DE202008018180U1 - Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung, umfassend ein Substrat (1), eine Metallschicht (3) auf dem Substrat (1), und eine lichtemittierende Vorrichtung (4), die elektrisch mit der Metallschicht (3) verbunden ist und auf dem Substrat (1) angeordnet ist, wobei die Metallschicht (3) zumindest zwei voneinander elektrisch getrennte Abschnitte umfasst, und wobei die Metallschicht (3) mehrere darauf ausgebildete Vorsprünge (13) umfasst.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung.
  • Technischer Hintergrund
  • Eine lichtemittierende Diode (LED) wird häufig als lichtemittierende Vorrichtung verwendet. Die LED umfasst eine n-Typ-Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine p-Typ-Halbleiterschicht, die derart aufeinander gestapelt sind, dass Licht erzeugt und von der aktiven Schicht in Abhängigkeit von einer daran angelegten Spannung emittiert wird.
  • Das Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung umfasst die LED, ein Substrat zum Tragen der LED und ein leitendes Element zum Bereitstellen von elektrischer Energie für die LED.
  • In den letzten Jahren wurden weiterhin Anstrengungen unternommen, um die Lichteffizienz durch Verbesserungen des Aufbaus der lichtemittierenden Vorrichtung zu erhöhen. Indes wurden auch weitere Anstrengungen unternommen, um die Lichteffizienz durch Verbesserung des Aufbaus eines Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung, umfassend die lichtemittierende Vorrichtung, zu verbessern.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Die Ausführungsbeispiele stellen ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung bereit, der hinsichtlich der Lichtemittierung der Effizienz verbessert ist.
  • Die Ausführungsbeispiele stellen auch ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung bereit, die effizient das von einer lichtemittierenden Vorrichtung abgegebene Licht streuen kann.
  • Technische Lösung
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung ein Substrat, umfassend mehrere Vorsprünge, eine Isolierschicht auf dem Substrat, eine Metallschicht auf der Isolierschicht und eine lichtemittierende Vorrichtung auf dem Substrat, die elektrisch mit der Metallschicht verbunden ist.
  • In einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung ein Substrat, umfassend eine Ausnehmung und mehrere Vorsprünge, die zumindest an einem Boden und an Seitenflächen der Ausnehmung ausgebildet sind, eine Isolierschicht auf dem Substrat, eine Metallschicht auf der Isolierschicht, und eine lichtemittierende Vorrichtung, die in der Ausnehmung angeordnet bzw. vorgesehen ist und die elektrisch mit der Metallschicht verbunden ist.
  • In einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung das Ätzen eines Substrats, um eine Ausnehmung auszubilden, ein teilweises Ätzen der Ausnehmung, um mehrere Vorsprünge auszubilden, das Ausbilden einer Isolierschicht auf dem Substrat, das Ausbilden einer Metallschicht auf der Isolierschicht und das Anordnen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf einer Bodenfläche der Ausnehmung und das elektrische Verbinden der lichtemittierenden Vorrichtung mit der Metallschicht. Die Details eines oder mehrerer Ausführungsbeispiele werden anhand der beigefügten Zeichnung und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt. Weitere Merkmale sind anhand der Beschreibung, der Zeichnung und der Ansprüche ersichtlich.
  • Vorteilhafte Effekte
  • Die Ausführungsbeispiele können ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung bereitstellen, dass hinsichtlich der Effizienz der Lichtemittierung verbessert ist und ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung.
  • Die Ausführungsbeispiele können auch ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung bereitstellen, das von einer lichtemittierenden Vorrichtung abgegebenes Licht effektiv streuen kann.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittsansicht eines Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
  • 2 ist eine Draufsicht auf das Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung aus 1,
  • 3 bis 7 sind Darstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung aus 1 zeigen,
  • 8 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, und
  • 10 bis 12 sind Darstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung aus 9 zeigen.
  • Ausführungsform der Erfindung
  • Nun wird detailliert auf die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung, wobei Beispiele davon in den beigefügten Zeichnungen gezeigt sind, Bezug genommen.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht eines Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel und 2 ist eine Draufsicht auf das Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung aus 1.
