DE602005002558T2 - Abgeschirmte elektrische einrichtung und herstellungsprozess dafür - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine abgeschirmte elektrische Vorrichtung mit mindestens einer zu schützenden elektrischen Baugruppe. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer solchen abgeschirmten elektrischen Vorrichtung.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere den Schutz flacher, transportabler elektrischer Vorrichtungen mit aktiven elektrischen Baugruppen darin, beispielsweise integrierten Schaltungen (IC), insbesondere Kryptoprozessoren, und elektrischen Kontakten zum äußerlichen Zusammenwirken.
  • In solchen Objekten erzeugen die elektrischen Ströme, die in den Drähten einer IC oder zwischen Bauelementen einer elektrischen Vorrichtung umlaufen, Magnetfelder in einem Frequenzbereich von niedrigen Frequenzen bis zu Frequenzen von mehreren Gigahertz abhängig von der Arbeitsfrequenz.
  • Durch eine lokale Detektierung dieser Magnetfelder mit einem magnetischen Sensor wird für eine direkte Messung der umlaufenden Ströme und daher der lokalen Aktivität der IC gesorgt. Mithin können unbefugte Personen die Aktivität der elektrischen Vorrichtung elektromagnetisch detektieren und deshalb Zugriff auf vertrauliche Informationen erlangen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zu verhindern, daß unbefugte Personen die Radio- und Höchstfrequenzemissionen einer elektrischen Vorrichtung detektieren, die eine in ein flaches, transportables Objekt eingelagerte, zu schützende elektrische Baugruppe umfaßt.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die weitere Aufgabe zugrunde, die elektrische Vorrichtung gegen Licht- und Infrarotmanipulation der aktiven Bauelemente der elektrischen Vorrichtung zu schützen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt noch die weitere Aufgabe zugrunde, eine elektrische Vorrichtung zu schaffen, die eine hohe mechanische Beständigkeit gegen Abtragung durch chemische und Ionenätzung aufweist.
  • Diese Ziele werden erreicht durch eine geschützte elektrische Vorrichtung mit mindestens einer zu schützenden elektrischen Baugruppe, wobei die elektrische Vorrichtung eine obere Fläche, eine untere Fläche und elektrische Anschlüsse zum äußeren Zusammenwirken aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem an mindestens einer von der oberen und der unteren Fläche mindestens eine Abschirmschicht gegen die von der elektrischen Baugruppe emittierten elektromagnetischen Felder und Radiofrequenzfelder umfaßt, wobei die Abschirmschicht mindestens eine erste Schicht aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität größer als 500 umfaßt und die Abschirmschicht mit Ausnahme von vorgegebenen Bereichen mit beschränkter Fläche im wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen von der oberen und der unteren Fläche aufgebracht ist und die elektrischen Anschlüsse mit äußeren Vorrichtungen auf mindestens einigen der vorbestimmten Bereiche angeordnet sind.
  • Die zu schützende elektrische Baugruppe kann mindestens eine integrierte Schaltung umfassen.
  • Die elektrischen Kontakte sind vorzugsweise in einem Umfangsbereich der zu schützenden elektrischen Baugruppe angeordnet.
  • Die Abschirmschicht, die mindestens eine weiche magnetische Schicht umfaßt, führt die elektromagnetischen Radiofrequenz- und Hochfrequenzfelder und weist eine abschirmende Wirkung auf, die eine äußerliche Messung verhindert.
  • Die Abschirmschicht sperrt außerdem das Eindringen von Licht in den infraroten, den sichtbaren und den fast ultravioletten Frequenzbereich.
  • Die Zusammensetzung der Abschirmschicht kann derart gewählt werden, daß sie eine maximierte Beständigkeit gegen chemische und Ionenätzung aufweist.
  • Vorzugsweise umfaßt die erste Schicht der Abschirmschicht ein Material, das Legierungen von Fe, Ni oder Co enthält, und insbesondere ein Material, das eine der folgenden Legierungen umfaßt: NiFe-Legierungen, CoNi-Legierungen, CoZr-Legierungen.
  • Die erste Schicht kann eine Dicke zwischen 2 und 40 μm und vorzugsweise zwischen 10 und 30 μm aufweisen.
  • Die Abschirmschicht kann außerdem eine Keimschicht aus Ti oder Oxid aufweisen, die zwischen der zu schützenden elektrischen Baugruppe und der ersten Schicht angeordnet ist.
  • Die Keimschicht kann eine Dicke zwischen 8 und 100 nm und vorzugsweise zwischen 10 und 20 nm aufweisen.
  • Die Abschirmschicht kann vorteilhafterweise außerdem eine zusätzliche äußere Schicht umfassen, die eine mechanisch harte Schicht mit einer guten Beständigkeit gegen mechanisches Polieren oder chemisches Ätzen ist.
  • Die zusätzliche äußere Schicht kann aus Ti bestehen oder unmagnetische Oxide wie beispielsweise SiO2 oder Al2O3 umfassen.
  • Die zusätzliche äußere Schicht kann als Alternative diamantartigen Kohlenstoff oder ein chemikalienbeständiges magnetisches Material wie beispielsweise eine Verbindung auf Co-Basis umfassen.
  • Die zusätzliche äußere Schicht kann eine Dicke zwischen 1 und 2 μm aufweisen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt die elektrische Vorrichtung außerdem eine auf der Abschirmschicht ausgebildete Störschicht, wobei die Störschicht ein inhomogenes, hartes magnetisches Material umfaßt, das ein starke magnetische Störung zumindest von der gleichen Größenordnung wie die von der elektrischen Unterbaugruppe emittierten elektromagnetischen Felder und Radiofrequenzfelder induzieren kann.
  • Gemäß einer speziellen Ausführungsform umfaßt die Störschicht harte magnetische Teilchen, die in einer Matrix eingelagert sind.
  • Gemäß einer speziellen Ausführungsform weist die Störschicht eine Fläche mit einer natürlichen Rauheit auf, durch die eine magnetische Inhomogenität eingebracht wird, welche die Störwirkung verstärkt.
  • Gemäß einer anderen speziellen Ausführungsform weist die Störschicht eine künstliche Rauheit auf, die man durch eine gemusterte Konfiguration erhält: dabei weisen manche Teile der zu schützenden Oberfläche keine weiche magnetische Schicht auf, während manche andere Teile die weiche magnetische Schicht aufweisen. Vorteilhafterweise sind die Teile mit der weichen magnetischen Schicht in gesprenkelter Form genau auf den Stellen der Schaltung konstruiert, welche die stärkeren oder informativsten elektrischen Signale erzeugen.
  • Die Störschicht kann fluktuierende magnetische Teilchen umfassen, die in einer nichtmagnetischen Matrix eingelagert sind, die entweder eine metallische, eine isolierende oder eine organische Matrix sein kann.
  • Die Störschicht umfaßt ein hartes magnetisches Material, das vorzugsweise wenigstens eines der folgenden Materialien aufweist: CoPt, FePt, NdFeB, SmCo5, FeTb.
