DE2342407C3 - Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrlagen-SchaltungenInfo
- Publication number
- DE2342407C3 DE2342407C3 DE2342407A DE2342407A DE2342407C3 DE 2342407 C3 DE2342407 C3 DE 2342407C3 DE 2342407 A DE2342407 A DE 2342407A DE 2342407 A DE2342407 A DE 2342407A DE 2342407 C3 DE2342407 C3 DE 2342407C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- group
- epoxy
- photosensitive
- groups
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- DQFBYFPFKXHELB-VAWYXSNFSA-N trans-chalcone Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-VAWYXSNFSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 14
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 10
- 150000002118 epoxides Chemical group 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 heterocyclic radical Chemical class 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPZBNIUWMDJFPW-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trimethylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCC(=O)C1(C)C XPZBNIUWMDJFPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 2
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical class CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZJKZTPKSRPUFJ-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethyl-1,3-bis(oxiran-2-ylmethyl)imidazolidine-2,4-dione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)C(C)(C)N1CC1CO1 RZJKZTPKSRPUFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N Biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=N XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015449 FeCU Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000913968 Ipomoea purpurea Chalcone synthase C Proteins 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000907988 Petunia hybrida Chalcone-flavanone isomerase C Proteins 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- FYDNFZPPZJDFRY-UHFFFAOYSA-K chromium(3+);2-methylprop-2-enoate Chemical compound [Cr+3].CC(=C)C([O-])=O.CC(=C)C([O-])=O.CC(=C)C([O-])=O FYDNFZPPZJDFRY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- CCRCUPLGCSFEDV-UHFFFAOYSA-N cinnamic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 CCRCUPLGCSFEDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001469 hydantoins Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- CCRCUPLGCSFEDV-BQYQJAHWSA-N methyl trans-cinnamate Chemical compound COC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CCRCUPLGCSFEDV-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0571—Dual purpose resist, e.g. etch resist used as solder resist, solder resist used as plating resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
- Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
Die Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schaltungen (multilayers) ist in der Vergangenheit auf
erhebliche fertigungstechnische Schwierigkeiten gestoßen. Aus diesen Gründen lassen auch die Eigenschaften
dieser Mehrlagenschaltungen sehr zu wünschen übrig. Eine Methode zum Aufbau solcher Mehrlagen-Leiterplatten,
die heute meistens fertigungstechnisch Anwendung gefunden hat, besteht darin, daß kupferkaschierte
Prepregs oder Dünnschichtlaminate, die bereits das für die entsprechende Schicht vorgesehene Leiterbild
enthalten, aufeinander verpreßt werden. Die verwendeten Klebfolien und Laminate sind sehr dünn und bilden
die Isolierstoffschichten zwischen den einzelnen Leiterebenen. Nach Entstehung der Mehrlagen-Leiterplatten
werden durch Bohrungen und anschließende Durchkontaktierung dieser Bohrungen die Leitungsverbindungen
und Kontaktstellen zwischen den einzelnen Schichten hergestellt. Es sind bereits die verschiedensten Verbesserungsvorschläge
gemacht worden, um die dabei auftretenden Schwierigkeiten, wie Rißbildungen in der
Kontaktschicht, in den Zwischenschichten sowie DeIaminierungseffekte
beim Löten oder bei Wechseltemperaturbeanspruchung, zu vermeiden. Das im Augenblick
in der Technik durchgeführte Verfahren besteht im wesentlichen aus folgenden Einzelschritten:
Zunächst wird beidseitig kupferkaschiertes Dünnschichtlaminat, welches in der Regel weitgehend
gehärtet ist, jedoch noch nicht voll ausgehärtet sein muß, mit einem Photoresist-Lack beschichtet. Dieser
Lack, welcher ein Negativ- oder ein Positiv-Lack sein kann, wird mit einer entsprechenden Maske abgedeckt
und belichtet. Anschließend werden beim Negativ-Lack die unbelichteten Stellen durch einen Entwickler
herausgewaschen. Im Falle eines Positiv-Lackes werden die belichteten Stellen herausgewaschen und die
unbelichteten Stellen im folgenden Prozeß als Ätzresist verwendet. Die verbleibenden entwickelten Harzschichten
dienen als Resist beim anschließenden Ätzvorgang für das Kupfer. Nach dem Entfernen des
Kupfers durch Ätzen entsteht das gewünschte Leiterbild, auf dem der Photoätzresist-Lack haftet. Beim
Positiv-Lack ist das Verfahren entsprechend umgekehrt.
Die handelsüblichen Photoresist-Lacke, weiche teilweise auch in Filmform angeboten werden, besitzen
jedoch oft mangelnde Isolierstoffeigenschaften, schlechte Haftung und schlechte thermische Beständigkeit. Ehe
-> ein nächstes Prepreg auf diese erste Grundlage der Mehrlagenschaltung aufgepreßt werden kann, müsse«
sie daher entfernt werden. Dies geschieht dadurch, daß man mit sehr aggressiven organischen Lösungsmitteln
(stripping) und oft mit mechanischen Hilfsmitteln
in (Bürsten etc.) diese Resistlaeke en<fernt. Dieser
Vorgang des Strippens greift sehr oft die Oberfläche des
Kunstharzes an, welches zum Aufbau des Laminates verwendet wurde. Sehr oft bleiben auch Lösungsmittelreste,
nachdem die weiteren Lagen Prepreg auflaminiert
η sind, in der Ivlehrlagenschaltung enthalten, weshalb
diese später getempert und sorgfältig vacuumbehandeit werden muß, da sonst in der Regel Risse und andere
Defekte spätestens beim nachfolgenden Löten entstehen.
ic Aufgabe der Erfindung war es nun, ein Verfahren zur
Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schaltungen zu schaffen, welches ohne die sonst verwendeten aggressiven
organischen Lösungsmittel und ohne mechanische Behandlung zur Entfernung des Lackes durchgeführt
r> wird und Mehrlagenschaltungen mit rißfreien, guthaftenden, elektrisch einwandfrei isolierenden und gegenüber
Wärmeeinwirkung beständigen Laminaten ergibt. Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1
angegebene Erfindung gelöst.
in Als Verbindung mit thermohärtbaren Epoxidgruuppen
und mit durch elektromagnetische Strahlen härtbaren Gruppen wird zweckmäßig eine Verbindung
mit 0,1 bis 3,0, vorzugsweise mit 0,4 bis 1,0, Epoxidgruppenäquivalenten/kg verwendet. Pro MoIe-
s'i kül enthält das Harz mit Vorteil etwa 2 Epoxidgruppen.
Die Verpressung der einzelnen beschichteten und behandelten Trägerfolien wird vorteilhaft unter Zwischenschaltung
von Klebfolien bzw. Folien aus Prepregs, insbesondere von solchen, welche aus einem mit
•in einem Epcxidharz und einem Härter für Epoxidharze
imprägnierten Glasgewebe bestehen, durchgeführt
Falls Deckschichten verwendet werden, versieht man die metallbeschichteten Deckschichten der Mehrlagen-Schaltung
erst nach dem Verpressen mit einem
•t"> lichtempfindlichen Material, belichtet bildmäßig, entwickelt
und behandelt sie mit einer Ätzflüssigkeit.
Vorzugsweise enthält das lichtempfindliche Material auch einen in der Wärme wirksamen Härter für das
Epoxidharz.
")ii Lichtempfindliches Material sind Stoffe, welche durch
elektromagnetische Strahlung chemisch verändert werden. Entsprechend bedeutet der Ausdruck »Belichtung«
die Einwirkung von elektromagnetischen Strahlen auf das Material. Insbesondere wirksam sind Strahlen der
v> Wellenlänge von 200—600 nm.
Die Belichtung kann mit Sonnenlicht, Kohlenbogenlampen oder Xenonlampen durchgeführt werden. Von
Vorteil sind Quecksilberhochdrucklampen oder Metallhalogenidlampen
mit Leistungen von 10 bis 10 000 Watt,
to insbesondere 400-5000 Watt, die während einigen Sekunden bis 20 Minuten im Abstand von 5 bis 10 cm
einwirken.
