NO325816B1 - Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent - Google Patents

Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent Download PDF

Info

Publication number
NO325816B1
NO325816B1 NO20011706A NO20011706A NO325816B1 NO 325816 B1 NO325816 B1 NO 325816B1 NO 20011706 A NO20011706 A NO 20011706A NO 20011706 A NO20011706 A NO 20011706A NO 325816 B1 NO325816 B1 NO 325816B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
radiator
frequency
magnetic
frequency current
stated
Prior art date
Application number
NO20011706A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20011706D0 (no
NO20011706L (no
Inventor
Shigeyoshi Yoshida
Hiroshi Ono
Yoshio Awakura
Original Assignee
Nec Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Tokin Corp filed Critical Nec Tokin Corp
Publication of NO20011706D0 publication Critical patent/NO20011706D0/no
Publication of NO20011706L publication Critical patent/NO20011706L/no
Publication of NO325816B1 publication Critical patent/NO325816B1/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

Oppfinnelsens bakgrunn
Denne oppfinnelsen vedrører en radiator som er ment for å stråle varme generert av en elektronisk komponent ved energisering for å hindre en økning i temperaturen til den elektroniske komponenten og som er festet til selve elektroniske komponenten eller til et kretskort eller et hus med den elektroniske komponenten montert derpå.
I feltet elektronisk kommunikasjon anvender man elektroniske apparater og dataprosesseringsapparater med diverse elektroniske komponenter montert derpå. Disse elektroniske komponentene er generelt montert på et kretskort som er utstyrt med et ledende mønster.
Disse elektroniske komponentene kan være diverse aktive halvlederanordninger omfattende direkte lager RAM, leselager ROM, mikroprosessor MPU, sentral prosesseringsénhet CPU og en bildeprosesserings-aritmetisk-logisk-enhet IPALU. Generelt er disse aktive halvlederanordninger anvendt ved høy frekvens og drevet i høy hastighet. Med denne hensikten er de aktive halvlederanordninger høyt integrert ifølge et kretsdesign og utstyrt med flere terminaler (generelt kalt en blyramme) for anvendelse i signalprosessering for å formes i en brikke i en integrert halvlederkretsanordning IC eller en halvleder stor skala integrert kretsanordning
LSI.
Den aktive halvlederanordning av den beskrevne type har en driftshastighet og en signalprosesseringshastighet hvor hver av disse er veldig høy. For å utføre en høyhastighetsoperasjon med en ytterligere integrert struktur, er anordningen designet for anvendelse ved høy frekvens i et frekvensbånd på mellom flere titalls MHz og flere GHz. Ifølge dette vil en radiator som er koblet til den aktive halvlederanordning måtte være ytterligere forbedret med hensyn på strålingseffekti vitet.
Imidlertid, hvis en slik høy frekvens innenfor frekvensbåndet mellom flere titalls MHz og flere GHz er anvendt ved den aktive halvlederanordningen, vil en høyfrekvent (harmonisk) strøm strømme gjennom terminalene til den aktive halvlederanordning og selve radiator. Den høyfrekvente strømmen kan ledes til andre elektroniske komponenter, hvor signalbanene omfatter terminalene, eller apparater og anordninger med de elektriske/elektroniske komponentene montert derpå. Den høyfrekvente strømmen blir en faktor som forårsaker elektromagnetisk interferens som påvirker driften av de elektroniske komponenter negativt og som kan resultere i driftsfeil eller som forringer basiske funksjoner til de elektroniske komponentene. Således må en slik høyfrekvent strøm fjernes eller dempes.
I eksisterende elektroniske komponenter eller radiatorer, tar man imidlertid ikke tilstrekkelig i betraktning tiltak mot høyfrekvent strøm. Således er det vanskelig å hindre oppståelse av den elektromagnetiske interferensen som resulterer av den høyfrekvente strømmen.
Kort beskrivelse av oppfinnelsen
Det er således en hensikt ved denne oppfinnelsen å tilveiebringe en radiator av den type høyfrekvent strøm dempende som er i stand til tilstrekkelig og betraktelig å dempe en høyfrekvent strøm for å hindre oppståelse av elektromagnetisk interferens selv om en elektronisk komponent anvendes ved høy frekvens liggende innenfor et frekvensbånd mellom flere titalls MHz og flere GHz.
Andre hensikter ved den foreliggende oppfinnelsen vil komme klart frem av beskrivelsen.
Ifølge et aspekt ved den foreliggende oppfinnelsen tilveiebringes radiator for anvendelse i å stråle varme generert av en elektronisk komponent, idet nevnte radiator har en hovedflate som vender mot den elektroniske komponenten, og radiatoren omfatter en høyfrekvent strømdemper som er festet til hovedflaten for å dempe en høyfrekvent strøm som strømmer gjennom nevnte radiator og som har en frekvens innenfor et frekvensbånd mellom flere titalls MHz og flere GHz.
Andre aspekter ved oppfinnelsen fremgår av de uselvstendige patentkravene.
