JP2828059B2 - ヒートシンクの実装構造 - Google Patents
ヒートシンクの実装構造Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板に搭
載された複数個の集積回路から放射される電磁波を遮断
し、且つ各々の集積回路を効率良く放熱させるヒートシ
ンクの実装構造に関し、特にＣＰＵ、キャシュメモリー
等の複数のＬＳＩからの電磁波を遮断すると共にＬＳＩ
を放熱させるヒートシンクの実装構造に関する。
載された複数個の集積回路から放射される電磁波を遮断
し、且つ各々の集積回路を効率良く放熱させるヒートシ
ンクの実装構造に関し、特にＣＰＵ、キャシュメモリー
等の複数のＬＳＩからの電磁波を遮断すると共にＬＳＩ
を放熱させるヒートシンクの実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のヒートシンクの実装構造
は、特開平２−１７６５９号公報に示されるように、プ
リント基板に複数個実装されたＬＳＩを大型のヒートシ
ンクで一括して放熱させ、大型のヒートシンクとプリン
ト基板とで複数個のＬＳＩをまとめて覆うことにより電
磁波を遮断し電磁障害（ＥＭＩ）を防いでいた。特開平
２−１７６５９号公報に記載されたヒートシンクの実装
構造は、図５に示す様にプリント基板５１に搭載された
複数個のＬＳＩ５２を覆う大型のヒートシンク５４がプ
リント基板５１と導電性金属片５５を介して導通され、
複数個のＬＳＩ５２から放射される電磁波を遮断してい
る。また、複数個のＬＳＩ５２はクッション材５３を介
してヒートシンク５４に熱を逃がす構造である。
は、特開平２−１７６５９号公報に示されるように、プ
リント基板に複数個実装されたＬＳＩを大型のヒートシ
ンクで一括して放熱させ、大型のヒートシンクとプリン
ト基板とで複数個のＬＳＩをまとめて覆うことにより電
磁波を遮断し電磁障害（ＥＭＩ）を防いでいた。特開平
２−１７６５９号公報に記載されたヒートシンクの実装
構造は、図５に示す様にプリント基板５１に搭載された
複数個のＬＳＩ５２を覆う大型のヒートシンク５４がプ
リント基板５１と導電性金属片５５を介して導通され、
複数個のＬＳＩ５２から放射される電磁波を遮断してい
る。また、複数個のＬＳＩ５２はクッション材５３を介
してヒートシンク５４に熱を逃がす構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開平２−１７６５９
号公報に記載されたヒートシンクの実装構造は、ＬＳＩ
の熱をクッションを介してヒートシンクに伝え放熱して
いる。よって、ＬＳＩの寸法公差やヒートシンク、導伝
性金属片の寸法公差を吸収する為には、クッションには
熱伝導性と相反する軟度及び厚みが要求される。また最
近のＬＳＩには高密度パッケージとしてＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）が採用されているが、この場合半田バ
ンプへの加重は接続信頼性上極力低く抑える事が必要で
あり、クッションを使用するにあたっては更なる軟度が
要求される事になり、熱伝導性が一層悪化する。ＬＳＩ
の寸法公差を吸収する為に、クッションの厚みを更に増
して弾性変形量を増大させる方法もあるが、当然この場
合も厚みが増す事による熱伝達経路の増大、熱伝導性悪
化となる。
号公報に記載されたヒートシンクの実装構造は、ＬＳＩ
の熱をクッションを介してヒートシンクに伝え放熱して
いる。よって、ＬＳＩの寸法公差やヒートシンク、導伝
性金属片の寸法公差を吸収する為には、クッションには
熱伝導性と相反する軟度及び厚みが要求される。また最
近のＬＳＩには高密度パッケージとしてＢＧＡ（ボール
グリッドアレイ）が採用されているが、この場合半田バ
ンプへの加重は接続信頼性上極力低く抑える事が必要で
