DE112014005124B4 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents

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Abstract

Optoelektronisches Bauelement (10)mit einem Gehäuse (100) mit einer Oberseite (110), wobei an der Oberseite (110) eine als positives Relief ausgebildete Verankerungsstruktur (200) angeordnet ist, wobei über der Oberseite (110) ein Abdeckelement (500) angeordnet und an der Verankerungsstruktur (200) verankert ist,wobei das Abdeckelement (500) die Oberseite (110) vollständig bedeckt,wobei die Verankerungsstruktur (200) mindestens drei balkenförmige Abschnitte (220) umfasst, die sich von einem Mittenbereich (120) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) zu einem Außenbereich (130) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) erstrecken,wobei mindestens zwei der balkenförmigen Abschnitte (220) unter einem Winkel (230) zueinander angeordnet sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1.
  • Optoelektronische Bauelemente mit einem Gehäuse und einer an dem Gehäuse angeordneten Abdeckstruktur sind aus dem Stand der Technik bekannt. Das Gehäuse kann dabei beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein und dient zur Aufnahme eines optoelektronischen Halbleiterchips, beispielsweise eines Leuchtdiodenchips. Die Abdeckstruktur kann beispielsweise durch ein Formverfahren oder ein Dosierverfahren an dem Gehäuse angeordnet werden und dient zur Abdeckung des optoelektronischen Halbleiterchips. Je nach den für das Gehäuse und die Abdeckstruktur verwendeten Materialien ergibt sich nur eine geringe Haftung zwischen dem Gehäuse und der Abdeckstruktur, was zu einer unerwünschten Delamination der Abdeckstruktur von dem Gehäuse führen kann.
  • Die DE 10 2010 024 862 A1 beschreibt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Grundkörper, der eine Ober- seite sowie eine der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite aufweist. Der Grundkörper weist eine erste Anschlussstelle und eine zweite Anschlussstelle sowie ein Gehäusematerial auf. Ein optoelektronisches Bauteil des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist an der Oberseite des Grundkörpers angeordnet. Ein an der Oberseite des Grundkörpers angeordne- ter Verguss bedeckt das optoelektronische Bauteil und den Grundkörper zumindest stellenweise. Eine Öffnung durchdringt den Verguss und das Gehäusematerial und erstreckt sich von einer dem Grundkörper abgewandten Oberseite des Vergusses in Richtung der Unterseite des Grundkörpers. In der Öffnung ist zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material an- geordnet. Das elektrisch leitende Material erstreckt sich zu- mindest stellenweise an der Oberseite des Vergusses. Die US 2006 / 0 157 726 A1 beschreibt eine Montagesubstrat für eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einem thermisch leitenden Montageblock. Der Montageblock weist eine Kavität zur Aufnahme der lichtemittierenden Halbleitervor- richtung auf.
