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Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement.
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Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente mit Gehäusen auszubilden, die eine Kavität zur Aufnahme eines optoelektronischen Halbleiterchips aufweisen. In der Kavität kann ein den optoelektronischen Halbleiterchip einbettendes Vergussmaterial angeordnet sein.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
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Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine durch eine umlaufende Wandung begrenzte Kavität aufweist. Dabei weist zumindest ein Abschnitt der Wandung eine von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie auf.
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Vorteilhafterweise weist die Wandung der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements durch die von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie eine größere Fläche auf, als dies bei einer ebenen Oberfläche der Fall wäre. Dies kann eine Anhaftung eines in der Kavität angeordneten Vergussmaterials an der Wandung der Kavität verbessern. Dadurch kann sich eine Gefahr einer unerwünschten Delamination eines in der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements angeordneten Vergusses von der Wandung der Kavität reduzieren. Hierdurch kann die Gefahr einer Reduzierung einer Dichtigkeit des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements sinken. Auch kann dadurch eine Gefahr einer anderweitigen Beschädigung des optoelektronischen Bauelements verringert werden.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Oberflächentopografie eine Mehrzahl parallel zueinander orientierter Strukturen. Vorteilhafterweise kann die Oberflächentopografie der Wandung der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements dadurch auf einfache Weise hergestellt werden. Insbesondere kann eine Ausgestaltung der Oberflächentopografie mit einer Mehrzahl parallel zueinander orientierter Strukturen eine einfache und problemlose Entformung bei einer Herstellung des Gehäuses mittels eines Formverfahrens (Moldverfahrens) ermöglichen.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Strukturen in eine Öffnungsrichtung der Kavität orientiert. Die Öffnungsrichtung kann einer Entformrichtung bei einer Herstellung des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements mittels eines Formverfahrens entsprechen. In diesem Fall kann die Orientierung der Strukturen in die Öffnungsrichtung der Kavität eine Entformung erleichtern.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind alle Abschnitte der Wandung senkrecht zu einer Bodenfläche der Kavität orientiert. Vorteilhafterweise ermöglicht diese Ausgestaltung der Kavität und der Wandung der Kavität eine besonders einfache Herstellung des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements und eine besonders zuverlässige Verankerung eines in der Kavität angeordneten Vergussmaterials an der Wandung der Kavität.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist zumindest eine der Strukturen ein eckiges Profil auf. Das eckige Profil kann beispielsweise ein dreieckiges Profil oder ein Sägezahnprofil sein. Vorteilhafterweise bewirkt eine Struktur mit einem solchen Profil eine Vergrößerung der Oberfläche der Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements. Außerdem bewirkt das eckige Profil der Struktur, dass die Wandung der Kavität im Bereich der Struktur nicht genau senkrecht bezüglich einer zur Mitte der Kavität orientierten Richtung orientiert ist. Dadurch kann erreicht werden, dass Kräfte, die auf ein in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeordnetes Vergussmaterial wirken, beispielsweise durch unterschiedliche thermische Ausdehnungen verursachte Kräfte, an der Grenzfläche zwischen dem Vergussmaterial und der Wandung der Kavität nicht rein als Zugkräfte wirken, sondern teilweise als Scherkräfte. Dadurch kann eine Gefahr einer Delamination des Vergussmaterials von der Wandung der Kavität reduziert werden.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist zumindest eine der Strukturen ein abgerundetes Profil auf. Die Struktur kann dabei beispielsweise einen halbkreisförmigen Querschnitt aufweisen. Vorteilhafterweise bewirkt eine Struktur mit einem solchen Profil eine Vergrößerung der Oberfläche der Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements. Außerdem bewirkt das abgerundete Profil der Struktur, dass die Wandung der Kavität im Bereich der Struktur nicht genau senkrecht bezüglich einer zur Mitte der Kavität orientierten Richtung orientiert ist. Dadurch kann erreicht werden, dass Kräfte, die auf ein in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeordnetes Vergussmaterial wirken, beispielsweise durch unterschiedliche thermische Ausdehnungen verursachte Kräfte, an der Grenzfläche zwischen dem Vergussmaterial und der Wandung der Kavität nicht rein als Zugkräfte wirken, sondern teilweise als Scherkräfte. Dadurch kann eine Gefahr einer Delamination des Vergussmaterials von der Wandung der Kavität reduziert werden.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse ein Kunststoffmaterial auf, insbesondere beispielsweise ein Polyphthalamid (PPA), ein Polycyclohexylendimethylenterephthalat (PCT) oder ein Epoxidharz. Dies ermöglicht eine einfache und kostengünstige Herstellung des Gehäuses mittels eines Formverfahrens (Moldverfahrens), beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding).
