材料形成。如图3所示，切割带20具有在其厚度方向上相互朝向相反侧的第一面20s以及第二面20r。在本实施方式中，切割带20以切割带20的第一面20s与框架30的第二面30r相接的状态粘贴于框架30。这样，切割带20的第一面20s构成带粘贴面。另外，框架30的第一面30s是朝向与切割带20的第一面20s相同的一侧的面。框架30的厚度方向与切割带20的厚度方向一致。在本实施方式中，框架30的厚度比切割带20的厚度厚。框架30的厚度例如为1.2mm左右。
接着，在粘贴工序中，在半导体晶片10的主体部11的第二面11r(参照图1)粘贴切割带20。在一例中，首先，以在腔室(省略图示)内设置了半导体晶片10的状态对腔室内进行抽真空。在该状态下，将粘贴有框架30的切割带20粘贴于主体部11的第二面11r。然后，敞开腔室，返回大气压。
图4以及图5表示在半导体晶片10的主体部11的第二面11r粘贴有粘贴了框架30的切割带20的状态。
如图4所示，在俯视时，半导体晶片10配置于框架30的开口部31内。换言之，框架30以包围半导体晶片10的方式形成。也就是，框架30的内周具有能够收纳半导体晶片10的形状以及大小。半导体晶片10配置于切割带20的第一面20s。
如图5所示，切割带20以进入半导体晶片10的凹部13的方式变形。半导体晶片10可以说由粘贴有框架30的切割带20支撑。也就是，带粘贴工序是在半导体晶片10的第二面11r粘贴切割带20(保持带)来支撑半导体晶片10的工序。由切割带20支撑半导体晶片10的工序包含由固定于框架30的切割带20支撑半导体晶片10的工序。
切割带20粘贴于半导体晶片10中的主体部11的第二面11r以及缘部12的第二面12r。切割带20的第一面20s粘贴于主体部11的第二面11r以及缘部12的第二面12r这双方。另一方面，切割带20也可以不粘贴于半导体晶片10中的缘部12的倾斜面12ra。这样，切割带20具有粘贴于主体部11的主体粘贴部21和粘贴于缘部12的缘部粘贴部22。另外，切割带20具有将主体粘贴部21与缘部粘贴部22连接的倾斜部23。
主体粘贴部21粘贴于半导体晶片10的主体部11的第二面11r。缘部粘贴部22粘贴于半导体晶片10的缘部12中的突出部12A的第二面12r。缘部粘贴部22相对于主体粘贴部21隔开间隔地配置在与主体部11的第一面11s相反的一侧。倾斜部23随着从主体粘贴部21朝向缘部粘贴部22而从主体部11的第二面11r朝向缘部12的第二面12r倾斜。
切割带20具有从其厚度方向观察时比半导体晶片10的外缘更向外方伸出的伸出部24。伸出部24遍及半导体晶片10的外缘的整周而形成。伸出部24包含切割带20的径向上的作为半导体晶片10的外缘与框架30之间的部分的带外周部25。如图4所示，在俯视时，带外周部25从半导体晶片10以及框架30这双方露出。在本实施方式中，伸出部24由带外周部25和切割带20的周缘部20A构成。如图5所示，切割带20的周缘部20A是在俯视时切割带20中的与框架30重叠的部分。
如图5所示，在本实施方式中，切割带20的带外周部25的径向的长度LP比缘部12的宽度WR长。在此，带外周部25的径向的长度LP在俯视时是切割带20的径向上的切割带20中的半导体晶片10的外缘与框架30的内周之间的距离。另外，缘部12的宽度WR在俯视时是半导体晶片10的径向上的缘部12的长度。另外，在本实施方式中，框架30的厚度比半导体晶片10的缘部12的厚度厚。框架30的内径例如是250mm左右。因此，切割带20的带外周部25的径向的长度LP例如是25mm左右。此外，在以后的说明中，将粘贴有固定于框架30的切割带20的半导体晶片10、换言之通过带粘贴工序制造出的半导体晶片10设为“晶片单元10U”。
(基座准备工序)
基座准备工序是准备进行设置工序以及切断工序的加工装置40的工序。图6以及图7表示进行设置工序以及切断工序的加工装置40的一例。图8是表示图7的加工装置40的8－8线的剖面构造的剖视图。
如图6以及图7所示，加工装置40具备设置晶片单元10U(参照图4)的基座41。基座41具有支撑晶片单元10U的载置台部42、以及设置在比载置台部42靠外周侧的外周部43。在本实施方式中，基座41的外周部43以能够设置具有预定的厚度的间隔物44的方式构成。更详细而言，在外周部43中的预定位置安装有间隔物44。
俯视时的基座41的形状是四个拐角的角弯曲的矩形形状。在基座41设有载置台部42以及间隔物44。基座41具有表面41s。基座41的表面41s包含外周部43的表面。在本实施方式中，基座41的表面41s是朝向铅垂方向的上方的面。
载置台部42设于基座41的中央部，间隔物44设于基座41的外方部。间隔物44相对于载置台部42空出间隔地配置于外方。
载置台部42具有支撑面42s。支撑面42s朝向与基座41的表面41s相同的一侧。载置台部42的支撑面42s是载置半导体晶片10的面。载置台部42的支撑面42s可以说是支撑半导体晶片10的面。通过在支撑面42s载置半导体晶片10，从而半导体晶片10由载置台部42支撑。
从与基座41的表面41s垂直的方向观察到的(即俯视时的)载置台部42的形状是圆形。载置台部42具有吸附部42A和周围部42B。
吸附部42A例如由多孔质材料形成。在半导体晶片10载置于吸附部42A的情况下，通过由设于基座41的吸引部吸引吸附部42A，从而半导体晶片10被吸附于吸附部42A。俯视时的吸附部42A的形状是圆形。吸附部42A形成载置台部42的大部分。
