JP2001291981A - 高周波電流抑制型放熱板 - Google Patents
高周波電流抑制型放熱板Info
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品が高周波数で使用されても高周波電
流を十分に抑制して電磁干渉の発生を防止できる高周波
電流抑制型放熱板を提供すること。 【解決手段】 この放熱板１は、一主面側を取り付け面
とする基底板１ｂ上に所定の間隔で複数の翼部１ａが起
立して一体的に設けられ、且つ基底板１ｂにおける取り
付け面に放熱板１自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯
域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体２が設け
られた高周波電流抑制型のもので、半導体集積回路素子
（ＩＣ）５を配設したプリント配線回路基板４に実装す
る際、放熱板１の取り付け面に設けられた高周波電流抑
制体２がプリント配線回路基板４上のＩＣ５周囲に予め
成膜形成された別の同等な高周波電流抑制体３との間で
当接されることにより、ＩＣ５の表面全体を高周波電流
抑制体２，３で覆った状態で放熱板１が付設される構成
となっている。
流を十分に抑制して電磁干渉の発生を防止できる高周波
電流抑制型放熱板を提供すること。 【解決手段】 この放熱板１は、一主面側を取り付け面
とする基底板１ｂ上に所定の間隔で複数の翼部１ａが起
立して一体的に設けられ、且つ基底板１ｂにおける取り
付け面に放熱板１自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯
域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体２が設け
られた高周波電流抑制型のもので、半導体集積回路素子
（ＩＣ）５を配設したプリント配線回路基板４に実装す
る際、放熱板１の取り付け面に設けられた高周波電流抑
制体２がプリント配線回路基板４上のＩＣ５周囲に予め
成膜形成された別の同等な高周波電流抑制体３との間で
当接されることにより、ＩＣ５の表面全体を高周波電流
抑制体２，３で覆った状態で放熱板１が付設される構成
となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として高速動作
のために数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波数で使用さ
れる半導体集積回路素子（ＩＣ），半導体大規模集積回
路素子（ＬＳＩ），論理回路素子等の半導体能動素子に
代表される電子部品自体か、或いは電子部品が実装され
る回路基板又は筐体の所定箇所に付設される放熱板であ
って、詳しくは使用時に放熱板自体に流れる高周波電流
を減衰させる機能を備えた高周波電流抑制型放熱板に関
する。
のために数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波数で使用さ
れる半導体集積回路素子（ＩＣ），半導体大規模集積回
路素子（ＬＳＩ），論理回路素子等の半導体能動素子に
代表される電子部品自体か、或いは電子部品が実装され
る回路基板又は筐体の所定箇所に付設される放熱板であ
って、詳しくは使用時に放熱板自体に流れる高周波電流
を減衰させる機能を備えた高周波電流抑制型放熱板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の放熱板は、電源供給によ
り発熱する電子部品での温度上昇を放熱により防止する
ため、一般に電子部品自体や電子部品が実装される回路
基板又は筐体の所定箇所に付設されている。
り発熱する電子部品での温度上昇を放熱により防止する
ため、一般に電子部品自体や電子部品が実装される回路
基板又は筐体の所定箇所に付設されている。
【０００３】ところで、近年において電子情報通信分野
での電子機器や情報処理装置等に搭載されると共に、導
電性パターンが配備されたプリント配線回路基板に実装
される電子部品には、例えばランダムアクセスメモリ
（ＲＡＭ）やリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）等に代表
される半導体記憶装置、或いはマイクロプロセッサ（Ｍ
ＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ
算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等に代表される論理回
路素子を含む多種多用な半導体能動素子が用いられてい
る。
での電子機器や情報処理装置等に搭載されると共に、導
電性パターンが配備されたプリント配線回路基板に実装
される電子部品には、例えばランダムアクセスメモリ
（ＲＡＭ）やリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）等に代表
される半導体記憶装置、或いはマイクロプロセッサ（Ｍ
ＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ
算術論理演算装置（ＩＰＡＬＵ）等に代表される論理回
路素子を含む多種多用な半導体能動素子が用いられてい
る。
【０００４】これらの半導体能動素子は、製品化に際し
て一般に高い周波数で使用して高速動作を行わせるため
に回路レイアウトに従って大規模な集積化を行って信号
処理用に供される所定数の端子（通常リードフレームと
呼ばれる）を持たせた上で半導体集積回路素子（ＩＣ）
や半導体大規模集積回路素子（ＬＳＩ）のチップとして
構成されている。
て一般に高い周波数で使用して高速動作を行わせるため
に回路レイアウトに従って大規模な集積化を行って信号
処理用に供される所定数の端子（通常リードフレームと
呼ばれる）を持たせた上で半導体集積回路素子（ＩＣ）
や半導体大規模集積回路素子（ＬＳＩ）のチップとして
構成されている。
【０００５】こうした半導体能動素子では、演算速度や
信号処理速度が日進月歩の勢いで高速化されており、一
層高集積化した上で高速動作を行わせるために規格上に
おいて数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用さ
れている。これに伴って、半導体能動素子に付設される
放熱板にも、一層優れた放熱効率を有することが要求さ
れている。
信号処理速度が日進月歩の勢いで高速化されており、一
層高集積化した上で高速動作を行わせるために規格上に
おいて数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用さ
れている。これに伴って、半導体能動素子に付設される
放熱板にも、一層優れた放熱効率を有することが要求さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体能動素
子に代表される電子部品に付設される放熱板の場合、半
導体能動素子側で高速動作を行わせるために数十ＭＨｚ
〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用すると、半導体能動
素子の端子や放熱板自体に高周波（高調波）電流が流
れ、この高周波電流が部品間，端子を含む信号経路間，
或いは電気・電子部品が搭載される機器・装置間に伝導
することがある。こうした高周波電流は、部品（回路素
子）内での動作処理に悪影響を及ぼして誤動作を起こし
たり、或いは基本性能を劣化させる等、電磁干渉の要因
となるため、除去される必要があるが、現状では電子部
品及び放熱板において高周波電流対策が十分に配慮され
ていないため、高周波電流が原因となる電磁干渉の発生
を防止することができないという問題がある。
子に代表される電子部品に付設される放熱板の場合、半
導体能動素子側で高速動作を行わせるために数十ＭＨｚ
〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用すると、半導体能動
素子の端子や放熱板自体に高周波（高調波）電流が流
れ、この高周波電流が部品間，端子を含む信号経路間，
或いは電気・電子部品が搭載される機器・装置間に伝導
することがある。こうした高周波電流は、部品（回路素
子）内での動作処理に悪影響を及ぼして誤動作を起こし
たり、或いは基本性能を劣化させる等、電磁干渉の要因
となるため、除去される必要があるが、現状では電子部
品及び放熱板において高周波電流対策が十分に配慮され
ていないため、高周波電流が原因となる電磁干渉の発生
を防止することができないという問題がある。
【０００７】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、電子部品が数十Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用されても高周波
電流を十分に抑制して電磁干渉の発生を防止できる高周
波電流抑制型放熱板を提供することにある。
なされたもので、その技術的課題は、電子部品が数十Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用されても高周波
電流を十分に抑制して電磁干渉の発生を防止できる高周
波電流抑制型放熱板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電源供
給により発熱する電子部品自体か、或いは該電子部品が
実装される回路基板又は筐体の所定箇所に付設されると
共に、一主面側を取り付け面とする放熱板において、取
り付け面には、放熱板自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨ
ｚ帯域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体が設
けられた高周波電流抑制型放熱板が得られる。
給により発熱する電子部品自体か、或いは該電子部品が
実装される回路基板又は筐体の所定箇所に付設されると
共に、一主面側を取り付け面とする放熱板において、取
り付け面には、放熱板自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨ
ｚ帯域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体が設
けられた高周波電流抑制型放熱板が得られる。
【０００９】この高周波電流抑制型放熱板において、放
熱板は、基底板上に所定の間隔で複数の翼部が起立して
一体的に設けられて成ることは好ましい。又、これらの
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、スパッタリング法により基底板における取り付け面
に成膜されたこと、或いは高周波電流抑制体は、蒸着法
により基底板における取り付け面に成膜されたことは好
ましい。
熱板は、基底板上に所定の間隔で複数の翼部が起立して
一体的に設けられて成ることは好ましい。又、これらの
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、スパッタリング法により基底板における取り付け面
に成膜されたこと、或いは高周波電流抑制体は、蒸着法
により基底板における取り付け面に成膜されたことは好
ましい。
【００１０】更に、本発明によれば、上記何れか一つの
高周波電流抑制型放熱板において、電子部品は、高い周
波数帯域で使用されて高速動作する半導体能動素子であ
ると共に、半導体集積回路素子，半導体大規模集積回路
素子，及び論理回路素子の何れか一つを含む高周波電流
抑制型放熱板が得られる。
高周波電流抑制型放熱板において、電子部品は、高い周
波数帯域で使用されて高速動作する半導体能動素子であ
ると共に、半導体集積回路素子，半導体大規模集積回路
素子，及び論理回路素子の何れか一つを含む高周波電流
抑制型放熱板が得られる。
【００１１】この高周波電流抑制型放熱板において、高
周波電流抑制体の表面上には、熱伝導性の良い熱伝性シ
ートが配備されたこと、或いは高周波電流抑制体の表面
上には、電気的な絶縁性の良い絶縁シートが配備された
ことは好ましい。
周波電流抑制体の表面上には、熱伝導性の良い熱伝性シ
ートが配備されたこと、或いは高周波電流抑制体の表面
上には、電気的な絶縁性の良い絶縁シートが配備された
ことは好ましい。
【００１２】更に、本発明によれば、上記何れか一つの
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体，
熱伝性シート，及び絶縁シートの何れか一つの表面側に
は、接着用に供される両面粘着テープが配備された高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体，
熱伝性シート，及び絶縁シートの何れか一つの表面側に
は、接着用に供される両面粘着テープが配備された高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
【００１３】これらの何れか一つの高周波電流抑制型放
熱板において、高周波電流抑制体は、厚さが０．３〜２
０（μｍ）の範囲にあることや薄膜磁性体であることは
好ましい。
熱板において、高周波電流抑制体は、厚さが０．３〜２
０（μｍ）の範囲にあることや薄膜磁性体であることは
好ましい。
【００１４】一方、本発明によれば、上記何れか一つの
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくと
も一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくと
も一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含まれ
る元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物に
よるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特性
における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との関
係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が２００％以内である挟帯域磁気損失材料から成る高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくと
も一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくと
も一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含まれ
る元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物に
よるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特性
における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との関
係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が２００％以内である挟帯域磁気損失材料から成る高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
【００１５】この高周波電流抑制型放熱板において、挟
帯域磁気損失材料は、飽和磁化の大きさが組成分Ｍのみ
からなる金属磁性体の飽和磁化の８０〜６０（％）の範
囲にあること、更に挟帯域磁気損失材料は、直流電気抵
抗率が１００〜７００（μΩ・ｃｍ）の範囲にあること
はそれぞれ好ましい。
帯域磁気損失材料は、飽和磁化の大きさが組成分Ｍのみ
からなる金属磁性体の飽和磁化の８０〜６０（％）の範
囲にあること、更に挟帯域磁気損失材料は、直流電気抵
抗率が１００〜７００（μΩ・ｃｍ）の範囲にあること
はそれぞれ好ましい。
【００１６】他方、本発明によれば、上記何れか一つの
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくと
も一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくと
も一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含まれ
る元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物に
よるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特性
における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との関
係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が１５０％以上である広帯域磁気損失材料から成る高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
高周波電流抑制型放熱板において、高周波電流抑制体
は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくと
も一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくと
も一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含まれ
る元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物に
よるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特性
における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との関
係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が１５０％以上である広帯域磁気損失材料から成る高周
波電流抑制型放熱板が得られる。
【００１７】この高周波電流抑制型放熱板において、広
帯域磁気損失材料は、飽和磁化の大きさが組成分Ｍのみ
からなる金属磁性体の飽和磁化の６０〜３５（％）の範
囲にあること、更に広帯域磁気損失材料は、直流電気抵
抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値であることはそ
れぞれ好ましい。
帯域磁気損失材料は、飽和磁化の大きさが組成分Ｍのみ
からなる金属磁性体の飽和磁化の６０〜３５（％）の範
囲にあること、更に広帯域磁気損失材料は、直流電気抵
抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値であることはそ
れぞれ好ましい。
【００１８】加えて、本発明によれば、上記何れか一つ
の高周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損失材
料又は広帯域磁気損失材料は、組成分ＸがＣ，Ｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，及び希土類元素の少なくとも一種である高周波電流
抑制型放熱板か、或いは挟帯域磁気損失材料又は広帯域
磁気損失材料は、組成分Ｍが組成分Ｘ及び組成分Ｙによ
る化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状
の形態で存在する高周波電流抑制型放熱板が得られる。
後者の高周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損
失材料又は広帯域磁気損失材料は、グラニュラー状の形
態を有する粒子の平均粒子径が１〜４０（ｎｍ）の範囲
にあることは好ましい。
の高周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損失材
料又は広帯域磁気損失材料は、組成分ＸがＣ，Ｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，及び希土類元素の少なくとも一種である高周波電流
抑制型放熱板か、或いは挟帯域磁気損失材料又は広帯域
磁気損失材料は、組成分Ｍが組成分Ｘ及び組成分Ｙによ
る化合物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状
の形態で存在する高周波電流抑制型放熱板が得られる。
後者の高周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損
失材料又は広帯域磁気損失材料は、グラニュラー状の形
態を有する粒子の平均粒子径が１〜４０（ｎｍ）の範囲
にあることは好ましい。
【００１９】又、本発明によれば、上記何れか一つの高
周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損失材料又
は広帯域磁気損失材料は、異方性磁界が４７４００Ａ／
ｍ以下である高周波電流抑制型放熱板が得られる。
周波電流抑制型放熱板において、挟帯域磁気損失材料又
は広帯域磁気損失材料は、異方性磁界が４７４００Ａ／
ｍ以下である高周波電流抑制型放熱板が得られる。
【００２０】更に、本発明によれば、上記何れか一つの
高周波電流抑制型放熱板において、Ｍ−Ｘ−Ｙ系はＦｅ
−Ａｌ−Ｏ系である高周波電流抑制型放熱板か、或いは
Ｍ−Ｘ−Ｙ系はＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系である高周波電流抑制
型放熱板が得られる。
高周波電流抑制型放熱板において、Ｍ−Ｘ−Ｙ系はＦｅ
−Ａｌ−Ｏ系である高周波電流抑制型放熱板か、或いは
Ｍ−Ｘ−Ｙ系はＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系である高周波電流抑制
型放熱板が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明の高
周波電流抑制型放熱板について、図面を参照して詳細に
説明する。
周波電流抑制型放熱板について、図面を参照して詳細に
説明する。
【００２２】図１は、本発明の一実施例に係る電子部品
用高周波電流抑制型の放熱板１の基本構成を示した側面
図であり、同図（ａ）はプリント配線回路基板４に対す
る実装前状態に関するもの，同図（ｂ）はプリント配線
基板４に対する実装後状態に関するものである。
用高周波電流抑制型の放熱板１の基本構成を示した側面
図であり、同図（ａ）はプリント配線回路基板４に対す
る実装前状態に関するもの，同図（ｂ）はプリント配線
基板４に対する実装後状態に関するものである。
【００２３】図１（ａ）を参照すれば、この放熱板１
は、一主面側を取り付け面とする基底板１ｂ上に所定の
間隔で複数の翼部１ａが起立して一体的に設けられ、且
つ基底板１ｂにおける取り付け面に放熱板１自体に流れ
る数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波電流を減衰させる
高周波電流抑制体２が設けられることで高周波電流抑制
型として構成されている。
は、一主面側を取り付け面とする基底板１ｂ上に所定の
間隔で複数の翼部１ａが起立して一体的に設けられ、且
つ基底板１ｂにおける取り付け面に放熱板１自体に流れ
る数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波電流を減衰させる
高周波電流抑制体２が設けられることで高周波電流抑制
型として構成されている。
【００２４】図１（ｂ）を参照すれば、このような高周
波電流抑制型の放熱板１を電子部品として半導体集積回
路素子（ＩＣ）５を配設したプリント配線回路基板４に
実装する際、放熱板１の取り付け面に設けられた高周波
電流抑制体２がプリント配線回路基板４上の半導体集積
回路素子５周囲に予め成膜形成された別の同等な数十Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波電流を減衰させる高周波電
流抑制体３との間で当接されることにより、半導体集積
回路素子５の表面全体を高周波電流抑制体２，３で覆っ
た状態で放熱板１が付設される構成となっている。但
し、ここでの高周波電流抑制体２と半導体集積回路素子
５及び高周波電流抑制体３との当接は、部材間を接着剤
を用いて接着接合するか、或いは接着用に供される両面
粘着テープを用いて接着接合することにより得られるも
のである。又、ここでの高周波電流抑制体２，３は、何
れも薄膜磁性体であって、数十ＭＨｚ未満の使用周波数
帯域で導電性を示すものとなっている。
波電流抑制型の放熱板１を電子部品として半導体集積回
路素子（ＩＣ）５を配設したプリント配線回路基板４に
実装する際、放熱板１の取り付け面に設けられた高周波
電流抑制体２がプリント配線回路基板４上の半導体集積
回路素子５周囲に予め成膜形成された別の同等な数十Ｍ
Ｈｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波電流を減衰させる高周波電
流抑制体３との間で当接されることにより、半導体集積
回路素子５の表面全体を高周波電流抑制体２，３で覆っ
た状態で放熱板１が付設される構成となっている。但
し、ここでの高周波電流抑制体２と半導体集積回路素子
５及び高周波電流抑制体３との当接は、部材間を接着剤
を用いて接着接合するか、或いは接着用に供される両面
粘着テープを用いて接着接合することにより得られるも
のである。又、ここでの高周波電流抑制体２，３は、何
れも薄膜磁性体であって、数十ＭＨｚ未満の使用周波数
帯域で導電性を示すものとなっている。
【００２５】このような高周波電流抑制型の放熱板１を
備えた半導体集積回路素子５では、その周囲のプリント
配線回路基板４上に成膜された高周波電流抑制体３が半
導体集積回路素子５の側面に接触しており、しかも放熱
板１自体の取り付け面に設けられた高周波電流抑制体２
が半導体集積回路素子５の上面及び高周波電流抑制体３
に当接する形態であるため、半導体集積回路素子５を数
十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用しても、高
周波電流抑制体２，３が半導体集積回路素子５の端子や
放熱板１自体を流れる高周波電流を未然に十分に減衰さ
せた上、電磁干渉の発生を防止してその悪影響を除去す
ることができる。
備えた半導体集積回路素子５では、その周囲のプリント
配線回路基板４上に成膜された高周波電流抑制体３が半
導体集積回路素子５の側面に接触しており、しかも放熱
板１自体の取り付け面に設けられた高周波電流抑制体２
が半導体集積回路素子５の上面及び高周波電流抑制体３
に当接する形態であるため、半導体集積回路素子５を数
十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数で使用しても、高
周波電流抑制体２，３が半導体集積回路素子５の端子や
放熱板１自体を流れる高周波電流を未然に十分に減衰さ
せた上、電磁干渉の発生を防止してその悪影響を除去す
ることができる。
【００２６】ところで、この放熱板１における半導体集
積回路素子５に対する当接部分の形状を変えることで放
熱板１の取り付け面に設けられる高周波電流抑制体２の
形態を変え、例えば図２に示されるような他の実施例に
係る高周波電流抑制型の放熱板１′のように異なる構成
にすることもできる。
積回路素子５に対する当接部分の形状を変えることで放
熱板１の取り付け面に設けられる高周波電流抑制体２の
形態を変え、例えば図２に示されるような他の実施例に
係る高周波電流抑制型の放熱板１′のように異なる構成
にすることもできる。
【００２７】即ち、この放熱板１′の場合、翼部１ａの
構成は放熱板１と同じであるが、ここでは基底板１ｂ′
が半導体集積回路素子５を収納できるように切り欠かれ
ており、その切り欠き部を含む取り付け面上に高周波電
流抑制体２′が成膜されており、これによって一実施例
のものの構成と比べ、予めプリント配線回路基板４上の
半導体集積回路素子５周囲に高周波電流抑制体３を成膜
形成しておく必要が無いように構成した点が相違してい
る。但し、ここでの高周波電流抑制体２′と半導体集積
回路素子５及びプリント配線回路基板４との当接も、部
材間を接着剤を用いて接着接合するか、或いは接着用に
供される両面粘着テープを用いて接着接合することによ
り得られるものであり、高周波電流抑制体２′は数十Ｍ
Ｈｚ未満の使用周波数帯域で導電性を示す薄膜磁性体と
なっている。
構成は放熱板１と同じであるが、ここでは基底板１ｂ′
が半導体集積回路素子５を収納できるように切り欠かれ
ており、その切り欠き部を含む取り付け面上に高周波電
流抑制体２′が成膜されており、これによって一実施例
のものの構成と比べ、予めプリント配線回路基板４上の
半導体集積回路素子５周囲に高周波電流抑制体３を成膜
形成しておく必要が無いように構成した点が相違してい
る。但し、ここでの高周波電流抑制体２′と半導体集積
回路素子５及びプリント配線回路基板４との当接も、部
材間を接着剤を用いて接着接合するか、或いは接着用に
供される両面粘着テープを用いて接着接合することによ
り得られるものであり、高周波電流抑制体２′は数十Ｍ
Ｈｚ未満の使用周波数帯域で導電性を示す薄膜磁性体と
なっている。
【００２８】このような高周波電流抑制型の放熱板１′
を備えた半導体集積回路素子５においても、一実施例の
場合と同様に、半導体集積回路素子５の表面全体が高周
波電流抑制体２′で覆われた構成であるため、半導体集
積回路素子５を数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数
で使用しても、高周波電流抑制体２′が半導体集積回路
素子５の端子や放熱板１自体を流れる高周波電流を未然
に十分に減衰させた上、電磁干渉の発生を防止してその
悪影響を除去することができる。
を備えた半導体集積回路素子５においても、一実施例の
場合と同様に、半導体集積回路素子５の表面全体が高周
波電流抑制体２′で覆われた構成であるため、半導体集
積回路素子５を数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い周波数
で使用しても、高周波電流抑制体２′が半導体集積回路
素子５の端子や放熱板１自体を流れる高周波電流を未然
に十分に減衰させた上、電磁干渉の発生を防止してその
悪影響を除去することができる。
【００２９】何れにしても、高周波電流抑制体２，
２′，３は、厚さが０．３〜２０（μｍ）の範囲にあ
り、且つ全体が数十ＭＨｚ未満の使用周波数帯域で導電
性を示す薄膜磁性体として放熱板１，１′の基底板１
ｂ，１ｂ′における取り付け面やプリント配線回路基板
４上の半導体集積回路素子５周囲にスパッタリング法や
蒸着法により成膜されて一体的に設けられている。これ
らの高周波電流抑制体２，２′，３の成膜に際しては、
上述したスパッタリング法や蒸着法の他、化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）法，イオンビーム蒸着法，ガス・デポジション
法，転写法等を適用することができる。
２′，３は、厚さが０．３〜２０（μｍ）の範囲にあ
り、且つ全体が数十ＭＨｚ未満の使用周波数帯域で導電
性を示す薄膜磁性体として放熱板１，１′の基底板１
ｂ，１ｂ′における取り付け面やプリント配線回路基板
４上の半導体集積回路素子５周囲にスパッタリング法や
蒸着法により成膜されて一体的に設けられている。これ
らの高周波電流抑制体２，２′，３の成膜に際しては、
上述したスパッタリング法や蒸着法の他、化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）法，イオンビーム蒸着法，ガス・デポジション
法，転写法等を適用することができる。
【００３０】ところで、高周波電流抑制体２，２′，３
として適用可能な材料の一つは、組成分Ｍ（但し、Ｍは
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも一種とする），Ｙ（但
し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種とする），及びＸ
（但し、ＸはＭ及びＹに含まれる元素以外の元素の少な
くとも一種とする）の混在物によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気
損失材料であって、透磁率特性における実数部μ′に対
する虚数部μ″を周波数との関係で示した複素透磁率特
性上で虚数部μ″（磁気損失項とも呼ばれる）の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ虚数部μ″にあっての最大値μ″max に
対して５０％以上となる周波数帯域をその周波数帯域の
中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50が２
００％以内の挟帯域磁気損失材料である。但し、この場
合の挟帯域磁気損失材料では、飽和磁化の大きさが組成
分Ｍのみからなる金属磁性体の飽和磁化の８０〜６０
