DE19723262A1 - Halbleiterschaltungsvorrichtung, die eine sicherungsprogrammierbare Bestanden/Durchgefallen- Identifizierungsschaltung aufweist, und Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsverfahren für dieselbe - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und auf ein Bestanden/Durchge­ fallen-Bestimmungsverfahren für eine integrierte Halbleiter­ schaltungsvorrichtung.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich insbesondere auf eine Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungstechnik für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und insbesondere auf eine sol­ che Technik für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrich­ tung, bei der in den Herstellungsverfahren ein Schritt des Durchbrennens einer Sicherung vorhanden ist.

Fig. 1 zeigt eine Struktur der Hauptkomponenten einer herkömm­ lichen integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, wie zum Beispiel in der japanischen Patentoffenlegungsschrift 5-188118 offenbart ist. Unter Bezugnahme auf Fig. 1, eine integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 weist eine Funktionsschal­ tung 11 zum Implementieren einer vorbestimmten Funktion und ei­ ne Fehleranzeigeschaltung 14, die in einem Signalpfad zwischen einem bestimmten Signaleingangsanschluß (Anschlußfläche) 12 und der Funktionsschaltung 11 vorgesehen ist, auf. Diese integrier­ ten Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 ist auf einem nicht­ gezeigten Wafer ausgebildet. Eine Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtungen 10, wie sie in Fig. 1 gezeigt sind, sind auf einem Wafer vorgesehen.

Die Fehleranzeigeschaltung 14 ist eine schmelzprogrammierbare (mittels Durchschmelzen von Sicherungselementen programmierba­ re) Schaltung, die so arbeitet, daß die Funktionsschaltung 11 in einen inaktiven Zustand zwingt, wenn die integrierten Halb­ leiterschaltungsvorrichtung 10 in einem fehlerhaften Zustand ist, wie dies nachfolgend im Detail beschrieben wird. Die Feh­ leranzeigeschaltung 10 weist eine Inverterschaltung 16, die ein spezifisches Signal Φ1, welches zum Beispiel ein Chipauswahlsi­ gnal ist, das über einen Signaleingangsanschluß (Anschluß­ fläche) 12 angelegt wird, zum Puffern und Invertieren des emp­ fangenen Signals empfängt, eine Bestanden/Durchgefallen- Programmschaltung 18, die schmelzprogrammierbar (d. h. mittels einer Schmelzsicherung programmierbar) ist, zum zwangsweisen Setzen eines Ausgangssignals Φ2 der Inverterschaltung 16 in ei­ nen inaktiven Zustand abhängig davon, ob die integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung defekt/nicht-defekt ist, eine Ver­ riegelungsschaltung 20 zum Invertieren und Verriegeln eines Ausgangssignals Φ3 der Bestanden/Durchgefallen-Programm­ schaltung 18 und eine Inverterschaltung 22 zum Invertieren des Ausgangssignals der Verriegelungsschaltung 20 auf. Ein Aus­ gangssignal Φ4 der Inverterschaltung 22 wird an einen internen Eingangsknoten 27 der Funktionsschaltung 11, der dem Eingangs­ anschluß 12 entspricht, angelegt.

Die Bestanden/Durchgefallen-Programmschaltung 18 weist einen p-Kanal-MOS-Transistor (Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) 18a, der zwischen einem Stromversorgungsknoten Vdd (die Stromversorgungsspannung und der Stromversorgungsknoten werden durch dasselbe Bezugszeichen bezeichnet) und einen internen Ausgabeknoten N1 verbunden ist und das Ausgangssignal Φ2 der Inverterschaltung 16 an seinem Gate empfängt, ein schmelzbares Verbindungselement (im folgenden als "Sicherungselement" be­ zeichnet) 18b, das mit dem internen Ausgangsknoten N1 verbunden ist, und einen n-Kanal-MOS-Transistor 18c, der zwischen das Si­ cherungselement 18b und einen Masseknoten verbunden ist und das Ausgangssignal Φ2 der Inverterschaltung 16 an seinem Gate emp­ fängt, auf.

Die Verriegelungsschaltung 20 weist eine Inverterschaltung 20a, die das Ausgangssignal Φ3 der Bestanden/Durchgefallen-Programm­ schaltung 18 empfängt, und einen p-Kanal-MOS-Transistor 20b, der zwischen den Stromversorgungsknoten Vdd und den internen Ausgangsknoten N1 verbunden ist und ein Ausgangssignal der In­ verterschaltung 20a an seinem Gate empfängt, auf.

Die Funktionsschaltung 11 ist, zum Beispiel, eine Speicher­ schaltung, und sie wird zum Ausführen einer vorbestimmten Funk­ tion aktiviert, wenn das an den Eingangsknoten 27 angelegte Si­ gnal Φ4 aktiviert ist. Ein Testschritt, der in dem Herstel­ lungsschrittverfahrensablauf für die integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung 10 ausgeführt wird, wird kurz beschrie­ ben, bevor ein Programmierungsbetrieb der integrierten Halblei­ terschaltungsvorrichtung aus Fig. 1 beschrieben wird.

