DE2748103C3 - Hochleistungs-Galliumarsenid-Feldeffekttransistor mit Schottky-Gate und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Description

dadurch gekennzeichnet, daß

— die Sourcesammelschiene (38, 41; 70) neben der Mesa 18—21; 60) und die Gatesammeischiene (46, 48; 72) neben der Sourcesammelschiene auf _j5 deren der Mesa angewandter Seite auf dem Substrat (12) angeordnet sind,

— die Gateelektrodenzuleitungen (50-53; 76, 77), die die Gateelektroden (30—36; 66-68) mit der Gatesammeischiene (46, 48; 72) verbinden, als ₄₍₎ die unterkreuzenden Leitungen ausgebildet und je in im Substrat gebildeten und unter der Sourcesammelschiene hindurchgehenden Rinnen (23) niedergeschlagen sind,

— jede der Rinnen im Querschnitt einen konvex _4S geformten Boden aufweist, und

— jede der Unterkreuzungsleitungen als mehrschichtiger Belag vorliegt, der in der Reihenfolge des Niederschlages aus Schichten aus einer Germanium-Gold-Mischung und aus Silber, _w Gold und Wolfram aufgebaut ist.

2. Verfahren zur Herstellung des Hochleistungs-Galliumarsenid-Feldeffekttransistors nach Anspruch 1, bei dem

— wenigstens eine epitaktische Mesa auf einem v> halbisolierenden Galliumarsenidsubstrat gebildet wird,

— auf der Mesa mehrere Source-, Gate- und Drainelektroden in gegenseitigem Abstand voneinander und ineinandergreifend gebildet wer- ω den, wobei jede der Elektroden einen Teil aufweist, der sich über wenigstens einen von gegenüberliegenden Mesarändern hinweg auf das Substrat erstreckt,

— auf dem Substrat neben dem einen Mesarand < >5 eine Drainsammeischiene gebildet wird, mit der die Drainelektroden untereinander verbunden werden.

— auf dem Substrat neben dem gegenüberliegenden Mesarand eine Source- und eine Gatesammeischiene sowie Elektrodenzuleitungen gebildet werden, weiche die Sourceelektroden bzw. die Gateelektroden mit der Source- bzw. Gatesammeischiene verbinden, und

— auf jenen Elektrodenzuleitungen, welche andere Leiter unterkreuzen sollen, Isolierteile gebildet werden,

dadurch gekennzeichnet, daß

— die Gatesammeischiene (46, 48; 72) auf dem Substrat (12) so weit entfernt von der Mesa (18—21; 60) gebildet wird, daß die Erzeugung der Sourcesammelschiene (38, 41; 70) zwischen dem Rand der Mesa und der Gatesammeischiene unter Aufrechterhaltung eines Abstandes zwischen diesen ermöglicht wird,

— das Substrat in jenen Bereichen geät2t wird, wo die Unterkreuzungszuleitungen (50—53; 76, 77) zu bilden sind, um Rinnen zu erzeugen, derer, Querschnitt im Bodenbereich konvex ist und die sich zwischen der Gatesammeischiene und den Gateelektroden erstrecken,

— in den einzelnen Rinnen aufeinanderfolgend Schichten aus einer Germanium-Gold-Mischung und aus Silber, Gold und Wolfram zur Bildung von Unterkreuzungsleitungen, welche die Gatesismmelschiene und die Gateelektroden elektrisch verbinden, niedergeschlagen werden,

— wenigstens in ausgewählten Bereichen der Unterkreuzungsleitungen Isolierteile (78) niedergeschlagen werden und

— die Sourcesammelschiene (38, 41; 70) über den Isolierteilen und zwischen dem Mesarand und der Gatesammeischiene gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rinnen durch selektives Ätzen des Substrates mit einer 0,05%igen methanolischen Bromlösung gebildet werden.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß

— die Ätzung bis zu einer Mindestkanaltiefe von etwa 150 nm durchgeführt wird und

— die Unterkreuzungsleitungen gebildet werden, indem in jeder Rinne eine Metallisierung aus einer 40 nm dicken Germanium-Gold-Schicht einer 100 nm dicken Silberschicht, einer 100 nm dicken Goldschicht und einer 20 nm dicken Wolframschicht in der angegebenen Reihenfolge niedergeschlagen wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierteile erzeugt werden, indem 50 nm dicke Siliciumdioxidteile auf jenen Bereichen der Unterkreuzungsleitungen niedergeschlagen werden, über welche sich die Sourcesammelschiene erstrecken soll.

Die Erfindung bezieht sich auf einen Hochleistungs-Galliumarsenid-Feldeffekttransistor mit Schottky-Gate der im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebenen Art. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Herstellungsverfahren solcher Transistoren.

Diese Transistoren sollen im Gigahertzbereich arbeiten können.

Gegenwärtig werden betrachtliche Anstrengungen auf die Herstellung von Transistoren gerichtet, die eine Leistung von 1 bis 5 Watt im Sättigungsbereich bei 4 bis 6 Gigahertz zu liefern vermögen. Solche Transistoren sollen beispielsweise Wanderfeldröhre-! und Morton-Trioden in Hochfrequenz-Nachrichtenanlagen ersetzen.

Aus IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-23, April 1976, Seiten 388 bis 394 ist ein Feldeffekttransistor der im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebenen Art bekannt, bei dem die Source-Elektroden bzw. deren Zuleitungen die Gate-Anordnung unterkreuzen. Da aber die Sourceelektroden nebst Zuleitungen eines Feldeffekttransistors generell für vergleichsweise hohe Ströme auszulegen sind, müssen die Source-Elektroden mit einem entsprechenden Leitungsquerschnitt versehen werden, was bei einem vorgegebenen Abstand der Source-Elektroden eine entsprechend große Schichtdicke erfordert. Solche dicken Elektroden aber durch andere Leiter, die hiergegen isoliert sein sollen, zu überbrücken, ist aus vielerlei Gründen problematisch. So sind die Seitenflanken der zu überbrückenden Leiter sowohl schlecht zu isolieren als auch anschließend mit dem Metall des Überbrückungsleiters so zu beschichten, daß ein zuverlässiger leitender Übergang an dieser Stufe geschaffen wird.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, für den Feldeffekttransistor einen Aufbau anzugeben, bei dem die am einen Mesarand liegenden Leitungsüberkreuzungsstellen zwischen der näher am Mesarand liegenden Sammelschiene und den Elektrodenzuleitungen, die zu der weiter vom Mesarand entfernten Sammelschiene führen, so gestaltet sind, daß sie bei den vorgegebenen geringeren seitlichen Abständen der Elektroden gut herstellbar sind und eine sichere elektrische Trennung der kreuzenden Leiter gewährleisten.

