DE60104470T2

DE60104470T2 - Elektronisches Bauteil bei dem hochfrequente Ströme unterdrückt werden und Bonddraht dafür

Info

Publication number: DE60104470T2
Application number: DE60104470T
Authority: DE
Inventors: Shigeyoshi Sendai-shi Yoshida; Hiroshi Sendai-shi Ono; Koji Sendai-shi Kamei
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2000-04-04
Filing date: 2001-04-04
Publication date: 2005-07-28
Anticipated expiration: 2021-04-05
Also published as: MY128653A; TW503495B; EP1146637B1; EP1146637A1; NO20011677D0; SG96612A1; NO20011677L; US20010026016A1; DE60104470D1; CN1317829A; US20040188833A1; KR20010095252A; US6903440B2; US6635961B2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
(1) GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches Bauteil bzw. eine elektronische Komponente zur Schaltungsplattenmontage, das bzw. die eine vorbestimmte Anzahl von Terminals aufweist, hauptsächlich repräsentiert durch eine aktive Halbleitervorrichtung, wie eine integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (IC), eine hochintegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (LSI) und eine logische Schaltungsvorrichtung vom Typ eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs, insbesondere ein elektronisches Bauteil bzw. eine elektronische Komponente vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung, mit einer Funktion zum Dämpfen eines durch das Terminal passierenden Hochfrequenzstroms, wenn das elektronische Bauteile bzw. die elektronische Komponente verwendet wird.
Die Erfindung bezieht sich auch auf einen Bondierdraht, der hauptsächlich zur Verbindung zwischen vorbestimmten Stellen eines elektrischen/elektronischen Geräts bereitgestellt wird, insbesondere auf einen Bondierdraht von der Art einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil mit einer Funktion zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch den Bondierdraht selbst hindurchströmt von einem elektronischen Bauteil wie einer aktiven Halbleitervorrichtung, die bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz zum Zweck der Ausführung eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs verwendet wird.
(2) BESCHREIBUNG DES VERWANDTEN STANDS DER TECHNIK
Seit kurzem werden unterschiedliche Arten von aktiven Halbleitervorrichtungen, die einen Halbleiterspeicherapparat, repräsentiert z. B. durch einen Direktzugriffsspeicher (RAM) und einen Nurlesespeicher (ROM), oder eine logische Schaltungsvorrichtung, wiedergegeben durch einen Mikroprozessor MPU, eine zentrale Prozessiereinheit (CPU), eine logische Bildprozessor-Rechnereinheit (IPALU) und dergleichen, einschließen, als ein auf eine Schaltungs-Leiterplatte zu montierendes elektronisches Bauteil verwendet, welches auf ein elektronisches Gerät und/oder einem informationsverarbeitenden Apparat auf dem Gebiet der Kommunikation elektronischer Information montiert wird, und welches mit einem Leitungsmuster versehen ist.
Diese aktiven Halbleitervorrichtungen sind mit einer vorbestimmten Anzahl von Terminals (normalerweise als Zuleistungsrahmen bezeichnet) ausgestattet, die im allgemeinen in Übereinstimmung mit dem Schaltungs-Layout hoch integriert sind, zum Zweck der Ausführung eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs unter Verwendung einer hohen Frequenz bei der Herstellung eines Produkts, um die Verarbeitung eines Signals bereitzustellen, und die als ein Chip für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (IC) oder eine hochintegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (LSI) angeordnet sind.
Bezüglich solcher aktiver Halbleitervorrichtungen werden andererseits die Rechnergeschwindigkeit und die Signalverarbeitungsgeschwindigkeit rasch angehoben, und die aktiven Halbleitervorrichtungen werden bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz unter einem Standard verwendet, um weiter hoch integriert zu sein zur Ausführung eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs.
Wenn das durch die oben beschriebenen, aktiven Halbleitervorrichtungen wiedergegebene elektronische Bauteil bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz zum Zweck der Ausführung eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs verwendet wird, würde ein durch ein Terminal laufendes elektrisches Signal einen Hochfrequenz-(Hochoberwellen-)Strom bilden, so daß der Hochfrequenzstrom gelegentlich zwischen Bauteilen, zwischen Signalwegen einschließlich Terminals, oder zwischen Geräten/Apparaten, auf denen das elektronische Bauteil montiert ist, übertragen wird. Ein solcher Hochfrequenzstrom würde einen schlechten Einfluß auf einen Betriebsprozeß in einem Bauteil (Schaltungsvorrichtung) unter Ausführung eines Fehlbetriebs machen, oder würde eine Basisfunktion stören, was eine Ursache für eine elektromagnetische Interferenz darstellt, und deshalb gelöscht werden sollte. Bei der gegenwärtigen Situation ist jedoch für das elektronische Bauteil eine Gegenmaßnahme gegen den Hochfrequenzstrom noch nicht ausreichend beachtet worden. Dies führt zu einem Problem, daß das Auftreten der elektromagnetischen Interferenz, die durch den Hochfrequenzstrom verursacht wird, nicht verhindert werden kann.
Beim oben erwähnten Halbleiterchip verbindet ein Bondierdraht eine vorbestimmte Anzahl von Terminals und einen Hauptkörper.
Bezüglich einer aktiven Halbleitervorrichtung, auf die für ein elektronisches Bauteil eine Verbindung durch einen Bondierdraht angewandt wird, werden die Rechnergeschwindigkeit und die Signalverarbeitungsgeschwindigkeit rasch schneller gemacht, und die aktive Halbleitervorrichtung wird bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz unter einem Standard verwendet, um weiter hoch integriert einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb auszuführen.
Im Fall eines Bondierdrahts für ein elektronisches Bauteil würde jedoch, wenn das elektronische Bauteil bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz zum Zweck des Ausführens eines Hochgeschwindigkeitsbetriebs auf der Seite des aktiven Halbleiterbauteils verwendet wird, ein Hochfrequenz-(Hochoberwellen)-Strom durch ein Terminal und einen Draht laufen, so daß der Hochfrequenzstrom zwischen Bauteilen, zwischen Signalwegen einschließlich Terminals, oder zwischen Geräten/Apparaten, auf die das elektronische Bauteil montiert ist, übertragen wird. Ein solcher Hochfrequenzstrom würde einen schlechten Einfluß auf den Betriebsprozeß in einem Bauteil oder einer Schaltungsvorrichtung unter Ausführung eines Fehlbetriebs machen, oder würde eine Basisfunktion stören, was eine Ursache einer elektromagnetischen Interferenz ist, und sollte deshalb gelöscht werden. Bei der gegenwärtigen Situation ist jedoch für das elektronische Bauteil und den Bondierdraht eine Gegenmaßnahme gegen den Hochfrequenzstrom nicht ausreichend beachtet worden. Dies führt zu einem Problem, daß das Auftreten der elektromagnetischen Interferenz, die durch den Hochfrequenzstrom verursacht wird, nicht verhindert werden kann.
Die EP 0 854 669 A1 bezieht sich auf ein weichmagnetisches Legierungspulver mit einer geeigneten Teilchengröße einer durchschnittlichen Länge bis zu 100 μm, einer durchschnittlichen Breite bis zu 60 μm und einer durchschnittlichen Dicke um 3 μm, welches mit einem organischen Bindemittel vermengt wird, zum Bilden einer Abschirmlage mit einer Dicke im Bereich von 0,5 bis 1 μm.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein elektronisches Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bereitzustellen, das einen Hochfrequenzstrom vollständig unterdrückt, selbst wenn es bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz verwendet wird, um das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz zu verhindern.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, einen Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil bereitzustellen, welcher einen Hochfrequenzstrom vollständig unterdrückt, selbst wenn er bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz verwendet wird, um das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz zu verhindern.
Die vorliegende Erfindung stellt ein elektronisches Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 1 sowie einen Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 17 zur Verfügung. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen festgelegt.
Gemäß einem Gegenstand der Erfindung wird ein elektronisches Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bereitgestellt, welches eine vorbestimmte Anzahl von Terminals aufweist, die zur Verarbeitung eines Signals bereitgestellt sind. Im elektronischen Bauteil sind ein Teil oder alle der vorbestimmten Anzahl von Terminals mit einem Hochfrequenzstromsuppressor ausgestattet, zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch die Terminals selbst, in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz, strömt.
Es ist bevorzugt, daß bei diesem elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung der Hochfrequenzstromsuppressor auf einem Teil oder dem gesamten von der Oberfläche der vorbestimmten Terminals an einer Stelle vorgesehen ist, die sich von einem, auf eine Schaltungsplatte zu montierenden Montierabschnitt unterscheidet, zum Montieren mindestens eines elektronischen Bauteils sowie einem einen Verbindungsabschnitt einschließenden Rand auf ein Leitungsmuster, das auf der Schaltungsplatte vorgesehen ist, und daß der Hochfrequenzstromsuppressor ferner eine Leitfähigkeit in einer Anwendungsfrequenzbandbreite von weniger als einigen Zig MHz in der Nähe eines auf eine Schaltungsplatte zu montierenden Verbindungsabschnitts aufweist, zum Montieren mindestens eines elektronischen Bauteils.
Es ist bevorzugt, daß in einem der obigen elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bei einer Ausführungsform gemäß der Erfindung der Hochfrequenzstromsuppressor ein elektronisches Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung ist, das zum Bilden eines Films auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl von Terminals mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet ist, oder daß der Hochfrequenzstromsuppressor zu einem Film auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl von Terminals mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens gebildet ist.
Es ist ebenfalls bevorzugt, daß jeweils bei einem der obigen elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bei einer Ausführungsform gemäß der Erfindung der Hochfrequenzstromsuppressor einen Film aufweist, der auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Mutterplatte metallischen Mate rials gebildet ist, die zuvor bei einem Herstellungsverfahren der vorbestimmten Anzahl von Terminals verwendet wurde, und daß der Hochfrequenzstromsuppressor einen Film aufweist, der auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche gebildet ist, was als die vorbestimmte Anzahl von Terminals mittels Heraustrennen einer Mutterplatte metallischen Materials gebildet ist, die bei einem Herstellungsverfahren zum Bilden der vorbestimmten Anzahl von Terminals verwendet wurde.
In einem Gegenstand der Erfindung ist es andererseits bevorzugt, daß das elektronische Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung eine vorbestimmte Anzahl von Terminals aufweist, die zur Verarbeitung eines Signals bereitgestellt sind. In dem elektronischen Bauteil weist ein Teil oder die Gesamtheit der vorbestimmten Anzahl von Terminals Leitfähigkeit auf in einer Anwendungsfrequenzbandbreite von weniger als einigen Zig MHz und umfaßt einen Hochfrequenzstromsuppressor zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch die Terminals selbst in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz strömt.
Es ist jeweils bevorzugt, daß bei diesem elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung der Hochfrequenzstromsuppressor mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet ist, bzw. daß der Hochfrequenzstromsuppressor mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens gebildet ist.
In einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung liegt der Hochfrequenzstromsuppressor in bezug auf die Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 (μm) und stellt eine magnetische Dünnfilmsubstanz dar.
Es ist andererseits bevorzugt, daß in einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung in einem Gegenstand der Erfindung der Hochfrequenzstromsuppressor ein Material magnetischen Verlusts eines M-X-Y-Systems ist, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet und welches ein Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite bildet, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Es ist jeweils bevorzugt, daß bei diesem elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung eine Sättigungsmagnetisierung des Materials magnetischen Verlusts in einem Bereich von 80 bis 60 (%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfaßt, bzw. daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite auch einen Direktstromwiderstand im Bereich von 100 bis 700 (μΩ·cm) aufweist.
