DE19951754A1 - Strahlungsrauschen-Unterdrückungs-Komponentenstruktur - Google Patents

Strahlungsrauschen-Unterdrückungs-Komponentenstruktur

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Abstract

Eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente umfaßt eine magnetische Lage mit einer Leiterschicht, die mit der oberen Seite einer CPU verbunden ist, die auf einer Schaltungsplatine befestigt ist. Die Leiterschicht ist auf der Oberfläche der magnetischen Lage vorgesehen. Die magnetische Lage liegt zwischen der Leiterschicht und der CPU. Die Leiterschicht ist mit der Massestruktur auf der Schaltungsplatine über einen Leiter geerdet.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Strahlungs­ rauschen-Unterdrückungs-Komponentenstruktur zum Unterdrücken von Rauschen, das von einer elektronischen Komponente, einer Schaltungsplatine oder einer ähnlichen Rauschen-emittieren­ den Vorrichtung abgestrahlt.
Im allgemeinen ist ein herkömmlicher Absorbierer für elek­ tromagnetische zum Absorbieren von unerwünschtem Rauschen von elektromagnetischen Wellen durch eine magnetische Lage definiert, die durch Mischen von Ferrit oder einem magneti­ schen Metallpulver mit einem Harz und durch Verarbeiten des gemischten Materials, um eine Lage zu bilden, gebildet wird. Zusätzlich enthält eine andere herkömmliche Rauschunter­ drückungskomponente eine Leiterschicht, die auf der Oberflä­ che oder innerhalb der magnetischen Lage vorgesehen ist, wo­ bei die Leiterschicht als Reflexionsschicht für elektroma­ gnetische Wellen verwendet wird. Bei dieser magnetischen La­ ge, die die Leiterschicht hat, wird Strahlungsrauschen durch die oben beschriebene magnetische Lage absorbiert, wobei das Strahlungsrauschen, das in der magnetischen Lage gedämpft wird, von der Leiterschicht reflektiert wird und erneut durch die magnetische Lage läuft, wo das Strahlungsrauschen weiter gedämpft wird.
Für eine praktische Verwendung werden diese Absorbierer für elektromagnetische Wellen jedoch einfach mit den Oberseiten von Strahlungsrauschen-erzeugenden Quellen, wie z. B. elek­ tronischen Komponenten, Verdrahtungen auf Schaltungsplatinen und anderen Elementen, die Strahlungsrauschen erzeugen, ver­ bunden. Eine solche Befestigungsstruktur hat das Problem, daß der Strahlungsrauschen-Sperreffekt eine Rauschen-Verhin­ derungsmenge von lediglich mehreren dB erzeugt. Ein viel größerer Strahlungsrauschen-Sperreffekt ist jedoch nicht möglich.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur sowie eine elektronische Vorrichtung zu schaffen, bei denen das abge­ gebene Strahlungsrauschen stark unterdrückt ist.
Diese Aufgabe wird durch eine Strahlungsrauschen-Sperr-Kom­ ponentenstruktur nach Patentanspruch 1 sowie durch eine elektronische Vorrichtung nach Patentanspruch 12 gelöst.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß sie eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur lie­ fert, die einfach ist, die jedoch einen sehr großen Strah­ lungsrauschen-Sperreffekt erreicht.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor liegenden Erfindung umfaßt eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponenten­ struktur eine Strahlungsrauschen-Sperrkomponente, die eine magnetische Lage und eine Leiterschicht auf der magnetischen Lage umfaßt, wobei die magnetische Lage angeordnet ist, um eine Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle zu bedecken, und um zu der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle hin gewandt zu sein, und wobei die Leiterschicht angeordnet ist, um die magnetische Lage im wesentlichen zu bedecken, und wobei die Leiterschicht geerdet ist.
Vorzugsweise besteht die magnetische Lage aus einem magne­ tischen Pulver, das mit zumindest einem Harz oder einem Gummi gemischt ist, wobei das magnetische Pulver aus zu­ mindest einem Ferrit oder einem magnetischen Metall besteht. Die Leiterschicht ist vorzugsweise aus zumindest einem Ele­ ment der Gruppe hergestellt, die aus Metallfolien, Plattie­ rungsfilmen, Metallgittern, leitfähigen Pasten, leitfähigen Fasern und leitfähigen Lagen besteht.