Weiterhin soll ein Herstellungsverfahren für den die genannte Aufgabe lösenden Transistor angegeben werden.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist für den einleitend beschriebenen Feldeffekttransistor im Kennzeichen des Anspruches 1 beschrieben. Das Herstellungsverfahren dieses Transistors ist im Anspruch 2 angegeben.

Dadurch, daß beim erfindungsgemäßen Transistor die Sourcesammelschiene zwischen der Gatesammelschiene und dem zugeordneten Mesarand gelegen ist und es demzufolge die Gateelektrodenzuleitungen sind, die als die Unterkreunzungsleitungen auszubilden sind, können die Leiterüberkreuzungen sehr einfach und zuverlässig deswegen ausgebildet werden, weil die Gateelektroden eines Feldeffekttransistors nur minimale Stromstärken führen und demzufolge auch nur minimalen Leitungsquerschnitt erfordern, so daß bei vorgegebenem Elektrodenabstand die Gateelektrodenzuleitungen gleichwohl flach gehalten werden können, so daß letztere — wie entsprechend einem weiteren Merkmal der Erfindung vorgesehen ist — sogar in Rinnen der Substratoberfläche eingelassen werden können, die wegen des erforderlichen geringen Leitungsquer- ι Schnitts nur geringe Tiefe zu haben brauchen und deswegen ohne Schwierigkeiten herstellbar sind.

Dadurch, daß weiterhin diese Rinnen erfindungsgemäß mit einem konvex geformten Boden in die Substratoberfläche eingearbeitet sind, ergibt sich an den < Rinnenrändern gleichwohl eine scharf definierte Kante, die die erforderliche Selektivität bei der Entfernung der Gatemetallisierung außerhalb der Kanäle sicherstellt.

Wegen der konvexen Fenn des Rinnenbodens erreicht man weiterhin einen an den beiden Seiten verrundeten Verlauf der Gateelektrodenoberfläche, so daß die oben angesprochenen Isolierprobleme steiler Leitcrflanken zugleich mit vermeidbar sind.

Die konvexe Profilierung des Rinnenbodens läßt sich bei Galliumarsenid ohne Schwierigkeit erreichen, vgl. hierzu beispielsweise Journal of Electrochemical Society, 113 (1966), 958.

Nachstehend ist der erfindungsgemäße Feldeffekttransistor (FET) sowie ein Herstellungsverfahren hierfür anhand der Zeichnung im einzelnen erläuiert; es zeigt

F i g. 1 eine GaAs-Scheibe mit einer für die weitere Herstellung des Transistors geeigneten Beschichtung,

F i g. 2 die Scheibe nach F i g. 1. nach Herausarbeitung von vier Mesen,

F i g. 3 das Randprofil der Mesen,

F i g. 4 eine Draufsicht auf eine Elektroden-Struktur, die auf der Vier-Mesen-Anordnung der F i g. 2 hergestellt worden ist,

F i g. 5 eine vereinfachte Version eines der Mesen der Fig. 4,

Fig.6 eine vergrößerte Ansicht des eingekreisten Teils 74der Anordnung nach der F i g. 5,und

Fig. 7 bis 11 vereinfachte Darstellungen des Transistors in verschiedenen Herstellungsstadien.

F i g. 1 zeigt eine geeignet beschichtete GaAs-Scheibe als Ausgangspunkt für die Herstellung des vorliegenden Feldeffekttransistors (FET) mit Mehrfachgate. Zweckmäßig werden jedoch viele solcher FETs auf einer einzigen Scheibe gemeinsam hergestellt, die anschließend in einzelne je einen einzigen FET umfassende Chips unterteilt werden. Der Einfachheit halber wird jedoch nur die Herstellung eines einzelnen FETs beschrieben.

Die in F i g. 1 gezeigte Scheibe umfaßt ein Substrat 10, das beispielsweise chromdotiertes halbisolierendes GaAs-Materia! mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 10⁷ Ohm-cm ist. Auf dem Substrat 10 ist eine epitaktisch aufgewachsene N-leitende halbisolierende Pufferschicht 12 einer Dicke von 3 bis 10 μιη und einer Dotierungskonzentration von weniger als 10¹³ Atomen/cm³ niedergeschlagen. Auf der Pufferschicht 12 ist wiederum eine epitaktisch aufgewachsene N-leitende aktive Schicht 14 einer Dicke von etwa 0,55 μίτι niedergeschlagen. Die Dotierungskonzentration der aktiven Schicht liegt beispielsweise bei etwa 5 χ 10¹⁶ Atomen/cm³.

In manchen Fällen ist es, wie dargestellt, vorteilhaft, zur beschriebenen Scheibe noch eine weitere epitaktische Schicht 16 hinzuzufügen. Beispielsweise ist diese Schicht 16 eine N + -Schicht, etwa 150 nm dick und mit einer Dotierungskonzentration von etwa 2 χ 10¹⁸AtO-men/cm³ dotiert.

Die Gesamtabmessungen a, b und c (Fig. 1) einer solchen Scheibe sind beispielsweise 20 mm, 0,375 rnm bzw. 20 mm.

Die in F i g. 1 gezeigte Scheibe wird vorliegend zur FET-Herstellung in einer Reihe von Elektronenstrahl-Lithographieschritten direkt bearbeitet. Eine besonders vorteilhafte computergesteuerte Vorrichtung zur Ausführung dieser Schritte ist in der US-PS 39 00 737 beschrieben, mit der es möglich ist, die aufeinanderfolgenden Muster, die für solche FETs benötigt werden, präzise festzulegen. Merkmalsabmessungen von lediglich einigen Mikrometern oder weniger und Ausrichlungstoleranzen von weniger als einem Mikrometer

sind damit erhältlich.

