DE1937508C3 - Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischen Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen Isolierstoffträgers - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischen Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen Isolierstoffträgers

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DE1937508C3 DE19691937508 DE1937508A DE1937508C3 DE 1937508 C3 DE1937508 C3 DE 1937508C3 DE 19691937508 DE19691937508 DE 19691937508 DE 1937508 A DE1937508 A DE 1937508A DE 1937508 C3 DE1937508 C3 DE 1937508C3
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Hans Hadersbeck
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischen Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen Isolierstoffträgers.
Isolierstoffträger dieser Art sind bislang überwiegend unter dem Fachausdruck »gedruckte Schaltungen« bekanntgeworden, obwohl es sich weniger um einen Druck der Schaltungen a!s vielmehr um zum Teil recht unterschiedliche Verfahren handelt. Es werden hierbei Ätzverfahren unterschiedlicher Art angewendet, zum Teil auch Leiterbahnen auf Isolierstoffträger aufgeklebt. Mit der zunehmenden räumlichen Konzentration elektrischer Baueinheiten und Schaltungsgruppen wurde es erforderlich, die Anzahl der Leitungen auf einem solchen Isolierstoffträger erheblich zu erhöhen, wodurch die Schwierigkeit der kreuzungsfreien Führung der einzelnen Leitungen entstand. Zur Behebung dieser Schwierigkeiten wurde die sogenannte mehrlagige gedruckte Schaltung entwickelt, bei der mehrere, relativ dünne, auf einer oder zwei Seiten Leiterbahnen tragende Verdrahtungsplatten durch Klebung oder thermische Verbindung zu einem einheitlichen Isolierstofflrägcr verbunden wurden mit sogenannten Durchkontaktierungen zwischen in verschiedenen Ebenen liegenden Leiterbahnen. Parallel zu dieser Entwicklung vollzog sich in den letzten Jahren die sogenannte Integration elektrischer Schaltungen in einem Block
oder Plättchen aus Halbleitermaterial. Hierbei sind in einem Halbleiterplättehen Halbleiterelemente und passive Elemente, wie Widerstünde, Kondensatoren U. dgl. durch spezielle Fertigungsvertahr.en in größerer Anzahl untergebracht. Solche höherwertige Bauelemeine haben eine größere Anzahl von Anschlüssen, beispielsweise zwanzig, und sind in der bisher üblichen Form in Mciallgehäusen mit entsprechender Anzahl von Durchführungsleitungen angeordnet. Es ist relativ einfach, solche Halbleiterbauelemente in die genannten Mehrlagenschaltungen einzusetzen. Die Untersuchung dieser Entwicklungsrichtung ergab jedoch, daß das Verhältnis von benötigtem Volumen für die gesamte Baugruppe zu dem Volumen der eigentlichen aktiven Elemente ungünstig groß ist. Auf Grund dieser Talsache entwickelte sich zu den mehrlagigen gedruckten Schaltungen etwa zeitlich parallel die Technik der Dünnfilm- und Dickfilmschaltungen, bei denen mittels Aufdampftechnik oder sonstiger bekannter Fertigungsverfahr^n auf einem isoJiersto/fträger Leiterbahnen und passive Bauelemente in entsprechender Anzahl und Anordnung unmittelbar aufgebracht werden und, weil diese Technik die Herstellung sehr dünner Leiter und Anschlußstellen erlaubt, zum Teil auch unmittelbar die aktiven Bauelemente, vor allem in Form integrierter Schaltkreise, d. h. ohne jedes Gehäuse. Diese Technik wird auch als Flip-Chip-Technik und in einer besonderen Form als Beam-Lead-Technik bezeichnet. Die Verbindung der kleinen, integrierte Schaltkreise darstellenden Chips mit den Anschlußstellen au? der Dünnfilm- oder Dickfilmschaltung erfolgt je nach dem gewünschten Fertigungsverfahren, z. B. durch Lötung oder Verschweißung der Anschlußstelle. Schwierig ist bei diesem Dünnfilm- oder Dicklilmverfahren die Herstellung genügend feiner und niederohmiger Leiterstrukturen vor allem dann, wenn eine sehr große Anzahl von Leiterbahnen benötigt wird, beispielsweise .veil sehr viele Halbleiterchips auf einem Isolierstoffträger angeordnet werden sollen. Wünschenswert wäre es an sich, wenn die Verdrahtung innerhalb des Isolierstoffträgers in ähnlicher Weise wie bei gedruckten Schaltungen hergestellt werden könnte, weil dann nicht nur kürzere Verbindungen, sondern auch wellenwidcrstandsrichtige Verbindungen leichter erreichbar sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe' zugrunde, eine Möglichkeit für die Lösung dieses letztgenannten Problems aufzuzeigen.
