DE60109343T2

DE60109343T2 - Kühlvorrichtung, welche die Hochfrequenzströme in einem elektrischen Bauteil erheblich reduziert

Info

Publication number: DE60109343T2
Application number: DE60109343T
Authority: DE
Inventors: Shigeyoshi Sendai-shi Yoshida; Yoshio Sendai-shi Awakura; Hiroshi Sendai-shi Ono
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2000-04-05
Filing date: 2001-04-04
Publication date: 2006-02-09
Anticipated expiration: 2021-04-05
Also published as: KR20010095275A; CN1222034C; MY123590A; JP2001291981A; US6624714B2; DE60109343D1; US20010040790A1; EP1143777B1; NO20011706L; SG102619A1; NO20011706D0; CN1316775A; EP1143777A1; NO325816B1; JP4287020B2; KR100789051B1; TWI248780B

Description

Hintergrund der Erfindung
Diese Erfindung bezieht sich auf einen Radiator, der zum Strahlen von Wärme dient, die durch ein elektrisches Bauteil nach Erregung erzeugt wird, zum Verhindern einer Zunahme der Temperatur des elektrischen Bauteiles, und der an dem elektrischen Bauteil selbst oder an einer Leiterplatte oder einem Gehäuse angebracht ist, wobei das elektrische Bauteil darauf angebracht ist.
Auf dem Gebiet der elektronischen Kommunikation werden elektronische Geräte und Datenverarbeitungsgeräte mit verschiedenen elektronischen Bauteilen, die darauf angebracht sind, benutzt. Diese elektrischen Bauteile sind allgemein auf einer Leiterplatte angebracht, die mit einem leitenden Muster versehen ist.
Diese elektronischen Bauteile können verschiedene aktive Halbleitervorrichtungen sein einschließlich eines Direktzugriffsspeichers (RAM), eines Nur-Lese-Speichers (ROM), eines Mikroprozessors (MPU), einer Zentralverarbeitungseinheit (CPU) und einer arithmetischen Bildverarbeitungslogikeinheit (IPALU). Allgemein werden diese aktiven Halbleitervorrichtungen bei einer hohen Frequenz benutzt und mit einer hohen Geschwindigkeit betrieben. Zu diesem Ende sind die aktiven Halbleitervorrichtungen hochintegriert gemäß eines Schaltungslayouts und mit einer Mehrzahl von Anschlüssen (allgemein ein Leitungsrahmen genannt) zur Benutzung bei der Signalverarbeitung versehen, die in einem Chip einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung (IC) oder einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung (LSI) zu bilden sind.
Die aktive Halbleitervorrichtung des beschriebenen Types weist eine Betriebsgeschwindigkeit und eine Signalverarbeitungsgeschwindigkeit auf, die beide sehr hoch sind. Zum Durchführen eines Hochgeschwindigkeitsbetriebes mit einer weiteren integrierten Struktur ist die Vorrichtung ausgelegt, so daß sie bei einer hohen Frequenz in einem Frequenzband zwischen mehreren zehn MHz und mehreren GHz zu benutzen ist. Folglich ist ein an der aktiven Halbleitervorrichtung angebrachter Radiator notwendig zum weiteren Verbessern der Strahlungseffektivität.
Wenn weiterhin solch eine hohe Frequenz innerhalb des Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz bei der aktiven Halbleitervorrichtung benutzt wird, fließt ein Hochfrequenz-(harmonischer)Strom durch die Anschlüsse der aktiven Halbleitervorrichtung und des Radiators selbst. Der Hochfrequenzstrom kann zu anderen elektronischen Bauteilen, zu Signalpfaden einschließlich der Anschlüsse oder zu Geräten und Vorrichtungen, auf denen die elektrischen/elektronischen Bauteile darauf angebracht sind, geleitet werden. Der Hochfrequenzstrom wird ein Faktor des Verursachens von elektromagnetischer Störung, die nachteilig den Betrieb der elektronischen Bauteile beeinflußt, so daß ein Betriebsfehler resultiert, oder die Basisfunktionen der elektronischen Bauteile verschlechtert. Daher muß solch ein Hochfrequenzstrom entfernt oder unterdrückt werden.
Bei vorhandenen elektronischen Bauteilen oder Radiatoren wird jedoch nicht genug Überlegung in Hinblick der Gegenmaßnahme gegen den Hochfrequenzstrom unternommen. Daher ist es schwierig, das Auftreten der elektromagnetischen Störung zu verhindern, die von dem Hochfrequenzstrom herrührt.
Zusammenfassung der Erfindung:
Es ist daher eine Aufgabe dieser Erfindung, einen Radiator eines Hochfrequenzstromunterdrückungstypes vorzusehen, der ausreichend und erheblich einen Hochfrequenzstrom unterdrücken kann zum Verhindern des Auftretens von elektromagnetischer Störung, selbst wenn ein elektronisches Bauteil bei einer hohen Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz benutzt wird.
Andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden klar, während die Beschreibung voranschreitet.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Radiator zum Benutzen bei dem Strahlen von Wärme, die von einem elektronischen Bauteil erzeugt wird, vorgesehen, wobei der Radiator eine Hauptoberfläche aufweist, die dem elektronischen Bauteil zugewandt ist, der Radiator einen Hochfrequenzstromunterdrücker aufweist, der an der Hauptoberfläche angebracht ist zum Abschwächen eines Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator fließt und eine Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Radiator zum Benutzen bei dem Strahlen von Wärme, die von einem elektronischen Bauteil erzeugt wird, vorgesehen, wobei der Radiator eine Hauptoberfläche aufweist, die dem elektronischen Bauteil zugewandt ist, der Radiator einen Hochfrequenzstromunterdrücker aufweist, der an der Hauptoberfläche angebracht ist, zum Abschwächen eines Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator fließt und eine Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist und eine wärmeleitende Platte, die hervorragend in der Wärmeleitfähigkeit ist und auf dem Hochfrequenzstromunterdrücker gebildet ist.