Als Trägermaterialien für das zu beschichtende ätzbare Metall verwendet man vorzugsweise mit
Epoxidharz imprägnierte Papierfolien der Glasgewebe. Diese Trägermaterialien oder Laminate weisen gute
elektrische und mechanische Eigenschaften auf. Vor allem ergeben mit Epoxidharzen imprägnierte Glasge-
webe Laminate, welche höchsten Anforderungen an elektrische und mechanische Eigenschaften, wie sie
heute in der Industrie- und Fluggeräteelektronik sowie im Computerbau gestellt werden, genügen. Hauptanforderungen
für viele Geräte der Luft- und Raumfahrt zum Beispiel sind möglichst geringer Raumbedarf und
kleinstes Gewicht der Schaltungen. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens ist man in der Lage,
fabrikationstechnisch Mehrlagen-Schaltungen aufzubauen, die erhöhten thermischen, klimatischen, mechanischen
und elektrischen Beanspruchungen standhalten können.
Als ätzbare Metallschicht auf den Trägermaterialien kommt vor aliem Kupfer in Betracht; es handelt sich
insbesondere um Elektrolytkupferfolien höhchster Reinheit in verschiedenen Kaschierungsstärken, z. B.
von 10—500 μπι, insbesondere von 15— ΙΟΟμίτι.
Als Ätzflüssigkeiten kommen alle handelsüblichen Mittel, z. B. Ferrichlorid- und Ammoniumpersulfatlösungen,
in Betracht. Die Ätzuung 'ird vorteilhaft mit
einer 4O°/oigen FeClj-Lösung bei 40cC während 5 — 7
Minuten oder mit einer 30%igen (NH4)2S2Oa-Lösung
bei gleicher Temperatur während 10—15 Minuten durchgeführt.
Als Entwicklungsflüssigkeit wird ein organisches Lösungsmittel oder ein Gemisch solcher Lösungsmittel
verwendet, welches die unbelichtete Schicht, nicht aber die belichtete Kunststoffschicht löst. Solche Lösungsmittel
sind dem Fachmann bekannt, z. B. Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Glykolmonoäthyläther. Diglykolmonoäthyläther,
Äthylglykolacetat, Trimethylcyclohexanen. Cyclohexanon, ferner auch Gemische aus den
genannten Lösungsmitteln.
O
CH, CH CH,
CH, CH CH,
( | H, | OH | ( | Ή, ,„ | I | C | H, | O | |
-B | CU | Cl | |||||||
Verbindungen mit Epoxidgruppen und lichtempfindlichen Gruppen sind zum Teil bekannt, z. B. aus den
USA-Patentschriften 34 10 824,32 95 974 und 32 78 305.
Ihre Verwendung zur Herstellung von gedruckten -, Mehrlagenschaltungen und die Nachhärtung zwecks
Erreichung einer größeren Stabilität wird jedoch nicht beschrieben. In der zuletzt genannten Patentschrift wird
lediglich die Verwendung der Verbindungen für die Herstellung gedruckter Schaltungen erwähnt. Außer
κι diesen bekannten Verbindungen können auch deren epoxidgruppenhaltigen Voraddukte mit üblichen Härtern,
wie Säureanhydriden oder Polyaminen, vorteilhaft für das erfindungsgemäße Verfahren eingesetzt werden.
Durch Variation der Art und der Mengen der als
π Ausgangsstoffe verwendeten Polyepoxide und lichtempfindlichen
Verbindungen können alle gewünschten Arten von epoxidgruppenhaltigen Verbindungen, bei
welchen die lichtempfindlichen Gruppen endständig, in die Polymerkette eingebaut oder als Seitenketten
enthalten sind, hergestellt werden. Der Epoxidgruppengehalt kann in weiten Grenzen variieren, z. B. von 0,10
Äquivalenten/kg bis 3 Äquivalenten/kg. Vorzugsweise weisen die Verbindungen ein mittleres Molekulargewicht
zwischen 5000 und 8000 (Gewichtsmittel) auf.
Die den Verbindungen zugrunde liegenden Epoxidverbindungen
können den verschiedensten Klassen angehören. Sie können z. B. auf der Basis von Bisphenol
A, Novolaken, Hydantoinen, Uracilcn und Isocyanuraten aufgebaut sein.
j» Beispielsweise handelt es sich bei den lichtempfindlichen
Verbindungen mit Epoxidgruppen um solche, welche den folgenden allgemeinen Formeln entsprechen:
O
CIL !J,, B C-H, CH CH,
CIL !J,, B C-H, CH CH,
Cl
CII CU,
Oll
L CH2 CH CH2 „
L CH2 CH CH2 „
OH
-B CH2 CH CH, j,,,],, I. CH, CU CH,
O
(II, (H CII,
(II, (H CII,
OR
L CU, CH CU,
L CU, CH CU,
O R
CU, CH CII,
CU, CH CII,
O
B CII, CU CH,
B CII, CU CH,
(III)
Darin bedeuten
/;;0, 1,2, oder 3
/;;0, 1,2, oder 3
η, ρ und q unabhängig voneinander 1,2 oder 3,
B einen aliphatischen, cycloaliphatische^ araliphatischen, aromatischen oder heterocyclischen Rest und
L eine lichtempfindliche Gruppe, die vorzugsweise eine Chalkongruppc enthält oder eine solche Gruppe, welche die iichtvernetzbare Doppelbindung nicht in einer Seitenkette enthält.
B einen aliphatischen, cycloaliphatische^ araliphatischen, aromatischen oder heterocyclischen Rest und
L eine lichtempfindliche Gruppe, die vorzugsweise eine Chalkongruppc enthält oder eine solche Gruppe, welche die iichtvernetzbare Doppelbindung nicht in einer Seitenkette enthält.
Die Reste R bedeuten Wasserstoffatome, die /um Teil durch einen eine lichtempfindliche Gruppe aufweisenden
Rest ersetzt sein können.
Die Herstellung dieser Verbindungen erfolgt nach an sich bekannten Methoden, z. B. durch Umsetzung von
zwei oder mehr Epoxidgruppen enthaltenden Verbindungen mit Verbindungen, welche lichtempfindliche
Gruppen und mindestens eine vorzugsweise jedoch zwei, mit Epoxidgruppen reaktive Gruppe aufweisen, in
verschiedensten Molverhältnissen. Die Anzahl der vernetzbaren Gruppen ist dann so groß, daß nach der
Bestrahlung die Vernetzung so weit fortgeschritten ist, daß der entstandene, durch die Licht-Vernetzung
vorgchärtcte Lack beim Entwicklungsprozeß den verwendeten Lösungsmitteln gerade in genügender
Weise standhält und beim nachfolgenden Ätzprozeß eine hinreichende Stabilität gegen die verwendeten
Ätzmittel aufweist.
Epoxidharze gemäß Fonnelbild I erhält man, indem
man beispielsweise ein Epoxidharz, welches durch Reaktion von einem Bisphenol mit Epichlorhydrin
erhalten wurde, mit einem Epoxidgruppen-Gehalt von 3,0 bis 5,5 Äqu7kg mit einem Bisphenol, welches
lichtempfindliche Gruppen enthält, im Advancement-Verfahren umsei?«, bis das Reaktionsprodukt noch, wie
oben angegeben. 0.1 bis 3,0 Epoxidäquivalente/kg enthält.
Produkte gemäß Formelbild Il erhält man, indem man beispielsweise zunächst ein Epoxidharz herstellt, welches
durch Umsatz eines Bisphenols, enthaltend lichthärtbare Gruppen, mit Epichlorhydrin entsteht.
Danach wird dieses Harz durch Advancement (Vorverlängerung) mit einem normalen Bisphenol weiterreagiert,
bis das Reaktionsprodukt wiederum 0,1 bis 3,0 Epoxidäquivalenie/kg enthält.
