DE1592117A1 - Verfahren zur Herstellung von haarfeinen alpha-Aluminiumoxydkristallteilchen und Geraet zur Durchfuehrung dieser Verfahren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von haarfeinen alpha-Aluminiumoxydkristallteilchen und Geraet zur Durchfuehrung dieser VerfahrenInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von haarfeinen cC-Aluminiumoxydkristallteilchen
und Gerät zur Durchführung dieser Verfahren.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf verbesserte Verfahren zur Herstellung von haarfeinen OC-Aluminiumoxydkristallteilchen.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf Verfahren zur Steuerung der Geschwindigkeit und des
Wirkungsgrades eines Verfahrens, bei dem haarfeine «T-Aluminiumoxydkristal1
teilchen hergestellt werden.
Haarfeine Aluminiumoxydkristall teilchen sind lange, dünne MikrokristaJ le mit einem ot-AlurainiumoxydkristallgefUge.
Wegen der hohen Festigkeit und ausgezeichneten Temperatur-
8 MÖNCHEN 2, THERESIENSTRASSE 33 · T»l«fon>
292102 · T«l»gramm-Adrtn·, Lipatli/München
Bankv.rbindunfi.n. D.utiA· Bank AO, Filial· MOndwi, D»p.-KasM Viktuoli.nmarkt, Konto-Nr. 70/30 «38
Boy«·. V»r«inibank MQndwn, Zwtigtt. Oskar-von-Milltr-Ring, Kto.-Nr. N2495 · foilich.ck-Konto. MOndwn Nr. 161397
lOra: PATENTANWALT OR. REINHOLD SCHMIDT
bad ORiGiNAt 0098Λ4/1343
beständigkeit von ac-Aluminiumoxyd sind diese haarfeinen
Kristallteilchen als verstärkende Bestandteile von Verbundstoffen außerordentlich wünschenswert. Die in der Technik
bekannten Verfahren zur Herstellung von haarfeinen tX-Aluminiumoxydkristal!teilchen
sind jedoch sehr zeitraubend und haben hinsichtlieh der Mengen des gewünschten Produktes und der
unerwünschten Nebenprodukte, die bei diesen Verfahren erzeugt werden, einen geringen Wirkungsgrad.
Zum Beispiel ist seit einiger Zeit bekannt, daß haarfeine Oc-Alurainiumoxydkristallteilchen durch Umsetzung von
Aluminium in einer geschlossenen Kammer mit einem sauerstoffhaltigen, feuerfesten Stoff wie z.B. Siliziumoxyd, bei einer
Temperatur von mehr als I300 C erzeugt werden können. Im
allgemeinen wird bei derartigen Verfahren eine Aluminiumfüllung in einem Gefäß, das aus reinem Aluminiumoxyd, Siliziumoxyd
usw. besteht, in einer Reaktionskammer angeordnet. Wasserstoff
oder ein Inertgas wird in die Reaktionskammer eingeführt und die Reaktionskammer wird auf eine Temperatur von
über 13000C erwärmt. Nach einer Verzögerung von mehreren
Stunden, während der sich Nebenprodukte aus Aluminiumoxyd bilden, d.h. Aluminiumoxyd, welches nicht die Form von haar-Leinen
QC-Kristallteilchen hat, beginnen sich dann meßbare
Mengen an haarfeinen Öt-Aluminiumoxydkristallteilchen zu
bilden. Diese Verzögerung oder unproduktive Zeitspanne, die der produktiven Zeitspanne eines typischen in der Technik
bekannten Verfahrens vorausgeht, kann bis zu 2/3 der gesamten Reaktionszeit betragen.
Ö098U/1343 BAD OWGlNAL
'Ζ _
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird bei einem sonst üblichen Verfahren gemäß dem Stand der Technik
der oben beschriebenen Art die Menge des für die Reaktion zur Herstellung der haarfeinen oc-Aluminiumoxydkristallteilchen
zur Verfugung stehenden Aluminiumdampfes begrenzt oder die örtliche Konzentration des Aluminiumdampfes in
dem Dampfphasen—Reaktionsraum begrenzt. Gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird zwischen der Aluminiumdampfquelle und der Quelle für den sauerstoffhaltigen
Reaktionsteilnehmer eine physikalische Abschirmung angebracht. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung
werden die Aluminiumquelle und die sauerstoffhaltige
feuerfeste Quelle getrennt auf bestimmte Temperaturen erwärmt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung
wird das obige Verfahren in Gegenwart von elementarem Eisen durchgeführt.