  • Die Störschicht kann eine Dicke zwischen etwa 1 und 10 μm aufweisen.
  • Die Störschicht kann entweder eine künstliche Rauheit oder eine auf das Auftragungsverfahren (beispielsweise das Plasmaspritzen) oder das Auftragen in einer gemusterten Weise zurückzuführende künstliche Rauheit aufweisen.
  • Sowohl auf die obere als auch die untere Fläche der elektrischen Baugruppe der elektrischen Vorrichtung können Abschirmschichten mit oder ohne Störschichten aufgebracht sein.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer geschützten elektrischen Vorrichtung mit einer zu schützenden elektrischen Baugruppe, wobei die elektrische Vorrichtung eine obere Fläche und eine untere Fläche und elektrische Anschlüsse zum äußeren Zusammenwirken aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht gegen die von der elektrischen Baugruppe emittierten elektromagnetischen Felder und Radiofrequenzfelder auf mindestens einer von der oberen und der unteren Fläche umfaßt, wobei der Schritt des Ausbildens der Abschirmschicht zumindest das Aufbringen einer ersten Schicht aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr von mehr als 500 im wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen von der oberen und der unteren Fläche mit Ausnahme von vorbestimmten Bereichen mit beschränkter Fläche umfaßt, wobei die elektrischen Anschlüsse auf mindestens einigen der vorbestimmten Bereiche angeordnet sind.
  • Der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht kann die folgenden Unterschritte umfassen:
    • a) Aufbringen einer mechanisch harten Schicht zur Ausbildung einer Keimschicht auf der mindestens einen von der oberen und der unteren Fläche mit elektrischen Anschlüssen mit einem Sputterverfahren und
    • b) Ausbilden einer Schicht aus weichem magnetischem Material mit hoher Permeabilität durch elektrolytische Abscheidung.
  • Gemäß einer speziellen Ausführungsform umfaßt der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht außerdem das Mustern der Abschirmschicht durch Abtragen von Abschnitten, die einige der vorbestimmten Bereiche mit begrenzter Fläche bilden, welche die elektrischen Anschlüsse aufnehmen können, wobei die Keimschicht vor dem Aufbringen der Schicht aus weichem magnetischem Material durch elektrolytische Abscheidung gemustert wird.
  • Vorteilhafterweise umfaßt der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht außerdem den Unterschritt des Ausbildens einer zusätzlichen mechanisch harten Endschicht durch elektrolytische Abscheidung.
  • Das Verfahren kann außerdem den Schritt des Ausbildens einer Störschicht auf der Abschirmschicht umfassen, wobei die erstere ein inhomogenes hartes magnetisches Material umfaßt, das ein starke magnetische Störung zumindest von der gleichen Größenordnung wie die von der elektrischen Baugruppe emittierten elektromagnetischen Felder und Radiofrequenzfelder induzieren kann.
  • Vorzugsweise umfaßt der Schritt des Ausbildens einer Störschicht das Einlagern von fluktuierenden magnetischen Teilchen in eine nichtmagnetische Matrix.
  • Die Störschicht soll eine magnetische Störung schaffen, die jede kohärente Messung durch einen magnetischen Sensor blockieren kann. Die Störschicht kann im richtigen Frequenzbereich entweder statisch oder dynamisch sein.
  • Die Erfindung betrifft auch eine Chip-Karte, umfassend eine geschützte elektrische Vorrichtung mit mindestens einer zu schützenden elektrischen Baugruppe, wobei die geschützte Vorrichtung eine Abschirmschicht gegen die elektromagnetischen und die Radiofrequenzfelder aufweist. Bei dieser speziellen Anwendung ist die elektrische Vorrichtung, die beispielsweise einen Mikroprozessor und einen Speicher umfaßt, in dem Körper einer Plastikkarte eingebettet. Die Erfindung eignet sich insbesondere dazu, einen betrügerischen Zugriff auf in der Chip-Karte gespeicherte vertrauliche Informationen zu verhindern.
  • Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden besser aus der folgenden Beschreibung spezieller Ausführungsformen anhand der beiliegenden Zeichnungen erkennbar, in denen:
  • 1 eine schematische, perspektivische Ansicht ist, die eine integrierte Schaltung zeigt, die über und unter der integrierten Schaltung von einer magnetischen Abschirmschicht geschützt ist,
  • 2 eine schematische, perspektivische Ansicht ist, die eine integrierte Schaltung zeigt, die nur auf einer Hauptseite der integrierten Schaltung von einer magnetischen Abschirmschicht geschützt ist,
  • die 3 bis 8 Schnittansichten verschiedener Ausführungsformen einer elektrischen Vorrichtung gemäß der Erfindung sind, und
  • 9 eine Schnittansicht ist, die eine elektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, die in einer Chipkarte eingelagert ist.
  • Wenn integrierte Schaltungen (IC) betrachtet werden, sind typische, in Drähten wandernde Ströme zwischen 1 μA bis 500 μA verschieden. Die Frequenzen dieser Ströme sind im allgemeinen größer als 1 MHz und niedriger als 1 GHz.
  • In einem Abstand von 5 μm von der Oberfläche des Drahts beträgt das erzeugte Feld etwa 0,1 A/m bis 50 A/m, und seine Stärke konzentriert sich hauptsächlich auf eine endliche Anzahl von Frequenzen, die mit der Taktgeberfrequenz der entsprechenden IC zusammenhängen.
  • Die Ansprechempfindlichkeit der besten magnetischen Sensoren, die gegenwärtig bei kleinen Größen zur Verfügung stehen, beträgt etwa 10–3 A/m/Quadratwurzel (Hz). Bei einer Bandbreite von 1 kHz, das ein typischer Wert ist, beträgt die sich ergebende Ansprechempfindlichkeit 0,03 A/m.
  • Gemäß der Erfindung umfaßt eine elektrische Vorrichtung eine passive Abschirmschicht, die für eine Dämpfung von etwa 60 dB sorgen kann.
  • Wahlweise umfaßt die elektrische Vorrichtung außerdem eine zusätzliche aktive Störschicht, die zufällige Felder von etwa 50 A/m erzeugt, um die Drahtemission der elektrischen Baugruppe der elektrischen Vorrichtung zu erfassen.
  • Eine Störschicht, die mit einer Abschirmschicht verbunden ist, erzeugt Felder, die um drei Größenordnungen größer als die restliche Radiofrequenzemission der eine elektrische Baugruppe bildenden IC ist.
  • 1 zeigt schematisch eine elektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung, die eine elektrische Baugruppe umfaßt, die typischerweise eine IC mit beispielsweise einem oder mehreren Prozessoren umfassen kann.