Es ist natürlich wesentlich, daß die aufeinanderfolgenden Muster, die Elektronenstrahl-Lithographie auf einer resistbeschichteten Scheibe der in Fi g. 1 gezeigten Art erzeugt werden, zueinander genau ausgerichtet sind. Eine Musterausstattung wird erreicht, indem beispielsweise die Stellt von drei auf der Scheibe gebildeten Bezugsmarken bestimmt werden. Beispielsweise umfaßt jede Marke ein 128 μιτι langes Kreuz mit 22 μηι breiten Seitenarmen. Durch Abtasten der Marken mit einem Elektronenstrahl kann die Position eines jeden Kreuzes mit einem Maximalfehler von ±0,25 μίτι bestimmt werden. Die so erhaltene Positionsinformation wird dann benutzt, um diejenige Seitenbewegung, Drehung, Schräglaufbewegung und Vergrößerung zu berechnen, die erforderlich sind, um die beste Einfügung zwischen aufeinanderfolgende Muster zu erhalten.

Bei einem Elektronenstrahl-Expositionssystem, bei dem Bezugsmarken zur Musterausrichtung benutzt werden, könnte ein Verlust oder eine Verschlechterung der Marken während der Bearbeitung verheerend sein. Es ist deshalb nötig, daß die Marken nicht nur ein starkes Signal als Reaktion auf ein sie abtastendes Elektronenstrahlenbündel erzeugen, sondern daß sie alle Bearbeitungsschritte überleben. In der Praxis haben sich erhabene Kreuze aus GaAs mit einer Mindesthöhe von 0.7 Mikrometern für beide Anforderungen als zufriedenstellend erweisen. Um eine Verschlechterung dieser Marken während der Herstellungsschrittfolge minimal zu machen, verbleibt das über den Marken liegende elektronenstrahlempfindliche Resistmaterial während nachfolgender Verarbeitungsschritte an Ort und Stelle.

Beispielsweise umfaßt das Verfahren zur Herstellung von Bezugsmarken auf der Scheibe der F i g. 1 eine erste Beschichtung der Oberseite der Scheibe mit einer Schicht aus einem elektronenempfindlichen Negativ-Resist. (Vorteilhaft wird hierfür Polyglyeidylmethacrylat/Äthylacrylat-Copolymerisat benutzt, das nachfolgend als COP bezeichnet ist. Eine Beschreibung des COP befindet sich in einem Artikel von L. F. Thompson, j. P. Bailantyne und E. D. Feit, der den Titel »Moleculat Parameters and Lithographie Performance of Polyglycidyl Methacrylate-co-Ethyl Acrylate: A Negative Elextron Resist« trägt und erschienen ist in J. Vac. Sei. Tech. 12, 1975. Seiten 1280 bis 1283. Für die nachstehende Beschreibung sei angenommen, daß das benutzte elektronenempfindliche Resistmaterial COP ist.) Drei rechteckige, im Abstand voneinander gelegene Bezugsteile der Resistschicht werden dann einem Elektronenstrahl selektiv exponiert. Alle unbestrahlten Teile der Resistschicht werden dann wie üblich entfernt. Die auf der Scheibe übrigbleibenden COP-Rechtecke dienen als Zwischenausrichtungsmarken.

lonenstrahlätzen ist eine vorteilhafte Methode zur Erzeugung der zuvor beschriebenen Bezugsmarken (Kreuze) auf der GaAs-Scheibe der Fig. 1. Da jedoch jederzeit zufriedenstellende elektronenempfindliche Resists, die widerstandsfähig gegenüber lonenstrahlätzen sind, nicht verfügbar sind, kann weder COP noch ein anderer Elektronenresist verwendet werden, um ausgewählte Teile der Scheibenoberfläche während des lonenstrahlätzens direkt zu maskieren. Demzufolge wird die Scheibenoberfläche mit ihren drei COP-Zwischenausrichtungsmarken als nächstes mit einem gegenüber lonenstrahlätzen widerstandsfähigen Material, z. B. einem normalen Positiv-Photoresist beschichtet. Anschließend wird unter Verwendung der zugehörigen Maske und eines normalen Kontaktkopiergerätes der Photoresist selektiv mit UV-Licht belichtet.

Die erwähnte Maske wird genau zur GaAs-Scheibe positioniert, indem die zuvor erwähnten COP-Ausrichtmarken als Bezugsbereiche, welche die Bezugskreuze tragen sollen, benutzt werden. Der Positiv-Photoresist wird dann selektiv belichtet und entwickelt und bedeckt dann die gesamte Scheibenoberseite mit Ausnahme dreier Fenster, in deren Mitte sich je ein Photoresistkreuz befindet. Die Scheibenoberseite wird dann einer lonenstrahlätzung unterzogen. Das nicht von Photoresist geschützte GaAs wird dadurch abgeätzt, und es bleiben erhabene Bezugskreuze mit vertikalen Seitenwänden und gut definierten Kanten übrig. Der Photoresist wird dann von der oberen Scheibenoberfläche entfernt.

Es sei bemerkt, daß nur bei der Erzeugung der Bezugsmarken Photolithographie verwendet, bei der weiteren Herstellung des FETs aber ausschließlich mit Elektronenstrahl-Lithographiemethoden gearbeitet wird.

Eine elektrische Trennung zwischen den einzelnen Bestandteilen des FETs, der aus der Scheibe (Fig. 1) hergestellt werden soll, wird dadurch erreicht, daß erhabene Inseln, sogenannte Mesen, aus den Epitaxieschichten der Scheibe herausgearbeitet werden. Die Mesen werden dadurch hergestellt, daß entsprechende Teile der Schichten 16 und t4 und entsprechende Oberflächenteile der Pufferschicht 12 selektiv entfernt werden (Fig. 3). Infolgedessen weisen die Bereiche, welche die erhabenen Mesaleile umgeben, halbisolierende Eigenschaften auf. Vorteilhafterweise werden die Seitenwände der Mesen so hergestellt, daß sie nicht vertikal, sondern geneigt sind. Als Folge davon verlaufen die Metallteile, die sich von den Mesen über deren Ränder hinaus auf den umgebenden halbisolierenden Bereich erstrecken, zuverlässig ohne Unterbrechung über den Mesa rändern. In F i g. 2 sind vier Mesen 18 bis 21 dargestellt. Beispielsweise sind die gezeigten Mesen identisch, und die Abmessungen d und e sind etwa 250 μηι bzw. 190 μΐη.