Fig. 2 ist ein Ablaufdiagramm, das eine Bestanden/Durchgefal­ len-Bestimmungssequenz in einem Herstellungsverfahrensablauf der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung aus Fig. 1 zeigt. Unter Bezugnahme auf Fig. 2, ein Testen auf dem Wafer­ niveau (Wafertest) wird ausgeführt (Schritt S1), der gleichzei­ tigen Ausbildung einer Mehrzahl von integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtungen 10 aus Fig. 1 auf einem Wafer folgend. Bei diesem Wafertest werden alle Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 getestet, ob sie korrekt funktionieren oder nicht. Wenn diese integrier­ ten Halbleiterschaltungsvorrichtung zum Beispiel eine Speicher­ vorrichtung ist, wird ein Test ausgeführt, ob die Daten korrekt eingeschrieben/ausgelesen werden.

Entsprechend dem Ergebnis des Tests auf dem Waferniveau wird ein Sicherungselement 18b in der Bestanden/Durchgefallen- Programmschaltung 18 mit einem Laserstrahl für jedwede inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 durchgebrannt, die als einen nicht-reparierbaren Defekt aufweisend bestimmt worden ist (Schritt S2). Wenn ein reparierbarer Effekt erkannt wird, dann wird die Schaltung mit dem Defekt durch eine interne re­ dundante Schaltung ersetzt. Dieses Ersetzen einer redundanten Schaltung wird im allgemeinen mit einer schmelzprogrammierbaren Schaltung ausgeführt.

Wenn das Testen auf dem Waferniveau vervollständigt ist und der Schritt zum Ausführen einer Sicherungsprogrammierung zum Be­ stimmen von bestanden/durchgefallen vervollständigt ist, werden die auf dem Wafer ausgebildeten integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtungen in einem Zerschneideschritt in Chips ge­ trennt. Die integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, die als ein Chip ausgebildet ist, wird in einem Gießschritt S3 ver­ packt (umgossen). Auf den Abschluß des Gußschrittes S3 folgend wird ein abschließendes Testen für jede einzelne integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung ausgeführt (S4). Bei diesem finalen Testschritt S4 wird ein Signal über einen externen Pin- Anschluß für jede integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung zum Ausführen eines Funktionstestes, der ähnlich zu demjenigen ist, der auf dem Waferniveau bezüglich jedes Eingangs/Ausgangs­ anschlusses (ein Pin-Anschluß ist elektrisch mit den entspre­ chenden internen Signal-Eingangs/Ausgangs-Anschlußflächen ver­ bunden, wenn sie nicht-defekt ist) ist, eingegeben/ausgegeben.

Bei diesem finalen Testschritt S4 ist es nicht notwendig, die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung zu testen, die auf dem Waferniveau als ein nicht-akzeptierbares Produkt bestimmt worden ist. Die Fehleranzeigeschaltung 14, die in Fig. 1 ge­ zeigt ist, wird zum Ausführen dieser Bestanden/Durchgefallen- Identifizierung verwendet.

Es wird nun angenommen, daß die integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung eine Halbleiterspeichervorrichtung ist, und daß das spezielle Eingangssignal Φ1, das an den in Fig. 1 ge­ zeigten Signaleingangsanschluß 12 angelegt wird, ein Chipaus­ wahlsignal ZCS ist, welches die integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung in einem ausgewählten Zustand setzt. Entspre­ chend dieser Annahme ist der in Fig. 1 gezeigte Eingangsan­ schluß 27 der Funktionsschaltung 11 ein Chipauswahlsignal- Eingangsknoten. Wenn das an den Eingangsknoten 27 angezeigte Signal ein L-Niveau (logisch niedriger Pegel) erreicht, wird die Funktionsschaltung 11 zum Ausführen einer vorbestimmten Funktion entsprechend eines nicht-gezeigten, extern angelegten Signales aktiv gemacht.