  • Bezug nehmend auf die 1 und 2 umfasst ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung 10 ein Substrat 1, eine Isolierschicht 2, die auf dem Substrat 1 ausgebildet ist, eine Metallschicht 3, die auf der Oberfläche der Isolierschicht 2 ausgebildet ist und eine lichtemittierende Vorrichtung 4, die elektrisch mit der Metallschicht 3 verbunden ist und auf dem Substrat 1 angeordnet bzw. vorgesehen ist.
  • Das Substrat 1 kann ein aus Silizium ausgebildeter Wafer sein. Eine Ausnehmung bzw. Nut 5 ist auf einer Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet.
  • Durch die in dem Substrat 1 ausgebildete Ausnehmung 5 sind eine Bodenfläche 11 und eine geneigte Fläche 12 auf dem Substrat begrenzt. Mehrere Vorsprünge 13 sind auf der Bodenfläche 11 ausgebildet. Zum Beispiel ist jeder der Vorsprünge 13 in halbkugelförmiger Form, in Kreiskegelform, in kreisspalten Form, in polygonaler Form und in polygonal Kegelform ausgebildet.
  • Die Isolierschicht 2 kann eine Siliziumoxidschicht sein, die durch Oxidieren des Substrats 1 ausgebildet ist. Die Isolierschicht 2 kann auf einer Oberfläche einer Seitenfläche, und unteren Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet sein.
  • Da mehrere der Vorsprünge 13 auf der Bodenfläche 11 der Ausnehmung 5 ausgebildet sind, ist die in der Ausnehmung 5 ausgebildete Isolierschicht 2 derart ausgebildet, dass sie den Vorsprüngen 13 entspricht.
  • Die Metallschicht 3 ist in zwei Abschnitte unterteilt, die elektrisch voneinander getrennt sind, und sie ist elektrisch mit der lichtemittierenden Vorrichtung 4 verbunden. Die Metallschicht 3 ist auf der oberen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Die Metallschicht 3 kann zudem auf den Seiten- und Bodenflächen ausgebildet sein.
  • Da mehrere der Vorsprünge 13 auf der Bodenfläche 11 der Ausnehmung 5 ausgebildet sind, ist die Metallschicht 3, die in der Ausnehmung 5 ausgebildet ist, derart ausgebildet, dass sie den Vorsprüngen 13 entspricht.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 4 ist in der Ausnehmung 5 ausgebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 4 ist elektrisch mit der Metallschicht 3 verbunden, um diese mit externer elektrischer Energie von der Metallschicht 3 zu versorgen. Die lichtemittierende Vorrichtung 4 weist eine erste Elektrodenschicht, die elektrisch mit der Metallschicht 3 durch direkte Kontaktierung der Metallschicht 3 verbunden ist, und eine zweite Elektrodenschicht, die mit der Metallschicht 3 mittels eines Drahtes verbunden ist, auf.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist die Metallschicht 3 nicht nur ausgebildet, um die lichtemittierende Vorrichtung 4 mit elektrischer Energie zu versorgen, sondern auch um die Lichteffizienz durch Reflektion des von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierten Lichts zu erhöhen. Insbesondere reflektiert die auf der geneigten Oberfläche 12 ausgebildete Metallschicht 3 das Licht nach oben, um die Lichteffizienz zu erhöhen.
  • Die Metallschicht 3 kann aus Aluminium (Al) oder Silber (Ag), die relativ exzellente Reflektionseigenschaften aufweisen, ausgebildet sein. Alternativ kann die Metallschicht 3 durch Beschichtung eines leitenden Metalls, wie zum Beispiel Kupfer (Cu) mit Aluminium oder Silber ausgebildet werden.
  • Außerdem kann das von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierte Licht gestreut werden, da die Oberfläche der in der Ausnehmung 5 ausgebildeten Metallschicht 3 durch die Vorsprünge 13, die auf der Bodenfläche 11 der Ausnehmung 5 ausgebildet sind, uneben ist.
  • Indes kann die Ausnehmung 5 mit einem Vergussmittel 7 gefüllt sein, um die lichtemittierende Vorrichtung 4 und den Draht 6 zu schützen. Eine obere Oberfläche des Vergussmittels 7 kann eine konkave, eine konvexe, eine ebene Form oder dergleichen aufweisen. Ein Betrachtungs- bzw. Abstrahlwinkel des von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierten Lichtes kann in Verbindung mit der Form des Vergussmittels 7 modifiziert werden.