  • Die US 2007 / 0 241 357 A1 , die US 2011 / 0 062 471 A1 , die US 2010 / 0 290 233 A1 und die US 2012 / 0 267 671 A1 be- schreiben weitere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit einer Oberseite. An der Oberseite ist eine als positives Relief ausgebildete Verankerungsstruktur angeordnet. Über der Oberseite ist ein Abdeckelement angeordnet und an der Verankerungsstruktur verankert. Das Abdeckelement bedeckt die Oberseite des Gehäuses vollständig. Vorteilhafterweise wird durch die als positives Relief ausgebildete Verankerungsstruktur an der Oberseite des Gehäuses eine mechanisch robuste Verankerung des Abdeckelements an dem Gehäuse erzielt. Dadurch besteht bei diesem optoelektronischen Bauelement nur ein geringes Risiko einer unerwünschten Delamination des Abdeckelements von dem Gehäuse. Dadurch kann sich eine Lebensdauer des optoelektronischen Bauelements erhöhen. Bei dem optoelektronischen Bauelement ist es vorteilhafterweise nicht erforderlich, für das Gehäuse und das Abdeckelement Materialien auszuwählen, die eine hohe gegenseitige Adhäsion aufweisen. Auch bei einer Verwendung von Materialien, die eine nur geringe gegenseitige Adhäsion aufweisen, wird durch die als positives Relief ausgebildete Verankerungsstruktur an der Oberseite des Gehäuses eine ausreichende Verankerung des Abdeckelements an der Oberseite des Gehäuses erreicht. Dies erlaubt eine höhere Flexibilität bei der Wahl der Materialien des Gehäuses und des Abdeckelements des optoelektronischen Bauelements.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Verankerungsstruktur so ausgebildet, dass sie auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kräfte in zwei zueinander senkrechte Richtungen parallel zur Oberseite des Gehäuses aufnehmen kann. Vorteilhafterweise verhindert die Verankerungsstruktur dadurch eine Delamination des Abdeckelements von der Oberseite des Gehäuses durch parallel zur Oberseite des Gehäuses auf das Abdeckelement wirkende Kräfte.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Verankerungsstruktur so ausgebildet, dass sie auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kräfte in alle Richtungen parallel zur Oberseite des Gehäuses aufnehmen kann. Vorteilhafterweise ist das optoelektronische Bauelement dadurch robust gegenüber parallel zur Oberseite des Gehäuses auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kräfte.
  • Die Verankerungsstruktur umfasst mindestens zwei balkenförmige Abschnitte, die unter einem Winkel zueinander angeordnet sind. Vorteilhafterweise können die zwei balkenförmigen Abschnitte der Verankerungsstruktur durch ihre Anordnung unter einem Winkel zueinander in unterschiedliche Raumrichtungen auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kräfte aufnehmen und dadurch eine Delamination des Abdeckelements von der Oberseite des Gehäuses durch die auf das Abdeckelement wirkenden mechanischen Kräfte wirkungsvoll verhindern.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die zwei balkenförmigen Abschnitte senkrecht zueinander angeordnet. Vorteilhafterweise wird dadurch jede aus einer zur Oberseite des Gehäuses parallelen Richtung auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kraft durch mindestens eines der zwei balkenförmigen Abschnitte der Verankerungsstruktur des optoelektronischen Bauelements aufgenommen.
  • Die Verankerungsstruktur umfasst mindestens drei balkenförmige Abschnitte, die sich von einem Mittenbereich der Oberseite des Gehäuses zu einem Außenbereich der Oberseite des Gehäuses erstrecken. Dadurch wird durch die Verankerungsstruktur vorteilhafterweise eine Verankerung des Abdeckelements an der Oberseite des Gehäuses über einen großen Flächenbereich der Oberseite des Gehäuses erreicht, die robust gegenüber aus unterschiedlichen Raumrichtungen angreifende mechanische Kräfte ausgebildet ist.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Oberseite des Gehäuses eine viereckige Form auf. Die Verankerungsstruktur umfasst dabei vier balkenförmige Abschnitte, die sich von dem Mittenbereich der Oberseite des Gehäuses zu den vier Ecken der Oberseite des Gehäuses erstrecken. Vorteilhafterweise wird durch die Verankerungsstruktur damit eine Verankerung des Abdeckelements an der Oberseite des Gehäuses erreicht, die sich über die gesamte Oberseite des Gehäuses erstreckt. Dabei werden insbesondere die für eine Delamination des Abdeckelements von der Oberseite des Gehäuses besonders anfälligen Ecken der Oberseite des Gehäuses durch die vier balkenförmigen Abschnitte der Verankerungsstruktur gegen eine unerwünschte Delamination des Abdeckelements von der Oberseite des Gehäuses geschützt.