Kort beskrivelse av tegningene
Fig. IA er et sideriss av en høyfrekvent strømdempende radiator ifølge en første utførelse av denne oppfinnelsen; Fig. IB er et sideriss som viser radiatoren vist i fig. IA i en tilstand hvor den er montert på et kretskort; Fig. 2 er et sideriss av en høyfrekvent strømdempende radiator ifølge en annen utførelse av denne oppfinnelsen i en tilstand hvor den er montert på et kretskort; Fig. 3 er et sideriss av en høyfrekvent strømdempende radiator ifølge en tredje utførelse av denne oppfinnelsen; Fig. 4 er et sideriss av en høyfrekvent strømdempende radiator ifølge en fjerde utførelse av denne oppfinnelsen; Fig. 5 er et skjematisk riss som viser en kornstruktur for den magnetiske sammensetningen M-X-Y; Fig. 6A er et skjematisk delriss som viser strukturen til et katodeforstøvningsapparat som var anvendt i eksemplene; Fig. 6B er et skjematisk snittriss som viser strukturen til et katodeforstøvningsapparat som var anvendt i eksemplene; Fig. 7 er et grafisk riss som viser permeabilitetsfrekvensresponsen for sjiktprøven 1 i eksempel 1; Fig. 8 er et grafisk riss som viser permeabilitetsfrekvensresponsen for sjiktprøve 2 i eksempel 2; Fig. 9 er et grafisk riss som viser permeabilitetsfrekvensresponsen for sammenligningsprøven 1 i sammenligningseksempelet 1; Fig. 10 er et skjematisk og perspektivriss av et testapparat for å prøve en støydempningseffekt for magnetiske prøver; Fig. 1 IA er et grafisk riss som viser en overføringskarakteristikk for sjiktprøven 1; Fig. 1 IB er et grafisk riss som viser en overføringskarakteristikk for sammenligningsprøven av et komposittmagnetisk materialark; Fig. 12A er en fordelingskonstantkrets med en lengde 1 som viser et magnetisk materiale som støydemper; Fig. 12B er en ekvivalent krets med en enhetslengde Al for
fordelingskonstantkretsen i fig. 12A;
Fig. 12C er en ekvivalent krets med en lengde 1 for fordelingskonstantkretsen i fig. 12 A; Fig. 13A er et grafisk riss som viser frekvensresponsen for en ekvivalent motstand R for sjiktprøven 1 i eksempel 1; og Fig. 13B er et grafisk riss som viser frekvensresponsen for en ekvivalent motstand R for sammenligningsprøven av et komposittmagnetisk materialark.
Beskrivelse av de foretrukne utførelsene
Med henvisning til fig. IA skal man nå beskrive en radiator av type høyfrekvent strømdemper ifølge en første utførelse av denne oppfinnelsen.
Radiatoren 1 illustrert i fig. IA omfatter flere ribber la anordnet med et forhåndsbestemt mellomrom fra hverandre, en fotplate lb med en hovedflate eller en øvre flate festet til en ende av ribbene la, og en høyfrekvent strømdemper 2 i form av et sjikt formet på den motsatte flate eller en nedre flate i fotplaten lb.
Med henvisning til fig. lb, monteres radiatoren 1 i flg. 1 på et trykket kretskort 4. Det trykkede kretskort 4 har en hovedflate eller en øvre flate med en halvleder integrert kretsanordning 4 montert derpå som en elektronisk komponent. Rundt den halvlederintegrerte kretsanordning 5, er en høyfrekvent strømdemper 3 formet som et sjikt. Radiatoren 1 er montert på kretskortet 4 slik at den høyfrekvente strømdemperen 2 er brakt til kontakt med den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 og den høyfrekvent strømdemperen 3. Som resultat av dette er radiatoren 1 festet til det trykkede kretskortet 4 med den øvre flaten og periferiflaten til den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 dekket med de høyfrekvent strømdemperne 2 og 3.
Den høyfrekvente strømdemperen 2 er festet til hver av den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 og den høyfrekvente strømdemperen 3 ved anvendelse av et klebemiddel eller en tosidig klebetape. Hver høyfrekvent strømdemper 2 og 3 har et tynnsjiktsmagnetisk stoff og viser konduktiviteten innenfor et frekvensområde som er mindre enn flere titalls MHz.
Med denne strukturen, selv om den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 er anvendt ved høyfrekvens i et høyfrekvensbånd mellom flere titalls MHz og flere GHz, vil de høyfrekvente strømdemperne 2 og 3 tilstrekkelig og betraktelig dempe den høyfrekvente strøm som strømmer gjennom terminalene for de halvlederintegrerte kretsanordninger 5 og gjennom selve radiatoren 1. Således er det mulig å hindre oppståelse av elektromagnetisk interferens og å fjerne en uønsket effekt av den elektromagnetiske interferensen. Således tjener en kombinasjon av høyfrekvent strømdempere 2 og 3 for å dempe den høyfrekvente strøm som strømmer gjennom selve radiatoren 1 og som har frekvensen innenfor frekvensbåndet mellom flere titalls MHz og flere GHz.
Med henvisning til fig. 2 skal man beskrive en radiator av høyfrekvent strømdempningstype ifølge en annen utførelse av denne oppfinnelsen. Lignende deler er angitt med like henvisningstall og vil ikke beskrives på nytt.