Ebenso können Mischungen von Produkten gemäß Formelbild I + Il zum erfindungsgemäßen Verfahren
herbeigezogen werden, die durch physikalisches Mischen entstehen oder aber durch Advancement eines
Epoxidharzes, welches ausschließlich aus Epichlorhydrin und Bisphenol mit lichthärtbaren Gruppen
aufgebaut wurde, und eines Epoxidharzes, welches aus einem Bisphenol mit Epichlorhydrin aufgebaut wurde,
mit einem lichthäribare Gruppen enthaltenden Bishphenol
oder einem gewöhnlichen Bisphenol, oder der Mischung der beiden, hergestellt wurden. Schließlich
können physikalische Mischungen von Produkten gemäß Formelbild I und II. die unter Verwendung von
verschiedenen Bisphenolen mil lichlhärlbaren Gruppen aufgebaut wurden, verwendet werden. Die Gruppen
»L« können jeweils auch Gemisch von mehreren Bisphenolen sein, die lichthärtbare Gruppen enthalten.
Jeweils können Monophenole. die Iichihäribare
Gruppen enthalten, oder gewöhnliche Monophenole in geeigneter Weise als Kettenabbrecher beim Advancement
eingesetzt werden.
Produkte gemäß Formelbild III erhält man. indem
man beispielsweise ein Epoxidharz gemäß Formel I oder Il verwendet und dessen freie Hydroxylgruppen
teilweise unter Verwendung eines listers, der lichtverneizbare
Gruppen enthält, durch Umesterung umsetzt. Hierfür verwendet man in bekannter Weise Methylester,
beispielsweise Zimtsäuremethylester, im Unterschuß und arbeilet bei Temperaturen von 100— 150' C
unter Verwendung von geeignelcn Katalysaloren.
Außer den in den I ormelbildern I- II und III durch
Advancement hergestellten Epoxidharzen können auch andere Epoxidverbindungen zum erfindungsgemäßen
Verfahren herangezogen werden Dabei muß jedoch jeweils das Verhältnis der Lpoxidgruppen zu den
lichtvcnetzbaren Gruppen derarl beschaffen sein, daß
die oben beschriebenen Eigenschaften nach der I.ich'vemetzung erhallen sind und eine thermische
Vernetzung der Epoxidgruppen möglich ist. Beispielsweise können Glycidyläther aus Novolaken verwendet
werden, bei denen die Glycidylgruppe partiell durch einen lienthärtbaren Rest umgesetzt ist (Formelbild IV).
OR
OR
( H-
CH, -
(IVi
worin m = 0 oder eine ganze Zahl, vorzugsweise von
1 — 10. X Wasserstoff oder ein aliphatischer Rest ζ. B.
eine Alkylgruppe mit 1 —4 Kohlenstoffatomen, und R
die Glydidylgruppe oder einen eine lichtempfindliche Gruppe L' enthaltenden Rest bedeutet, wobei das
Verhältnis der Anzahl Gruppen L' zur Anzahl Glycidylgruppen in weiten Grenzen schwanken können.
Insbesondere bedeutet X Wasserstoff oder die Methylgruppe.
Den beschriebenen lichtvernetzbaren Epoxidharzen werden in der Regel nun Härtungsmittel zugesetzt.
Diese sollten jedoch jeweils auf die Härtungsrr.ittel
abgestimmt sein, welche zur Härtung der in den Klebefolien enthaltenen Epoxidharze verwendet werden.
Prinzipiell können alle zur Herstellung von Prepregs möglichen Härtungsmittel verwendet werden.
Den lichtempfindlichen Harzen können geringe Mengen an Sensibilisatoren zugesetzt werden, die die
Belichtungszeit herabsetzen oder die Verwendung von Lichtquellen geringerer Leistung ermöglichen. Allgemein
sind monomolekulare Zusätze von Stabilisatoren. Sensibilisatoren und anderen nicht polymeren Zusätzen,
bei welchen die Gefahr besteht, daß sie als monomolekulare Verunreinigung im vernetzten Harz verbleibt,
nachteilig, zumal wenn sie in höheren Konzentrationen zugegeben werden müssen. Die für das erfindungsgemäße
Verfahren zu verwendenden lichthärtbaren Epoxidharze erübrigen weitgehend diese Zusatzstoffe, weil die
Konzentration an lichtvernetzbaren Gruppen limitiert gehalten werden kann und weil keine völlige Vernetzung
der Lackschichten durch die Photopolymerisation notwendig ist
Die nach der Belichtung vorliegende Vernetzung des Har/es ist dann so weit fortgeschritten, daß der
entstandene Lack noch nicht vollständig unlöslich und unschmelzbar geworden ist. Die sich im Lack befindlichen
Epoxidgruppen können beim später erfolgenden Verpressen mit einer weiteren lage Klebefolie bzw.
Prepreg eine Vernetzung mit dem zum Aufbau dieses Materials benutzten Epoxidharz eingehen. Dabei muß in
dem zum Aufbau dieser Trägerfolie verwendeten Epoxidharz noch eine genügende Anzahl von reaktionsfähigen
Gruppen zur Vernetzung der Epoxidgruppen des Resistlackes vorhanden sein, oder aber vorzugsweise
die für die Vernetzung der Epoxidgruppen des Resistiackes notwendige Menge Härter im Resistlack
bereits vorher zugegeben worden sein. In diesem Falle muß der im lichtvernetzbaren Resistlack vorliegende
Härter vertraglich sein mit dem härtbaren Material, ■welches zur Aushärtung des Harzes der Klebefolie
verwendet wurde. Nach der Belichtung und Entwicklung des lichtempfindlichen Epoxidharzlackes sind Teile
der Metallschicht zum Ätzprozeß freigelegt, nach dessen Durchführung das Leiterbild auf der Trägerfolie
entsieht.
Beim Verpressen der einzelnen Prepregs und Leiterschichten zur Mehrlagen-Schaltung (Multilayer-Laminat)
entsteht auf diese Weise zwischen den einzelnen Leiterschichten eine homogene Isolierschicht,
die keine flüchtigen Anteile enthält und auch keine Beschädigungen durch den nun entfallenden Stripp-Prozeß
aufweist. Es ist zwar schon bekannt, photohärtbare Isolierstoffe zu verwenden, die
ebenfalls in der Mehrlagen-Schaltung verbleiben. Beim derartigen beschriebenen Verfahren handelt es sich
jedoch nur um einen partiellen Aufbau von Multilayem. Dabei werden lichthärtbare Harze erwähnt, die durch
Veresterung von Epoxidharzen hergestellt wurden (DE-OS 19 37 508). Diese Harze werden bei der
Belichtung jedoch weitgehend vernetzt. Die damit
ίο
hergestellten Mehrlagen-Schaltungen besitzen nicht die hohen thermischen und mechanischen Eigenschaften,
die in der Technik notwendig sind. Diese erwähnten Harze sind daher für das erfindungsgemäße Verfahren
unbrauchbar, da sie thermisch nicht nachgehärtet werden können und deshalb nicht die erforderliche
Wärmestabilität besitzen. Außerdem müssen diese Epoxidesterharze, in der Regel sind es Epoxidharzpolycinnamate,
besonders sorgfältig gelagert werden und erfordern den Zusatz von Polymerisationsinhibitoren,
um konstante Eigenschaften nach Lagerung zu gewährleisten. Es hat sich gezeigt, daß die für das erfindungsgemäße
Verfahren verwendeten lichtempfindlichen Lacke nach der thermischen Nachhärtung ausgezeichnete
Haftung auch auf nicht vorbehandeltem Kupfer sowie den üblichen Basismaterialien aufweisen. Sie ergeben
außerdem die erstklassigen thermischen und mechanischen Festigkeiten der üblicherweise für die Herstellung
Formel V
von Basismaterialien verwendeten Epoxidlaminierharze, so daß sie auch als Schutzlacke, besonders aber als
Lötstopplacke, verwendet werden können.