周围部42B以包围吸附部42A的方式形成。俯视时的周围部42B的形状是圆环状。周围部42B例如由金属材料形成。周围部42B的上表面与吸附部42A的上表面为同一面(参照图8)。周围部42B的上表面以及吸附部42A的上表面构成载置台部42的支撑面42s。
在本实施方式中，在俯视时，间隔物44形成为间歇状。更详细而言，间隔物44设有多个(在本实施方式中为四个)。多个间隔物44在俯视时在基座41的表面41s的绕中心的方向(圆周方向)上相互空出间隔地配置。在基座41的四个拐角分别设有间隔物44。在本实施方式中，各间隔物44与基座41分体地设置，安装于基座41的表面41s。此外，各间隔物44也可以与基座41一体地形成。
如图8所示，载置台部42以及间隔物44这双方从基座41立起。载置台部42以及间隔物44这双方可以说从基座41的表面41s向上方突出。也就是，基座41的表面41s成为比载置台部42的支撑面42s低的高度位置。因此，外周部43可以说具有比载置台部42的支撑面42s低的高度位置的表面。
在本实施方式中，以间隔物44的上表面44s的高度H2比载置台部42的支撑面42s的高度H1低的方式构成基座41。在此，间隔物44的上表面44s的高度H2是铅垂方向上的基座41的表面41s的高度位置与间隔物44的上表面44s的高度位置的差。载置台部42的支撑面42s的高度H1是铅垂方向上的基座41的表面41s的高度位置与载置台部42的支撑面42s的高度位置的差。在本实施方式中，载置台部42的支撑面42s的高度H1为5.5mm，间隔物44的上表面44s的高度H2为4.8mm。
(设置工序)
图9是表示在加工装置40上载置了晶片单元10U的状态。图10是在加工装置40上载置了晶片单元10U的状态的剖视图，是放大了缘部12及其周边的图。
如图9所示，设置工序是在带粘贴工序之后进行的工序，是将晶片单元10U设置于加工装置40的工序。具体而言，设置工序是将晶片单元10U以半导体晶片10的主体部11支撑于载置台部42的支撑面42s的方式设置于基座41的工序。在一例中，设置工序包括以下工序：以半导体晶片10的主体部11支撑于载置台部42、而且框架30支撑于外周部43的方式，将半导体晶片10设置于基座41。更详细而言，设置工序包括以下工序：以半导体晶片10的主体部11支撑于载置台部42、而且框架30支撑于间隔物44的方式，将半导体晶片10设置于基座41。
如图11所示，在设置工序中，以切割带20的主体粘贴部21的第二面20r与载置台部42的支撑面42s相接的方式，将晶片单元10U设置于载置台部42。更详细而言，切割带20中的主体粘贴部21的大部分与吸附部42A相接，主体粘贴部21的外周端部21A与周围部42B相接。也就是，吸附部42A支撑半导体晶片10的主体部11，周围部42B支撑主体部11的周缘部11A。在此，主体部11的周缘部11A是主体部11中位于比载置台部42的吸附部42A靠外方的部分。因此，主体部11的周缘部11A可以说是主体部11的外周部。这样，载置台部42支撑主体部11。在本实施方式中，主体部11的周缘部11A的外周端部位于比周围部42B靠外方。
如图10所示，半导体晶片10的缘部12配置于比载置台部42靠外方。切割带20的倾斜部23以及缘部粘贴部22这双方位于载置台部42靠外方，不与载置台部42的支撑面42s相接。缘部粘贴部22位于比主体粘贴部21靠基座41的表面41s的附近。换言之，缘部粘贴部22位于比载置台部42的支撑面42s靠基座41的表面41s的附近。除此以外，切割带20的伸出部24也位于比载置台部42靠外方，因此伸出部24不与载置台部42的支撑面42s相接。伸出部24位于比主体粘贴部21靠基座41的表面41s的附近。换言之，伸出部24位于比载置台部42的支撑面42s靠基座41的表面41s的附近。
如图10所示，各间隔物44配置于比半导体晶片10靠外方。在本实施方式中，各间隔物44空出间隔地配置于外周部43中比半导体晶片10的缘部12靠外方。换言之，载置台部42与各间隔物44经由缘部12的下方部分而隔开间隔。也就是，缘部12的下方部分可以说配置于载置台部42与各间隔物44之间。
在切割带20的缘部粘贴部22与基座41之间形成有间隙。具体而言，缘部粘贴部22的第二面20r位于比基座41的表面41s靠上方。也就是，在设置工序中，在半导体晶片10的缘部12以及切割带20的缘部粘贴部22这双方浮起的状态下，以半导体晶片10支撑于载置台部42的方式，将晶片单元10U设置于载置台部42。设置工序包括在缘部12的突出部12A与基座41的外周部43的表面(基座41的表面41s)隔开间隔的状态下，以主体部11支撑于载置台部42的方式将半导体晶片10设置于基座41的工序。
载置台部42的支撑面42s的高度H1比缘部12的突出部12A的突出长度HP大。换言之，载置台部42的支撑面42s的高度位置与基座41的表面41s(外周部43的表面)的高度位置的差比缘部12的突出部12A的突出长度HP大。由此，如图10所示，缘部12的第二面12r位于比基座41的表面41s(外周部43的表面)靠上方。除此以外，缘部粘贴部22的第二面20r位于比基座41的表面41s(外周部43的表面)靠上方。也就是，在缘部粘贴部22与基座41的表面41s(外周部43的表面)的铅垂方向之间形成有间隙。在此，突出部12A的突出长度HP是主体部11的厚度方向上的主体部11的第二面11r与突出部12A的第二面12r之间的距离。通过这样设定载置台部42的支撑面42s的高度H1，缘部粘贴部22的第二面20r位于比基座41的表面41s靠上方。