I radiatoren 1 illustrert i fig. 2, er fotplaten lb utstyrt med et forsenket parti 6 dannet på den nedre flate for å motta den halvlederintegrerte kretsanordningen 5. På den nedre flaten til fotplaten lb omfattende det forsenkede partiet 6, er den høyfrekvente strømdemperen 2 formet som et sjikt. Når radiatoren 1 er festet til kretskortet 4, er det forsenkede parti vendt mot den halvlederintegrerte kretsanordningen 5. Som resultat av dette vil den øvre og den omkringliggende flate til den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 dekkes med den høyfrekvente strømdemper 2 og bare den. Således er ingen høyfrekvent strømdemper påkrevd å formes på kretskortet 4.
Den høyfrekvente strømdemper 2 er festet til hver av den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 og kretskortet 4 med anvendelse av et klebemiddel eller en tosidig klebetape.
Med denne strukturen, selv om den halvlederintegrerte kretsanordning 5 anvendes ved høy frekvens innenfor frekvensbåndet mellom flere titalls MHz og flere GHz, vil den høyfrekvente strømdemper 2 tilstrekkelig og betraktelig dempe den høyfrekvente strøm som strømmer gjennom terminalene til den halvlederintegrerte kretsanordningen 5 og gjennom selve radiatoren 1. Således er det mulig å hindre oppståelse av elektromagnetisk interferens og å fjerne en uønsket effekt til den elektromagnetiske interferensen. Således vil den høyfrekvente strømdemper 2 alene tjene for å dempe den høyfrekvente strøm som strømmer gjennom selve radiatoren 1 og som har frekvensen liggende i frekvensbåndet på mellom flere titalls MHz og flere GHz.
Med henvisning til fig. 3 vil man nå beskrive en radiator av høyfrekvent strømdempningstype ifølge en tredje utførelse av denne oppfinnelsen. Lignende deler er gitt like henvisningstall og vil ikke beskrives lenger. 1 radiatoren 1 illustrert i fig. 3, er den høyfrekvente strømdemper 2 som er formet på den nedre flate til fotplaten lb utstyrt med et varmeledende ark 7 som er festet til den nedre flate til høyfrekvens strømdemperen 2 og som er utmerket når det gjelder varmeledning. Det varmeledende arket 7 er klebet til den høyfrekvente strømdemper 2 med anvendelse av et klebemiddel eller en tosidig klebetape.
Med denne struktur vil de ovennevnte effektene oppnås. I tillegg, på grunn av tilveiebringelse av det varmeledende ark 7, vil varmeoverføring til radiatoren 1 fremmes. Således forbedres varmestrålingskarakteristikken.
Med henvisning til fig. 4 vil man nå beskrive en radiator av høyfrekvent strømdempende type ifølge en fjerde utførelse av denne oppfinnelsen. Lignende deler er gitt samme henvisningstall og vil ikke beskrives lenger.
I radiatoren 1 vist i fig. 4, er den høyfrekvente strømdemper 2 som er formet på den nedre flate til fotplaten lb utstyrt med et isolerende sjiktark 8, slik som et polyamidsjikt, som er festet til den nedre flate til den høyfrekvente strømdemper 2 og som er utmerket når det gjelder elektrisk isolasjon. Det isolerende arket 8 er festet til den høyfrekvente strømdemper 2 ved anvendelse av et klebemiddel eller en tosidig klebetape.
De høyfrekvente strømdemperne 2 og 3 kan formes ved katodeforstøvning eller pådampning. I tillegg til katodeforstøvningen eller pådampningen nevnt ovenfor, kan kjemisk pådampning CVD, ionestråleutfelling, gassutfelling, og mønsteroverføring anvendes for å danne de høyfrekvente strømdempere 2 og 3.
Hver høyfrekvent strømdemper 2 og 3 er et tynnsjiktmagnetisk stoff med en tykkelse på mellom 0,3 og 20 um og har en ledeevne i et frekvensområde som er mindre enn flere titalls MHz.
Som materiale for hver høyfrekvent strømdemper 2 og 3, kan man anvende et smalt båndmagnetisk materiale som har en sammensetning M-X-Y som en blanding av komponenter M (hvor M er i det minste ett av Fe, Co og Ni), Y (hvor Y er i det minste ett av F, N og O), og X (hvor X er i det minste ett element som ikke er inneholdt i M og Y) og som har en permeabilitetskarakteristikk, gitt som et forhold mellom en frekvens og en imaginær del u" i forhold til en reell del n' for den relative permeabiliteten slik at den maksimale verdien |J,"maks til den imaginære delen (som kan kalles magnetisk tapsledd) er tilstede innenfor et frekvensområde mellom 100 MHz og 10 GHz og hvor en relativ båndbredde bwr ikke er større enn 200 % hvor den relative båndbredden bwr er oppnådd ved å ta ut en frekvensbåndbredde mellom to frekvenser hvor verdien til u" er 50 % av den maksimale u"maks og å normalisere frekvensbåndbredden ved senterfrekvensen derav. Man antar her at det magnetiske tapsmaterialet med et smalt bånd har en saturasjonsmagnetisering på mellom 80 % og 60 % til den for det metalliske magnetiske materialet som omfatter bare komponent M og en d.c. elektrisk motstand på mellom 100 ufi.cm og 700 nQ. cm.