（％）の範囲にあり、直流電気抵抗率が１００〜７００
（μΩ・ｃｍ）の範囲にあるものとする。
として適用可能な材料の一つは、組成分Ｍ（但し、Ｍは
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも一種とする），Ｙ（但
し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種とする），及びＸ
（但し、ＸはＭ及びＹに含まれる元素以外の元素の少な
くとも一種とする）の混在物によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気
損失材料であって、透磁率特性における実数部μ′に対
する虚数部μ″を周波数との関係で示した複素透磁率特
性上で虚数部μ″（磁気損失項とも呼ばれる）の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ虚数部μ″にあっての最大値μ″max に
対して５０％以上となる周波数帯域をその周波数帯域の
中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50が２
００％以内の挟帯域磁気損失材料である。但し、この場
合の挟帯域磁気損失材料では、飽和磁化の大きさが組成
分Ｍのみからなる金属磁性体の飽和磁化の８０〜６０
（％）の範囲にあり、直流電気抵抗率が１００〜７００
（μΩ・ｃｍ）の範囲にあるものとする。
【００３１】又、高周波電流抑制体２，２′，３として
適用可能な材料のもう一つは、組成分Ｍ（但し、ＭはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも一種とする），Ｙ（但し、
ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種とする），及びＸ（但
し、ＸはＭ及びＹに含まれる元素以外の元素の少なくと
も一種とする）の混在物によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失
材料であって、透磁率特性における実数部μ′に対する
虚数部μ″を周波数との関係で示した複素透磁率特性上
で虚数部μ″の最大値μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜
１０ＧＨｚの帯域範囲に存在し、且つ虚数部μ″にあっ
ての最大値μ″ max に対して５０％以上となる周波数帯
域をその周波数帯域の中心周波数で規格化した半幅分相
当の半幅値μ″50が１５０％以上の広帯域磁気損失材料
である。但し、この場合の広帯域磁気損失材料では、飽
和磁化の大きさが組成分Ｍのみからなる金属磁性体の飽
和磁化の６０〜３５（％）の範囲にあり、直流電気抵抗
率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値のものとする。
適用可能な材料のもう一つは、組成分Ｍ（但し、ＭはＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも一種とする），Ｙ（但し、
ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種とする），及びＸ（但
し、ＸはＭ及びＹに含まれる元素以外の元素の少なくと
も一種とする）の混在物によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失
材料であって、透磁率特性における実数部μ′に対する
虚数部μ″を周波数との関係で示した複素透磁率特性上
で虚数部μ″の最大値μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜
１０ＧＨｚの帯域範囲に存在し、且つ虚数部μ″にあっ
ての最大値μ″ max に対して５０％以上となる周波数帯
域をその周波数帯域の中心周波数で規格化した半幅分相
当の半幅値μ″50が１５０％以上の広帯域磁気損失材料
である。但し、この場合の広帯域磁気損失材料では、飽
和磁化の大きさが組成分Ｍのみからなる金属磁性体の飽
和磁化の６０〜３５（％）の範囲にあり、直流電気抵抗
率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値のものとする。
【００３２】これらの高周波電流抑制体２，２′，３と
して適用される挟帯域磁気損失材料や広帯域磁気損失材
料は、何れも組成分ＸがＣ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａ，及び希土類元素の
少なくとも一種であり、組成分Ｍが組成分Ｘ及び組成分
Ｙによる化合物のマトリックス中に分散されたグラニュ
ラー状の形態で存在し、グラニュラー状の形態を有する
粒子の平均粒子径が１〜４０（ｎｍ）の範囲にあって、
異方性磁界が４７４００Ａ／ｍ以下のものとする。尚、
挟帯域磁気損失材料や広帯域磁気損失材料のＭ−Ｘ−Ｙ
系を具体的に限定すればＦｅ−Ａｌ−Ｏ系であるか、或
いはＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系であることが好ましい。
して適用される挟帯域磁気損失材料や広帯域磁気損失材
料は、何れも組成分ＸがＣ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａ，及び希土類元素の
少なくとも一種であり、組成分Ｍが組成分Ｘ及び組成分
Ｙによる化合物のマトリックス中に分散されたグラニュ
ラー状の形態で存在し、グラニュラー状の形態を有する
粒子の平均粒子径が１〜４０（ｎｍ）の範囲にあって、
異方性磁界が４７４００Ａ／ｍ以下のものとする。尚、
挟帯域磁気損失材料や広帯域磁気損失材料のＭ−Ｘ−Ｙ
系を具体的に限定すればＦｅ−Ａｌ−Ｏ系であるか、或
いはＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系であることが好ましい。
【００３３】因みに、上述した各実施例では、電子部品
として半導体集積回路素子（ＩＣ）５を用いた場合を説
明したが、これに代えて半導体大規模集積回路素子（Ｌ
ＳＩ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理
装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ算術論理演算装置（Ｉ
ＰＡＬＵ）等に代表される論理回路素子を含む半導体能
動素子を適用しても同様に有効である。又、上述した各
実施例では、放熱板１，１′を電源供給により発熱する
電子部品自体に付設する構成を説明したが、これに代え
て電子部品が実装されるプリント配線回路基板４の所定
箇所や或いは筐体の所定箇所に付設する構成に適用して
も同等に有効である。更に、こうした場合、例えば図１
（ａ）に示した電子部品用高周波電流抑制型の放熱板１
を図３に示されるように高周波電流抑制体２の表面上に
熱伝導性の良い熱伝性シート６を配備したり、或いは図
４に示されるように高周波電流抑制体２の表面上に電気
的な絶縁性の良いポリイミドフィルム（ＰＩ）等の絶縁
性シート７を配備した構成とした上、部材間を接着剤を
用いて接着接合するか、或いは接着用に供される両面粘
着テープを用いて接着接合することも有効である。加え
て、上述した各実施例では、放熱板１，１′が基底板１
ｂ，１ｂ′上に所定の間隔で複数の翼部１ａが起立して
一体的に設けられて成る汎用型のものとして説明した
が、放熱板の構成は一主面側を取り付け面とする形態で
あればこれに限定されない。
として半導体集積回路素子（ＩＣ）５を用いた場合を説
明したが、これに代えて半導体大規模集積回路素子（Ｌ
ＳＩ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理
装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ算術論理演算装置（Ｉ
ＰＡＬＵ）等に代表される論理回路素子を含む半導体能
動素子を適用しても同様に有効である。又、上述した各
実施例では、放熱板１，１′を電源供給により発熱する
電子部品自体に付設する構成を説明したが、これに代え
て電子部品が実装されるプリント配線回路基板４の所定
箇所や或いは筐体の所定箇所に付設する構成に適用して
も同等に有効である。更に、こうした場合、例えば図１
（ａ）に示した電子部品用高周波電流抑制型の放熱板１
を図３に示されるように高周波電流抑制体２の表面上に
熱伝導性の良い熱伝性シート６を配備したり、或いは図
４に示されるように高周波電流抑制体２の表面上に電気
的な絶縁性の良いポリイミドフィルム（ＰＩ）等の絶縁
性シート７を配備した構成とした上、部材間を接着剤を
用いて接着接合するか、或いは接着用に供される両面粘
着テープを用いて接着接合することも有効である。加え
て、上述した各実施例では、放熱板１，１′が基底板１
ｂ，１ｂ′上に所定の間隔で複数の翼部１ａが起立して
一体的に設けられて成る汎用型のものとして説明した
が、放熱板の構成は一主面側を取り付け面とする形態で
あればこれに限定されない。
【００３４】何れにしても、各実施例で説明した高周波
電流抑制体２，２′，３には、体積の小さな薄膜磁性体
であって、効果的な不要輻射対策を可能にした複素透磁
率特性における虚数部（以下、磁気損失項とする）μ″
の大きな磁気損失材料が用いられている。
電流抑制体２，２′，３には、体積の小さな薄膜磁性体
であって、効果的な不要輻射対策を可能にした複素透磁
率特性における虚数部（以下、磁気損失項とする）μ″
の大きな磁気損失材料が用いられている。
【００３５】そこで、以下はこうした磁気損失材料が研
究開発されるまでの技術的背景を説明する。本発明者等
は、本願出願以前に高周波帯域で磁気損失の大きな特性
の複合磁性体を提案し、これを不要輻射源の近傍に配置
することにより、半導体能動素子に代表される電子部品
から発生する不要輻射を効果的に抑制する方法を見い出
している。
究開発されるまでの技術的背景を説明する。本発明者等
は、本願出願以前に高周波帯域で磁気損失の大きな特性
の複合磁性体を提案し、これを不要輻射源の近傍に配置
することにより、半導体能動素子に代表される電子部品
から発生する不要輻射を効果的に抑制する方法を見い出
している。
【００３６】このような磁性体の磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用については、最近の研究から不要輻射
源となっている電子部品の電子回路に対して等価的な抵
抗成分が付与されるためであることが判っている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ″の大きさに依存している。詳述すれば、電子回路に
等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面積
が一定の場合には磁気損失項μ″と磁性体の厚さとに略
比例する。従って、一層小さな，或いは薄い磁性体で所
望の不要輻射減衰を得るためには、一層大きな磁気損失
項μ″が必要になる。例えば半導体集積回路素子のモー
ルド内部のような微小領域で磁気損失体を用いて不要輻
射対策を行うためには、磁気損失項μ″が極めて大きな
値である必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段
に大きな磁気損失項μ″を有する磁性体が求められる。
要輻射減衰の作用については、最近の研究から不要輻射
源となっている電子部品の電子回路に対して等価的な抵
抗成分が付与されるためであることが判っている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ″の大きさに依存している。詳述すれば、電子回路に
等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面積
が一定の場合には磁気損失項μ″と磁性体の厚さとに略
比例する。従って、一層小さな，或いは薄い磁性体で所
望の不要輻射減衰を得るためには、一層大きな磁気損失
項μ″が必要になる。例えば半導体集積回路素子のモー
ルド内部のような微小領域で磁気損失体を用いて不要輻
射対策を行うためには、磁気損失項μ″が極めて大きな
値である必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段
に大きな磁気損失項μ″を有する磁性体が求められる。
【００３７】本発明者等はスパッタリング法，或いは蒸
着法による軟磁性体の成膜研究過程において、微小な磁
性金属粒子がセラミックスのような非磁性体中に均質に
分散されて成るグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性
に着目し、磁性金属粒子及びそれを囲う非磁性体の微細
構造を研究した結果、グラニュラー磁性体中に占める磁
性金属粒子の濃度が特定の範囲にある場合に高周波領域
において優れた磁気損失特性が得られることを見い出し
た。
着法による軟磁性体の成膜研究過程において、微小な磁
性金属粒子がセラミックスのような非磁性体中に均質に
分散されて成るグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性
に着目し、磁性金属粒子及びそれを囲う非磁性体の微細
構造を研究した結果、グラニュラー磁性体中に占める磁
性金属粒子の濃度が特定の範囲にある場合に高周波領域
において優れた磁気損失特性が得られることを見い出し
た。
【００３８】図５は、Ｍ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー磁性
体の基本構造を模式的に示したものである。Ｍ−Ｘ−Ｙ
系（但し、ここでの組成分ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少な
くとも一種、組成分ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種、
組成分Ｘは組成分Ｍ及び組成分Ｙに含まれる元素以外の
元素の少なくとも一種とする）の組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有することが知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー磁性体において、
飽和磁化の大きさは、組成分Ｍ１１の占める体積率に依
存するので、大きな飽和磁化を得るためには、組成分Ｍ
１１の比率を高くする必要がある。このため、高周波イ
ンダクタ素子，或いはトランス等の磁芯として用いるよ
うな一般的な用途の場合、Ｍ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー
磁性体中の組成分Ｍ１１の割合は、組成分Ｍ１１のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の概ね８０％以上の
飽和磁化が得られる範囲に限られていた。
体の基本構造を模式的に示したものである。Ｍ−Ｘ−Ｙ
系（但し、ここでの組成分ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少な
くとも一種、組成分ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なくとも一種、
組成分Ｘは組成分Ｍ及び組成分Ｙに含まれる元素以外の
元素の少なくとも一種とする）の組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有することが知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー磁性体において、
飽和磁化の大きさは、組成分Ｍ１１の占める体積率に依
存するので、大きな飽和磁化を得るためには、組成分Ｍ
１１の比率を高くする必要がある。このため、高周波イ
ンダクタ素子，或いはトランス等の磁芯として用いるよ
うな一般的な用途の場合、Ｍ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー
磁性体中の組成分Ｍ１１の割合は、組成分Ｍ１１のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の概ね８０％以上の
飽和磁化が得られる範囲に限られていた。
【００３９】そこで、本発明者等はＭ−Ｘ−Ｙ系のグラ
ニュラー磁性体において、組成分Ｍ１１の占める割合を
広い範囲で検討した結果、何れの場合であっても磁性金
属が特定濃度の範囲にあるときに高周波領域で大きな磁
気損失を示すことを見い出した。