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip sein. Die Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements kann als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht oder als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip detektiertes Licht dienen. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der optoelektronische Halbleiterchip durch seine Anordnung in der Kavität des Gehäuses vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt ist.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Das Vergussmaterial kann einen ebenfalls in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip einbetten und einen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen bewirken. Das Vergussmaterial kann auch eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise eingebettete Streupartikel oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel. Vorteilhafterweise kann die Gestaltung zumindest eines Abschnitts der Wandung der Kavität mit einer von einer ebenen Oberfläche abweichenden Oberflächentopografie eine zuverlässige Anhaftung des Vergussmaterials an der Wandung der Kavität ermöglichen und dadurch eine Gefahr einer unerwünschten Ablösung des Vergussmaterials reduzieren.
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In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial ein Silikon oder ein Epoxidharz auf. Vorteilhafterweise ist das Vergussmaterial dadurch kostengünstig erhältlich und kann auf einfache Weise in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeordnet werden, beispielsweise durch ein Dosierverfahren oder durch ein Formverfahren, beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding).
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Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
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1 eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform;
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2 eine perspektivische Darstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform; und
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3 eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform.
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1 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 10. 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des optoelektronischen Bauelements 10.
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Das optoelektronische Bauelement 10 kann dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Die elektromagnetische Strahlung kann beispielsweise sichtbares Licht sein. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein.
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Das optoelektronische Bauelement 10 weist ein Gehäuse 100 mit einer Oberseite 101 und einer der Oberseite 101 gegenüberliegenden Unterseite 102 auf. Die Oberseite 101 des Gehäuses 100 ist in der Aufsicht der 1 und in der perspektivischen Darstellung der 2 sichtbar. Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel weist das Gehäuse 100 eine quaderförmige Grundform auf. Das Gehäuse 100 könnte aber auch eine andere Grundform aufweisen.
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Das Gehäuse 100 weist ein Gehäusematerial auf, das beispielsweise ein Kunststoffmaterial sein kann. Beispielsweise kann das Gehäusematerial ein Epoxidharz aufweisen. Das Gehäuse 100 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein, insbesondere beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding).
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Das Gehäuse 100 weist eine zur Oberseite 101 des Gehäuses 100 geöffnete Kavität 110 auf. Die Kavität 110 wird durch eine Bodenfläche 120 und durch eine umlaufende Wandung 150 begrenzt.
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Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel sind alle Abschnitte der umlaufenden Wandung 150 senkrecht zur Bodenfläche 120 orientiert, wodurch der Hohlraum der Kavität 110 eine zylindrische Gestalt aufweist. Die Abschnitte der Wandung 150 der Kavität 110 könnten aber auch derart gegenüber der Bodenfläche 120 geneigt sein, dass sich die Kavität 110 ausgehend von der Bodenfläche 120 trichterförmig aufweitet. Der Hohlraum der Kavität 110 weist in diesem Fall die Form eines Pyramidenstumpfs auf.
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In jedem Fall weist die Kavität 110 eine von der Bodenfläche 120 zur Öffnung der Kavität 110 an der Oberseite 101 des Gehäuses 100 orientierte Öffnungsrichtung 111 auf. Falls das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 durch ein Formverfahren hergestellt wird, so entspricht die Öffnungsrichtung 111 der Kavität 110 einer Entformrichtung.
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Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel liegen an der Bodenfläche 120 der Kavität 110 des Gehäuses 100 ein Teil eines in das Gehäuse 100 eingebetteten ersten Leiterrahmenabschnitts 130 und ein Teil eines in das Gehäuse 100 eingebetteten zweiten Leiterrahmenabschnitts 140 frei. Der erste Leiterrahmenabschnitt 130 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 140 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Leiterrahmenabschnitt 130 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 140 sind durch einen durch das Material des Gehäuses 100 gebildeten Steg 135 elektrisch voneinander isoliert. Der erste Leiterrahmenabschnitt 130 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 140 stellen elektrisch leitende Verbindungen zu an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 befindlichen elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Bauelements 10 her. Die elektrischen Kontaktflächen an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ermöglichen eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als oberflächenmontierbares SMD-Bauelement ausgebildet und für eine elektrische Kontaktierung durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) vorgesehen sein.
