DE19951754B4 - Strahlungsrauschen-Unterdrückungs-Komponentenstruktur - Google Patents

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Abstract

Elektronische Vorrichtung mit folgenden Merkmalen:
einer Schaltungsplatine (1);
einer Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (2);
einer Massestruktur (7);
einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente (5; 5A), die eine magnetische Lage (4; 4a), die direkt auf der von der Schaltungsplatine (1) abgewandten Seite der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (2) gebildet ist und dieselbe im wesentlichen bedeckt, und eine Leiterschicht (3), die direkt auf der magnetischen Schicht (4; 4a) gebildet ist und dieselbe im wesentlichen bedeckt, aufweist,
wobei die Leiterschicht (3) mit der Massestruktur (7) über einen Leiter (6) verbunden ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Strahlungs-rauschen-Unterdrückungs-Komponentenstruktur zum Unterdrücken von Rauschen, das von einer elektronischen Komponente, einer Schaltungsplatine oder einer ähnlichen Rauschen-emittierenden Vorrichtung abgestrahlt, wird.
  • Im allgemeinen ist ein herkömmlicher Absorbierer zum Absorbieren von unerwünschtem Rauschen von elektromagnetischen Wellen durch eine magnetische Lage definiert, die durch Mischen von Ferrit oder einem magnetischen Metallpulver mit einem Harz und durch Verarbeiten des gemischten Materials, um eine Lage zu bilden, gebildet wird. Zusätzlich enthält eine andere herkömmliche Rauschunterdrückungskomponente eine Leiterschicht, die auf der Oberfläche oder innerhalb der magnetischen Lage vorgesehen ist, wobei die Leiterschicht als Reflexionsschicht für elektromagnetische Wellen verwendet wird. Bei dieser magnetischen Lage, die die Leiterschicht hat, wird Strahlungsrauschen durch die oben beschriebene magnetische Lage absorbiert, wobei das Strahlungsrauschen, das in der magnetischen Lage gedämpft wird, von der Leiterschicht reflektiert wird und erneut durch die magnetische Lage läuft, wo das Strahlungsrauschen weiter gedämpft wird.
  • Für eine praktische Verwendung werden diese Absorbierer für elektromagnetische Wellen jedoch einfach mit den Oberseiten von Strahlungsrauschen-erzeugenden Quellen, wie z. B. elektronischen Komponenten, Verdrahtungen auf Schaltungsplatinen und anderen Elementen, die Strahlungsrauschen erzeugen, verbunden. Eine solche Befestigungsstruktur hat das Problem, daß der Strahlungsrauschen-Sperreffekt eine Rauschen-Verhinderungsmenge von lediglich mehreren dB erzeugt. Ein viel größerer Strahlungsrauschen-Sperreffekt ist jedoch nicht möglich.
  • Aus der EP 785 557 B1 ist eine Schutzhülle bekannt, die eine Schaltungsplatine mit darauf angeordneten elektronischen Bauelementen umgibt, um ein Strahlungsrauschen zu verhindern. Die Schutzhülle umfaßt eine erste innere Schicht aus einem magnetischen Material und eine zweite äußere Schicht aus einem leitfähigen Material.
  • Aus der DE 40 16 953 C2 ist ein elektronischen Bauelement bekannt, bei dem ein Substrat zusammen mit darauf angeordneten elektronischen Komponenten mit einer isolierenden Schicht umgeben ist, die auch nach außen führende Kontaktdrähte einschließt. Über der isolierenden Schicht ist eine geerdete Leiterschicht vorgesehen.
    •
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine elektronische Vorrichtung zu schaffen, bei der das abgegebene Strahlungsrauschen stark unterdrückt ist.
  • Diese Aufgabe wird durch eine elektronische Vorrichtung nach Patentanspruch 1 gelöst.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß sie eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur liefert, die einfach ist, die jedoch einen sehr großen Strahlungsrauschen-Sperreffekt erreicht.
  • Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur eine Strahlungsrauschen-Sperrkomponente, die eine magnetische Lage und eine Leiterschicht auf der magnetischen Lage umfaßt, wobei die magnetische Lage angeordnet ist, um eine Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle zu bedecken, und um zu der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle hin gewandt zu sein, und wobei die Leiterschicht angeordnet ist, um die magnetische Lage im wesentlichen zu bedecken, und wobei die Leiterschicht geerdet ist.