Es ist darüber hinaus bevorzugt, daß in einem der obigen elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung der Hochfrequenzstromsuppressor ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System ist, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungsele mente M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen Elementen unterscheidet, und welches ein Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite bildet, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß die relative Bandbreite bwr nicht kleiner als 150% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Es ist jeweils bevorzugt, daß bei diesem elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung eine Sättigungsmagnetisierung des materialmagnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite in einem Bereich von 60 bis 35 (%) von derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfaßt, bzw. daß das Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite einen Direktstromwiderstand von mehr als 500 (μΩ·cm) aufweist.
Bei einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung weist darüber hinaus das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das oben erwähnte Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite das Zusammensetzungselement X auf, welches mindestens eines von C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und Seltenerd-Elementen ist, bzw. daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das obige Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite das Zusammensetzungselement M aufweist, das in der Form einer in ei ner Matrix einer Verbindung des Zusammensetzungselements X und des Zusammensetzungselements Y verteilten Körnung vorkommt. Beim letztgenannten elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung ist es weiter bevorzugt, daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das obige Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite einen Durchschnittsdurchmesser eines Kornteilchens in einem Bereich von 1 bis 40 (nm) aufweist.
Bei einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bei einem Gegenstand der Erfindung ist es bevorzugt, daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite ein anisotropes Magnetfeld von 47.400 A/m oder weniger aufweist.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, daß bei einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung das M-X-Y-System ein Fe-Al-O-System ist, oder das M-X-Y-System ein Fe-Si-O-System ist.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, daß bei einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung das elektronische Bauteil eine aktive Halbleitervorrichtung ist, die bei einer hohen Geschwindigkeit im Gebrauch in einem Hochfrequenzband betrieben wird, und eine Vorrichtung unter einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung und einer logischen Schaltungsvorrichtung ist.
Gemäß einem anderen Gegenstand der Erfindung wird ein Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil bereitgestellt, der einen Leiter zum Verbinden elektronischer Bauteile oder vorbestimmten Stellen aufweist. Bei dem Bondierdraht ist ein Hochfrequenzstromsuppressor zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch den obigen Leiter selbst in einer Bandbreite von einigen Zig MHz und einigen GHz strömt, auf mindestens einem Teil einer Oberfläche des Leiters gebildet.
Bei diesem Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil ist es bevorzugt, daß der Hochfrequenzstromsuppressor so angeordnet ist, daß mindestens ein Verbindungsabschnitt bei beiden Enden des Leiters exponiert wird. Ferner ist es bei diesem Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil bevorzugt, daß der Hochfrequenzstromsuppressor in Form eines Gitters und ebenso auf eine Weise derart gebildet ist, daß ein Verbindungsabschnitt bei beiden Enden des Leiters exponiert wird, oder daß der Hochfrequenzstromsuppressor in Form einer Spirale und ebenso auf eine Weise derart gebildet ist, daß ein Verbindungsabschnitt an beiden Enden des Leiters exponiert wird.
In einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil beim Gegenstand der Erfindung ist es bevorzugt, daß der Hochfrequenzstromsuppressor auf einer Oberfläche des Leiters mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet ist, oder daß der Hochfrequenzstromsuppressor auf einer Oberfläche des Leiters mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens gebildet ist.
Bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil bei dem Gegenstand der Erfindung ist es bevorzugt, daß der Hochfrequenz stromsuppressor auf einer Oberfläche des Leiters gebildet ist vor einem Herstellungsverfahren zum Herstellen des Leiters.
Darüber hinaus ist es bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil beim Gegenstand der Erfindung bevorzugt, daß das elektronische Bauteil einen einzubauenden, unbestückten bzw. blanken Chip aufweist, der eine vorbestimmte Anzahl von inneren Verbindungsterminals, die in einem Hauptkörper zum Verarbeiten eines Signals vorgesehen sind, umfaßt, und ferner zum jeweiligen Verbinden der vorbestimmten Anzahl von inneren Verbindungsterminals mit einer vorbestimmten Anzahl von äußeren Verbindungsterminals vorgesehen ist, die getrennt im Hauptkörper zum Übertragen eines Signals vorgesehen sind.
Bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil liegt der Hochfrequenzstromsuppressor hinsichtlich der Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 (μm) und ist eine magnetische Dünnfilmsubstanz.
Bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil in einer anderen Ausführungsform gemäß der Erfindung ist es andererseits bevorzugt, daß der Hochfrequenzstromsuppressor ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System ist, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens eines von Elementen bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet, und welches ein Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite bildet, derart, daß der Maximalwerrt μ''_max des Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscha rakteristik auftritt, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Bei diesem Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil ist es jeweils bevorzugt, daß eine Sättigungsmagnetisierung des Materials magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite im Bereich von 80 bis 60 (%) derjenigen einer magnetischen metallischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfaßt, bzw. das ferner das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite einen Direktstromwiderstand im Bereich von 100 bis 700 (μΩ·cm) aufweist.
Bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil beim Gegenstand der Erfindung ist es andererseits bevorzugt, daß der Hochfrequenzstromsuppressor ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System ist, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens eines der Elemente bezeichnet, die sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheiden, und das aus einem Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite gebildet ist, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz in der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß die relative Bandbreite bwr nicht kleiner ist als 150%, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Bei diesem Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil ist es jeweils bevorzugt, daß eine Sättigungsmagnetisierung des materialmagnetischen Verlusts breiter Bandbreite in einem Bereich von 60 bis 35 (%) derjenigen einer magnetischen metallischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfaßt, und daß ferner das Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite einen Direktstromwiderstand von mehr als 500 (μΩ·cm) aufweist.
Ferner weist bei einem dieser Bondierdrähte vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil bei einem Gegenstand der Erfindung das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das obige Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite das Zusammensetzungselement X auf, welches mindestens eines aus C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und eines der Selten-Erdelemente ist, oder daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das obige Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite das Zusammensetzungselement M aufweist, welches in der Form einer Körnung auftritt, die in einer Matrix einer Verbindung des Zusammensetzungselements X und des Zusammensetzungselements Y verteilt ist. Bei dem letztgenannten elektronischen Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung ist es weiter bevorzugt, daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser eines Teilchens, der in der Form einer Körnung auftritt, im Bereich von 1 bis 40 (nm) aufweist.
Bei einem dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung ist es bevorzugt, daß das Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite oder das obige Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite ein anisotropes Magnetfeld von 47.400 A/m oder weniger aufweist.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, daß einer dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung bei dem Gegenstand der Erfindung das M-X-Y-System ein Fe-Al-O-System ist, oder das M-X-Y-System ein Fe-Si-O-System ist.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, daß einer dieser elektronischen Bauteile vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung beim Gegenstand der Erfindung das elektronische Bauteil eine aktive Halbleitervorrichtung ist, die bei einer hohen Geschwindigkeit im Gebrauch bei einem Hochfrequenzband betrieben wird, und eine Vorrichtung aus einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung und einer logischen Schaltungsvorrichtung ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1A ist eine perspektivische Ansicht einer Grundstruktur einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, die auf einer Schaltungs-Leiterplatte in einer Ausführungsform eines elektronischen Bauteils vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß der Erfindung montiert ist;
1B ist eine Seitenansicht eines teilweise vergrößerten Abschnitts eines notwendigen Teils einer in 1A gezeigten integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung;
2A ist eine teilweise vergrößerte Schnittansicht eines notwendigen Teils einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, die auf einer Schaltungs-Leiterplatte in einer anderen Ausführungsform eines elektronischen Bauteils vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß der Erfindung montiert ist, bei dem ein für die integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung vorgesehener Hochfrequenzstromsuppressor bezüglich der Form verändert wurde;
2B zeigt die in 2A gezeigte integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung, bei der das Terminal selbst hinsichtlich der Form verändert wurde;
3A ist eine perspektivische Ansicht einer Grundstruktur einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, die auf einer Schaltungs-Leiterplatte in einer anderen Ausführungsform eines elektronischen Bauteils vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß der Erfindung montiert ist;
3B ist eine Seitenansicht eines teilweise vergrößerten Abschnitts eines in 3A gezeigten rotwendigen Teils;
4A ist eine perspektivische Ansicht eines Innenteils einer Grundstruktur einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, die einen Bondierdraht vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung einschließt und auf einer Schaltungs-Leiterplatte in der vierten Ausführungsform gemäß der Erfindung montiert ist.
4B ist eine Seitenansicht eines teilweise vergrößerten Abschnitts eines in 4A gezeigten notwendigen Teils;
5 zeigt eine andere Form eines in 4 gezeigten Bondierdrahts vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung, teilweise weggebrochen;
6 ist eine perspektivische Ansicht einer anderen Form eines in 4 gezeigten Bondierdrahts vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung, teilweise weggebrochen;
7 ist eine vereinfachte Grafik einer Grundstruktur einer körnigen magnetischen Substanz, die ein für einen in den 4 bis 6 gezeigten Bondierdraht verwendetes Hochfrequenzstromsuppressor-Material darstellt;
8A zeigt ein Proben-Hersteller vom Typ der Anwendung eines Sputter-Verfahrens, das eine Grundstruktur eines Geräts aufweist, welches zur Herstellung einer Probe einer in bezug auf 7 beschriebenen, körnigen magnetischen Substanz verwendet wurde;
8B zeigt ein Proben-Hersteller vom Typ der Anwendung eines Vakuumverdampfungsverfahrens;
9 zeigt die Charakteristik des Terms des magnetischen Verlusts (komplexe Permeabilität) einer Probe 1 für eine Frequenz, wobei die Probe 1 mittels des in 8A gezeigten Probenherstellers vom Typ der Anwendung eines Sputter-Verfahrens hergestellt wurde;
10 zeigt die Charakteristik des Terms des magnetischen Verlusts (komplexe Permeabilität) einer Probe 2 für eine Frequenz, wobei die Probe 2 mittels des in 8A gezeigten Probenherstellers vom Typ der Anwendung eines Sputter-Verfahrens hergestellt wurde;
11 zeigt die Charakteristik des Ausdrucks des magnetischen Verlusts (komplexe Permeabilität) einer Probe 3 (erste Vergleichsprobe) für eine Frequenz, wobei die Probe 3 mittels des in 8A gezeigten Probenherstellers vom Typ der Anwendung eines Sputter-Verfahrens hergestellt wurde;
12 ist eine perspektivische Ansicht einer Grundstruktur einer Apparatur zur Messung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung zur Messung einer Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung von jeder Probe, die mittels des in 8A gezeigten Probenherstellers vom Typ der Anwendung eines Sputter-Verfahrens und mittels des in 8B gezeigten Probenherstellers vom Typ eines Vakuumverdampfungsverfahrens hergestellt wurde;
13A zeigt die Transmissionscharakteristik der Probe 1 für eine Frequenz, was ein Ergebnis darstellt der Messung der Hochfrequenzstromsuppressorwirkung einer magnetischen Substanzprobe mittels eines in 12 gezeigten Apparats zur Messung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung;
13B zeigt die Transmissionscharakteristik für eine Frequenz, was ein Ergebnis der Messung der Hochfrequenzstromsuppressorwirkung eines herkömmlichen Vergleichsbeispiels, d. h. einer Lage einer magnetischen Kompositsubstanz, darstellt;
14 ist ein vereinfachtes Diagramm, das die Transmissionscharakteristik in Form einer Ersatzschaltung einer magnetischen Substanz zeigt, die die in 13A gezeigte Probe 1 und die in 13B gezeigte Vergleichsprobe einschließt;
15A zeigt die Widerstandscharakteristik der Probe 1 für eine berechnete Frequenz gemäß einem Widerstand, der in Reihe einer Induktivität der in 14 gezeigten Ersatzschaltung bei der in 13 gezeigten Transmissionscharakteristik hinzugefügt wurde; und
15B zeigt die Widerstandscharakteristik der Vergleichsprobe, d. h. der Lage der magnetischen Kompositsubstanz des Stands der Technik.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ein elektronisches Bauteil vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung der Erfindung wird nun im Detail mit Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
Bei den 1A und 1B wird eine integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 der ersten Ausführungsform der Erfin dung in einem Hochfrequenzband verwendet, um bei einer hohen Geschwindigkeit betrieben zu werden. Eine vorbestimmte Anzahl von Terminals 19, die zur Verarbeitung eines Signals bereitgestellt sind, werden jeweils mit einem Hochfrequenzstromsuppressor 21 zum Dämpfen eines durch die Terminals selbst strömenden Hochfrequenzstroms in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz versehen. Dieser Hochfrequenzstromsuppressor 21 ist eine magnetische Dünnfilmsubstanz, die bezüglich der Dicke einen Bereich von 0,3 bis 20 (μm) aufweist, und wird auf der gesamten Oberfläche von jedem Terminal 19 bereitgestellt, wobei ein auf eine Schaltungs-Leiterplatte 23 zu montierender Montierabschnitt zum Montieren der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 sowie ein Rand, der einen Verbindungsabschnitt mit einem auf der Schaltungs-Leiterplatte 23 angeordneten Leitungsmuster 25 einschließt, bedeckt sind. Wenn das obere Ende von jedem Terminal 19 mit dem Leitungsmuster 25, das auf einer der Montieroberfläche der Schaltungs-Leiterplatte 23 gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet ist, durch ein Lötmittel 6 beim Montieren der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 mit der Schaltungs-Leiterplatte 23 verbunden wird, besitzt die Umgebung des Montierabschnitts eine Leitfähigkeit in einem Anwendungsfrequenzband, das bei weniger als einigen Zig MHz liegt.