Es sei darauf hingewiesen, daß ferner auch Kombinationen der oben genannten Verfahren ebenso angewandt werden können,
wie weitere Verfahren, die zur Erzielung des gleichen Ergebnisses entwickelt werden können.
Die vorliegende Erfindung geht deutlicher aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den
beigefügten Zeichnungen hervor, in denen
Fig. 1 eine teilweise aufgeschnittene Ansicht eines
Gerätes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist,
009844/1343
1 CC
C)? 1 1
Fig. 2 ein Teilquerschnitt eines Teils des in Fig. 1 gezeigten Gerätes zusammen mit den Reaktionsteilnehmern und
den erfindungsgemäß in diesem Gerät erzeugten Produkten ist,
Fig. 3 eine schematische Darstellung des bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendeten
Gerätes ist und
Fig. k ein Diagramm der Erzeugung von haarfeinen
Teilchen, bezogen auf die Zeit, bei verschiedenen Verfahren zur Herstellung von haarfeinen Kristallteilchen.
In Fig. i ist ein aus Aluminiumoxyd bestehendes Gefäß 1 gezeigt, das geschmolzenes Aluminium 2 enthält. Das Gefäß
1 befindet sich in einer Reaktionskammer 3, die zum Zwecke der Veranschaulichung aufgeschnitten ist und entweder aus
einem sauerstoffhaltigen feuerfesten Stoff oder einem nichtreagierenden
Stoff mit einer sauerstoffhaltigen feuerfesten Auskleidung besteht. Eine typische Kammer 3 kann aus MuI lit
oder einem anderen ähnlichen siliziumhaltigen Stoff gebildet werden. Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung
wird die Reaktion zwischen den Dämpfen eines sauerstoffhaltigen feuerfesten Stoffes wie z.B. Siliziumoxyd und
Aluminium zur Herstellung von haarfeinen !X-Aluminiumoxydkristallteilchen
durch eine physikalische Abschirmung k gefördert, die die Dämpfe der lledstionsteilnehmer teilweise
voneinander trennt und dadurch die Menge des für die Reaktion zur Verfugung stehenden Aluminiumdampfes begrenzt. Andererseits
kann die Funktion der Abschirmung k auch so angesehen
009844/1343
BAD
159? 11 7
werden, daß dadurch die örtliche Konzentration des Aluminiumdampfes
in dem Dampfphasenreaktionsraum dadurch begrenzt wird, daß der Durchgang von Aluminiumdampf von dem geschmolzenen
Aluminium 2 in den Dampfphasenreaktionsraum gesteuert wird. Wie weiter unten bei der bevorzugten Ausführungsform dieses
Beispiels der vorliegenden Erfindung beschrieben wird, besteht die Abschirmung 4 aus Eisen. Das in Fig. 1 dargestellte
Gerät weist ferner Siliziumkarbid-Widerstandsheizvorrichtungen 5 auf, mit denen das Gerät auf die gewünschte Temperatur
erwärmt wird, sowie eine nicht dargestellte Vorrichtung, mittels derer eine Wasserstoff- oder Schutzgasatmosphäre in der
Kammer 3 auf normalem Druck oder etwas darüber gehalten
wird.
Fig. 2 zeigt die Wirkung einer physikalischen Abschirmung, wie der in Fig. 1 gezeigten, auf die Anordnung von Reaktionsprodukten
in dem in Fig. 1 gezeigten Gerät. Fig. 2 ist ein Teilquerschnitt, der das Gefäß 1, das geschmolzene Aluminium
2 und die physikalische Abschirmung k zeigt; außerdem sind die Reaktionsprodukte dargestellt. Insbesondere sind das
Aluminiumoxyd-Nebenprodukt 6, das das geschmolzene Aluminium bedeckt, und die haarfeinen ^-Aluminiumoxydkrista 11teilohen
gezeigt, die von dem geschmolzenen Aluminium in der allgemeinen Richtung auf die Quelle für den Dampf des sauerstofffhaltigen
feuerfesten Stoffes herauswachsen.
Die vorherrschende Ausrichtung dieser haarfeinen Kristallteilchen in Richtung auf die Ränder der physikalischen Ab
schirmung h, wie ele in Fig. 2 gezeigt ist, zeigt deutlich
009844/1343 bad original
den bestimmten Einfluß der Abschirmung auf das Wachstum der haarfeinen Kristallteilchen.