Som materiale for hver av de høyfrekvente strømdempere 4a, 4b og 5, kan man også anvende et bredbånds magnetisk tapsmateriale som har en sammensetning M-X-Y som er en blanding av komponenter M (hvor M er i det minste ett av Fe, Co og Ni), Y (hvor Y er i det minste ett av F, N og O), og X (hvor X er i det minste ett element som ikke er noen av elementene i M og Y) og som har en permeabilitetskarakteristikk, gitt som et forhold mellom en frekvens og en imaginær del i forhold til en reell del n' av relativ permeabilitet, slik at den maksimale verdien |J."maks for den imaginære delen |i" alltid er tilstede innenfor et frekvensområde mellom 100 MHz og 10 GHz og en relativ båndbredde bwr ikke er mindre enn 150 % hvor den relative båndbredden bwr er oppnådd ved å ta ut en frekvensbåndbredde mellom to frekvenser hvor verdien for u" er 50 % til den maksimale fi"makS og å normalisere frekvensbåndbredden ved senterfrekvensen derav. Man antar her at det magnetiske tapsmaterialet med bredtbånd har en saturasjonsmagnetisering på mellom 60 % og 75 % til den for et metallisk magnetisk materiale som bare omfatter komponenten M og en d.c. elektrisk motstand som er større enn 500 |iQ.cm.
I hvert av de smalbånds magnetiske tapsmateriale og bredbånds magnetisk tapsmateriale som er anvendt som høyfrekvensstrømdempere 4a, 4b og 5, er komponenten X i det minste ett av C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta, og sjeldne jordmetaller. Komponenten M er tilstede i en kornstruktur hvor partikler eller korn av komponenten M er dispersert i en matrise av en sammensetning av komponentene X og Y. Partiklene har en gjennomsnittspartikkelstørrelse på mellom 1 nm og 40 nm. Det smalbånds- eller bredbåndsmagnetiske tapsmaterialet har et anisotropt magnetisk felt på 47400 A/m eller mindre. Fortrinnsvis er sammensetningen M-X-Y for bredbånds- eller smalbåndsmagnetisk tapsmaterialet en Fe-Al-0 sammensetning eller en Fe-Si-0 sammensetning.
I det foregående har man beskrevet tilfellet hvor den halvlederintegrerte kretsanordning er anvendt som den elektroniske komponenten. Imidlertid kan denne oppfinnelsen også anvendes hvis den elektroniske komponenten er en annen halvlederaktiv anordning som omfatter en halvleder storskala integrert kretsanordning, en logisk kretsanordning slik som en mikroprosessor, en sentral prosesseringsenhet og en bildeprosessor aritmetisk logisk enhet eller lignende.
Radiatoren kan festes til kretskortet eller til et hus hvor den elektroniske komponent er montert.
I alle tilfeller, som hver av de høyfrekvente strømdempere 2 og 3 anvender man et tynnsjikt magnetisk stoff som er lite i volum og som er et magnetisk tapsmateriale med en stor imaginær del (dvs. magnetisk tapsledd) u" for den relative permeabilitet. Som magnetisk stoff hvor det magnetiske tapsleddet kan økes, er et magnetisk kornmateriale kjent. Spesifikt i tilfellet hvor konsentrasjonen av magnetiske metallpartikler i det magnetiske kornmaterialet faller innenfor et spesielt område, kan en utmerket magnetisk tapskarakteristikk oppnås i et høyfrekvent område.
Heretter vil man beskrive en kornstruktur og fremstillingsmetode for den magnetiske sammensetningen M-X-Y.
Med henvisning til fig. 5 som skjematisk viser kornstrukturen til den magnetiske sammensetningen M-X-Y, er partikler 11 av metallisk magnetisk materiale M jevnt eller ujevnt fordelt i en matrise 12 som består av X og Y.
Med henvisning til fig. 6A var et katodeforstøvningsapparat som vises her anvendt for å tilveiebringe prøver i de følgende eksemplene og sammenligningseksemplene. Katodeforstøvningsapparatet har en konvensjonell struktur og omfatter en vakuumbeholder 20, en lukker 21, en atmosfæregasskilde 22, et substrat eller en glassplate 23, brikker 24 (X eller X-Y), et mål 25 M, en RF-kraftkilde og en vakuumpumpe 27. Den atmosfæriske gasskilde 22 og vakuumpumpen 27 er koblet til vakuumbeholderen 20. Substratet 23 vender mot målet 25 hvor brikkene 24 er anordnet. Lukkeren 21 er anordnet foran substratet 21. RF-kraftkilden 26 er koblet til målet 25.
Med henvisning til fig. 6B er et pådampningsapparat vist her også anvendt som andre apparat for å tilveiebringe prøver i de følgende eksemplene og sammenligningseksemplene. Pådampningsapparatet har en konvensjonell struktur og har en vakuumbeholder 20, en atmosfærisk gasskilde 22, og en vakuumkilde 27 som er tilsvarende katodeforstøvningsapparatet men det har en digel 28 som omfatter materialer X-Y istedenfor brikker 24, mål 25 eller RF-kraftkilde 26.
Eksempel 1
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var fremstilt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A med et katodeforstøvningsforhold vist i tabell 1.
Sjiktprøven tilveiebrakt er analysert med et fluorescent X-strålespektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning Fe72AlnOi7. Sjiktprøven 1 hadde 2,0 mikrometer (um) i tykkelse, 530 mikroohm centimeter ([iQ cm) i DC spesifikk motstand, 18 Oe i anisotropt felt (Hk) og 16,800 Gauss i saturasjonsmagnetisering (Ms).