Gemäß einem noch anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Radiator zum Benutzen bei dem Strahlen von Wärme, die von einem elektronischen Bauteil erzeugt wird, vorgesehen, wobei der Radiator eine Hauptoberfläche aufweist, die dem elektronischen Bauteil zugewandt ist, der Radiator einen Hochfrequenzstromunterdrücker aufweist, der an der Hauptoberfläche angebracht ist, zum Abschwächen eines Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator fließt, und eine Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist, und eine Isolierplatte, die hervorragend in der elektrischen Isolation ist und auf dem Hochfrequenzstromunterdrücker gebildet ist.
Gemäß einem noch anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Radiator zum Benutzen bei dem Strahlen von Wärme, die durch ein elektronisches Bauteil erzeugt wird, vorgesehen, wobei der Radiator eine Hauptoberfläche aufweist, die dem elektronischen Bauteil zugewandt ist, der Radiator einen Hochfrequenzstromunterdrücker aufweist, der an der Hauptoberfläche angebracht ist, zum Abschwächen eines Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator fließt und eine Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist, der Hochfrequenzstromunterdrücker aus einer magnetischen Substanz einer magnetischen Zusammensetzung hergestellt ist, die M, X und Y aufweist, worin M ein metallisches magnetisches Material ist, das aus Fe, Co und/oder Ni besteht, X ein Element oder Elemente ungleich M und Y ist, und Y gleich F, N und/oder O ist, die magnetische M-X-Y-Zusammensetzung eine Konzentration von M in der Zusammensetzung so aufweist, daß die magnetische M-X-Y-Zusammensetzung eine Sättigungsmagnetisierung von 35 bis 80% von der des metallischen massiven Körpers aus magnetischem Material mit M nur allein aufweist, wobei die magnetische Zusammensetzung den maximalen Wert μ''_max eines Imaginärteiles μ'' einer relativen Permeabilität in einem Frequenzbereich von 0,1 bis 10 Gigahertz (GHz) aufweist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen:
1A ist eine Seitenansicht eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer ersten Ausführungsform dieser Erfindung;
1B ist eine Seitenansicht, die den in 1A dargestellten Radiator in einem Zustand zeigt, in dem er auf einer Leiterplatte angebracht ist;
2 ist eine Seitenansicht eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer zweiten Ausführungsform dieser Erfindung in einem Zustand, in dem er auf einer Leiterplatte angebracht ist;
3 ist eine Seitenansicht eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer dritten Ausführungsform dieser Erfindung;
4 ist eine Seitenansicht eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer vierten Ausführungsform dieser Erfindung;
5 ist eine schematische Ansicht, die eine Granulatstruktur einer magnetischen M-X-Y-Zusammensetzung zeigt;
6A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Struktur eines Sputtergerätes zeigt, das in den Beispielen benutzt wurde;
6B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Struktur eines Dampfabscheidungsgerätes zeigt, das in den Beispielen benutzt wurde;
7 ist eine graphische Ansicht, die eine Permeabilitätsfrequenzantwort einer Filmprobe 1 in Beispiel 1 zeigt;
8 ist eine graphische Ansicht, die eine Permeabilitätsfrequenzantwort einer Filmprobe 2 in Beispiel 2 zeigt;
9 ist eine graphische Ansicht, die eine Permeabilitätsfrequenzantwort einer Vergleichsprobe 1 in Vergleichsbeispiel 1 zeigt;
10 ist eine schematische und perspektivische Ansicht eines Testgerätes zum Testen eines Rauschunterdrückungseffektes von Magnetproben;
11A ist eine graphische Ansicht, die eine Transmissionseigenschaft einer Filmprobe 1 zeigt;
11B graphische Ansicht, die eine Transmissionseigenschaft einer Vergleichsprobe einer zusammengesetzten magnetischen Materialplatte zeigt;
12A ist eine Verteilungskonstantschaltung mit einer Länge l, die ein magnetisches Material als ein Rauschunterdrücker zeigt;
12B ist eine Äquivalentschaltung mit einer Einheitslänge Δl der Verteilungskonstantschaltung von 12A;
12C ist eine Äquivalentschaltung mit einer Länge l der Verteilungskonstantschaltung von 12A;
13A ist eine graphische Ansicht, die eine Frequenzantwort eines Äquivalentwiderstandes R einer Filmprobe 1 in Beispiel 1 zeigt; und
13B ist eine graphische Ansicht, die eine Frequenzantwort eines Äquivalentwiderstandes R einer Vergleichsprobe einer zusammengesetzten magnetischen Materialplatte zeigt.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen:
Bezugnehmend auf 1A wird eine Beschreibung gegeben eines Radiators eines Hochfrequenzstromunterdrückungstypes gemäß einer ersten Ausführungsform dieser Erfindung.
Der in 1A dargestellte Radiator 1 weist eine Mehrzahl von Rippen 1a, die in einem vorbestimmten Abstand voneinander angeordnet sind, eine Basisplatte 1b mit einer Hauptoberfläche oder einer oberen Oberfläche, die an einem Ende der Rippen 1a befestigt ist, und einen Hochfrequenzstromunterdrücker 2 in der Form eines Filmes, der auf einer gegenüberliegenden Oberfläche oder unteren Oberfläche der Basisplatte 1b gebildet ist, auf.