Mit der einzigartigen Struktur und Anordnung der oben be­ schriebenen Elemente wird Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle abgestrahlt wird, durch die magnetische Lage absorbiert, so daß das Rauschen ge­ dämpft wird, woraufhin das gedämpfte Strahlungsrauschen auf die Leiterschicht fällt. Da die Leiterschicht geerdet ist, wird ein Teil des einfallenden Strahlungsrauschens über die Leiterschicht zur Masse übertragen. Das restliche Strah­ lungsrauschen wird von der Leiterschicht reflektiert und wieder durch die magnetische Lage geleitet, wo das Strah­ lungsrauschen absorbiert wird, um noch weiter gedämpft zu werden. Dementsprechend wird Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle abgestrahlt wird, be­ trächtlich gedämpft, so daß eine viel höhere Dämpfung von Rauschen im Vergleich zu herkömmlichen Elementen erreicht wird.
Ferner ist bei der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponenten­ struktur gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorlie­ genden Erfindung die Leiterschicht vorzugsweise im wesent­ lichen mit einer weiteren magnetischen Lage bedeckt. Dement­ sprechend hat die Strahlungsrauschen-Sperrkomponente vor­ zugsweise eine Sandwich-Struktur, bei der die Leiterschicht zwischen den zwei magnetischen Lagen angeordnet ist. Aus­ tretendes Strahlungsrauschen, d. h. das Strahlungsrauschen, das von den Seiten der Leiterschicht zu der Rückseite der­ selben kommt, ohne durch die Leiterschicht zu der Masse zu fließen, und das auch nicht von der Leiterschicht gedämpft wird, wird durch die magnetische Lage gedämpft, die an der Rückseite der Leiterschicht angeordnet ist.
Zusätzlich ist die Dicke der magnetischen Lage, die zwischen der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle und der Leiter­ schicht vorgesehen ist, vorzugsweise in der Größenordnung von 0,3 mm oder darüber, so daß das Strahlungsrauschen um etwa 10 dB oder darüber gedämpft werden kann.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen detaillierter erörtert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Aufrißdarstellung, die die Anordnung einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 einen Graph, der die Beziehung zwischen der Dicke einer magnetischen Lage und der resultierenden Dämpfung des Rauschens zeigt;
Fig. 3 eine Aufrißansicht, die die Anordnung einer Strah­ lungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung zeigt;
Fig. 4 eine Aufrißansicht, die die Konfiguration eines Beispiels zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist;
Fig. 5 eine Aufrißansicht, die die Konfiguration eines weiteren Beispiels zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde;
Fig. 6 eine weitere Aufrißansicht, die die Konfiguration noch eines weiteren Beispiels zeigt, das zum Ver­ gleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist; und
Fig. 7 eine weitere Aufrißansicht, die die Konfiguration eines weiteren Beispiels, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, zeigt.
Fig. 1 zeigt ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung. Bei dem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel hat die vorliegende Erfindung eine Struktur, die an­ geordnet ist, um eine Unterdrückung von Strahlungsrauschen, das von einer zentralen Verarbeitungseinheit 2, die nach­ folgend als "CPU" bezeichnet wird, eines Personalcomputers abgestrahlt wird, zu bewirken. Es ist jedoch ohne weiteres zu sehen, daß die Strukturen und Anordnungen der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angeordnet werden können, um die Unterdrückung von Strahlungsrauschen von einer gedruckten Schaltungsplatine, einer elektronischen Komponente oder einer anderen Rauschen-erzeugenden Vorrich­ tung zu maximiert.
Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 ist mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, um die CPU 2 im wesentlichen zu bedecken, die auf einer Schaltungsplatine 1 angebracht ist. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 umfaßt vorzugs­ weise eine magnetische Lage 4 und eine Leiterschicht 3, die auf der Oberfläche der magnetischen Lage 4 vorgesehen ist.