  • Jede von der oberen Fläche 11 und der unteren Fläche 12 der Baugruppe 1 ist mit einer Schutzschicht 2 bedeckt. Jede Schutzschicht 2 umfaßt mindestens eine magnetische Abschirmschicht und bedeckt im wesentlichen die gesamte Oberfläche der entsprechenden oberen oder unteren Fläche 11, 12 mit Ausnahme vorgegebener Abschnitte mit kleinem Bereich. Manche von diesen Abschnitten mit kleinem Bereich können elektrische Anschlüsse 8, 9 umfassen. Solche vorgegebenen Abschnitte können vorzugsweise einen peripheren Abschnitt 1a der Baugruppe 1 umfassen, manche andere Bereiche der oberen und der unteren Fläche 11, 12 der Baugruppe 1 können jedoch ohne Schutzschicht sein.
  • 2 ist analog 2, zeigt jedoch eine IC, die nur auf ihrer oberen Fläche 11 von einer magnetischen Abschirmschicht 2 geschützt ist.
  • 9 zeigt eine elektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung mit einer elektrischen Baugruppe 1 wie einer IC, beispielsweise in einer chipkartenartigen Ausführungsform.
  • Anhand der 3 bis 8, die verschiedene Ausbildungsmöglichkeiten für die Schutzschicht 2 gemäß 2 auf einer Baugruppe 1 wie einer IC zeigen, werden verschiedene bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben.
  • Die folgende Beschreibung erfolgt unter Bezugnahme auf eine einzige Schutzschicht 2, die auf der oberen Fläche 11 der Baugruppe 1 vorgesehen ist. Jedoch kann die auf der unteren Fläche 12 der Baugruppe 1 gemäß 1 vorgesehene Schutzschicht 2 gemäß dem gleichen Verfahren hergestellt sein.
  • In den 3 bis 8 sind nicht die elektrischen Anschlüsse 8, 9 gezeigt, die ferner in 9 angegeben sind. Sie befinden sich einfach auf einem Abschnitt der Baugruppe 1, der nicht von einer Schutzschicht 2 wie der im Grunde eine Abschirmschicht 20 umfassenden Schutzschicht 2 bedeckt ist.
  • Die Abschirmschicht 20 umfaßt im wesentlichen eine erste Schicht 21 aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr, die größer als 500 ist.
  • Die erste Schicht 21 kann typischerweise eine Dicke umfassen, die zwischen 2 und 40 μm und vorzugsweise zwischen 10 und 30 μm liegt.
  • Wie in 3 gezeigt ist, kann man die erste Schicht 21 auf einer Keimschicht 22 aus Ti oder Oxid wachsen lassen. Die Keimschicht 22 weist typischerweise eine geringere Dicke zwischen 8 und 20 nm oder bis zu 100 nm, jedoch vorzugsweise zwischen 10 und 15 nm auf. Die Keimschicht 22 kann mit Löchern 23 gemustert sein.
  • Die gemusterte Schicht 22 (4) begünstigt das gemusterte Wachstum der weichen magnetischen Schicht 21 mit den gleichen Löchern 23.
  • Eine gemusterte Abschirmschicht 20, die aus einer Keimschicht 22 und einer ersten Schicht 21 aus weichem magnetischem Material besteht, entspricht einem magnetischen Signal, das inhomogen ist und deshalb eine bessere Abschirmung aufweist.
  • Die Ausführungsformen gemäß den 5 und 6 sind den Ausführungsformen gemäß den 3 bzw. 4 ähnlich, und die Elemente mit den Bezugsziffern 120, 121, 122, 123 entsprechen jeweils den jeweiligen Elementen mit den jeweiligen Bezugsziffern 20, 21, 22, 23 und werden nicht weiter beschrieben. Jedoch ist gemäß den Ausführungsformen in den 5 und 6 eine zusätzliche äußere Schicht 124 oben auf die erste Schicht 121 aus weichem magnetischem Material aufgebracht. Die Schicht 124, die einen chemischen Angriff des Abschirmstapels verhindern soll, kann ein chemikalienbeständiges magnetisches Material wie eine Verbindung auf Co-Basis umfassen.
  • Die zusätzliche äußere Schicht 124 weist eine Dicke zwischen 1 und 2 μm auf und ist eine mechanisch harte Schicht, die gute Beständigkeit gegen mechanisches Polieren oder chemisches Ätzen aufweist.
  • Die zusätzliche äußere Schicht 124 kann aus Ti bestehen oder kann unmagnetische Oxide wie SiO2 oder Al2O3 umfassen. Die Schicht 124 kann auch diamantartigen Kohlenstoff umfassen.
  • Für die erste Schicht 21, 121 lassen sich verschiedene weiche magnetische Materialien verwenden: NiFe-Legierungen mit Zusammensetzungen nahe einer Permalloy-Zusammensetzung (80% Ni und 20% Fe), CoNi-Legierungen, CoZr-Legierungen oder komplexere Systeme, die eine sehr hohe relative Permeabilität μr aufweisen. Mit dieser Art eines Materials kann man eine relative Permeabilität μr größer als 10 000 erhalten.
  • Beschränkungen sind durch die Abscheidetemperatur und/oder die Glühtemperatur gegeben, die mit der IC verträglich sein müssen. Praktisch beträgt der obere Grenzwert der Temperatur technologieabhängig und beträgt etwa 350°C.
  • Die Dicke der ersten Schicht 21, 121 sollte als Funktion der anderen Zwänge so hoch wie möglich sein.
  • Beispielsweise erhält man mit einem Permalloy-Film eine Dämpfung von 2 bis 4 dB/μm. Bei einer Dicke von 10 μm läßt sich eine Dämpfung von 30 dB erzielen. Bei einer Dicke von 20 μm ist auch eine Dämpfung von 60 dB möglich.
  • Allgemeiner gesagt, lautet die allgemeine Formel, welche die Dämpfung als Funktion der Dicke d der Schicht und die Frequenz f des Radiofrequenzfeldes angibt: A = exp(kd/f).
  • Der Koeffizient k hängt von dem Material ab. Bei dem Permalloy-Film ist k = 0,5 MHz/μm.
  • Die Abschirmschicht 20, 120 kann auch als Schutz gegen Licht verwendet werden. Die Wahl der Schichtdicke zum Abschirmen gegen Licht steht in direkter Beziehung zu der Eindringtiefe im Material.
  • Wenn wir Lichtfrequenzen mit Wellenlängen von 0,1 μm bis 2 μm (nahe Ultraviolett bis Infrarot) betrachten, reicht eine gute Metallschicht von 2 μm aus, um das Eindringen von Licht abzuschirmen. Eine gute Metallschicht ist eine Schicht, die einen spezifischen Widerstand kleiner als etwa 100 μOhm·cm aufweist. Das ist bei den meisten magnetischen Metallschichten wie NiFe, CoZr, Co, Ni oder Fe der Fall.
  • Allgemeiner gesagt, kann man sich vor Augen halten, daß die weiche magnetische Schicht bei Dicken größer als 500 nm auf Grund ihrer leitenden Eigenschaften als lichtundurchlässige Schicht für fast ultraviolettes, sichtbares und infrarotes Licht wirkt und durch Vorsehen einer solchen Schutzschicht die Erregung des Chips durch Licht vermieden wird.