あり、クッションを使用するにあたっては更なる軟度が
要求される事になり、熱伝導性が一層悪化する。ＬＳＩ
の寸法公差を吸収する為に、クッションの厚みを更に増
して弾性変形量を増大させる方法もあるが、当然この場
合も厚みが増す事による熱伝達経路の増大、熱伝導性悪
化となる。
【０００４】以上のように従来のヒートシンクの実装構
造は、ＬＳＩとヒートシンクの間にクッションを介す構
造で、熱伝導性が悪いという欠点があった。ＢＧＡパッ
ケージにも適用できる熱伝導性に優れ、且つＬＳＩへの
加圧力すなわち半田バンプへの加重を低く抑える事ので
きる構造が必要となってきている。
造は、ＬＳＩとヒートシンクの間にクッションを介す構
造で、熱伝導性が悪いという欠点があった。ＢＧＡパッ
ケージにも適用できる熱伝導性に優れ、且つＬＳＩへの
加圧力すなわち半田バンプへの加重を低く抑える事ので
きる構造が必要となってきている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のヒートシンクの
実装構造は、プリント基板（図１の１）と、このプリン
ト基板に実装された第１及び第２の集積回路（図１の２
及び３）と、前記第１の集積回路の上面に載置されかつ
前記プリント基板の少くとも前記第１及び第２の集積回
路の周辺部分を覆う第１のヒートシンク（図１の５）
と、この第１のヒートシンクに設けられた穴（図２の１
８）を挿通して前記第２の集積回路の上面に載置された
第２のヒートシンク（図１の１３）と、前記第１のヒー
トシンクを前記プリント基板及び前記第１の集積回路に
対して固定する固定手段（図１の６）とを備えている。
実装構造は、プリント基板（図１の１）と、このプリン
ト基板に実装された第１及び第２の集積回路（図１の２
及び３）と、前記第１の集積回路の上面に載置されかつ
前記プリント基板の少くとも前記第１及び第２の集積回
路の周辺部分を覆う第１のヒートシンク（図１の５）
と、この第１のヒートシンクに設けられた穴（図２の１
８）を挿通して前記第２の集積回路の上面に載置された
第２のヒートシンク（図１の１３）と、前記第１のヒー
トシンクを前記プリント基板及び前記第１の集積回路に
対して固定する固定手段（図１の６）とを備えている。
【０００６】本発明のヒートシンクの実装構造は、プリ
ント基板（図１の１）と、このプリント基板に実装され
た第１及び第２の集積回路（図１の２及び３）と、前記
第１の集積回路の上面に載置されかつ前記プリント基板
の少くとも前記第１及び第２の集積回路の周辺部分を覆
う第１のヒートシンク（図４の１９）と、前記第２の集
積回路の上面に載置され上面に設けられたフィン（図４
の２１）が前記第１のヒートシンクに設けられた前記フ
ィンの断面とほぼ同一形状の穴（図４の２２）を挿通す
る第２のヒートシンク（図４の２０）と、前記第１のヒ
ートシンクを前記プリント基板及び前記第１の集積回路
に対して固定する固定手段（図１の６）とを備えてい
る。
ント基板（図１の１）と、このプリント基板に実装され
た第１及び第２の集積回路（図１の２及び３）と、前記
第１の集積回路の上面に載置されかつ前記プリント基板
の少くとも前記第１及び第２の集積回路の周辺部分を覆
う第１のヒートシンク（図４の１９）と、前記第２の集
積回路の上面に載置され上面に設けられたフィン（図４
の２１）が前記第１のヒートシンクに設けられた前記フ
ィンの断面とほぼ同一形状の穴（図４の２２）を挿通す
る第２のヒートシンク（図４の２０）と、前記第１のヒ
ートシンクを前記プリント基板及び前記第１の集積回路
に対して固定する固定手段（図１の６）とを備えてい
る。
【０００７】本発明のヒートシンクの実装構造は、第１
の集積回路へ作用する第１のヒートシンクの加圧力が過
大にならないようにするために前記第１のヒートシンク