Die Mesahersteilung wird mit einer Beschichtung der gesamten Oberseite der Scheibe nach F i g. 1 mit einer 50 nm dicken Siliciumdioxidschicht begonnen. (Von dieser und allen weiteren hier angegebenen Siliciumdioxidschichten wird angenommen, daß sie durch eine chemische Reaktion in der Gasphase abgeschieden worden sind.) Als nächstes wird eine (beispielsweise 0,7 μη-ι dicke) COP-Schicht auf dem Siliciumdioxid aufgebracht. Lediglich jene Bereiche des COP, die über den drei Bezugsmarken und über den zu bildenden vier Mesen liegen, werden dann mit Hilfe des zuvor angegebenen Elektronenstrahlenbündelsystems bestrahlt. (Für das nachfolgende sei angenommen, daß bei jedem Bestrahlungsschritt die Bezugsmarken geschützt sind.) Nach Entfernung des nicht bestrahlten COP wird das unbedeckte Siliciumdioxid in einem Plasmaätzschritt entfernt, bei dem die Scheibe innerhalb der Hochfrequenzabschirmung einer normalen Plasmaätzvorrichtung angeordnet wird, wobei vier mit belichtetem COP bedeckte Siliriumdioxidinseln zurückbleiben, die den vier zu bildenden Mesabereichen entsprechen. Das Ätzen des nichtbeschichteten Siliciumdioxids findet in einem Plasma statt, das beispielsweise Kohlenstofftetrafluorid und vier Prozent Sauerstoff aufweist (nachfolgend als CF₄-PIasmaätzung bezeichnet). Bekanntlich kann dabei die Ätzgeschwindigkeit durch Verändern der Sauerstoff menge zwischen 0 und etwa 10%

I¹CSiCiIi¹II weiden.

NiIfIi dein Abstieilcn des hcstiiihlicii (C)I' in beispielsweise einem Äl/siluitt mit iciiiciu Sancrstoll pliisniii (nachfolgend jils () ■ .l'liisniiiiit/iiii)' bezeichnet) werden ;ils nächstes die iinhcdci ktcii ('ilu iiimdioxidlrri cn) llcicichc (Ui I pilaxii seliii lili η 14 und Id cinci liinenstiiililiit/iinj¹ ausgesetzt. Wiiliiciid dei Ionen stiahläl/iing dienen die vier Sihciiimdioxiiliiisclu ills Masken /um Schul/ der danintci liegenden Lpitaxicbci eiche. Vort ei I hill I ei weise wird diis loiiciistiahlenbiindcl lintel 4 5" aul die Schcihcnohcrfläclic gelichtet und wird iin(aii|'s lediglich etwa die Hüllte dei endgültig /u cntlcrucndcii Gesamulicke der Schichten 12. 14 und 16 weggeätzt.

Die gesamte Schcibenoberscilc wild (hum erneut mit (OP beschichte! \·.!):\ selektiv hcstiuhll. um etwas kleinere Inseln /u exponieicn. die diiekt über den vier Mi'M-n iius Siliciumdioxid liegen. Die exponierten ( OP Bereiche dienen ills Masken /um Trimmen der Siliciiimdioxidinsehi in einem naclilolgcnden (IV Pias inaiit/schrilt. Die gell immteii Siliciiimdioxidteile dienen diiiiii /um Maskieren der dariintci liegenden Bereiche dei Scheibe während eines nachfolgenden Ionenstrahl iil/voi gangs der beschriebenen Art.

Das loncnstrahlät/en wird fortgeführt, bis die nichtmaskierien Teile der Schichten 14 und Ib sowie ein nichimaskierter Obcrlliicheiiteil der Schicht 12 entfernt sind. Das Frgcbnis des zweistufigen loncnstralilätzcns besteht darin, daß vier Treppen -Mescn auf der Oberfläche der GaAs-Schcibe /urüekblciben. Ihr Kiiiiteiiprofil ist in I'ig. J gezeigt. Der Abstand im Fig. 3 ist etwa gleich der (iesamtdickc der Schichten 14 und lh in Γ ig. I. Wie Γ i g. 3 enlnehnibar ist. sind beim louciisirahlät/cn auch Oberflächenteile der l'uffcrsi hicht 12 entfernt worden. Bezeichnenderweise bcw Ii kl das loncnstrahlät/en unmittelbar neben den Mcsen ein geringes oder gar kein umgruben in die Schicht 12

Nach dem l'.ntfcrncn der Silieiunidioxidinscln mit beispielsweise Fluorwusscrslnffsäurclosung wird auf der gesamten Oberseite der GuAs-Schcibe eine 5(H) nm dicke Silieiumdioxidschieht niedergeschlagen. An diesem l'iinkt ist die Scheibe lertig für die Herstellung von Vielfachsonde-, -drain- und gatcelcklrodcn auf ihr. I ntsprechendc Flcktroden werden dann über Sanimelschienen untereinander verbunden, um einen einzigen IFl /U erhalten. Vor der Beschreibung der Herstellung soll jedoch der Aufbau eines solchen H-"Ts anhand der l'ig.4 — 6 beschrieben werden.

Γ ig. 4 zeigt eine Draufsicht auf ein Beispiel eines solchen Mchrfaehgate-ITTs. Mit Rücksicht auf eine Fntsprcchung zwischen den I"ig. 2 und 4 ist Fig.4 ebenfalls als eine Anordnung gezeigt, die vier Mcscn 18 bis 21 hat. Jede Mesa trägt eirc kammartig verschachtelte Anordnung aus vier slrcHcnförmigcn Sourceelektrodcn. vier strcifcnfömiigcn Draincleklroden und sieben strcifcnförmigcn Gate elektroden. So trägt die Mesa 18 Sourccelcktroden 22 bis 25. Draincclektroden 26 bis 29 und Galeclektrodcn 30 bis 36. Die linden aller Klektrodcn verlauten über die Ränder der Mescn auf das halbisolicrcnde Material 12. Die Flcktrodcn sind durch Sammclsehicncn gruppenweise untereinander verbunden.