  • Des Weiteren kann das Vergussmittel 7 Phosphor umfassen. Der Phosphor kann die Farbe des von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierten Lichtes verändern.
  • In dem Ausführungsbeispiel streut das Gehäuse 10 für eine lichtemittierende Vorrichtung das von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierte Licht, um die Lichteffizienz zu erhöhen.
  • Die 3 bis 7 sind Darstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung aus den 1 und 2 zeigen.
  • Gemäß 3 ist das Substrat 1 vorbereitet und die Ausnehmung 5 ist durch Ätzen der Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Die Bodenfläche 11 und die geneigten Oberflächen 12 sind in dem Substrat 1 durch die Ausnehmung 5 ausgebildet.
  • Ein aus Silizium ausgebildeter Wafer kann als Substrat 1 verwendet werden. Die Ausnehmung 5 kann durch Nassätzen der oberen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet sein. Eine Kalilaugelösung (Kaliumhydroxid) oder eine HNA (HF + HNO3 + CH3COOH) kann zum Nassätzen verwendet werden. Gemäß 4 ist die Bodenfläche 11 der Ausnehmung 5 teilweise geätzt, um die Vorsprünge 13 auszubilden.
  • Zum Beispiel können die Vorsprünge 13 durch ein Trockenätzen unter Verwendung eines Photoresistmuster als Maske ausgebildet werden.
  • Gemäß 5 ist die Isolierschicht 2 auf der Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet, auf dem die Vorsprünge 13 ausgebildet sind. Die Isolierschicht 2 dient zur Unterdrückung der Bildung von Ableitstrom bzw. Kriechstrom auf dem Substrat 1. Die Isolierschicht kann eine Siliziumoxidschicht, die durch Oxidieren des Substrats 1 ausgebildet ist, sein.
  • Gemäß 6 ist die Metallschicht 3 auf der Oberfläche der auf dem Substrat 1 ausgebildeten Isolierschicht 2 ausgebildet.
  • Die Metallschicht 3 kann durch ein Elektrostrahlverfahren, ein Sputterverfahren oder ein galvanisches Aufbringverfahren ausgebildet sein. Die Metallschicht 3 ist in zwei voneinander elektrisch getrennte Abschnitte unterteilt.
  • Gemäß 7 ist die lichtemittierende Vorrichtung 4 in der Ausnehmung 5 des Substrats 1 angeordnet. Die erste Elektrodenschicht der lichtemittierenden Vorrichtung 4 ist elektrisch mit der Metallschicht 3 durch direkte Kontaktierung der Metallschicht 3 verbunden. Die zweite Elektrodenschicht kann elektrisch mit der Metallschicht 3 mittels eines Drahtes 6 verbunden sein.
  • Zudem wird das den Phosphor umfassende Vergussmittel 7 in die Ausnehmung 5 des Substrats 1 gefüllt.
  • 8 ist ein Querschnitt einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.
  • Gemäß 8 umfasst ein Gehäuse für eine lichtemittierende Vorrichtung 20 ein Substrat 21, eine auf einer Oberfläche des Substrats 21 ausgebildete Isolierschicht 22, eine auf der Oberfläche der Isolierschicht 22 ausgebildete Metallschicht 23, eine auf einer oberen Oberfläche des Substrats 21 angeordnete lichtemittierende Vorrichtung 24 und einen Draht 26 zum elektrischen Verbinden der lichtemittierenden Vorrichtung 24 mit der Metallschicht 23.
  • Das Substrat 21 kann aus Silizium ausgebildet sein. Eine Ausnehmung 25 ist auf der oberen Oberfläche des Substrats 21 ausgebildet.
  • Durch die auf dem Substrat 21 ausgebildete Ausnehmung 25 sind eine obere Oberfläche 31 und eine geneigte Oberfläche 32 auf der oberen Oberfläche des Substrats 21 definiert. Mehrere Vorsprünge 33 sind auf der Bodenfläche 31 ausgebildet.