Eine solche integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 ist so angeordnet, daß sie auf einer Oberfläche von jedem Terminal 19 mit dem Hochfrequenzstromsuppressor 21 bereitgestellt ist, wobei sie eine Leitfähigkeit in einem Anwendungsfrequenzband von weniger als einigen Zig MHz aufweist und einen Hochfrequenzstrom dämpft, der durch jedes Terminal 19 in der Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz strömt. Selbst im Fall der Verwendung der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 bei einer hohen Frequenz in der Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz dämpft somit der Hochfrequenzsuppressor 21 ausreichend den durch jedes Terminal 19 strömenden Hochfrequenzstrom, so daß das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert werden kann und ihr schlechter Einfluß gelöscht werden kann.
Die Form des auf der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19 bereitgestellten Hochfrequenzstromsuppressors 21 sowie diejenige der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19 selbst in der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17 können verändert werden, so daß eine unterschiedliche Anordnung erreicht wird, wie z. B. die in den 2A und 2B gezeigten anderen Ausführungsformen der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17'.
Das heißt, eine Grundstruktur der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 bei 2A ist dieselbe wie die der ersten Ausführungsform, während im Vergleich zu der ersten Ausführungsform ein Unterschied darin besteht, daß der auf den jeweiligen Oberflächen der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19' vorgesehene Hochfrequenzstromsuppressor 21' an einer Stelle angeordnet ist mit Ausnahme des Montierabschnitts, der auf die Schaltungs-Leiterplatte 23 montiert werden soll, und des Rands, der einen Verbindungsabschnitt zu dem auf der Schaltungs-Leiterplatte 23 anzuordnenden Leitungsmuster 25 einschließt, sowie darin, daß ein exponierter Terminalabschnitt 19a, der aufgrund der obigen Anordnung exponiert ist, so angeordnet ist, daß er mit dem Leitungsmuster 25, der auf einer gegenüber dem Montierabschnitt der Schaltungs-Leiterplatte 23 gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet ist, durch ein Lötmittel 27 verbunden ist.
Bei 2B unterscheiden sich die integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17' von derjenigen der ersten Ausführungsform und derjenigen von 2A darin, daß eine vorbestimmte Anzahl von Terminals 19'' mit dem Leitungsmuster 25 verbunden ist, das auf der Seite der Montieroberfläche der Schaltungs-Leiterplatte 23 angeordnet ist. In Bezug auf Strukturunterschiede ist ein auf jeweiligen Oberflächen der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19'' bereitgestellter Hochfrequenzstromsuppressor 21'' wie im Fall der in 2A gezeigten, vorbestimmten Anzahl von Terminals 19' an einer Stelle angeordnet, die sich von einem Montierabschnitt, der auf die Schaltungs-Leiterplatte 23 montiert werden soll, und einem Rand, der einen Verbindungsabschnitt zu dem auf der Schaltungs-Leiterplatte 23 angeordneten Leitermuster 25 einschließt, unterscheidet, und daß ein exponierter Terminalabschnitt 19a, der aufgrund der obigen Anordnung exponiert ist, so angeordnet ist, daß er mit dem Leitungsmuster 25, das auf der Seite der Montieroberfläche der Schaltungs-Leiterplatte 23 angeordnet ist, durch ein Lötmittel 27 verbunden ist.
Solche integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17' sind ebenfalls so angeordnet, daß sie auf den Oberflächen der jeweiligen Terminals 19' und 19'' mit den Hochfrequenzstromsuppressoren 21' und 21'' versehen sind, die die Leitfähigkeit in einem Anwendungsfrequenzband von weniger als einigen Zig MHz aufweisen und die einen Hochfrequenzstrom dämpfen, der durch die jeweiligen Terminals 19' und 19'' in der Bandbreite von einzigen Zig MHz bis zu einigen GHz strömt. Selbst im Fall der Verwendung der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17' bei einer hohen Frequenz in der Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz dämpfen somit die Hochfrequenzstromsupressoren 21' und 21'' ausreichend den Hochfrequenzstrom, der durch die jeweiligen Terminals 19' und 19'' strömt, so daß das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert werden kann und ihr schlechter Einfluß gelöscht werden kann.
Die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' besitzen jedenfalls eine Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 (μm) und sind in Form eines Körpers auf den Terminals 19, 19' und 19'' mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Dampfabscheidungsverfahrens als eine magnetische Dünnfilm-Substanz gebildet, die eine Leitfähigkeit vollständig im Anwendungsfrequenzband von weniger als einigen Zig MHz aufweist.
Zum Bilden der Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' auf einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19, 19' und 19'' können die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' in einem Herstellungsverfahren der vorbestimmten Anzahl von Terminals 19, 19' und 19'' zuvor auf einer Mutterplatte metallischen Materials gebildet werden, bevor die Mutterplatte metallischen Materials herausgeschnitten wird; die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' können andererseits zu einem Film geformt werden auf einer Oberfläche dessen, was als vorbestimmte Anzahl von Terminals 19, 19' und 19'' gebildet ist, nachdem die Mutterplatte metallischen Materials herausgeschnitten wurde. Der in 2A gezeigten Hochfrequenzstromsuppressor 21' und der in 2B gezeigte Hochfrequenzstromsuppressor 21'' können durch ein Sputter-Verfahren oder ein Dampfabscheidungsverfahren gebildet werden, indem der Montierabschnitt und der Verbindungsabschnitt zwischen einem Hauptkörper der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17' und den Terminals 19' und 19'' als eine Maske verwendet wird, nachdem die integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17' auf der Schaltungs-Leiterplatte 23 montiert wurden. Die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' können jedenfalls auf einem Teil der Oberfläche der Terminals 19, 19' und 19'', also nicht nur auf der gesamten Oberfläche der Terminals 19, 19' und 19'' gebildet werden, und es ist möglich, ein chemisches Dampfabscheidungs(CVD)-Verfahren, ein Ionenstrahlabscheidungsverfahren, ein Gasabscheidungsverfahren und ein Übertragungsverfahren anzuwenden, im Unterschied zu den oben erwähnten Sputter-Verfahren und Dampfabscheidungsverfahren.
Eines der als die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' anwendbaren Materialien besteht in einem Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines von Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines von F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet, und das aus einem Material magnetischen Verlusts mit enger Bandbreite gebildet ist, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' (auch als magnetischer Verlustterm bezeichent) in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon. Das Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite sollte jedoch in diesem Fall einen Bereich einer Sättigungsmagnetisierung von 80 bis 60(%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz aufweisen, die die Komponente M alleine umfaßt, und einen Direktstromwiderstand in einem Bereich von 100 bis 700 (μΩ·cm) besitzen.
Ein als die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' anwendbares anderes Material ist ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System, das aus einer Verbindung von Zusammensetzungselementen M, Y und X gebildet ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet, und aus einem Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite gebildet ist, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht kleiner ist als 150%, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert von μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon. Das Material magnetischen Verlusts mit breiter Bandbreite sollte in diesem Fall jedoch einen Bereich einer Sättigungsmagnetisierung von 60 bis 35(%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz aufweisen, die eine Komponente M alleine umfaßt, und einen Direktstromwiderstand von mehr als 500 μΩ·cm besitzen.
Das Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder das Material magnetischen Verlusts breiter Bandbreite, die als Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'' angewandt werden, weisen ferner die Komponente X auf, die mindestens eines aus C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta oder Selten-Erdelementen ist, und wobei die Komponente M in Form einer Körnung, die in einer Matrix der Verbindung der Komponente X und der Komponente Y verteilt ist, auftritt, ein durchschnittlicher Teilchendurchmesser eines Teilchens, das in der Form der Körnung auftritt, in einem Bereich von 1 bis 40 (nm) vor liegt, und ein anisotropes Magnetfeld 47.400 A/m oder weniger ist. Für den Fall einer konkreten Begrenzung des M-X-Y-Systems des Materials magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder des Materials magnetischen Verlusts breiter Bandbreite ist es bevorzugt, dieses auf ein Fe-Al-O-System oder ein Fe-Si-O-System zu begrenzen.
Bei den 3A und 3B unterscheidet sich eine Struktur der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17'' in der dritten Ausführungsform gemäß der Erfindung von derjenigen der oben beschriebenen ersten und zweiten Ausführungsformen darin, daß die vorbestimmte Anzahl von Terminals selbst zu einem Hochfrequenzstromsuppressor 29 gebildet sind, in Form einer breiten Lage, die aus einem Hochfrequenzstromsuppressor gefertigt ist, um einen Zuleitungsrahmen zu bilden.
Ein Hochfrequenzstromsuppressor 7, hier in der Form der breiten Lage, ist ebenfalls eine magnetische Dünnfilm-Substanz, die aus dem Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder dem Material magnetischen Verlusts breiter Bandbreite mit einer Zusammensetzung ähnlich zu derjenigen der oben beschriebenen Hochfrequenzsuppressoren 21, 21''' gefertigt ist, und das M-X-Y-System des Materials magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder des Materials magnetischen Verlusts breiter Bandbreite ist ein Fe-Al-O-System oder ein Fe-Si-O-System.
Im Fall der Verwendung dieser integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17'' bei einer hohen Frequenz in der Bandbreite von einzigen Zig MHz bis zu einigen GHz dämpft folglich wie in der ersten und den anderen Ausführungsformen der Hochfrequenzstromsuppressor 29 in Form der breiten Lage ausreichend den Hochfrequenzstrom, der durch den Suppressor selbst strömt, so daß das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert werden kann und ihr schlechter Einfluß gelöscht werden kann. Es ist auch möglich, die Anordnung der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 17'' hier so zu verändern, daß das obere Ende des Hochfrequenzstromsuppressors 29 in Form der breiten Lage mit dem Leitungsmuster 25, der auf der Seite der Montieroberfläche der Schaltungs-Leiterplatte 23 angeordnet ist, durch ein Lötmittel 27 verbunden ist.