Wenn das Sicherungselement 18b in der Bestanden/Durchgefallen- Programmschaltung 18 der integrierten Halbleiterschaltungsvor­ richtung 10 in dem finalen Testschritt S4 nicht durchgeschmol­ zen worden ist, wird diese integrierte Halbleiterschaltungsvor­ richtung als ein Produkt bestimmt, das bei dem Waverniveautest ein akzeptierbares Produkt war. In diesem Zustand arbeitet die Bestanden/Durchgefallen-Programmschaltung 18 als eine CMOS- Inverterschaltung (CMOS = Komplementär-MOS). Durch Einstellen des an den Eingangsanschluß 12 angelegten Signals Φ1 auf einem L-Niveau erreicht das Ausgangssignal Φ2 der Inverterschaltung 16 ein H-Niveau (logisch hoher Pegel), wodurch der n-Kanal-MOS- Transistor 18c leitend und der p-Kanal-MOS-Transistor 18a nicht-leitend gemacht wird. Als Reaktion wird das Ausgangs­ signal der Inverterschaltung 20a auf ein H-Niveau getrieben und das Ausgangssignal Φ4 der Inverterschaltung 22 wird auf ein L-Niveau getrieben. Wenn das Signal Φ4, das an den Eingangskno­ ten 27 angelegt wird, ein L-Niveau erreicht, wird die Funkti­ onsschaltung 11 zum Ausführen einer vorbestimmten Funktion ent­ sprechend eines an einen anderen Signaleingangsknoten (Anschlußfläche), der nicht gezeigt ist, angelegten Signales aktiviert. Das Ergebnis der Ausführung wird an einen Ausgangs­ anschluß (Ausgangsanschlußfläche), der nicht gezeigt ist, ge­ liefert.

Wenn das Signal Φ1, das an den Eingangsanschluß 12 angelegt ist, ein H-Niveau in einem Zustand, in dem Sicherungselement 18b nicht durchgebrannt ist, erreicht, wird das Ausgangssignal Φ2 der Inverterschaltung 16 auf ein L-Niveau getrieben, wodurch der p-Kanal-MOS-Transistor 18a leitend und der n-Kanal-MOS- Transistor 18c nicht-leitend gemacht wird. Als ein Ergebnis er­ reicht das Ausgangssignal Φ3 der Bestanden/Durchgefallen- Programmschaltung 18 ein H-Niveau. Als Reaktion erreicht das Ausgangssignal der Inverterschaltung 20a ein L-Niveau und das Ausgangssignal Φ4 der Inverterschaltung 22 ein H-Niveau.

Wenn das Ausgangssignal der Inverterschaltung 20a ein L-Niveau erreicht, leitet der p-Kanal-MOS-Transistor 20b, so daß das Si­ gnal Φ3 auf einem H-Niveau gehalten wird. Die Funktionsschal­ tung 11 erreicht einen nicht-ausgewählten Zustand, wenn das an den Eingangsknoten 27 angelegte Signal Φ4 ein H-Niveau er­ reicht, und sie wird in einem Standby-Zustand gehalten. Genauer gesagt, die Aktivierung/Deaktivierung der Funktionsschaltung 11 wird entsprechend des logischen Pegels (H/L) des Signals Φ1, das an dem Eingangsanschluß 12 angelegt wird, gesteuert, wenn das Sicherungselement 18b in einem nicht-durchgeschmolzenen Zu­ stand ist.

Wenn die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als ein nicht-akzeptierbares Produkt erkannt worden ist und das Siche­ rungselement 18b in dem Schritt S2 zum Durchbrennen der Siche­ rung eines nicht-akzeptierbaren Produktes durchgebrannt worden ist, ist der n-Kanal-MOS-Transistor 18c von dem internen Ausgangs­ knoten N1 getrennt. Das Ausgangssignal Φ2 der Inverterschaltung 16, das durch das Signal Φ1, das an den Eingangsanschluß (Anschlußfläche) 12 bei der Initialisierung auf einem H-Niveau angelegt wird, gesetzt wird, wird auf L-Niveau getrieben, wo­ durch der p-Kanal-MOS-Transistor 18a leitet. Das Signal Φ3 des Knotens N1 erreicht ein H-Niveau. In diesem Fall erreicht das Ausgangssignal der Inverterschaltung 20a ein L-Niveau und der p-Kanal-MOS-Transistor 20b leitet. Das Signal Φ3 wird auf dem H-Niveau der Stromversorgungsspannung Vdd gehalten. In diesem Fall erreicht das Ausgangssignal Φ4 der Inverterschaltung 22 ein H-Niveau und die Funktionsschaltung 11 bleibt in einem nicht-ausgewählten Zustand, d. h. in einem gesperrten Zustand.

Selbst falls das Signal Φ1 auf L-Niveau gesetzt wird und das Signal Φ2 der Inverterschaltung 16 ein H-Niveau erreicht, wird in einem solchen Zustand das Signal Φ3 auf einem H-Niveau durch die Verriegelungsschaltung 20 gehalten, da der n-Kanal-MOS- Transistor 18c von dem internen Ausgangsknoten N1 getrennt ist. Daher bleibt das Signal Φ4, das an den Eingangsknoten 27 der Funktionsschaltung 11 angelegt wird, in einem inaktiven Zustand auf einem H-Niveau. Derart bleibt die Funktionsschaltung 11 in einem nicht-ausgewählten Zustand.