在本实施方式中，载置台部42的支撑面42s的高度H1与间隔物44的上表面44s的高度H2的差(H1－H2)比缘部12的突出部12A的突出长度HP小。换言之，载置台部42的支撑面42s的高度位置与间隔物44的上表面44s的高度位置的差比缘部12的突出部12A的突出长度HP小。此外，载置台部42的支撑面42s的高度H1与间隔物44的上表面44s的高度H2的差(H1－H2)能够任意变更。在一例中，载置台部42的支撑面42s的高度H1与间隔物44的上表面44s的高度H2的差(H1－H2)也可以为缘部12的突出部12A的突出长度HP以上。
如图10所示，在设置工序中，以框架30由间隔物44支撑的方式，将半导体晶片10设置于基座41。也就是，框架30可以说经由间隔物44而由外周部43支撑。在本实施方式中，间隔物44仅配置在与框架30对应的位置。也就是，本实施方式的间隔物44不具有延伸至比框架30靠内方的部分、或者配置于比框架30靠内方的部分。框架30以框架30的第二面30r与间隔物44的上表面44s相接的方式设置于间隔物44。在此，在本实施方式中，切割带20的周缘部20A设置于间隔物44。
带外周部25未支撑于间隔物44以及载置台部42而是浮起。也就是，在带外周部25与基座41的表面41s(外周部43的表面)之间形成有间隙。带外周部25可以说位于比基座41的表面41s靠上方。
在一例中，在将半导体晶片10设置于载置台部42、且将框架30设置于间隔物44的状态下，以切割带20的伸出部24沿与铅垂方向正交的水平方向延伸的方式，设定间隔物44的上表面44s的高度H2和载置台部42的支撑面42s的高度H1这双方。也就是，铅垂方向上的基座41的表面41s和缘部粘贴部22的第二面20r之间的距离与间隔物44的上表面44s的高度H2相等。
此外，间隔物44的上表面44s的高度H2以及载置台部42的支撑面42s的高度H1也可以分别设定为，在将晶片单元10U设置于载置台部42、且将框架30设置于间隔物44的状态下，切割带20的伸出部24沿相对于水平方向倾斜的方向延伸。也就是，也可以以铅垂方向上的基座41的表面41s和缘部粘贴部22的第二面20r之间的距离与间隔物44的上表面44s的高度H2不同的方式，分别设定间隔物44的上表面44s的高度H2以及载置台部42的支撑面42s的高度H1。
该情况下，切割带20的带外周部25的径向的长度LP(参照图5)优选比铅垂方向上的缘部粘贴部22的第二面20r和间隔物44的上表面44s的偏移量长。在一例中，带外周部25的径向的长度LP是25mm左右，上述偏移量为100μm以上且300μm以下。也就是，带外周部25的径向的长度LP为上述偏移量的10倍以上。此外，带外周部25的径向的长度LP能够任意变更，例如也可以为20mm以上且80mm以下。
(切断工序)
图11表示利用加工装置40切断半导体晶片10的情形。图12是由加工装置40切断半导体晶片10的状态的剖视图，是放大了缘部12及其周边的图。
如图11所示，切断工序是在设置工序之后进行的工序，是利用加工装置40从半导体晶片10的主体部11切断缘部12的工序。具体而言，切断工序是在半导体晶片10支撑于载置台部42(参照图12)的状态下切断主体部11的周缘部11A从而分离主体部11和缘部12的工序。在本实施方式中，在切断工序中，使用切割刀片45来切断半导体晶片10。更详细而言，在晶片单元10U设置于基座41的状态下，使用切割刀片45从主体部11的第一面11s侧切断半导体晶片10。
在一例中，如图12所示，首先，利用加工装置40的吸引装置(省略图示)，朝向吸附部42A吸引主体粘贴部21。由此，主体粘贴部21的第二面20r与吸附部42A的支撑面42s贴紧。另一方面，缘部12以及缘部粘贴部22如上所述是浮起的状态。也就是，缘部12以及缘部粘贴部22与载置台部42以及间隔物44的任一个都不接触。因此，在切断工序中，在与基座41的表面41s(外周部43的表面)垂直的方向上且在缘部粘贴部22与基座41的表面41s(外周部43的表面)之间形成有间隙。与基座41的表面41s(外周部43的表面)垂直的方向是与主体部11的厚度方向相同的方向。在本实施方式中，与基座41的表面41s(外周部43的表面)垂直的方向成为铅垂方向。缘部粘贴部22中与基座41的表面41s在铅垂方向上对置的部分的遍及切割带20的圆周方向的整体地在与基座41的表面41s的铅垂方向之间形成有间隙。另外，在切断工序中，带外周部25未支撑于载置台部42或者间隔物44而是浮起。
接着，利用切割刀片45从主体部11的第一面11s侧切断主体部11的周缘部11A。在此，被切断的周缘部11A是周缘部11A中由载置台部42的周围部42B支撑的部分。由此，缘部12被从主体部11切断。例如，如图11所示，通过基座41以载置台部42的中心为旋转中心进行旋转，从而切割刀片45以圆形状切断主体部11的周缘部11A。也就是，半导体晶片10被旋转切割。由此，主体部11与缘部12分离。
(除去工序)
图13表示除去工序的一例，表示通过切断工序将从主体部11分离的缘部12从切割带20剥离的情形。
除去工序是在切断工序之后进行的工序，是使缘部12从切割带20隔开间隔的工序。更详细而言，首先，从加工装置40向除去装置50搬运晶片单元10U。接着，以切割带20的主体粘贴部21的第二面20r与除去装置50的掩模台51相接的方式设有晶片单元10U。该情况下，缘部12以及缘部粘贴部22配置于比掩模台51靠外方。接着，设于除去装置50的紫外线照射部52从铅垂方向下方朝向掩模台51以及缘部粘贴部22照射紫外线。紫外线由掩模台51遮挡，因此不向主体部11照射而是向缘部粘贴部22照射。由此，缘部12能够从缘部粘贴部22剥离。并且，利用设于除去装置50的夹紧件(省略图示)，从缘部粘贴部22剥离从主体部11切断的缘部12。由此，半导体晶片10仅成为主体部11。