Erfindungsgemäß wird dies bei einem Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischen Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen fsolierstoffträgers dadurch erreicht, daß ein aus einer dünnen Schicht eines photochemisch vernetzbaren Isolierstoffs bestehender IsoIicrstofTträger auf photochemischem Weg durch Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung im Bereich der Leitimgsbahnen und Durchkontaktierungen mit entsprechenden Aussparungen bzw. Durchbrechungen versehen wird, die dann mit einem elektrisch gut lei-(enden Material ausgefüllt werden.
Durch das eilindungsgeniäße Verfahren kann man mil Leitungsbahnen und/oder Durchkonlaktieruiigen versehene JsolierstolTträger in einfacher Weise herstellen, die sich für einen Aufbau mit feinen !.eitungsstnikturen und daher für die Mikroelektronik besonders eignen, wobei auch der platz- und eewichtssparende Aufbau sehr von Vorteil ist.
In vorteilhafter Weise wird die Schicht aus einem photochemisch vernuzbaren Isolierstoff auf einen Träger aufgebracht und danach auf photochemischem Weg durch Bestrahlung und entsprechende Nachbe-S handlung im Bereich der Leitungsbahnen und Durchkontaktierungen mit den Aussparungen bzw. Durchbrechungen versehen, die dann vorzugsweise auf elektronischem Weg mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt werden.
ίο Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird so durchgeiührt, daß zur Erzielung von Mehrebenenschaltungen eine der Anzahl der Ebenen entsprechende Anzahl von Schichten eines photochemisch vernetzbaren Isolierstoffs, gegebenenfalls unter Zwischenfügung von Potentialebenen bildenden elektrisch leitenden Flächen, auf dem Träger auigebracht ist, die jeweils auf photochemischem Weg durch Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung im Bereich der dieser Ebene zugeordneten Leitungsbahnen bzw. Durchkontaktierungen mit entsprechenden Aussparungen bzw. Durchbrechungen versehen werden, die dann mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt werden.
Bei einem Träger aus einem elektrisch leitenden Material werden die Aussparungen bzw. Durchbrechungen in vorteilhafter Weise im Zusammenhang mit dem Träger vorzugsweise auf elektrochemischem Weg mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt. Als Träger werden beispielsweise eine mit einer Kupferschicht überzogene Molybdänplatte verwendet, von der sich im Bedarfsfall die fertiggestellte Verdrahtungsplatte leicht ablösen läßt.
Bei Verwendung eines Trägers aus Isolierstoff werden die Aussparungen bzw. Durchbrechungen zweckmäßigerweise auf chemischem Weg mit elektrisch leitendem Material ausgefüllt. Hierbei wird vor dem Aufbringen der die Leitungsbahnen bzw. Durchkontaktierungen enthaltenden Isolierstoffschicht im Bereich der Aussparungen bzw. Durchbrechungen auf der darunter liegenden Schicht eine Bekeimung vorgenommen, von der ausgehend sich in einfacher Weise das elektrisch leitende Material aufbringen läßt. Die Bekeimung ist so gering gewählt, daß zwischen verschiedenen Leitungsbahnen und Durchkontaktierungen noch ausreichende elektrische Isolation gegeben ist.