  • Die Isolierschicht 22 kann eine Siliziumoxidschicht sein, die durch Oxidieren des Substrats 21 ausgebildet ist. Die Isolierschicht 22 kann auf einer Ober-, Seiten- und unteren Oberfläche des Substrats 21 ausgebildet sein.
  • Da mehrere Vorsprünge 33 auf der Bodenfläche 31 der Ausnehmung 25 ausgebildet sind, ist die in der Ausnehmung 25 ausgebildete Isolierschicht 22 derart ausgebildet, dass sie den Vorsprüngen 33 entspricht.
  • Die Metallschicht 23 ist in zwei Abschnitte unterteilt, die elektrisch voneinander getrennt sind und sie ist elektrisch mit der lichtemittierenden Vorrichtung 24 verbunden. Die Metallschicht 23 ist auf einer oberen Oberfläche der Isolierschicht 22 ausgebildet. Die Metallschicht 23 kann des Weiteren an der Seiten- und Bodenfläche der Isolierschicht 22 ausgebildet sein.
  • Da mehrere Vorsprünge 33 auf der Bodenfläche 31 der Ausnehmung 25 ausgebildet sind, ist die in der Ausnehmung 25 ausgebildete Metallschicht 23 derart ausgebildet, dass sie den Vorsprüngen 33 entspricht.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 24 ist in der Ausnehmung 25 ausgebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 24 ist elektrisch mit der Metallschicht 23 durch den Draht 26 zum Versorgen mit externer elektrischer Energie von der Metallschicht 23 verbunden.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist die Metallschicht 23 nicht nur ausgebildet, um die lichtemittierende Vorrichtung 24 mit elektrischer Energie bzw. elektrischer Leistung zu beaufschlagen, sondern auch um die Lichteffizienz durch Reflektieren des von der lichtemittierenden Vorrichtung 24 emittierten Lichts zu erhöhen.
  • Außerdem kann das von der lichtemittierenden Vorrichtung 24 emittierte Licht gestreut werden, da die in der Ausnehmung 25 ausgebildete Oberfläche der Metallschicht 23 durch die auf der Bodenfläche 31 der Ausnehmung 25 ausgebildeten Vorsprünge 33 uneben ist.
  • Weiterhin kann die Ausnehmung 25 mit einem Vergussmittel 27, umfassend Phosphor, gefüllt sein.
  • In dem Ausführungsbeispiel kann das Gehäuse 20 für eine lichtemittierende Vorrichtung das von der lichtemittierenden Vorrichtung 24 emittierte Licht unter Verwendung der Vorsprünge 33 effektiv streuen und dadurch die Lichteffizienz verbessern.
  • 9 ist ein Querschnitt einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel und die 10 bis 12 sind Darstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß 9 zeigen. In der Beschreibung dieses dritten Ausführungsbeispiels werden hauptsächlich die Unterschiede zum ersten Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • Gemäß 9 umfasst ein Gehäuse 30 für eine lichtemittierende Vorrichtung ein Substrat 1, eine auf einer Oberfläche des Substrats 1 ausgebildete Isolierschicht, eine auf einer Oberfläche der Isolierschicht 2 ausgebildete Metallschicht 3 und eine lichtemittierende Vorrichtung 4, die elektrisch mit der Metallschicht 3 verbunden ist und auf dem Substrat 1 angeordnet ist.
  • Das Substrat kann ein aus Silizium ausgebildeter Wafer sein. Eine Ausnehmung 5 ist auf einer oberen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet.