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Anstelle des ersten Leiterrahmenabschnitts 130 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 140 könnte das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 andere elektrische Kontaktelemente aufweisen.
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In der Kavität 110 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 200 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip 200 als Leuchtdiodenchip (LED-Chip) ausgebildet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 kann auch dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung zu detektieren.
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Der optoelektronische Halbleiterchip 200 ist an der Bodenfläche 120 der Kavität 110 angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 130 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 140 verbunden. Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel ist der optoelektronische Halbleiterchip 200 hierzu derart auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt 130 angeordnet, dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 130 und dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 besteht. Mittels eines Bonddrahts 210 ist eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 200 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 140 hergestellt. Alternativ könnte der optoelektronische Halbleiterchip 200 natürlich auch über zwei Bonddrähte mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 130 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 140 verbunden sein.
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In der Kavität 110 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein Vergussmaterial 300 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 200 und der Bonddraht 210 sind in das Vergussmaterial 300 eingebettet. Hierzu wurde das Vergussmaterial 300 erst nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 200 und des Bonddrahts 210 in der Kavität 110 in die Kavität 110 eingebracht.
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Das Vergussmaterial 300 wurde in fließfähiger Form in die Kavität 110 eingefüllt. Beispielsweise kann das Vergussmaterial 300 durch ein Dosierverfahren, beispielsweise durch Nadeldosieren, oder durch ein Formverfahren, beispielsweise durch Formpressen (Compression Molding), in die Kavität 110 eingebracht worden sein. Nach dem Einfüllen des Vergussmaterials 300 in die Kavität 110 des Gehäuses 100 kann das Vergussmaterial 300 ausgehärtet worden sein, beispielsweise durch eine thermische Behandlung.
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Das Vergussmaterial 300 ist zumindest teilweise transparent für elektromagnetische Strahlung, die durch den optoelektronischen Halbleiterchip 200 emittiert oder detektiert werden kann. Das Vergussmaterial 300 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 300 eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise eingebettete Streupartikel oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel.
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Das in der Kavität 110 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnete Vergussmaterial 300 haftet an der Bodenfläche 120 der Kavität 110 und an der umlaufenden Wandung 150 der Kavität 110 an. Dadurch ist das Vergussmaterial 300 fest in der Kavität 110 verankert und kapselt den optoelektronischen Halbleiterchip 200 und den Bonddraht 210 dicht gegen die Umgebung des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ab. Hierdurch sind der optoelektronische Halbleiterchip 200 und der Bonddraht 210 vor einer Beschädigung durch mechanische Einwirkungen und Umwelteinflüsse geschützt.
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Um eine feste Anhaftung des Vergussmaterials 300 an der Wandung 150 der Kavität 110 des Gehäuses 100 zu gewährleisten, weist zumindest ein Abschnitt der Wandung 150 eine von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 auf. Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel weisen alle Abschnitte der die Kavität 110 begrenzenden Wandung 150 eine solche von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 auf. Es wäre aber auch möglich, dass nur einzelne Abschnitte der Wandung 150, beispielsweise lediglich die Langseiten oder lediglich die Schmalseiten, die Oberflächentopografie 160 aufweisen, während die übrigen Abschnitte der Wandung 150 eine ebene Oberfläche aufweisen.
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Die von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 umfasst eine Mehrzahl parallel zueinander orientierter Strukturen 170. Die Strukturen 170 sind jeweils länglich balkenförmig ausgebildet und können auch als Stege oder als Rippen bezeichnet werden.
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Die Längsrichtungen der Strukturen 170 sind jeweils in Öffnungsrichtung 111 der Kavität 110 des Gehäuses 100 orientiert. Dadurch sind die Strukturen 170 so in Entformrichtung orientiert, dass die Strukturen 170 die Entformung bei einer Herstellung des Gehäuses 100 durch ein Formverfahren nicht behindern. Falls die Wandung 150 der Kavität 110, wie im Beispiel der 1 und 2, senkrecht zur Bodenfläche 120 der Kavität 110 orientiert ist, ist die Längsrichtung jeder Struktur 170 ebenfalls senkrecht zur Bodenfläche 120 der Kavität 110 orientiert. Falls die Wandung 150 der Kavität 110 aber derart geneigt ist, dass sich die Kavität 110 von der Bodenfläche 120 zur Öffnung der Kavität 110 hin aufweitet, so sind auch die die Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 bildenden Strukturen 170 entsprechend gegenüber der Bodenfläche 120 geneigt.