Bezugnehmend auf 1B, der Radiator 1 in 1 ist auf einer gedruckten Leiterplatte 4 angebracht. Die gedruckte Leiterplatte 4 weist eine Hauptoberfläche oder eine obere Oberfläche mit einer darauf angebrachten integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 als ein elektronisches Bauteil auf. Um die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 ist ein Hochfrequenzstromunterdrücker 3 als ein Film gebildet. Der Radiator 1 ist auf der Leiterplatte 4 so angebracht, daß der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 in Kontakt mit der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 und dem Hochfrequenzstromunterdrücker 3 gebracht ist. Als Resultat ist der Radiator 1 an der gedruckten Leiterplatte 4 mit der oberen Oberfläche angebracht, und die Umfangsoberfläche der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 ist mit den Hochfrequenzstromunterdrückern 2 und 3 bedeckt.
Der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 haftet an jeder der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 und des Hochfrequenzstromunterdrückers 3 durch die Benutzung eines Klebstoffes oder eines doppelseitigen Klebebandes. Jeder der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 ist eine magnetische Dünnfilmsubstanz und zeigt Leitfähigkeit innerhalb eines Frequenzbereiches kleiner als einige zehn MHz.
Mit dieser Struktur schwächen, selbst wenn die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 bei einer hohen Frequenz in einem Frequenzband zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz benutzt wird, die Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 ausreichend und beträchtlich den Hochfrequenzstrom, der durch die Anschlüsse der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 und den Radiator 1 selbst fließt. Daher ist es möglich, das Auftreten von elektromagnetischer Störung zu verhindern und einen nachteiligen Effekt der elektromagnetischen Störung zu entfernen. Somit dient eine Kombination der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 zum Schwächen des Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator 1 selbst fließt und die Frequenz innerhalb des Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist.
Bezugnehmend auf 2 wird eine Beschreibung eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer zweiten Ausführungsform dieser Erfindung gegeben. Ähnliche Teile sind mit entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht weiter beschrieben.
Bei dem in 2 dargestellten Radiator 1 ist die Basisplatte 1b mit einem ausgenommenen Abschnitt 6 versehen, der auf ihrer unteren Oberfläche gebildet ist zum Aufnehmen der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5. Auf der unteren Oberfläche der Basisplatte 1b einschließlich des ausgenommenen Abschnittes 6 ist der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 als ein Film gebildet. Wenn der Radiator 1 an der Leiterplatte 4 angebracht ist, ist der ausgenommene Abschnitt 6 der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 zugewandt. Als Resultat sind die obere Oberfläche und die Umfangsoberfläche der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 mit dem Hochfrequenzstromunterdrücker 2 allein bedeckt. Daher wird kein Hochfrequenzstromunterdrücker benötigt, daß er auf der Leiterplatte 4 gebildet ist.
Der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 haftet an jedem der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 und der Leiterplatte 4 durch die Benutzung eines Klebstoffes oder eines doppelseitigen Klebebandes.
Mit dieser Struktur schwächt, selbst wenn die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 bei der hohen Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz benutzt wird, der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 ausreichend und beträchtlich den Hochfrequenzstrom, der durch die Anschlüsse der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 5 und durch den Radiator 1 selbst fließt. Daher ist es möglich, das Auftreten von elektromagnetischer Störung zu verhindern und einen nachteiligen Effekt der elektromagnetischen Störung zu entfernen. Somit dient der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 allein zum Schwächen des Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator 1 selbst fließt und die Frequenz innerhalb des Frequenzbandes zwischen einigen zehn MHz und einigen GHz aufweist.
Bezugnehmend auf 3 wird eine Beschreibung eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer dritten Ausführungsform dieser Erfindung gegeben. Ähnliche Teile werden durch entsprechende Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht weiter beschrieben.
Bei dem in 3 dargestellten Radiator 1 ist der auf der unteren Oberfläche der Basisplatte 1b gebildete Hochfrequenzstromunterdrücker 2 mit einer wärmeleitenden Platte 7 versehen, die an der unteren Oberfläche des Hochfrequenzstromunterdrückers 2 angebracht ist und die hervorragend in Wärmeleitfähigkeit ist. Die wärmeleitfähige Platte 7 haftet an dem Hochfrequenzstromunterdrücker 2 durch die Benutzung eines Klebstoffes oder eines doppelseitigen Klebebandes.
Mit dieser Struktur werden auch die oben erwähnten Effekte erzielt. Zusätzlich wird wegen des Vorsehens der wärmeleitenden Platte 7 die Wärmeübertragung zu dem Radiator 1 gefördert. Somit wird die Wärmestrahlungseigenschaft verbessert.
Bezugnehmend auf 4 wird eine Beschreibung eines Radiators von einem Hochfrequenzstromunterdrückungstyp gemäß einer vierten Ausführungsform dieser Erfindung gegeben. Ähnliche Teile sind mit entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht weiter beschrieben.
Bei dem in 4 dargestellten Radiator 1 ist der auf der unteren Oberfläche der Basisplatte 1b gebildete Hochfrequenzstromunterdrücker 2 mit einer Isolierplatte 8 wie ein Polyimidfilm versehen, der an der unteren Oberfläche des Hochfrequenzstromunterdrückers 2 angebracht ist und der hervorragend in elektrischer Isolation ist. Die Isolierplatte 8 haftet an dem Hochfrequenzstromunterdrücker 2 durch die Benutzung eines Klebstoffes oder eines doppelseitigen Klebebandes.
Die Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 können durch Sputtern oder Dampfabscheiden gebildet werden. Zusätzlich zu dem oben erwähnten Sputtern oder Dampfabscheiden können chemische Dampfabscheidung (CVD), Ionenstrahlabscheidung, Gasabscheidung und Musterübertragung auf dem Bilden der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 benutzt werden.