と固定手段との間に設けられたスプリング（図２の８）
を備え、第２のヒートシンクを第２の集積回路に押し付
ける加圧手段（図２の１４，図４の１６）を備え、第２
のヒートシンクに設けられ前記第１のヒートシンクを前
記プリント基板及び第１の集積回路から取り外した時に
前記第２のヒートシンクが前記第１のヒートシンクに設
けた穴から抜け落ちないようにする係止部（図２の１
５，図４の１７）を備えることが望ましい。
の集積回路へ作用する第１のヒートシンクの加圧力が過
大にならないようにするために前記第１のヒートシンク
と固定手段との間に設けられたスプリング（図２の８）
を備え、第２のヒートシンクを第２の集積回路に押し付
ける加圧手段（図２の１４，図４の１６）を備え、第２
のヒートシンクに設けられ前記第１のヒートシンクを前
記プリント基板及び第１の集積回路から取り外した時に
前記第２のヒートシンクが前記第１のヒートシンクに設
けた穴から抜け落ちないようにする係止部（図２の１
５，図４の１７）を備えることが望ましい。
【０００８】この本発明のヒートシンクの実装構造は、
第１及び第２のヒートシンクの少くともいずれか一方は
放熱シート（図２及び図４の４）を介して第１及び第２
の集積回路の少くともいずれか一方の上面に載置された
ようにすることもでき、この場合は放熱シートは第１ま
たは第２のヒートシンクに接着することが望ましく、ま
た第１及び第２のヒートシンクの少くともいずれか一方
はグリスを介して第１及び第２の集積回路の少くともい
ずれか一方の上面に載置されたようにすることもでき
る。
第１及び第２のヒートシンクの少くともいずれか一方は
放熱シート（図２及び図４の４）を介して第１及び第２
の集積回路の少くともいずれか一方の上面に載置された
ようにすることもでき、この場合は放熱シートは第１ま
たは第２のヒートシンクに接着することが望ましく、ま
た第１及び第２のヒートシンクの少くともいずれか一方
はグリスを介して第１及び第２の集積回路の少くともい
ずれか一方の上面に載置されたようにすることもでき
る。
【０００９】さらに、本発明のヒートシンクの実装構造
は、第１のヒートシンクの周縁部とプリント基板の間に
ＥＭＩガスケットを挟む構造であることが望ましい。
は、第１のヒートシンクの周縁部とプリント基板の間に
ＥＭＩガスケットを挟む構造であることが望ましい。
【００１０】さらに上述の本発明のヒートシンクの実装
構造で、例えば第１の集積回路はＣＰＵであり第２の集
積回路はプリント基板の前記第１の集積回路の周辺に搭
載された複数のＬＳＩである。
構造で、例えば第１の集積回路はＣＰＵであり第２の集
積回路はプリント基板の前記第１の集積回路の周辺に搭
載された複数のＬＳＩである。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態のヒー
トシンクの実装構造の斜視図であり、図２及び図３はそ
れぞれ図１のＡＡ断面図及びＢＢ矢視図である。
して詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態のヒー
トシンクの実装構造の斜視図であり、図２及び図３はそ
れぞれ図１のＡＡ断面図及びＢＢ矢視図である。
【００１３】図１〜図３を参照すると、本実施の形態で
はプリント基板１にＣＰＵ２及びＣＰＵ２の周辺の複数
のキャシュメモリー等のＬＳＩ３が実装されている。プ
リント基板１はＣＰＵ２及びＬＳＩ３を取り囲むように
グランドパッド９を有し、グランドパッド９上には導電
性補強片１０が実装され、補強片１０はプリント基板１
に設けられた穴を通るネジ１１により固定されている。
補強片１０に導電性材料からなるＥＭＩガスケット１２
が接着されている。ＣＰＵ冷却用大型ヒートシンク５
は、下面中央部に設けられた凸部がＣＰＵ２上に放熱シ
ート４を介して載置され、ヒートシンク５及びプリント