  • Vorzugsweise besteht die magnetische Lage aus einem magnetischen Pulver, das mit zumindest einem Harz oder einem Gummi gemischt ist, wobei das magnetische Pulver aus zumindest einem Ferrit oder einem magnetischen Metall besteht. Die Leiterschicht ist vorzugsweise aus zumindest einem Element der Gruppe hergestellt, die aus Metallfolien, Plattierungsfilmen, Metallgittern, leitfähigen Pasten, leitfähigen Fasern und leitfähigen Lagen besteht.
  • Mit der einzigartigen Struktur und Anordnung der oben beschriebenen Elemente wird Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle abgestrahlt wird, durch die magnetische Lage absorbiert, so daß das Rauschen gedämpft wird, woraufhin das gedämpfte Strahlungsrauschen auf die Leiterschicht fällt. Da die Leiterschicht geerdet ist, wird ein Teil des einfallenden Strahlungsrauschens über die Leiterschicht zur Masse übertragen. Das restliche Strahlungsrauschen wird von der Leiterschicht reflektiert und wieder durch die magnetische Lage geleitet, wo das Strahlungsrauschen absorbiert wird, um noch weiter gedämpft zu werden. Dementsprechend wird Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle abgestrahlt wird, beträchtlich gedämpft, so daß eine viel höhere Dämpfung von Rauschen im Vergleich zu herkömmlichen Elementen erreicht wird.
  • Ferner ist bei der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die Leiterschicht vorzugsweise im wesentlichen mit einer weiteren magnetischen Lage bedeckt. Dementsprechend hat die Strahlungsrauschen-Sperrkomponente vorzugsweise eine Sandwich-Struktur, bei der die Leiterschicht zwischen den zwei magnetischen Lagen angeordnet ist. Austretendes Strahlungsrauschen, d. h. das Strahlungsrauschen, das von den Seiten der Leiterschicht zu der Rückseite derselben kommt, ohne durch die Leiterschicht zu der Masse zu fließen, und das auch nicht von der Leiterschicht gedämpft wird, wird durch die magnetische Lage gedämpft, die an der Rückseite der Leiterschicht angeordnet ist.
  • Zusätzlich ist die Dicke der magnetischen Lage, die zwischen der Strahlungsrauschen-Erzeugungsquelle und der Leiterschicht vorgesehen ist, vorzugsweise in der Größenordnung von 0,3 mm oder darüber, so daß das Strahlungsrauschen um etwa 10 dB oder darüber gedämpft werden kann.
    •
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen detaillierter erörtert. Es zeigen:
  • 1 eine Aufrißdarstellung, die die Anordnung einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 einen Graph, der die Beziehung zwischen der Dicke einer magnetischen Lage und der resultierenden Dämpfung des Rauschens zeigt;
  • 3 eine Aufrißansicht, die die Anordnung einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 eine Aufrißansicht, die die Konfiguration eines Beispiels zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist;
  • 5 eine Aufrißansicht, die die Konfiguration eines weiteren Beispiels zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde;
  • 6 eine weitere Aufrißansicht, die die Konfiguration noch eines weiteren Beispiels zeigt, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist; und
  • 7 eine weitere Aufrißansicht, die die Konfiguration eines weiteren Beispiels, das zum Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, zeigt.
  • 1 zeigt ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung. Bei dem bevorzugten Ausführungsbei spiel hat die vorliegende Erfindung eine Struktur, die angeordnet ist, um eine Unterdrückung von Strahlungsrauschen, das von einer zentralen Verarbeitungseinheit 2, die nachfolgend als "CPU" bezeichnet wird, eines Personalcomputers abgestrahlt wird, zu bewirken. Es ist jedoch ohne weiteres zu sehen, daß die Strukturen und Anordnungen der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung angeordnet werden können, um die Unterdrückung von Strahlungsrauschen von einer gedruckten Schaltungsplatine, einer elektronischen Komponente oder einer anderen Rauschen-erzeugenden Vorrichtung zu maximiert.
  • Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 ist mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, um die CPU 2 im wesentlichen zu bedecken, die auf einer Schaltungsplatine 1 angebracht ist. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 umfaßt vorzugsweise eine magnetische Lage 4 und eine Leiterschicht 3, die auf der Oberfläche der magnetischen Lage 4 vorgesehen ist.