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Verankerungsstruktur einen ringförmigen Abschnitt. Vorteilhafterweise kann auch der ringförmige Abschnitt der Verankerungsstruktur aus unterschiedlichen Raumrichtungen auf das Abdeckelement oder das Gehäuse wirkende mechanische Kräfte aufnehmen und dadurch eine Delamination des Abdeckelements von der Oberseite des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements verhindern.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements grenzen die balkenförmigen Abschnitte an einen Außenumfang des ringförmigen Abschnitts an. Die balkenförmigen Abschnitte der Verankerungsstruktur erstrecken sich dadurch von dem ringförmigen Abschnitt der Verankerungsstruktur strahlenförmig nach außen. Experimente haben gezeigt, dass hierdurch eine besonders wirksame Verankerung des Abdeckelements an der Oberseite des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements bewirkt wird.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des Gehäuses eine Kavität ausgebildet. Die Kavität kann beispielsweise zur Aufnahme eines optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements dienen. Dabei können Wände der Kavität an der Oberseite des Gehäuses auch als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. Die Kavität an der Oberseite des Gehäuses kann auch dazu dienen, eine Kontaktfläche eines in das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements eingebetteten Leiterrahmens freizulegen.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich das Abdeckelement in die Kavität. Ein in der Kavität angeordneter optoelektronischer Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements kann dabei in das Abdeckelement eingebettet sein. Vorteilhafterweise bewirkt das Abdeckelement dadurch einen mechanischen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist zwischen dem Gehäuse und dem Abdeckelement ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip ausgebildet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Durch die Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips zwischen dem Gehäuse und dem Abdeckelement ist der optoelektronische Halbleiterchip bei diesem optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen geschützt.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Abdeckelement als optische Linse ausgebildet. Beispielsweise kann das Abdeckelement als Sammellinse ausgebildet sein. Vorteilhafterweise bewirkt das als optische Linse ausgebildete Abdeckelement dadurch eine Strahlformung einer durch einen optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung.
  • In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Abdeckelement Silikon auf. Vorteilhafterweise lässt sich das Abdeckelement dadurch auf einfache und kostengünstige Weise herstellen und weist robuste und beständige mechanische Eigenschaften auf.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
    • 1 ein Gehäuse eines optoelektronischen Bauelements; und
    • 2 das optoelektronische Bauelement mit einem auf dem Gehäuse angeordneten Abdeckelement.
  • 1 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines Gehäuses 100 eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflächenmontage ausgebildet sein, beispielsweise für eine Montage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten).
  • Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 weist eine in 1 sichtbare Oberseite 110 auf. Die Oberseite 110 des Gehäuses 100 ist im dargestellten Beispiel rechteckig ausgebildet und weist vier Ecken 140 auf. Es ist allerdings möglich, die Oberseite 110 des Gehäuses 100 anders als rechteckig auszubilden.
  • In einem Mittenbereich 120 der Oberseite 110 des Gehäuses 100 ist eine Kavität 300 ausgebildet. Die Kavität 300 erstreckt sich von der Oberseite 110 des Gehäuses 100 in den Körper des Gehäuses 100 hinein. An der Oberseite 110 des Gehäuses 100 weist die Kavität 300 im in 1 dargestellten Beispiel eine elliptische Form auf. Die Öffnung der Kavität 300 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 könnte allerdings auch eine Kreisscheibenform, eine rechteckige Form oder eine andere Form aufweisen. In Richtung von der Oberseite 110 des Gehäuses 100 in den Körper des Gehäuses 100 hinein verjüngt sich die Kavität 300 im in 1 gezeigten Beispiel konisch. Die Kavität 300 könnte allerdings auch zylindrisch oder anders geformt sein.
  • Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 weist einen eingebetteten ersten Leiterrahmenabschnitt 310 und einen eingebetteten zweiten Leiterrahmenabschnitt 320 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 sind jeweils als im Wesentlichen flache und ebene Blechabschnitte ausgebildet und in einer gemeinsamen, zur Oberseite 110 des Gehäuses 100 parallelen, Ebene angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 sind elektrisch gegeneinander isoliert. Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 können bei der Herstellung des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 aus einem gemeinsamen Leiterrahmen gebildet worden sein.