Die magnetische Lage 4 kann vorzugsweise eine Lage sein, die aus einer Mischung gebildet ist, bei der ein magnetisches Pulver oder ein Ferrit oder ein magnetisches Metall mit ei­ nem Harz oder einem Gummi gemischt ist. Zusätzlich können eine Metallfolie, ein Plattierungsfilm, ein Metallgitter, eine leitfähige Paste, leitfähige Fasern, eine leitfähige Lage usw. als Leiterschicht 3 verwendet werden. Bei dem er­ sten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine Menge von et­ wa 80 Gewichtsprozent eines Mg-Zn-System-Ferritmagnetpulvers mit einer mittleren Partikelgröße von etwa 15 µm vorzugswei­ se mit chloriertem Polyethylen gemischt. Das erhaltene ma­ gnetische Harz wird in eine magnetische Lage 4 Extrusions­ geformt, die vorzugsweise eine Dicke von etwa 1,0 mm hat.
Anschließend wird, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, eine Kup­ ferfolie, die die leitfähige Schicht 3 definiert, mit der Oberfläche der magnetischen Lage 4 verbunden, woraufhin die magnetische Lage 4 mit der Kupferfolie 3 vorzugsweise ge­ schnitten wird, um eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm zu ha­ ben, um als Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 verwendet zu werden.
Eine Seite der magnetischen Lage 4 der Strahlungsrauschen- Sperr-Komponente 5 ist vorzugsweise angeordnet, um zu der CPU 2 hin gewandt zu sein. Die magnetische Lage 4 ist ange­ ordnet, um die CPU 2 zu berühren, und dieselbe ist mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden. Die magnetische Lage 4 ist zwischen der Leiterschicht 3 und der CPU 2 angeordnet. Die Leiterschicht 3 ist mit der Massestruktur 7 auf der Schal­ tungsplatine 1 über einen Leiter 6 verbunden. Der Leiter 6 kann aus einem Material, wie z. B. einem leitfähigen Draht, einer Metallfolie oder einem anderen geeigneten Leiterele­ ment, hergestellt sein. Um die Erzeugung einer Impedanz zu verhindern, die durch den Leiter 6 bewirkt wird, wird bevor­ zugt, daß ein Leiter 6 verwendet wird, der so kurz und breit als möglich ist.
Bei der oben beschriebenen einzigartigen Struktur und Anord­ nung wird das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abge­ strahlt wird, durch die magnetische Lage 4 absorbiert, so daß das Rauschen gedämpft wird. Das gedämpfte Rauschen fällt dann auf die Leiterschicht 3. Da die Leiterschicht 3 geerdet ist, wird ein Teil des einfallenden Strahlungsrauschens über die Leiterschicht 3 zu der Masse übertragen. Das restliche Strahlungsrauschen wird von der Leiterschicht 3 reflektiert und läuft durch die magnetische Lage 4, um von der magneti­ schen Lage 4 absorbiert und gedämpft zu werden. Somit wird das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 erzeugt wird, stark gedämpft.
Insbesondere wurde die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz, das von der CPU 2 abgegeben wird, gemessen. Es wur­ de aus dieser Messung bestätigt, daß die Struktur der Strah­ lungsrauschen-Sperr-Komponente 5 des ersten bevorzugten Aus­ führungsbeispiels das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wird, um 15 dB dämpft.
Um ferner die Auswirkung der bevorzugten Ausführungsbei­ spiele der vorliegenden Erfindung zu bestätigen, wurde bei der Struktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels die Dicke der ma­ gnetischen Lage 4 in dem Bereich von etwa 0 mm bis etwa 4 mm variiert, wonach das Strahlungsrauschen bei 800 MHz, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, gemessen wurde. Die gemessenen Ergebnisse sind in Fig. 2 gezeigt. Die Resultate zeigen, daß eine Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz um etwa 10 dB oder mehr erreicht werden kann, wenn die Dicke der magne­ tischen Lage 4 etwa 0,3 mm oder mehr beträgt.
Ferner kann bei der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponenten­ struktur gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorlie­ genden Erfindung, wie sie in Fig. 3 gezeigt sind, die Strah­ lungsrauschen-Sperr-Komponente 5A eine Sandwich-Struktur (zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel) haben, die vor­ zugsweise zwei magnetische Lagen 4a und 4b umfaßt, wobei die Leiterschicht 3 zwischen den zwei magnetischen Lagen 4a und 4b vorgesehen ist. Bei der Sandwich-Struktur wird aus­ tretendes bzw. Leck-Strahlungsrauschen, d. h. Rauschen, das von den Seiten der Leiterschicht 3 zu der Rückseite der Lei­ terschicht 3 läuft, ohne über die Leiterschicht 3 zur Masse übertragen zu werden, und ohne von der Leiterschicht 3 re­ flektiert zu werden, von der magnetischen Lage 4b gedämpft, die zusätzlich auf der Rückseite der Leiterschicht 3 vorge­ sehen ist. Somit kann das Strahlungsrauschen weiter verrin­ gert werden.
Gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel definiert eine Gittereinheit, die Nickeldrähte enthält, die in dersel­ ben gewirkt sind, die Leiterschicht 3. Die Gittereinheit ist zwischen den magnetischen Lagen 4a und 4b angeordnet, die vorzugsweise unter Verwendung des gleichen Prozesses wie beim ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt sind, wobei die Nickeleinheit zwischen denselben durch ther­ mische Kompression eingebettet und in Stücke geschnitten ist, wobei jedes Stück vorzugsweise eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm hat, wodurch eine Strahlungsrauschen-Sperr- Komponente 5A hergestellt ist. Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, wird diese Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5A vorzugs­ weise mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 1 befestigt ist, wobei die magnetische Lage 4a angeordnet ist, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren. Ferner wird die Gittereinheit 3 vorzugsweise mit der Massestruktur 7 der Schaltungsplatine 1 über den Leiter 6 verlötet.
Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wurde gemessen. Es wurde bestätigt, daß das Strahlungsrauschen, das von der CPU abgestrahlt wird, um etwa 18 dB gedämpft wurde.
Als Vergleichsbeispiel 1 der Strahlungsrauschen-Sperr-Kompo­ nentenstruktur wurde die magnetische Lage 4, die durch die­ selbe Prozedur wie bei dem oben beschriebenen ersten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel hergestellt wird, in Stücke ge­ schnitten, von denen jedes eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm hat, wodurch eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 hergestellt ist. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 wurde mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 1 befestigt ist, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. Dann wurde die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz gemessen. Als Ergebnis wurde bestimmt, daß bei der Befe­ stigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 des Vergleichsbeispiels 1 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, nur um etwa 3 dB gedämpft war. Das heißt, daß bestätigt wurde, daß eine ausreichende Dämp­ fung nicht durch ausschließliche Verwendung der magnetischen Lage 4 erreicht werden kann.
Ferner wurde als Vergleichsbeispiel 2 der Strahlungsrau­ schen-Sperr-Komponentenstruktur eine Strahlungsrauschen- Sperr-Komponente 32 durch dasselbe Verfahren wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt, wobei dieselbe die magnetische Lage 4 und die Kupferfolie 3 um­ faßte. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 wurde der­ art verbunden, daß die magnetische Lage 4 angeordnet war, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren, wie es in Fig. 5 ge­ zeigt ist. Die Kupferfolie 3 war jedoch nicht mit der Masse­ struktur 7 der Schaltungsplatine 1 elektrisch verbunden, sondern war stattdessen in einem floatenden, nicht-verbunde­ nen Zustand angeordnet. Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde bei der Befe­ stigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 des Vergleichsbeispiels 2 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, nur um etwa 5 dB gedämpft. Das Strahlungsrauschen, das von der magnetischen Lage 4 gedämpft wurde, wurde von der Kupferfolie 3 reflektiert und lief er­ neut durch die magnetische Lage 4. Dementsprechend wurde herausgefunden, daß die Dämpfungseffekte im Vergleich zum Vergleichsbeispiel 1 um einen gewissen Grad besser wurden, daß jedoch ein viel größerer Dämpfungseffekt, wie er beim ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung erreicht wird, mit dem Vergleichsbei­ spiel 2 nicht erreicht werden kann.
Ferner wurde als Vergleichsbeispiel 3 der Strahlungsrau­ schen-Sperr-Komponentenstruktur eine Strahlungsrauschen- Sperr-Komponente 33 hergestellt, die eine Kupferfolie 3 um­ faßt, die in einer Größe von etwa 50 mm × 50 mm geschnitten war. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 wurde mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schal­ tungsplatine 1 befestigt ist, wie es in Fig. 6 gezeigt ist. Die Kupferfolie 3 war mit der Massestruktur 7 auf der Schal­ tungsplatine 1 über die Leiter 6 elektrisch verbunden. Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde bei der Befestigungsstruktur der Strah­ lungsrauschen-Sperr-Komponente 33 des Vergleichsbeispiels 3 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, um nur 3 dB gedämpft. Es wurde bestätigt, daß eine ausrei­ chende Dämpfung durch Verwendung der Kupferfolie 3 alleine nicht erreicht werden konnte.