Genauer gesagt, die Funktionsschaltung 11 wird durch das Durch­ brennen des Sicherungselementes 18b fest in einem deaktivierten Zustand (nicht-ausgewählten Zustand) gesetzt, so daß die inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 in einen Vollstän­ dig-Durchgefallen-Zustand (es wird kein Betrieb entsprechend eines externen Steuersignals ausgeführt) gesetzt ist. Daher wird in dem finalen Testschritt S4 das Sicherungselement 18b durchgebrannt, um den Betrieb der integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung 10, die auf dem Chip-Niveau als vollständig fehlerhaft bestimmt worden ist, vollständig zu unterbinden, und eine defekte Vorrichtung kann von einer integrierten Halblei­ terschaltungsvorrichtung, die korrekt arbeitet, ohne weiteres unterschieden werden. Durch Ausführen des Testens für einen spezifischen Eingangsanschluß 27 der Funktionsschaltung 11 kann eine Bestimmung durchgeführt werden, ob die integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung ein akzeptables Produkt ist oder nicht. Es ist nicht notwendig, ein ähnliches Testen für alle verbleibenden Anschlüsse auszuführen, um eine Bestanden/ Durch­ gefallen-Bestimmung für alle diese Anschlüsse auszuführen. Die Bestanden/Durchgefallen-Identifizierung in dem finalen Testver­ fahrensablauf kann vereinfacht werden und die für das Testen benötigte Zeit wird reduziert.

Die Energie des Laserstrahls, der zum Durchbrennen des Fehler­ anzeige-Sicherungselementes 18b der integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung verwendet wird, die einen nicht reparier­ baren Defekt aufweist, wird auf eine optimale Bedingung für die zu bearbeitende integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 10 eingestellt. Der optimale Wert der Laserenergie wird entspre­ chend eines Sicherungselementes, das unter den Bedingungen ge­ wisser Herstellungsparameter produziert wird, als die Referenz eingestellt. Jedoch kann der optimale Wert der Laserstrahlener­ gie zum Durchbrennen eines Sicherungselementes von dem vorein­ gestellten Optimalwert abweichen, wenn das Sicherungselement eine Variation seiner Schichtdicke, seiner Breite und des Mate­ rials aufgrund einer Variation der Prozeßparameter in einer Massenproduktion aufweist. Es gibt einen Fall, in dem das Si­ cherungselement 18b aufgrund einer solchen Abweichung des opti­ malen Energiewertes von dem eingestellten Energiewert nicht vollständig durchgebrannt wird, was darin resultiert, daß ein leitender Zustand beibehalten wird.

Des weiteren kann per se eine Variation in der Energie und der Bestrahlungsposition aufgrund von Schwierigkeiten mit der Vor­ richtung, von der der Laserstrahl emittiert wird, auftreten. Es gibt eine Wahrscheinlichkeit für den Fall eines Durchbrenn- bzw. Abtrennfehlers, in dem das Sicherungselement, welches vollständig durchgeschmolzen bzw. durchgebrannt werden sollte, nicht ausreichend durchgebrannt wird und einen leitenden Zu­ stand beibehält.

Das herkömmliche Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsverfahren für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mangelt an einem Mittel zum Bestimmen eines Durchbrenn- bzw. Abtrennfeh­ lers eines Sicherungselementes nach dem Verpacken in einer nicht-zerstörerischen Art und Weise. Wenn das Sicherungselement 18b, welches vollständig durchgebrannt sein sollte, nicht durchgebrannt ist und der Abtrennfehler auftritt, dann gibt es, aufgrund eines fehlerhaften Produktes, einen Fall, in dem ein nicht-akzeptables Produkt nicht bloß mit der Untersuchung eines spezifischen Elementes 12 erkannt werden kann. In einem solchen Fall muß das Testen für alle Untersuchungspunkte wie für ein akzeptables Produkt wiederholt werden. Daher gibt es das Pro­ blem, daß die Testzeit nicht effektiv verkürzt werden kann.

Wenn in dem finalen Test viele Fehler detektiert werden, wird eine Fehleranalyse ausgeführt. Bei dieser Analyse kann eine Be­ stimmung, ob der Fehler durch einen Defekt beim Durchbrennen der Sicherung in der sicherungsprogrammierbaren Schaltung zum Ersetzen einer redundanten Schaltung für den defekten Schal­ tungsabschnitt verursacht wird, nur durch Schmelzen des Guß- bzw. Umkapselungsharzes, das für die integrierte Halbleiter­ schaltungsvorrichtung abdichtet, für eine Beobachtung durch ein Mikroskop ausgeführt werden. Diese Fehleranalyse ist zeitrau­ bend und die Prozedur dafür ist lästig.

Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden kann eine An­ näherung an das Problem durch Vorsehen eines exklusiven Testan­ schlusses zum Testen des leitenden/nicht-leitenden Zustands ei­ nes Sicherungselementes für eine Bestanden/Durchgefallen- Identifizierung in Betracht gezogen werden. Jedoch wird dadurch die Anzahl der Pin-Anschlüsse und ebenfalls die Chipfläche er­ höht. Die Pin-Anordnung muß aufgrund des Extra-Testanschlusses geändert werden, was zu dem Problem führt, daß die Kompatibili­ tät mit dem Industriestandard nicht beibehalten werden kann.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine integrier­ te Halbleiterschaltungsvorrichtung und ein Bestanden/Durch­ gefallen-Bestimmungsverfahren anzugeben, bei der bzw. mit dem eine Bestanden/Durchgefallen-Bestimmung leichter ausgeführt werden kann.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 bzw. ein Verfahren nach Anspruch 10.

Weiterbildung der Erfindungen sind in den Unteransprüchen ange­ geben.

Die Erfindung ermöglicht eine integrierte Halbleiterschaltungs­ vorrichtung und ein Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungs­ verfahren für dieselbe, bei der bzw. mit dem der nicht-leitende Zustand eines internen Sicherungselementes in einer nicht- zerstörerischen Art und Weise leicht bestimmt werden kann.

Die vorliegende Erfindung ermöglicht weiterhin eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und ein Bestimmungsverfahren für dieselbe, bei der bzw. mit dem ein leitender/nicht-leiten­ der Zustand einer Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsschaltung, die schmelzprogrammierbar ist, ohne Erhöhung der Anzahl der Pin-Anschlüsse leicht bestimmt werden kann.

Die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung weist eine schmelzprogrammierbare Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung auf, die ein Verbindungselement enthält, das durchge­ schmolzen wird, wenn die Bestimmung gemacht ist, daß die Vor­ richtung als Ergebnis eines Testens auf Waferniveau ein akzep­ tables Produkt ist.

Bevorzugterweise ist eine Umwandlungsschaltung vorgesehen, die ein Ausgangssignal der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung an einen externen Anschluß in einer beobachtbaren Art und Weise anlegt.

Das Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsverfahren für eine inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung weist den Schritt des Durchschmelzens eines Verbindungselementes in einer schmelzpro­ grammierbaren Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung, die in der Vorrichtung enthalten ist, wenn bei einem Test auf Waferniveau die Vorrichtung als ein akzeptables Produkt be­ stimmt ist, auf.

Das Verbindungselement der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung der integrierten Halbleiterschaltungsvorrich­ tung, die auf dem Waferniveau als ein akzeptables Produkt be­ stimmt ist, wird durchtrennt. Die integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung, die als ein akzeptables Produkt bestimmt ist, wird verpackt, um einen finalen Testverfahrensablauf auf dem Chipeinheitsniveau unterworfen zu werden. Bei diesem finalen Testverfahrensablauf wird nur die integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung, die als ein akzeptables Produkt bestimmt wor­ den ist, getestet. Es ist daher insbesondere nicht notwendig, in dieser Stufe Bestanden/Durchgefallen zu unterscheiden.

Wenn ein defektes Produkt in der finalen Testprozedur gefunden wird, kann eine Bestimmung, ob der Defekt durch einen Durch­ trennungsfehler bei einem Verbindungselement in einer schmelz­ programmierbaren Schaltung, in der der Defekt enthalten ist, verursacht ist, leicht durch Beobachten des Ausgangssignals der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung von der Außenwelt zum Zeitpunkt der Fehleranalyse gemacht werden.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten von Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbei­ spielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 ein Beispiel einer Struktur einer Bestan­ den/Durchgefallen-Bestimmungsschaltung ei­ ner herkömmlichen integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung;

Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Bestanden/Durch­ gefallen-Bestimmungsbetriebes einer her­ kömmlichen integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung;

Fig. 3 ein Ablaufdiagramm, das eine Bestan­ den/Durchgefallen-Bestimmungssequenz einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrich­ tung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 4A-4C schematisch die Testumgebung bei einem Testbetrieb einer integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung nach einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 5 schematisch eine Struktur eines Haupttei­ les einer integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung entsprechend einer Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 ein Beispiel einer Struktur einer Bestan­ den/Durchgefallen-Bestimmungseinheit einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrich­ tung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 7 schematisch die Testumgebung einer inte­ grierten Halbleiterschaltungsvorrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 8 ein Beispiel einer Struktur einer Testmo­ dusschaltung aus den Fig. 5 und 6;

Fig. 9A-9E Wellenformdiagramme, die einen Betrieb ei­ ner Testmodusschaltung aus Fig. 8 zeigen;

Fig. 10 ein Beispiel einer Struktur einer VIH- Erkennungsschaltung aus Fig. 8;

Fig. 11 schematisch eine Struktur einer ersten Mo­ difikation einer integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung nach einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 12 die Struktur der integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung aus Fig. 11 im wei­ teren Detail;

Fig. 13 schematisch eine Struktur einer zweiten Modifikation einer integrierten Halblei­ terschaltungsvorrichtung nach einer Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 14 ein Beispiel einer Struktur einer Auswahl­ schaltung einer integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung aus Fig. 13.