Wenngleich nur eine Ausführungsform des Gerätes und
eine Art einer physikalischen Abschirmung veranschaulicht sind, ist es ersichtlich, daß ein Gerät mit anderen geometrischen
Formen physikalische Abschirmungen erfordern kann, die anders ausgebildet oder angeordnet sind, um das
gleiche Ergebnis zu erzielen.
Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden
Erfindung wird ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von α-Aluminiumoxydkristallteilchen geschaffen. Ein derartiges
Verfahren verwendet ein Gerät, wie es schematisch in Fig. 3 veranschaulicht ist.
In Fig. 3 sind eine Reaktionskammer 8 sowie Kammern 9 und 10 für die Verdampfung der Reaktionsteilnehmer gezeigt.
Die Kammern 9 und 10 für die Verdampfung der Reaktionsteilnehmer enthalten eine Aluminiumquelle bzw. eine Quelle
für sauerstoffhaltigen feuerfesten Stoff wie z.B. Siliziumoxyd, Widerstandsheizvorriehtungen 11, 12 und 13 sind vorgesehen,
um die Verdampfung der Reaktionsteilnehmer in den entsprechenden Verdampfungskammern 9 und 10 zu bewirken und
eine hohe Temperatur in der Reaktionskammer 8 aufrecht zu
erhalten. Ferner sind Mittel 14 für die Überführung der
Dämpfe der Raaktiortsteilnehmer aus den Verdampfungskaraern
in die ReakiInnskammer vorgesehen. Wenngleich In Fig. 3 nicht
dargestellt, können ferner Mittel vorgesehen rfcin, ua ein
Schutzgas oder Wasserstoff unter etwa normale» Druck oder
0098U/1343 BADORiGINAl
einem geringfügig über dem normalen Druck liegenden Druck dureh das in Fig. 3 schematiseh gezeigte Gerät zur Herstellung
von haarfeinen Kristallteilchen zu schicken. Dieses Gas kann durch die Verdampfungskammern geschickt werden,
um die Überführung der Dämpfe der lleaktionsteilnehmer in
die Reaktionskammer zu unterstützen.
Bei einer derartigen Anlage, bei der Aluminium und Siliziumoxyd als Reaktionsteilnehmerstoffe verwendet werden,
wird das Aluminium auf etwa 12000C und das Siliziumoxyd
auf etwa 1500°C erwärmt. Es wurde festgestellt, daß die Dampfdrücke dieser Stoffe bei diesen Temperaturen so sind,
daß ein wünschenswerter Anteil der Dämpfe der Reaktionsteilnehmer in der Hauptreaktionskammer auftritt, in der
die Dämpfe bei einer Temperatur von etwa 1300 C miteinander reagieren.
Während bei vielen Stoffen,die bei der Bildung von haarfeinenÄ-Aluminiumoxydkristallteilchen verwendet werden,
Eisen als Verunreinigung auftritt, schrieb man dem Eisen bisher noch keine katalytische Wirkung auf die Reaktion zu,
bei der haarfeine <X*-Aluminiumoxydkri stall teilchen erzeugt
werden. Es ist jetzt festgestellt worden, daß elementares Eisen einen entschieden günstigen Einfluß auf diese Reaktion
hat. .Die genaue Art dieses Einflusses ist nicht bekannt, aber
es können mehrere Erklärungen dafür gegeben werden. Beispielsweise kann Eisen das Kristallwachstum an der Spitze
eines oc-Aluminiumoxydkristalls fördern oder das Kristallwachstum
009844/1343
an den Seiten des Kristalls hemmen. In jedem dieser Fälle bestünde die Neigung zur Bildung langer und f einer <»c-Aluminiumoxydkristalle.
Eine andere mögliche Erklärung wäre, daß Eisen als Katalysator wirkt, der das Auftreten von mehr
kernbildenden Vorgängen hervorruft. Da eine Erhöhung der Anzahl von kernbildenden Vorgängen eine größere Verteilung
des verfügbaren Wachstumstoffes bewirkt, werden mehr haar-
w feine Kristallteilcheii gebildet. Ferner sind die haarfeinen
Kristallteilchen von einheitlicherer Größe, und jedes einzelne haarfeine Kristallteilchen ist weniger der Möglichkeit
des Überwachstums ausgesetzt. Diese möglichen Erklärungen sind jedoch weder bewiesen noch widerlegt.