  • Durch die auf dem Substrat 1 ausgebildete Ausnehmung 5 sind eine Bodenfläche 11 und eine geneigte Oberfläche 12 auf dem Substrat 1 begrenzt. Mehrere Vorsprünge 13 sind auf der Bodenfläche 11 ausgebildet. Mehrere Vorsprünge 43 sind auf der geneigten Oberflächen 12 ausgebildet. Zum Beispiel ist jeder der Vorsprünge 13 in zumindest einer halbkugelförmigen Form, einer Kreiskonusform, einer Kreisspalten-Form, einer polygonalen Form und/oder einer polygonal-konusförmigen Form ausgebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 4 ist elektrisch mit der Metallschicht 3 zum Versorgen mit externer elektrischer Energie von der Metallschicht 3 verbunden. Die lichtemittierende Vorrichtung 4 weist eine erste Elektrodenschicht, die elektrisch mit der Metallschicht 3 durch direkte Kontaktierung der Metallschicht 3 verbunden ist, auf, und eine zweite Elektrodenschicht, die elektrisch mit der Metallschicht 3 mittels eines Drahtes 6 verbunden ist.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel dient die Metallschicht 3 nicht nur zum Zuführen von elektrischer Energie zur lichtemittierenden Vorrichtung 4, sondern auch dazu, die Lichteffizienz durch Reflektion des von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierten Lichts zu erhöhen. Insbesondere reflektiert die auf der geneigten Oberfläche 12 ausgebildete Metallschicht 3 das Licht nach oben, um die Lichteffizienz zu erhöhen.
  • Außerdem kann das von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierte Licht gestreut werden, da die Oberfläche der in der Ausnehmung ausgebildeten Metallschicht 3 durch die auf der Bodenfläche 11 der Ausnehmung 5 ausgebildeten Vorsprünge uneben ist.
  • Indes kann die Ausnehmung 5 mit einem Vergussmittel 7 zum Schutz der lichtemittierenden Vorrichtung 4 und des Drahtes 6 gefüllt sein. Das Vergussmittel 7 kann Phosphor enthalten.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel streut das Gehäuse 30 für eine lichtemittierende Vorrichtung das von der lichtemittierenden Vorrichtung 4 emittierte Licht, um die Lichteffizienz zu erhöhen.
  • Die 10 bis 12 sind Darstellungen, die ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß 9 zeigen. In den 10 bis 12 ist nur ein Verfahren zum Ausbilden der Vorsprünge 43 auf der geneigten Oberflächen 12 beschrieben. Weitere Verfahrensschritte entsprechen denen des ersten Ausführungsbeispiels.
  • Gemäß 10 wird das Substrat 1 zunächst vorbereitet und die Ausnehmung 5 wird durch Ätzen der oberen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet. Die Bodenfläche 11 und die geneigten Oberfläche 12 sind auf der oberen Oberfläche des Substrats 1 durch die Ausnehmung 5 ausgebildet.
  • Ein aus Silizium ausgebildeter Wafer kann als Substrat 1 verwendet werden. Die Ausnehmung kann durch Nassätzen der oberen Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet sein. Eine Kaliumlauge-Lösung (KOH) (siehe Seite 6, Abs. 1) oder eine HNA (HF + HNO3 + CH3COOH) kann zum Nassätzen verwendet werden.
  • Außerdem ist die in der Ausnehmung 5 ausgebildete Bodenfläche 11 teilweise geätzt, um die Vorsprünge 13 auszubilden. Zum Beispiel können die Vorsprünge 13 durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Photoresistmusters als Maske ausgebildet sein.
  • Dann wird ein dünner Silberfilm 40 auf die geneigte Oberfläche 12 aufgebracht, der eine Dicke von 100 Å oder weniger aufweist.
  • Gemäß 11 ist der dünne Silberfilm 40 wärmebehandelt, um ein Silberdünnfilmmuster 40A auszubilden, das teilweise auf der geneigten Oberfläche 12 ausgebildet ist. Gemäß 12 ist die geneigte Oberfläche 12 unter Verwendung des Silberdünnfilmmusters 40A als Maske geätzt, um die Vorsprünge 43 auf der geneigten Oberfläche 12 auszubilden. Demgemäß sind die Vorsprünge 13 und 43 entsprechend auf der Bodenfläche und den geneigten Oberflächen 11 und 13 der Ausnehmung 5 ausgebildet.
  • Obwohl nicht in den 10 bis 12 gezeigt, können die Vorsprünge 13 auf der Bodenfläche 11 auch unter Verwendung des Silberdünnfilmmusters 40A ausgebildet sein, ohne ein Photoresistmuster als Maske zu verwenden.
  • Die folgenden Verfahrensschritte sind dieselben wie im ersten Ausführungsbeispiel.
  • Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „ein Ausführungsbeispiel”, ein „beispielhaftes Ausführungsbeispiel” usw. bedeuten, dass ein spezielles Merkmal, Struktur oder Charakteristika, die in Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, in zumindest einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung verwendet wurde. Derartige Phrasen an verschiedenen Stellen in der Beschreibung müssen sich nicht alle notwendigerweise auf dasselbe Ausführungsbeispiel beziehen. Zudem, wenn ein spezielles Merkmal, Struktur oder Charakteristika in Verbindung mit einem beliebigen Ausführungsbeispiel beschrieben ist, ist offenbart, dass es innerhalb des Fachwissens eines Fachmanns liegt, das Merkmal, die Struktur oder die Charakteristika in Verbindung mit anderen Ausführungsbeispielen zu bringen.
  • Obwohl die Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf eine Zahl von beispielhaften Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, sollte verstanden werden, dass mehrere andere Abwandlungen und Ausführungsbeispiele von einem Fachmann davon abgeleitet werden können, die unter den Geist und das Wesen der Prinzipien dieser Offenbarung fallen. Insbesondere sind verschiedene Abwandlungen und Modifikationen in den Bauteilen möglich und/oder Anordnungen des Aufbaus innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnung und der beigefügten Ansprüche. Zusätzlich zu Abwandlungen und Modifikationen in den Bauteilen und/oder Anordnungen, sind auch alternative Verwendungen für den Fachmann geläufig.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Die Gehäuse für lichtemittierende Vorrichtungen der Ausführungsbeispiele können als Beleuchtungs- oder Lichtquellen für eine Vielzahl von elektronischen Vorrichtungen verwendet werden.

Claims (15)

  1. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung, umfassend ein Substrat (1), eine Metallschicht (3) auf dem Substrat (1), und eine lichtemittierende Vorrichtung (4), die elektrisch mit der Metallschicht (3) verbunden ist und auf dem Substrat (1) angeordnet ist, wobei die Metallschicht (3) zumindest zwei voneinander elektrisch getrennte Abschnitte umfasst, und wobei die Metallschicht (3) mehrere darauf ausgebildete Vorsprünge (13) umfasst.
  2. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 des Weiteren umfassend eine Ausnehmung (5), die auf dem Substrat (1) ausgebildet ist, wobei die Ausnehmung (5) eine Bodenfläche (11) und eine seitliche Oberfläche (12) umfasst, und die lichtemittierende Vorrichtung (4) auf der Bodenfläche (11) der Ausnehmung (5) angeordnet ist, wobei die Metallschicht (3) zwischen diesen beiden angeordnet ist.
  3. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Metallschicht (3) auf der seitlichen Oberfläche (12) der Ausnehmung (5) angeordnet ist.
  4. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Metallschicht (3) Aluminium (Al) oder Silber (Ag) umfasst.
  5. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die Metallschicht (3) des Weiteren ein leitendes Metall umfasst, und wobei das Aluminium (Al) oder Silber (Ag) auf dem leitenden Metall angeordnet ist.
  6. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei das leitende Metall Kupfer (Cu) umfasst.
  7. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, des Weiteren umfassend eine Isolierschicht (2), die zwischen dem Substrat (1) und der Metallschicht (3) angeordnet ist.
  8. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, des Weiteren umfassend ein Vergussmittel (7), das in der Ausnehmung (5) angeordnet ist.
  9. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei die obere Oberfläche des Vergussmittels (7) eine konkave, eine konvexe oder eine ebene Form aufweist.
  10. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei das Vergussmittel (7) Phosphor umfasst, der eine Farbe des von der lichtemittierenden Vorrichtung (4) emittierten Lichts verändert.
  11. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 10, wobei die seitliche Oberfläche der Ausnehmung (5) eine geneigte Oberfläche ist.
  12. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die lichtemittierende Vorrichtung (4) auf einem der zumindest zwei Abschnitte der Metallschicht (3) angeordnet ist.
  13. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Substrat (1) Silizium umfasst.
  14. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Vorsprünge (13) in halbkugelförmiger Form, in Kreiskegelform, in kreisspalten-Form, in polygonaler Form und in polygonal-Kegelform ausgebildet sind.
  15. Gehäuse (10) für eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die Metallschicht (3) sich zur Unterseite des Substrats (1) erstreckt.
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