Nachstehend wird die Erfindung an Hand von in der Zeichnung wiedergegebenen Ausführungsbeispielen näiier erläutert. Das Ausführungsbeispiel betrifft eine Mehrlagenverdrahtung. Es zeigt
F i g. 1 die einzelnen Schichten einer Mehrlagenverdrahtung, die unter einem gegenseitigen Abstand übereinanderliegend in perspektivischer Darstellung gezeichnet sind,
F i g. 2 eine Mehrlagenverdrahtung mit auf der Bauteilseitc aufgesetzten Schaltkreisen in Flip-Chip-Technik und eine Teildarstcllung mit einem abgehobenen Schaltkreis,
Fig. 3 eine Mehrlagenverdrahtung mit auf der Bauteilseite aufgesetzten Schaltkreisen in Beam-Lead-Technik und eine Teildarstellung mit einem einzelnen Schaltkreis.
)lSi der Herstellung einer Mchrlagenverdrahliiiig. deren verschiedene \ulbaustufen in den Fig. la bis I k dargestellt sind, gehl man von einem Träger aus. auf den die einzelnen Schichten schrittweise aufgebracht werden. Dieser Träger kann aus einem elektrisch k-itcndiMl M;i!cri:il ndrr i'inrni Isnlii'tUnlF hr-
stehen. Bei Verwendung eines Trägers aus Isolierstoff erfolgt die Metallisierung der in den einzelnen Schichten enthaltenen Leiterbahnen und Durchkontaktierungen auf stromlosem, d. h. auf chemischem Wege. Dabei ist vorgesehen, daß der zu metallisierende Bereich durch eine vorangehende Bekeimung vorbehandelt wird, um die Grundlage für nachfolgende Metallisierung zu schaffen. Man wählt für die Metallisierung zweckmäßig ein elektrochemisches Metallisicrungsverfahren, wobei es vorteilhaft ist, als Triigcr einen aus einem elektrisch leitenden Material zu verwenden, mit dem man dann auf galvanischem Wege die Leiterbahnaussparungen und Durchkontaktierungsaussparungen mit einem elektrisch leitenden Material ausfüllen kann. Als elektrisch leitender Präger empfiehlt sich eine Molybdänplatte, die allseitig mit einer Kupferschicht überzogen ist. Eine Molybdänplatte eignet sich besonders gut, weil sich von ihr im Bedarfsfall die fertiggestellte Verdrahtungsplatte leicht ablösen läßt.
Bei dem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Mehrlagenverdrahtung wird als Träger eine solche verkupferte Molybdänplatte verwendet. Auf diesen Träger 1 wird eine Schicht 2 eines photochemisch vernetzbaren Isolierstoffs aufgebracht (vgl. F i g. 1 k). Die photochemisch vernetzbare Schicht, beispielsweise aus photochemisch vernetzbarem Epoxidharz, wird in der W.ise belichtet und entsprechend nachbehandelt, daß die in ihr einzufügenden Durchkontaktierungen, d. h. die Anschlußpunkte der Chips, als Durchbrechungen 3 in der Isolierstoffscliicht entstehen. Die Bestrahlung der Schicht erfolgt dabei unter Verwendung einer Maske, die entsprechend der Art des liphtempfindlichen Isolierstoffs, den Bereich der Aussparungen bzw. Durchbrechungen der Schicht abdeckt (Negativlack) oder freiläßt (Positivlack). Die abgedeckten Teile werden anschließend mit einem entsprechenden Lösungsmittel herausgelöst, während bei den belichteten Teilen eine chemische Vernetzung eingetreten ist, die eine Lösung verhindert, so daß diese Teile als Isolierstoffschicht verbleiben. Bei Verwendung eines Positivlackes werden die belichteten Teile entfernt und die unbelichteten verbleiben. Nach der Herstellung der Durchbrechungen für die dieser ersten Isolierstoffschicht zugeordneten Durchkontaktierungen werden die Durchbrechungen 3 im Zusammenhang mit dem metallischen Träger 1 mittels galvanischer Metallisierunc mit einem elektrisch gut leitenden Material, beispielsweise Kupfer, ausgefüllt. Zumindest bei Verwendung eines Positivlackes empfiehlt es sich, nach der Herauslösung der unvcrnetzten Schichtteile eine Inaktivierung bzw. Passivierung vorzunehmen, z. B., indem auf die jeweils gerade fertiggestellte Schicht eine Schutzschicht aufgebracht wird.