Das Lackieren bzw. Beschichten geschieht nach den üblichen Verfahren, wie z. B. durch Schleudern, Tauchen,
Spritzen usw.
In den folgenden Beispielen A-F wird die Herstellung
einiger lichtempfindlicher Lacke beschrieben. Teile bedeuten Gewichtsteile.
In einem Reaktionskolben, der mit Thermometer, Rührer und Kühler versehen ist, werden 13,2 Teile eines
Epoxidharzes auf der Basis des Bisglycidyläthers von Bisphenol A mit einem Epoxidgruppengehalt von 5,4
Äquivalenten/kg, 11,1 Teile der lichtempfindlichen Verbindung der
Hü
C-- C-H = CH
V- CH = CH -C <f V-OH
und 0,1 Teil Tetraäthylammoniumbromid als Katalysator zusammen mit 24,3 Teilen l-Acetoxy-2-äthoxyäthan
erwärmt. Man erhitzt die unter Stickstoff gehaltene Mischung auf 140GC und läßt diese so lange
bei dieser Temperatur, bis eine Probe davon einen Epoxidgruppengehalt von 0,50 Äquivalenten/kg Harz
(ohne Lösungsmittel) zeigt. Darauf wird das Gemisch auf ca. 100° C gekühlt und mit 32,0 g Cyclohexanon
Formel VI
CH2-CH-CH2-O
-C--CH = CH
verdünnt.
Das erhaltene Produkt A entspricht einer Verbindung vom Typus der Formel I.
In gleicher Weise, wie unter A beschrieben, werden 3,80 Teile Bisphenol A, 9,64 Teile des lichtempfindlichen
Bisepoxids der
f V CH=(TI-C / \-O-CH2- CH - CH2
und 0,1 Teil Tetraäthylammoniumbromid zusammen mit 4-, MO0C erhitzt, bis eine Probe des Produktes einen
100 Teilen Dimethylformamid so lange unter Rückfluß Epoxidgruppengehalt von 1,10 Äquivalenten/kg ansieden
gelassen, bis eine Probe einen Epoxidgruppenge- zeigt,
halt von 0,39 Äquivalenten/kg Harz anzeigt.
halt von 0,39 Äquivalenten/kg Harz anzeigt.
Dieses Produkt B entspricht einer Verbindung vom
Typus der Formel II -)Π Beispiel D
Typus der Formel II -)Π Beispiel D
54,8 Teile eines Epoxidphenolnovolakes mit einem -,-,
Epoxidgruppengehalt von 5,6 Äquivalenten/kg. 42,8 Teile des lichtempfindlichen Monophenols der
6,24Teile l,3-Diglycidyl-5,5-dimethyl-hydantoin der
Formel VIII
Formel VIII
Formel VlI
O = C -
CH = CH —C
CH2-CH-CH2-N
CH1
C-CH3 o
N-CH2-CH-CH2
OH
b5
Il
ο
und 0,1 Teil Tetraathylammoniumbromid werden auf mit einem Epoxidgruppengehalt von 830 Aquivalen-
Il
ten/kg, 7,4 Teile des lichtempfindlichen Bisphenols der
Formel V
HO-/ V-C — CH = CH
= CH-C <
OH
und 0,01 Teil Tetramethylammoniumbromid werden in 100 Teilen Dimethylformamid gelöst und unter Rückfluß
bei 153°C so lange am Sieden gehalten, bis eine Probe (ohne Lösungsmittel) einen Epoxidgruppengehalt
von 0,65 Äquivalenten/kg anzeigt.
Das erhaltene Produkt D entspricht einer Verbindung vom Typus der Formel I.
180 Teile eines flüssigen Epoxidharzes auf Bisphenol-A-Basis
mit einem Epoxidgruppengehalt von 5,45 Äquivalenten/kg, 46,4 Teile des Dihydroxychalkons der
Formel IX
HO
C CH = CH / \
OH
71,6 Teile des Dihydroxychalkons der Formel V und 0,05
Teile Tetramethylammoniumchlorid werden in 68,2 Teilen 1-Acetoxy-2-äthoxy-äthan gemischt und so lange
bei 140° C gehalten, bis eine Probe einen Epoxidgruppengehalt
von 0,7 Äquivalenten/kg anzeigt. Das Produkt entspricht einer Verbindung vom Typus der
Formel I.
In gleicher Weise wie unter A beschrieben werden 98 Teile des gleichen flüssigen Epoxidharzes mit 74 Teilen
der gleichen lichtempfindlichen Verbindung der Formel V und 172 Teilen Dimethylformamid, jedoch ohne den
Katalysator, während 45 Minuten auf 150°C gehalten, bis eine Probe einen Epoxidgruppengehalt von 0,49
Äquivalenten/kg Harz ohne Lösungsmittel anzeigt
Aufbau einer Multilayer-Schaltung
mit 10 Leiterebenen
mit 10 Leiterebenen
100 Gewichtsteile einer 30%igen Lösung des unter Beispiel A hergestellten lichtempfindlichen Epoxidharzes
werden mh einer Lösung aus 0,5 Teilen 2,6-Xylyl-biguanid
und 5 Teilen Monomethylglykoläther versetzt Eine auf Formatgröße zugeschnittene, beidseitig kupferkaschierte
Folie, bestehend aus einer Lage eines mit Epoxidharz beschichteten Glasgewebes und 2 Lagen
Kupferfolie von jeweils 35 μίτι Dicke, wird durch
Tauchimprägnieren in dieser Lösung beschichtet Die Ziehgeschwindigkeit beim Tauchen beträgt 5 cm/Min.
Die derartig beschichtete Folie wird anschließend in einem Umluftofen während 10 Minuten bei 90—100°C
getrocknet Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur erhält man auf der Folie einen dünnen, trockenen und
kratzfesten Lack von lö μπι Dicke, welcher eine gute
Haftung auf dem Kupfer aufweist Das derartig beschichtete Laminat wird beidseitig mit einer Transparentfolie
belegt, die das Negativ der zu erzeugenden
Leiterzüge enthält. Die genaue Lage der Leiterzüge wird durch Fixierung in einem entsprechenden Rahmen
festgehalten. Anschließend wird das Harz in einem Vakuumrahinen evakuiert und beidseitig mil einer
lOOO-Watt-Quecksilberhochdruck-Lampe im Abstand
von 10 cm wahrend 50 Sekunden bestrahlt. Nach denn Herausnehmen aus der Halterung und dem Entfernen
der Negative werden die unbelichteten Harzteile in einer Mischung von 40 Teilen Cyclohexanon, 40 Teilen
Trimethylcyclohexanon und 20 Teilen Toluol herausgelöst. Das derartige entwickelte Bild wird mit Wasser
abgespült. Anschließend wird mittels einer Durchlaulätzmaschine
in 40%iger FeCh-Lösung bei 40°C während 4,5 Minuten geätzt. Es entsteht ein Leiterbild
hoher Konturenschärfe.
Nach der gleichen Methode werden noch 2 weitere Dünnschichtlaminate mit den entsprechenden Leiterzügen
auf beiden Seiten hergestellt. Zur Herstellung der Decklagen wird lediglich auf einer Seite das entsprechende
Leiterbild aufgebracht; die Kupferkaschierung, die später auf die Außenseite des Laminates kommt,
wird mit einer temporären Ätzschutzschicht mittels einer Klebefolie abgedeckt. Nun werden die 5
Folienlagen jeweils mittels eines Verbundprepregs, bestehend aus einem mit Epoxidharz beschichteten
Glasgewebe (NORPLEX-Grade BG-4, Handelsprodukt der Firma NORPLEX, La Crosse, Wisconsin. USA), bei
160"C während 30 Minuten mit einem Druck von
1,5 N/mm-'verpreßt.