  • Ein Teil einer ersten Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und ein Teil einer ersten Oberfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 liegen am Grund der Kavität 300 frei und sind dort zugänglich. Teile einer der ersten Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 und Teile einer der ersten Oberfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 können an einer der Oberseite 110 des Gehäuses 100 gegenüberliegenden Rückseite des Gehäuses 100 freiliegen und dort elektrische Kontaktflächen des optoelektronischen Bauelements 10 bilden.
  • Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise ein Epoxidharz oder ein anderes für ein Formverfahren (Moldverfahren) geeignetes Kunststoffmaterial aufweisen. Das Material des Gehäuses 100 ist elektrisch isolierend. Das Gehäuse 100 kann durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden, beispielsweise durch Spritzgießen (Injection Molding). Der erste Leiterrahmenabschnitt 310 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 320 werden bevorzugt bereits während der Herstellung des Gehäuses 100 in das Material des Gehäuses 100 eingebettet. Das Gehäuse 100 kann in einem Verbund mit einer Vielzahl gleichartiger Gehäuse hergestellt und anschließend durch Zerteilen des Verbunds vereinzelt werden.
  • In der Kavität 300 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine in 1 sichtbare Oberseite 410 und eine der Oberseite 410 gegenüberliegende Unterseite auf. Die Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 kann eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 bilden. In diesem Fall wird im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 400 elektromagnetische Strahlung an der die Strahlungsemissionsfläche bildenden Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 abgestrahlt. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist zwei elektrische Kontaktflächen auf, von denen beispielsweise eine an der Oberseite 410 und eine an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnet sein kann.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist in der Kavität 300 auf dem in der Kavität 300 zugänglichen Abschnitt der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts 310 angeordnet. Dabei ist die Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips 400 dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 zugewandt und derart mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 verbunden, dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 besteht. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise mittels eines Lots oder mittels eines elektrisch leitenden Klebers an dem ersten Leiterrahmenabschnitt 310 befestigt sein. Die an der Oberseite 410 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordnete elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist mittels eines Bonddrahts 420 elektrisch leitend mit dem am Boden der Kavität 300 zugänglichen Abschnitt der Oberseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts 320 verbunden. Wird das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem Verbund mit einer Mehrzahl gleichartiger Gehäuse hergestellt, so kann das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 400 in der Kavität 300 des Gehäuses 100 noch vor dem Vereinzeln des Gehäuses 100 durch Zerteilen des Verbunds erfolgen.
  • 2 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In einem zwischen den in 1 und 2 dargestellten Bearbeitungsständen durchgeführten Bearbeitungsschritt wurde ein Abdeckelement 500 über der Oberseite 110 des Gehäuses 100 angeordnet. Das Abdeckelement 500 bedeckt die Oberseite 110 des Gehäuses 100 bevorzugt vollständig. Bevorzugt füllt das Material des Abdeckelements 500 außerdem die Kavität 300 des Gehäuses 100 derart aus, dass der in der Kavität 300 angeordnete optoelektronische Halbleiterchip 400 in das Material des Abdeckelements 500 eingebettet ist. Es ist allerdings auch möglich, die Kavität 300 vor dem Anordnen des Abdeckelements 500 zunächst ganz oder teilweise mit einem Vergussmaterial zu füllen und das Abdeckelement 500 anschließend auf diesem Vergussmaterial anzuordnen.
  • Das Abdeckelement 500 dient einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 400 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen, beispielsweise einem Schutz vor mechanischen Einwirkungen und Einwirkungen von Staub und Feuchtigkeit.
  • Im in 2 gezeigten Beispiel weist das Abdeckelement 500 in einem senkrecht über der Kavität 300 des Gehäuses 100 angeordneten Bereich außerdem einen erhabenen Abschnitt auf, der eine optische Linse 510 bildet. Die optische Linse 510 kann beispielsweise als Sammellinse ausgebildet sein. Der die optische Linse 510 bildende Teil des Abdeckelements 500 kann allerdings auch entfallen.