Jeder der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 ist eine magnetische Dünnfilmsubstanz mit einer Dicke zwischen 0,3 und 20 μm und zeigt die Leitfähigkeit innerhalb eines Frequenzbereiches kleiner als einige zehn MHz.
Als ein Material für jeden der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 kann Benutzung gemacht werden von einem magnetischen Schmalbandverlustmaterial, das eine M-X-Y-Zusammensetzung als eine Mischung von Komponenten M (wobei M mindestens eines von Fe, Co und Ni ist), Y (wobei Y mindestens eines von F, N und O ist) und X, wobei X mindestens ein Element ungleich jenen ist, die in M und Y enthalten sind) aufweist, und das eine Permeabilitätseigenschaft aufweist, die als eine Beziehung zwischen einer Frequenz und einem Imaginärteil μ'' in Bezug auf einen Realteil μ' einer relativen Permeabilität gegeben ist, so daß der maximale Wert μ''_max des Imaginärteiles μ'' (was ein magnetischer Verlustterm genannt werden kann) innerhalb eines Frequenzbereiches zwischen 100 MHz und 10 GHz vorhanden ist, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht größer als 200% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Extrahieren einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, an denen der Wert μ'' gleich 50% des maximalen μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite an der Zentralfrequenz davon. Es wird hier angenommen, daß das magnetische Schmalbandverlustmaterial eine Sättigungsmagnetisierung zwischen 80% und 60% von der eines magnetischen Metallmateriales aufweist, das die Komponente M alleine aufweist, und ei nen Gleichstromwiderstand zwischen 100 μΩ·cm und 700 μΩ·cm.
Als das Material für jeden der Hochfrequenzstromunterdrücker 4a, 4b und 5 kann auch Benutzung gemacht werden von einem magnetischen Breitbandverlustmaterial, das eine M-X-Y-Zusammensetzung aufweist als eine Mischung von Komponenten M (wobei M mindestens eines von Fe, Co und Ni ist), Y (wobei Y mindestens eines von F, N und O ist) und X (wobei X mindestens ein Element ungleich jenen ist, die in M und Y enthalten sind), und das eine Permeabilitätseigenschaft aufweist, die als eine Beziehung zwischen einer Frequenz und einem Imaginärteil μ'' in Bezug auf einen Realteil μ' einer relativen Permeabilität gegeben ist, so daß der maximale Wert μ''_max des Imaginärteiles μ'' innerhalb eines Frequenzbereiches zwischen 100 MHz und 10 GHz vorhanden ist, und daß eine relative Bandbreite bwr nicht kleiner als 150% ist, wobei die relative Bandbreite bwr erhalten wird durch Extrahieren einer Frequenzbandbreite zwischen zwei Frequenzen, an denen der Wert von μ'' gleich 50% des maximalen μ''_max ist, und Normalisieren der Frequenzbandbreite an der Zentralfrequenz davon. Es wird hier angenommen, daß das magnetische Breitbandverlustmaterial eine Sättigungsmagnetisierung zwischen 60% und 35% von der eines magnetischen Metallmateriales aufweist, das die Komponente M alleine enthält, und einen elektrischen Gleichstromwiderstand größer als 500 μΩ·cm.
In jedem des magnetischen Schmalbandverlustmateriales und des magnetischen Breitbandverlustmateriales, die als die Hochfrequenzstromunterdrücker 4a, 4b und 5 benutzt werden, ist die Komponente X mindestens eines von C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und Selten-Erd-Elemente. Die Komponente M ist in einer Granulatstruktur vorhanden in der Partikel oder Körner der Komponente M in einer Matrix einer Verbindung der Komponenten X und Y verteilt ist. Die Partikel haben eine mittlere Partikelgröße zwischen 1 nm und 40 nm. Das magnetische Schmalband- oder Breitbandverlustmaterial weist ein anisotropes Magnetfeld von 47400 A/m oder weniger auf. Bevorzugt ist die M-X-Y-Zusammensetzung des magnetischen Breitband- oder Schmalbandverlustmaterials eine Fe-Al-O-Zusammensetzung oder eine Fe-Si-O-Zusammensetzung.
In dem Vorangehenden wurde eine Beschreibung des Falles gegeben, in dem die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als das elektronische Bauelement benutzt wird. Diese Erfindung ist ebenfalls anwendbar, wenn das elektronische Bauelement eine andere aktive Halbleitervorrichtung mit einer hochintegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, eine Logikschaltungsvorrichtung wie ein Mikroprozessor, eine Zentralverarbeitungseinheit und eine arithmetische Bildverarbeitungslogikeinheit oder ähnliches ist.
Der Radiator kann an der Leiterplatte oder einem Gehäuse angebracht sein, an dem das elektronische Bauteil angebracht ist. In jedem Fall wird als jeder der Hochfrequenzstromunterdrücker 2 und 3 Benutzung gemacht von einer magnetischen Dünnfilmsubstanz, die klein im Volumen ist und die ein Magnetverlustmaterial mit einem großen Imaginärteil (d.h. ein "Magnetverlustterm") μ'' der relativen Permeabilität aufweist. Als magnetische Substanz, die in dem Magnetverlustterm vergrößert werden kann, ist ein magnetisches Granulatmaterial bekannt. Genauer, in dem Fall, in dem die Konzentration von magnetischen Metallpartikeln in dem magnetischen Granulatmaterial in einen speziellen Bereich fällt, kann eine hervorragende magnetische Verlusteigenschaft in einem Hochfrequenzbereich erzielt werden.