Anschließend wird auf die die Durchkontaktierungen enthaltende Isolierstoffschicht 2 eine weitere Schicht 4 eines photochemisch vernetzbaren Isolierstoffs aufgebracht, in die Leitungsbahnen und Durchkontaktierungen eingefügt werden (vgl. Fig. Ij). Die Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung dieser Schicht erfolgt in der gleichen Weise wie bei der ersten Isolierstoffschicht. Außer den etwa punktförniigen Durchbrechungen 6 für die Durchkontakticriinj». die mit den Durchkontaktierungen der ersten IsolicrstofTschicht zur Auflage kommen, werden in der zweiten Tsolierstoffschicht 4 grabcnförmige Aussparungen 5 für die gewünschten Lcilungsbalinen hergestellt, wobei diese Aussparungen so angeordnet sind, daß jeweils mindestens eine Durchkontaktierung der ersten Isolierstoffschicht in eine Aussparung hineinragt. Zum Aufbau der Leitungsbahnen werden die Aussparungen durch stromlose Metallisierung erst leitend gemacht. Im Hinblick auf die nachfolgende galvanische Metallisierung und um die gesamte Herstellung möglichst einfach zu gestalten, ist es von entscheidender Bedeutung, daß es gelingt, allein die
ίο Bodenflächen der Aussparungen stromlos zu metallisieren. Dies erreicht man vorteilhaft dadurch, daß man vor dem Aufbringen der die Leiterbahnen enthaltenden Isolierstoffschicht eine Bekeimung der darunterliegenden Schicht, insbesondere aber der
iS Bereiche, in denen die Leitungsbahnen angeordnet werden, ausführt. Da im Regelfall die Isolierstoffschicht eine relativ rauhe Oberfläche hat bzw. mit einer solchen versehen wird, kann die Bekeimung — als Grundlage der späteren Metallisierung — hinsichtlich ihrer Stärke in weiten Grenzen ohne störende elektrische Querleitung variiert werden. Beispielsweise hat sich eine Bekeimung durch Eintauchen in eine Lösung kolloidal gelösten Palladiums hierbei als geeignet erwiesen, weil die rauhe Oberfläche eine leitende Durchverbindung auch bei stärkerer Bekeimung noch wirksam verhindert. In der Praxis war es allerdings ausreichend, die Stärke der Bekeimung so gering zu wählen, daß sie selbst mit starker lichtmikroskopischer Vergrößerung (1000-fach) noch nicht erkennbar war. Nach der Entwicklung der photochemisch vernetzbaren Schicht 4 ist somit die Bodenfläche der Aussparungen so vorbereitet, daß sich in einem stromlos arbeitenden Melallisicrungsbad unmittelbar ein Niederschlag ergibt. Da
die Aussparungen so angeordnet sind, daß in jede Aussparung mindestens eine der vorher geschaffenen Durchkontaktierungen hineinsieht, besteht also ein leitender Zusammenhang mit dem Hilfsträger; somit können also auch die Aussparungen auf galvanischem
Weg metallisiert werden.
Weitere Durchkontaktierungen und Leiterbahnen enthaltende Isolierstoffschichten können dann durch entsprechende Wiederholung der vorstehend beschriebenen Herstellungsstufen aufgebracht wcr-
den. Fig. Ii zeigt eine solche Durchkontaktierungen 8 enthaltende Schicht 7, die auf die zweite Isolierstoffschicht 4 aufgebracht wird. Auf der Isolierstoffschicht 7 mit den Durchkontaktierungen 8 wird eine weitere Leitungsbahnen 10 und Durchkontaktierungen 11 enthaltende Isolierstoffschicht 9 aufgebracht (vgl. Fi g. 1 h). Damit sind also zwei Leitungebenen geschaffen, die kreuzungsfreie Verbindungen ermöglichen.