In jeder der obigen Ausführungsformen wird beschrieben, daß die integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17, 17' und 17'' als ein elektronisches Bauteil verwendet werden. Es ist jedoch wirksam, anstelle der obigen integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17, 17' und 17'' eine aktive Halbleitervorrichtung anzuwenden, einschließlich einer logischen Schaltungsvorrichtung, die durch eine hochintegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (LSI), einem Mikroprozessor (MPU), einer zentralen Prozessiereinheit (CPU), einer logischen Rechner-Bildprozessoreinheit (IPALU) oder dergleichen repräsentiert wird. Um Unterschied dazu kann im Fall eines elektronischen Bauteils mit einem Terminal, das als ein auf eine Schaltungs-Leiterplatte 23 montierter Zufuhrrahmen zu verwenden ist, eine Wirkung der Unterdrückung eines Hochfrequenzstroms und der Verhinderung des Auftretens einer elektromagnetischen Interferenz erzielt werden, wenn ein Hochfrequenzstromsuppressor auf einem Terminal des Bauteils angeordnet ist, oder wenn die Anordnung so ist, daß das Terminal selbst in Form einer breiten Lage zu einem Hochfrequenzstromsuppressor 29 gebildet ist.
Jedenfalls wird eine magnetische Dünnfilm-Substanz mit einem geringen Volumen, die ein Material magnetischen Verlusts mit einem großen Imaginärteil μ'' (nachfolgend als "magnetischer Verlustterm" bezeichnet) bei der komplexen Permeabilitätscha rakteristik darstellt und die eine wirksame Gegenmaßnahme gegen eine unerwünschte Strahlung ermöglicht, für die Hochfrequenzstromsuppressoren 21, 21' und 21'', die auf jeweiligen Terminals 19, 19' und 19'' bei den integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 17 und 17' in der in den ersten bis dritten Ausführungsformen beschriebenen Form, oder für den Hochfrequenzstromsuppressor 29 in Form einer Lage, die stattdessen ein Terminal selbst nutzt und die in einer weiteren Ausführungsform beschrieben wurde, verwendet.
Als nächstes wird ein Bondierdraht vom Typ eines Hochfrequenzstromsuppressors für ein elektronisches Bauteil gemäß der Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
Bei den 4A und 4B wird eine integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 in der vierten Ausführungsform gemäß der Erfindung in einem Hochfrequenzband zum Betreiben bei einer hohen Geschwindigkeit verwendet und weist einen eingebauten, unbestückten bzw. blanken Chip 31a auf, der eine vorbestimmte Anzahl (hier 6 Stück) eines inneren Verbindungsterminals 33' aufweist, das zur Prozessierung eines Signals auf einem Hauptkörper bereitgestellt ist. Die integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 ist mit einem Formgebungsmaterial so geformt, daß ein unbestückter Chip 31a, ein Bondierdraht 35 und ein Teil von jedem Terminal 33 durch ein Formkörper bedeckt sind, nachdem beide Enden von jedem Bondierdraht 35 vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung durch ein Lötmittel 37 zwischen einem inneren Verbindungsterminal 33' und jedem der vorbestimmten Zahl (hier wieder 6 Stück) von äußeren Verbindungsterminals 33 verbunden und befestigt wurden. Bei der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 wird das obere Ende von jedem äußeren Verbindungsterminal 33 beim Mon tieren der Schaltungs-Druckplatte 39 durch ein Lötmittel 37 mit einem auf der Schaltungs-Druckplatte 39 angeordneten Leitungsmuster 41 verbunden.
Der Bondierdraht 35 ist hier als Hochfrequenzstromunterdrükkungs-Typ ausgestaltet, indem auf einer Oberfläche eines Leiters 43 ein Hochfrequenzstromsuppressor 45 zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms angeordnet wird, der in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz durch den Leiter 43 selbst strömt. Der Hochfrequenzstromsuppressor 45 selbst weist eine Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 (μm) auf, ist aus einer magnetischen Dünnfilm-Substanz gefertigt, deren ganzer Teil eine Leitfähigkeit in einem Anwendungsfrequenzband von weniger als einigen Zig MHz aufweist, und die mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Dampfabscheidungsverfahrens auf dem Leiter 43 zu einem Körper gebildet ist. Zum Bilden des Hochfrequenzstromsuppressors 45 auf einer Oberfläche des Leiters 43 kann der Hochfrequenzstromsuppressor 45 auf einer Oberfläche eines Drahtkerns niedrigen Widerstands 8 gebildet werden, der in einem Verfahren zur Herstellung des Leiters 43 hergestellt wurde, mit Ausnahme eines Verbindungsabschnitts an beiden Enden des Leiters 43. Das heißt, beide Enden des Leiters 43 beim Bondierdraht 35 werden nach dem Bilden des Hochfrequenzstromsuppressors 45 exponiert und bilden Verbindungsabschnitte, die zur Verbindung, etwa durch das Punktlöten, bereitstehen.
Eine solche integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 wird so angeordnet, daß der Bondierdraht 35, der selbst jeweils das jeweilige innere Verbindungsterminal 33' des unbestückten Chips 31a und das jeweilige äußere Verbindungsterminal 33, das getrennt auf einem Hauptkörper angeordnet ist, auf einem Leiter 43 mit dem Hochfrequenzstromsuppressor 45 zum Dämpfen eines durch den Leiter 43 selbst strömenden Hochfre quenzstroms in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz vorgesehen ist. Deshalb dämpft der Hochfrequenzstromsuppressor 45 den Hochfrequenzstrom ausreichend, der durch jedes äußere Verbindungsterminal 33 strömt, wenn der Hochfrequenzstrom bei der Verwendung der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz übertragen wird, so daß die Übertragung des Hochfrequenzstroms zu jedem inneren Verbindungsterminal 33' des unbestückten Chips 31a verhindert werden kann. Als einem Ergebnis kann das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert werden und ihr schlechter Einfluß (wie ein Fehlbetrieb der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31) kann gelöscht werden.
Bei der oben beschriebenen Struktur ist der Bondierdraht 35 des Hochfrequenzstromunterdrückungstyps mit dem Hochfrequenzstromsuppressor 45 in jedem Fall auf der gesamten Oberfläche des Leiters 43 mit Ausnahme der Verbindungsabschnitte an den beiden Enden vorgesehen. Es ist jedoch möglich, den Bondierdraht in unterschiedlichen Formen bereitzustellen, indem seine Anordnung verändert wird unter Anordnung des Hochfrequenzstromsuppressors 45 so, daß irgendeine lokale Stelle des Leiters 43 exponiert wird. Wenn z. B. der Hochfrequenzstromsuppressor 45 so angeordnet ist, daß der Leiter 43 in einem Kreis bei einem vorbestimmten Intervall in einer Längsrichtung des Leiters 43 exponiert wird, würde der Hochfrequenzstromsuppressor 45 selbst in Form von mehreren Knoten vorliegen, die durch das vorbestimmte Intervall getrennt sind.
Es ist auch möglich, einen Bondierdraht wie dem in 5 gezeigten Bondierdraht 35' in einer anderen Form in eine Gittergestalt des Hochfrequenzstromsuppressors 45', oder wie dem in 6 gezeigten Bondierdraht 35'' in einer anderen Form in ei ne Spiralgestalt des Hochfrequenzstromsuppressors 45'' zu bringen. Um den Leiter 43 wie bei den Bondierdrähten 35' und 35'' zu exponieren, können in jedem Fall die Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' zu einem Film gebildet werden durch Verwendung der Gestalt des Abschnitts, der exponiert wird, als eine Maske mittels einem Sputter-Verfahren oder einem Dampfabscheidungsverfahren, bevor der Maskenabschnitt mittels Ätzen beseitigt wird. Folglich kann die Wirkung der Dämpfung eines Hochfrequenzstroms und des Verhinderns des Auftretens von Hochfrequenzrauschen wie auch in jedem der oben beschriebenen Ausführungsformen erzielt werden. Im Unterschied zu den oben erwähnten Sputter-Verfahren und Dampfabscheidungsverfahren kann zum Bilden der Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' ein chemisches Dampfabscheidungs(CVD)-Verfahren, ein Ionenstrahlabscheidungsverfahren, ein Gasabscheidungsverfahren und ein Übertragungsverfahren angewandt werden.
Eines von Materialien, die als den Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' verwendbar sind, ist ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gefertigt ist, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens eines von Elementen bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet, und das aus einem Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite gefertigt ist, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' (auch als magnetischer Verlustterm bezeichnet) in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz bei der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß die relative Bandbreite bwr nicht größer ist als 200%, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon. Das Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite sollte jedoch in diesem Fall eine Sättigungsmagnetisierung im Bereich von 80 bis 60(%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz, die eine Komponente M alleine umfaßt, aufweisen und bezüglich des Direktstromwiderstands einen Bereich von 100 bis 700 (μΩ·cm) aufweisen.
Ein anderes, als Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' anwendbares Material ist ein Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System, das aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M (wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet), Y (wobei Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet) und X (wobei X mindestens eines von Elementen ist, das sich von den in M und Y eingeschlossenen unterscheidet) gefertigt ist und aus einem Material magnetischen Verlusts breiter Bandbreite gebildet ist, derart, daß der Maximalwert μ''_max eines Imaginärteils μ'' in einem Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz bei der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht kleiner ist als 150%, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon. Das Material magnetischen Verlusts breiter Bandbreite sollte jedoch in diesem Fall eine Sättigungsmagnetisierung von 60 bis 35(%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz, die eine Komponente M alleine umfaßt, aufweisen, und in Bezug auf den Direktstromwiderstand mehr als 500 μΩ·cm haben.
Das Material magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder das Material magnetischen Verlusts breiter Bandbreite, die als Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' angewandt werden, weisen die Komponente X auf, die mindestens aus einem von C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta oder Selten-Erdelementen ist, und die Komponente M, die in Form einer Körnung vorliegt, die in einer Matrix der Verbindung der Komponente X und der Komponente Y verteilt ist, wobei ein durchschnittlicher Teilchendurchmesser eines Teilchens, der in der Körnungsform vorliegt, in einem Bereich von 1 bis 40 (nm) liegt, und ein anisotropes Magnetfeld 47.400 A/m oder weniger beträgt. Im Fall des konkreten Begrenzens des M-X-Y-Systems des Materials magnetischen Verlusts enger Bandbreite oder des Materials magnetischen Verlusts breiter Bandbreite ist es bevorzugt, daß es ein Fe-Al-O-System oder ein Fe-Si-O-System ist.
In jeder der obigen Ausführungsformen wird beschrieben, daß die integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen (ICs) 31 und 31' als einem elektronischen Bauteil verwendet werden. Es ist jedoch wirksam, anstelle der obigen integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 31 und 31' eine aktive Halbleitervorrichtung anzuwenden, einschließlich einer logischen Schaltungsvorrichtung, die durch eine hochintegrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (LSI), einem Mikroprozessor (MPU), einer zentralen Prozessiereinheit (CPU), einer logischen Bildprozessor-Rechnereinheit (IPALU) und dergleichen repräsentiert wird. Andererseits kann im Fall eines elektronischen Bauteils mit einem Terminal, das als auf einer Schaltungs-Leiterplatte 39 montierten Zuleitungsrahmen zu verwenden ist, und im Fall eines elektronischen Bauteils, das zum Verwenden der Bondierdrähte 35, 35' und 35'' eines Hochfrequenzstromunterdrückungstyps zu verwenden ist, eine Wirkung der Unterdrückung eines Hochfrequenzstroms und des Löschens eines Hochfrequenzrauschens durch Verwendung eines solchen elektronischen Bauteils erreicht werden.