Als nächstes wird eine Beschreibung bezüglich der Granulatstruktur und Herstellungsverfahren der magnetischen M-X-Y-Zusammensetzung gegeben.
Bezugnehmend auf 5, die schematisch die Granulatstruktur der magnetischen M-X-Y-Zusammensetzung zeigt, sind Partikel 11 eines metallischen magnetischen Materiales M uniform oder gleichförmig in einer Matrix 12 verteilt, die aus X und Y besteht.
Bezugnehmend auf 6A, ein darin gezeigtes Sputtergerät wurde zum Erzeugen von Proben in den folgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen benutzt. Das Sputtergerät weist eine herkömmliche Struktur auf und weist einen Vakuumbehälter 20, einen Verschluß 21, eine Atmosphärengasquelle 22, ein Substrat oder eine Glasplatte 23, Chips 24 (X oder X-Y), ein Target 25 (M), eine RF-Leistungsquelle und eine Vakuumpumpe 27 auf. Die Atmosphärengasquelle 22 und die Vakuumpumpe 27 sind mit dem Vakuumbehälter 20 verbunden. Das Substrat 23 liegt dem Target 25 gegenüber, auf dem Chips 24 vorgesehen sind. Der Verschluß 21 ist vor dem Substrat 23 vorgesehen. Die RF-Leistungsquelle 26 ist mit dem Target 25 verbunden.
Bezugnehmend auf 6B wurde ein Dampfabscheidungsgerät, das darin gezeigt ist, ebenfalls als ein anderes Gerät zum Erzeugen von Proben in den folgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen benutzt. Das Dampfabscheidungsgerät weist eine herkömmliche Struktur auf und weist einen Vakuumbehälter 20, eine Atmosphärengasquelle 22 und eine Vakuumpumpe 27 ähnlich zu dem Sputtergerät auf, aber es weist einen Schmelztiegel 28 mit Materialien (X-Y) anstelle der Chips 24, des Targets 25 und der RF-Leistungsquelle 26 auf.
Beispiel 1
Ein Dünnfilm einer magnetischen M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes bei einer in Tabelle 1 gezeigten Sputterbedingung hergestellt.
Tabelle 1
Die erzeugte Filmprobe 1 wurde durch Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Spektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung Fe₇₂Al₁₁O₁₇ bestätigt. Die Filmprobe 1 hatte eine Dicke von 2,0 Mikrometer (μm), einen spezifischen Gleichstromwiderstand von 530 Mikroohmzentimeter (μΩ·cm), 1,432 × 10³ A/m (18 Oe) im anisotropen Feld (Hk) und 1,6800 T (16.800 Gauss) in der Sättigungsmagnetisierung (Ms).
Ein Prozentverhältnis der Sättigungsmagnetisierung der Filmprobe 1 und der des metallischen Materiales M selbst {Ms(M-X-Y)/Ms(M)} × 100 betrug 72,2%.
Zum Messen der Permeabilitätsfrequenzantwort wurde die Filmprobe 1 in eine bandartige Form gebildet und in eine Spule eingeführt. Unter Anwendung eines Vorspannungsmagnetfeldes wurde eine Impedanzvariation der Spule als Reaktion auf die Frequenzänderung eines an die Spule angelegten Wechselstromes gemessen. Die Messungen wurden mehrere Male für verschiedene Werte des Vorspannungsmagnetfeldes durchgeführt. Aus der gemessenen Impedanzvariation als Reaktion auf die Frequenzvariation wurde die Permeabilitätsfrequenzantwort (μ''-f-Antwort) berechnet und ist in 7 gezeigt. Es ist aus 7 zu merken, daß der Imaginärteil der relativen Permeabilität eine hohe Spitze oder den maximalen Wert (μ''_max) aufweist und schnell zu beiden Seiten der Spitze abfällt. Die natürliche Resonanzfrequenz (f(μ''_max)), die den maximalen Wert (μ''_max) zeigt, beträgt ungefähr 700 MHz. Aus der μ''-f-Antwort wurde eine relative Bandbreite bwr als ein Prozentverhältnis der Bandbreite zwischen zwei Frequenzpunkten bestimmt, die den Imaginärteil der relativen Permeabilität als einen Halbwert μ''₅₀ des maximalen Wertes μ''_max zu der Zentralfrequenz der Bandbreite zeigt. Die relative Bandbreite bwr betrug 148%.
Beispiel 2
In einem Zustand ähnlich zu dem in Beispiel 1, aber in dem 150 Al₂O₃-Chips benutzt wurden, wurde eine Filmprobe 2 auf einer Glasplatte gebildet.
Die erzeugte Filmprobe 2 wurde durch eine Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Spektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung von Fe₄₄Al₂₂O₃₄ bestätigt. Die Filmprobe 2 hatte eine Dicke von 1,2 Mikrometer (μm), einen Gleichstromwiderstand von 2400 Mikroohmzentimeter (μΩ·cm), ein anisotropes Feld (Hk) von 9,550 × 10³ A/m (120 Oe) und eine Sättigungsmagnetisierung (Ms) von 0,9600 T (9.600 Gauss). Es sei angemerkt, daß die Filmprobe 2 höher in dem spezifischen Widerstand als die Filmprobe 1 ist.
Ein Prozentverhältnis der Sättigungsmagnetisierung der Filmprobe 2 und die des metallischen Materiales M selbst {Ms(M-X-Y)/Ms(M)} × 100 betrug 44,5%.