基板１に設けられた穴を通るねじ６及びナット７によっ
てヒートシンク５はＣＰＵ２上に固定されている。ねじ
６の頭部とヒートシンク５の間に介在するスプリング８
により、ねじ６を締め付けてもヒートシンク５からＣＰ
Ｕ２に一定以上の力が加わらないよう調整されている。
放熱シート４はＣＰＵ用ヒートシンク５に接着されるべ
きである。また、弾性のあるＥＭＩガスケット１２がＣ
ＰＵ用ヒートシンク５の周縁部に接触し、ＣＰＵ２及び
ＬＳＩ３から放射される電磁波を遮断する。
はプリント基板１にＣＰＵ２及びＣＰＵ２の周辺の複数
のキャシュメモリー等のＬＳＩ３が実装されている。プ
リント基板１はＣＰＵ２及びＬＳＩ３を取り囲むように
グランドパッド９を有し、グランドパッド９上には導電
性補強片１０が実装され、補強片１０はプリント基板１
に設けられた穴を通るネジ１１により固定されている。
補強片１０に導電性材料からなるＥＭＩガスケット１２
が接着されている。ＣＰＵ冷却用大型ヒートシンク５
は、下面中央部に設けられた凸部がＣＰＵ２上に放熱シ
ート４を介して載置され、ヒートシンク５及びプリント
基板１に設けられた穴を通るねじ６及びナット７によっ
てヒートシンク５はＣＰＵ２上に固定されている。ねじ
６の頭部とヒートシンク５の間に介在するスプリング８
により、ねじ６を締め付けてもヒートシンク５からＣＰ
Ｕ２に一定以上の力が加わらないよう調整されている。
放熱シート４はＣＰＵ用ヒートシンク５に接着されるべ
きである。また、弾性のあるＥＭＩガスケット１２がＣ
ＰＵ用ヒートシンク５の周縁部に接触し、ＣＰＵ２及び
ＬＳＩ３から放射される電磁波を遮断する。
【００１４】ＬＳＩ用ヒートシンク１３はＣＰＵ用ヒー
トシンク５のＬＳＩ３の上側の部分に設けられた穴１８
を挿通してＣＰＵ用ヒートシンク５に各々独立して取り
付けられており、ＬＳＩ用ヒートシンク１３は爪１５に
よりＣＰＵ用ヒートシンク５の穴１８からの脱落が防止
される。ＬＳＩ用ヒートシンク１３とＣＰＵ用ヒートシ
ンク５の間に挟まれた板状スプリング１４がヒートシン
ク１３をＬＳＩ３に押し付けている。この板状スプリン
グ１４は十分な弾性を有し、ＬＳＩ用ヒートシンク１３
をＬＳＩ３に接触させるに際し、ＬＳＩ３への加圧力を
低く抑え且つＬＳＩ３及び各部材の寸法公差を吸収して
いる。
トシンク５のＬＳＩ３の上側の部分に設けられた穴１８
を挿通してＣＰＵ用ヒートシンク５に各々独立して取り
付けられており、ＬＳＩ用ヒートシンク１３は爪１５に
よりＣＰＵ用ヒートシンク５の穴１８からの脱落が防止
される。ＬＳＩ用ヒートシンク１３とＣＰＵ用ヒートシ
ンク５の間に挟まれた板状スプリング１４がヒートシン
ク１３をＬＳＩ３に押し付けている。この板状スプリン
グ１４は十分な弾性を有し、ＬＳＩ用ヒートシンク１３
をＬＳＩ３に接触させるに際し、ＬＳＩ３への加圧力を
低く抑え且つＬＳＩ３及び各部材の寸法公差を吸収して
いる。
【００１５】ＬＳＩ用ヒートシンク１３は各ＬＳＩ３ご
とに独立して設けられ板状スプリング１４により、寸法
公差が吸収されている為、ＬＳＩ用ヒートシンク１３と
ＬＳＩ３との接触部は放熱性に優れた厚みの薄い放熱シ
ート４を介するだけにする事が可能であり、ＬＳＩ３か
ら熱伝導性の良い、効率良い放熱を行える。
とに独立して設けられ板状スプリング１４により、寸法
公差が吸収されている為、ＬＳＩ用ヒートシンク１３と
ＬＳＩ３との接触部は放熱性に優れた厚みの薄い放熱シ
ート４を介するだけにする事が可能であり、ＬＳＩ３か
ら熱伝導性の良い、効率良い放熱を行える。
【００１６】図４（Ａ）及び（Ｂ）それぞれは本発明の
他の実施の形態のヒートシンクの実装構造のＬＳＩ３の
近傍部分の断面図及び平面図である。本実施の形態は図
１〜図３に示した実施の形態に対しプリント基板１，Ｃ
ＰＵ２，ＬＳＩ３等は同一でＬＳＩ用ヒートシンク２０