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Im in 1 und 2 gezeigten Beispiel des optoelektronischen Bauelements 10 weisen die Strukturen 170 jeweils ein eckiges Profil 180 auf, also einen eckigen Querschnitt senkrecht zur Längsrichtung. Jede Struktur 170 weist einen dreieckigen Querschnitt auf. Dadurch ist die Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 in zur Bodenfläche 120 parallele Richtung gezackt.
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Durch die von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 ist die Grenzfläche zwischen dem in der Kavität 110 angeordneten Vergussmaterial 300 und der Wandung 150 der Kavität 110 größer, als dies bei einer ebenen Oberfläche der Wandung 150 der Fall wäre. Hierdurch ist auch die Haftung des Vergussmaterials 300 an der Wandung 150 der Kavität 110 größer, als dies bei einer Wandung 150 mit ebener Oberfläche der Fall wäre. Hierdurch wird die Gefahr einer unerwünschten Ablösung des Vergussmaterials 300 von der Wandung 150 der Kavität 110 reduziert.
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Durch das eckige Profil 180 der die Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 bildenden Strukturen 170 weisen die einzelnen Flächenabschnitte der Wandung 150 nicht genau in Richtung zur Mitte der Kavität 110, sondern sind gegenüber dieser Richtung geneigt. Hierdurch wirken in Richtung zur Mitte der Kavität 110 auf das Vergussmaterial 300 wirkende Kräfte, die beispielsweise durch eine im Vergleich zu dem Gehäuse 100 stärkere thermische Kontraktion des Vergussmaterials 300 verursacht werden können, nicht rein als das Vergussmaterial 300 von der Wandung 150 der Kavität 110 ablösende Zugkräfte, sondern zumindest teilweise auch als parallel zu den Flächenabschnitten der Wandung 150 orientierte Scherkräfte. Auch hierdurch wird die Gefahr einer unbeabsichtigten und unerwünschten Delamination des Vergussmaterials 300 von der Wandung 150 der Kavität 110 reduziert.
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3 zeigt in schematischer Darstellung eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement 20 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 20 der 3 weist große Übereinstimmungen mit dem in 1 und 2 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10 gemäß der ersten Ausführungsform auf. Komponenten des optoelektronischen Bauelements 20, die bei dem optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 3 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1 und 2. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen dem optoelektronischen Bauelement 20 der 3 und dem optoelektronischen Bauelement 10 der 1 und 2 erläutert. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung des optoelektronischen Bauelements 10 auch für das optoelektronische Bauelement 20.
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Bei dem optoelektronischen Bauelement 20 der 3 weisen die die Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 bildenden Strukturen 170 jeweils ein abgerundetes Profil 190 auf. Dadurch weist jede Struktur 170 in einer zur Längsrichtung der jeweiligen Struktur 170 senkrechten Ebene einen abgerundeten Querschnitt auf, beispielsweise einen halbkreisförmigen Querschnitt. Dadurch ist die Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 20 in zur Bodenfläche 120 parallele Richtung wellenförmig.
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Auch bei dem optoelektronischen Bauelement 20 bewirkt die von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 eine verbesserte Anhaftung des in der Kavität 110 angeordneten Vergussmaterials 300 an der Wandung 150 der Kavität 110 und reduziert die Gefahr einer unerwünschten Delamination des Vergussmaterials 300 von der Wandung 150 der Kavität 110.
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Die von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie 160 der Wandung 150 der Kavität 110 des Gehäuses 100 könnte auch anders ausgebildet sein, als dies in 1 bis 3 dargestellt ist. Zweckmäßig ist dabei, wenn die die Oberflächentopografie 160 bildenden Strukturen 170 in Entformrichtung der Kavität 110 des Gehäuses 100 orientiert sind, um bei der Herstellung des Gehäuses 100 eine Entformung nicht zu behindern.
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Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
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Bezugszeichenliste
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- 10
- optoelektronisches Bauelement
- 20
- optoelektronisches Bauelement
- 100
- Gehäuse
- 101
- Oberseite
- 102
- Unterseite
- 110
- Kavität
- 111
- Öffnungsrichtung
- 120
- Bodenfläche
- 130
- erster Leiterrahmenabschnitt
- 135
- Steg
- 140
- zweiter Leiterrahmenabschnitt
- 150
- Wandung
- 160
- Oberflächentopografie
- 170
- Struktur
- 180
- eckiges Profil
- 190
- abgerundetes Profil
- 200
- optoelektronischer Halbleiterchip
- 210
- Bonddraht
- 300
- Vergussmaterial