Fig. 3 ist ein Ablaufdiagramm eines Bestanden/Durchgefallen- Bestimmungsverfahrens für eine integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein Verfahren zur Bestanden/Durchgefallen-Bestimmung einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Be­ zugnahme auf Fig. 3 beschrieben.

Auf dem Waferniveau, bei dem eine Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtungen auf einem Wafer ausgebildet ist, wird ein Funktionstest jeder integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung auf dem Wafer ausgeführt (Schritt S10). Beim Testen auf dem Waferniveau (Wafertest) wird eine Bestimmung durchgeführt, ob jede integrierte Halbleiterschaltungsvorrich­ tung jeweils entsprechend des Ergebnisses des Funktionstestes akzeptabel/unakzeptabel ist (Schritt S12). Wenn in Schritt S12 eine Bestimmung gemacht worden ist, daß die integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung kein akzeptierbares Produkt ist, dann wird eine Bestimmung gemacht, ob der Fehler reparierbar ist oder nicht (Schritt S14). Diese Bestimmung wird, zum Bei­ spiel, durch Bestimmen, ob die fehlerhafte Schaltung durch eine redundante Schaltung ersetzt werden kann, ausgeführt. Ein Bei­ spiel einer solchen redundanten Schaltung ist eine redundante Speicherzelle, die für Speicherzellen in einer Halbleiterspei­ chervorrichtung vorgesehen ist.

Eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die in Schritt S14 als nicht-reparierbar bestimmt worden ist, wird als ein nicht-akzeptables Produkt identifiziert (Schritt S15). Die als nicht-akzeptables Produkt identifizierte integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung wird in einem nicht gezeigten Te­ ster registriert. Als ein Beispiel dieser Identifizierung als ein nicht-akzeptables Produkt gibt es den Fall, in dem die An­ zahl der Speicherzellen, die als fehlerhaft identifiziert wor­ den sind, größer als die Anzahl der vorbereiteten redundanten Speicherzellen ist.

Das Sicherungselement in der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung, die später beschrieben wird, wird für eine in­ tegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die in Schritt S12 als ein akzeptables Produkt bestimmt worden ist, und für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die in Schritt S14 als reparierbar bestimmt worden ist, durchgebrannt (Schritt S16). In Schritt S16 wird bei einer integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung, die als reparierbar bestimmt worden ist, das Sicherungselement zur Fehlerreparatur durchgebrannt (pro­ grammiert). Das Ersetzen, falls notwendig, mit einer redundan­ ten Schaltung wird auch in diesem Schritt S16 ausgeführt. Au­ ßerdem wird ein Sicherungselement zum Verbessern der Eigen­ schaften ebenfalls durchgebrannt. Das Programm eines Siche­ rungselementes für eine Eigenschaftsverbesserung enthält ein Programm zum Einstellen des Pegels der Referenzspannung einer internen vorgesehenen Referenzspannungserzeugungsschaltung, ein Programm zu Einstellen (Trimmen) des Pegels einer internen Stromversorgungsspannung (Trimmen), die durch eine interne Spannungsherunterwandelschaltung erzeugt wird, die eine interne Betriebsstromversorgungsspannung aus einer externen Stromversor­ gungsspannung erzeugt. Nach der Vervollständigung des Siche­ rungsprogrammierungsschrittes wird ein Zerschneideschritt (Schritt S18) zum Trennen der integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtungen, die auf einem Wafer ausgebildet sind, (in Chips) ausgeführt.

Jede integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung wird bei die­ sem Zerschneideschritt in einen individuellen Chip getrennt. Dann wird eine Bestimmung gemacht, ob jede individuelle inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung akzeptable/unakzeptabel ist (Schritt S20). Diese Bestimmung wird zuerst ausgeführt, in­ dem eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (Chip), die in Schritt S15 als ein defektes Produkt identifiziert und in dem Tester registriert worden ist, ausgewählt wird. Zum Zwecke der Vereinfachung der Auswahl eines defekten Produktes kann eine sichtbare Markierung auf dem defekten Produkt während des Schrittes, der dem Laseremittierungsschritt zur Schmelzpro­ grammierung in Schritt S16 gemeinsam ist, ausgebildet werden.