Als Vergleichsbeispiel 4 für die Strahlungsrauschen-Sperr- Komponentenstruktur wurde eine Strahlungsrauschen-Sperr-Kom­ ponente 34, die die magnetische Lage 4 und die Kupferfolie 3 umfaßt, unter Verwendung derselben Prozedur wie bei dem oben beschriebenen ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel herge­ stellt. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 34 wurde mit der Kupferfolie 3 verbunden und angeordnet, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren, d. h. die Kupferfolie war zwi­ schen der magnetischen Lage 4 und der CPU 2 angeordnet, und die Kupferfolie 3 war mit der Massestruktur 7 auf der Schal­ tungsplatine 1 über den Leiter 6 elektrisch verbunden, wie es in Fig. 7 gezeigt ist. Die Dämpfung des Strahlungsrau­ schens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde herausgefunden, daß bei der Befestigungsstruktur der Strah­ lungsrauschen-Sperr-Komponente 34 des Vergleichsbeispiels 4 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wird, um nur 3 dB gedämpft werden konnte, was zu Vergleichsbei­ spiel 3 ähnlich ist. Das heißt, daß bestimmt wurde, daß bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Kompo­ nente 34 des Vergleichsbeispiels 4 die Kupferfolie 3 direkt die CPU 2 kontaktiert, um eine elektromagnetische Abschir­ mung zu liefern, weshalb die magnetische Lage 4, die auf der entgegengesetzten Seite zu der CPU 2 bezüglich der Kupfer­ folie 3 positioniert war, im wesentlichen keinen Beitrag für das Sperren des Strahlungsrauschens liefert.
Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele begrenzt, und es können verschiedene Änderungen durchgeführt werden, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Insbesondere ist die Quelle für das Strahlungsrauschen nicht auf die CPU 2 begrenzt, wie es bei den obigen bevorzugten Ausführungs­ beispielen beschrieben ist. Insbesondere können elektroni­ sche Komponenten, wie z. B. Transistoren, die Schaltopera­ tionen ausführen, Schaltungsplatinen, Strukturen auf Schal­ tungsplatinen und andere Rauschen-erzeugende Elemente als Strahlungsrauschen-Quelle aufgefaßt werden.
Wie es in der obigen Beschreibung zu sehen ist, wird gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung das Strahlungsrauschen, das von einer Strahlungsrauschen-er­ zeugenden Quelle abgestrahlt wird, von der magnetischen Lage absorbiert, um gedämpft zu werden, wonach das noch vorhan­ dene Strahlungsrauschen auf die Leiterschicht fällt. Ein Ab­ schnitt des Strahlungsrauschens wird zu der Masse übertra­ gen. Das restliche Strahlungsrauschen wird von der Leiter­ schicht reflektiert und wieder durch die magnetische Lage geführt, um von der magnetischen Lage absorbiert und ge­ dämpft zu werden. Als Ergebnis wird das Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle abge­ strahlt wird, stark reduziert. Das heißt, daß ein sehr hoher Strahlungsrauschen-Sperreffekt erreicht wird. Zusätzlich ist gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Er­ findung in der Anwendung nur die Erdung der Leiterschicht notwendig. Im Gegensatz zu herkömmlichen Strahlungsrau­ schen-Sperr-Komponentenstrukturen kann bei bevorzugten Aus­ führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ein hoher Strahlungsrauschen-Sperreffekt einfach und zuverlässig er­ reicht werden, ohne daß die Anzahl von Herstellungsverfahren wesentlich erhöht werden muß.

Claims (20)

1. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur mit fol­ genden Merkmalen:
einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente (5; 5A), die eine magnetische Lage (4; 4a) und eine Leiterschicht (3) aufweist, die derart angeordnet sind, daß die magnetische Lage (4; 4a) eine Strahlungsrauschen-erzeu­ gende Quelle (1) im wesentlichen bedeckt und zu der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (1) hin gewandt ist, wobei die Leiterschicht (3) die magnetische Lage (4; 4a) im wesentlichen bedeckt und geerdet (6, 7) ist.
2. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß An­ spruch 1, bei der die Leiterschicht (3) mit einer wei­ teren magnetischen Lage (4b) im wesentlichen bedeckt ist.
3. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß An­ spruch 1 oder Anspruch 2, bei der die magnetische Lage (4; 4a) ein magnetisches Pulver umfaßt, das mit zu­ mindest entweder einem Harz oder einem Gummi gemischt ist, wobei das magnetische Pulver zumindest entweder aus einem Ferrit oder einem magnetischen Metall herge­ stellt ist.
4. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leiter­ schicht (3) zumindest ein Element aus der Gruppe auf­ weist, die aus Metallfolien, Plattierungsfilmen, Me­ tallgittern, leitfähigen Pasten, leitfähigen Fasern und leitfähigen Lagen besteht.
5. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die magneti­ sche Lage (4; 4a), die zwischen der Strahlungsrau­ schen-erzeugenden Quelle (1) und der Leiterschicht (5; 5A) angeordnet ist, eine Dicke von etwa 0,3 mm oder darüber aufweist.
6. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leiter­ schicht (3) eine Metallgittereinheit aufweist, die aus gewirkten Nickeldrähten besteht.
7. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß An­ spruch 6, bei der zwei magnetische Lagen (4a, 4b) vor­ gesehen sind und die Leiterschicht (3) zwischen den zwei magnetischen Schichten angeordnet ist.
8. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die magneti­ sche Lage (4; 4a) aus 80 Gewichtsprozent eines Mg-Zn- System-Ferritmagnetpulvers mit einer mittleren Parti­ kelgröße von etwa 15 µm und einem chlorierten Poly­ ethylen hergestellt ist.
9. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der Ansprüche 6 bis 8, bei der das magnetische Harz eine Dicke von etwa 1,0 mm hat.
10. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Strah­ lungsrauschen-erzeugende Quelle (1) eine zentrale Ver­ arbeitungseinheit eines Computers ist.
11. Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß ei­ nem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Strahlungsrau­ schen-erzeugende Quelle (1) eine gedruckte Schaltungs­ platine ist.
12. Elektronische Vorrichtung mit folgenden Merkmalen:
einer Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (1); und einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente (5; 5A), die eine magnetische Lage (4; 4a) und eine Leiterschicht (3) aufweist, die derart angeordnet sind, daß die magnetische Lage (4; 4a) die Strahlungsrauschen-erzeu­ gende Quelle (1) im wesentlichen bedeckt und zu der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (1) hin gewandt ist, wobei die Leiterschicht (3) die magnetische Lage (4; 4a) im wesentlichen bedeckt und geerdet (6, 7) ist.
13. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 12, bei der die Strahlungsrauschen-erzeugende Quelle (1) eine zen­ trale Verarbeitungseinheit eines Computers ist.
14. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 12, bei der die Strahlungsrauschen-erzeugende Quelle (1) eine ge­ druckte Schaltungsplatine ist.
15. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, bei der die Leiterschicht (3) mit einer weite­ ren magnetischen Lage (4b) im wesentlichen bedeckt ist.
16. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, bei der die magnetische Lage (4a) ein magne­ tisches Pulver aufweist, das mit zumindest entweder einem Harz oder einem Gummi gemischt ist, wobei das ma­ gnetische Pulver aus zumindest entweder einem Ferrit oder einem magnetischen Metall hergestellt ist.
17. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, bei der die Leiterschicht (3) zumindest ein Element aus der Gruppe aufweist, die aus Metallfolien, Plattierungsfilmen, Metallgittern, leitfähigen Pasten, leitfähigen Fasern und leitfähigen Schichten besteht.
18. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 17, bei der die magnetische Lage (4; 4a), die zwi­ schen der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (1) und der Leiterschicht (3) angeordnet ist, eine Dicke von etwa 0,3 mm oder darüber aufweist.
19. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18, bei der die Leiterschicht (3) eine Metallgit­ tereinheit aufweist, die aus gewirkten Nickeldrähten hergestellt ist.
20. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 19, bei der zwei magnetische Lagen (4a, 4b) vorgesehen sind, und die Leiterschicht (3) zwischen den zwei magnetischen Lagen (4a, 4b) angeordnet ist.
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