等が異なっている。本実施の形態でのＣＰＵ用ヒートシ
ンク１９もＬＳＩ３の上側の部分は図１〜図３に示した
実施の形態と異なるがその他の部分は図１〜図３に示し
た実施の形態でのＣＰＵ用ヒートシンク５と同一であ
る。
他の実施の形態のヒートシンクの実装構造のＬＳＩ３の
近傍部分の断面図及び平面図である。本実施の形態は図
１〜図３に示した実施の形態に対しプリント基板１，Ｃ
ＰＵ２，ＬＳＩ３等は同一でＬＳＩ用ヒートシンク２０
等が異なっている。本実施の形態でのＣＰＵ用ヒートシ
ンク１９もＬＳＩ３の上側の部分は図１〜図３に示した
実施の形態と異なるがその他の部分は図１〜図３に示し
た実施の形態でのＣＰＵ用ヒートシンク５と同一であ
る。
【００１７】図４を参照すると、放熱シート４を介して
ＬＳＩ３上に載置されるＬＳＩ用ヒートシンク２０の上
面には複数の棒状のフィン２１が形成されている。
ＬＳＩ３上に載置されるＬＳＩ用ヒートシンク２０の上
面には複数の棒状のフィン２１が形成されている。
【００１８】ＬＳＩ用ヒートシンク１３の棒状フィン２
１とフィン２１を通す為にＣＰＵ用ヒートシンク１９に
空けられた穴２２との隙間はわずかであり、ＣＰＵ２及
びＬＳＩ３からの電磁波の遮断をより効果的に行うこと
ができる。棒状フィン２１に設けられた溝に装着された
ワッシャ１７がヒートシンク２０のＣＰＵ用ヒートシン
ク１９からの脱落を防ぎ、ＬＳＩ用ヒートシンク２０と
ＣＰＵ用ヒートシンク１９の間にはスプリング１６を有
し、ＬＳＩ用ヒートシンク２０をＬＳＩへ小さな力で加
圧している。
１とフィン２１を通す為にＣＰＵ用ヒートシンク１９に
空けられた穴２２との隙間はわずかであり、ＣＰＵ２及
びＬＳＩ３からの電磁波の遮断をより効果的に行うこと
ができる。棒状フィン２１に設けられた溝に装着された
ワッシャ１７がヒートシンク２０のＣＰＵ用ヒートシン
ク１９からの脱落を防ぎ、ＬＳＩ用ヒートシンク２０と
ＣＰＵ用ヒートシンク１９の間にはスプリング１６を有
し、ＬＳＩ用ヒートシンク２０をＬＳＩへ小さな力で加
圧している。
【００１９】放熱シート４は、例えばシリコン樹脂のシ
ートを用いることができ、ＣＰＵ用ヒートシンク５，１
９またはＬＳＩ用ヒートシンク１３，１９に接着してお
けば取り扱い易くなるが、接着してなくても本発明は適
用可能である。
ートを用いることができ、ＣＰＵ用ヒートシンク５，１
９またはＬＳＩ用ヒートシンク１３，１９に接着してお
けば取り扱い易くなるが、接着してなくても本発明は適
用可能である。
【００２０】また、放熱シート４を用いないでＣＰＵ２
及びＬＳＩ３の上面にシリコングリース等のグリースを
塗っておいてＣＰＵ２とＣＰＵ用ヒートシンク５，１９
との間及びＬＳＩ３とＬＳＩ用ヒートシンク１３，２０
との間にグリースを挟むようにしてもよい。この場合に
グリースを薄くしても本発明では十分な放熱効果を得る
ことができる。
及びＬＳＩ３の上面にシリコングリース等のグリースを
塗っておいてＣＰＵ２とＣＰＵ用ヒートシンク５，１９
との間及びＬＳＩ３とＬＳＩ用ヒートシンク１３，２０
との間にグリースを挟むようにしてもよい。この場合に
グリースを薄くしても本発明では十分な放熱効果を得る
ことができる。
【００２１】さらに、ＣＰＵ２及びＬＳＩ３の上面並び
にヒートシンクのこれらＣＰＵ２及びＬＳＩ３に対向す
る面の平面度及び表面粗さを十分に小さくしておけば、
放熱シートもグリースも用いずにＣＰＵ２及びＬＳＩ３
の上面にヒートシンクを直接に接触させるだけでもよ
い。この場合にも本発明はＣＰＵ用ヒートシンク及びＬ
ＳＩ用ヒートシンクが独立して動き得るように取り付け
られ、別個のスプリングで加圧されるためＣＰＵ２，Ｌ
ＳＩ３等の寸法のばらつきを吸収してＣＰＵ２及びＬＳ
Ｉ３の上面にヒートシンクを密着させることができ、十
分な放熱効果を得ることができる。