  • Das Abdeckelement 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren), etwa durch Formpressen (Compression Molding), oder durch ein Dosierverfahren (Dispensing) über der Oberseite 110 des Gehäuses 100 ausgebildet worden sein. Falls das Gehäuse 100 in einem Verbund mit einer Mehrzahl gleichartiger Gehäuse hergestellt wird, so kann auch das Anordnen des Abdeckelements 500 über der Oberseite 110 des Gehäuses 100 vor dem Vereinzeln des Gehäuses durch Zerteilen des Verbunds erfolgen.
  • Das Abdeckelement 500 weist ein Material auf, das für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 des optoelektronischen Bauelements 10 emittierte elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen transparent ist. Beispielsweise kann das Abdeckelement 500 ein Silikon oder ein Epoxidharz aufweisen. Das Material des Abdeckelements 500 kann zusätzlich eingebettete Partikel aufweisen. Beispielsweise kann das Material des Abdeckelements 500 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, die dazu vorgesehen sind, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren.
  • Die Materialien des Gehäuses 100 und des Abdeckelements 500 des optoelektronischen Bauelements 10 können so gewählt sein, dass zwischen diesen Materialien nur eine geringe gegenseitige Adhäsion besteht. Auch in diesem Fall muss eine stabile und dauerhafte Befestigung des Abdeckelements 500 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 gewährleistet und eine unerwünschte Delamination des Abdeckelements 500 ausgeschlossen sein.
  • Zu diesem Zweck ist an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 eine in 1 sichtbare Verankerungsstruktur 200 angeordnet. Die Verankerungsstruktur 200 ist als positives Relief ausgebildet, das sich über die ansonsten ebenen Abschnitte der Oberseite 110 außerhalb der Kavität 300 erhebt. Die Verankerungsstruktur 200 verbessert die Anhaftung des Abdeckelements 500 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100. Die Verankerungsstruktur 200 ist so ausgebildet, dass sie auf das Abdeckelement 500 wirkende mechanische Kräfte in mindestens zwei zueinander senkrechte Richtungen parallel zur Oberseite 110 des Gehäuses aufnehmen kann. Bevorzugt ist die Verankerungsstruktur 200 so ausgebildet, dass sie auf das Abdeckelement 500 wirkende mechanische Kräfte in alle Richtungen parallel zur Oberseite 110 des Gehäuses 100 aufnehmen kann. Besonders bevorzugt kann die Verankerungsstruktur 200 auch senkrecht zur Oberseite 110 des Gehäuses 100 auf das Abdeckelement 500 wirkende mechanische Kräfte aufnehmen.
  • Die Verankerungsstruktur 200 weist im in 1 dargestellten Beispiel einen ringförmigen Abschnitt 210 auf, der allerdings auch entfallen kann. Der ringförmige Abschnitt 210 umgrenzt die Öffnung der Kavität 300 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100. Der ringförmige Abschnitt 210 der Verankerungsstruktur 200 kann, außer zur Verankerung des Abdeckelements 500 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100, auch als Überlaufschutz für ein Vergussmaterial dienen, falls die Kavität 300 vor dem Anordnen des Abdeckelements 500 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 zunächst mit diesem Vergussmaterial verfüllt wird.
  • Neben dem ringförmigen Abschnitt 210 umfasst die Verankerungsstruktur 200 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 mehrere balkenförmige Abschnitte 220. Die balkenförmigen Abschnitte 220 sind als im Wesentlichen geradlinige längliche Abschnitte ausgebildet, deren Längserstreckungsrichtung parallel zur Oberseite 110 des Gehäuses 100 orientiert ist. Dabei sind mindestens zwei der balkenförmigen Abschnitte 220 unter einem Winkel 230 zueinander angeordnet. Beispielsweise können, wie im in 1 dargestellten Fall, zwei balkenförmige Abschnitte 220 unter einem etwa rechten Winkel 230 zueinander angeordnet sein. Dadurch können die beiden balkenförmigen Abschnitte 220 auf das Abdeckelement wirkende mechanische Kräfte in zwei zueinander senkrechte Richtungen parallel zur Oberseite 110 des Gehäuses 100 aufnehmen.