Anschließend wird das Laminat gebohrt und die entsprechenden Löcher zur Verbindung der Leiterzüge
in den einzelnen Lagen in üblicher Weise durchmetalli
siert. Schließlich wird die Schaltung auf den Decklagen in konventioneller Weise unter Verwendung eines
üblichen Photoresist-Lackes oder auch des für die inneren Lagen verwendeten lichtempfindlichen Epoxid-Iackes
aufgebracht Dieser Lack wird danach jedoch wieder durch Strippen mittels eines geeigneten
Lösungsmittels entfernt
Abschließend wird das freiliegende Kupfer durch Tauchverzinnung bei 260° C abgedeckt und das
überflüssige Zinn durch Behandlung mit Polyglykolen entfernt
Während uitr fläch dciVi üblichen Verfahren hergestelhen
Mehrlagen-Schaltungen schon nach kurzer Behandlung im Verzinnungsbad und/oder beim Besprühen
mit Polyglykol delaminieren, zeigen 6 nach diesem Verfahren hergestellte 10-Lagen-Schaltungen keinerlei
Defekt Der entstandene Mehrlagenschichtstoff war
außerordentlich lötfest (> 1 Minute bei 260° C) und zeigt auch an Stellen breiterer Kupferleiterzüge
keinerlei Delaminierung. Die entstandene 10-Lagen-Schaltung zeigt eine sehr gute Zwischenlagenhaftung
und hohe mechanische Festigkeit
In der gleichen Weise wie in Beispiel 1 beschrieben,
werden unter Verwendung eines Lackes gemäß Beispiel C Formelbild IV, Multilayer hergestellt:
50 Teile des Harzes werden in 75 Teilen Monomethylglykoläther gelöst und 1,9 Teile 2,6,Xylol-biguanid als
Härtungsmittel zugegeben. Als Sensibilisator werde 1% Michlers Keton — bezogen auf den Fest-Stoffgehalt —
verwendet. >
Die Beschichtung der Cu-kaschierten Dünnschichtlaminate erfolgt wie in Beispiel 1 mit einem Tauchziehbeschichtungsgerät.
Die Belichtung des Lackfilmes, der in einem Vakuumrahmen mit den entsprechenden Negativen
abgedeckt ist, erfolgt mit einer 400-Wati-Quecksil- in
ber-Hochdurcklampe aus 10 cm Abstand und während 6 Minuten. Für das Herauslösen der unbelichteten
Harzanteile mit Monoäthylglykoläther werden ca. 60 Sekunden benötigt.
Die weiteren Verarbeitungsstufen zum fertigen r>
Multilayer, wie Ätzen, Verpressen, Löten usw. werden nach den im Beispiel 1 angegebenen Bedingungen
durchgeführt und die dabei auftretenden thermischen Belastungen gut überstanden.
J(I
Herstellung eines Schutzlackes für Mehrlagen-Schaltungen
Eine Mehrlagen-Schaltung, welche bereits die not- :\
wendigen Bohrungen enthielt und durchkontaktiert ist. wird mit der Lösung eines Lackes, bestehend aus 400
Teilen eines 50%igen Harzes entsprechend Beispiel E. von einem Epoxidäquivalentgewicht von 0,6 (bezogen
auf das Festharz) und 5.0 Teilen 2.6.Xylyl-biguanid, «> gelöst in 50 Teilen Monomelhylglykoläther. mit Hilfe
eines Rollercoaters mit gummierten und geriffelten Walzen beschichtet. Die beschichteten Mehrlagen-Schaltungen
werden dann in einen Vakuumtrockenschrank gebracht und während minuestens 30 Minuten r.
bei 50' C und ca. 50 Torr das Lösungsmittel abgedampft. Zur Beseitigung des Restlösungsmiitels wird das
Laminat anschließend nach 10 Minuten bei 100 C nachgetrocknet und das Harz dabei gleichzeitig in einen
vorpolymerisierten Zustand übergeführt. Der so aulge- w
tragene Lackfilm ist trocken, hat eine gute Haftung auch auf dem Basismaterial und weist eine Dicke von ca.
40 um auf. Nach dem Abkühlen der Mehrlagen-Schaltung
auf Raumtemperatur wird diese zusammen mit der entsprechenden Maske in einen Fixierrahmen eingelegt, 4 >
in einen Vakuum-Rahmen gebracht und dort 40 Sekunden aus 60 cm Entfernung mit einer 5000-Watt-Metallhalogenidlampe
bestrahlt. Die nicht belichteten Harzteile werden anschließend mit einer Mischung aus
Cyclohexanon/Trimethylcyclohexanon im Verhältnis -in
70 : 30 herausgelöst, wobei besonders darauf zu achten ist. daß das Harz aus den durchkontaktierten Bohrungen
vollständig herausgelöst wirrl Pie hierfür bcnmigtr· 7eil
beträgt 31/: bis 4 Minuten. Das Laminat wird dann mit Wasser abgespült und mit warmer Luft trocken -,-,
geblasen. Die thermische Aushärtung des Harzes wird in zwei Stufen vorgenommen: Zuerst wird der Film 30
Minuten bei 120" C angehärtet und durch eine
anschließende öOminutige Temperaturbehandlung bei 160' C vollständig ausgehärtet. „<
Ein nach diesem Verfahren hergestellter Lack ist äußerst kratzfest, lösungsmittelbeständig und zeigt vor
allem gute thermische Beständigkeit. So werden z.B. solche Muster während 48 Stunden in Lösungsmitteln,
wie Aceton, Äthylalkohol. Toluol, Trichloräthan usw. bei * Raumtemperatur gelagert. Nach dieser Zeil werden die
^ Testkörper mit Wasser abgespült und 30 Minuten bei
50" C getrocknet. Bei allen Mustern ist der Lack
unbeschädigt. Als Vergleich wird ein normales Laminat nach NEMA-G-10 ebenfalls 48 Stunden obigen
Lösungsmitteln ausgesetzt. Es zeigt bei den aggressiveren Lösungsmitteln wie Trichloräthan deutliche Quellungen
oder Delaminierungserscheinungen. Zur Prüfung der thermischen Belastbarkeit des Lackes werden
Muster, die nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt worden sind, in ein 2700C heißes Lötbad
getaucht. Nach lOminutiger Eintauchzeit kann zwar ein leichtes Nachdunkeln, jedoch keinerlei Beschädigung
des Lackes beobachtet werden.
Weitere Eigenschaften der in den Beispielen 1—3 verwendeten lichtempfindlichen Harze werden durch
folgende Tests näher beschrieben:
I. Optische Auflösung
Zur Prüfung der optischen Auflösung wird ein
einseitig Cu-kaschiertes Laminat mit der im Beispiel 1 verwendeten Lösung des Lackes im Schleuderverfahren
beschichtet und das Muster danach während 10 Minuten bei 100eC in einem Trockenschrank das Lösungsmittel
abgedampft. Die zurückbleibende Harzschichl beträgt etwa 10 μην Nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur
wird als Maske der sogenannte »Stouffer Keil« auf die Harzschicht aufgelegt und in einem Vakuum-Rahmen
mit einer 5000-Watl-Metallhalogenidlampe aus 60 cm
Abstand bestrahlt. Anschließend werden die nicht belichteten Harzteile mit dem in Beispiel 1 beschriebenen
Lösungsmittelgemisch herausgelöst und das Ganze mit Wasser abgespült. Im nachfolgenden Ätzprozeß mit
40%iger FeCU-Lösung wird bei Raumtemperatur das freigelegte Kupfer während 6 Minuten weggeätzt. Nach
einem weiteren Wasch- und Trockenprozeß werden die Muster unter dem Mikroskop beurteilt. Die erhaltenen
Keile sind praktisch bis zur Spitze gut aufgelöst und zeigen auch bei Skalcncinteilung 1 nicht gute Konturenscharfe.
Ebenso können die Punktraster, sowie die feinen Gitter rechts und links der Keile einwandfrei
entwickelt und geätzt werden.