にヒートシンクのこれらＣＰＵ２及びＬＳＩ３に対向す
る面の平面度及び表面粗さを十分に小さくしておけば、
放熱シートもグリースも用いずにＣＰＵ２及びＬＳＩ３
の上面にヒートシンクを直接に接触させるだけでもよ
い。この場合にも本発明はＣＰＵ用ヒートシンク及びＬ
ＳＩ用ヒートシンクが独立して動き得るように取り付け
られ、別個のスプリングで加圧されるためＣＰＵ２，Ｌ
ＳＩ３等の寸法のばらつきを吸収してＣＰＵ２及びＬＳ
Ｉ３の上面にヒートシンクを密着させることができ、十
分な放熱効果を得ることができる。
【００２２】なお、ＣＰＵ２とＣＰＵ用ヒートシンクと
の間にのみ放熱シート４を挟み、ＬＳＩ３とＬＳＩ用ヒ
ートシンクとは直接に接触させることも勿論可能であ
る。
の間にのみ放熱シート４を挟み、ＬＳＩ３とＬＳＩ用ヒ
ートシンクとは直接に接触させることも勿論可能であ
る。
【００２３】図４には丸棒状のフィン２１を示してある
が、ＬＳＩ用ヒートシンクの上面に角棒状または平板状
のフィンを設け、ＣＰＵ用ヒートシンクにこれらを通す
ための角穴や長穴を開けるようにしてもよい。このよう
な場合にはＬＳＩ用ヒートシンクをＬＳＩに押し付ける
ためのスプリングを取り付け易いようにコイル状スプリ
ングまたは板状スプリング等の適切なものにすればよ
い。
が、ＬＳＩ用ヒートシンクの上面に角棒状または平板状
のフィンを設け、ＣＰＵ用ヒートシンクにこれらを通す
ための角穴や長穴を開けるようにしてもよい。このよう
な場合にはＬＳＩ用ヒートシンクをＬＳＩに押し付ける
ためのスプリングを取り付け易いようにコイル状スプリ
ングまたは板状スプリング等の適切なものにすればよ
い。
【００２４】また、プリント基板１の無振動が確保され
ているような場合は、ＬＳＩ用ヒートシンクをＬＳＩに
押し付ける加圧手段としてスプリングの代わりにＬＳＩ
ヒートシンクの自重を用いることができる場合もあり、
さらに加圧手段として磁力の利用も考えられる。
ているような場合は、ＬＳＩ用ヒートシンクをＬＳＩに
押し付ける加圧手段としてスプリングの代わりにＬＳＩ
ヒートシンクの自重を用いることができる場合もあり、
さらに加圧手段として磁力の利用も考えられる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のヒートシンクの実装構造は、プ
リント基板に実装された第１及び第２の集積回路及びそ
の周辺を第１及び第２のヒートシンクで覆い、第１及び
第２の集積回路から放射される電磁波を遮断し電磁障害
を防ぐことができる。
リント基板に実装された第１及び第２の集積回路及びそ
の周辺を第１及び第２のヒートシンクで覆い、第１及び
第２の集積回路から放射される電磁波を遮断し電磁障害
を防ぐことができる。
【００２６】また、第１及び第２の集積回路それぞれを
放熱させる第１及び第２のヒートシンクを独立に取り付
けることにより、各部材の寸法公差を吸収し、第１及び
第２の集積回路と第１及び第２のヒートシンクとの間に
介在させた場合に放熱シートを薄くし軟度が低いものに
しても第１及び第２のヒートシンクを放熱シートを介し
て第１及び第２の集積回路に十分に接触させることがで
き、第１及び第２の集積回路に対する熱伝導性の良い効
率の良い放熱、冷却が得られる効果がある。
放熱させる第１及び第２のヒートシンクを独立に取り付
けることにより、各部材の寸法公差を吸収し、第１及び
第２の集積回路と第１及び第２のヒートシンクとの間に
介在させた場合に放熱シートを薄くし軟度が低いものに
しても第１及び第２のヒートシンクを放熱シートを介し
て第１及び第２の集積回路に十分に接触させることがで
き、第１及び第２の集積回路に対する熱伝導性の良い効
率の良い放熱、冷却が得られる効果がある。
【図１】本発明の実施の形態のヒートシンクの冷却構造