  • Eine wirksame Verankerung des Abdeckelements 500 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 durch die Verankerungsstruktur 200 ergibt sich, wenn die Verankerungsstruktur 200 mindestens drei balkenförmige Abschnitte 220 umfasst, die sich jeweils von dem Mittenbereich 120 der Oberseite 110 des Gehäuses 100 zu einem Außenbereich 130 der Oberseite 110 des Gehäuses 100 erstrecken. Beispielsweise können die balkenförmigen Abschnitte 220 radial von dem Mittenbereich 120 zu dem Außenbereich 130 der Oberseite 110 des Gehäuses 100 verlaufen.
  • Im in 1 dargestellten Beispiel umfasst die Verankerungsstruktur 200 vier balkenförmige Abschnitte 220, die als erster balkenförmiger Abschnitt 221, als zweiter balkenförmiger Abschnitt 222, als dritter balkenförmiger Abschnitt 223 und als vierter balkenförmiger Abschnitt 224 bezeichnet sind. Jeder der balkenförmigen Abschnitte 221, 222, 223, 224 grenzt an einen Außenumfang 211 des ringförmigen Abschnitts 210 der Verankerungsstruktur 200 an und erstreckt sich, ausgehend von dem Außenumfang 211 des ringförmigen Abschnitts 210, nach außen in den Außenbereich 130 der Oberseite 110 des Gehäuses 100. Dabei erstreckt sich jeder der balkenförmigen Abschnitte 221, 222, 223, 224 zu einer der Ecken 140 der Oberseite 110 des Gehäuses 100. Die Winkel 230 zwischen zwei in Umfangsrichtung des ringförmigen Abschnitts 210 benachbarten balkenförmigen Abschnitten 221, 222, 223, 224 der Verankerungsstruktur 200 betragen dadurch jeweils etwa 90°.
  • Das Material des Abdeckelements 500 kann nach dem Anordnen an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 während eines Aushärtens einem Materialschrumpf unterworfen sein. Durch diesen Materialschrumpf wird das Abdeckelement 500 besonders wirksam an der Verankerungsstruktur 200 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 fixiert. Die durch die Schrumpfung des Materials des Abdeckelements 500 bewirkte Verankerung des Abdeckelements 500 an der Verankerungsstruktur 200 an der Oberseite 110 des Gehäuses 100 verankert das Abdeckelement 500 auch in eine Richtung senkrecht zur Oberseite 110 des Gehäuses 100.
  • Bezugszeichenliste
  • 10
    optoelektronisches Bauelement
    100
    Gehäuse
    110
    Oberseite
    120
    Mittenbereich
    130
    Außenbereich
    140
    Ecke
    200
    Verankerungsstruktur
    210
    ringförmiger Abschnitt
    211
    Außenumfang
    220
    balkenförmiger Abschnitt
    221
    erster balkenförmiger Abschnitt
    222
    zweiter balkenförmiger Abschnitt
    223
    dritter balkenförmiger Abschnitt
    224
    vierter balkenförmiger Abschnitt
    230
    Winkel
    300
    Kavität
    310
    erster Leiterrahmenabschnitt
    320
    zweiter Leiterrahmenabschnitt
    400
    optoelektronischer Halbleiterchip
    410
    Oberseite
    420
    Bonddraht
    500
    Abdeckelement
    510
    optische Linse

Claims (12)

  1. Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem Gehäuse (100) mit einer Oberseite (110), wobei an der Oberseite (110) eine als positives Relief ausgebildete Verankerungsstruktur (200) angeordnet ist, wobei über der Oberseite (110) ein Abdeckelement (500) angeordnet und an der Verankerungsstruktur (200) verankert ist, wobei das Abdeckelement (500) die Oberseite (110) vollständig bedeckt, wobei die Verankerungsstruktur (200) mindestens drei balkenförmige Abschnitte (220) umfasst, die sich von einem Mittenbereich (120) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) zu einem Außenbereich (130) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) erstrecken, wobei mindestens zwei der balkenförmigen Abschnitte (220) unter einem Winkel (230) zueinander angeordnet sind.