II. Elektrische und allgemeine
laminat Eigenschaften
laminat Eigenschaften
Nach dem erfindungsgemaßen Verfahren wird die
nach dem Belichten und Entwickeln verbleibende Epoxidharzschicht, der sogenannte Photoresist, nicht
von der Trägerfolic entfernt. Da die lichtbestrahlten
Epoxidverbindungen beim nachfolgenden Verpressen wieder erweichen und sich dabei mit dem Harz und
Härter der Klebefolie vermischen, bildet sich eine Grenzzone Klebefolie/Photoresist heraus, deren Eigen
schäften untersucht und mit denjenigen von üblicher
(reinen) l.aminicrhiirz verglichen werden.
Im r-inzrlnen wprrirn die Versuche folgendermaßen
durchgeführt:
200 Teile eines Epoxidharzes 1. (Epoxidgruppenaquivalente/kg
= 2-22, Schmelzpunkt 68 — 78. hergestellt auf Basis eines mit Bisphenol A vorverlängerten
Bisphenol-Α-Epoxidharzes) werden mit
400 Teilen der nach Beispiel A hergestellten Har/losuTig vermischt. Getrennt davon wird eine Lösung von 9 g Dicyandiamid (Cyanoguanidin) in 150 g Monomethyl glykolälher durch leichtes Erwärmen hergestellt. Nach dem Abkühlen werden die beiden Lösungen bei Raumtemperatur vermischt, wodurch eine Imprägnier lösung mit einer Viskosität von ca. 150 cP/25"C entsteh· Ein Glasgewebe mit einem Flächengewicht von 200 g/m: und mit Leinenbindung, ausgerüstet mn einem Chrommethacrylatkomplex-Finish (»Volan A«: ge-
400 Teilen der nach Beispiel A hergestellten Har/losuTig vermischt. Getrennt davon wird eine Lösung von 9 g Dicyandiamid (Cyanoguanidin) in 150 g Monomethyl glykolälher durch leichtes Erwärmen hergestellt. Nach dem Abkühlen werden die beiden Lösungen bei Raumtemperatur vermischt, wodurch eine Imprägnier lösung mit einer Viskosität von ca. 150 cP/25"C entsteh· Ein Glasgewebe mit einem Flächengewicht von 200 g/m: und mit Leinenbindung, ausgerüstet mn einem Chrommethacrylatkomplex-Finish (»Volan A«: ge-
schützte Markenbezeichnung), wird durch einfaches Tauchimprägnieren beschichtet. In einem Trockenschrank
wird danach während 8 Minuten bei 1500C das
Lösungsmittel abgedampft. Das entstandene trockene Prepreg wird auf Formatgröße zurechtgeschnitten und
mehrere solcher Lagen zu einem Preßbündel aufgeschichtet. Als Decklagen wird je eine 35 μ dicke
Cu-Folie (Typ G 2 der Firma Clevite) so aufgelegt, daß die vorbehandelte Seite der Folie nach innen zeigt Das
Preßbündel wird dann mit einer Trennfolie aus Polyvinylfluorid (gesch. Markenbezeichnung »Tedlar«
der Firma Du Pont) eingeschlagen und in die 170—175° C heiße Presse eingelegt Die Presse wird
dann auf Kontaktdruck gebracht Nach etwa 2minutiger Kontaktzeit wird der Preßdruck auf 13 N/mm2
gesteigert und danach das Harz während 1 Stunde bei 170—175° C ausgehärtet: Prüfkörper P.
Parallel dazu werden Preßbündel von Laminaten aus reinem Laminierharz L hergestellt Nach dem Abkühlen
werden an den Laminaten P und L die in Tabelle 1 angegebenen Eigenschaften bestimmt
Prüfkörper P
Durchschlagsfestigkeit senkrecht zur Schicht (kV/cm)
Dielektrischer Verlustfaktor tan<5, 23 <./10"H/(%)
- Ausgangswert
- n. 24 h - HiO-Lagerung
- n. 48 h - H ,O/50 C
Dielektrizitätskonstante er 23 C, 10" H?
- Ausgangswerl
- n. 24 h H,0/23 C
- n. 48 h H ,0/50 C
Spe?. Durchgangswiderstand (H · cm)
- Ausgangswert
- n. 24 h - H2O-Lagerung/23 C
- 90 h Lagerung
40 ( /92 % rel. Luftfeuchtigkeit
OberfUichenwiderstand (U)
- Ausgangswerl
- n. 90 h Lagerung
40 (/92% rei. Luftfeuchtigkeit
Umwandlungstemperatur<( C)
>(a. d. Torsionsmodul)
N
Cu-Hal'tung
Cu-Hal'tung
- RT · cm
- 120 (
HiO-Aufnahme (%)
HiO-Aufnahme (%)
- n. 24 h/23 (
- n. 1 h/100 ("
260
100-105
16,6-17,8
8,9-9,3
8,9-9,3
0,5
III. Prüfung der Cu-Haftung
Vergleichs-Laminat L
270
1,73 | ΙΟ15 | 2.03 |
1,80 | ΙΟ'5 | 2,23 |
2,09 | 10H | 3,71 |
5,6 | 1O': | 5,4 |
5,6 | ιο': | 5,4 |
5,5 | 5,8 | |
5,5· | 2,7· ΙΟ15 | |
1,3· | 1,1 · ΙΟ15 | |
3,3· | 1,2· ΙΟ15 | |
4,4· | 2,4 · ΙΟ13 | |
3,2· | 3,0· ΙΟ12 | |
17,8-18,6
8,9-10
8,9-10
0,7
Die Haftung des Kupfers auf dem Photoresist wird mit folgendem Test geprüft:
Auf eine 35 μίτι dicke Kupferfolie vom Typ G 2 der
Firma Clevite wird mit Hilfe des Schleuderverfahrens auf der Glanzseite ein 10— 15μπι dicker Harzfilm
aufgetragen. Der verwendete Lack entspricht dem in Beispiel 1 verwendeten Material. 14 Lagen eines
Epoxidharz-Glasgewebeprepregs entsprechend NEMA
130 244/136
17 18
FR-4 wurden aufeinandergeschichtet Die Kupferfolie Dabei werden folgende Resultate erhalten:
wird als abschließende Lage so aufgebracht, daß die j^
beschichtete Seite nach innen zeigt Das Verpressen zu RT: 13,9 — 16,2 ——
einem Schichtstoff erfolgt nach den oben beschriebenen cm
Bedingungen. Nach dem Abkühlen des Laminates wird 5 _.„ _ N
an Prüfkörpern von einer Länge von 10 cm und einer ' ~cm~
Breite von 1,27 cm und nach den in MIL-P-13949-E
angegebenen Richtlinien an einem Cu-peel-tester die Ein handelsübliches Photoresist weist überhaupt
Cu-Haftung bestimmt keine Haftung auf Kupfer auf.
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schalturgen durch Beschichten von
ätzbare Metallschichten aufweisenden Trägerfolien mit einem lichtempfindlichen Material, Belichtung
des lichtempfindlichen Materials djrch ein Negativbild der die zu erzeugenden Leiteizügen aufweisenden
Transparentfolien, Entwicklung mit einem organischen Lösungsmittel, wobei die unbelichteten
Teile des lichtempfindlichen Materials herausgelöst werden, Behandeln der Metallschichten mit einer
Ätzflüssigkeit und Verpressen der Gebilde zu einer Mehrlagen-Schaltung, dadurch gekennzeichnet,
daß man als lichtempfindliches Material ein organisches Material, welches eine Verbindung
mit Epoxidgruppen und mit elektromagnetischen Strahlen härtbare Gruppen enthält, verwendet,
daß man die durch die Belichtung vorgehärteten Teile der lichtempfindlichen Schicht unter Verwendung
eines in der Wärme wirkenden Härters für Epoxidharze einer thermischen Nachbehandlung
unterzieht, wobei diese Teile nachgehärtet werden, und daß man sie auf den Trägerfolien beläßt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Verbindung mit thermohärtbaren
Epoxidgruppen und mit durch elektromagnetischen Strahlen härtbare Gruppen eine Verbindung
mit 0,1 bis 3,0 Epoxidgruppenäquivalenten/kg verwendet.