  • Bei der Wahl der Zusammensetzung der Schicht 21, 121 ist zu berücksichtigen, daß das Ätzen mit verschiedenen Verfahren, zu denen das Naßätzen, das induktive Ionenätzen (RIE) und das Ionenstrahlätzen (IBE) gehören, und IC-Entstörwerkzeugen wie fokussierten Ionenstrahl-Werkzeugen (FIB-Werkzeugen) oder optisch fokussierten Ionenstrahlwerkzeugen, die als IDS OptiFIB (einem Warenzeichen von SCHLUMBERGER) bekannt sind, schwierig ist.
  • Schichten mit einem Co-Gehalt sind durch Naßätzung schwer zu ätzen. Schichten mit Ti sind mit RIE oder IBE schwer zu ätzen.
  • Eine Verbundschicht 20, 120 kann auch mit einer Keimschicht 22, 122 aus Ti oder Oxid, einer Permalloy-Schicht 21, 121 und einer zweiten weichen Materialschicht 24, 124 auf der Basis einer Co-Legierung verwendet werden.
  • Das Abscheiden der Schicht kann mit mehreren Verfahren wie durch elektrolytisches Abscheiden, Plasmaspritzen, Siebdruck, Sputtern, Aufdampfen (CVD, PECVD, PVD), Flüssigphasenbeschichten oder Verdampfen erfolgen.
  • Die 7 und 8 betreffen spezielle Ausführungsformen der Erfindung mit einer Abschirmschicht 20, die in der gleichen Weise wie bei den Ausführungsformen gemäß den 3 und 4 ausgebildet werden kann, und eine Störschicht 31, die auf der Abschirmschicht 20 vorgesehen ist.
  • Die Störschicht 31 hat die Aufgabe, Magnetfelder zu erzeugen, die viel größer als die Felder sind, die von den Strömen in der Baugruppe 1 erzeugt werden.
  • Die Störschicht 31 kann von einer inhomogenen, harten magnetischen Schicht gebildet sein.
  • Gemäß einer möglichen Ausführungsform umfaßt die Störschicht 31 eine inhomogene, harte, beständige magnetische Schicht, die äußere, statische, große Magnetfelder erzeugt. Wenn jedoch eine harte, beständige magnetische Schicht homogen ist, ist das außen erzeugte Feld sehr klein.
  • Demgemäß wird eine strukturelle oder magnetische Inhomogenität eingebracht, um Immunität gegen angelegte Magnetfelder zu verleihen.
  • Gemäß einer möglichen Ausführungsform umfaßt die Störschicht 31 eine inhomogene, harte, beständige magnetische Schicht, die äußere statische, große Magnetfelder erzeugt. Wenn jedoch eine harte, beständige Schicht homogen ist, ist das außen erzeugte Feld sehr klein.
  • Demgemäß wird eine strukturelle oder magnetische Inhomogenität eingebracht. Der Vorteil einer strukturellen Inhomogenität ist die Immunität gegen angelegte Magnetfelder. Aus diesem Grund wird diese als der wirksamste Schutz angesehen.
  • Die Zusammensetzung dieser harten, beständigen magnetischen Schicht kann CoPt, FePt, NdFeB, SmCo5 oder einige andere Seltenerd-/Übergangsmetall-Legierungen wie FeTb-Teilchen umfassen.
  • Die Dicke der Schicht richtet sich nach dem Material: 1 bis 5 μm dicke Filme können ein ziemlich großes Magnetfeld außerhalb des Systems erzeugen, wenn sie senkrecht zu den Filmen magnetisiert werden. Die Dicke steht in Beziehung zu dem remanenten Feld des Materials, das von 2 kOe (CoPt) bis zu 20 kOe (FeNdB) variiert.
  • Die strukturelle Inhomogenität läßt sich mit drei verschiedenen Vorgehensweisen erhalten: durch Verwendung einer rauen Schicht, das Mustern der Schicht und mit Hilfe eines Gemischs von magnetischen und unmagnetischen Objekten.
    • a) Die Rauheit an der Außenfläche 32 der Störschicht 31 (7) läßt sich mit dem Abscheideverfahren erzeugen. Sehr rauhe Flächen kann man insbesondere mit elektrolytischer Abscheidung erzeugen. Eine künstliche Rauheit läßt sich auch durch mechanisches Polieren der Fläche 32 mit groben Körnchen erzeugen.
    • b) Das Mustern der Schicht 31 und das Ätzen zur Erzeugung abgetragener Abschnitte 33 ist ein anspruchsvolleres Verfahren, mit dem ein gut gesteuertes, äußeres Magnetfeld erzeugt wird (8). Durch ein Muster, dessen Maße eine Größe von 5 μm oder kleiner aufweisen, wird die Störschicht sehr wirksam. Die Schichten 20 und 31 können durch UV-Lithographie gemustert werden. Es kann eine spezielle Konstruktion verwendet werden, die von den geschützten Bereichen abhängig ist. Es muß eine Öffnung für Kontaktstellenanschlüsse ausgeführt sein. Dieser Lithographieschritt kann an einem Wafer voller Größe vorgenommen werden.
    • c) Die Schicht 31 kann auch eine inhomogene Gruppe von magnetischem Material sein, die in eine unmagnetische, isolierende oder leitende Matrix eingebettet ist. Um das Verfahren preiswert zu machen, kann das magnetische Material in Leimen, Harzen und Polyimidschichten enthalten sein.
  • Ein Gemisch von Polymerschutzlack und NdFeB-Teilchen und deren Abscheidung durch Siebdruck ist eine ziemlich billige and leichte Methode. Die NdFeB-Teilchen sind zufällig orientiert, und ihre Koerzitivkraft kann 2 Tesla erreichen. Die Teilchen sollten größer als 1 μm sein, um einen Null betragenden Durchschnitt des erzeugten Feldes zu vermeiden. Die ideale Größe ist eine zufällige Verteilung zwischen 1 und 20 μm, wie man sie durch mechanisches Pulverisieren erhalten kann.
  • Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform besteht die Störschicht 31 aus einer fluktuierenden magnetischen Schicht. Bei dieser Ausführungsform wird eine Schicht verwendet, die aus fluktuierenden, in einer nichtmagnetischen Matrix eingebetteten Teilchen besteht.
  • Die fluktuierenden magnetischen Teilchen sind Teilchen im superparamagnetischen Regime. Dieses Regime kommt zustande, wenn die Größe des Teilchens klein genug ist und die Dichte der Teilchen niedrig genug (typischerweise kleiner als 10% und sicherlich kleiner als die Durchsickerkonzentration) ist. Dann sind die anisotrope Energie des Teilchens und die Zeeman-Energie in dem von den anderen Teilchen erzeugten Feld niedriger als die Wärmeenergie kT.
  • Eine typische Teilchengröße beträgt 3 bis 8 nm des Durchmessers.
  • Durch Manipulierung der Größe kann man Fluktuationshäufigkeiten im Bereich der IC-Arbeitsfrequenz erhalten. Das Verhältnis zwischen der Größe der Teilchen und der Fluktuationshäufigkeit ist durch f = f0 exp(–K1Vμ/kT) gegeben, wobei K1 die Anisotropiekonstante ist, V das Volumen des Teilchens ist, μ das unitäre Moment ist, k die Boltzmannsche Konstante ist und T die Arbeitstemperatur ist und f0 die elementare Frequenz ist, die in der Größenordnung von 109 Hertz liegt.