Bei den oben beschriebenen Formen der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtungen 31, 31' wird jedenfalls eine magnetische Dünnfilm-Substanz mit einem kleinen Volumen, die ein Material magnetischen Verlusts mit einem großen Imaginärteil μ'' (nachfolgend als "magnetischer Verlustterm" bezeichnet) bei der komplexen Permeabilitätscharakteristik darstellt und die eine wirksame Gegenmaßnahme gegen eine unerwünschte Strahlung ermöglicht, für den Hochfrequenzstromsuppressor 45 verwendet, der auf dem Bondierdraht 35 angeordnet ist, der das jeweilige vorbestimmte Terminal 33 und eine vorbestimmte Stelle des Leitungsmusters auf einem Hauptkörper der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31 oder der Schaltungs-Leiterplatte 39 verbindet, oder für die auf den Bondierdrähten 35' und 35'' angeordneten Hochfrequenzstromsuppressoren 45' und 45'' verwendet.
Nun wird ein technischer Hintergrund der Forschung und Entwicklung des bei der Erfindung verwendeten Materials magnetischen Verlusts beschrieben.
Die Erfinder haben vor der Anwendung der Erfindung seit jeher eine magnetische Kompositsubstanz vorgeschlagen, deren magnetischer Verlust in einem Hochfrequenzband groß ist, und sie haben einen Weg des wirksamen Unterdrückens von unerwünschter Strahlung, die durch ein durch eine aktive Halbleitervorrichtung repräsentiertes elektronisches Bauteil verursacht wird, gefunden, indem die obige magnetische Kompositsubstanz in der Nähe der Quelle der unerwünschten Strahlung angebracht wird.
Aus einer kürzlichen Studie ist bekannt, daß der oben beschriebene Betrieb des Dämpfens der unerwünschten Strahlung, bei dem ein magnetischer Verlust der magnetischen Substanz ge nutzt wird, erzielt wird durch Einbringen eines Ersatzwiderstand-Bauteils in die elektronische Schaltung eines elektronischen Bauteils, das die Quelle der unerwünschten Strahlung ist. Die Größe des Ersatzwiderstand-Bauteils hängt von der Größe des magnetischen Verlustterms μ'' der magnetischen Substanz ab. Speziell ist die Größe des Widerstandbauteils, das ersatzweise in eine elektronische Schaltung eingebracht wird, im allgemeinen proportional zum magnetischen Verlustterm μ'' sowie der Dicke der magnetischen Substanz, wenn die Fläche der magnetischen Substanz festgelegt ist. Deshalb ist ein größerer magnetischer Verlustterm μ'' erforderlich, um eine erwünschte Dämpfung der unerwünschten Strahlung in einer kleineren oder dünneren magnetischen Substanz zu erzielen. Zum Beispiel war es erforderlich, daß der magnetische Verlustterm μ'' einen extrem großen Wert hat, um Maßnahmen gegen die unerwünschte Strahlung mittels einer Substanz magnetischen Verlusts in einer winzigen Fläche wie einem inneren Teil einer Formung einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung zu unternehmen, so daß die erforderliche magnetische Substanz im Vergleich zu dem herkömmlichen Material magnetischen Verlusts einen extrem großen magnetischen Verlustterm μ'' haben sollte.
Die Erfinder konzentrierten sich auf die ausgezeichneten Permeabilitätscharakteristiken einer körnigen magnetischen Substanz, die durch winzige magnetische metallische Teilchen, die gleichmäßig in einer nichtmagnetischen Substanz wie einer Keramik verteilt sind, gebildet ist, im Zuge einer Studie zum Bilden eines Films der weichmagnetischen Substanz durch ein Sputter-Verfahren oder ein Dampfabscheidungsverfahren. Als einem Ergebnis einer Studie bezüglich der Feinstruktur der magnetischen metallischen Teilchen und der das Teilchen einschließenden nichtmagnetischen Substanz fanden sie, daß große magnetische Verlusteigenschaften erhalten werden konnten in einem Hochfrequenzband, wenn die Konzentration der magnetischen metallischen Teilchen in der körnigen magnetischen Substanz in einem speziellen Bereich auftritt.
Bei 7 wird auf einfache Weise eine Grundstruktur einer körnigen magnetischen Substanz im M-X-Y-System gezeigt. Seit jeher gab es viele Untersuchungen bezüglich der körnigen magnetischen Substanz mit einer Zusammensetzung eines M-X-Y-Systems (wobei die Komponente M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, die Komponente Y mindestens eines aus S, N und O bezeichnet, und X mindestens eines von Elementen bezeichnet, das sich von den in der Komponente M und in der Komponente Y eingeschlossenen Elementen unterscheidet), und es war bekannt, daß die körnige magnetische Substanz eine große Sättigungsmagnetisierung mit einem geringeren Verlust aufweist. Bei dieser körnigen magnetischen Substanz im M-X-Y-System hängt die Größe der Sättigungsmagnetisierung vom Volumenverhältnis der Komponente M 51 ab. Somit sollte das Verhältnis der Komponente M 51 größer gemacht werden, um eine große Sättigungsmagnetisierung zu erreichen. Zu diesem Zweck wurde das Verhältnis der Komponente M 51 in der körnigen magnetischen Substanz im M-X-Y-System auf einen Bereich begrenzt, der zum Erreichen einer Sättigungsmagnetisierung von im allgemeinen 80% oder mehr derjenigen der metallischen magnetischen Massesubstanz, die die Komponente M 51 alleine umfaßt, in einem allgemeinen Gebrauch in der Lage ist, derart, daß die körnige magnetische Substanz im M-X-Y-System als ein Magnetkern eines Hochfrequenzinduktorelements oder als ein Transformator verwendet wird.
Als einem Ergebnis der Prüfung des Verhältnisses der Komponente M 51 in einem breiten Bereich in der körnigen magnetischen Substanz im M-X-Y-System fanden die Erfinder, daß der große magnetische Verlust in einem Hochfrequenzbereich jedenfalls dann gezeigt wurde, wenn die Konzentration des magnetischen metallischen in einem bestimmten Bereich war.
Im allgemeinen ist der größte Bereich, bei dem ein Verhältnis der Komponente M 51 eine Sättigungsmagnetisierung von 80% oder mehr derjenigen der die Komponente M 51 alleine umfassenden, metallischen magnetischen Massesubstanz zeigt, derjenige Bereich der körnigen magnetischen Substanz im M-X-Y-System mit einer höheren Sättigungsmagnetisierung und einem niedrigeren Verlust, der bisher gewöhnlicherweise untersucht wurde. Ein in diesem Bereich vorliegendes, körniges magnetisches Material wird für eine magnetische Hochfrequenz-Mikrovorrichtung wie dem zuvor erwähnten Hochfrequenzinduktor verwendet, da das körnige magnetische Material einen großen Wert des Realteils μ' bei der Permeabilitätscharakteristik sowie der Sättigungsmagnetisierung hat. Der Widerstand ist jedoch gering, da das Verhältnis der Komponenten X-Y 12, die den Widerstand beeinflussen, niedrig ist. Wenn aus dem obigen Grund die Filmdicke dick wird, würde sich die Permeabilität μ bei der hohen Frequenz im Zuge des Auftretens des Wirbelstromverlusts im Hochfrequenzbereich verschlechtern, so daß das oben beschriebene Material für einen als Gegenmaßnahme gegen Rauschen verwendeten, relativ dicken Magnetfilm nicht geeignet ist.
In einem Bereich andererseits, wo das Verhältnis der Komponente M 51 eine Sättigungsmagnetisierung von 80% oder weniger und 60% oder mehr derjenigen der die Komponente M 51 alleine umfassenden, metallischen magnetischen Massesubstanz zeigt, ist der Widerstand verhältnismäßig groß, etwa im allgemeinen 100 μΩ·cm oder mehr, so daß der Wirbelstromverlust gering wäre, selbst wenn die Dicke des magnetischen Substanzmaterials nur einige μm beträgt, und daß der magnetische Verlust nahezu nur ein Verlust wäre, der durch die natürliche Resonanz verursacht wird. Somit wäre die Frequenzverteilungsbreite des magnetischen Verlustterms μ'' eng, was für eine Gegenmaßnahme gegen Rauschen in einem Bereich einer Frequenz in einem engen Band geeignet ist (Hochfrequenzstromunterdrückung). In einem Bereich, wo das Verhältnis der Komponente M 51 eine Sättigungsmagnetisierung von 60% oder weniger und 35% oder mehr derjenigen der die Komponente M 51 alleine umfassenden, metallischen magnetischen Massesubstanz angibt, ist der Widerstand noch größer, etwa im allgemeinen 500 μΩ·cm oder mehr, so daß der Wirbelstromverlust extrem gering wäre, und daß eine geringfügige magnetische Wechselwirkung zwischen den Komponenten M 51 eine größere thermische Bewegung eines Spins und dadurch eine Fluktuation einer Frequenz, bei der die natürliche Resonanz auftritt, verursacht. Als einem Ergebnis dürfte der magnetische Verlustterm μ'' einen größeren Wert in einem weiten Bereich zeigen. Somit ist ein geeigneter Zusammensetzungsbereich wirksam zur Unterdrückung des Hochfrequenzstroms in einem breiten Band. In einem Bereich, in dem das Verhältnis der Komponente M 51 weiter geringer ist als dasjenige des geeigneten Zusammensetzungsbereichs tritt eine magnetische Wechselwirkung zwischen den Komponenten M 51 kaum auf, und deshalb wird der Bereich super-paramagnetisch.
Der Bezugspunkt zum Gestalten eines Materials für das Anordnen eines Materials magnetischen Verlusts neben einer elektronischen Schaltung zum Unterdrücken eines Hochfrequenzstroms ist durch ein Produkt μ''·δ des magnetischen Verlustterms μ'' und einer Dicke δ des Material magnetischen Verlusts gegeben. Im allgemeinen ist es zum wirksamen Unterdrücken eines Hochfrequenzstroms bei einigen hundert MHz der Frequenz erforderlich, daß μ''·δ ≥ 1.000 (μm). Deshalb ist es erforderlich, daß das Material magnetischen Verlusts von μ'' = 1.000 eine Dicke von 1 μm oder mehr aufweist. Daher ist ein Material mit einem geringen Widerstand, bei dem ein Wirbelstromverlust leicht auftritt, zur Verwendung nicht bevorzugt. Der oben beschriebene geeignete Zusammensetzungsbereich mit einem Widerstand von 100 μΩ·cm oder mehr (der Bereich, daß das Verhältnis der Komponente M 51 eine Sättigungsmagnetisierung von 80% oder weniger derjenigen der die Komponente M 51 alleine umfassenden, metallischen magnetischen Massesubstanz zeigt und daß der Super-Paramagnetismus nicht auftritt, sowie der Bereich, daß das Verhältnis der Komponente M 51 eine Sättigungsmagnetisierung von 35% oder mehr derjenigen der die Komponente M 51 alleine umfassenden, metallischen magnetischen Massesubstanz zeigt) ist geeignet.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen eines körnigen Materials magnetischen Verlusts konkret beschrieben, das ein Material der jeweiligen, oben beschriebenen Hochfrequenzstromsuppressoren 45, 45' und 45'' darstellt, in Form mehrerer Proben unter verschiedenen Bedingungen durch ein Sputter-Verfahren. Beim Herstellen von jeder Probe wird jedoch eine Probenherstellungsapparatur vom Anwendungstyp des Sputter-Verfahrens verwendet, wie in 8A gezeigt.