All die integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtungen, ausge­ nommen die integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtungen (Chips), die in Schritt S20 als nicht-akzeptables Produkt be­ stimmt worden sind, werden in ihre jeweilige Verpackung mon­ tiert (eingegossen) (Schritt S22). Derart wird eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als eine diskrete Komponente vervollständigt. Die integrierte Halbleiterschaltungsvorrich­ tung, die als ein defektes Produkt in Schritt S20 ausgewählt worden ist, wird ausrangiert (Schritt S23).

Ein finales Testen wird bei der integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung ausgeführt, die dem Gießschritt bzw. Verkapse­ lungsschritt aus S22 unterworfen worden ist (Schritt S24). Bei diesem finalen Testschritt S24 werden Signale über den externen Anschluß für alle vergossenen integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtungen eingegeben/ausgegeben. Ein Funktionstesten entsprechend eines vorbestimmten Testmusters wird für eine Be­ standen/Durchgefallen-Bestimmung (d. h. eine Bestimmung, ob die Halbleiterschaltungsvorrichtung einen vorbestimmten Test be­ steht bzw. durch diesen durchfällt) ausgeführt.

Bei diesem finalen Testschritt S24 wird ein Sicherungsdurch­ brenntest ausgeführt, um zu bestimmen, ob ein vorbestimmtes Si­ cherungselement zuverlässig abgetrennt bzw. durchtrennt worden ist, unter Verwendung einer Bestanden/Durchgefallen-Bestim­ mungsschaltung, wie sie später beschrieben wird. Wenn die Be­ stimmung gemacht worden ist, daß das Sicherungselement, das in der Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsschaltung enthalten ist, durchgebrannt bzw. durchtrennt ist, wird eine Bestimmung ge­ macht, daß die Programmierung von anderen Sicherungselementen in ähnlicher Weise korrekt ausgeführt worden ist. Wenn in dem Sicherungsdurchbrenntest in dem finalen Testschritt S24 die Be­ stimmung gemacht worden ist, daß das Durchtrennen eines Siche­ rungselementes nicht vollständig ausgeführt worden ist, wird eine Bestimmung gemacht, daß das Durchtrennen des Sicherungse­ lementes in der internen schmelzprogrammierbaren Schaltung ebenfalls unvollständig ist. Daher kann die Bestimmung, ob der Defekt, wenn er detektiert wird, durch einen Durchbrennfehler eines Sicherungselementes verursacht worden ist oder nicht, in der Fehleranalyse gemacht werden.

Der finale Test wird mit allen eingegossenen integrierten Halb­ leiterschaltungsvorrichtungen ausgeführt. Da nur Produkte, die auf dem Waferniveau als akzeptable Produkte detektiert worden sind, ausgewählt und eingegossen werden, entsprechend des Feh­ lerauswahlschrittes in Schritt S20, ist es nicht notwendig, ei­ ne Bestanden/Durchgefallen-Bestimmung vor dem Ausführen des fi­ nalen Testens auszuführen. Darum wird die zum Testen benötigte Zeit verkürzt.

Fig. 4A zeigt schematisch die Umgebung, in der ein Testen auf dem Waferniveau ausgeführt wird. Eine Mehrzahl von Chips 40 sind auf einem Wafer 35 ausgebildet. Eine integrierte Halblei­ terschaltungsvorrichtung ist auf dem Chip 40 ausgebildet. Der Ausbildung einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung auf dem Chip 40 folgend wird ein Funktionstesten durch Anlegen eines Testsignals gleichzeitig an eine vorbestimmte Anzahl von Chips unter Verwendung einer Schablone (Jig) 51 unter der Steuerung durch einen Tester 50, in dem vorbestimmtes Testpro­ gramm gespeichert ist, ausgeführt. Der Jig 51 weist einen lee­ ren inneren Abschnitt auf. Durch Ausbilden bzw. Herstellen ei­ nes Kontaktes mit dem Chip 40 an diesem leeren Abschnitt wird ein Testsignal, das von dem Tester 50 geliefert wird, an eine Anschlußfläche, die auf dem Chip 50 ausgebildet ist, angelegt.

Fig. 4B zeigt schematisch die Umgebung zum Ausführen eines La­ serbestrahlungsschrittes zum Durchbrennen eines Sicherungsele­ mentes. Wie in Fig. 4B gezeigt ist, wird, der Bestanden/Durch­ gefallen-Bestimmung der integrierten Halbleiterschaltungsvor­ richtung, die auf jedem Chip auf dem Wafer 35 ausgebildet ist, folgend ein Laserstrahl auf eine integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung gerichtet, die als ein akzeptables Produkt oder als ein reparierbares Produkt identifiziert worden ist. Die Sicherungen in der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung und in der internen sicherungsprogrammierbaren Schal­ tung werden (selektiv) durchgebrannt. Eine Programmierung eines Bestanden/Durchgefallen-Zustands und einer redundanten Schal­ tung oder ein Trimmen für eine Eigenschaftsverbesserung werden ausgeführt.