  • Die magnetische Zusammensetzung der Teilchen ist unwichtig. Die unmagnetische Matrix kann entweder eine metallische oder eine isolierende Matrix sein.
  • Die Herstellung der Teilchen kann entweder mit einer chemischen Methode oder mit einem Abscheidungsverfahren erfolgen.
  • Die Störschicht 31 kann auf der Abschirmschicht 120 der Ausführungsformen gemäß den 5 und 6 sowie auf der Abschirmschicht 20 der Ausführungsformen gemäß den 3 und 4 ausgebildet sein.
  • Die Schutzschicht gemäß der Erfindung wird eindeutigerweise auf eine Chip-Karte mit mindestens einer aktiven elektrischen Baugruppe 1 aufgebracht. In diesem Fall umfaßt die Schutzvorrichtung gemäß der Erfindung mindestens eine (11) von der oberen und der unteren Fläche 11, 12, mindestens eine (der Abschirmschicht 20, 120 der vorhergehenden Figuren ähnliche) Abschirmschicht 2 gegen die von der elektrischen Baugruppe 1 emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und/oder Radiofrequenzfelder (RF), wobei die Abschirmschicht 2 mindestens eine erste Schicht 21 oder 121 aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr größer als 500 umfaßt und die Abschirmschicht 2 im wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche 11, 12 aufgebracht ist, wodurch schichtfreie vorgegebene Bereiche 1a, 23, 123 mit begrenztem Bereich für die elektrischen Anschlüsse mit äußeren Vorrichtungen ermöglicht werden.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform, die in 9 gezeigt ist, umfaßt die Schutzvorrichtung gemäß der Erfindung auf der oberen wie auch der unteren Fläche 11, 12 mindestens eine der Abschirmschicht 20 oder 120 der vorhergehenden Figuren ähnliche Abschirmschicht 2 gegen die von der elektrischen Baugruppe 1 emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und/oder Radiofrequenzfelder (RF), wobei die Abschirmschicht 2 mindestens eine erste Schicht 21 oder 121 aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr größer als 500 umfaßt und die Abschirmschicht 2 im wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der oberen wie auch der unteren Fläche 11, 12 aufgebracht ist, wodurch schichtfreie vorgegebene Bereiche 1a, 23, 123 mit begrenztem Bereich für die elektrischen Anschlüsse 8, 9 mit äußeren Vorrichtungen ermöglicht werden.
  • Die elektrischen Anschlüsse 8, 9 können auf der oberen Fläche 11 der Baugruppe 1 in einem peripheren Abschnitt 1a der Baugruppe 1 angeordnet sein.
  • Die Schutzschichten 2 können mit Ausnahme des peripheren Bereichs 1a im wesentlichen auf der gesamten oberen Fläche 11 und der gesamten unteren Fläche 12 der Baugruppe 1 vorgesehen sein.
  • Die Baugruppe 1 umfaßt beispielsweise einen Prozessor und einen Speicher. Sie ist zusammen mit ihren zwei Schutzschichten 2 mit Hilfe einer Leimschicht 4 auf einem Substrat 5 aus Epoxidharz angebracht.
  • Die elektrischen Anschlüsse 8, 9 der Baugruppe 1 sind durch Drähte 81, 91 wie Drähte aus Gold mit Kontaktstellen 6, 7 verbunden, die auf der unteren Seite des Substrats 5 aus Epoxidharz vorgesehen sind. Die Drähte 81, 91 verlaufen durch in das Substrat 5 eingebrachte Löcher 51, 52 und sind beispielsweise über NiCu-/Gold-Kontakte mit den Kontaktstellen 6, 7 verbunden.
  • Das Substrat 5 aus Epoxidharz ist in einen Körper 101 einer Kunststoffkarte eingebettet, die eine Sackbohrung trägt, deren Tiefe derart ist, daß sie mindestens die Baugruppe 1, die Schutzschichten 2, die Drähte 81, 91 und das Substrat 5 aus Epoxidharz enthalten kann. Der Körper 101 der Kunststoffkarte besitzt eine eingelassene planare Fläche 53, 54, deren Form kreisförmig oder rechteckig sein kann, und deren Tiefe von der Dicke des Substrats 5 aus Epoxidharz in einer solchen Weise abhängt, daß die Außenfläche der Kontaktstellen 6, 7 annähernd in der gleichen Ebene wie die untere Fläche des Körpers 101 der Kunststoffkarte liegt, die im allgemeinen aufgedruckte Muster, Aufschriften oder Zeichnungen trägt. Das Substrat 5 aus Epoxidharz ist im allgemeinen auf diese eingelassene planare Fläche 53, 54 aufgeklebt.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die andere Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer geschützten elektrischen Vorrichtung mit einer zu schützenden elektrischen Baugruppe 1 auszuführen, wobei die elektrische Vorrichtung eine obere Fläche 11 und eine untere Fläche 12 und elektrische Anschlüsse zum äußeren Zusammenwirken aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens einer der Abschirmschicht 20 oder 120 der vorhergehenden Figuren ähnlichen Abschirmschicht 2 gegen die von der elektrischen Baugruppe 1 emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und Radiofrequenzfelder (RF) auf mindestens einer (11) von der oberen und der unteren Fläche 11, 12 umfaßt, wobei der Schritt des Ausbildens der Abschirmschicht 2 zumindest das Aufbringen einer ersten Schicht 21, 121 aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr größer als 500 im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche 11, 12 mit Ausnahme von vorbestimmten Bereichen 1a, 23, 123 mit beschränkter Fläche umfaßt, wobei die elektrischen Anschlüsse 8, 9 auf mindestens einigen (1a) der vorbestimmten Bereiche 1a, 23, 123 angeordnet sind.
  • Vorteilhafterweise umfaßt das Verfahren gemäß der Erfindung in dem Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht 2 folgende Unterschritte:
    • a) Aufbringen einer mechanisch harten Schicht zur Ausbildung einer Keimschicht 22, 122 auf der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche 11, 12 mit elektrischen Anschlüsse 8, 9 mit einem Sputterverfahren und
    • b) Ausbilden einer Schicht 21, 121 aus weichem magnetischem Material mit hoher Permeabilität durch elektrolytische Abscheidung.
  • Vorteilhafterweise umfaßt das Verfahren gemäß der Erfindung in dem Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht 2 außerdem das Mustern der Abschirmschicht 2 durch Abtragen von Abschnitten 23, 123, die einige der vorgegebenen Bereiche 1a, 23, 123 bilden, die einige von den vorgegebenen Bereichen 1a, 23, 123 mit begrenzter Fläche bilden, welche die elektrischen Anschlüsse 8, 9 aufnehmen können, wobei die Keimschicht 22, 122 vor dem Abscheiden der Schicht 21, 121 aus weichem magnetischem Material gemustert wird.