Bei 8A umfaßt diese Probenherstellungsapparatur 55 vom Anwendungstyp eines Sputter-Verfahrens einen Vakuumbehälter(-kammer) 69, mit dem ein Gaszufuhrgerät 57 und eine Vakuumpumpe 59 verbunden sind und in dem ein Substrat 65 auf ein die Komponente M umfassendes Target 69 zeigt, wobei eine Blende 63 zwischen dem Substrat 65 und dem Target 69 angeordnet ist. Das Target 69 ist bei einem vorbestimmten Intervall mit Stückchen bzw. Schnitzeln 67 versehen, die die Zusammensetzungselemente X-Y oder das Zusammensetzungselement X umfassen. Eine Hochfre quenzleistungsquelle (RF) 71 ist auf einer Seite eines Trageabschnitts der Stückchen 67 und des Targets 69 angeschlossen.
Probe 1
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 dem Vakuumbehälter 61 zugeführt, und die Vakuumpumpe 59 hielt den Vakuumgrad im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 120 Stücke Al₂O₃-Stückchen in den Ausmaßen 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die zu den Stückchen 67 werden, auf einer aus Fe gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die zum Target 69 wird, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die zum Substrat 65 wird, mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden im Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 1 eines oben beschriebenen körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Die Probe 1 wurde durch Fluoreszenz-Röntgenspektroskopie analysiert und wurde als ein Film einer Zusammensetzung Fe₇₂Al₁₁O₁₇ bestätigt. Die Probe besaß eine Filmdicke von 2,0 μm, einen Direktstromwiderstand von 530 μΩ·cm, ein Anisotropiefeld H_k von 1.422 A/m, eine Sättigungsmagnetisierung M_S von 1,68 T (Tesla) und eine relative Bandbreite bwr von 148%. Die relative Bandbreite bwr wird erhalten durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon (nachfolgend genauso angesehen). Ein prozentuales Verhältnis der Sättigungsmagnetisierung M_S (M-X-Y) der Probe 1 und derjenigen der die Komponente M alleine umfassenden metallischen magnetischen Substanz M_S (M) {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% (nachfolgend genauso angesehen) betrug 72,2%.
Um die Eigenschaften des magnetischen Verlusts der Probe 1 zu untersuchen, wurden die Eigenschaften der Permeabilität μ gegenüber einer Frequenz untersucht, indem die Probe 1 in eine Detektionsspule, die zu einem Streifen verarbeitet wurde, eingebracht wurde, und die Impedanz unter beaufschlagtem magnetischem Vorfeld gemessen wurde. Dann wurden die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms μ'' (komplexe Permeabilitätscharakteristik) für eine Frequenz f auf der Grundlage des Ergebnisses erhalten.
Bei 9 wird bemerkt, daß die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms μ'' (komplexe Permeabilitätscharakteristik) für die Frequenz f (MHz) der Probe 1 eine verhältnismäßig rasche Verteilung sowie einen extrem hohen Peak aufweist, und daß die Resonanzfrequenz ebenfalls so hoch wie etwa 700 MHz ist.
Probe 2
Hier wurde eine Probe 2 eines körnigen magnetischen Dünnfilms unter derselben Bedingung und Art und Weise hergestellt wie bei der Herstellung der oben erwähnten Probe 1, außer daß die Anzahl der Al₂O₃-Stückchen auf 150 verändert wurde.
Diese Probe 2 wurde mittels Fluoreszenz-Röntgenspektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung Fe₄₄Al₂₂O₃₄ bestätigt. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,2 μm, einen Direktstromwiderstand von 2.400 μΩ·cm, ein anisotropes Feld H_k von 9.480 A/m, eine Sättigungsmagnetisierung M_S von 0,96 T, ei ne relative Bandbreite bwr von 181%, und ein prozentuales Verhältnis {M_S((M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 44,5%.
Bei 10 wird bemerkt, daß die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms μ'' (komplexe Permeabilitätscharakteristik) für die Frequenz f (MHz) der Probe 2 aufgrund der thermischen Bewegung eine allmähliche Verteilung, die sich über ein breites Band erstreckt, aufweist und ähnlich zu dem in der Probe 1 einen hohen Peak besitzt. Der Wert des Direktstromwiderstands ist jedoch im Vergleich zu demjenigen in der Probe 1 extrem groß, und die Resonanzfrequenz bei dem Peak ist ebenfalls etwa 1 GHz. Dies zeigt eine ausgezeichnete Hochfrequenzcharakteristik.
Probe 3
Hier wurde eine Probe 3, die die erste Vergleichsprobe darstellt, eines körnigen magnetischen Dünnfilms unter derselben Bedingung und Art und Weise wie bei der Herstellung der oben erwähnten Probe 1 hergestellt, außer daß die Anzahl der Al₂O₃-Stückchen auf 90 verändert wurde.
Diese Probe 3 wurde durch Fluoreszenz-Röntgenspektroskopie analysiert und als einem Film einer Zusammensetzung Fe₈₆Al₆O₈ bestätigt. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,2 μm, einen Direktstromwiderstand von 74 μΩ·cm, ein anisotropes Feld H_k von 1.738 A/m, eine Sättigungsmagnetisierung Ms von 1,88 T und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 85,7%.
Bei 11 wird bemerkt, daß die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms μ'' (komplexe Permeabilitätscharakteristik) für die Frequenz f (MHz) der Probe 3 (erstes Vergleichsbeispiel) als Antwort auf eine große Sättigungsmagnetisierung ei nen großen Wert beim Peak zeigt, während aufgrund eines geringeren Widerstands im Zuge einer Erhöhung der Frequenz ein Wirbelstromverlust auftritt, und daher scheint sich die Permeabilität (magnetische Verlustcharakteristik) in einem niedrigen Frequenzbereich zu verschlechtern, so daß die Eigenschaften bei einer hohen Frequenz im Vergleich zu den Proben 1 und 2 schlechter sind.
Probe 4
Hier wurde eine Probe 4, die die zweite Vergleichsprobe darstellt, eines körnigen magnetischen Dünnfilms bei derselben Bedingung und Art und Weise wie der der Herstellung der oben erwähnten Probe 1 hergestellt, außer daß die Anzahl der Al₂O₃-Stückchen auf 200 verändert wurde.
Diese Probe 4 wurde mittels Fluoroszenz-Röntgenspektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung von Fe₁₉Al₃₄O₄₇ bestätigt. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,3 μm und einen Direktstromwiderstand von 10.500 μΩ·cm. Die magnetischen Eigenschaften der Probe zeigten Super-Paramagnetismus.
Es wurde auch versucht, die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms μ'' (komplexe Permeabilitätscharakteristik) für eine Frequenz f bei der Probe 4 (der zweiten Vergleichsprobe) zu erhalten, aber es zeigte sich, daß die Probe 4 aufgrund einer hohen Rate einer Oxidschicht einen extrem hohen Widerstand besaß, während die magnetische Wechselwirkung zwischen magnetischen Teilchen aufgrund einer mageren magnetischen Schicht sehr gering war. Als einem Ergebnis zeigte sich Super-Paramagnetismus, und die Eigenschaften des magnetischen Verlustterms konnten nicht beobachtet werden.
Gemäß diesen Ergebnissen wird bemerkt, daß die magnetische Substanz eines körnigen magnetischen Dünnfilms bei den Proben 1 und 2 extrem hohe magnetische Verlust-Eigenschaften in einem engen Band nur in einem hohen Frequenzbereich aufweist und als einem Hochfrequenzstromsuppressor extrem wirksam ist.
Probe 5
Hier wurde Ar + N₂-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 dem Vakuumbehälter 61 zugeführt, und die Vakuumpumpe 59 hielt den Vakuumgrad des Vakuumbehälters 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar + N₂-Gasatmosphäre wurden insgesamt 120 Stücke Al-Stückchen mit den Ausmaßen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 ausmacht, angeordnet, und von der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, mittels eines reaktiven Sputter-Verfahrens gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 5 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten, die hinsichtlich der Zusammensetzung sich von dem oben beschriebenen, körnigen magnetischen Dünnfilm unterscheidet.
Diese Probe 5 wurde bezüglich Größenordnung und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,5 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S((M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 51,9%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 520, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 520 betrugt 830 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 175%.
Probe 6
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 130 Stücke Al₂O₃-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 6 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 6 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,1 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 64,7%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 850, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 850 betrug 800 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 157%.
Probe 7
Hier wurde Ar + N₂-Gas mit 10% N₂-Spannungsteilung aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar + N₂-Gasatmosphäre wurden insgesamt 170 Stücke Al-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Co-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein reaktives Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 7 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 7 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,2 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 37,2%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 350, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 350 betrug 1 GHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 191%.
Probe 8
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuum maß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 140 Stücke Al₂O₃- Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Ni-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 8 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 8 wurde in Bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,7 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S((M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 58,2%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 280, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 280 betrug 240 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 169%.
Probe 9
Hier wurde Ar + N₂-Gas mit 10% N₂-Spannungsteilung aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar + N₂-Gasatmosphäre wurden insgesamt 100 Stücke Al-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Ni-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Sub strat 65 darstellt, durch ein reaktives Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 9 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 9 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,3 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S((M)} × 100% von 76,2%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 410, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 410 betrug 170 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 158%.
Probe 10
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuum maß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 150 Stücke TiO₃-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 10 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 10 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,4 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 43,6%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 920, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 920 betrug 1,5 GHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 188%.
Probe 11
Hier wurde Ar + O₂-Gas mit 15% O₂-Spannungsteilung aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar + O₂-Gasatmosphäre wurden insgesamt 130 Stücke Si-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 11 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 11 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,5 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 55,2%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 920, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 920 betrug 1,2 GHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 182%.
Probe 12
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 100 Stücke HfO₃-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 12 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 12 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,8 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 77,4%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 1800, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 1800 betrug 450 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 171%.
Probe 13
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 130 Stücke BN-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Di- Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 13 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 13 wurde in Bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,9 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 59,3%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 950, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 920 betrug 680 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 185%.
Probe 14
Hier wurde Ar-Gas aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 61 geliefert, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß im Vakuumbehälter 61 auf etwa 1,33 × 10^–4 Pa. In einer solchen Ar-Gasatmosphäre wurden insgesamt 130 Stücke Al₂O₃-Stückchen mit den Größenordnungen von 5 mm Höhe × 5 mm Breite × 2 mm Dicke, die die Stückchen 67 darstellen, auf einer Fe₅₀Co₅₀-gefertigten Rundplatte mit einem Durchmesser ϕ von 100 mm, die das Target 69 darstellt, angeordnet, und aus der Hochfrequenzleistungsquelle 71 wurde eine Hochfrequenzleistung zugeführt. Unter dieser Bedingung wurde ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, durch ein Sputter-Verfahren gebildet, und dann wurde der gebildete magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 14 eines körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 14 wurde in bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,6 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 59,3%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 720, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 720 betrug 1,1 GHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 180%.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines körnigen Materials magnetischen Verlusts als Proben mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens konkret beschrieben. Bei der Herstellung von jeder Probe wird jedoch eine Probenherstellungsapparatur von einem Dampfabscheidungsverfahrens-Anwendungstyp wie in 8B gezeigt verwendet. Diese Probenherstellungsapparatur eines Dampfabscheidungsverfahrens-Anwendungstyps umfaßt einen Vakuumbehälter(-kammer) 75, mit dem ein Gaszufuhrgerät 57 und eine Vakuumpumpe 59 verbunden sind und in dem ein Substrat 65 auf einen Tiegel 28 zeigt, der mit einem Legierungs-Muttermaterial mit den Komponenten X-Y beladen ist, wobei eine Blende 63 zwischen dem Substrat 65 und dem Target 69 eingebracht ist.