Hinsichtlich der makroskopischen Beobachtungen, die zu dem Schluß führen, daß elementares Eisen einen günstigen
Einfluß auf die zur Bildung von haarfeinen ot-Aluminiumoxydkristallteilchen
führende Reaktion hat, ist es bekannt, daß bei der Herstellung von ot-Aluminiumoxydkristallteilchen durch
Erwärmung einer Aluminiumfüllung in einem Gefäß aus feuerfestem Stoff in einer rohrförmigen, Siliziumoxyd enthaltenden
feuerfesten Reaktionskammer auf eine Temperatur über 13OO C,
das Produkt im allgemeinen von schlechter Qualität ist und daß die Formen und Größen der gebildeten haarfeinen Kristallteilchen
willkürlich verteilt sind. Diese Eigenschaften gehen
aus der normalen Betrachtung des Produktes eindeutig hervor. Bei diesen Verfahren ist Eisen entweder gar nicht oder nur
als eine Verunreinigung in den feuerfesten Stoffen vorhanden.
0098/»A/1343 BAD
Venn dieselben Verfahren dann mit einer Abschirmung oder einem Bauteil durchgeführt werden, daß aus elementarem
Eisen besteht und in Nähe der Aluminiumfüllung angebracht
ist, ergibt sich ein erheblich verbessertes Produkt. Insbesondere weist das Produkt eine reichhaltige Menge an
c^-Aluminiumoxydkristallteilchen von hoher Güte auf, die
sowohl hinsichtlich der Form als auch der Größe in hohem Maße einheitlich sind. Auch diese verbesserte Güte und Menge
ist durch normale Betrachtung des Produkts erkennbar.
Diese Ergebnisse sind in einem Gerät erzielt worden, das als lleaktionskammer ein 7,5 cm-Mullitrohr, eine Einrichtung
zur Aufrechterhaltung einer Wasserstoff- oder Schutzgasatmosphäre in der Kammer, Mittel zur Erwärmung
der Kammer auf über 13000C und ein Gefäß mit einer Aluminiumfüllung
aufwies.
Bei einigen Versuchen wurde das elementare Eisen in das Verfahren einbezogen, ih-dem man ein aus Eisen bestehendes
Gefäß verwendete. Bei anderen Versuchen wurde ein aus Aluminiumoxyd bestehendes Gefäß verwendet und eine aus Eisen
bestehende Abschirmung wurde in dem Gerät über der Aluminiumfüllung angebracht. Zu Vergleichszwecken wurden ähnliche
Versuche ohne die Gegenwart von Eisen und mit Abschirmungen
durchgeführt, die aus anderen Stoffen als elementarem Eisen, z.B. Aluminiumoxyd, Tantal und Molybdän, bestanden. Bei
diesen Versuchen wurde ein Produkt erzeugt, das sowohl mengenmäßig
als auch gütemäßig dem unter Verwendung des Eisengefäßes
oder der Eisenabschirmung erzeugten Produkt unterlegen war.
009844/1343 "AD
Dies bestätigte erneut den günstigen Einfluß von elementarem Eisen auf die Reaktion, bei der haarfeine Kristallteilchen
erzeugt werden.
Die gemäß der vorliegenden Erfindung erzielten verbesserten Ergebnisse können durch einen Vergleich von
typischen Ergebnissen der erftidungsgemäßen Verfahren mit
den Ergebnissen der bekannten Verfahren veranschaulicht werden. In Fig. 4 ist eine Kurve A dargestellt, die das
Verhältnis zwischen der Produktionsmenge von haarfeinen «x^-Aluminiumoxydkristallteilchen ( in Milligramm) zur Zeit
für ein typisches Verfahren gemäß dem Stand der Technik unter Verwendung einer Aluminiummenge von 50 Gramm darstellt.
Dieses Verhältnis wurde bei einem Gerät festgestellt, das von dem in Fig. 1 dargestellten Gerät nur in
sofern abwich, als die Abschirmung über der Aluminiumquelle weggelassen war. Die Reaktionskammer war ein Mullitrohr mit
einem Innendurchmesser von 6,35 cm. Ein Aluminiumgefäß mit ' einer Länge von 20 cm, einer Breite von 5 cn und einer Tiefe
von 2,5 cm wurde verwendet. Aus der Kurve A ist ersichtlich, daß bei diesem Verfahren eine nennenswerte Erzeugung von
haarfeinen oc-Aluminiumoxydkristallteilchen erst während der
letzten wenigen Stunden der Gesamtreaktionszeit von 15 Stunden stattfindet. Während der langen Verzögerungszeit, die der
produktiven Zeitspanne vorangeht, wird ein Aluminiumoxyd-Nebenprodukt, d.h., Aluminiumoxyd in anderer Form als in
Form von haarfeinen OC-Aluminiumoxydkristallteilchen, auf der
Oberfläche des geschmolzenen Aluminiums gebildet.