这样，从切断工序移至除去工序时，维持半导体晶片10在主体部11的厚度方向上的朝向。也就是，在切断工序以及除去工序这双方中，维持半导体晶片10的凹部13朝向铅垂方向下方的朝向。
(单片化工序)
图14表示单片化工序的一例，是将晶片单元10U设置于切割装置60的状态的立体图。
切割装置60与加工装置40相同，具备基座61和切断半导体晶片10的切割刀片63。基座61具备支撑半导体晶片10的载置台部(省略图示)、以及支撑框架30的间隔物62。基座61和晶片单元10U的位置关系与加工装置40的基座41和晶片单元10U的位置关系相同。因此，不需要使半导体晶片10的朝向反转等的工序。
单片化工序是在除去工序之后进行的工序，是将半导体晶片10以预定的芯片尺寸切断的工序。在单片化工序中，利用切割刀片63切断半导体晶片10的主体部11。更详细而言，首先，从除去装置50(参照图13)向切割装置60搬运晶片单元10U。接着，以切割带20的主体粘贴部21的第二面20r(参照图10)与切割装置60的载置台部相接、且框架30的第二面30r(参照图10)与间隔物62相接的方式设置晶片单元10U。接着，利用切割刀片63从半导体晶片10的主体部11的第一面11s切断半导体晶片10。
这样，从除去工序移至单片化工序时，维持半导体晶片10在主体部11的厚度方向上的朝向。也就是，在除去工序以及单片化工序这双方中，维持半导体晶片10的第二面11r朝向铅垂方向下方的朝向。因此，在切断工序以及单片化工序这双方中，从主体部11的第一面11s侧切断半导体晶片10。
(作用)
对本实施方式的作用进行说明。
图15以及图16分别是表示比较例的半导体晶片10的切断工序的说明图。在图15以及图16所示的比较例的半导体晶片10的切断工序中使用的加工装置40X中，间隔物44X以与载置台部42相邻的方式设置。也就是，从主体部11的厚度方向观察时，间隔物44X延伸至与缘部12重叠的位置。
图15以及图16所示的比较例的半导体晶片10的切断工序分别由设于间隔物44X的吸附孔44Y向间隔物44X吸引切割带20。因此，图15以及图16所示的比较例的半导体晶片10的切断工序分别成为切割带20的缘部粘贴部22与间隔物44X相接的状态。
图15表示半导体晶片10的缘部12中的突出部12A的突出长度HP比由间隔物44X的上表面44Xs与载置台部42的支撑面42s形成的阶梯差SX小的情况。阶梯差SX是铅垂方向上的间隔物44X的上表面44Xs的高度位置与载置台部42的支撑面42s的高度位置的差。
如图15所示，切割带20的伸出部24由吸附孔44Y向间隔物44X吸引，因此伸出部24与间隔物44X的上表面44Xs贴紧。由此，对半导体晶片10产生不需要的应力。更详细而言，缘部粘贴部22朝向间隔物44X被拉伸，因此半导体晶片10的缘部12朝向间隔物44X变形。其结果，载置台部42的周围部42B不吸附主体部11的周缘部11A，因此主体粘贴部21的外周端部21A从周围部42B的支撑面42s浮起。也就是，以主体部11的周缘部11A向上方成为突状的方式变形。在该状态下，若使用切割刀片45切断主体部11的周缘部11A，则有主体部11中比周缘部11A靠内方的部分破损的担忧。在此，主体部11的破损是指在主体部11产生裂纹、碎屑、或者碎片。
图16表示半导体晶片10的缘部12中的突出部12A的突出长度HP比由间隔物44X和载置台部42形成的阶梯差SX大的情况。与图15相同，通过间隔物44X的吸附孔44Y，切割带20的伸出部24向间隔物44X被吸引，伸出部24与间隔物44X的上表面44Xs贴紧。由此，缘部粘贴部22以及缘部12朝向间隔物44X被拉伸，对半导体晶片10产生不需要的应力。另一方面，突出部12A的突出长度HP比阶梯差SX大，因此通过来自缘部粘贴部22以及缘部12与间隔物44X相接的状态下的间隔物44X的反作用，主体部11的周缘部11A以及主体粘贴部21的外周端部21A从载置台部42的周围部42B浮起。在该状态下，若使用切割刀片45切断主体部11的周缘部11A，则有主体部11中比周缘部11A靠内方的部分破损的担忧。
为了抑制这样的主体部11的周缘部11A以及主体粘贴部21的外周端部21A的浮起，在比较例的半导体晶片10的切断工序中，需要突出部12A的突出长度HP与阶梯差SX相等的方式设定间隔物44X的高度。在此，间隔物44X的高度是间隔物44X的上表面44Xs的高度位置与基座41的表面41s的高度位置的差。其结果，根据突出部12A的突出长度HP不同的半导体晶片10的种类，需要多个种类的间隔物44X，与半导体晶片10的种类匹配的间隔物44X的种类的设定繁杂。另外，作业人员也有设定不与半导体晶片10的种类匹配的间隔物44X的种类的担忧。
在本实施方式中，缘部12以及缘部粘贴部22这双方是浮起的状态、也就是缘部12以及缘部粘贴部22这双方是与载置台部42以及间隔物44的任意都不接触的状态。除此以外，加工装置40如图15以及图16所示的比较例的加工装置40X那样不具有吸附孔44Y。因此，不向伸出部24施加使伸出部24与间隔物44贴紧那样的力。其结果，抑制如比较例的半导体晶片10的切断工序那样对半导体晶片10产生不需要的应力。由此，能够抑制主体部11的周缘部11A以及主体粘贴部21的外周端部21A这双方成为从载置台部42的周围部42B浮起的状态。因此，不需要准备与半导体晶片10的种类匹配的间隔物44的种类。
(效果)