Die μ''-f-Antwort der Filmprobe 2 wurde auf eine ähnliche Weise wie im Beispiel 1 erhalten und in 8 gezeigt. Es wird angemerkt, daß die Spitze ebenfalls einen hohen Wert ähnlich zu der Filmprobe 1 aufweist. Der Frequenzpunkt an der Spitze oder die natürliche Resonanzfrequenz beträgt jedoch 1 GHz, und der Imaginärteil der relativen Permeabilität fällt allmählich zu beiden Seiten der Spitze ab, so daß die μ''-f-Antwort eine Breitbandeigenschaft aufweist.
Eine relative Bandbreite bwr der Filmprobe 2 wurde ebenfalls als 181% durch die ähnliche Weise wie in Beispiel 1 bestätigt.
Vergleichsbeispiel 1
In einem Zustand ähnlich zu dem in Beispiel 1, aber in dem 90 Al₂O₃-Chips benutzt wurden, wurde ein Vergleichsbeispiel 1 auf einer Glasplatte gebildet.
Das erzeugte Vergleichsbeispiel 1 wurde durch eine Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Spektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung Fe₈₆Al₆O₈ bestätigt. Das Vergleichsbeispiel 1 hatte eine Dicke von 1,2 Mikrometer (μm), einen spezifischen Gleichstromwiderstand von 74 Mikroohmzentimeter (μΩ·cm), ein anisotropes Feld (Hk) von 1,750 × 10³ A/m (22 Oe), eine Sättigungsmagnetisierung (Ms) von 1,8800 T (18.800 Gauss) und im Prozentverhältnis 85,7%, und die Sättigungsmagnetisierung des Vergleichsbeispieles 1 und die des metallischen Materiales M selbst {Ms(M-X-Y)/Ms(M)} × 100 betrug 44,5%.
Die μ''-f-Antwort des Vergleichsbeispieles wurde ebenfalls auf die ähnliche Weise wie in Beispiel 1 erhalten und ist in 9 gezeigt. Es ist aus 9 zu bemerken, daß der Imaginärteil μ'' der relativen Permeabilität des Vergleichsbeispieles 1 eine hohe Spitze bei einer Frequenz von ungefähr 10 MHz aufweist, aber schnell an dem höheren Frequenzbereich als 10 MHz abnimmt. Es kann angenommen werden, daß diese Verringerung durch die Erzeugung von Wirbelstrom aufgrund des niedrigeren spezifischen Widerstandes verursacht wird.
Vergleichsbeispiel 2
In einem Zustand ähnlich zu dem in Beispiel 1, aber in dem 200 Al₂O₃-Chips benutzt wurden, wurde ein Vergleichsbeispiel 2 auf einer Glasplatte gebildet.
Das erzeugte Vergleichsbeispiel 2 wurde durch Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Spektroskopie analysiert und als ein Film einer Zusammensetzung von Fe₁₉Al₃₄O₄₇ bestätigt. Das Vergleichsbeispiel 2 hatte eine Dicke von 1,3 Mikrometer (μm), einen spezifischen Gleichstromwiderstand von 10.500 Mikroohmzentimeter (μΩ·cm).
Die magnetische Eigenschaft des Vergleichsbeispieles 1 zeigte Superparamagnetismus.
Beispiel 4
Ein Dünnfilm der magnetischen M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte durch das reaktive Sputterverfahren unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes mit einem in Tabelle 2 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Das Partialdruckverhältnis von N₂ betrug 20%. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum un ter einem Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 4 wurde erhalten.
Tabelle 2
Die Eigenschaften der Filmprobe 4 sind in Tabelle 3 gezeigt.
Tabelle 3
Beispiel 5
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes in einem in Tabelle 4 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 5 wurde erhalten.
Tabelle 4
Die Eigenschaften der Filmprobe 5 sind in Tabelle 5 gezeigt.
Tabelle 5
Beispiel 6
Ein Dünnfilm aus magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte durch das reaktive Sputterverfahren unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes in einem in Tabelle 6 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Das Partialdruckverhältnis von N₂ war 10%. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden in Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 6 wurde erhalten.
Tabelle 6
Die Eigenschaften der Filmprobe 6 sind in Tabelle 7 gezeigt.
Tabelle 7
Beispiel 7
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes in einem in Tabelle 8 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 7 wurde erhalten.
Tabelle 8
Die Eigenschaften der Filmprobe 7 sind in Tabelle 9 gezeigt.
Tabelle 9
Beispiel 8
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte durch das reaktive Sputterverfahren unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes bei einem in Tabelle 10 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Das Partialdruckverhältnis von N₂ betrug 10%. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 8 wurde erhalten.
Tabelle 10
Die Eigenschaften der Filmprobe 8 sind in Tabelle 11 gezeigt.
Tabelle 11
Beispiel 9
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes in einem in Tabelle 12 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 9 wurde erhalten.
Tabelle 12
Die Eigenschaften der Filmprobe 9 sind in Tabelle 13 gezeigt.
Tabelle 13
Beispiel 10
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte durch das reaktive Sputterverfahren unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes bei einem in Tabelle 14 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Das Partialdruckverhältnis von O₂ betrug 15%. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 10 wurde erhalten.
Tabelle 14
Die Eigenschaften der Filmprobe 10 sind in Tabelle 15 gezeigt.
Tabelle 15
Beispiel 11
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes bei einem in Tabelle 16 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 11 wurde erhalten.
Tabelle 16
Die Eigenschaften der Filmprobe 11 sind in Tabelle 17 gezeigt.
Tabelle 17
Beispiel 12
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes in einem in Tabelle 18 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 12 wurde erhalten.
Tabelle 18
Die Eigenschaften der Filmprobe 12 sind in Tabelle 19 gezeigt.
Tabelle 19
Beispiel 13
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6A gezeigten Sputtergerätes bei einem in Tabelle 20 gezeigten Sputterzustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 13 wurde erhalten.