009844/13 43 " BAD OBiGiNAt
Es wird nun angenommen, daß die auf dem geschmolzenen Aluminium abgelagerten Aluminiumoxydteile die Verdampfung
des Aluminiums hemmen. Venn genügend abgelagerte Aluminiumoxydteile
gebildet worden sind, um die Menge des für die Reaktion zur Verfugung stehenden Aluminiumdampfes zu begrenzen,
beginnen sich die haarfeinen oc-Aluminiumoxydkristallteilchen
zu bilden. Nach 15 Stunden wird dann für gewöhnlich bei derartigen.
Verfahren ein Abfall der Erzeugung von haarfeinen Kristallteilchen beobachtet. Dies wird der Anhäufung eines
Übermaßes an auf dem geschmolzenen Aluminium abgelagerten Aluminiumoxydteilchen zugeschrieben, durch die die Verdampfung
des Aluminiums fast vollständig unterdrückt wird.
Die Kurve B, die das Verhältnis der Erzeugung zur Zeit
darstellt,wie es .bei Versuchen beobachtet worden ist, die
den durch die Kurve A dargestellten Versuchen gleich waren, mit der Abweichung, daß an dem Gefäß zusätzlich die Abschirmung
angebracht wurde, zeigt die deutlich erhöhte Ausbeute, die bei Verwendung eines derartigen Geräts erzielbar ist. Insbesondere
ist zu bemerken, daß, wenngleich die Verzögerungszeit, während der die Ablagerung von anderen Aluminiumoxydteilchen
offensichtlich gebildet wird, noch immer vorhanden ist, die physikalische Abschirmung offensichtlich die örtliche
Konzentration des in dem Reaktionsraum verfügbaren Aluminiumdampfes begrenzt, wodurch eine reichhaltigere Erzeugung von
haarfeinen Kristallteilchen und eine verringerte Bildung von Nebenprodukten bewirkt wird, nachdem die zur Bildung der haarfeinen
Kristall teilchen führende Reaktion begonnen hat. Dies
BAD ORIGINAL
0098/, A/13 4 3
wiederum erhöht die Ausbeute an haarfeinen Kristallteilchen, indem es die Bildung von übermäßigen Ablagerungen von Nebenprodukt
auf der Oberfläche des geschmolzenen Aluminiums verzögert.
Noch bessere Ergebnisse werden erzielt, wenn man den Grundgedanken der vorliegenden Erfindung durch das in Fig. 3
schematise!! veranschaulichte Verfahren verwirklicht. Eine
Kurve, die das Verhältnis der Erzeugung zur Zeit für diese
Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht, ist als Kurve C in Fig. 4 dargestellt. Diese Kurve C zeigt den typischen
Verlauf von Versuchen, bei denen das Aluminium auf etwa 1200 C und das Siliziumoxyd auf etwa 1500 C erhitzt werden und diese
Dämpfe dann bei etwa 1300°C umgesetzt werden. Wie aus dieser Kurve hervorgeht, ist die Verzögerungszeit bei der Erzeugung
von haarfeinen Kristallteilchen in wirkungsvoller Weise ausgeschieden, und die Gesamtausbeute ist erheblich erhöht. Da
die Verzögerungszeit im allgemeinen durch die Bildung von Aluminiumoxyd-Ablagerungen bestimmt wird, führt die Ausscheidung
dieser Verzögerung zu einem allgemein wirkungsvolleren Verfahren, bei dem ein sehr viel größerer Teil des Aluminiums
in haarfeine Kristallteilchen umgewandelt und ein sehr viel
kleinerer Toil in Nebenprodukte aus Aluminiumoxyd umgewandelt
wird. Diese wirkungsvolle und praktisch augenblicklich stattfindende
Reaktion tritt auf, weil die dampfförmigen Keaktionsteilnehmer
sich in eiuem günstigeren Verhältnis für die Kernbildung und für das Wachstum von haarfeinen vX-Aluminiumoxydkrista
11 teilohen zueinander befinden.
Π 0 9 8 /, A / 1 3 h 3 BAD 0RIG1NAL
Somit verdeutlichen es die in Fig. Ί gezeigten Kurven, die
das bisher bekannte Verfahren und das verbesserte Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, daß durch
die vorliegende Erfindung erheblich verbesserte Verfahren für die Erzeugung von haarfeinen'Xr-Alurainiumoxydkristallteilchen
geschaffen werden.