根据本实施方式，可得到以下的效果。
(1)半导体晶片10的加工方法具备设置工序和切断工序。设置工序是将粘贴有切割带20的半导体晶片10在切割带20的缘部粘贴部22以及半导体晶片10的缘部12这双方浮起的状态下，以半导体晶片10的主体部11支撑于加工装置40的载置台部42的方式设置于载置台部42的工序。切断工序是在设置工序之后进行的工序，是在切割带20的主体粘贴部21由载置台部42的吸附部42A吸附的状态下，从主体部11分离缘部12的工序。
根据该结构，能够抑制在切断工序中因缘部12而对半导体晶片10产生不需要的应力。由此，能够抑制在切断半导体晶片10时在半导体晶片10的主体部11产生裂纹、碎屑、或者碎片。
(2)加工装置40的载置台部42的支撑面42s的高度位置与基座41的表面41s(外周部43的表面)的高度位置的差比半导体晶片10的缘部12中的突出部12A的突出长度HP大。
根据该结构，当晶片单元10U载置于载置台部42的支撑面42s时，即由载置台部42支撑半导体晶片10的主体部11时，能够从基座41的表面41s可靠地隔开间隔地配置缘部12。
(3)加工装置40的载置台部42以及间隔物44从基座41立起。间隔物44的上表面44s的高度H2比载置台部42的支撑面42s的高度H1低。间隔物44构成为设置粘贴于切割带20的框架30。
根据该结构，在半导体晶片10的主体部11设置于载置台部42、框架30设置于间隔物44的状态下，能够抑制框架30的第二面30r在铅垂方向上位于比缘部12的第二面12r靠上方。因此，能够抑制在切断工序中对半导体晶片10产生不需要的应力。
(4)在切断工序中，在缘部粘贴部22与基座41的表面41s的铅垂方向之间形成有间隙。
根据该结构，在切断工序中，缘部粘贴部22成为相对于基座41浮起的状态，因此能够抑制因缘部粘贴部22而对半导体晶片10产生不需要的应力。
(5)切割带20的带外周部25未支撑于载置台部42或者间隔物44而是浮起。
根据该结构，能够抑制因带外周部25而对半导体晶片10产生不需要的应力。
(6)切割带20的带外周部25的径向的长度LP比缘部12的宽度WR长。
根据该结构，能够减小载置台部42的支撑面42s的高度H1与间隔物44的上表面44s的高度H2的差(H1－H2)相对于预先设定的值有偏差而引起的在半导体晶片10产生的应力。因此，能够抑制在切断半导体晶片10时在半导体晶片10的主体部11产生裂纹、碎屑、或者碎片。
(7)半导体晶片10的加工方法还具备单片化工序。单片化工序是在除去通过切断工序从半导体晶片10切断的缘部12的除去工序之后进行的工序，是以预定的芯片尺寸切断半导体晶片10的工序。在切断工序以及单片化工序这双方中，从主体部11的第一面11s切断半导体晶片10。
根据该结构，在切断工序以及单片化工序中，由于不变更半导体晶片10在主体部11的厚度方向上的朝向，因此能够抑制追加变更半导体晶片10在主体部11的厚度方向上的朝向的设备以及工序。因此，能够抑制设备费用的增大并且能够抑制半导体晶片10的加工方法的工序数的增加。
[变更例]
上述实施方式是可取得本公开的半导体晶片的加工方法的方式的例示，并非意在限制该方式。本公开的半导体晶片的加工方法可取得与上述实施方式所例示的方式不同的方式。其一例是将上述实施方式的结构的一部分置换、变更、或者省略的方式、或者在上述实施方式中附加新的结构的方式。另外，以下的各变更例只要在技术上不矛盾则能够相互组合。在以下的各变更例中，对于与上述实施方式共用的部分，标注与上述实施方式相同的符号并省略其说明。
·在上述实施方式中，各间隔物44的形状能够任意变更。在一例中，如图17所示，各间隔物44也可以以与载置台部42相邻的方式设置。在图示的例子中，各间隔物44在俯视时从与半导体晶片10的缘部12对应的位置延伸至与框架30对应的位置。因此，各间隔物44也介于半导体晶片10的缘部12与基座41的表面41s(外周部43的表面)的铅垂方向之间。该情况下，在切断工序中，在切割带20的缘部粘贴部22与各间隔物44的铅垂方向之间形成有间隙。根据该结构，可得到与上述实施方式的效果相同的效果。
·在图17所示的变更例中，间隔物44也可以在俯视时形成为环状。该情况下，间隔物44可以说遍及基座41的外周部43的整体而形成。
·在上述实施方式中，切割带20的带外周部25的径向的长度LP能够任意变更。在一例中，带外周部25的径向的长度LP也可以为缘部12的宽度WR以下。
·在上述实施方式中，切割带20的带外周部25的至少一部分也可以由间隔物44支撑。该情况下，间隔物44仅与带外周部25相接，不进行如比较例的间隔物44X那样的吸附孔44Y的吸引。
·在上述实施方式中，框架30的形状能够任意变更。在一例中，也可以从框架30省略平坦部32。该情况下，从主体部11的厚度方向观察到的框架30的形状为圆环状。
·在上述实施方式中，四个间隔物44的配置位置不限于基座41的四个拐角，能够任意变更。
·在上述实施方式中，间隔物44的个数能够任意变更。
·在上述实施方式中，俯视时的间隔物44的形状能够任意变更。在一例中，如图18所示，间隔物44也可以在俯视时形成为环状。间隔物44相对于载置台部42向外方空出间隙地配置。间隔物44以包围载置台部42的方式形成。在图示的例子中，俯视时的间隔物44的形状是沿基座41的外周缘的环状。