Et prosentforhold mellom saturasjonsmagnetiseringen til sjiktprøven 1 og den for det metalliske materialet M selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 72,7 %.
For å måle permeabilitetsfrekvensresponsen, var sjiktprøven 1 formet i en strimmelform og innført i en spole. Ved påtrykning av et bias magnetisk felt, var en impedansendring i spolen målt som respons overfor en frekvensendring for AC-strøm som var påført spolen. Målingen var utført flere ganger for forskjellige verdier av det bias magnetiske feltet. Ut fra den målte impedanseendring som respons til frekvensendring, var permeabilitetsfrekvensresponsen |i"-f respons beregnet og den vises i fig. 7. Man skal merke ut fra fig. 7 at den imaginære delen til den relative permeabiliteten har en høy spiss eller maksimal verdi u"maics og faller hurtig på hver side av spissen. Den naturlige resonansfrekvensen (f(u"maks)) for den maksimale verdien |o."maks var omtrent 700 MHz. Ut fra u"-f responsen, var en relativ båndbredde bwr fastsatt som et prosentforhold for båndbredde mellom to frekvenspunkter som viser den imaginære delen av relativ permeabilitet som halvverdien p."so til den maksimale verdien u"maks til senterfrekvensen for nevnte båndbredde. Den relative båndbredden bwr var 148 %.
Eksempel 2
I en tilstand tilsvarende den i eksempel 1 med anvendelse av 150 AI2O3 brikker, var en sjiktprøve 2 formet på en glassplate.
Sjiktprøven 2 tilveiebrakt var analysert med en fluorescent X-strålingsspektroskop og bekreftet å være et sjikt med sammensetning Fe44Al22C>34. Sjiktprøven 2 hadde 1,2 mikrometer (\ xm) i tykkelse, 2400 mikro ohm centimeter (jaQ cm) i DC spesifikk motstand, 120 Oe i et anisotropt felt (Hk) og 9600 Gauss i saturasjonsmagnetisering (Ms). Man skal merke at sjiktprøven 2 er høyere enn sjiktprøven 1 når det gjelder den spesifikke motstanden.
Et prosentforhold mellom saturasjonsmagnetiseringen til sjiktprøven 2 og den for det metalliske materialet M selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 44,55 %.
u"-f responsen for sjiktprøven 2 var også oppnådd på tilsvarende måte som i eksempel 1 og vist i fig. 8. Man merker at spissen også har en høy verdi på samme måte som den i sjiktprøve 1. Imidlertid er frekvenspunktet for spissen eller den naturlige resonansfrekvens rundt 1 GHz og den imaginære delen til den relative permeabilitet faller gradvis på hver side av spissen slik at n"-f responsen har en bredbåndskarakteristikk.
En relativ båndbredde bwr av sjiktprøven 2 var også bekreftet som 181 % på liknende måte til eksempelet 1.
Sammenligningseksempel 1
I en tilstand lignende den i eksempel 1 men med anvendelse av 90 AI2O3 brikker, var en sammenligningsprøve 1 var formet på en glassplate.
Sammenligningsprøven 1 tilveiebrakt var analysert med en fluorescent X-strålingsspektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning FegeAleOs. Sammenligningsprøven 1 hadde 1,2 mikrometer (um) i tykkelse, 74 mikro ohm centimeter (^Q cm) i DC spesifikk motstand, 22 Oe i anisotropt felt (Hk), 18800 Gauss i saturasjonsmagnetisering (Ms), og 85,7 % i prosentforhold for saturasjonsmagnetisering til sammenligningsprøven 1 og den for det metalliske materialet M selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 44,5 %.
u"-f responsen for sammenligningsprøven 1 var også oppnådd påtilsvarende måte som i eksempel 1 og den vises i fig. 9. Man skal merke ut fra fig. 9 at den imaginære delen u" til den relative permeabiliteten i sammenligningsprøven 1 har en høy spiss ved en frekvens omtrent 10 MHz men reduseres hurtig ved det høyere frekvensområdet enn 10 MHz. Man kan anta at denne reduksjonen er forårsaket av generasjon av virvelstrøm på grunn av den lave spesifikke motstanden.
Sammenligningseksempel 2
I en tilstand tilsvarende den i eksempel 1 men med anvendelse av 200 AI2O3 brikker, var en sammenligningsprøve 2 formet på en glassplate. Sammenligningsprøven 2 tilveiebrakt var analysert med en fluorescent X-strålingsspektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning Fei9Al34047. Sammenligningseksemplet 2 hadde 1,3 mikrometer (um) i tykkelse, 10500 mikro ohm centimeter (^iQ cm) i DC spesifikk motstand.
Den magnetiske karakteristikken til sammenligningsprøven 1 viste superparamagneti sme.
Eksempel 4
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate ved reaktiv katodeforstøvningsmetoden ved anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A og ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 2. Det partielle trykkforholdet for N2 var 20 %. Tynnsjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en filmprøve 4 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 4 vises i tabell 3.
Eksempel 5
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 4. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 5 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøve 5 er vist i tabell 5.