ニュラー磁性体において、組成分Ｍ１１の占める割合を
広い範囲で検討した結果、何れの場合であっても磁性金
属が特定濃度の範囲にあるときに高周波領域で大きな磁
気損失を示すことを見い出した。
【００４０】一般に、組成分Ｍ１１の比率が組成分Ｍ１
１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に対して８
０％以上の飽和磁化を示すような最も高い領域は、従来
より盛んに研究されている高飽和磁化において低損失な
Ｍ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー磁性体の領域である。この
領域にあるグラニュラー磁性体材料は、透磁率特性にお
ける実数部μ′並びに飽和磁化の値が大きいため、上述
したように高周波インダクタのような高周波マイクロ磁
気デバイスに用いられるが、電気抵抗を左右する組成分
Ｘ−Ｙ１２の占める割合が少ないので、電気抵抗率が小
さい。このため、膜厚が厚くなると高周波領域での渦電
流損失の発生に伴って高周波での透磁率μが劣化するの
で、ノイズ対策に用いるような比較的厚い磁性膜には不
向きとなっている。
１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に対して８
０％以上の飽和磁化を示すような最も高い領域は、従来
より盛んに研究されている高飽和磁化において低損失な
Ｍ−Ｘ−Ｙ系のグラニュラー磁性体の領域である。この
領域にあるグラニュラー磁性体材料は、透磁率特性にお
ける実数部μ′並びに飽和磁化の値が大きいため、上述
したように高周波インダクタのような高周波マイクロ磁
気デバイスに用いられるが、電気抵抗を左右する組成分
Ｘ−Ｙ１２の占める割合が少ないので、電気抵抗率が小
さい。このため、膜厚が厚くなると高周波領域での渦電
流損失の発生に伴って高周波での透磁率μが劣化するの
で、ノイズ対策に用いるような比較的厚い磁性膜には不
向きとなっている。
【００４１】これに対し、組成分Ｍ１１の比率が、組成
分Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８
０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領域は、電
気抵抗率が概ね１００μΩ・ｃｍ以上と比較的大きいた
め、磁性体材料の厚さが数μｍ程度あっても渦電流によ
る損失が少なく、磁気損失は殆ど自然共鳴による損失と
なる。このため、磁気損失項μ″の周波数分散幅が狭く
なるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対策（高周波
電流抑制）に適している。組成分Ｍ１１の比率が組成分
Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率が概ね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいために、渦
電流による損失は極めて小さく、組成分Ｍ１１間の磁気
的な相互作用が小さくなることでスピンの熱擾乱が大き
くなり、自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、その
結果として磁気損失項μ″は広い範囲で大きな値を示す
ようになる。従って、こうした適性な組成領域であれば
広帯域な高周波電流の抑制に有効となる。因みに、組成
分Ｍ１１の比率が適性な組成領域よりも更に小さな領域
は、組成分Ｍ１１間の磁気的相互作用が殆ど生じなくな
るので超常磁性となる。
分Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８
０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領域は、電
気抵抗率が概ね１００μΩ・ｃｍ以上と比較的大きいた
め、磁性体材料の厚さが数μｍ程度あっても渦電流によ
る損失が少なく、磁気損失は殆ど自然共鳴による損失と
なる。このため、磁気損失項μ″の周波数分散幅が狭く
なるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対策（高周波
電流抑制）に適している。組成分Ｍ１１の比率が組成分
Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率が概ね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいために、渦
電流による損失は極めて小さく、組成分Ｍ１１間の磁気
的な相互作用が小さくなることでスピンの熱擾乱が大き
くなり、自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、その
結果として磁気損失項μ″は広い範囲で大きな値を示す
ようになる。従って、こうした適性な組成領域であれば
広帯域な高周波電流の抑制に有効となる。因みに、組成
分Ｍ１１の比率が適性な組成領域よりも更に小さな領域
は、組成分Ｍ１１間の磁気的相互作用が殆ど生じなくな
るので超常磁性となる。
【００４２】ところで、磁気損失材料を電子回路の直近
に配設して高周波電流を抑制する際の材料設計の目安
は、磁気損失項μ″と磁気損失材料の厚さδとの積μ″
・δで与えられ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流
に対して効果的な抑制を得るには、概ねμ″・δ≧１０
００（μｍ）が必要となる。従って、μ″＝１０００の
磁気損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、渦電
流損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電
気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以上となるような上述した
適性な組成領域（組成分Ｍ１１の比率が組成分Ｍ１１の
みからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下と
なる飽和磁化を示し、且つ超常磁性の発現しない領域で
あり、組成分Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽
和磁化に対して３５％以上の飽和磁化を示す領域）が適
している。
に配設して高周波電流を抑制する際の材料設計の目安
は、磁気損失項μ″と磁気損失材料の厚さδとの積μ″
・δで与えられ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流
に対して効果的な抑制を得るには、概ねμ″・δ≧１０
００（μｍ）が必要となる。従って、μ″＝１０００の
磁気損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、渦電
流損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電
気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以上となるような上述した
適性な組成領域（組成分Ｍ１１の比率が組成分Ｍ１１の
みからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下と
なる飽和磁化を示し、且つ超常磁性の発現しない領域で
あり、組成分Ｍ１１のみからなるバルク金属磁性体の飽
和磁化に対して３５％以上の飽和磁化を示す領域）が適
している。
【００４３】以下は、上述した各実施例の高周波電流抑
制体２，２′，３の材料であるグラニュラー状の磁気損
失材料をスパッタリング法により異なる条件で幾つかの
試料として製造する工程を具体的に説明する。但し、各
試料の作製に際しては、図６（ａ）に示されるようなス
パッタリング法適用型試料作製装置を用いている。この
スパッタリング法適用型試料作製装置は、ガス供給装置
２２及び真空ポンプ２７が結合された真空容器（チャン
バ）１８内にシャッタ２１を挟んで基板２３と組成分Ｘ
−Ｙ，或いは組成分Ｘから成るチップ２４を所定の間隔
で配備された組成分Ｍから成るターゲット２５とが対向
して配備され、チップ２４及びターゲット２５の支持部
側に接地接続された高周波電源装置（ＲＦ）２６が接続
されて成っている。
制体２，２′，３の材料であるグラニュラー状の磁気損
失材料をスパッタリング法により異なる条件で幾つかの
試料として製造する工程を具体的に説明する。但し、各
試料の作製に際しては、図６（ａ）に示されるようなス
パッタリング法適用型試料作製装置を用いている。この
スパッタリング法適用型試料作製装置は、ガス供給装置
２２及び真空ポンプ２７が結合された真空容器（チャン
バ）１８内にシャッタ２１を挟んで基板２３と組成分Ｘ
−Ｙ，或いは組成分Ｘから成るチップ２４を所定の間隔
で配備された組成分Ｍから成るターゲット２５とが対向
して配備され、チップ２４及びターゲット２５の支持部
側に接地接続された高周波電源装置（ＲＦ）２６が接続
されて成っている。
【００４４】（試料１）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１２０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによって上述したグラニュラー磁性薄膜による試
料１を得た。
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１２０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによって上述したグラニュラー磁性薄膜による試
料１を得た。
【００４５】この試料１を蛍光Ｘ線分析したところ、Ｆ
ｅ72Ａｌ11Ｏ17の組成を有し、膜厚は２．０μｍ、直流
抵抗率は５３０μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は１４２２
Ａ／ｍであり、飽和磁化Ｍs は１．６８Ｔ（テスラ）、
複素透磁率特性上で磁気損失項μ″にあっての最大値
μ″max に対して５０％以上となる周波数帯域をその中
心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50（以下
も同様であるとする）は１４８％であり、その飽和磁化
Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）と組成分Ｍのみから成る金属磁性体
の飽和磁化Ｍs （Ｍ）との比率値｛Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）
／Ｍs （Ｍ）｝×１００％（以下も同様であるとする）
は７２．２％であった。
ｅ72Ａｌ11Ｏ17の組成を有し、膜厚は２．０μｍ、直流
抵抗率は５３０μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は１４２２
Ａ／ｍであり、飽和磁化Ｍs は１．６８Ｔ（テスラ）、
複素透磁率特性上で磁気損失項μ″にあっての最大値
μ″max に対して５０％以上となる周波数帯域をその中
心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50（以下
も同様であるとする）は１４８％であり、その飽和磁化
Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）と組成分Ｍのみから成る金属磁性体
の飽和磁化Ｍs （Ｍ）との比率値｛Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）
／Ｍs （Ｍ）｝×１００％（以下も同様であるとする）
は７２．２％であった。
【００４６】又、試料１の磁気損失特性を検証するため
に周波数ｆに対する透磁率μ特性を短冊状に加工した検
出コイルに試料１を挿入してバイアス磁場を印加しなが
らインピーダンスを測定することにより行い、この結果
に基づいて周波数ｆに対する磁気損失項μ″特性（複素
透磁率特性）を得た。
に周波数ｆに対する透磁率μ特性を短冊状に加工した検
出コイルに試料１を挿入してバイアス磁場を印加しなが
らインピーダンスを測定することにより行い、この結果
に基づいて周波数ｆに対する磁気損失項μ″特性（複素
透磁率特性）を得た。
【００４７】図７は、この試料１の周波数ｆ（ＭＨｚ）
に対する磁気損失項μ″特性（複素透磁率特性）を示し
たものである。図６からは、試料１の磁気損失項μ″の
場合、分散がやや急峻でピーク値が非常に大きくなって
おり、共鳴周波数も７００ＭＨｚ付近と高くなっている
ことが判る。
に対する磁気損失項μ″特性（複素透磁率特性）を示し
たものである。図６からは、試料１の磁気損失項μ″の
場合、分散がやや急峻でピーク値が非常に大きくなって
おり、共鳴周波数も７００ＭＨｚ付近と高くなっている
ことが判る。
【００４８】（試料２）ここでは、上述した試料１を作
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を１５０個に
代えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー
磁性薄膜による試料２を得た。
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を１５０個に
代えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー
磁性薄膜による試料２を得た。
【００４９】この試料２を蛍光Ｘ線分析したところ、Ｆ
ｅ44Ａｌ22Ｏ34の組成を有し、膜厚は１．２μｍ、直流
抵抗率は２４００μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は９４８
０Ａ／ｍであり、飽和磁化Ｍs は０．９６Ｔ、半幅値
μ″50は１８１％であり、比率値｛Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）
／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４４．５％であった。
ｅ44Ａｌ22Ｏ34の組成を有し、膜厚は１．２μｍ、直流
抵抗率は２４００μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は９４８
０Ａ／ｍであり、飽和磁化Ｍs は０．９６Ｔ、半幅値
μ″50は１８１％であり、比率値｛Ｍs （Ｍ−Ｘ−Ｙ）
／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４４．５％であった。
【００５０】図８は、試料２の周波数ｆ（ＭＨｚ）に対
する磁気損失項μ″特性（複素透磁率特性）を示したも
のである。図８からは、試料２の磁気損失項μ″の場
合、熱擾乱のために分散がなだらかになって広帯域に拡
がり、試料１の場合と同様にピーク値が大きな値となっ
ているが、試料１の場合と比べて直流抵抗率の値が非常
に大きくなっており、共鳴周波数も１ＧＨｚ付近にピー
クがあって優れた高周波数特性を示していることが判
る。
する磁気損失項μ″特性（複素透磁率特性）を示したも
のである。図８からは、試料２の磁気損失項μ″の場
合、熱擾乱のために分散がなだらかになって広帯域に拡
がり、試料１の場合と同様にピーク値が大きな値となっ
ているが、試料１の場合と比べて直流抵抗率の値が非常
に大きくなっており、共鳴周波数も１ＧＨｚ付近にピー
クがあって優れた高周波数特性を示していることが判
る。
【００５１】（試料３）ここでは、上述した試料１を作
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を９０個に代
えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー磁
性薄膜による第１の比較試料となる試料３を得た。
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を９０個に代
えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー磁
性薄膜による第１の比較試料となる試料３を得た。
【００５２】この試料３を蛍光Ｘ線分析したところ、Ｆ
ｅ86Ａｌ6 Ｏ8 の組成を有し、膜厚は１．２μｍ、直流
抵抗率は７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は１７３８Ａ
／ｍであり、飽和磁化Ｍs は１．８８Ｔ、比率値｛Ｍs