  2. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1, wobei die Verankerungsstruktur (200) so ausgebildet ist, dass sie auf das Abdeckelement (500) wirkende mechanische Kräfte in zwei zueinander senkrechte Richtungen parallel zur Oberseite (110) des Gehäuses (100) aufnehmen kann.
  3. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 2, wobei die Verankerungsstruktur (200) so ausgebildet ist, dass sie auf das Abdeckelement (500) wirkende mechanische Kräfte in alle Richtungen parallel zur Oberseite (110) des Gehäuses (100) aufnehmen kann.
  4. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwei der balkenförmigen Abschnitte (220) senkrecht zueinander angeordnet sind.
  5. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberseite (110) des Gehäuses (100) eine viereckige Form aufweist, wobei die Verankerungsstruktur (200) vier balkenförmige Abschnitte (220) umfasst, die sich von dem Mittenbereich (120) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) zu den vier Ecken (140) der Oberseite (110) des Gehäuses (100) erstrecken.
  6. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verankerungsstruktur (200) einen ringförmigen Abschnitt (210) umfasst.
  7. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 6, wobei die balkenförmigen Abschnitte (220) an einen Außenumfang (211) des ringförmigen Abschnitts (210) angrenzen.
  8. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an der Oberseite (110) des Gehäuses (100) eine Kavität (300) ausgebildet ist.
  9. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 8, wobei sich das Abdeckelement (500) in die Kavität (300) erstreckt.
  10. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen dem Gehäuse (100) und dem Abdeckelement (500) ein optoelektronischer Halbleiterchip (400) angeordnet ist.
  11. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Abdeckelement (500) als optische Linse (510) ausgebildet ist.
  12. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor-hergehenden Ansprüche, wobei das Abdeckelement (500) Silikon aufweist.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021121365A1 (de) 2021-07-27 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauteil und leiterrahmenverbund
DE102021130173A1 (de) * 2021-11-18 2023-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060157726A1 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Loh Ban P Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein and methods of packaging same
US20070241357A1 (en) 2004-10-29 2007-10-18 Ledengin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US20100290233A1 (en) 2005-06-14 2010-11-18 Rohm Co., Ltd. Light Emitting Device
US20110062471A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led module with high index lens
DE102010024862A1 (de) 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20120267671A1 (en) 2011-04-20 2012-10-25 Jung Jung Su Light emitting device package including uv light emitting diode

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US6903380B2 (en) 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
WO2005117071A2 (de) 2004-05-31 2005-12-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
TWI277223B (en) * 2004-11-03 2007-03-21 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED package
JP2006140281A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーled及びその製造方法
JP2006303122A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
BRPI0718086A2 (pt) 2006-10-31 2013-11-05 Tir Technology Lp Acondicionamento de dispositivo de iluminação
US7659531B2 (en) * 2007-04-13 2010-02-09 Fairchild Semiconductor Corporation Optical coupler package
CN101556982B (zh) * 2008-04-10 2011-05-11 一品光学工业股份有限公司 发光二极管的封装结构
JP2010034395A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010043395A (ja) 2008-08-12 2010-02-25 Ritsuko Okaue ポケット付きソフトガードル
JP2011119557A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Sony Corp 発光装置及びその製造方法
KR101644110B1 (ko) * 2010-12-17 2016-08-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR101817807B1 (ko) * 2011-09-20 2018-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
US10468565B2 (en) * 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070241357A1 (en) 2004-10-29 2007-10-18 Ledengin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US20060157726A1 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Loh Ban P Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein and methods of packaging same
US20100290233A1 (en) 2005-06-14 2010-11-18 Rohm Co., Ltd. Light Emitting Device
US20110062471A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led module with high index lens
DE102010024862A1 (de) 2010-06-24 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20120267671A1 (en) 2011-04-20 2012-10-25 Jung Jung Su Light emitting device package including uv light emitting diode

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