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視図である。
【図４】（Ａ）は本発明の他の実施の形態のヒートシン
クの冷却構造の部分断面図である。（Ｂ）（Ａ）の部分
を上から見た平面図である。
クの冷却構造の部分断面図である。（Ｂ）（Ａ）の部分
を上から見た平面図である。
【図５】従来のヒートシンクの冷却構造の断面図であ
る。
る。
１ プリント基板 ２ ＣＰＵ ３ ＬＳＩ ４ 放熱シート ５ ＣＰＵ用ヒートシンク ６ ねじ ７ ナット ８ スプリング ９ グランドパッド １０ 導電性補強片 １１ ねじ １２ ＥＭＩガスケット １３ ＬＳＩ用ヒートシンク １４ 板状スプリング １５ 爪 １６ スプリング １７ ワッシャ １８ 穴 １９ ＣＰＵ用ヒートシンク ２０ ＬＳＩ用ヒートシンク ２１ 棒状フィン ２２ 穴 ５１ プリント基板 ５２ ＬＳＩ ５３ クッション材 ５４ ヒートシンク ５５ 導電性金属片
Claims (10)
- 【請求項１】 プリント基板と、このプリント基板に実
装された第１及び第２の集積回路と、前記第１の集積回
路の上面に載置されかつ前記プリント基板の少なくとも
前記第１及び第２の集積回路の周辺部分を覆う第１のヒ
ートシンクと、この第１のヒートシンクに設けられた穴
を挿通して前記第２の集積回路の上面に載置された第２
のヒートシンクと、前記第１のヒートシンクを前記プリ
ント基板及び前記第１の集積回路に対して固定する固定
手段とを含むことを特徴とするヒートシンクの実装構
造。 - 【請求項２】 プリント基板と、このプリント基板に実
装された第１及び第２の集積回路と、前記第１の集積回
路の上面に載置されかつ前記プリント基板の少なくとも
前記第１及び第２の集積回路の周辺部分を覆う第１のヒ
ートシンクと、前記第２の集積回路の上面に載置され上
面に設けられたフィンが前記第１のヒートシンクに設け
られた前記フィンの断面とほぼ同一形状の穴を挿通する
第２のヒートシンクと、前記第１のヒートシンクを前記
プリント基板及び前記第１の集積回路に対して固定する
固定手段とを含むことを特徴とするヒートシンクの実装
構造。 - 【請求項３】 第１の集積回路へ作用する第１のヒート
シンクの加圧力が過大にならないようにするために前記
第１のヒートシンクと固定手段との間に設けられたスプ
リングを備えたことを特徴とする請求項１または２記載
のヒートシンクの実装構造。 - 【請求項４】 第２のヒートシンクを第２の集積回路に
押し付ける加圧手段を備えたことを特徴とする請求項
１、２または３記載のヒートシンクの実装構造。 - 【請求項５】 第２のヒートシンクに設けられ前記第１
のヒートシンクを前記プリント基板及び第１の集積回路
から取り外した時に前記第２のヒートシンクが前記第１
のヒートシンクに設けた穴から抜け落ちないようにする
係止部を備えたことを特徴とする請求項４記載のヒート
シンクの実装構造。 - 【請求項６】 第１及び第２のヒートシンクの少なくと
もいずれか一方は放熱シートを介して第１及び第２の集
積回路の少なくともいずれか一方の上面に載置されたこ
とを特徴とする請求項１ないし５記載のヒートシンクの
実装構造。 - 【請求項７】 放熱シートは第１または第２のヒートシ
ンクに接着されたことを特徴とする請求項６記載のヒー
トシンクの実装構造。 - 【請求項８】 第１及び第２のヒートシンクの少なくと
もいずれか一方はグリスを介して第１及び第２の集積回
路の少なくともいずれか一方の上面に載置されたことを
特徴とする請求項１ないし７記載のヒートシンク実装構
造。 - 【請求項９】 第１のヒートシンクの周縁部とプリント
基板の間にＥＭＩガスケットが挟まれたことを特徴とす
る請求項１ないし８記載のヒートシンクの実装構造。 - 【請求項１０】 第１の集積回路はＣＰＵであり第２の
集積回路はプリント基板の前記第１の集積回路の周辺に
搭載された複数のＬＳＩであることを特徴とする請求項
１ないし９記載のヒートシンクの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8227125A JP2828059B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ヒートシンクの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8227125A JP2828059B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ヒートシンクの実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070383A JPH1070383A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2828059B2 true JP2828059B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=16855879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8227125A Expired - Fee Related JP2828059B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ヒートシンクの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2828059B2 (ja) |
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| JP2006251584A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Funai Electric Co Ltd | プロジェクタエンジン部構造 |
| CN100463594C (zh) * | 2005-06-18 | 2009-02-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具有散热功能的电磁屏蔽装置 |
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| JP5782741B2 (ja) | 2010-07-15 | 2015-09-24 | 富士通株式会社 | 電子機器 |
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| WO2014148026A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 日本電気株式会社 | ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法 |
| US10141241B2 (en) | 2014-09-27 | 2018-11-27 | Intel Corporation | Multi-chip self adjusting cooling solution |
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-
1996
- 1996-08-28 JP JP8227125A patent/JP2828059B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH1070383A (ja) | 1998-03-10 |
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