BAD
f) O 9 R Λ A / η h 3
f) O 9 R Λ A / η h 3
Claims (10)
1. Verfahren zur Erzeugung von haarfeinen «X-Aluminiumoxydkristallteilchen,
bei dem Aluminium und ein sauerstoffhaltiger feuerfester Stoff in einer Wasserstoff- oder Schutzgasatmosphäre
auf liber 130O0C erwärmt werden, so daß die
Dämpfe in einem Dampfphasenreaktionsraum miteinander reagieren,
dadurch gekennzeichnet, daß man die örtliche Konzentration des Aluminiumdampfes in dem Dampfphasenreaktionsraum begrenzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Aluminium auf eine Temperatur von etwa 1200 C zur Bildung von verdampftem Aluminium erwärmt wird, daß der sauerstoffhalfcige
Stoff getrennt von dem Aluminium auf etwa 1500 C zur Bildung des sauerstoffhaltigen Dampfes erwärmt wird, und
daß die Dämpfe dann bei einer Temperatur von mehr als ijOO C
zusammengebracht und umgesetzt werden.
0 0 9 P A /■ / 1 3 >
3
Patentanwälte Dipl.-lng. Martin Licht, Dipl.-Wirtsch.-Ing. Axel Hansmann, Dipl.-Phys. Sebastian Herrmann
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3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren in Gegenwart von elementarem
Eisen durchgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3>
dadurch gekennzeichnet, daß das elementare Eisen in Form eines massiven Eisenstiiekes
vorhanden ist, das über der Aluminiumfüllung angebracht ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumfüllung in einem Eisengefäß erwärmt wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen i, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumfüllung in einem aus Aluminiumoxyd
bestehenden Gefäß erwärmt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der feuerfeste Stoff Siliziumoxyd ist.
8. Gerät zur Erzeugung von haarfeinen (*—Aluminiumoxydkristallteilchen,
gekennzeichnet durch eine Ileaktionskammer (358)
mit einem Raum für eine Dampfphasenreaktion, eine Einrichtung,
mittels derer in der Reaktionskammer eine unter normale* Druck stehende Wasserstoff- oder Schutzgasatmosphäre gebildet wird,
Einrichtungen (5 bzw.ll,12,I3) zur Erwärmung der Reaktionskammer auf über I3OO C, ein in der Kammer angeordnetes Gefäß
(l), in dem ein Aluminiumvorrat (2) in der Kammer enthalten ist,
einen in der Kammer befindlichen Vorrat an sauerstoffhaltigem
feuerfestem Stoff und eine Vorrichtung (h bzw. Ik) zur Steuerung
des Durchganges von Aluminiumdampf von dem das Aluminium enthaltenden Gefäß in den Dampfphauenreaktions raum.
Π Π 9 H I- h ! 1 ?. λ 3 BAD OHiGINAL
9. Gerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der sauerstoffhaltige feuerfeste Stoff Siliziumoxyd
ist.
10. Gerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Steuerung des Durchganges von
Aluminiumdampf aus einer physikalischen Abschirmung (4)
besteht, die das das Aluminium enthaltende Gefäß teilweise bedeckt, wodurch der Aluminiumvorrat in dem das Aluminium
enthaltenden Gefäß gegenüber dem Hauptreaktionsraum abgeschirmt ist.
BAD ORIGINAL
Applications Claiming Priority (2)
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US57898466A | 1966-09-13 | 1966-09-13 | |
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Family
ID=27077623
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---|---|---|---|
DE19671592117 Pending DE1592117A1 (de) | 1966-09-13 | 1967-06-13 | Verfahren zur Herstellung von haarfeinen alpha-Aluminiumoxydkristallteilchen und Geraet zur Durchfuehrung dieser Verfahren |
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---|---|
US (2) | US3476613A (de) |
DE (1) | DE1592117A1 (de) |
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1966
- 1966-09-13 US US578984A patent/US3476613A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-09-20 US US580448A patent/US3486849A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-06-09 FR FR109802A patent/FR1535544A/fr not_active Expired
- 1967-06-12 GB GB27013/67A patent/GB1189632A/en not_active Expired
- 1967-06-13 DE DE19671592117 patent/DE1592117A1/de active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
GB1189632A (en) | 1970-04-29 |
FR1535544A (fr) | 1968-08-09 |
US3486849A (en) | 1969-12-30 |
US3476613A (en) | 1969-11-04 |
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