Eksempel 6
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A med en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 6. Det partielle trykkforhold for N2 var 10 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 6 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 6 vises i tabell 7.
Eksempel 7
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 8. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 7 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 4 vises i tabell 9.
Eksempel 8
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 10. Det partielle trykkforholdet for N2 var 10 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 8 var oppnådd.
Egenskapene for sjiktprøven 10 vises i tabell 11.
Eksempel 9
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 12. Det tynne filmsjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 9 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 9 er vist i tabell 13.
Eksempel 10
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en forstøvningstilstand vist i tabell 14. Det partielle trykkforhold for O2 var 15 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og man oppnådde en sjiktprøve 10.
Egenskapene til sjiktprøven 10 vises i tabell 15.
Eksempel 11
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 16. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 11 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 11 vises i tabell 17.
Eksempel 12
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 18. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum i et magnetisk felt og en sjiktprøve 12 var oppnådd.
Egenskapene til sjiktprøven 12 er vist i tabell 19.
Eksempel 13
Et tynt sjikt av den M-X-Y magnetiske sammensetningen var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 6A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 20. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og man oppnådde en sjiktprøve 13.
Egenskapene til sjiktprøven 13 vises i tabell 21.
Eksempel 14
Et tynt sjikt av den magnetiske sammensetningen M-X-Y var tilveiebrakt på en glassplate med anvendelse av pådampingsapparatet vist i fig. 6B ved en tilstand vist i tabell 22. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og man oppnådd en sjiktprøve 14.
Egenskapene til sjiktprøven 14 vises i tabell 23.
Nå skal man beskrive tester eller prøver som vedrører støydempingseffekt for prøvesjiktet og sammenligningsprøver, med anvendelse av et testapparat som vises i fig. 10.
En testdel var sjiktprøven 1 med størrelse 20 mm x 20 mm x 2,0 um. For en sammenligning anvendte man et ark av et kjent kompositt magnetisk materiale med størrelse 20 mm x 20 mm x 1,0 mm. Det kompositte magnetiske materialet omfattet en polymer og flatmetallisk metallpulver dispersert i polymeren. Det magnetiske metallpulveret omfatter Fe, Al og Si. Det kompositte magnetiske materialet har en permeabilitetsfordeling i kvasimikrobølgeområdet og den maksimale verdien for den imaginære delen av den relative permeabiliteten ligger ved en frekvens på omtrent 700 MHz. Tabell 24 viser de magnetiske egenskapene til både testdelen og sammenligningstestdelen.
Som man kan se ut fra tabell 24 er sjiktprøven 1 omtrent 600 ganger større enn sammenlignings testprøven i den maksimale verdien til den imaginære testdelen for relativ permeabilitet. Siden støydempningseffekten er generelt evaluert fra en verdi for et produkt med u"maks x 8 til den maksimale verdien n"maks for den imaginære delen av relativ permeabilitet og tykkelsen til delen 8, er tykkelsen til sammenligningstestdelen for komposittmaterialarket valgt 1 mm slik at begge testdelene har lignende verdier for u"maks x 8.
Med henvisning til fig. 10, omfatter testapparatet en mikrostriplinje 61 med to porter, koaksiale kabler 62 koblet til de to portene, og en nettverksanalysator (ikke vist) koblet over de to portene. Mikrostriplinjen 61 har en linjelengde på 75 mm og en karakteristisk impedans på 50 ohm. Testprøven 63 var anordnet ved et område 64 i mikrostriplinjen 61 og overføringskarakteristikken S21 var målt. Frekvensresponsen for S21 vises i fig. 1 IA og 1 IB for sjiktprøven 1 og sammenligningsprøven respektivt.
I forhold til anvendelse av sjiktprøven 1, vil man merke ut fra fig. 11A at S21 reduseres over 100 MHz, når et minimum på -10 dB ved en frekvens på 2 GHz og deretter øker over 2 GHz. På den andre side, i forhold til anvendelse av sammenligningsprøven, skal man merke ut fra fig. 11B at S21 reduseres gradvis og når et minimum på -10 dB ved en frekvens på 3 GHz.
Resultatene viser at S21 er avhengig av frekvensfordelingen til permeabiliteten og at støydempingseffekten er avhengig av produktet n"maks x 8.
Nå, gitt at den magnetiske prøven danner en fordelingskonstantkrets med en lengde 1 som vist i fig. 12A, var en ekvivalent krets beregnet for en enhetslengde Al fra overføringskarakteristikkene Sil og S21, som vist i fig. 12B. Deretter var den ekvivalente kretsen for lengden 1 oppnådd ut fra den ekvivalente kretsen for enhetslengden Al, som vist i fig. 12C. Den ekvivalente kretsen for den magnetiske prøven omfatter serieinduktans L og motstand R og parallell kapasitans C og konduktans G som vist i fig. 12C. Ut fra dette skal man forstå at endringen i overføringskarakteristikken for mikrostriplinj en forårsaket av anordningen av det magnetiske stoffet på mikrostriplinjen er hovedsakelig fastsatt av den ekvivalente motstanden R som er addert i serie.