·在上述实施方式中，间隔物44的高度位置能够任意变更。在一例中，间隔物44的高度位置也可以是与载置台部42的高度位置相同的位置。另外，在一例中，如图19所示，以在设置工序以及切断工序中不对半导体晶片10产生不需要的应力为前提，间隔物44的高度位置也可以是在铅垂方向上比载置台部42的高度位置更远离基座41的表面41s的位置。换言之，间隔物44的高度位置也可以比载置台部42的高度位置高。也就是，间隔物44的上表面44s的高度H2也可以比载置台部42的支撑面42s的高度H1高。在图示的例子中，间隔物44的上表面44s的高度位置是与半导体晶片10的主体部11的第一面11s的高度位置相同的位置。
该情况下，切割带20的带外周部25以随着朝向间隔物44而远离基座41的表面41s的方式倾斜。与上述实施方式相同，切割带20的周缘部20A被间隔物44的上表面44s与框架30夹入。
·在上述实施方式中，也可以从加工装置40省略间隔物44。该情况下，在设置工序中，框架30也可以与基座41的表面41s(外周部43的表面)相接。也就是，设置工序是包括以半导体晶片10的主体部11支撑于载置台部42、而且框架30支撑于外周部43的方式将半导体晶片10设置于基座41的工序。并且，在切断工序中，在半导体晶片10以半导体晶片10的主体部11支撑于载置台部42、而且框架30支撑于外周部43的方式设置于基座41的状态下，通过切断主体部11的周缘部11A来分离主体部11和缘部12。
·在上述实施方式的切断工序中，使用切割刀片45来切断半导体晶片10的主体部11的周缘部11A，但切断周缘部11A的方法不限于此。例如，也可以代替切割刀片45而使用激光来切断周缘部11A。另外，对于单片化工序也同样，也可以代替切割刀片63而使用激光来切断主体部11。
·在上述实施方式中，也可以从半导体晶片10的加工方法省略单片化工序。另外，也可以从半导体晶片10的加工方法省略除去工序。
在本公开中使用的“在～上”之类的用语只要没有根据上下文明确表示并非如此，则包含“在～上”和“在～的上方”的意思。因此，在本实施方式中，“A形成于B上”之类的表现的意思是A与B接触地直接配置于B上，但作为变更例，也可以是A不与B接触地配置于B的上方。即，“在～上”之类的用语不排除在A与B之间形成有其它部件的构造。
[附记]
以下记载能够从上述实施方式以及上述各变更例把握的技术的思想。此外，表示与各附记所记载的构成要素对应的实施方式的构成要素的符号。符号是为了辅助理解而作为例子示出的，各附记所记载的构成要素不应限定于由符号示出的构成要素。
(附记1)
一种半导体晶片的加工方法，是半导体晶片10的加工方法，具备以下工序：
准备具有主体部11和缘部12的半导体晶片10的工序，该主体部11具有形成有半导体元件的第一面11s以及朝向与上述第一面11s相反的一侧的第二面11r，该缘部12具有比上述主体部11大的厚度并且从上述主体部11的厚度方向观察时以环状包围上述主体部11，而且具有相对于上述主体部11的上述第二面11r向上述厚度方向上的与上述第一面11s相反的方向突出的突出部12A；
在上述半导体晶片10的上述第二面11r粘贴保持带20并支撑上述半导体晶片10的工序；
准备包含载置台部42以及外周部43的基座41的工序，该载置台部42具有用于支撑上述主体部11的支撑面42s，该外周部43具有比上述载置台部42的上述支撑面42s低的高度位置的表面41s；
将由上述保持带20支撑的上述半导体晶片10以上述主体部11支撑于上述载置台部42的上述支撑面42s的方式设置于上述基座41的工序；以及
在上述主体部11支撑于上述载置台部42的状态下，通过切断上述主体部11的周缘部11A来分离上述主体部11和上述缘部12的工序，
将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序包括在上述突出部12A与上述基座41的上述外周部43的上述表面41s隔开间隔的状态下，以上述主体部11支撑于上述载置台部42的方式将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序。
(附记2)
根据附记1所记载的半导体晶片的加工方法，
上述载置台部42的上述支撑面42s的高度位置与上述外周部43的上述表面41s的高度位置的差H1比上述缘部12的上述突出部12A的突出长度HP大。
(附记3)
根据附记1或2所记载的半导体晶片的加工方法，
上述保持带20的周缘部20A固定于环状的框架30，
上述框架30的内周具有能够收纳上述半导体晶片10的形状以及大小，
由上述保持带20支撑上述半导体晶片10的工序包括由固定于上述框架30的上述保持带20支撑上述半导体晶片10的工序，
将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序包括以上述主体部11支撑于上述载置台部42、而且上述框架30支撑于上述外周部43的方式将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序。
(附记4)
根据附记3所记载的半导体晶片的加工方法，
上述基座41的上述外周部43以能够设置具有预定的厚度的间隔物44的方式构成，
构成为，在上述间隔物44设置于上述外周部43的状态下，上述间隔物44的上表面44s的高度位置比上述载置台部42的上述支撑面42s的高度位置低，
将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序包括以上述主体部11支撑于上述载置台部42、而且上述框架30支撑于上述间隔物44的方式将上述半导体晶片10设置于上述基座41的工序。
(附记5)