（Ｍ−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は８５．７％
であった。
ｅ86Ａｌ6 Ｏ8 の組成を有し、膜厚は１．２μｍ、直流
抵抗率は７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈk は１７３８Ａ
／ｍであり、飽和磁化Ｍs は１．８８Ｔ、比率値｛Ｍs
（Ｍ−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は８５．７％
であった。
【００５３】図９は、試料３（第１の比較試料）の周波
数ｆ（ＭＨｚ）に対する磁気損失項μ″特性（複素透磁
率特性）を示したものである。図９からは、第１の比較
試料（試料３）の磁気損失項μ″の場合、飽和磁化が大
きいことを反映してピークが大きな値を示しているが、
抵抗値が低いために周波数の増加に伴って渦電流損失が
発生し、これにより低周波数領域から磁気損失特性の劣
化を生じており、試料１，２と比べて高周波での特性が
悪くなっていることが判る。
数ｆ（ＭＨｚ）に対する磁気損失項μ″特性（複素透磁
率特性）を示したものである。図９からは、第１の比較
試料（試料３）の磁気損失項μ″の場合、飽和磁化が大
きいことを反映してピークが大きな値を示しているが、
抵抗値が低いために周波数の増加に伴って渦電流損失が
発生し、これにより低周波数領域から磁気損失特性の劣
化を生じており、試料１，２と比べて高周波での特性が
悪くなっていることが判る。
【００５４】（試料４）ここでは、上述した試料１を作
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を２００個に
代えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー
磁性薄膜による第２の比較試料となる試料４を得た。
製した場合と比べてＡｌ2 Ｏ3 チップの数を２００個に
代えた以外は全く同様な条件並びに手順でグラニュラー
磁性薄膜による第２の比較試料となる試料４を得た。
【００５５】この試料４を蛍光Ｘ線分析したところ、Ｆ
ｅ19Ａｌ34Ｏ47の組成を有し、膜厚は１．３μｍ、直流
抵抗率は１０５００μΩ・ｃｍ、磁気特性は超常磁性的
な振る舞いを示した。
ｅ19Ａｌ34Ｏ47の組成を有し、膜厚は１．３μｍ、直流
抵抗率は１０５００μΩ・ｃｍ、磁気特性は超常磁性的
な振る舞いを示した。
【００５６】この試料４（第２の比較試料）において
も、周波数ｆに対する磁気損失項μ″特性（複素透磁率
特性）を得ようと試みたが、試料４の場合には酸化物層
の割合が大きいために抵抗値が非常に大きくなっている
反面、磁性を担う相が少なくて磁性粒子間の磁気的相互
作用も極めて小さくなっているため、結果として超常磁
性的な振る舞いを示し、観測できないことが判った。
も、周波数ｆに対する磁気損失項μ″特性（複素透磁率
特性）を得ようと試みたが、試料４の場合には酸化物層
の割合が大きいために抵抗値が非常に大きくなっている
反面、磁性を担う相が少なくて磁性粒子間の磁気的相互
作用も極めて小さくなっているため、結果として超常磁
性的な振る舞いを示し、観測できないことが判った。
【００５７】これらの結果より、試料１，２のグラニュ
ラー磁性薄膜による磁性体は、高周波領域のみの狭帯域
において非常に大きな磁気損失特性を示し、高周波電流
抑制体として極めて有効であることが判る。
ラー磁性薄膜による磁性体は、高周波領域のみの狭帯域
において非常に大きな磁気損失特性を示し、高周波電流
抑制体として極めて有効であることが判る。
【００５８】（試料５）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＡｒ＋Ｎ2 ガスを供給すると共
に、真空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３
３×１０-4Ｐａとなるように保ったＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲
気中でターゲット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ
製円板上にチップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ
×厚さ２ｍｍの総計１２０個のＡｌチップを配備した上
で高周波電源装置２６により高周波電源を供給した条件
下において、反応性スパッタリング法により基板２３と
なるガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより
得られた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２
時間熱処理を施すことによって上述した組成とは異なる
グラニュラー磁性薄膜による試料５を得た。
より真空容器１８内へＡｒ＋Ｎ2 ガスを供給すると共
に、真空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３
３×１０-4Ｐａとなるように保ったＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲
気中でターゲット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ
製円板上にチップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ
×厚さ２ｍｍの総計１２０個のＡｌチップを配備した上
で高周波電源装置２６により高周波電源を供給した条件
下において、反応性スパッタリング法により基板２３と
なるガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより
得られた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２
時間熱処理を施すことによって上述した組成とは異なる
グラニュラー磁性薄膜による試料５を得た。
【００５９】この試料５の寸法並びに磁気特性を調べた
ところ、膜厚は１．５μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５１．９％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は５２０であり、
その最大値μ″max ＝５２０での周波数ｆ（μ″max ）
は８３０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１７５％である
ことが判った。
ところ、膜厚は１．５μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５１．９％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は５２０であり、
その最大値μ″max ＝５２０での周波数ｆ（μ″max ）
は８３０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１７５％である
ことが判った。
【００６０】（試料６）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１３０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料６を得
た。
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１３０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料６を得
た。
【００６１】この試料６の寸法並びに磁気特性を調べた
ところ、膜厚は１．１μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は６４．７％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は８５０であり、
その最大値μ″max ＝８５０での周波数ｆ（μ″max ）
は８００ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１５７％である
ことが判った。
ところ、膜厚は１．１μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は６４．７％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は８５０であり、
その最大値μ″max ＝８５０での周波数ｆ（μ″max ）
は８００ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１５７％である
ことが判った。
【００６２】（試料７）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＮ2 分圧を１０％とするＡｒ＋Ｎ
2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１
８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保っ
たＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直径
φ＝１００ｍｍのＣｏ製円板上にチップ２４となる寸法
＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１７０個のＡ
ｌチップを配備した上で高周波電源装置２６により高周
波電源を供給した条件下において、反応性スパッタリン
グ法により基板２３となるガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度条件３０
０℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことによってグ
ラニュラー磁性薄膜による試料７を得た。
より真空容器１８内へＮ2 分圧を１０％とするＡｒ＋Ｎ
2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１
８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保っ
たＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直径
φ＝１００ｍｍのＣｏ製円板上にチップ２４となる寸法
＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１７０個のＡ
ｌチップを配備した上で高周波電源装置２６により高周
波電源を供給した条件下において、反応性スパッタリン
グ法により基板２３となるガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度条件３０
０℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことによってグ
ラニュラー磁性薄膜による試料７を得た。
【００６３】この試料７の寸法並びに磁気特性を調べた
ところ、膜厚は１．２μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は３７．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は３５０であり、
その最大値μ″max ＝３５０での周波数ｆ（μ″max ）
は１ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１９１％であること
が判った。
ところ、膜厚は１．２μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は３７．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は３５０であり、
その最大値μ″max ＝３５０での周波数ｆ（μ″max ）
は１ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１９１％であること
が判った。
【００６４】（試料８）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＮｉ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１４０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料８を得
た。
より真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真空
ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１０
-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲッ
ト２５となる直径φ＝１００ｍｍのＮｉ製円板上にチッ
プ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの
総計１４０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料８を得
た。
【００６５】この試料８の寸法並びに磁気特性を調べた
ところ、膜厚は１．７μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５８．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は２８０であり、
その最大値μ″max ＝２８０での周波数ｆ（μ″max ）
は２４０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１６９％である
ことが判った。
ところ、膜厚は１．７μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５８．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は２８０であり、
その最大値μ″max ＝２８０での周波数ｆ（μ″max ）
は２４０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１６９％である
ことが判った。
【００６６】（試料９）ここでは、ガス供給装置２２に
より真空容器１８内へＮ2 分圧を１０％とするＡｒ＋Ｎ
2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１
８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保っ
たＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直径
φ＝１００ｍｍのＮｉ製円板上にチップ２４となる寸法
＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１００個のＡ
ｌチップを配備した上で高周波電源装置２６により高周
波電源を供給した条件下において、反応性スパッタリン
グ法により基板２３となるガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度条件３０
０℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことによってグ
ラニュラー磁性薄膜による試料９を得た。
より真空容器１８内へＮ2 分圧を１０％とするＡｒ＋Ｎ
2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１
８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保っ
たＡｒ＋Ｎ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直径
φ＝１００ｍｍのＮｉ製円板上にチップ２４となる寸法
＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１００個のＡ
ｌチップを配備した上で高周波電源装置２６により高周
波電源を供給した条件下において、反応性スパッタリン
グ法により基板２３となるガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度条件３０
０℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことによってグ
ラニュラー磁性薄膜による試料９を得た。
【００６７】この試料９の寸法並びに磁気特性を調べた
ところ、膜厚は１．３μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は７６．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は４１０であり、
その最大値μ″max ＝４１０での周波数ｆ（μ″max ）
は１７０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１５８％である
ことが判った。
ところ、膜厚は１．３μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ−
Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は７６．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は４１０であり、
その最大値μ″max ＝４１０での周波数ｆ（μ″max ）
は１７０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１５８％である
ことが判った。
【００６８】（試料１０）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１５０個のＴｉＯ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料１０を
得た。
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１５０個のＴｉＯ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料１０を
得た。
【００６９】この試料１０の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．４μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４３．６％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９２０であり、
その最大値μ″max ＝９２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．５ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８８％である
ことが判った。
たところ、膜厚は１．４μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４３．６％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９２０であり、
その最大値μ″max ＝９２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．５ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８８％である
ことが判った。
【００７０】（試料１１）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へＯ2 分圧を１５％とするＡｒ＋
Ｏ2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器
１８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保
ったＡｒ＋Ｏ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直
径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチップ２４となる寸
法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１３０個の
Ｓｉチップを配備した上で高周波周波数電源装置２６に
より高周波電源を供給した条件下において、反応性スパ
ッタリング法により基板２３となるガラス基板上に磁性
薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度
条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことに
よってグラニュラー磁性薄膜による試料１１を得た。
により真空容器１８内へＯ2 分圧を１５％とするＡｒ＋
Ｏ2 ガスを供給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器
１８内を真空度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保
ったＡｒ＋Ｏ2 ガス雰囲気中でターゲット２５となる直
径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチップ２４となる寸
法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１３０個の
Ｓｉチップを配備した上で高周波周波数電源装置２６に
より高周波電源を供給した条件下において、反応性スパ
ッタリング法により基板２３となるガラス基板上に磁性
薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄膜を温度
条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すことに
よってグラニュラー磁性薄膜による試料１１を得た。
【００７１】この試料１１の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．５μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５５．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９２０であり、
その最大値μ″max ＝９２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．２ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８２％である
ことが判った。
たところ、膜厚は１．５μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５５．２％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９２０であり、
その最大値μ″max ＝９２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．２ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８２％である
ことが判った。
【００７２】（試料１２）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１００個のＨｆＯ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料１２を
得た。
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１００個のＨｆＯ3 チップを配備した上で高周波
電源装置２６により高周波電源を供給した条件下におい
て、スパッタリング法により基板２３となるガラス基板
上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄
膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施
すことによってグラニュラー磁性薄膜による試料１２を
得た。
【００７３】この試料１２の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．８μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は７７．４％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は１８００であ
り、その最大値μ″max ＝１８００での周波数ｆ（μ″
max ）は４５０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１７１％
であることが判った。
たところ、膜厚は１．８μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は７７．４％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は１８００であ
り、その最大値μ″max ＝１８００での周波数ｆ（μ″
max ）は４５０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１７１％
であることが判った。
【００７４】（試料１３）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１３０個のＢＮチップを配備した上で高周波電源
装置２６により高周波電源を供給した条件下において、
スパッタリング法により基板２３となるガラス基板上に
磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄膜を
温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すこ
とによってグラニュラー磁性薄膜による試料１３を得
た。
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ製円板上にチ
ップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍ
の総計１３０個のＢＮチップを配備した上で高周波電源
装置２６により高周波電源を供給した条件下において、
スパッタリング法により基板２３となるガラス基板上に
磁性薄膜を成膜した後、これにより得られた磁性薄膜を
温度条件３００℃の真空磁場中で２時間熱処理を施すこ
とによってグラニュラー磁性薄膜による試料１３を得
た。
【００７５】この試料１３の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．９μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５９．３％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９５０であり、
その最大値μ″max ＝９５０での周波数ｆ（μ″max ）
は６８０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１８５％である
ことが判った。
たところ、膜厚は１．９μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は５９．３％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は９５０であり、
その最大値μ″max ＝９５０での周波数ｆ（μ″max ）
は６８０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１８５％である
ことが判った。
【００７６】（試料１４）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ 50Ｃｏ50製円
板上にチップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚
さ２ｍｍの総計１３０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した
上で高周波電源装置２６により高周波電源を供給した条
件下において、スパッタリング法により基板２３となる
ガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得ら
れた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間
熱処理を施すことによってグラニュラー磁性薄膜による
試料１４を得た。
により真空容器１８内へＡｒガスを供給すると共に、真
空ポンプ２７で真空容器１８内を真空度約１．３３×１
０-4Ｐａとなるように保ったＡｒガス雰囲気中でターゲ
ット２５となる直径φ＝１００ｍｍのＦｅ 50Ｃｏ50製円
板上にチップ２４となる寸法＝縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚
さ２ｍｍの総計１３０個のＡｌ2 Ｏ3 チップを配備した
上で高周波電源装置２６により高周波電源を供給した条
件下において、スパッタリング法により基板２３となる
ガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより得ら
れた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２時間
熱処理を施すことによってグラニュラー磁性薄膜による
試料１４を得た。
【００７７】この試料１４の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．６μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００％は５９．３％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は７２０であり、
その最大値μ″max ＝７２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．１ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８０％である
ことが判った。
たところ、膜厚は１．６μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００％は５９．３％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は７２０であり、
その最大値μ″max ＝７２０での周波数ｆ（μ″max ）
は１．１ＧＨｚであり、半幅値μ″50は１８０％である
ことが判った。
【００７８】次に、グラニュラー状の磁気損失材料を蒸
着法により試料として製造する工程を具体的に説明す
る。但し、各試料の作製に際しては、図６（ｂ）に示さ
れるような蒸着法適用型試料作製装置を用いている。こ
の蒸着法適用型試料作製装置は、ガス供給装置２２及び
真空ポンプ２７が結合された真空容器（チャンバ）１９
内にシャッタ２１を挟んで基板２３と組成分Ｘ−Ｙの合
金母材が充填された坩堝２８とが対向して配備されて成
っている。
着法により試料として製造する工程を具体的に説明す
る。但し、各試料の作製に際しては、図６（ｂ）に示さ
れるような蒸着法適用型試料作製装置を用いている。こ
の蒸着法適用型試料作製装置は、ガス供給装置２２及び
真空ポンプ２７が結合された真空容器（チャンバ）１９
内にシャッタ２１を挟んで基板２３と組成分Ｘ−Ｙの合
金母材が充填された坩堝２８とが対向して配備されて成
っている。
【００７９】（試料１５）ここでは、ガス供給装置２２
により真空容器１８内へ酸素を流量３．０ｓｃｃｍで供
給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１８内を真空
度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保ちながら坩堝
２８に充填されたＦｅ70Ａｌ30合金母材が溶解されて酸
素に晒される条件下において、蒸着法により基板２３と
なるガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより
得られた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２
時間熱処理を施すことによってグラニュラー磁性薄膜に
よる試料１５を得た。
により真空容器１８内へ酸素を流量３．０ｓｃｃｍで供