Cj
CH, C1H -CH, —
CH, C1H -CH, —
B-CH,
3. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß man ein Epoxidharz verwendet, in welchem das Epoxidgruppenäquivalent/kg Harz
zwischen 0,4 und 1,0 liegt
4. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als lichtempfindliche Gruppen
ι« und Epoxidgruppen enthaltendes Materia) ein
Epoxidharz, welches pro Molekül annähernd zwei Epoxidgruppen aufweist, verwendet.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Material einen
r, Härter für Epoxidharze enthält.
6. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die einzelnen beschichteten,
belichteten, entwickelten und geätzten Lagen zusammen mit dazwischengelegten Verbundfolien
unter Wärmeeinwirkung verpreßt, wobei gleichzeitig die Härtung der epoxidgruppenhaltigen Verbindungen
eintritt.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbundfolie ein mit einem
2; Epoxidharz und einem Härter für Epoxidverbindungen
imprägniertes Glasgewebe verwende! wird.
8. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein lichtempfindliches Material
verwendet, welches mindestens eine Verbindung der
jo Formel I
OH
I
CH - CH2 ,„-OH
CH - CH2 ,„-OH
L-CH,- CH-CH,
O
,,J^-B-CH2-CH-CH2
,,J^-B-CH2-CH-CH2
(D
enthält, in welcher m 0, 1, 2 oder 3 und η und ρ
unabhängig voneinander 1, 2 oder 3, B einen -w aliphatischen, cycloaliphatische^ araliphatischen,
aromatischen oder heterocyclischen Rest und L eine lichtempfindliche Gruppe, die vorzugsweise eine
O
CH2-CH-CH2-
CH2-CH-CH2-
OH
L-CH2-CH-CH2
L-CH2-CH-CH2
O
CH2-CH-CH2
CH2-CH-CH2
Chalkongruppe enthält, bedeuten.
9. Verfahren gemäß Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß man ein lichtempfindliches Material
verwendet, welches mindestens eine Verbindung der Formel Il
OH
B-CH, CH -CH,
„,|„ L-CH2 C-H -CH2
(H)
(H)
enthält, in welcher m 0, 1, 2 oder 3, η und q
unabhängig voneinander 1, 2 oder 3, B einen aliphatischen, cycloaliphatische^ araliphatischen,
aromatischen oder heterocyclischen Rest und L eine lichtempfindliche Gruppe, welche vorzugsweise eine
Chalkongruppe enthält, bedeuten.
10. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein lichtempfindliches
Material verwendet, welches mindestens eine Verbindung der Formel Il
OR
L-CH2-CH-CH2 „—
O R
B-CH2 CH- CH2
O
B-CH2 CH-CH2
B-CH2 CH-CH2
(III)
enthält, in welcher m 0, 1, 2 oder 3, η und ρ
unabhängig voneinander 1, 2 oder 3 einen aliphatisehen,
cycloaliphatische^ araliphatischen aromatischen oder heterocyclischen Rest, L eine lichtempfindliche
Gruppe, welche vorzugsweise eine Chalkongruppe enthält, bedeuten, und die Reste R für
Wasserstoffatome die zum Teil durch eine lichtempfindliche Gruppe aufweisende Rest ersetzt sein
können, stehen.
11. Verfahren gemäß Anspruch I1 dadurch
gekennzeichnet, da man ein lichtempfindliches Material verwendet, welches mindestens eine
Verbindung der Formel IV
O-R
in welcher m = 0 oder eine ganze Zahl, vorzugsweise
von 1 bis 10, und X Wasserstoff oder eine aliphatische Gruppe bedeuten und R für die
Glycidylgruppe oder für einen eine lichtempfindliche Gruppe enthaltenden Rest steht, wobei mindestens
ein Rest R die Glycidylgruppe und mindestens ein Rest R den Rest L' darstellt.
12. Verfahren gemäß Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß X in der Formel IV Wasserstoff
oder die Methylgruppe bedeutet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1265872A CH576739A5 (de) | 1972-08-25 | 1972-08-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2342407A1 DE2342407A1 (de) | 1974-03-07 |
DE2342407B2 DE2342407B2 (de) | 1978-11-23 |
DE2342407C3 true DE2342407C3 (de) | 1981-10-29 |
Family
ID=4385183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2342407A Expired DE2342407C3 (de) | 1972-08-25 | 1973-08-22 | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schaltungen |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3956043A (de) |
JP (1) | JPS5513437B2 (de) |
AU (1) | AU524785B2 (de) |
BE (1) | BE804003A (de) |
CA (1) | CA1007098A (de) |
CH (1) | CH576739A5 (de) |
DD (1) | DD105906A5 (de) |
DE (1) | DE2342407C3 (de) |
FR (1) | FR2197301B1 (de) |
GB (2) | GB1446321A (de) |
IL (1) | IL42978A (de) |
NL (1) | NL170485C (de) |
SE (1) | SE403879B (de) |
SU (1) | SU634699A3 (de) |
ZA (1) | ZA735831B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3214807C1 (en) * | 1982-04-21 | 1983-10-06 | Siemens Ag | Process for producing etched printed circuit boards |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4181807A (en) * | 1974-11-30 | 1980-01-01 | Ciba-Geigy Corporation | Polymerizable esters derived from a glycidyl ether of a phenolic unsaturated ketone |
US4179577A (en) * | 1974-11-30 | 1979-12-18 | Ciba-Geigy Corporation | Polymerisable esters derived from a phenolic unsaturated ketone |
JPS5337120B2 (de) * | 1974-12-20 | 1978-10-06 | ||
CH613556A5 (en) * | 1975-03-05 | 1979-09-28 | Bbc Brown Boveri & Cie | Process for photolithographic patterning of resistor tracks in hybrid circuits |
GB1512814A (en) * | 1975-08-13 | 1978-06-01 | Ciba Geigy Ag | Epoxide resins |
US4217168A (en) * | 1977-09-16 | 1980-08-12 | Data Recording Instruments Limited | Magnetic core formed from laminations |
CA1119447A (en) * | 1978-09-06 | 1982-03-09 | John P. Vikesland | Positive-acting photoresist composition containing a crosslinked urethane resin, a cured epoxy resin and a photosensitizer |
US4247616A (en) * | 1979-07-27 | 1981-01-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Positive-acting photoresist composition |
US4502957A (en) * | 1981-11-24 | 1985-03-05 | Ciba-Geigy Corporation | Process for purifying organic solutions |
EP0099856B1 (de) * | 1982-06-24 | 1987-11-11 | Ciba-Geigy Ag | Photopolymerisierbares Beschichtungsmittel, photopolymerisierbares Material und seine Verwendung |
US4552815A (en) * | 1982-10-01 | 1985-11-12 | Ciba Geigy Corporation | Prestressing elements coated with plastic material and process for making them |
DE3479810D1 (en) * | 1983-08-24 | 1989-10-26 | Ciba Geigy Ag | Method of producing prepregs and composite materials reinforced therewith |
DE3412992A1 (de) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Durch strahlung polymerisierbares gemisch und verfahren zum aufbringen von markierungen auf eine loetstopresistschicht |
FR2566418A1 (fr) * | 1984-06-22 | 1985-12-27 | Ebauchesfabrik Eta Ag | Procede d'assemblage de pieces par collage |
DE3565546D1 (en) * | 1984-06-29 | 1988-11-17 | Siemens Ag | Thermostable and irradiation-curable polymer system based on bisphenol and epichlorohydrine, and method for its preparation |
US4828961A (en) * | 1986-07-02 | 1989-05-09 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Imaging process for forming ceramic electronic circuits |
DE3881911D1 (de) * | 1987-03-09 | 1993-07-29 | Siemens Nixdorf Inf Syst | Aufbautechnik fuer mehrlagige verdrahtungen. |
JP2530718B2 (ja) * | 1989-06-13 | 1996-09-04 | 東レ株式会社 | 配電基盤用ポリエステルフィルム |