根据附记4所记载的半导体晶片的加工方法，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序中，在与上述基座41的上述外周部43的上述表面41s垂直的方向上，在上述保持带20中的粘贴于上述缘部12的缘部粘贴部22与上述基座41的上述外周部43之间形成有间隙，
上述间隔物44配置于上述外周部43中比上述缘部12靠外方的位置。
(附记6)
根据附记5所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44仅配置在与上述框架30对应的位置。
(附记7)
根据附记6所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44从上述厚度方向观察时形成为环状。
(附记8)
根据附记6所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44从上述厚度方向观察时形成为间歇状。
(附记9)
根据附记4所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44也介于上述缘部12与上述外周部43之间，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序中，在与上述基座41的上述外周部43的上述表面41s垂直的方向上，在上述保持带20中的粘贴于上述缘部12的缘部粘贴部22与上述间隔物44之间形成有间隙。
(附记10)
根据附记9所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44从与上述缘部12对应的位置延伸至与上述框架30对应的位置，而且从上述厚度方向观察时形成为环状。
(附记11)
根据附记4～10任一项中所记载的半导体晶片的加工方法，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序中，上述保持带20中的上述缘部12与上述框架30之间的部分25未支撑于上述载置台部42或上述间隔物44而是浮起。
(附记12)
根据附记3～11任一项中所记载的半导体晶片的加工方法，
上述保持带20形成为圆形，
上述保持带20中的上述缘部12与上述框架30之间的部分25的径向的长度LP比上述缘部12的宽度WR长。
(附记13)
根据附记1～12任一项中所记载的半导体晶片的加工方法，
上述保持带20是切割带，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序中，使用切割刀片45来切断上述半导体晶片10。
(附记14)
根据附记13所记载的半导体晶片的加工方法，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序中，在上述载置台部42吸附上述保持带20、且上述外周部43未吸附上述保持带20的状态下切断上述半导体晶片10。
(附记15)
根据附记1～14任一项中所记载的半导体晶片的加工方法，
还具备以下工序：是在分离上述主体部11和上述缘部12的工序之后进行的工序，使上述缘部12与上述保持带20隔开间隔。
(附记16)
根据附记15所记载的半导体晶片的加工方法，
还具备以下工序：是在使上述缘部12与上述保持带20隔开间隔的工序之后进行的工序，将上述半导体晶片10以预定的芯片尺寸切断。
(附记17
根据附记16所记载的半导体晶片的加工方法，
在分离上述主体部11和上述缘部12的工序以及将上述半导体晶片10以预定的芯片尺寸切断的工序这双方中，从上述第一面11s切断上述半导体晶片10。
(附记18)
根据附记9所记载的半导体晶片的加工方法，
上述间隔物44从与上述缘部12对应的位置延伸至与上述框架30对应的位置，而且从上述厚度方向观察时形成为间歇状。
(附记19)
根据附记10或18所记载的半导体晶片的加工方法，
上述基座41中的上述载置台部42的上述支撑面42s的高度位置与上述间隔物44的上述上表面44s的高度位置的差比上述缘部12的上述突出部12A的突出长度HP大。
符号的说明
10U—晶片单元，10—半导体晶片，11—主体部，11A—周缘部，11s—第一面，11r—第二面，12—缘部，12A—突出部，12s—第一面，12r—第二面，12ra—倾斜面，13—凹部，20—切割带(保持带)，20A—周缘部，20s—第一面，20r—第二面，21—主体粘贴部，21A—外周端部，22—缘部粘贴部，23—倾斜部，24—伸出部，25—带外周部，30—框架，30s—第一面，30r—第二面，31—开口部，32—平坦部，40—加工装置，41—基座，41s—表面，42—载置台部，42A—吸附部，42B—周围部，42s—支撑面，43—外周部，44—间隔物，44s—上表面，45—切割刀片，50—除去装置，51—掩模台，52—紫外线照射部，60—切割装置，61—基座，62—间隔物，63—切割刀片，H1—载置台部的支撑面的高度，H2—间隔物的上表面的高度，HP—突出长度，LP—带外周部的径向的长度，WR—缘部的宽度。

Claims (17)

1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，具备以下工序：
准备具有主体部和缘部的半导体晶片的工序，该主体部具有形成有半导体元件的第一面以及朝向与上述第一面相反的一侧的第二面，该缘部具有比上述主体部大的厚度并且从上述主体部的厚度方向观察时以环状包围上述主体部，而且具有相对于上述主体部的上述第二面向上述厚度方向上的与上述第一面相反的方向突出的突出部；
在上述半导体晶片的上述第二面粘贴保持带来支撑上述半导体晶片的工序；