Tabelle 20
Die Eigenschaften der Filmprobe 13 sind in Tabelle 21 gezeigt.
Tabelle 21
Beispiel 14
Ein Dünnfilm von magnetischer M-X-Y-Zusammensetzung wurde auf einer Glasplatte unter Benutzung des in 6B gezeigten Dampfabscheidungsgerätes in einem in Tabelle 22 gezeigten Zustand hergestellt. Der Dünnfilm wurde bei einer Temperatur von 300°C während zwei Stunden im Vakuum unter Magnetfeld wärmebehandelt, und eine Filmprobe 14 wurde erhalten.
Tabelle 22
Die Eigenschaften der Filmprobe 14 sind in Tabelle 23 gezeigt.
Tabelle 23
Nun wird eine Beschreibung bezüglich von Tests gegeben, die sich auf den Rauschunterdrückungseffekt der Probenfilme und der Vergleichsproben beziehen, indem ein in 10 gezeigtes Testgerät benutzt wird.
Ein Teststück war Filmprobe 1 mit Abmessungen von 20 mm × 20 mm × 2,0 μm. Für einen Vergleich eine Platte aus bekanntem zusammengesetztem magnetischem Material mit Abmessungen von 20 mm × 20 mm × 1,0 mm. Das zusammengesetzte magnetische Material weist Polymer und flaches magnetisches Materialpulver auf, das in dem Polymer verteilt ist. Das magnetische Metall pulver weist Fe, Al und Si auf. Das zusammengesetzte magnetische Material weist eine Permeabilitätsverteilung in dem Quasi-Mikrowellenbereich auf und weist den maximalen Wert des Imaginärteiles der relativen Permeabilität bei einer Frequenz von ungefähr 700 MHz auf. Tabelle 24 zeigt die magnetischen Eigenschaften von dem Teststück als auch dem Vergleichsteststück.
Tabelle 24
Wie aus Tabelle 24 zu sehen ist, ist die Filmprobe 1 ungefähr 600 × in dem Maximalwert des Imaginärteiles der relativen Permeabilität im Vergleich mit dem Vergleichsteststück. Da der Rauschunterdrückungseffekt allgemein aus dem Wert eines Produktes (μ''_max × δ des maximalen Wertes μ''_max des Imaginärteiles der relativen Permeabilität und der Dicke des Stückes δ abgeleitet wird, wurde die Dicke des Vergleichsteststückes der zusammengesetzten magnetischen Materialplatte zu 1 mm ausgewählt, so daß die beiden Teststücke den ähnlichen Wert von (μ''_max × δ) aufweisen.
Bezugnehmend auf 10, das Testgerät weist eine Mikrostreifenlinie 61 mit zwei Ports, Koaxialkabel 62, die mit den zwei Ports verbunden sind, und einen Netzwerkanalysator (nicht gezeigt) auf, der über die zwei Ports verbunden ist. Die Mikrostreifenlinie 61 weist eine Linienlänge von 75 mm und eine charakteristische Impedanz von 50 Ohm auf. Das Teststück 63 war an einem Bereich 64 auf der Mikrostreifenlinie 61 vorgesehen, und die Transmissionseigenschaft S21 wurde gemessen. Die Frequenzantworten von S21 sind in 11A und 11B für die Filmprobe 1 bzw. die Vergleichsprobe gezeigt.
In Bezug auf die Benutzung der Filmprobe 1 wird in 11A bemerkt, daß sich S21 oberhalb von 100 MHz verringert, ein Minimum von –10 dB bei einer Frequenz von 2 GHz annimmt und dann oberhalb von 2 GHz zunimmt. Andererseits in Bezug auf die Benutzung der Vergleichsprobe ist von 11B zu bemerken, daß S21 allmählich abnimmt und das Minimum von –10 dB bei einer Frequenz von 3 GHz annimmt.
Diese Resultate demonstrieren, daß S21 von der Frequenzverteilung abhängt und daß der Rauschunterdrückungseffekt von dem Produkt von (μ''_max × δ) abhängt.
Angenommen, daß die Magnetprobe eine Verteilungskonstantschaltung mit einer Länge von l bildet, wie in 12A gezeigt ist, wurde nun eine Äquivalenzschaltung für eine Einheitslänge von Δl aus den Transmissionseigenschaften S11 und S21 berechnet, wie in 12B gezeigt ist. Dann wurde die Äquivalenzschaltung für die Länge L aus der Äquivalentschaltung für die Einheitslänge Δl erhalten, wie in 21C gezeigt ist. Die Äquivalenzschaltung der Magnetprobe weist eine Reihenschaltung einer Induktanz L und eines Widerstandes R und eine parallele Kapazität C und Konduktanz G auf, wie in 12C gezeigt ist. Aus diesem ist zu verstehen, daß die Änderung der Transmissionseigenschaft der Mikrostreifenlinie, die aufgrund des Vorsehens der magnetischen Substanz auf der Mikrostreifenlinie verursacht wird, hauptsächlich durch den Äquivalenzwiderstand R bestimmt ist, der in Reihe geschaltet ist.
Im Hinblick auf das Obige wurde eine Frequenzantwort des Äquivalentwiderstandes R gemessen. Die gemessenen Daten wurden in 13A und 13B für die Filmprobe 1 bzw. die Vergleichsprobe gezeigt. Es ist zu bemerken aus diesen Figuren, daß sich der Äquivalentwiderstand R allmählich in dem Quasi-Mikrowellenbereich verringert und ungefähr 60 Ohm bei ungefähr 3 GHz beträgt. Es ist zu sehen, daß die Frequenzabhängigkeit des Äquivalentwiderstandes R sich von dem Imaginärteil der relativen Permeabilität unterscheidet, der einen maximalen Wert bei ungefähr 1 GHz aufweist. Es ist angenommen, daß diese Differenz auf der allmählichen Zunahme des Verhältnisses des Produktes unter Probenlänge zu der Wellenlänge beruht.