An die vier Isolierstoffschichten, die abwechselnd
5S Durchkontaktierungen sowie Leitunesbahnen und Durchkontaktierungen enthalten, schließt sich eine weitere Durchkontaktierungen 13 enthaltende Schicht 12 an (vgl. Fig. Ig), deren Dicke mitbestimmend ist für den Wellenwiderstand und an diese,
unter Zwischenlage jeweils einer Durchkontaktierungen 19, 25 enthaltenden Schicht 18, 24 die beiden Potentialschichten 14, 20 (vgl. Fig. If bis Ic).
Die Potentialebenen bildenden Schichten 14, 20 werden ebenfalls in Form eines photochemisch ver-
netzbaren Isolierstoffs aufgebracht. Jedoch erfolgt hierbei die Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung in der Weise, daß nur jeweils an den Durchkontaktierungen ein Isolierkragen 15, 22 vcr-
bleibt, die in die nüchsle Potentialebenc weitergeführt werden. Der übrige Teil der Schicht wird herausgelöst und anschließend auf galvanischem Weg metallisiert, wobei auch dieser galvanischen Metallisierung wiederum eine Bekciinung uiid stromlose Metallisicrimg vorausgeht. Diejenigen Durchkontaktierungen, die an ein bestimmtes Potential gelegt werden sollen, enden in der diesem Potential entsprechenden Potentialschicht. Der -äußere Rand der Potcntialschiclitt'ii kann, entsprechend den Isolierkragen der Durclikonlaktierungen, gleichfalls in der Weise bestrahlt, vorzugsweise belichtet werden, daß er photochemisch vernetzt und im Material verbleibt.
Außen wird beim Ausführungsbeispiel auf die Verdrahtungsplatte eine an Erdpotential anschließbare Potentialschicht 27 aufgebracht, die dicker ausgebildet ist als die übrigen Schichten. Hierfür wird vorzugsweise ein wabenförmig ausgebildetes Gitter, bestehend aus einzelnen Isolierröhrchen 26, die mittels Stegen miteinander verbunden sind, verwendet, ao Dieses Gitter wird auf dem Verdrahtungsaufbau aufgesetzt und angeklebt. Anschließend erfolgt eine galvanische Metallisierung, bei der die Gitterhohlräume mit einem leitenden Material ausgefüllt werden. Auf diese Weise erhält man unter Umgehung eines langwierigen schichtweisen Aufbaus der Erdpotentialschicht in relativ kurzer Zeit eine Polentialschicht der gewünschten Stärke (etwa 1 mm). Die einzelnen Röhrchen sind dabei mit einem solchen Raster angeordnet, daß die bis in die Potentialschicht ragenden Durchkontaklierungen jeweils einem solchen Isolierröhrchen gegenüberliegen. Durch die äußere Potenlialschicht von größerer Dicke, die zugleich in vorteilhafter Weise zur Wärmeableitung dienen kann, erreicht man zusätzlich eine größere mechanische Stabilität des Verdrahtungsaufbaus, dessen Gesamtdicke selbst bei einer größeren Anzahl von Schichten nur gering ist. Zur Erhöhung der Stabilität des Aufbaus — der Träger wird nach dem Aufbringen der Erdpotcntialschicht meist entfernt — kann man zusätzlich oder allein auch eine mechanische Versteifungsschicht oder Platte außen aufbringen (vgl. F i g. 1 b. 1 a). Nach dem Aufbringen der Potentialschicht wird die Oberfläche geschliffen: die Mehrlagenverdrahtung ist damit fertiggestellt.