  • Vorteilhafterweise umfaßt das Verfahren gemäß der Erfindung in dem Schritt des Ausbildens der mindestens einen Abschirmschicht 2 außerdem den Unterschritt des Ausbildens einer zusätzlichen, mechanisch harten Endschicht 124 durch elektrolytische Abscheidung.
  • Vorteilhafterweise umfaßt das Verfahren gemäß der Erfindung in dem Schritt des Ausbildens der mindestens einen Abschirmschicht 2 außerdem den Schritt des Ausbildens einer Störschicht 31 auf der Abschirmschicht 2, die ein inhomogenes, hartes magnetisches Material umfaßt, das ein starke magnetische Störung zumindest von der gleichen Größenordnung wie die von der elektrischen Baugruppe 1 emittierten elektromagnetischen Felder (EM-Felder) und Radiofrequenzfelder (RF-Felder) induzieren kann.
  • Vorteilhafterweise umfaßt das Verfahren gemäß der Erfindung in dem Schritt des Ausbildens einer Störschicht 31 das Einlagern von fluktuierenden magnetischen Teilchen in einer nichtmagnetischen Matrix.
  • Im folgenden sind einige praktische Beispiele angegeben.
  • Beispiel 1
  • Die Abschirmschicht 120 besteht aus einer Dreifachschicht: Ti von 10 nm (Schicht 122), NiFe von 20 μm (Schicht 121) und CoZr von 1 μm (Schicht 124). Die Dicke kann variiert werden, jedoch scheint eine Gesamtdicke zwischen 20 und 40 μm eine optimale Wahl zu sein.
  • Die Störschicht 31 besteht aus einer harten magnetischen Schicht aus NdFeB, die durch Siebdruck aufgebracht ist.
    • 1) Die 10 nm messende Ti-Keimschicht 122 wird mit einem Sputterverfahren aufgebracht. Die Schicht 122 wird bei Zimmertemperatur abgeschieden; die Abscheidegeschwindigkeit beträgt bei einem Ziel-/Proben-Abstand von 8 cm etwa 2 nm pro Sekunde bei 200 W. Dann kann eine Schutzlackmaske aufgebracht und die Keimschicht in den Bereichen 123 unter Befolgung einer speziellen Konstruktion geätzt werden. Eine Alternative bestände darin, die Ti-Keimschicht 122 nach der Schaffung der Schutzlackmaske aufzubringen und einen Ablösevorgang anzuwenden.
    • 2) Der zweite Schritt besteht darin, durch elektrolytische Abscheidung eine 20 μm dicke NiFe-Schicht 121 auf der Ti-Keimschicht 122 wachsen zu lassen. Eine typische Geschwindigkeit für die NiFe-Abscheidung beträgt 1 μm pro Minute. Eine ziemlich flache NiFe-Schicht läßt sich durch Homogenität von Temperatur und Konzentration der Lösung erhalten.
    • 3) Dann wird durch elektrolytische Abscheidung eine Endschicht 124 aus CoZr aufgebracht.
    • 4) Die Störschicht 31 besteht aus NdFeB-Teilchen mit Größen im Bereich von 1 bis 20 μm, die in einem Schutzlack aus Polyimid eingelagert sind. Die Dicke der Schicht sollte größer als 1 μm sein.
  • Beispiel 2
  • Die Abschirmschicht 120 besteht aus einer Dreifachschicht: Ti von 10 nm (Schicht 122), NiFe von 20 μm (Schicht 121) und CoZr von 1 μm (Schicht 124). Die Dicke kann variiert werden, jedoch scheint eine Gesamtdicke zwischen 20 und 40 μm eine optimale Wahl zu sein.
  • Die Störschicht 31 besteht aus einer harten magnetischen Schicht aus einer Legierung von CoPtP.
    • 1) Die 10 nm messende Ti-Keimschicht 122 wird mit einem Sputterverfahren aufgebracht. Die Schicht 122 wird bei Zimmertemperatur abgeschieden; die Abscheidegeschwindigkeit beträgt bei einem Ziel-/Proben-Abstand von 8 cm etwa 2 nm pro Sekunde bei 200 W. Dann kann eine Schutzlackmaske aufgebracht und die Keimschicht in den Bereichen 123 unter Befolgung einer speziellen Konstruktion geätzt werden. Eine Alternative bestände darin, die Ti-Keimschicht nach der Schaffung der Schutzlackmaske aufzubringen und einen Ablösevorgang anzuwenden.
    • 2) Der zweite Schritt besteht darin, durch elektrolytische Abscheidung eine 20 μm dicke NiFe-Schicht 121 auf der Ti-Keimschicht 122 wachsen zu lassen. Eine typische Geschwindigkeit für die NiFe-Abscheidung beträgt 1 μm pro Minute. Eine ziemlich flache NiFe-Schicht läßt sich durch Homogenität von Temperatur und Konzentration der Lösung erhalten.
    • 3) Dann wird durch elektrolytische Abscheidung eine Endschicht 124 aus CoZr aufgebracht.
    • 4) Die CoPt-Schicht 31 kann man durch elektrolytische Abscheidung wachsen lassen. Das kann durch eine Schutzlackmaske erfolgen, die ein vorbestimmtes Muster konstruiert, das für die Schaffung einer maximalen Störung berechnet ist. Die Dicke der CoPt-Schicht beträgt 5 μm. In diesem Fall kann die Koerzitivkraft dieses Materials 0,15 Tesla erreichen, und an der Oberfläche entstandene Streufelder liegen in der Größenordnung von 10 mT (105 A/m).
  • Beispiel 3
  • Die Abschirmschicht 120 besteht aus einer Dreifachschicht: Ti von 10 nm (Schicht 122), NiFe von 20 μm (Schicht 121) und CoZr von 1 μm (Schicht 124). Die Dicke kann variiert werden, jedoch scheint eine Gesamtdicke zwischen 20 und 40 μm eine optimale Wahl zu sein.
  • Die Störschicht 31 besteht aus fluktuierenden Co-Teilchen.
    • 1) Die 10 nm messende Ti-Keimschicht 122 wird mit einem Sputterverfahren aufgebracht. Die Schicht 122 wird bei Zimmertemperatur abgeschieden; die Abscheidegeschwindigkeit beträgt bei einem Ziel-/Proben-Abstand von 8 cm etwa 2 nm pro Sekunde bei 200 W. Dann kann eine Schutzlackmaske aufgebracht und die Keimschicht in den Bereichen 123 unter Befolgung einer speziellen Konstruktion geätzt werden. Eine Alternative bestände darin, die Ti-Keimschicht nach der Schaffung der Schutzlackmaske aufzubringen und einen Ablösevorgang anzuwenden.
    • 2) Der zweite Schritt besteht darin, durch elektrolytische Abscheidung eine 20 μm dicke NiFe-Schicht 121 auf der Ti-Keimschicht 122 wachsen zu lassen. Eine typische Geschwindigkeit für die NiFe-Abscheidung beträgt 1 μm pro Minute. Eine ziemlich flache NiFe-Schicht läßt sich durch Homogenität von Temperatur und Konzentration der Lösung erhalten.