Claims

Radiator zum Benutzen bei dem Strahlen von Wärme, die von einem elektronischen Bauteil erzeugt wird, wobei der Radiator eine Hauptoberfläche aufweist, die dem elektronischen Bauteil zugewandt ist, der Radiator einen Hochfrequenzstromunterdrücker aufweist, der an der Hauptoberfläche angebracht ist, zum Abschwächen eines Hochfrequenzstromes, der durch den Radiator fließt und eine Frequenz innerhalb eines Frequenzbandes zwischen einigen Zehn MHz und einigen GHz aufweist.
Radiator nach Anspruch 1, weiter mit: einer Basisplatte mit der Hauptoberfläche und eine gegenüberliegende Oberfläche gegenüber zu der Hauptfläche; und einer Mehrzahl von Rippen, die von der gegenüberliegenden Oberfläche vorstehen, so daß sie einen vorbestimmten Abstand voneinander aufweisen, wobei die Rippen einstückig mit der Basisplatte gebildet sind.
Radiator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Hochfrequenzstromunterdrücker auf der Hauptoberfläche durch Sputtern abgeschieden ist.
Radiator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Hochfrequenzstromunterdrücker auf der Hauptoberfläche durch Dampf abscheiden abgeschieden ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das elektronische Bauteil eine aktive Halbleitervorrichtung ist, die in einem Hochfrequenzband benutzt wird, wobei das elektronische Bauteil eine von einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung eine hochintegrierte Halb leiterschaltereinrichtung und eine Logikschaltungseinrichtung enthält.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter mit einer wärmeleitenden Platte, die auf dem Hochfrequenzstromunterdrücker gebildet ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter mit einer Isolierplatte, die auf dem Hochfrequenzstromunterdrücker gebildet ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter mit einem doppelseitigen Klebeband, das zur Benutzung beim Kleben angeordnet ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der Hochfrequenzstromunterdrücker eine Dicke zwischen 0,3 μm und 20 μm aufweist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der Hochfrequenzstromunterdrücker eine magnetische Dünnfilmsubstanz ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der der Hochfrequenzstromunterdrücker aus einer magnetischen Substanz einer magnetischen Zusammensetzung hergestellt ist, die M, X und Y aufweist, worin M ein metallisches magnetisches Material ist, das aus Fe, Co und/oder Ni besteht, X ein Element oder Elemente ungleich M und Y ist, und Y gleich F, N und/oder O ist, die magnetische M-X-Y-Zusammensetzung eine Konzentration von M in der Zusammensetzung so aufweist, daß die magnetische M-X-Y-Zusammensetzung eine Sättigungsmagnetisierung von 35–80% von der des metallischen massiven Körpers aus magnetischem Material mit M nur allein aufweist, wobei die magnetische Zusammensetzung den maximalen Wert μ''_max eines Imaginärteiles μ'' einer relativen Permeabilität in einem Frequenzbereich von 0,1–10 Gigahertz (GHz) aufweist.
Radiator nach Anspruch 11, bei dem die magnetische Substanz eine Sättigungsmagnetisierung zwischen 80% und 60% von der eines metallischen magnetischen Materiales aufweist, das nur die Komponente M allein aufweist.
Radiator nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die magnetische Substanz einen elektrischen Gleichstromwiderstand zwischen 100 μΩ·cm und 700 μΩ·cm aufweist.
Radiator nach Anspruch 11, der eine Permeabilitätsfrequenzantwort eines relativ breiten Bandes aufweist, wobei eine relative Bandbreite bwr 150% oder mehr betragt, die relative Bandbreite bwr als Prozentsatzverhältnis eine Bandbreite zwischen zwei Frequenzpunkten bestimmt ist, die den imaginären Teil der relativen Permeabilität als einen Halbwert μ''₅₀ des maximalen Wertes μ''_max zu der Zentralfrequenz der Bandbreite zeigt.
Radiator nach Anspruch 14, bei dem die magnetische Substanz mit der Sättigungsmagnetisierung zwischen 60% und 35% von der eines metallischen magnetischen Materiales aufweist, das die Komponente M alleine aufweist.
Radiator nach Anspruch 14 oder 15, bei dem die magnetische Substanz einen elektrischen Gleichstromwiderstand größer als 500 μΩ·cm aufweist.
Radiator nach einem der Ansprüche 11 bis 16, bei dem die Komponente X der magnetischen Substanz mindestens eine ist, die aus C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta und Selten-Erd-Elementen gewählt ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 11 bis 17, bei dem die Komponente M der magnetischen Substanz in einer Granulatstruktur vorhanden ist, bei der Partikel oder Körner der Komponenten M in einer Matrix einer Verbindung der Komponenten X und Y verteilt sind.
Radiator nach Anspruch 18, bei dem die magnetischen Substanz so gebildet ist, daß die Partikel in der Granulatstruktur eine mittlere Partikelgrößer zwischen 1 nm und 40 nm aufweisen.
Radiator nach einem der Ansprüche 11 bis 19, bei der die magnetische Substanz ein anisotropes magnetisches Feld von 47.400 A/m oder weniger aufweist.
Radiator nach einem der Ansprüche 11 bis 20, bei dem die M-X-Y-Zusammensetzung eine Fe-Al-O-Zusammensetzung ist.
Radiator nach einem der Ansprüche 11 bis 20, bei dem die M-X-Y-Zusammensetzung eine Fe-Si-O-Zusammensetzung ist.