In entsprechender Weise, wie die Herstellung einer Mehrlagenverdrahtung ausgeführt wurde, lassen sich auf die erfindungsgemäßc Weise mehrlagige gedruckte Schaltungen mit aktiven oder passiven Bauelementen herstellen, wobei die Aussparungen beispielsweise mit einem Material zum Aufbau von Widerständen ausgefüllt werden können und gegenüberliegende Leitungsbahnen, die nicht mittels Durchkontaktierungen miteinander verbunden sind, mit dem dazwischenliegenden Isolierstoff als Dielektrikum einen Kondensator bilden.
F i g. 2 zeigt eine Mehrlagcnverdrahtung mit auf der Bauteilcseite aufgesetzten Schaltkreisen in Flip-Chip-Technik und eine Teildarstellung mit einem abgehobenen Chip. Auf der Verdrahtungseinheit 30 ist eine Vielzahl (z. B. 20(1 ) von Chips 31 angeschlossen, deren Abmessungen nur sehr gering sind (z. B. 1,5· 1,5 mm). Die Chips weisen auf der Unterseite eine längs des Umfangs verlaufende Reihe von Kontaktpunkten 34 auf, die im gleichen Raster angeordnet sind wie die zugehörigen Kontaktpunkte 32 auf der Verdrahtungseinheit 30. Die Kontaktierung der Chips auf der Verdrahtungseinheit erfolgt beisoielsweise durch Lotung oder Ultraschallschweißen, wodurch eine leitende Verbindung zwischen den Kontaktpunkten auf der Verdrahtungseinheit und denen der Chips hergestellt wird. In der Teildarstellung Fig. 2 b ist auf der Verdrahtungseinheit 30 außerhalb der Kontaktpunktreihe 32 für die Chips eine weitere, zu dieser parallel verlaufende Kontaklpunktrcihe 33 angeordnet. Diese zweite Kontaktpunktreihe ist vorgesehen für die Kontaktierung von auf die Mehrlagenverdrahtung aufgesetzten Schaltkreisen in Beam-Lead-Technik. Eine Verdrahtungseinheit ist dabei im allgemeinen nur jeweils mit einer Kontaktpunktreihe versehen für die Bestückung mit einer Art von Schaltkreisen, d. h. in Flip-Chip-Technik oder in Beam-Lead-Technik.
Fig. 3 zeigt eine Mchrlagenverdrahtung mit auf der Bauteileseite aufgesetzten Schaltkreisen in Beam-Lead-Technik und eine Teildarstellung mit einem einzelnen Schaltkreis. Die Verdrahtungseinheit 40, auf der eine Vielzahl von Schaltkreisen 41 in Beam-Lead-Technik angeschlossen wird, ist in. analoger Weise, wie vorstehend für die Verdrahtungseinheit nach Fig. 2 beschrieben, mit einer der Zahl der anzuschließenden Beam-Lead-Schaltkreise entsprechenden Zahl von Kontaktpunktreihen 42 versehen, wobei jedoch die Kontaktpunktreihen den einzelnen Beam-Lead-Schaltkrcis ringförmig umgeben. Die Kontaktierung der Kontaktpunkte der Beam-Lead-Schaltkrcise mit denen der Verdrahtungseinheit erfolgt hierbei über Kontaktbrücken bzw. Leiterbahnen, die von den Kontaktpunkten der Verdrahtungseinheit zu den auf der Unterseite der Beam-Lead-Schaltkreise gelegenen Kontaktpunkten führen.
Die elektrische Verbindung der Verdrahtungsplatte mit elektrischen Verschlußleitungen kann in verschiedenartiger Weise erfolgen. Beispielsweise ist es möglich, die Verdrahtungsplatte mit Anschlußbahnen für eine steckerartige Verbindung, wie sie bei gedruckten Schaltungen üblich ist, zu versehen. Es ist jedoch auch möglich, über einzelne Durchkontaktierungen Verbindungen zu gedruckten Schaltungen ähnlicher Verdrahtungsplatten herzustellen.