給すると共に、真空ポンプ２７で真空容器１８内を真空
度約１．３３×１０-4Ｐａとなるように保ちながら坩堝
２８に充填されたＦｅ70Ａｌ30合金母材が溶解されて酸
素に晒される条件下において、蒸着法により基板２３と
なるガラス基板上に磁性薄膜を成膜した後、これにより
得られた磁性薄膜を温度条件３００℃の真空磁場中で２
時間熱処理を施すことによってグラニュラー磁性薄膜に
よる試料１５を得た。
【００８０】この試料１５の寸法並びに磁気特性を調べ
たところ、膜厚は１．１μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４１．８％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は５９０であり、
その最大値μ″max ＝５９０での周波数ｆ（μ″max ）
は５２０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１９０％である
ことが判った。
たところ、膜厚は１．１μｍであり、比率値｛Ｍs （Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍs （Ｍ）｝×１００％は４１．８％であ
り、磁気損失項μ″の最大値μ″max は５９０であり、
その最大値μ″max ＝５９０での周波数ｆ（μ″max ）
は５２０ＭＨｚであり、半幅値μ″50は１９０％である
ことが判った。
【００８１】上述した各試料１〜１５のうちの比較試料
とした試料３，４以外のものは、何れも電子部品におけ
る高周波電流対策に用いる材料として有効である。尚、
各試料１〜１５は、スパッタリング法又は真空蒸着法に
より製造した例を示したが、上述したようにイオンビー
ム蒸着法やガス・デポジション法等の他の製法によって
も良く、磁気損失材料が均一に実現できる方法であれ
ば、製法は限定されない。又、各試料１〜１５を成膜後
に真空磁場中で熱処理を施して得るものとして説明した
が、アズ・デポジションの膜で同等な性能が得られる組
成，或いは成膜法であれば成膜後処理は説明した場合に
限定されない。
とした試料３，４以外のものは、何れも電子部品におけ
る高周波電流対策に用いる材料として有効である。尚、
各試料１〜１５は、スパッタリング法又は真空蒸着法に
より製造した例を示したが、上述したようにイオンビー
ム蒸着法やガス・デポジション法等の他の製法によって
も良く、磁気損失材料が均一に実現できる方法であれ
ば、製法は限定されない。又、各試料１〜１５を成膜後
に真空磁場中で熱処理を施して得るものとして説明した
が、アズ・デポジションの膜で同等な性能が得られる組
成，或いは成膜法であれば成膜後処理は説明した場合に
限定されない。
【００８２】次に、各試料１〜１５のうちの一例とし
て、図７に示した複素数透磁率特性を有し、膜厚が２．
０μｍで一辺が２０ｍｍの正方形を成した試料１（半幅
値μ″ 50＝１４８％のもの）の場合、磁気損失項μ″の
最大値μ″max が７００ＭＨｚ付近で約１８００であっ
たが、これに対して別な従来技術に係る比較試料として
用意した偏平状センダスト粉末及びポリマーから成る同
面積で同様な形状の複合磁性体シートによる比較試料
（半幅値μ″50＝１９６％のもの）の場合、磁気損失項
μ″の最大値μ″max が７００ＭＨｚ付近で約３．０で
あった。
て、図７に示した複素数透磁率特性を有し、膜厚が２．
０μｍで一辺が２０ｍｍの正方形を成した試料１（半幅
値μ″ 50＝１４８％のもの）の場合、磁気損失項μ″の
最大値μ″max が７００ＭＨｚ付近で約１８００であっ
たが、これに対して別な従来技術に係る比較試料として
用意した偏平状センダスト粉末及びポリマーから成る同
面積で同様な形状の複合磁性体シートによる比較試料
（半幅値μ″50＝１９６％のもの）の場合、磁気損失項
μ″の最大値μ″max が７００ＭＨｚ付近で約３．０で
あった。
【００８３】この結果、試料１の磁気損失項μ″は準マ
イクロ波帯に分散を示し、その大きさは７００ＭＨｚ付
近で最大値μ″max が約１８００であり、同じ帯域に磁
気損失項μ″の分散を示す比較試料の最大値μ″max に
比べて６００倍程も大きくなっており、しかも半幅値
μ″50の中心周波数に対する比率が比較試料に比べて小
さく、狭帯域であることが判る。
イクロ波帯に分散を示し、その大きさは７００ＭＨｚ付
近で最大値μ″max が約１８００であり、同じ帯域に磁
気損失項μ″の分散を示す比較試料の最大値μ″max に
比べて６００倍程も大きくなっており、しかも半幅値
μ″50の中心周波数に対する比率が比較試料に比べて小
さく、狭帯域であることが判る。
【００８４】更に、図１０に示すような高周波電流抑制
効果測定装置３０を用いて試料１と比較試料（複合磁性
体シート）とにおける高周波電流抑制効果を検証実験し
た。但し、高周波電流抑制効果測定装置３０は、線路長
が７５ｍｍで特性インピーダンスＺｃ＝５０Ωのマイク
ロストリップ線路３１の長手方向の両側にマイクロスト
リップ線路３１と図示されないネットワークアナライザ
（ＨＰ８７５３Ｄ）とを接続するための同軸線路３２を
配備した上でマイクロストリップ線路３１の試料配置部
３１ａの真上に磁性体試料３３を配置することにより、
２ポート間の伝送特性（透磁率特性）を測定可能なもの
である。
効果測定装置３０を用いて試料１と比較試料（複合磁性
体シート）とにおける高周波電流抑制効果を検証実験し
た。但し、高周波電流抑制効果測定装置３０は、線路長
が７５ｍｍで特性インピーダンスＺｃ＝５０Ωのマイク
ロストリップ線路３１の長手方向の両側にマイクロスト
リップ線路３１と図示されないネットワークアナライザ
（ＨＰ８７５３Ｄ）とを接続するための同軸線路３２を
配備した上でマイクロストリップ線路３１の試料配置部
３１ａの真上に磁性体試料３３を配置することにより、
２ポート間の伝送特性（透磁率特性）を測定可能なもの
である。
【００８５】この高周波電流抑制効果測定装置３０の構
成のように、伝送路の直近に磁気損失材料を配置して伝
送路に等価的な抵抗成分を付与することで高周波電流を
抑制する場合において、高周波電流の抑制効果の大きさ
は磁気損失項μ″の大きさと磁性体の厚さδとの積μ″
・δにほぼ比例すると考えられるので、試料１と比較試
料（複合磁性体シート）との抑制効果の比較に際して
は、積μ″・δの値が同じオーダーとなる様に比較試料
では磁気損失項μ″を約３とし、磁性体の厚さδを１．
０ｍｍとした。
成のように、伝送路の直近に磁気損失材料を配置して伝
送路に等価的な抵抗成分を付与することで高周波電流を
抑制する場合において、高周波電流の抑制効果の大きさ
は磁気損失項μ″の大きさと磁性体の厚さδとの積μ″
・δにほぼ比例すると考えられるので、試料１と比較試
料（複合磁性体シート）との抑制効果の比較に際して
は、積μ″・δの値が同じオーダーとなる様に比較試料
では磁気損失項μ″を約３とし、磁性体の厚さδを１．
０ｍｍとした。
【００８６】図１１は、高周波電流抑制効果測定装置３
０により試料磁性体の高周波電流抑制効果を測定した結
果を示す周波数ｆ（ＭＨｚ）に対する伝送Ｓ21（ｄＢ）
特性を示したものであり、同図（ａ）は試料１に関する
もの，同図（ｂ）は従来技術による比較試料（複合磁性
体シート）に関するものである。
０により試料磁性体の高周波電流抑制効果を測定した結
果を示す周波数ｆ（ＭＨｚ）に対する伝送Ｓ21（ｄＢ）
特性を示したものであり、同図（ａ）は試料１に関する
もの，同図（ｂ）は従来技術による比較試料（複合磁性
体シート）に関するものである。
【００８７】図１１（ａ），（ｂ）からは、試料１の伝
送Ｓ21特性の場合、１００ＭＨｚ以上から減少し、２Ｇ
Ｈｚ近くで−１０ｄＢの極小値を示した後に増加してい
るのに対し、比較試料の伝送Ｓ21特性の場合、数１００
ＭＨｚから単調に減少し、３ＧＨｚで約−１０ｄＢを示
しており、これらの結果により伝送Ｓ21特性が何れも磁
性体の磁気損失項μ″の分散に依存すると共に、抑制効
果の大きさが上述した積μ″・δに依存することが判
る。
送Ｓ21特性の場合、１００ＭＨｚ以上から減少し、２Ｇ
Ｈｚ近くで−１０ｄＢの極小値を示した後に増加してい
るのに対し、比較試料の伝送Ｓ21特性の場合、数１００
ＭＨｚから単調に減少し、３ＧＨｚで約−１０ｄＢを示
しており、これらの結果により伝送Ｓ21特性が何れも磁
性体の磁気損失項μ″の分散に依存すると共に、抑制効
果の大きさが上述した積μ″・δに依存することが判
る。
【００８８】ところで、試料１や比較試料のような磁性
体は、図１２に示されるように、寸法がｌであって、透
磁率μ，誘電率εの分布定数線路として構成されるもの
とみなした場合、単位長さ（Δｌ）当たりの等価回路定
数として直列接続された形態のインダクタンスΔＬ，抵
抗ΔＲ、並びにこれらと接地線との間に介在される静電
容量ΔＣ，コンダクタンスΔＧ（抵抗ΔＲの逆数）を有
するが、これらを伝送Ｓ21特性に基づいて試料寸法ｌに
換算した場合、等価回路定数としてインダクタンスＬ，
抵抗Ｒ、並びに静電容量Ｃ，コンダクタンスＧ（抵抗Ｒ
の逆数）を有する等価回路として構成される。
体は、図１２に示されるように、寸法がｌであって、透
磁率μ，誘電率εの分布定数線路として構成されるもの
とみなした場合、単位長さ（Δｌ）当たりの等価回路定
数として直列接続された形態のインダクタンスΔＬ，抵
抗ΔＲ、並びにこれらと接地線との間に介在される静電
容量ΔＣ，コンダクタンスΔＧ（抵抗ΔＲの逆数）を有
するが、これらを伝送Ｓ21特性に基づいて試料寸法ｌに
換算した場合、等価回路定数としてインダクタンスＬ，
抵抗Ｒ、並びに静電容量Ｃ，コンダクタンスＧ（抵抗Ｒ
の逆数）を有する等価回路として構成される。
【００８９】ここでの高周波電流の抑制効果の検討のよ
うに、磁性体をマイクロストリップ線路３１上に配置し
た場合、伝送Ｓ21特性の変化は等価回路において主にイ
ンダクタンスＬに対して直列に付加される抵抗Ｒの成分
によるものであることから、抵抗Ｒの値を求めてその周
波数依存性を調べることができる。
うに、磁性体をマイクロストリップ線路３１上に配置し
た場合、伝送Ｓ21特性の変化は等価回路において主にイ
ンダクタンスＬに対して直列に付加される抵抗Ｒの成分
によるものであることから、抵抗Ｒの値を求めてその周
波数依存性を調べることができる。
【００９０】図１３は、図１１に示した伝送Ｓ21特性に
おいて図１２に示した等価回路のインダクタンスＬに対
して直列に付加される抵抗Ｒの値に基づいて算出した周
波数ｆに対する抵抗値Ｒ（Ω）特性を示したもので、同
図（ａ）は試料１に関するもの，同図（ｂ）は従来技術
による比較試料（複合磁性体シート）に関するものであ
る。
おいて図１２に示した等価回路のインダクタンスＬに対
して直列に付加される抵抗Ｒの値に基づいて算出した周
波数ｆに対する抵抗値Ｒ（Ω）特性を示したもので、同
図（ａ）は試料１に関するもの，同図（ｂ）は従来技術
による比較試料（複合磁性体シート）に関するものであ
る。
【００９１】図１３（ａ），（ｂ）からは、抵抗値Ｒは
何れの場合も準マイクロ波帯の領域で単調に増加し、３
ＧＨｚでは数１０Ωとなり、その周波数依存性は何れも
１ＧＨｚ付近に極大を持った磁気損失項μ″の周波数分
散とは異なる傾向になっていることが判る。これは上述
した積μ″・δに加えて波長に対する試料寸法の比率が
単調増加することを反映している結果と考えられる。
何れの場合も準マイクロ波帯の領域で単調に増加し、３
ＧＨｚでは数１０Ωとなり、その周波数依存性は何れも
１ＧＨｚ付近に極大を持った磁気損失項μ″の周波数分
散とは異なる傾向になっていることが判る。これは上述
した積μ″・δに加えて波長に対する試料寸法の比率が
単調増加することを反映している結果と考えられる。
【００９２】以上の結果から、準マイクロ波帯に磁気損
失項μ″分散を示す試料は、厚さが約５００倍の比較試
料（複合磁性体シート）と同等の高周波電流抑制効果を
示すため、１ＧＨｚに近い高速クロックで動作するよう
な半導体能動素子等の電子部品における高周波電流対策
へ適用することが有効であるとできる。
失項μ″分散を示す試料は、厚さが約５００倍の比較試
料（複合磁性体シート）と同等の高周波電流抑制効果を
示すため、１ＧＨｚに近い高速クロックで動作するよう
な半導体能動素子等の電子部品における高周波電流対策
へ適用することが有効であるとできる。
【００９３】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明の高周波電流
抑制型放熱板によれば、放熱板自体の基底板における取
り付け面に放熱板自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯
域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体を設けて
いるため、電子部品を数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い
周波数で使用しても、高周波電流抑制体が電子部品の端
子や放熱板自体を流れる高周波電流を未然に十分に減衰
させることができることにより、結果として電磁干渉の
発生を防止してその悪影響を除去することができるよう
になる。従って、特に電子部品として一層高周波数を用
いて高速動作させる傾向がある半導体能動素子であっ
て、高集積化，実装に際しての高密度化が回避されない
半導体集積回路素子（ＩＣ）や半導体大規模集積回路素
子（ＬＳＩ）、或いはマイクロプロセッサ（ＭＰＵ），
中央演算処理装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等に代表される論理回路素子自
体を対象に付設すれば、有効に高周波電流抑制対策（電
磁干渉対策）を計り得るようになる。
抑制型放熱板によれば、放熱板自体の基底板における取
り付け面に放熱板自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯
域の高周波電流を減衰させる高周波電流抑制体を設けて
いるため、電子部品を数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高い
周波数で使用しても、高周波電流抑制体が電子部品の端
子や放熱板自体を流れる高周波電流を未然に十分に減衰
させることができることにより、結果として電磁干渉の
発生を防止してその悪影響を除去することができるよう
になる。従って、特に電子部品として一層高周波数を用
いて高速動作させる傾向がある半導体能動素子であっ
て、高集積化，実装に際しての高密度化が回避されない
半導体集積回路素子（ＩＣ）や半導体大規模集積回路素
子（ＬＳＩ）、或いはマイクロプロセッサ（ＭＰＵ），
中央演算処理装置（ＣＰＵ），画像プロセッサ算術論理
演算装置（ＩＰＡＬＵ）等に代表される論理回路素子自
体を対象に付設すれば、有効に高周波電流抑制対策（電
磁干渉対策）を計り得るようになる。
【図１】本発明の一実施例に係る電子部品用高周波電流
抑制型の放熱板の基本構成を示した側面図であり、
（ａ）はプリント配線回路基板に対する実装前状態に関
するもの，（ｂ）はプリント配線基板に対する実装後状
態に関するものである。
抑制型の放熱板の基本構成を示した側面図であり、
（ａ）はプリント配線回路基板に対する実装前状態に関
するもの，（ｂ）はプリント配線基板に対する実装後状
態に関するものである。
【図２】本発明の他の実施例に係る電子部品用高周波電
流抑制型の放熱板の基本構成をプリント配線回路基板に
実装した状態で示した側面図である。
流抑制型の放熱板の基本構成をプリント配線回路基板に
実装した状態で示した側面図である。
【図３】図１（ａ）に示す放熱板を変形した他形態のも
のの基本構成を示した側面図である。
のの基本構成を示した側面図である。
【図４】図１（ａ）に示す放熱板を変形した別形態のも
のの基本構成を示した側面図である。
のの基本構成を示した側面図である。
【図５】図１〜図４に示す放熱板に用いられた高周波電
流抑制体材料であるグラニュラー磁性体の基本構造を模
式的に示したものである。
流抑制体材料であるグラニュラー磁性体の基本構造を模
式的に示したものである。
【図６】図５により説明したグラニュラー磁性体の試料
を作製するために用いられる装置の基本構成を示したも
のであり、（ａ）はスパッタリング法適用型試料作製装
置に関するもの，（ｂ）は蒸着法適用型試料作製装置に
関するものである。
を作製するために用いられる装置の基本構成を示したも
のであり、（ａ）はスパッタリング法適用型試料作製装
置に関するもの，（ｂ）は蒸着法適用型試料作製装置に
関するものである。
【図７】図６（ａ）に示すスパッタリング法適用型試料