Som nevnt over, var en frekvensrespons for den ekvivalente motstanden R målt. De målte data vises i fig. 13A og 13B for sjiktprøven 1 og sammenligningsprøven respektivt. Man skal merke ut fra disse figurer at den ekvivalente motstanden R reduseres gradvis i kvasimikrobølgeområdet og er omtrent 60 ohm på rundt 3 GHz. Man kan se at frekvensavhengigheten til den ekvivalente motstanden R er forskjellig fra den for den imaginære delen av den relative permeabiliteten som har den maksimale verdien på omtrent 1 GHz. Man skal anta at denne forskjellen baseres på den gradvise økning av et forhold mellom produktet og prøvens lengde til bølgelengden.

Claims (22)

1. Radiator for anvendelse i å stråle varme generert av en elektronisk komponent, idet nevnte radiator har en hovedflate som vender mot den elektroniske komponenten, og radiatoren omfatter en høyfrekvent strømdemper som er festet til hovedflaten for å dempe en høyfrekvent strøm som strømmer gjennom nevnte radiator og som har en frekvens innenfor et frekvensbånd mellom flere titalls MHz og flere GHz.
2. Radiator som angitt i krav 1, hvor den ytterligere omfatter: en fotplate med nevnte hovedflate og en motsatt flate som ligger motsatt nevnte hovedflate; og et flertall av ribber som rager ut fra den motsatte flate og som ligger i en forhåndsbestemt avstand fra hverandre, hvor ribbene er fonnet integrert med nevnte fotplate.
3. Radiator som angitt i krav 1 eller 2, hvor den høyfrekvente strømdemper er anbragt på nevnte hovedflate ved katodeforstøvning.
4. Radiator som angitt i krav 1 eller 2, hvor den høyfrekvente strømdemper er anbragt på nevnte hovedflate ved pådampning.
5. Radiator som angitt i et av kravene 1-4, hvor den elektroniske komponenten er en halvlederaktiv anordning anvendt i et høyfrekvent bånd, hvor den elektroniske komponenten omfatter én av en halvlederintegrert kretsanordning, en halvleder storskalaintegrert kretsanordning, og en logisk kretsanordning.
6. Radiator som angitt i et av kravene 1-5, ytterligere omfattende et varmeledende ark som er formet på nevnte høyfrekvente strømdemper.
7. Radiator som angitt i et av kravene 1-5, ytterligere omfattende et isolerende ark som er formet på nevnte høyfrekvensstrømdemper.
8. Radiator som angitt i et av kravene 1-7, ytterligere omfattende en tosidig klebetape anordnet for anvendelse i klebing.
9. Radiator som angitt i et av kravene 1-8, hvor nevnte høyfrekvensstrømdemper har en tykkelse på mellom 0,3 nm og 20 um.
10. Radiator som angitt i et av kravene 1 -9, hvor nevnte høyfrekvensstrømdemper er et tynnsjikt magnetisk stoff.
11. Radiator som angitt i et av kravene 1-10, hvor nevnte høyfrekvensstrømdemper er tilveiebrakt av et magnetisk stoff med en magnetisk sammensetning omfattende M, X og Y, hvor M er et metallisk magnetisk materiale bestående av Fe, Co og/eller Ni, X er et element eller elementer forskjellige fra M og Y, og Y er F, N og/eller O, og nevnte magnetiske sammensetningen M-X-Y har en konsentrasjon på M i sammensetningen slik at den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-80 % til den for det magnetiske materiale som bare omfatter M, og den magnetiske sammensetningen har den maksimale verdien u"makS for den imaginære del u" av den relative permeabilitet i et frekvensområde på 0,1-10 gigahertz (GHz).
12. Radiator som angitt i krav 11, hvor det magnetiske stoffet har en saturasjonsmagnetisering på mellom 80 % og 60 % til den for det metalliske magnetiske materialet som bare omfatter komponent M.
13. Radiator som angitt i krav 11 eller 12, hvor det magnetiske stoffet har en d.c. elektrisk motstand på mellom 100 uf2 cm og 700 (xQ cm.
14. Radiator som angitt i krav 11, som har en permeabilitetfrekvensrespons med et relativt bredt bånd hvor en relativ båndbredde bwr er 150 % eller mer, og den relative båndbredden bwr er fastsatt som et prosentforhold for båndbredde mellom to frekvenspunkter hvor den imaginære delen av relativ permeabilitet u"so er lik halvparten av den maksimale verdien u"makS til senterfrekvensen for nevnte båndbredde.
15. Radiator som angitt i krav 14, hvor det magnetiske stoffet har en saturasjonsmagnetisering på mellom 60 % og 35 % til den for det metalliske magnetiske materialet som bare omfatter komponent M.
16. Radiator som angitt i krav 14 eller 15, hvor det magnetiske stoffet har en d.c. elektrisk motstand som er større enn 500 uQcm.
17. Radiator som angitt i et av kravene 11-16, hvor komponenten X i det magnetiske stoffet er i det minste ett valgt fra C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta og skjeldne jordelementer.
18. Radiator som angitt i et av kravene 11-17, hvor komponenten M til det magnetiske stoffet er tilstede i en kornstruktur hvor partikler eller korn av komponenten M er dispersert i en matrise av en sammensetning av komponentene X og Y.
19. Radiator som angitt i krav 18, hvor det magnetiske stoffet er formet slik at nevnte partikler i kornstrukturen har en gjennomsnittelig partikkelstørrelse på mellom 1 nm og 40 nm.