准备包含载置台部以及外周部的基座的工序，该载置台部具有用于支撑上述主体部的支撑面，该外周部具有比上述载置台部的上述支撑面低的高度位置的表面；
将由上述保持带支撑的上述半导体晶片以上述主体部支撑于上述载置台部的上述支撑面的方式设置于上述基座的工序；以及
在上述主体部支撑于上述载置台部的状态下，通过切断上述主体部的周缘部来分离上述主体部和上述缘部的工序，
将上述半导体晶片设置于上述基座的工序包括在上述突出部与上述基座的上述外周部的上述表面隔开间隔的状态下，以上述主体部支撑于上述载置台部的方式将上述半导体晶片设置于上述基座的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述载置台部的上述支撑面的高度位置与上述外周部的上述表面的高度位置的差比上述缘部的上述突出部的突出长度大。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述保持带的周缘部固定于环状的框架，
上述框架的内周具有能够收纳上述半导体晶片的形状以及大小，
由上述保持带支撑上述半导体晶片的工序包括由固定于上述框架的上述保持带支撑上述半导体晶片的工序，
将上述半导体晶片设置于上述基座的工序包括以上述主体部支撑于上述载置台部、而且上述框架支撑于上述外周部的方式将上述半导体晶片设置于上述基座的工序。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述基座的上述外周部以能够设置具有预定的厚度的间隔物的方式构成，
构成为，在上述间隔物设置于上述外周部的状态下，上述间隔物的上表面的高度位置比上述载置台部的上述支撑面的高度位置低，
将上述半导体晶片设置于上述基座的工序包括以上述主体部支撑于上述载置台部、而且上述框架支撑于上述间隔物的方式将上述半导体晶片设置于上述基座的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
在分离上述主体部和上述缘部的工序中，在与上述基座的上述外周部的上述表面垂直的方向上，在上述保持带中的粘贴于上述缘部的缘部粘贴部与上述基座的上述外周部之间形成有间隙，
上述间隔物配置于上述外周部中比上述缘部靠外方的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述间隔物仅配置在与上述框架对应的位置。
7.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述间隔物从上述厚度方向观察时形成为环状。
8.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述间隔物从上述厚度方向观察时形成为间歇状。
9.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述间隔物也介于上述缘部与上述外周部之间，
在分离上述主体部和上述缘部的工序中，在与上述基座的上述外周部的上述表面垂直的方向上，在上述保持带中的粘贴于上述缘部的缘部粘贴部与上述间隔物之间形成有间隙。
10.根据权利要求9所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述间隔物从与上述缘部对应的位置延伸至与上述框架对应的位置，而且从上述厚度方向观察时形成为环状。
11.根据权利要求4～10任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
在分离上述主体部和上述缘部的工序中，上述保持带中的上述缘部与上述框架之间的部分未支撑于上述载置台部或者上述间隔物而是浮起。
12.根据权利要求3～11任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述保持带形成为圆形，
上述保持带中的上述缘部与上述框架之间的部分的径向的长度比上述缘部的宽度长。
13.根据权利要求1～12任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
上述保持带是切割带，
在分离上述主体部和上述缘部的工序中，使用切割刀片来切断上述半导体晶片。
14.根据权利要求13所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
在分离上述主体部和上述缘部的工序中，在上述载置台部吸附上述保持带、且上述外周部未吸附上述保持带的状态下切断上述半导体晶片。
15.根据权利要求1～14任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
还具备以下工序：是在分离上述主体部和上述缘部的工序之后进行的工序，使上述缘部从上述保持带隔开间隔。
16.根据权利要求15所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
还具备以下工序：是在使上述缘部从上述保持带隔开间隔的工序之后进行的工序，将上述半导体晶片以预定的芯片尺寸切断。
17.根据权利要求16所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
在分离上述主体部和上述缘部的工序以及将上述半导体晶片以预定的芯片尺寸切断的工序这双方中，从上述第一面切断上述半导体晶片。
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