    • 3) Dann wird durch elektrolytische Abscheidung eine Endschicht 124 aus CoZr aufgebracht.
    • 4) Die Schicht 31 wird von Co-Teilchen in einem Material aus Ag, Al2O3 oder SiO2 gebildet. Ein solches System hat den doppelten Vorteil, daß es ziemlich leicht, beispielsweise durch gemeinsames Sputtern, herstellbar und sehr schwer zerstörbar ist. Die richtige Konzentration von Co von etwa 10%, erhält man durch Vermindern der Energie der sputternden Co-Quelle. Das Co-/Ag-System läßt sich besonders leicht herstellen, da die zwei Elemente nicht mischbar sind. Dann erhält man bei einer Abscheidung bei Zimmertemperatur sehr kleine Co-Teilchen. Die Größe wird durch Glühen bei einer Temperatur von mehr als 250°C und weniger als 400°C vergrößert. Ein einstündiger Glühvorgang bei 250°C reicht aus, um fluktuierende Teilchen von etwa 3-5 nm zu erhalten, welche die richtige Größe ist, um die Radiofrequenzemission des transportablen Objekts zu erfassen.

Claims (31)

  1. Geschützte elektrische Vorrichtung mit mindestens einer zu schützenden elektrischen Baugruppe (1), wobei die elektrische Vorrichtung eine obere Fläche (11), eine untere Fläche (12) und elektrische Anschlüsse (8, 9) zum äußeren Zusammenwirken aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem an mindestens einer (11) von der oberen und der unteren Fläche (11, 12) mindestens eine Abschirmschicht (20; 120) gegen die von der elektrischen Baugruppe (1) emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und Radiofrequenzfelder (RF) umfaßt, wobei die Abschirmschicht (20; 120) mindestens eine erste Schicht (21; 121) aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität (μr) größer als 500 umfaßt, wobei die Abschirmschicht (20; 120) außerdem eine zusätzliche äußere Schicht (124) umfaßt, die eine metallisch harte Schicht mit guter Beständigkeit gegen mechanisches Polieren oder chemisches Ätzen ist, wobei die Abschirmschicht (20; 120) mit Ausnahme von vorbestimmten Bereichen (1a; 23; 123) mit beschränkter Fläche im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche (11, 12) aufgebracht ist und die elektrischen Anschlüsse mit äußeren Vorrichtungen auf mindestens einigen der vorbestimmten Bereiche angeordnet sind.
  2. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmschicht aufgetragen ist.
  3. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die elektrische Baugruppe (1) mindestens eine integrierte Schaltung umfaßt.
  4. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die elektrischen Kontakte (8, 9) auf einem Umfangsbereich (1a) der elektrischen Baugruppe angeordnet sind.
  5. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Schicht (21; 121) der Abschirmschicht (20; 120) ein Material umfaßt, das Legierungen von Fe, Ni oder Co enthält.
  6. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die erste Schicht (21; 121) der Abschirmschicht (20; 120) eine der folgenden Legierungen umfaßt: NiFe-Legierungen, CoNi-Legierungen, CoZr-Legierungen.
  7. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die erste Schicht (21; 121) eine Dicke zwischen 2 und 40 μm und vorzugsweise zwischen 10 und 30 μm aufweist.
  8. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Abschirmschicht (20; 120) außerdem eine Keimschicht (22; 122) aus Ti oder Oxid aufweist, die zwischen der elektrischen Baugruppe (1) und der ersten Schicht (21; 121) angeordnet ist.
  9. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Keimschicht (22; 122) eine Dicke zwischen 8 und 100 nm und vorzugsweise zwischen 10 und 20 nm aufweist.
  10. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Abschirmschicht (20; 120) gemustert ist mit freigelegten Abschnitten (23; 123), die zumindest einige der vorbestimmten Bereiche (1a; 23; 123) mit begrenzter Fläche ausbilden, welche die elektrischen Anschlüsse (8, 9) aufnehmen können.
  11. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die zusätzliche äußere Schicht (124) aus Ti besteht.
  12. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die zusätzliche äußere Schicht (124) unmagnetische Oxide wie beispielsweise SiO2 oder Al2O3 umfaßt.
  13. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die zusätzliche äußere Schicht (124) diamantartigen Kohlenstoff umfaßt.
  14. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die zusätzliche äußere Schicht (124) ein chemikalienbeständiges magnetisches Material wie beispielsweise eine Verbindung auf Co-Basis umfaßt
  15. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die zusätzliche äußere Schicht (124) eine Dicke zwischen 1 und 2 μm aufweist.
  16. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei sie außerdem eine auf der Abschirmschicht (20; 120) ausgebildete Störschicht (31) umfaßt, wobei die Störschicht (31) ein inhomogenes hartes magnetisches Material umfaßt, das ein starke magnetische Störung zumindest von der gleichen Größenordnung wie die von der elektrischen Unterbaugruppe (1) emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und Radiofrequenzfelder (RF) induzieren kann.
  17. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Störschicht (31) harte magnetische Teilchen umfaß, die in einer Matrix eingelagert sind.
  18. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei die Störschicht (31) eine Fläche (32) mit einer natürlichen Rauheit aufweist, durch die eine magnetische Inhomogenität eingebracht wird, welche die Störwirkung verstärkt.
  19. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei die Störschicht (31) eine künstliche Rauheit aufweist.
  20. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei die Störschicht (31) gemustert aufgebracht wird.
  21. Geschützte Vorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei die Störschicht (31) fluktuierende magnetische Teilchen umfaßt, die in einer nichtmagnetischen Matrix eingelagert sind.
  22. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 21, wobei die Störschicht (31) eine Dicke zwischen etwa 1 und 10 μm aufweist.
  23. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 21, wobei die Störschicht (31) ein hartes magnetisches Material umfaßt, das wenigstens eines der folgenden Materialien aufweist: CoPt, FePt, NdFeB, SmCo5, FeTb.
  24. Geschützte Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 23, wobei sowohl auf die obere als auch die untere Fläche (11, 12) der elektrischen Baugruppe Abschirmschichten (20; 120) aufgebracht sind, wobei schichtfreie vorbestimmte Bereiche (1a; 23; 123) mit begrenzter Fläche für die elektrischen Anschlüsse zu externen Vorrichtungen zugelassen werden.
  25. IC-Karte, dadurch gekennzeichnet, daß diese mindestens eine geschützte elektrische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 24 umfaßt.