20. Radiator som angitt i et av kravene 11-19, hvor det magnetiske stoffet har et anisotropt magnetisk felt på 47400A/m eller mindre.
21. Radiator som angitt i et av kravene 11 -20, hvor sammensetningen M-X-Y er en Fe-Al-0 sammensetning.
22. Radiator som angitt i et av kravene 11-20, hvor sammensetningen M-X-Y er en Fe-Si-0 sammensetning.
NO20011706A 2000-04-05 2001-04-04 Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent NO325816B1 (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000103171A JP4287020B2 (ja) 2000-04-05 2000-04-05 高周波電流抑制型放熱板

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO20011706D0 NO20011706D0 (no) 2001-04-04
NO20011706L NO20011706L (no) 2001-10-08
NO325816B1 true NO325816B1 (no) 2008-07-21

Family

ID=18616931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20011706A NO325816B1 (no) 2000-04-05 2001-04-04 Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6624714B2 (no)
EP (1) EP1143777B1 (no)
JP (1) JP4287020B2 (no)
KR (1) KR100789051B1 (no)
CN (1) CN1222034C (no)
DE (1) DE60109343T2 (no)
MY (1) MY123590A (no)
NO (1) NO325816B1 (no)
SG (1) SG102619A1 (no)
TW (1) TWI248780B (no)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI266591B (en) * 2005-05-05 2006-11-11 Amulaire Thermal Technology In Heat dissipation apparatus having low-melting point alloy coating-layer and its manufacturing method
JPWO2008035540A1 (ja) * 2006-09-19 2010-01-28 日本電気株式会社 電子装置搭載機器とその共振抑制方法
CN101653056B (zh) * 2007-02-15 2011-08-31 日本电气株式会社 电子器件安装设备及其噪声抑制方法
JP2009253253A (ja) * 2008-04-11 2009-10-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 冷却フィン
EP2725612A1 (en) * 2012-10-29 2014-04-30 TP Vision Holding B.V. Heat conductor device and method of forming a heat conductor device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291064A (en) * 1991-04-16 1994-03-01 Nec Corporation Package structure for semiconductor device having a flexible wiring circuit member spaced from the package casing
US5164683A (en) * 1991-10-21 1992-11-17 Motorola, Inc. RF amplifier assembly
US5303113A (en) * 1992-03-30 1994-04-12 General Electric Company Digital circuit interrupter with RFI and EMI shielding
JP2828059B2 (ja) * 1996-08-28 1998-11-25 日本電気株式会社 ヒートシンクの実装構造
US5956576A (en) * 1996-09-13 1999-09-21 International Business Machines Corporation Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal
TW571373B (en) * 1996-12-04 2004-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor device, circuit substrate, and electronic machine
US5880930A (en) 1997-06-18 1999-03-09 Silicon Graphics, Inc. Electromagnetic interference shielding enclosure and heat sink with compression coupling mechanism
JP3012867B2 (ja) * 1998-01-22 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション コンピュ―タ用ヒ―トシンク装置
KR100302986B1 (ko) * 1999-07-08 2001-09-22 이종석 사출성형용 금형
US6390475B1 (en) 1999-08-31 2002-05-21 Intel Corporation Electro-mechanical heat sink gasket for shock and vibration protection and EMI suppression on an exposed die

Also Published As

Publication number Publication date
KR100789051B1 (ko) 2007-12-26
US20010040790A1 (en) 2001-11-15
CN1222034C (zh) 2005-10-05
DE60109343T2 (de) 2006-02-09
MY123590A (en) 2006-05-31
JP2001291981A (ja) 2001-10-19
EP1143777B1 (en) 2005-03-16
DE60109343D1 (de) 2005-04-21
NO20011706D0 (no) 2001-04-04
JP4287020B2 (ja) 2009-07-01
SG102619A1 (en) 2004-03-26
CN1316775A (zh) 2001-10-10
NO20011706L (no) 2001-10-08
KR20010095275A (ko) 2001-11-03
US6624714B2 (en) 2003-09-23
TWI248780B (en) 2006-02-01
EP1143777A1 (en) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW499782B (en) Connector capable of considerably suppressing a high-frequency current
Yoshida et al. High-frequency noise suppression in downsized circuits using magnetic granular films
EP1148773A1 (en) High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics
KR20020002207A (ko) 열-수축성 튜브, 열-수축성 시트, 및 그 수축 방법
KR100908356B1 (ko) 전자기 노이즈 억제체 및 그것을 이용한 전자기 노이즈 억제방법
KR20010095320A (ko) 과립형 자기막을 포함하는 배선기판
NO325816B1 (no) Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent
US6495927B2 (en) Resin-molded unit including an electronic circuit component
JP4417521B2 (ja) 配線基板
TW503495B (en) Electronic component of a high frequency current suppression type and bonding wire for the same
TW521283B (en) Magnetic substance with maximum complex permeability in quasi-microwave band and method for production of the same
JP4243000B2 (ja) 電子部品用高周波電流抑制型ボンディングワイヤ及びそれを含む電子部品
JP4191888B2 (ja) 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法
JP4481478B2 (ja) 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法
CN101388378B (zh) 电磁噪声抑制体和电磁噪声抑制方法