Probe 15
Hier wurde Sauerstoff aus dem Gaszufuhrgerät 57 in den Vakuumbehälter 75 bei einer Fließrate von 3,0 Norm-cm zugeführt, und die Vakuumpumpe 59 hielt das Vakuummaß des Vakuumbehälters 75 bei etwa 1,33 × 10^–4 Pa. Dann wurde unter einer Bedingung, daß das in den Tiegel 77 eingebrachte Fe₇₀Al₃₀-Legierungs-Muttermaterial schmilzt, um gegenüber dem Sauerstoff exponiert zu werden, ein magnetischer Dünnfilm auf einer Glasplatte, die das Substrat 65 darstellt, mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens gebildet, und dann wurde der magnetische Dünnfilm bei einer Temperatur von 300°C für zwei Stunden in Vakuum unter einem Magnetfeld wärmebehandelt, um eine Probe 15 eines oben beschriebenen körnigen magnetischen Dünnfilms zu erhalten.
Diese Probe 15 wurde in Bezug auf Größe und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die Probe besaß eine Filmdicke von 1,1 μm und ein prozentuales Verhältnis {M_S(M-X-Y)/M_S(M)} × 100% von 41,8%. Der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' betrug 590, die Frequenz f (μ''_max) beim Maximalwert μ''_max = 590 betrug 520 MHz, und die relative Bandbreite bwr betrug 190%.
Im Unterschied zu den Vergleichsproben 3 und 4 sind alle oben beschriebenen Proben 1 bis 15 als ein Material wirksam, das in einem elektronischen Bauteil als Gegenmaßnahme gegen einen Hochfrequenzstrom zu verwenden ist. Die jeweiligen Proben 1 bis 15 wurden im obigen Beispiel durch ein Sputter-Verfahren oder ein Dampfabscheidungsverfahren hergestellt, jedoch kann ein anderes Bildungsverfahren wie einer Ionenstrahlabscheidung und einer Gasabscheidung angewandt werden. Das Bildungsverfahren ist nicht begrenzt, solange das Material magnetischen Verlusts gleichförmig hergestellt werden kann. Ferner wurde beschrieben, daß die jeweiligen Proben 1 bis 15 durch Wärmebehandlung in Vakuum unter einem Magnetfeld nach dem Bilden eines Films erhalten wurden, jedoch ist eine Behandlung nach der Bildung eines Films nicht auf das beschriebene begrenzt, solange die Zusammensetzung oder das Filmbildungsverfahren in der Lage ist, eine gleichwirkende Funktion mit einem Film so, wie er abgeschieden ist, erhalten wird.
Als einem Beispiel der Proben 1 bis 15 betrug bei der Probe 1, die die in 9 gezeigte komplexe Permeabilitätscharakteristik aufwies, eine Filmdicke von 2,0 μm aufwies und ein Quadrat mit 20 mm an jeder Seite bildete (die Probe mit der relativen Bandbreite bwr von 148%), der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' etwa 1.800 bei etwa 700 MHz. Andererseits betrug bei der Vergleichsprobe (mit der relativen Bandbreite bwr von 196%) einer magnetischen Kompositsubstanz-Lage, die die gleiche Fläche und die gleiche Gestalt wie die obige Probe 1 aufweist und die aus einer flachen Form eines Sendust-Pulvers und eines Polymers, hergestellt als Vergleichsprobe bezüglich eines anderen Stands der Technik, gefertigt ist, der Maximalwert μ''_max des magnetischen Verlustterms μ'' etwa 3,0 bei etwa 700 MHz.
Als Ergebnis des Obigen wird bemerkt, daß der magnetische Verlustterm μ'' der Probe 1 eine Verteilung in einem Sub-Mikrowellenband aufweist, deren Maximalwert μ''_max bei etwa 1.800 bei etwa 700 MHz liegt, was etwa 700-fach größer ist als der Maximalwert μ''_max in der Vergleichsprobe mit einer Verteilung des magnetischen Verlustterms μ'' in derselben Bandbreite, wobei das Verhältnis der relativen Bandbreite bwr zur mittleren Frequenz geringer ist als dasjenige der Vergleichsprobe, und wobei die Bandbreite eng ist.
Darüber hinaus wurde zur Bestätigung die Wirkung der Hochfrequenzstromunterdrückung der Probe 1 und der Vergleichsprobe (magnetische Kompositsubstanz-Lage) untersucht durch eine in 12 gezeigte Apparatur 81 zur Messung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung. Bei der Apparatur 81 zur Messung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung wird eine Koaxialleitung 32 zum Verbinden einer Mikrostreifenleitung 31 und eines nicht gezeigten Netzwerk-Analysegeräts (HP8753D) an den beiden Enden der Mikrostreifenleitung 31, die eine Leitungslänge von 75 mm und eine charakteristische Impedanz Zc von 50 Ω aufweist, an deren Längsrichtung angebracht, und eine magnetische Substanzprobe 33 wird unmittelbar oberhalb eines Probenanordnungsabschnitts 31a der Mikrostreifenleitung 31 angeordnet, so daß die Übertragungseigenschaft (Permeabilitätseigenschaft) zwischen zwei Anschlüssen gemessen werden kann.
Wenn ein Material magnetischen Verlusts neben einem Übertragungsweg angeordnet wird, wie in einem Aufbau der obigen Apparatur 30 zur Messung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung gezeigt, so daß der Übertragungsweg eine Ersatzwiderstandskomponente zum Zweck einer Hochfrequenzstromunterdrückung bilden kann, scheint die Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung im allgemeinen proportional zu sein zu einem Produkt μ''·δ des magnetischen Verlustterms μ'' und einer Dicke δ der magnetischen Substanz. Durch Vergleich der Probe 1 mit der Vergleichsprobe (magnetische Kompositlage) hinsichtlich der Unterdrückungswirkung wird bei der Vergleichsprobe der magnetische Verlustterm μ'' auf etwa 3 festgelegt, und die Dicke δ der magnetischen Substanz wird auf 1,0 mm festgelegt, so daß der Wert des Produkts μ''·δ in derselben Größenordnung liegt.
Bei den 13A und 13B fällt die S₂₁-Übertragungscharakteristik der Probe 1 von 100 MHz oder mehr ab und steigt nach Durchlaufen des Minimalwerts von –10 dB in der Nähe von 2 GHz an, wohingegen die S₂₁-Übertragungscharakteristik der Vergleichsprobe monoton von einigen hundert MHz abfällt und bei 3 GHz auf etwa –10 dB zeigt. Gemäß diesen Ergebnissen wird bemerkt, daß beide S₂₁-Übertragungscharakteristika von der Ver teilung des magnetischen Verlustterms μ'' einer magnetischen Substanz abhängen, und daß die Unterdrückungswirkung vom oben erwähnten Produkt μ''·δ abhängt.
Eine magnetische Substanz wie die Probe 1 und die Vergleichsprobe besitzt eine Induktivität ΔL und einen Widerstand ΔR in Form einer Reihenverbindung als einer pro Einheitslänge (Δl) konstanten Ersatzschaltung, einer elektrostatischen Kapazität ΔC, die zwischen dem Obigen und einem Erdungsleiter liegt, sowie eine Konduktanz ΔG (dem Reziproken des Widerstands ΔR), wenn angenommen wird, daß eine magnetische Substanz wie die Probe 1 und die Vergleichsprobe so angeordnet ist, daß sie eine Dimension 1 aufweist und als verteilte konstante Leitung der Permeabilität μ und der die Elektrizitätskonstante ε vorliegt, wie in 14 gezeigt. Sie sind in Form einer Ersatzschaltung mit einer Induktivität L, einem Widerstand R, einer elektrostatischen Kapazität C und einer Konduktanz G (dem Reziproken des Widerstands R) als eine Ersatzschaltung angeordnet, die im Fall des Umwandelns in die Probendimension 1 bei der S₂₁-Übertragungscharakteristik konstant ist.
Wenn eine magnetische Substanz auf der Mikrostreifenleitung 83 wie hier bei der Untersuchung der Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung angeordnet wird, hängt eine Veränderung der S₂₁-Übertragungscharakteristik von einer Komponenten des Widerstands R ab, die hauptsächlich in Reihe zur Induktivität L in einer Ersatzschaltung hinzugefügt wird. Somit kann die Frequenzabhängigkeit durch Verfolgen des Widerstands R untersucht werden.
Bei den 15A und 15B wird bemerkt, daß bei der Charakteristik des Widerstands R (Ω) gegenüber der Frequenz f, der auf der Basis eines Werts des Widerstands R berechnet wurde, der in Reihe zu der Induktivität L in einer in 14 gezeigten Ersatzschaltung bei der in 13 gezeigten S₂₁-Übertragungscharakteristik hinzugefügt wurde, der Widerstand R in beiden Fällen der Probe 1 und der Vergleichsprobe stetig in einem Sub-Mikrowellenband ansteigt und bei 3 GHz auf einige Zig Ω gerichtet ist. Die Frequenzabhängigkeit weist in jedem Fall eine Steigung auf, die sich von der Frequenzverteilung des magnetischen Verlustterms μ'', die einen Peak in der Nähe von 1 GHz aufweist, unterscheidet. Es kann angenommen werden, daß dies ein Ergebnis der Reaktion darauf ist, daß, zusätzlich zum oben erwähnten Produkt μ''·δ, das Verhältnis der Probengröße zur Wellenlänge stetig ansteigt.
Gemäß den obigen Ergebnissen weist die Probe mit einer Verteilung des magnetischen Verlustterms μ'' im Sub-Mikrowellenband eine Hochfrequenzstromunterdrückungswirkung auf, die zu der Vergleichsprobe (magnetische Kompositsubstanz-Lage), die etwa 500-mal dicker ist als die obige Probe, äquivalent ist. Deshalb kann es als wirksam gewertet werden, dies als eine Gegenmaßnahme gegen einen Hochfrequenzstrom in einem elektronischen Bauteil wie der aktiven Halbleitervorrichtung anzuwenden, die bei einem hohen Takt in der Nähe von 1 GHz betrieben wird.
Wie oben beschrieben wird in einem elektronischen Bauteil vom Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß der Erfindung ein Hochfrequenzstromsuppressor zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch eine vorbestimmte Anzahl von Terminals selbst strömt, auf einem Teil oder dem Gesamten der auf dem elektronischen Bauteil vorgesehenen Terminals angeordnet, andererseits wird ein Teil oder das Gesamte der vorbestimmten Anzahl von Terminals selbst zu einem ähnlichen Hochfrequenzstromsuppressor geformt. Somit kann der Hochfrequenzstromsuppressor einen Hochfrequenzstrom vollständig dämpfen, selbst wenn das elektronische Bauteil bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz verwendet wird, so daß das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert wird und ihr schlechter Einfluß gelöscht werden kann. Deshalb kann eine Hochfrequenzstromunterdrückungs-Gegenmaßnahme (Gegenmaßnahme gegen elektromagnetische Interferenz) wirksam berücksichtigt werden, wenn speziell ein Hochfrequenzstromsuppressor auf Terminals einer logischen Schaltungsvorrichtung angeordnet wird, die eine aktive Halbleitervorrichtung mit einer weiteren Neigung zum Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit einer hohen Frequenz wie bei einem künftigen elektronischen Bauteil darstellt und die durch eine integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (IC) oder eine hochintegrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (LSI), die auf eine hohe Integration und eine hohe Dichte bei der Montierung nicht verzichten kann, einen Mikroprozessor (MPU), eine zentrale Prozessiereinheit (CPU), eine logische Bildprozessor-Rechnereinheit (IPALU) oder dergleichen repräsentiert wird.