作製装置を用いて作製した試料１の周波数に対する磁気
損失項特性（複素透磁率特性）を示したものである。
作製装置を用いて作製した試料１の周波数に対する磁気
損失項特性（複素透磁率特性）を示したものである。
【図８】図６（ａ）に示すスパッタリング法適用型試料
作製装置を用いて作製した試料２の周波数に対する磁気
損失項特性（複素透磁率特性）を示したものである。
作製装置を用いて作製した試料２の周波数に対する磁気
損失項特性（複素透磁率特性）を示したものである。
【図９】図６（ａ）に示すスパッタリング法適用型試料
作製装置を用いて作製した試料３（第１の比較試料）の
周波数に対する磁気損失項特性（複素透磁率特性）を示
したものである。
作製装置を用いて作製した試料３（第１の比較試料）の
周波数に対する磁気損失項特性（複素透磁率特性）を示
したものである。
【図１０】図６（ａ）に示すスパッタリング法適用型試
料作製装置並びに図６（ｂ）に示す蒸着法適用型試料作
製装置を用いて作製した各試料の高周波電流抑制効果を
測定するための高周波電流抑制効果測定装置の基本構成
を示した斜視図である。
料作製装置並びに図６（ｂ）に示す蒸着法適用型試料作
製装置を用いて作製した各試料の高周波電流抑制効果を
測定するための高周波電流抑制効果測定装置の基本構成
を示した斜視図である。
【図１１】図１０に示した高周波電流抑制効果測定装置
により試料磁性体の高周波電流抑制効果を測定した結果
を示す周波数に対する伝送特性を示したものであり、
（ａ）は試料１に関するもの，（ｂ）は従来技術による
比較試料（複合磁性体シート）に関するものである。
により試料磁性体の高周波電流抑制効果を測定した結果
を示す周波数に対する伝送特性を示したものであり、
（ａ）は試料１に関するもの，（ｂ）は従来技術による
比較試料（複合磁性体シート）に関するものである。
【図１２】図１１（ａ）に示した試料１並びに図１１
（ｂ）に示した比較試料を含む磁性体の伝送特性を等価
回路として模式的に示したものである。
（ｂ）に示した比較試料を含む磁性体の伝送特性を等価
回路として模式的に示したものである。
【図１３】図１１に示した伝送特性において図１２に示
した等価回路のインダクタンスに対して直列に付加され
る抵抗に基づいて算出した周波数に対する抵抗値特性を
示したものであり、（ａ）は試料１に関するもの，
（ｂ）は従来技術による比較試料（複合磁性体シート）
に関するものである。
した等価回路のインダクタンスに対して直列に付加され
る抵抗に基づいて算出した周波数に対する抵抗値特性を
示したものであり、（ａ）は試料１に関するもの，
（ｂ）は従来技術による比較試料（複合磁性体シート）
に関するものである。
１，１′ 放熱板 １ａ 翼部 １ｂ，１ｂ′ 基底板 ２，２′，３ 高周波電流抑制体端子 ４ プリント配線回路基板 ５ 半導体集積回路（ＩＣ） ６ 熱伝性シート ７ 絶縁性シート １１ 組成分Ｍ １２ 組成分Ｘ−Ｙ １８，１９ 真空容器（チャンバ） ２１ シャッタ ２２ ガス供給装置 ２３ 基板 ２４ チップ ２５ ターゲット ２６ 高周波電源装置（ＲＦ） ２７ 真空ポンプ ２８ 坩堝 ３０ 高周波電流抑制効果測定装置 ３１ マイクロストリップ線路 ３１ａ 試料配置部 ３２ 同軸線路 ３３ 磁性体試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 裕司 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 5E322 AA01 AB06 EA11 FA04 FA09 5F036 AA01 BA04 BA23 BB01 BB21 BC05 BC23 BD11
Claims (22)
- 【請求項１】 電源供給により発熱する電子部品自体
か、或いは該電子部品が実装される回路基板又は筐体の
所定箇所に付設されると共に、一主面側を取り付け面と
する放熱板において、前記取り付け面には、前記放熱板
自体に流れる数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯域の高周波電流を
減衰させる高周波電流抑制体が設けられたことを特徴と
する高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波電流抑制型放熱板
において、前記放熱板は、基底板上に所定の間隔で複数
の翼部が起立して一体的に設けられて成ることを特徴と
する高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の高周波電流抑制型
放熱板において、前記高周波電流抑制体は、スパッタリ
ング法により前記基底板における前記取り付け面に成膜
されたことを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の高周波電流抑制型
放熱板において、前記高周波電流抑制体は、蒸着法によ
り前記基底板における前記取り付け面に成膜されたこと
を特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れか一つに記載の高周
波電流抑制型放熱板において、前記電子部品は、高い周
波数帯域で使用されて高速動作する半導体能動素子であ
ると共に、半導体集積回路素子，半導体大規模集積回路
素子，及び論理回路素子の何れか一つを含むことを特徴
とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項６】 請求項５記載の高周波電流抑制型放熱板
において、前記高周波電流抑制体の表面上には、熱伝導
性の良い熱伝性シートが配備されたことを特徴とする高
周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項７】 請求項５記載の高周波電流抑制型放熱板
において、前記高周波電流抑制体の表面上には、電気的
な絶縁性の良い絶縁シートが配備されたことを特徴とす
る高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項８】 請求項１〜７の何れか一つに記載の高周
波電流抑制型放熱板において、前記高周波電流抑制体，
前記熱伝性シート，及び前記絶縁シートの何れか一つの
表面側には、接着用に供される両面粘着テープが配備さ
れたことを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項９】 請求項１〜８の何れか一つに記載の高周
波電流抑制型放熱板において、前記高周波電流抑制体
は、厚さが０．３〜２０（μｍ）の範囲にあることを特
徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１０】 請求項１〜９の何れか一つに記載の高
周波電流抑制型放熱板において、前記高周波電流抑制体
は、薄膜磁性体であることを特徴とする高周波電流抑制
型放熱板。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０の何れか一つに記載の
高周波電流抑制型放熱板において、前記高周波電流抑制
体は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なく
とも一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なく
とも一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含ま
れる元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物
によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特
性における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との
関係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が２００％以内である挟帯域磁気損失材料から成ること
を特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の高周波電流抑制型放
熱板において、前記挟帯域磁気損失材料は、飽和磁化の
大きさが前記組成分Ｍのみからなる金属磁性体の飽和磁
化の８０〜６０（％）の範囲にあることを特徴とする高
周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１３】 請求項１１又は１２記載の高周波電流
抑制型放熱板において、前記挟帯域磁気損失材料は、直
流電気抵抗率が１００〜７００（μΩ・ｃｍ）の範囲に
あることを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１４】 請求項１〜１０の何れか一つに記載の
高周波電流抑制型放熱板において、前記高周波電流抑制
体は、組成分Ｍ（但し、ＭはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なく
とも一種とする），Ｙ（但し、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの少なく
とも一種とする），及びＸ（但し、ＸはＭ及びＹに含ま
れる元素以外の元素の少なくとも一種とする）の混在物
によるＭ−Ｘ−Ｙ系の磁気損失材料であって、透磁率特
性における実数部μ′に対する虚数部μ″を周波数との
関係で示した複素透磁率特性上で該虚数部μ″の最大値
μ″max が周波数１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの帯域範囲
に存在し、且つ該虚数部μ″にあっての該最大値μ″
max に対して５０％以上となる周波数帯域を該周波数帯
域の中心周波数で規格化した半幅分相当の半幅値μ″50
が１５０％以上である広帯域磁気損失材料から成ること
を特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の高周波電流抑制型放
熱板において、前記広帯域磁気損失材料は、飽和磁化の
大きさが前記組成分Ｍのみからなる金属磁性体の飽和磁
化の６０〜３５（％）の範囲にあることを特徴とする高
周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１６】 請求項１４又は１５記載の高周波電流
抑制型放熱板において、前記広帯域磁気損失材料は、直
流電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値である
ことを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１７】 請求項１０〜１６の何れか一つに記載
の高周波電流抑制型放熱板において、前記挟帯域磁気損
失材料又は前記広帯域磁気損失材料は、前記組成分Ｘが
Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，
Ｎｂ，Ｔａ，及び希土類元素の少なくとも一種であるこ
とを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１８】 請求項１０〜１７の何れか一つに記載
の高周波電流抑制型放熱板において、前記挟帯域磁気損
失材料又は前記広帯域磁気損失材料は、前記組成分Ｍが
前記組成分Ｘ及び前記組成分Ｙによる化合物のマトリッ
クス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在するこ
とを特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の高周波電流抑制型放
熱板において、前記挟帯域磁気損失材料又は前記広帯域
磁気損失材料は、前記グラニュラー状の形態を有する粒
子の平均粒子径が１〜４０（ｎｍ）の範囲にあることを
特徴とする高周波電流抑制型放熱板。 - 【請求項２０】 請求項１０〜１９の何れか一つに記載
の高周波電流抑制型放熱板において、前記挟帯域磁気損
失材料又は前記広帯域磁気損失材料は、異方性磁界が４
７４００Ａ／ｍ以下であることを特徴とする高周波電流
抑制型放熱板。 - 【請求項２１】 請求項１０〜２０の何れか一つに記載
の高周波電流抑制型放熱板において、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ系
は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｏ系であることを特徴とする高周波電
流抑制型放熱板。 - 【請求項２２】 請求項１０〜２０の何れか一つに記載
の高周波電流抑制型放熱板において、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ系
は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ系であることを特徴とする高周波電
流抑制型放熱板。
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| JP2000103171A JP4287020B2 (ja) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | 高周波電流抑制型放熱板 |
| KR1020010017665A KR100789051B1 (ko) | 2000-04-05 | 2001-04-03 | 전자 부품 내의 고주파 전류 흐름을 상당히 억제할 수 있는 라디에이터 |
| SG200101992A SG102619A1 (en) | 2000-04-05 | 2001-04-03 | Radiator capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component |
| US09/824,935 US6624714B2 (en) | 2000-04-05 | 2001-04-03 | Radiator capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component |
| EP01108514A EP1143777B1 (en) | 2000-04-05 | 2001-04-04 | Cooling device capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component |
| CNB011165650A CN1222034C (zh) | 2000-04-05 | 2001-04-04 | 能够显著抑制流经电子元件的高频电流的散热器 |
| NO20011706A NO325816B1 (no) | 2000-04-05 | 2001-04-04 | Straleanordning for vesentlig undertrykkelse av en hoyfrekvent strom i en elektrisk komponent |
| DE60109343T DE60109343T2 (de) | 2000-04-05 | 2001-04-04 | Kühlvorrichtung, welche die Hochfrequenzströme in einem elektrischen Bauteil erheblich reduziert |
| TW090108101A TWI248780B (en) | 2000-04-05 | 2001-04-04 | Radiator capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component |
| MYPI20011654A MY123590A (en) | 2000-04-05 | 2001-04-05 | Radiator capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| CN101653056B (zh) * | 2007-02-15 | 2011-08-31 | 日本电气株式会社 | 电子器件安装设备及其噪声抑制方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5164683A (en) * | 1991-10-21 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | RF amplifier assembly |
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