  • Die magnetische Lage 4 kann vorzugsweise eine Lage sein, die aus einer Mischung gebildet ist, bei der ein magnetisches Pulver oder ein Ferrit oder ein magnetisches Metall mit einem Harz oder einem Gummi gemischt ist. Zusätzlich können eine Metallfolie, ein Plattierungsfilm, ein Metallgitter, eine leitfähige Paste, leitfähige Fasern, eine leitfähige Lage usw. als Leiterschicht 3 verwendet werden. Bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird eine Menge von etwa 80 Gewichtsprozent eines Mg-Zn-System-Ferritmagnetpulvers mit einer mittleren Partikelgröße von etwa 15 μm vorzugsweise mit chloriertem Polyethylen gemischt. Das erhaltene magnetische Harz wird in eine magnetische Lage 4 Extrusionsgeformt, die vorzugsweise eine Dicke von etwa 1,0 mm hat.
  • Anschließend wird, wie es in 1 gezeigt ist, eine Kupferfolie, die die leitfähige Schicht 3 definiert, mit der Oberfläche der magnetischen Lage 4 verbunden, woraufhin die magnetische Lage 4 mit der Kupferfolie 3 vorzugsweise geschnitten wird, um eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm zu ha ben, um als Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 verwendet zu werden.
  • Eine Seite der magnetischen Lage 4 der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 ist vorzugsweise angeordnet, um zu der CPU 2 hin gewandt zu sein. Die magnetische Lage 4 ist angeordnet, um die CPU 2 zu berühren, und dieselbe ist mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden. Die magnetische Lage 4 ist zwischen der Leiterschicht 3 und der CPU 2 angeordnet. Die Leiterschicht 3 ist mit der Massestruktur 7 auf der Schaltungsplatine 1 über einen Leiter 6 verbunden. Der Leiter 6 kann aus einem Material, wie z. B. einem leitfähigen Draht, einer Metallfolie oder einem anderen geeigneten Leiterelement, hergestellt sein. Um die Erzeugung einer Impedanz zu verhindern, die durch den Leiter 6 bewirkt wird, wird bevorzugt, daß ein Leiter 6 verwendet wird, der so kurz und breit als möglich ist.
  • Bei der oben beschriebenen einzigartigen Struktur und Anordnung wird das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wird, durch die magnetische Lage 4 absorbiert, so daß das Rauschen gedämpft wird. Das gedämpfte Rauschen fällt dann auf die Leiterschicht 3. Da die Leiterschicht 3 geerdet ist, wird ein Teil des einfallenden Strahlungsrauschens über die Leiterschicht 3 zu der Masse übertragen. Das restliche Strahlungsrauschen wird von der Leiterschicht 3 reflektiert und läuft durch die magnetische Lage 4, um von der magnetischen Lage 4 absorbiert und gedämpft zu werden. Somit wird das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 erzeugt wird, stark gedämpft.
  • Insbesondere wurde die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz, das von der CPU 2 abgegeben wird, gemessen. Es wurde aus dieser Messung bestätigt, daß die Struktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wird, um 15 dB dämpft.
  • Um ferner die Auswirkung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zu bestätigen, wurde bei der Struktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5 des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels die Dicke der magnetischen Lage 4 in dem Bereich von etwa 0 mm bis etwa 4 mm variiert, wonach das Strahlungsrauschen bei 800 MHz, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, gemessen wurde. Die gemessenen Ergebnisse sind in 2 gezeigt. Die Resultate zeigen, daß eine Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz um etwa 10 dB oder mehr erreicht werden kann, wenn die Dicke der magnetischen Lage 4 etwa 0,3 mm oder mehr beträgt.
  • Ferner kann bei der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung, wie sie in 3 gezeigt sind, die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5A eine Sandwich-Struktur (zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel) haben, die vorzugsweise zwei magnetische Lagen 4a und 4b umfaßt, wobei die Leiterschicht 3 zwischen den zwei magnetischen Lagen 4a und 4b vorgesehen ist. Bei der Sandwich-Struktur wird austretendes bzw. Leck-Strahlungsrauschen, d. h. Rauschen, das von den Seiten der Leiterschicht 3 zu der Rückseite der Leiterschicht 3 läuft, ohne über die Leiterschicht 3 zur Masse übertragen zu werden, und ohne von der Leiterschicht 3 reflektiert zu werden, von der magnetischen Lage 4b gedämpft, die zusätzlich auf der Rückseite der Leiterschicht 3 vorgesehen ist. Somit kann das Strahlungsrauschen weiter verringert werden.
  • Gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel definiert eine Gittereinheit, die Nickeldrähte enthält, die in derselben gewirkt sind, die Leiterschicht 3. Die Gittereinheit ist zwischen den magnetischen Lagen 4a und 4b angeordnet, die vorzugsweise unter Verwendung des gleichen Prozesses wie beim ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt sind, wobei die Nickeleinheit zwischen denselben durch thermische Kompression eingebettet und in Stücke geschnitten ist, wobei jedes Stück vorzugsweise eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm hat, wodurch eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5A hergestellt ist. Wie es in 3 gezeigt ist, wird diese Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 5A vorzugsweise mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 1 befestigt ist, wobei die magnetische Lage 4a angeordnet ist, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren. Ferner wird die Gittereinheit 3 vorzugsweise mit der Massestruktur 7 der Schaltungsplatine 1 über den Leiter 6 verlötet.
  • Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wurde gemessen. Es wurde bestätigt, daß das Strahlungsrauschen, das von der CPU abgestrahlt wird, um etwa 18 dB gedämpft wurde.
  • Als Vergleichsbeispiel 1 der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur wurde die magnetische Lage 4, die durch dieselbe Prozedur wie bei dem oben beschriebenen ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt wird, in Stücke geschnitten, von denen jedes eine Größe von etwa 50 mm × 50 mm hat, wodurch eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 hergestellt ist. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 wurde mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 1 befestigt ist, wie es in 4 gezeigt ist. Dann wurde die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz gemessen. Als Ergebnis wurde bestimmt, daß bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 31 des Vergleichsbeispiels 1 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, nur um etwa 3 dB gedämpft war. Das heißt, daß bestätigt wurde, daß eine ausreichende Dämpfung nicht durch ausschließliche Verwendung der magnetischen Lage 4 erreicht werden kann.
  • Ferner wurde als Vergleichsbeispiel 2 der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 durch dasselbe Verfahren wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt, wobei dieselbe die magnetische Lage 4 und die Kupferfolie 3 um faßte. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 wurde derart verbunden, daß die magnetische Lage 4 angeordnet war, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren, wie es in 5 gezeigt ist. Die Kupferfolie 3 war jedoch nicht mit der Massestruktur 7 der Schaltungsplatine 1 elektrisch verbunden, sondern war stattdessen in einem floatenden, nicht-verbundenen Zustand angeordnet. Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 des Vergleichsbeispiels 2 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, nur um etwa 5 dB gedämpft. Das Strahlungsrauschen, das von der magnetischen Lage 4 gedämpft wurde, wurde von der Kupferfolie 3 reflektiert und lief erneut durch die magnetische Lage 4. Dementsprechend wurde herausgefunden, daß die Dämpfungseffekte im Vergleich zum Vergleichsbeispiel 1 um einen gewissen Grad besser wurden, daß jedoch ein viel größerer Dämpfungseffekt, wie er beim ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erreicht wird, mit dem Vergleichsbeispiel 2 nicht erreicht werden kann.
  • Ferner wurde als Vergleichsbeispiel 3 der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 33 hergestellt, die eine Kupferfolie 3 umfaßt, die in einer Größe von etwa 50 mm × 50 mm geschnitten war. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 32 wurde mit der oberen Seite der CPU 2 verbunden, die auf der Schaltungsplatine 1 befestigt ist, wie es in 6 gezeigt ist. Die Kupferfolie 3 war mit der Massestruktur 7 auf der Schaltungsplatine 1 über die Leiter 6 elektrisch verbunden. Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 33 des Vergleichsbeispiels 3 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wurde, um nur 3 dB gedämpft. Es wurde bestätigt, daß eine ausreichende Dämpfung durch Verwendung der Kupferfolie 3 alleine nicht erreicht werden konnte.
  • Als Vergleichsbeispiel 4 für die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur wurde eine Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 34, die die magnetische Lage 4 und die Kupferfolie 3 umfaßt, unter Verwendung derselben Prozedur wie bei dem oben beschriebenen ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt. Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 34 wurde mit der Kupferfolie 3 verbunden und angeordnet, um die obere Seite der CPU 2 zu berühren, d. h. die Kupferfolie war zwischen der magnetischen Lage 4 und der CPU 2 angeordnet, und die Kupferfolie 3 war mit der Massestruktur 7 auf der Schaltungsplatine 1 über den Leiter 6 elektrisch verbunden, wie es in 7 gezeigt ist. Die Dämpfung des Strahlungsrauschens bei 800 MHz wurde gemessen. Als Ergebnis wurde herausgefunden, daß bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 34 des Vergleichsbeispiels 4 das Strahlungsrauschen, das von der CPU 2 abgestrahlt wird, um nur 3 dB gedämpft werden konnte, was zu Vergleichsbeispiel 3 ähnlich ist. Das heißt, daß bestimmt wurde, daß bei der Befestigungsstruktur der Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente 34 des Vergleichsbeispiels 4 die Kupferfolie 3 direkt die CPU 2 kontaktiert, um eine elektromagnetische Abschirmung zu liefern, weshalb die magnetische Lage 4, die auf der entgegengesetzten Seite zu der CPU 2 bezüglich der Kupferfolie 3 positioniert war, im wesentlichen keinen Beitrag für das Sperren des Strahlungsrauschens liefert.