Fernerhin ist die Erfindung auch für nur einlagige Verdrahtungsplatten anwendbar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 309 682/279

Claims (15)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines mit elektrischtn Leitungsbahnen und/oder elektrischen Durchkontaktierungen versehenen Isolierstoffträgers, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einer dünnen Schicht eines photochemisch verneizbaren Isolierstoffs bestehender Isolierstoffträger auf photochemischem Weg durch Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung im Bereich der Leitungsbahnen und Durchkontaktierungen mit entsprechenden Aussparungen bzw. Durchbrechungen versehen wird, die dann mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus einem photochemisch vernetzbaren Isolierstoff auf einen Träger aufgebracht ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung von ,Mehrebenenschaltungen eine der Anzahl der Ebenen entsprechende Anzahl von Schichten eines photochemisch vernetzbaren Isolierstoffs, gegebenenfalls unter Zwischenfügung von Po'^ntialebenen bildenden elektrisch leitenden Flächen, auf dem Träger aufgebracht ist, die jeweils auf photochemischem Weg durch Bestrahlung und entsprechende Nachbehandlung im Bereich der dieser Ebene zugeordneten Leitungsbahnen bzw. Durchkontaktierungen mit entsprechenden Aussparungen bzw. Durchbrechungen versehen werden, die dann mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch. gekennzeichnet, daß bei einem Träger aus einem elektrisch leitenden Material die Aussparungen bzw. Durchbrechungen im Zusammenhang mit dem Träger auf elektrochemischem Weg mit einem elektrisch gut leitenden Material ausgefüllt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Träger eine mit einer Kupferschicht überzogene Molybdänplatte verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Träger aus Isolierstoff die Aussparungen bzw. Durchbrechungen auf chemischem Weg mit elektrisch leitendem Material ausgefüllt werden.
7. Vorfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Isoliermaterial vor dem Aufbringen der die Leitungsbahnen bzw. Durchkontaktierungen enthaltenden Isolierstoffschicht im Bereich der Aussparungen bzw. Durchbrechungen eine Bekeimung vorgenommen wird, die so gering gewählt ist, daß zwischen verschiedenen Leitungsbahnen und Durchkontaktierungen noch ausreichende elektrische Isolation gegeben ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung der photochemisch vernetzbaren Isolierstoffschicht bei Abdeckung durch Masken erfolgt, die. entsprechend der Art des vernetzbaren Iso-Herstoffs, den Bereich der Ausspariingen bzw. Durchbrechungen der Schicht abdecken oder frei lassen.
y. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis K), dadurch gekennzeichnet, daß außen eine Erdpotentialschicht aufgebracht wird, deren Dicke vorzugsweise größer ist als die der Isolierstollschichten.
10. Verfahren nach einem der Anspruches hi= ! I, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger nach dem Aufbau der Isolierstoffschichten der erfoiderlichen Anzahl entfernt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die äußere Erdpotentialschicht von vorzugsweise größerer Dicke in Form eines Gitters, dessen Zwischenräume galvanisch metallisiert werden, aufgebracht, vorzugsweise aufgeklebt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter ein Wabenmuster hut, das im Querschnitt als über Stege verbundene Isolierröhrchen erscheint.
13. Nach einem Verfahren eines der Ansprüche 1 bis 14 hergestellter Isolierstoffträger, dadurch gekennzeichnet, daß an wenigstens einer Fläche, die Durchkontaktierungen und/oder Leiterbahnen trägt, elektrische Bauelemente, insbesondere integrierte Schaltungskreise, befestigt und mit Durchkontaktierungen und/oder Leiterbahnen elektrisch verbunden sind.
14. Isolierstoffträger nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die mechanische Verankerung des einzelnen Bauelementes, insbesondere integrierten Schaltungskreises, über die elektrische Verbindung mit den Durchkontaktierungen und/oder Leiterbahnen erfolgt.
15. Isolierstoffträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine mechanische Versteifungsschicht auf den Isolierstoffträger aufgebracht wird.
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