  26. Verfahren zur Herstellung einer geschützten elektrischen Vorrichtung mit einer zu schützenden elektrischen Baugruppe (1), wobei die elektrische Vorrichtung eine obere Fläche (11) und eine untere Fläche (12) besitzt und elektrische Anschlüsse zum äußeren Zusammenwirken aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß es den Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht (20; 120) gegen die von der elektrischen Baugruppe (1) emittierten elektromagnetischen Felder (EM) und Radiofrequenzfelder (RF) auf mindestens einer (11) von der oberen und der unteren Fläche (11, 12) umfaßt, wobei der Schritt des Ausbildens der Abschirmschicht (20; 120) zumindest das Aufbringen einer ersten Schicht (21; 121) aus weichem magnetischem Material mit einer hohen relativen Permeabilität μr von mehr als 500 und einer zusätzlichen äußeren Schicht (124), die eine mechanisch harte Schicht mit guter Beständigkeit gegen mechanisches Polieren oder chemisches Ätzen ist, im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche (11, 12) mit Ausnahme von vorbestimmten Bereichen (1a; 23; 123) mit beschränkter Fläche umfaßt, wobei die elektrischen Anschlüsse (8, 9) auf mindestens einigen (1a) der vorbestimmten Bereiche (1a; 23; 123) angeordnet sind.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, wobei der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht (20; 120) folgende Unterschritte umfaßt: a) Aufbringen einer mechanisch harten Schicht zur Ausbildung einer Keimschicht (22; 122) auf der mindestens einen (11) von der oberen und der unteren Fläche (11, 12) mit elektrischen Anschlüsse (8, 9) mit einem Sputterverfahren und b) Ausbilden einer Schicht (21; 121) aus weichem magnetischem Material mit hoher Permeabilität durch elektrolytische Abscheidung.
  28. Verfahren nach Anspruch 26, wobei der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht (20; 120) außerdem das Mustern der Abschirmschicht (20; 120) durch Freilegen von Abschnitten (23; 123) umfaßt, die einige der vorbestimmten Bereiche (1a; 23; 123) mit begrenzter Fläche bilden, welche die elektrischen Anschlüsse (8, 9) aufnehmen können, wobei die Keimschicht (22; 122) vor dem Aufbringen der Schicht (21; 121) aus weichem magnetischem Material gemustert wird.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, wobei der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht (20; 120) außerdem den Unterschritt des Ausbildens einer zusätzlichen mechanisch harten Endschicht (124) durch elektrolytische Abscheidung umfaßt.
  30. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 29, wobei dieses außerdem den Schritt des Ausbildens einer Störschicht (31) auf der Abschirmschicht (20; 120) umfaßt und die Störschicht ein inhomogenes hartes magnetisches Material umfaßt, das ein starke magnetische Störung zumindest von der gleichen Größenordnung wie die von der elektrischen Baugruppe (1) emittierten elektromagnetischen Felder (EM-Felder) und Radiofrequenzfelder (RF-Felder) induzieren kann.
  31. Verfahren gemäß Anspruch 30, wobei der Schritt des Ausbildens von mindestens einer Abschirmschicht (20; 120) das Einlagern von fluktuierenden magnetischen Teilchen in einer nichtmagnetischen Matrix umfaßt.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5138181B2 (ja) * 2005-08-01 2013-02-06 三星電子株式会社 フェライト遮蔽構造を備えた半導体パッケージ
CN101373741B (zh) * 2007-08-21 2010-06-23 海华科技股份有限公司 半导体屏蔽结构及其制造方法
US9055665B2 (en) 2010-11-18 2015-06-09 Nagravision S.A.S Interface between a security module and a host device
ES2603329T3 (es) 2010-11-18 2017-02-27 Nagravision S.A. Método y aparato para comunicar entre un módulo de seguridad y un dispositivo host
EP2455886A1 (de) 2010-11-18 2012-05-23 Nagravision S.A. Schnittstelle zwischen einem Sicherheitsmodul und einer Hostvorrichtung
US8733652B2 (en) 2010-11-18 2014-05-27 Nagravision S.A. Method and apparatus for communicating between a security module and a host device
CA2912594A1 (en) 2013-05-16 2015-02-19 National Institute Of Aerospace Associates Radiation hardened microelectronic chip packaging technology
EP2997595B1 (de) * 2013-05-16 2020-11-18 National Institute Of Aerospace Associates Verfahren zur herstellung eines strahlungsgehärteten mikroelektronischen chipgehäuses
FR3027705B1 (fr) * 2014-10-27 2017-12-22 Oberthur Technologies Module a microcircuit, procede de fabrication d'un module a microcircuit, dispositif electronique comportant un tel module
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
US10718880B2 (en) * 2018-11-29 2020-07-21 Schlumberger Technology Corporation High-voltage protection and shielding within downhole tools
TWI728604B (zh) * 2019-01-01 2021-05-21 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽及主動電磁相容屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US20210125959A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Texas Instruments Incorporated Metal-covered chip scale packages
FR3111737B1 (fr) * 2020-06-19 2022-07-08 Commissariat Energie Atomique Protection de puce ou de boitier-systeme utilisant l’effet gmi
WO2024167205A1 (ko) * 2023-02-09 2024-08-15 삼성전자 주식회사 전자 펜을 인식하는 전자 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0744110B2 (ja) 1988-09-02 1995-05-15 松下電器産業株式会社 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド
US5138431A (en) * 1990-01-31 1992-08-11 Vlsi Technology, Inc. Lead and socket structures with reduced self-inductance
JP2870162B2 (ja) * 1990-07-20 1999-03-10 セイコーエプソン株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2759395B2 (ja) * 1992-03-25 1998-05-28 住友特殊金属株式会社 半導体デバイス
CA2092371C (en) * 1993-03-24 1999-06-29 Boris L. Livshits Integrated circuit packaging
US5294826A (en) * 1993-04-16 1994-03-15 Northern Telecom Limited Integrated circuit package and assembly thereof for thermal and EMI management
JP3505691B2 (ja) * 1995-01-23 2004-03-08 Ｎｅｃトーキン株式会社 電子装置
JP2970590B2 (ja) * 1997-05-14 1999-11-02 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
US6121544A (en) * 1998-01-15 2000-09-19 Petsinger; Julie Ann Electromagnetic shield to prevent surreptitious access to contactless smartcards
US6515352B1 (en) * 2000-09-25 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Shielding arrangement to protect a circuit from stray magnetic fields
JP2003124538A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Sony Corp 情報記憶装置およびその情報記憶装置を実装した電子機器
JP3907461B2 (ja) * 2001-12-03 2007-04-18 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法
US6767592B2 (en) * 2001-12-05 2004-07-27 Seagate Technology Llc Method for thin film protective overcoat
US6906396B2 (en) * 2002-01-15 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Magnetic shield for integrated circuit packaging
JP3923368B2 (ja) * 2002-05-22 2007-05-30 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
JP4013140B2 (ja) * 2003-01-15 2007-11-28 ソニー株式会社 磁気メモリ装置

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Publication number Publication date
WO2005106953A1 (en) 2005-11-10
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KR20070055419A (ko) 2007-05-30
US20110068441A1 (en) 2011-03-24
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DE602005002558D1 (de) 2007-10-31
US8415774B2 (en) 2013-04-09
ES2293569T3 (es) 2008-03-16
EP1745509B1 (de) 2007-09-19
JP2007536752A (ja) 2007-12-13
EP1745509A1 (de) 2007-01-24

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