  • Die Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele begrenzt, und es können verschiedene Änderungen durchgeführt werden, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Insbesondere ist die Quelle für das Strahlungsrauschen nicht auf die CPU 2 begrenzt, wie es bei den obigen bevorzugten Ausführungsbeispielen beschrieben ist. Insbesondere können elektronische Komponenten, wie z. B. Transistoren, die Schaltoperationen ausführen, Schaltungsplatinen, Strukturen auf Schaltungsplatinen und andere Rauschen-erzeugende Elemente als Strahlungsrauschen-Quelle aufgefaßt werden.
  • Wie es in der obigen Beschreibung zu sehen ist, wird gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung das Strahlungsrauschen, das von einer Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle abgestrahlt wird, von der magnetischen Lage absorbiert, um gedämpft zu werden, wonach das noch vorhandene Strahlungsrauschen auf die Leiterschicht fällt. Ein Abschnitt des Strahlungsrauschens wird zu der Masse übertragen. Das restliche Strahlungsrauschen wird von der Leiterschicht reflektiert und wieder durch die magnetische Lage geführt, um von der magnetischen Lage absorbiert und gedämpft zu werden. Als Ergebnis wird das Strahlungsrauschen, das von der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle abgestrahlt wird, stark reduziert. Das heißt, daß ein sehr hoher Strahlungsrauschen-Sperreffekt erreicht wird. Zusätzlich ist gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung in der Anwendung nur die Erdung der Leiterschicht notwendig. Im Gegensatz zu herkömmlichen Strahlungsrauschen-Sperr-Komponentenstrukturen kann bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ein hoher Strahlungsrauschen-Sperreffekt einfach und zuverlässig erreicht werden, ohne daß die Anzahl von Herstellungsverfahren wesentlich erhöht werden muß.

Claims (11)

  1. Elektronische Vorrichtung mit folgenden Merkmalen: einer Schaltungsplatine (1); einer Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (2); einer Massestruktur (7); einer Strahlungsrauschen-Sperr-Komponente (5; 5A), die eine magnetische Lage (4; 4a), die direkt auf der von der Schaltungsplatine (1) abgewandten Seite der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (2) gebildet ist und dieselbe im wesentlichen bedeckt, und eine Leiterschicht (3), die direkt auf der magnetischen Schicht (4; 4a) gebildet ist und dieselbe im wesentlichen bedeckt, aufweist, wobei die Leiterschicht (3) mit der Massestruktur (7) über einen Leiter (6) verbunden ist.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Leiterschicht (3) mit einer weiteren magnetischen Lage (4b) im wesentlichen bedeckt ist.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der die magnetische Lage (4; 4a) ein magnetisches Pulver umfaßt, das mit zumindest entweder einem Harz oder einem Gummi gemischt ist, wobei das magnetische Pulver zumindest entweder aus einem Ferrit oder einem magnetischen Metall hergestellt ist.
  4. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leiterschicht (3) zumindest ein Element aus der Gruppe aufweist, die aus Metallfolien, Plattierungsfilmen, Metallgittern, leitfähigen Pasten, leitfähigen Fasern und leitfähigen Lagen besteht.
  5. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die magnetische Lage (4; 4a), die zwischen der Strahlungsrauschen-erzeugenden Quelle (2) und der Leiterschicht (3) angeordnet ist, eine Dicke von etwa 0,3 mm oder darüber aufweist.
  6. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leiterschicht (3) eine Metallgittereinheit aufweist, die aus gewirkten Nickeldrähten besteht.
  7. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der zwei magnetische Lagen (4a, 4b) vorgesehen sind und die Leiterschicht (3) zwischen den zwei magnetischen Schichten angeordnet ist.
  8. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die magnetische Lage (4; 4a) aus 80 Gewichtsprozent eines Mg-Zn-System-Ferritmagnetpulvers mit einer mittleren Partikelgröße von etwa 15 μm und einem chlorierten Polyethylen hergestellt ist.
  9. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, bei der das magnetische Harz eine Dicke von etwa 1,0 mm hat.
  10. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Strahlungsrauschen-erzeugende Quelle (2) eine zentrale Verarbeitungseinheit eines Computers ist.
  11. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Strahlungsrauschen-erzeugende Quelle eine gedruckte Schaltungsplatine ist.
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