Im einzelnen hat die Anordnung nach I"ig.4 zwei Sourcesamniclschiencn 38 und 41. die je in Bondfleckcn 39,40 und 42,43 enden, eine Drainsamniclschicnc45.dic in einem Bondflcck 44 endet, und zwei Galesammel-M-hicnen 46 und 48. die mit Bondflecken 47 bzw. 49 versehen sind. Im leitigen Hiilhlcitcibauelement sind dann noch die Sonieehondllei ken 34, 40, 42 und 4) /n einem gemeinsamen Soiiiccaiischlull herausgeliihit (nicht dargestellt) Gleichet malU η ist diinn dei Diain bund!leck 44 zu einem iinHeicn Diüinanst hliiH und Mild dann die (ialebondllei ken 47 und 4M zu einem gemeinsamen Gutcunschliiß hcraiisfcfühi I

Die in l'ig. 4 ge/eigte Voiiicliliing hat sech/ehii Flektrodcnzulciliingen. die die \ ier/ehn Galccleklrodcn auf den Mcscn 18 und 19 mit dei (ialesaininelscliiene 48 und die vierzehn < iateclektioden aiii den Mesen 20 und 21 mit tk'i (iatcsammelschieiic 4h verbinden. So verbinden beispielsweise die vier del Mesa 18 zugeordneten !!leklrodenzuleitiingen 50 bis 5? die (iateelektroden 30bis36 mit der (ialesainiiielschieiic 48 in der tl;iigest<*lhen Weise.

Alle zuvor beschriebenen Klektrodcn/ulcitimgen untcrkrcuzcn entweder die eine oder die andere dei beiden leitenden Sourccsammelschiencn 38 und 41.(Die Art, wie eine zuverlässige elektrische Trennung zwischen den übereinanderliegenden !!lementen erreicht wird, ist weiter unten beschrieben.) Nachlolgend werden diese lüeklrodcn/ulcitiingen als »Uiiterkreu z.ungstcilc« bezeichnet. Wesentlich ist hier, daß die (!iateelektroden und deren jeweilige Unterkreu/iiiigsteilc die geringste Stromstärke von allen im ITT vorhandenen Elektroden führen. Demgemäß benötigen die Unterkreuzungsteile für ihre Herstellung auch nur einen minimalen Mctallniederschlag. Folglich sind auch die Probleme minimal gemacht, die sonst bei einander übcrkrcuzcndcn und entsprechend dickeren Sammclschicnen auftreten wurden.

Bei einer beispielsweise hergestellten Anordnung waren die Abmessungen und Abstände von Source·. Drain- und Gateclcktrodcn folgendermaßen. Jede Drainclektrodc 26, 27,... maß etwa 10 χ 250 (im. Jede Gatcelektrode 30, 31,... maß etwa 2 χ 250 μηι. |ede Sourceelcktrode 22, 23,.... mit Ausnahme der am weitesten rechts gelegenen Sourccelckiroile 25 auf jedem der Mescn 18 bis 21. maß etwa 20 χ 250 μιη. (|cde der am weitesten rechts liegenden Sourceelektro· den 25 maß etwa 10 χ 250 (im.) Der Abstand zwischen zwei Galeclektrodcn mit einer Sourceelcktrode /wi sehen (beispielsweise die Gateclcktrodcn 30 und 31 und die Sourccelektrodc 22 auf der Mesa 18) war etwa 27 [im. Der Abstand zwischen zwei Gatcelcktroden mit einer Drainclektrode dazwischen (beispielsweise die Gateelektrodcn 31 und 32 und die Drainclcklrodc 27) betrug etwa 17 pm. Zudem war der Sourcc-Drain-Abstand etwa 7 μιη. und die Gateelcktrodc war symmetrisch in diesem Abstand angeordnet.

Fig.5 zeigt eine proportionsgetreuc Ansicht eines Teils einer im Interesse der Übersichtlichkeit vereinfachten Version der Vorrichtung nach F i g. 4. Man sieht aber sofort, wie die Anordnung nach F i g. 5 auf die nach F i g. 4 erweitert werden kann. So sind in F i g. 5 lediglich eine Mesa 60 vollständig und eine zweite Mesa 61 teilweise gezeigt. Überdies umfaßt hier jede Mesa nur zwei Sourceelektroden. zwei Drainelektroden und drei Gateelektroden- Demgemäß enthält der Mesabercich 60 Sourceelektrodcn 62 und 63, Drainelektroden 64 und 65 und Gateelektrodcn 66 bis 68. In F i g. 5 sind außerdem Source-. Drain- und Gatesammeischienen 70, 71 bzw. 72 gezeigt, die je in einem vergrößerten Bereich oder Bondfleck enden. Der in F i g. 5 von dem strichpunktierten Kreis 74 umfaßte Teil ist in Fig.β vergrößert und teilweise weggebrochen hcrausgczeichnet.

27 48 1 OJ

K)

I ι,,'. h zeigt deutlich, wie die Gatcsanimelschicne 72 elektrisch mil den Gatcclcktrodcn 66 bis 68 verluindcn ist. Dieses isl dual) metallische Unterkreuzungsteile 76 und 77 erreicht worden. Im einzelnen verbindet der llnteikreu/ungsteil 76 die Guteelekirode 66 mil der Gatesaiiimelschiene 72, wahrend der Unterkreuzungsteil 77 die (iaieeleklroden 67 und 68 mit der (iatesammelschiene 72 verbindet.

Die in den l^;ig. 5 und b gezeigte metallische .Soureesainmelschiene 70 überquert demgemäß die feile 76 und 77. Wie in F i g. fa gezeigt, ist die elektrische Isolierung zwischen der Sammelschiene 70 und dein Unlerkreiizungsteil 76 dadurch erreicht, daß zwischen beiden ein Isolierteil 78 angeordnet ist.

Zur Vereinfachung wird nachfolgend anhand der I i g. 7 — 11 der llerstelliingsabl.iiif für eine Prototyp-Vorrichtung iiiil nur einem einzigen CJaIe beschrieben. Die Verfahreiisschritle sind in jeder Hinsicht direkt auf die Herstellung einer Mehrfachgateaiiordnung der in Fig. 4 (oder in den Cig. 3 und b) gezeigten Art anwendbar.

Hierzu wird win einem Substrat mit Mesastniktiir ausgegangen, das sich im llerstellungsstadiuiii nach 1 ι g. 2 befindet.