US5074035A (en) * | 1989-07-19 | 1991-12-24 | Excello Circuits | Method of making thin film laminate printed circuit |
US5928839A (en) * | 1992-05-15 | 1999-07-27 | Morton International, Inc. | Method of forming a multilayer printed circuit board and product thereof |
TW290583B (de) * | 1993-10-14 | 1996-11-11 | Alpha Metals Ltd | |
JP2775585B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1998-07-16 | 日本メクトロン株式会社 | 両面配線基板の製造法 |
US5693691A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-02 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings compositions |
US8580672B2 (en) | 2011-10-25 | 2013-11-12 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming bump structures that include a protection layer |
CN114340160A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-12 | 鹤山市中富兴业电路有限公司 | 喷锡字符设计工艺 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3278305A (en) * | 1963-07-12 | 1966-10-11 | Gevaert Photo Prod Nv | Photochemical cross-linking of polymers |
DE1447016C3 (de) * | 1963-10-25 | 1973-11-15 | Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich | Vorsensibilisierte Druckplatte |
US3410824A (en) * | 1965-03-19 | 1968-11-12 | Ralph B. Atkinson | Light sensitive resin from a dihydroxy chalcone and an epoxy prepolymer |
US3418295A (en) * | 1965-04-27 | 1968-12-24 | Du Pont | Polymers and their preparation |
DE1572060C3 (de) * | 1966-01-07 | 1974-10-24 | Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich | Lichtempfindliche Kopierschicht |
DE1572062C3 (de) * | 1966-01-07 | 1974-11-07 | Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich | Lichtempfindliche Kopierschicht |
DE1618729A1 (de) * | 1966-03-10 | 1972-03-30 | North American Aviation Inc | Verfahren zur Herstellung eines photopolymerisierbaren Epoxydharzes |
NL6809002A (de) * | 1967-07-06 | 1969-01-08 | ||
FR2041471A5 (en) * | 1969-04-25 | 1971-01-29 | Cii | Multi-layer circuits with thermosetting - dielectric |
DE1937508C3 (de) * | 1969-07-23 | 1974-01-10 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischen Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen Isolierstoffträgers |
DE2059425A1 (de) | 1970-12-02 | 1972-06-22 | Siemens Ag | Partieller Aufbau von gedruckten Mehrlagenschaltungen |
US3776729A (en) * | 1971-02-22 | 1973-12-04 | Ibm | Photosensitive dielectric composition and process of using the same |
US3876432A (en) * | 1972-09-11 | 1975-04-08 | Sun Chemical Corp | Fatty ester modified epoxy resin photopolymerizable compositions |
JPS51447A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-06 | Janome Sewing Machine Co Ltd | Hitoharinuisochikakudokiko |
-
1972
- 1972-08-25 CH CH1265872A patent/CH576739A5/xx not_active IP Right Cessation
-
1973
- 1973-07-31 SE SE7310524A patent/SE403879B/xx unknown
- 1973-08-14 IL IL42978A patent/IL42978A/en unknown
- 1973-08-15 CA CA178,907A patent/CA1007098A/en not_active Expired
- 1973-08-16 GB GB3883373A patent/GB1446321A/en not_active Expired
- 1973-08-16 AU AU59320/73A patent/AU524785B2/en not_active Expired
- 1973-08-16 GB GB748276A patent/GB1446322A/en not_active Expired
- 1973-08-20 US US05/389,910 patent/US3956043A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-08-22 DD DD173035A patent/DD105906A5/xx unknown
- 1973-08-22 DE DE2342407A patent/DE2342407C3/de not_active Expired
- 1973-08-23 SU SU731953749A patent/SU634699A3/ru active
- 1973-08-24 FR FR7330716A patent/FR2197301B1/fr not_active Expired
- 1973-08-24 BE BE134916A patent/BE804003A/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-08-24 JP JP9510073A patent/JPS5513437B2/ja not_active Expired
- 1973-08-24 ZA ZA735831A patent/ZA735831B/xx unknown
- 1973-08-24 NL NLAANVRAGE7311716,A patent/NL170485C/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3214807C1 (en) * | 1982-04-21 | 1983-10-06 | Siemens Ag | Process for producing etched printed circuit boards |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SU634699A3 (ru) | 1978-11-25 |
IL42978A0 (en) | 1973-11-28 |
NL170485C (nl) | 1982-11-01 |
AU5932073A (en) | 1975-02-20 |
DD105906A5 (de) | 1974-05-12 |
JPS4959971A (de) | 1974-06-11 |
FR2197301A1 (de) | 1974-03-22 |
NL170485B (nl) | 1982-06-01 |
GB1446321A (en) | 1976-08-18 |
CH576739A5 (de) | 1976-06-15 |
NL7311716A (de) | 1974-02-27 |
CA1007098A (en) | 1977-03-22 |
SE403879B (sv) | 1978-09-04 |
DE2342407A1 (de) | 1974-03-07 |
AU524785B2 (en) | 1982-10-07 |
BE804003A (fr) | 1974-02-25 |
US3956043A (en) | 1976-05-11 |
JPS5513437B2 (de) | 1980-04-09 |
IL42978A (en) | 1976-05-31 |
GB1446322A (en) | 1976-08-18 |
DE2342407B2 (de) | 1978-11-23 |
FR2197301B1 (de) | 1978-12-29 |
ZA735831B (en) | 1974-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2342407C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Mehrlagen-Schaltungen | |
EP0075537B1 (de) | Verfahren zum Beschichten gedruckter Schaltungen | |
DE2559718C2 (de) | Verfahren zur kationischen Polymerisation von Epoxyharz | |
EP0167051B1 (de) | Thermostabiles, durch Bestrahlung vernetzbares Polymersystem auf der Basis von Bisphenolen und Epichlorhydrin sowie Verfahren zu seiner Verwendung | |
DE3717199C2 (de) | ||
EP0003040B1 (de) | Strahlungsempfindliche Überzugsmasse und Verfahren zur Herstellung eines negativen Photoresistbildes | |
DE2207853A1 (de) | Photoempfindliche, dielektrische Zusammensetzung | |
DE3604580A1 (de) | Haertbare mischungen, enthaltend n-sulfonylaminosulfoniumsalze als kationisch wirksame katalysatoren | |
DE2406400B2 (de) | Lichtempfindliche harzzusammensetzungen auf der basis von verbindungen mit epoxy- bzw. photopolymerisierbaren acrylgruppen | |
EP0174494B1 (de) | Thermostabiles, durch Bestrahlung vernetzbares Polymersystem für mikroelektronische Anwendung | |
DE2319848A1 (de) | Lichtempfindliche deckschichten | |
DE3782732T2 (de) | Verfahren zur herstellung mehrschichtiger halbleiterplatten. | |
EP0146501A2 (de) | Polymerisierbare Zusammensetzungen | |
DE2635929A1 (de) | Photopolymerisierbare epoxidharze | |
DE68908558T2 (de) | Photodefizierbare dielektrika-zwischenschicht. | |
DE112015004514T5 (de) | Fotoempfindliche harzzusammensetzung und deren ausgehärtetes produkt | |
DE69426702T2 (de) | Verbinden von innenschichten in der leiterplattenherstellung | |
DE3729733A1 (de) | Verfahren zur herstellung gedruckter schaltungen | |
DE69911902T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung | |
DE102006037273B4 (de) | Abgeflachte, mit Harz beschichtete gedruckte Leiterplatte | |
DE2507008A1 (de) | Polymerisierbare ester | |
DE69319277T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte und daraus erhaltenes Produkt | |
EP0259727A2 (de) | Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger strukturierter Schichten auf Epoxidharzbasis | |
EP0145653B1 (de) | Photopolymerisierbare Zusammensetzungen | |
DE2258880C3 (de) | Lichtempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Öffnungen enthaltenden Schichten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |