DE304857C - - Google Patents

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DE304857C
DE304857C DE1916304857D DE304857DD DE304857C DE 304857 C DE304857 C DE 304857C DE 1916304857 D DE1916304857 D DE 1916304857D DE 304857D D DE304857D D DE 304857DD DE 304857 C DE304857 C DE 304857C
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE752280C (de) * 1941-03-18 1953-05-26 Gustav Weissenberg Verfahren zur Darstellung von reinstem Silicium
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
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DE1180353B (de) * 1956-11-05 1964-10-29 Plessey Co Ltd Verfahren zum Herstellen kristallinen Siliciums hoechster Reinheit
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