Wie ,ingegehen, befindet sich auf der gesamten oberen Oberfläche der Vier Mesa GaAs-Scheibe n:ich I > μ. J eine >()() mn dkk niedergeschlagene Siliciiimdioxtdschicht. Als nächsies wird elin· C OP Schicht auf die Oberfläche aufgebracht und dann selektiv bestrahlt, um die obere Oberfläche mit Ausnahme der Bereiche, in welchen die Source und Dramelektroden gebildet werden sollen, zu exponieren. Das nichtexponierte COP wird entfernt, um ein COP Maskeninuster zurückzulassen, welche die Siliciiimdioxidschichi überall bedeckt, mit Ausnahme der Bereiche, in welchen Source- und Drainclcktroden anzubringen sind. Dann werden die unbedeckten Feile der Oxidschicht in einem CFVPIasmaätzschritt entfernt, um Oberflachenteile der GaAs-Scheibe freizulegen, die COP-Maskenteile werden dann in einem Ο..-Plasniaätzschriit entfernt.

Um ein gutes Haften der Source- und der Drainelektroden auf der GaAsOberfläche sicherzustellen, ist es von Vorteil, die Oberfläche bis zu einer Tiefe von etwa 50 um mit einer 0.05%igen methanolischen Bromlösung zu ätzen. Uni eine gute Haftung noch sicherer zu machen, ist es vorteilhaft, die CJaAs-CVerflache auf etwa wenigstens 150"C" zu halten, während auf ihr die zu den Source- und den Drainelektroden gehörenden Metallschichten niedergeschlagen werden.

Beispielsweise ist die erste, die unterste. Metallschicht der Source- und der Drainelektroden eine Mischung aus Germanium und CJoId, z. B. mit 12% Germanium. Diese Schich! soll etwa 40 nm dick sein.

Die zweite Schicht der Metallisierung für die Source- und Drainelektroden, ist ein sogenannter Glattstrich, der aus Silber in einer Dicke von etwa 100 nm hergestellt wird. Dieser dient zur Glättung jeglicher Spikes in der CJermanium-CJokJ-Schicht durch deren Überdeckung. Zuletzt wird eine HK) ηm dicke Schicht eines guten Leiters, wie Geld, niedergeschlagen, um die Silberschicht vor ()xidation zu schützen.

Dieser Zustand ist in F i g. 7 dargestellt. Die Metallschicht 80 in F i g. 7 umfaßt also in Wirklichkeit die drei zuvor erläuterten Schichten. Die Siliciunidkixidzoneii sind bei 82 dargestellt In Fig. 7 sind außerdem cine Mesa 8i und ein GaAs Substratteil 84 gezeigt.

Die Siliciiimdiiixid/onen 82 (Fig. 7) werden dann, bi-ispk-lsiveisc dun h Tiinauchcii in I luorw.issciMull

saure und .nisi lilielicudcs Besprühen der ()hei Hai lie mil Aceton, enlfeinl. Hierbei werden die SiO.. Zonen 82 herausgespiilt und einlernt, wobei sie die danihci liegen den Teile der Metallschicht 80 mit sich nehmen (oder . »abheben«), so dal) nur die für die Source und Gateelcktrodeii vorgesehenen Teile 85 bzw. 86 der Metallisierung 80 verbleiben. Die resultierende Anordnung ist in F i g. 8 gezeigt.

Die Mesa 8 J trägt also Source- und Draineleklrodcn

in 85 bzw. 86. Vorteilhafterweise wird ein guter ι »mischer Kontakt zwischen diesen Flektroden und dem darunter liegenden Mesabereich in einem sogenannten Stößer hitzungssehritt erreicht, bei dem die zuvor erwähnten Germanium- und (Joldkomponenten legiert werden.

ι . Beispielsweise wird dies getan, indent die GaAs Scheibe rasch und monu'iilan aiii etwa 500"C erwärmt wird.

!»ei jenen Aiisfühiiingsfornieii, bei denen die oberste Schicht der Mesa 81 (Tig. H) eine über der aktiven Schicht 14 liegende N ' Schicht 16 aul weist, werden die

.•Μ nicht von den Source und den Drainclckirodcii bedeckten Ieile der N ' Schicht anschließend enlfeinl Dies erfolgt beispielsweise dun h eine .Sprühätzung mn I!_■()', das mil NI M)I I auf einen pi I-Wert von elwa 7.0 eingestellt ist. (Im folgenden wird dies ,ils »I'A Sprüh

■. alzschrilt« bezeichnet.)

Mit den nachfolgenden ücarhciiuugsschriticn werden dann die Gateiiulei kicu/uimslcilc (beispielsweise die T.lcnicnte 76 und 77 in Ti g. t>) und der unlere I eil der ( iatesainnielsi !neue (I leinen! 72 m T' i g. h). |cdoch noch

!"nicht die (ialeeleklrodeu selber, hergestellt. Die llauptschritte dieser llersielliiugsfolge sind folgende. Wie zuvor sind dabei Staudardschriite und ollensichlli ehe Schritte wie Ausbeizen des (¹OP, Keinigen und Untersuchen der Scheibe, nicht ausdrücklich ungeführt.)

1. Niederschlag einer 500 um dicken Siliciumdioxid schicht auf der gesamten oberen Oberfläche der Vorrichtung.

2. Beschichtung des Siliciuindioxids mit einer 700 um in dicken COP -Schicht.

5. Mit einem Flekironcnstra!il-Fxp( sitionssysteni wird die Oberfläche der COP Schicht mit Ausnah nie jener Teile exponiert, welche über den Bereichen liegen, auf denen die Gatesamniclschic i. ne und die Gateunterkreuziingsteile gebildet

werden sollen. Das nichtexponierte COP wird entfernt.

4. Mit dem gemusterten (OP als Maske wird das nicht maskierte Siliciumdioxid in einem (TYPkis

.Ii maätzschrill entfernt.

5. Die COP Maske wird in einem Oj-Plasinaatzschrill entfernt.

6. Un! die Haftung der (iiiti'siimiiirKihk'ni' und ilrr Unterkreiizungsteile auf der Scheibenobe. fläche /u

" verbeseni. werden die freiliegenden Teile der

GaAs-Scheibe mit einer 0.()5%igen methanolischen Bromlösung geätzt, und zwar bis /u einer Tiefe von elwa 150 mn in der MtUi- des geätzten Bereichs. Dies erzeugt in der CJaAs Oberfläche Kinnen mit

»" konvexem Boden. Der anschließende Niederschlag

von Metall in solchen Rinnen, wie er nachstehend spezifiziert ist. erzeugt auf der Oberseite abgerundete Leiter mit einem vorteilhaften Profil

7. Während die Scheibe auf etwa 150"C gehalten >" wird, werden vitr Metallschichten auf den freigelegten Teilen der GaAs Oberfläche (sowie auf dem Siliciumdioxid) in n.u hslehi-nder Keiheulolge niedergesi hlagen; eine K) nm duke Germanium'

(i old-Schicht, emc HM) mn dicke Silbersihulil. cine H)O ium dicke Goldsi hiilil und cine JO mn dkkc Wolframschicht. (I).is WuIIi.mi diem .ils 11.ill schicht, um eine gute I lüftung an einem darüber aufzubringenden Silicninidioxidieil sii her/iislellen ) 8. In einem Fluorwassei stoffsäure At/schrilt «erden das .Siliciumdioxid und d.is darauf befindliche Metall von der Scheine abgehoben, wobei juf der Vorrichtung ein metallisches Muster /uiuckblcibl, das die Gateuiitcrkrcu/iingstcilc und den Bodcntcil der Ciatesainmelschiene festlegt.

Mit den nächsten lle.iibeniingsschriiten werden anschließend die Galeclcklioden (beispielsweise I Ie-MiL-IHe 10 bis J6 in I- i g. I oder I -!!entente 66 bis 68 in I" i g. 6 selber hergestellt Die I l.iuplschrilte sind dabei wie folgt:

1. Niederschlag einer im) mn du keil Siliciumdioxid schicht auf der gesamten oberen Oberlhiche der Vorrichtung.

2. Beschichtung des SiIu iiiiudioxuls nut einer tilHI mn dicken COI'-Schicht.

t. Elektronenstrahl l'.xposilion der OIh-iII.hIic der ( OP-Schichl, mil Ausnahme liner I eile, wvk lic über den Bereichen liegen, auf uckheii die Ciaieeleklroden erzeugt «erden sollen, /iisat/lich ist es vorteilhaft. |eiu- llci en lic ins ( (>l' doppelt zu exponieren, welche über dciiienigcn Silii iiiuidi oxidteilen liegen, welt Iu- .ils I Ibei kreii/iingsisolalo ren dienen sollen (beispielsweise Teil 78 in I i g. h). Das mchlcxpomcnc ( ()l' wild eiitlerul.

■\. Mit dem gemusterten C ()|' als Maske wird das unbedeckte Siliciumdioxid in einem Cl ,Plasma älzschritl entfernt, bis die liir die (»alcelcklrodcii teile vorgeseheneu «.'beillai heritetic der <i.i/\s Mesa freigelegt sind.

). I nlferiiiing der (OP Maske in einem O. Plasma üt/.schriu.

h. Grundliches Reinigen und Spulen der freiliegenden Oberllächeiileile der GaAs Mesa (vorteilhafter weise ti. a. in einem PA Sprühälzschritt)

7. Aufdampfen einer 100 mn dicken Plannst hu tu auf tier gesamten oberen Scheibenobei flat Hv. wodurch in ilen freigelegten i eilen der Mesa Schottky-Sperrschiehten gebiliiet werden. Die lijlinsi hu hl haftet sehr gut am darunterliegenden GaAs. ;:ber viel weniger gut am darunterliegenden Siliciumdioxid haftet.

H. F.ntfernen des unerwünschten Platins, d.h.. des (Matins auf dem Siliciumdioxid, beispielsweise durch Absprühen der oberen Scheiben«>bcrfläihe. mit Aceton. Die resultierende Anordnung ist dann die i

I-ig.9 zeigt also den GaAs-Siibstnnktirpcr 84. die Mesa 81. die Sourceelektrode 85 und die Drainelektrode sowie Silieiiinrlioxid/oneii 88 und eine Schottky Galeelektrode 90.

Die nächsten Schritte rii Inen siih auf die Herstellung einer letzten Metallisierung, die die zuvor niedergeschlagenen Metalle verstärken und die cr'orderlichen Verbindungen zwischen Source . Drain- und (ialeelek troden und ihren je zugehörigen Saminelschienen und Bondflecken herstellen soll. Die hierbei verwendeten Metalle müssen sowohl aiii Siliciumdioxid als auch auf den zuvor niedergeschlagenen Metallen gut haften. Hierfür ist eine Mehilai hsi hu hl aus I Hau Platin und (InKI als zufriedenstellend, wie sie u.u lilulgi-nd im einzelnen angegeben ist.

Mil Vorzug wird di.· Musterung der ciwahnicn mehrschichtigen Meialhsiei iing durch lonenslialil.il-/iing vorgenommen. Voi leilhafi wird hier/u als Ionenstrahl.it/m.iske eine mit einer Siliciumdioxid schicht bedeckte I'iianschkht benutzt. Die Siliciumdioxiddeikschicht stellt eine zuverlässige Maskierung in Bereichen sicher, in welcl.cn das Titan keine gute Stulenabdcckung bildet.

Ls wird also eine solche zweischichtige Ionenstrahl ätzmaske auf die Oberseite der erwähnten mehrlagigen Metallisierung aufgebracht. Das Siliciumdioxid wird unter Verwendung von (OP als Maske niillels einer C I ι Plasiiia.ilziini; gemustert. Das Titan wird dann unter Verwendung von SiO. als Maske in einem ().·-Plasma geatzt. Dann wird ein·: lonenslralilätzimg der(it>id und ikr Platiiischichi diirchgcftihri, wobei das gemusterte I itan als Maske dient. Die liniere I Mattschicht dient sowohl als Alzbegi enzimg wie auch als Haftvermittler zum darunterliegenden Siliciumdioxid. Wenn die i:iiteie I Mattschicht erreicht isl wild die Siliciuiiidioxidiiiaski'.-nmgsscliiclil durch eine (I ι Pias iiiaätzimg entiei.il. und danach vserden beide lilansi hichleii iliin.li eihe Atzung mil I luorwassei slollsai.re enlleriit.

Die Ijiiliiielalhsieiimg geschieht im einzelnen wie folgt:

llesi hu lining der gesamten obeieii Ohei Hache ler Voi richtung in Cig ^l> mil einer 400 mn «lnkiii ( OP Schicht.

2. I leklionciislrahl I xpositiou der Oberllaihe der ( OP Schicht, mit Ausnahme jener FeIIe. welche über den Source . Drain und (iateelekliodcu. den (iale und I )iai'i Sainiuels« liienen und den Boiidllccken liegen Das nii hlcxpoiiierle COP wild entfernt.

i. Mit dein gemusterten COP als Maske wird das nit lit bedeckte Siliciumdioxid in einem C l· ι Plasma ät/.schiit: i'tiifenii.