Bei einem Bondierdraht eines Hochfrequenzstromunterdrückungstyps für ein elektronisches Bauteil gemäß der Erfindung wird der Bondierdraht selbst so ausgestaltet, daß er eine Struktur eines Hochfrequenzstromunterdrückungstyps besitzt, die einen Hochfrequenzstromsuppressor aufweist, der auf einer Oberfläche eines Leiters angeordnet ist zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch den Leiter selbst in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz strömt, wobei ein unbestückter bzw. blanker Chip, der auf einem Hauptkörper vorgesehene, innere Verbindungsterminals zum Prozessieren eines Signals aufweist, eingebaut ist, und es ist möglich, den Bondierdraht auf ein elektronisches Bauteil mit einer Struktur anzuwenden, daß ein Bondierdraht eines Hochfrequenzstromunterdrückungstyps das jeweilige innere Verbindungsterminal mit dem jeweiligen äußeren Verbindungsterminal, das getrennt im Hauptkörper bereitgestellt ist, zum Übertragen eines Signals verbindet. Somit kann der Hochfrequenzstromsuppressor einen Hochfrequenzstrom vollständig dämpfen, wenn der durch das jeweilige äußere Verbindungsterminal strömende Hochfrequenzstrom zu dem Bondierdraht übertragen wird beim Gebrauch eines elektronischen Bauteils bei einer hohen Frequenz in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz, so daß die Übertragung des Hochfrequenzstroms zu dem jeweiligen inneren Verbindungsterminal auf dem unbestückten Chip verhindert werden kann. Als einem Ergebnis kann das Auftreten einer elektromagnetischen Interferenz verhindert werden, und ihr Einfluß (etwa ein Fehlbetrieb der integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung 31) kann gelöscht werden. Deshalb kann eine Hochfrequenzstromunterdrückungs-Gegenmaßnahme (Gegenmaßnahme gegen elektromagnetische Interferenz) wirksam berücksichtigt werden, wenn ein solcher Bondierdraht eines Hochfrequenzstromunterdrückungstyps speziell zum Verbinden für den Zweck des Aufbaus einer logischen Schaltungsvorrichtung angewandt wird, die eine aktive Halbleitervorrichtung mit einer weiteren Neigung zu einem Hochgeschwindigkeitsbetrieb bei einer hohen Frequenz wie bei einem künftigen elektronischen Bauteil darstellt und die durch eine integrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (IC) oder eine hochintegrierte Schaltungs-Halbleitervorrichtung (LSI), die auf eine hohe Integration und eine hohe Dichte bei der Montierung nicht verzichten kann, einen Mikroprozessor (MPU), eine zentrale Prozessiereinheit (CPU), eine logische Bildprozessor-Rechnereinheit (IPALU) oder dergleichen repräsentiert wird.

Claims

Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung, mit einer vorbestimmten Anzahl von Terminals (19, 19', 19'', 29), die zur Verarbeitung eines Signals bereitgestellt sind, wobei ein Teil der, oder alle der Anzahl vorbestimmter Terminals mit einem Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'', 29), der auf einem Teil oder dem Gesamten von deren Oberfläche (19, 19', 19'', 29) gebildet ist, versehen sind, zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch die Terminals selbst, in einer Bandbreite von einigen Zig MHz bis zu einigen GHz, strömt, und wobei der Hochfrequenzstromsupressor ein magnetischer Dünnfilm mit einer Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 μm ist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 1, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'', 29) auf einem Teil oder dem Gesamten der Oberfläche der vorbestimmten Terminals (19, 19', 19'', 29) an einer Stelle vorgesehen ist, die verschieden ist von einem auf eine Schaltungsplatte (23) zu montierenden Montierabschnitt zum Montieren mindestens des obigen elektronischen Bauteils sowie von einem Rand, der einen Verbindungsabschnitt zu einem auf der Schaltungsplatte (23) vorgesehenen Leitungsmuster (25) einschließt.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'', 29) den magnetischen Dünnfilm darstellt, welcher auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl von Terminals mittels eines Sputter-Verfahrens gebildet ist (8A).
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'', 29) den magnetischen Dünnfilm darstellt, der auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl der Terminals mittels eines Dampfabscheidungsverfahrens gebildet ist (8B).
Elektronisches Bauteil (17, 17') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 3 oder 4, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'') aus einem magnetischen Dünnfilm gefertigt ist, der zuvor auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Mutterplatte metallischen Materials gebildet ist, die in einem Herstellungsverfahren des Bildens der vorbestimmten Anzahl von Terminals (19, 19', 19'') verwendet wird.
Elektronisches Bauteil (17, 17') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 3 oder 4, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (21, 21', 21'') aus einem magnetischen Dünnfilm gefertigt ist, der auf einem Teil oder der Gesamtheit einer Oberfläche der vorbestimmten Anzahl von Terminals gebildet ist, die gefertigt wurden, indem eine Mutterplatte metallischen Materials, die in einem Herstellungsverfahren des Bildens der vorbestimmten Anzahl von Terminals verwendet wird, ausgeschnitten wird.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgend einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der magnetische Dünnfilm des Hochfrequenzstromsupressors (21, 21', 21'', 29) aus einem Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System besteht, welches aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet wird, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen Elementen unterscheidet, und wobei M in einer Matrix einer Verbindung aus X und Y verteilt ist, und wobei das Material magnetischen Verlusts den Maximalwert μ''_max des Imaginärteils μ'' aufweist, der im Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und wobei eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% und nicht kleiner als 150% ist, wobei die relative Bandbreite erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 7, wobei die Sättigungsmagnetisierung des Materials magnetischen Verlusts in einem Bereich von 80 bis 35(%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfasst.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei das Material magnetischen Verlusts einen Direktstromwiderstand von mehr als 500 μΩ·cm aufweist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Material magnetischen Verlusts ein Zusammensetzungselement X aufweist, welches mindestens eines von C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und Seltenerdenelementen ist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 7 bis 10, wobei das Zusammensetzungselement M in körniger Form in einer Matrix einer Verbindung des Zusammensetzungselements X und des Zusammensetzungselements Y verteilt ist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß Anspruch 11, wobei das Material magnetischen Verlusts einen durchschnittlichen Durchmesser eines körnigen Teilchens im Bereich von 1 bis 40 nm aufweist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 7 bis 12, wobei das Material magnetischen Verlusts ein anisotropes Magnetfeld von 47400 A/m oder weniger aufweist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 7 bis 12, wobei das M-X-Y-System ein Fe-Al-O-System ist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 7 bis 12, wobei das M-X-Y-System ein Fe-Si-O-System ist.
Elektronisches Bauteil (17, 17', 17'') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 15, wobei das elektronische Bauteil eine aktive Halbleitervorrichtung ist, die bei hoher Geschwindigkeit bei hoher Frequenz betrieben wird, oder auch eine Vorrichtung unter einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung und einer logischen Schaltungsvorrichtung ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31), mit einem Leiter (43) zum Verbinden elektronischer Bauteile (31) mit vorbestimmten Stellen (33), sowie einem Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45''), der auf mindestens einem Teil einer Oberfläche des Leiters gebildet ist, zum Dämpfen eines Hochfrequenzstroms, der durch den Leiter in einer Bandbreite von einigen Zig MHz und einigen GHz strömt, wobei der Hochfrequenzstromsupressor ein magnetischer Dünnfilm mit einer Dicke im Bereich von 0,3 bis 20 μm ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 17, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45'') auf eine Weise derart gebildet ist, dass mindestens ein Verbindungsabschnitt an beiden Enden des Leiters (43) exponiert würde.
Bondierdraht (35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 18, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45') in Form eines Gitters und ebenso auf eine Weise derart gebildet ist, dass ein Verbindungsabschnitt an beiden Enden des Leiters exponiert würde.
Bondierdraht (35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 18, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45'') in Form einer Spirale und ebenso auf eine Weise derart gebildet ist, dass ein Verbindungsabschnitt an beiden Enden des Leiters exponiert würde.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 17 bis 20, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45'') auf einer Oberfläche des Leiters (43) durch ein Sputter-Verfahren gebildet ist (8A).
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 17 bis 20, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45'') auf einer Oberfläche des Leiters durch ein Dampfabschaltungsverfahren gebildet ist (8B).
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 21 oder 22, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45'') in einem Herstellungsverfahren zum Bilden des Leiters zuvor auf einer Oberfläche des Leiters (43) gebildet ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 17 bis 23, wobei das elektronische Bauteil einen einzubauenden, unbestückten Chip (31a) aufweist, der eine vorbestimmte Anzahl von inneren Verbindungsterminals (33'), die in einem Hauptkörper zum Verarbeiten eines Signals vorgesehen sind, umfasst, und wobei der Bondierdraht (35, 35') zum jeweiligen Verbinden der vorbestimmten Anzahl von inneren Verbindungsterminals mit einer vorbestimmten Anzahl von äußeren Verbindungsterminals (33), die getrennt im Hauptkörper zum Übertragen eines Signals vorgesehen sind, vorgesehen ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 17 bis 24, wobei der Hochfrequenzstromsupressor (45, 45', 45'') der magnetische Dünnfilm aus einem Material magnetischen Verlusts in einem M-X-Y-System besteht, welches aus einer Verbindung der Zusammensetzungselemente M, Y und X gebildet wird, wobei M mindestens eines aus Fe, Co und Ni bezeichnet, Y mindestens eines aus F, N und O bezeichnet, und X mindestens ein Element bezeichnet, das sich von den in M und Y eingeschlossenen Elementen unterscheidet, und wobei M in einer Matrix einer Verbindung aus X und Y verteilt ist, und wobei das Material magnetischen Verlusts den Maximalwert μ''_max des Imaginärteils μ'' aufweist, der im Frequenzbereich von 100 MHz bis 10 GHz der komplexen Permeabilitätscharakteristik auftritt, und wobei eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% und nicht kleiner als 150% ist, wobei die relative Bandbreite erhalten wird durch Herausgreifen einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, bei denen der Wert μ'' 50% des Maximums μ''_max ist, und durch Normalisieren der Frequenzbandbreite bei der mittleren Frequenz davon.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 25, wobei die Sättigungsmagnetisierung des Materials magnetischen Verlusts in einem Bereich von 80 bis 35 (%) derjenigen einer metallischen magnetischen Substanz liegt, die das Zusammensetzungselement M alleine umfasst.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß gemäß Anspruch 25 oder 26, wobei das Material magnetischen Verlusts einen Direktstromwiderstand von mehr als 500 μΩ·cm aufweist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 25 bis 27, wobei das Material magnetischen Verlusts ein Zusammensetzungselement X auf weist, welches mindestens eines von C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und Seltenerdenelementen ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 25 bis 28, wobei das Zusammensetzungselement M in Form einer Körnung in einer Matrix einer Verbindung des Zusammensetzungselements X und des Zusammensetzungselements Y verteilt ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß Anspruch 29, wobei der durchschnittliche Teilchendurchmesser von Teilchen, die in Form einer Körnung vorliegen, im Bereich von 1 bis 40 nm liegt.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 25 bis 30, wobei das Material magnetischen Verlusts ein anisotropes Magnetfeld von 47400 A/m oder weniger aufweist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 25 bis 31, wobei das M-X-Y-System ein Fe-Al-O-System ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 25 bis 31, wobei das M-X-Y-System ein Fe-Si-O-System ist.
Bondierdraht (35, 35') vom Typ einer Hochfrequenzstromunterdrückung für ein elektronisches Bauteil (31) gemäß irgendeinem der Ansprüche 25 bis 33, wobei das elektronische Bauteil eine aktive Halbleitervorrichtung ist, die bei hoher Geschwindigkeit in einem hohen Frequenzband betrieben wird, oder auch eine Vorrichtung unter einer integrierten Schaltungs-Halbleitervorrichtung, einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung und einer logischen Schaltungsvorrichtung ist.