•t laitleinen der (OP Maske in einem ().. Piasmaat/ schrill. Man erhalt dann die m l· i g. 10 dargestellte Aiioidiiuiig mit dem (i.iAs Subsiratkörj.ei 84. der Mesa 81. der Sourceelektrode 85, der Di ainelek ι rode 86. der da leelektrode 40 und den Siliciumdioxid teilen 42. die nach dem zuvor beschriebenen Musierbililungischritt zurückbleiben.

>. Niederschlag der folgenden Metallschichtcn m der angegebenen Reihenfolge auf der gesamten oberen Oberfläche der Vorrichtung in Ii g. 10: eine 150 mit dicke Fitanschicht, eine 100 um dicke Plaimschichl. eine 1 Mikrometer dicke (ioldschicht und eine 200 um dicke fitanschicht.

b. Niederschlag einer JI)O mn dicken Siliciumdioxid schicht auf der Oberseile der zuvor genannten Metallschichtcn.

7. Abdeckung der Siliciumdioxidsvhichi mit einer 700 um dicken COP Schicht.

8. l-.xposition lediglich jener Feile der COP Sehn hl, welche über den Sorce-. Drain- und dateelektruden, den Gate . Drain- und Source-Samiiiellcitiingsschienen und den Bondflecken liegen, mit einem hlekironenstrahl-I'xpositionssysteni. l-!ntfernen des nicht exponierten (OP.

4. Musterung der oberen Silici'imdioxid'.chicht in einem ( I^ Plasmaatzschnlt unter Verwendung der gemiistfi:eii( OP Silnchl als Maske. Musleniiig der obeieii fitanschicht in einem

(> l'Iasniaäl/si hint (hei Aim esenlieii eines llimi Imllij'i'n Sti ill rs mill Ihm mit ι 1 t'nipii nun iibei KMi (')iinli'i Vi^-!\MM'i<liiii}' ιΐι ι j'eiiiiisieileM .SiIu^-I iiMiilinxiilschii'Mt ,.is Niaski*. Dabei uiiil ;iiii"li die maskieu-mlt-C'()l' Si hit-In i'Mtli ml.

1 loueiisliahliil/en tii: j't-samten iihricu Obeillaehe ilii Voiiiehliinp iinlfi \ fiwf Miltinj' ilfi oheieii Iitansehieht und del oberen Silieiunidio\idsehieht ;ils I täsniaske. Dabei weiden jrni· Teile der (iold und IMatinseliulilei; ιπΐΐίτηι. dir nnlil mil Titan lu-diikt sind ί)ίι· iiriu-u· 150 um dirki- 1 itansi-hirht wiikt als loiu-nstialiliit/hcpri-ii/iiiii'.

IJ" 1 ntlcrncn df ι μι iiiiisUTlfM nlnicii Siliriinndiuxid si hiiiit in einem ( I₄ l'lasmaä'/si'hrill

I iitlfi nc· η ilcr I)IiITfH mid df ι MiUf mi 1 ilaiisihiflil diMili Ät/cn in pi-pMlIfilfi riiioiwasssfiMiillsämf. 1" i p. 11 /cipl dif Von iilitiinj' an dif si- m IMinkl df ι Hfislflliinp. In I i £. 11 weist jfdf der Mi-tall/onen 94. 9β und 98 in Wahrheit die dl ei Siliiililen aus 'liian. Platin und (»old auf Die Meliill/nm-n 94. 9(> ■mil IX hildfii fim μ j'iilrn OhiiisiIhm Kontakt im «It'll uispiMMj'lirli Mn drii'f-ihlaj'enen Snuni· C iaii- iiml Di.iinli ill Ii Κϊ,4«Ιν\\.«β

/ιι Srliiil/zwiikfii viii! die j-esanile olii-n • »hrifl.ulir (Iti \iiiiii hliiii)· mit filiii ¹UIOmI dulin SiIu iiimdiiixiiKi Im hl ludfikl

l^r) Mit Hill«- di ι /mm Ihm liiifbfuiu lilliojMaplii M-hen Mt-tliDilin weiden ()lfiiiiii}*cn in dei Siliiium iliiixidsi hirlü j-ihildel. die mn den Sonne . Di;;::: iiiuKiateliondlleekfM aii^j'fiirhlet sind

ld /i\ist'Iu-Ii den iinnillleekeii und äiiHeien Ansehlüs sen au einem um malen llauelemenij'ehause wei «lenelektiisrlie Veiiiiiidiiiij'en heij-estellt.

Die Ih-M-Ihieheiie \oniililiui}! /eielinel sieh diiul einen iniiai Ii| im und vorteilhaften I'iilrikreii/iiuj'saul bau aus. und sie isi ihn eh diiekle ISeaiheituiij- eine Seheibelintel \'ei\\eiidunc von l'lektronensliahl l.ilho i'iaplnrniflliiidfn in Mikiominialiiibaiiweise heij'e MtIIl

I liev/u 1 HIaII /eii Imiiiiiüih

Claims (1)

Patentansprüche:

1. Hochleistungs-Galliumarsenid-Feldeffekttransistor mit Schottky-Gate, mit

— einem halbisolierenden Galliumarsenidsubstrat, das wenigstens eine epitaktische Galliumarsenid-M esa trägt,

— mehreren Source-, Gate- und Drainelektroden, die auf der Mesa in gegenseitigem Abstand sowie ' ineinandergreifend angeordnet sind, wobei jede der Elektroden einen Teil aufweist, der sich über wenigstens einen von gegenüberliegenden Rändern der Mesa hinweg auf das Substrat erstreckt,

— einer am einen Mesarand angrenzenden Drainsammelschiene auf dem Substrat, die die Drainelektroden untereinander verbindet,

— einer Source- und einer Gate-Sammelschiene, die auf dem Substrat, am gegenüberliegenden Mesarand angrenzend, zur Verbindung der ^2U Source- bzw. Gateelektroden je untereinander angeordnet sind, und

— einer Vielzahl Elektrodenzuleitungen, die die Source- und Gateelektroden mit der Source- bzw. Gatesammeischiene verbinden, wobei eini- ²"* ge dieser Elektrodenzuleitungen als unterkreuzende Leiter ausgebildet sind, die gegen jeden überkreuzenden Leiter durch Isolierteile aus S1O2 isoliert sind,

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