Fig. 4G zeigt schematisch die Umgebung zum Ausführen eines Te­ stens einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung auf dem individuellen Chipniveau (finaler Test). Die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtungseinheit 40a wird eingegossen, um eine diskrete Komponente auszubilden. In diesem Fall wird ein Testsignal von einem Tester 53, in dem ein vorbestimmtes Testprogramm gespeichert ist, entsprechend einer vorbestimmten Sequenz an einen Anschluß 40b, der nach außen herausgeführt ist, angelegt, um ein Funktionstesten der integrierten Halblei­ terschaltungsvorrichtung 40a auszuführen. Eine Mehrzahl von in­ tegrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 40a werden gleich­ zeitig (zur Verkürzung der Testzeit) bei dem finalen Test auf dem Chipeinheitsniveau getestet.

Fig. 5 ist eine Blockdarstellung, die schematisch eine Struktur von Hauptkomponenten einer integrierten Halbleiterschaltungs­ vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung zeigt. Unter Bezugnahme auf Fig. 5, eine integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung (Chip) 40 weist eine Testmodus­ schaltung 41 zum Bestimmen, ob ein Sicherungsbrenntestmodus spezifiziert ist oder nicht, zum Liefern eines Signals Φ21, das dieses Signal auf einer Signalleitung 43 anzeigt, entsprechend zu Signalen Φ20j, Φ20k, Φ20m und Φ20n, die auf Signalleitungen 39j, 39k, 39m und 39n über Signaleingangsanschlüsse (Anschluß­ flächen) 42j, 42k, 42m und 42n angelegt sind, eine Bestanden/ Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44, die als Reaktion auf das Signal Φ21 von der Testmodusschaltung 41 zum Liefern eines Signals einer Logik (einem logischen Pegel) entsprechend des leitenden/nicht-leitenden Zustands eines intern enthaltenen Si­ cherungselementes auf eine Signalleitung 45 und eine Ausgabeum­ wandlungsschaltung 46 zum Umwandeln des Signals Φ21, das auf der Signalleitung 45 von der Bestanden/Durchgefallen- Bestätigungsschaltung 44 geliefert wird, in ein Signal Φ23 in einer extern beobachtbaren Form und zum Liefern des umgewandel­ ten Signals an einen Ausgabeanschluß (Anschlußfläche) 49 über eine Signalleitung 47 auf.

Die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 40 weist weiter einen Funktionsblock 55, der entsprechend der Signale Φ20k-Φ20n von den Eingangsanschlüssen 41j-42n und einem nicht gezeigten Signal arbeitet. Der Funktionsblock 55 weist eine interne Schaltung 55a zum Ausführen einer vorbestimmten Funktion wäh­ rend der Aktivierung derselben, eine redundante Schaltung 55b zum Ausführen eines Ersatzes einer fehlerhaften Schaltung in der internen Schaltung 55a und eine schmelzprogrammierbare Schaltung 55c, die ein Schmelzelement enthält, zum Verbessern der Eigenschaften der internen Schaltung 55a und zum Aktivieren der redundanten Schaltung 55b auf. Der Funktionsblock 55 ist elektrisch mit einem Ausgangsanschluß (Anschlußfläche) 49 und derart zum Eingeben/Ausgeben eines Signals/einer Spannung in einem normalen Betriebsmodus verbunden. Der Betrieb der inte­ grierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 40 aus Fig. 5 wird nun kurz beschrieben.

Die Testmodusschaltung 41 bestimmt, ob ein Sicherungsbrenntest­ modus spezifiziert ist oder nicht, entsprechend der Signale Φ20j-Φ20n von den Eingangsanschlüssen 421-42n, um das Signal Φ21 entsprechend des Ergebnisses der Bestimmung aktiv/inaktiv zu machen. Dieser Sicherungsbrenntestmodus ist ein Betriebsmo­ dus zum Bestimmen eines abgeschnittenen/nicht-abgeschnittenen Zustands eines Sicherungselementes, das in der Bestanden/ Durchgefallen-Bestimmungsschaltung 44 enthalten ist. Dieser Si­ cherungsbrenntestmodus kann ein Betriebsmodus zum Detektieren eines Sicherungsabtrennfehlers in einer Fehleranalyse oder ein Betriebsmodus zum vorherigen Bestimmen eines Bestehens/Durch­ fallens der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung wäh­ rend des Funktionstestens auf dem individuellen Chipniveau (zur erneuten Bestätigung eines akzeptablen/nicht-akzeptablen Pro­ duktes, das auf dem Waferniveau bestimmt worden ist) sein. Die spezifische Struktur der Testmodusschaltung 41 wird nun im fol­ genden im Detail beschrieben. Eine Bestimmung, daß ein Siche­ rungsbrenntestmodus spezifiziert ist, wird gemacht, wenn die Signale Φ20j-Φ20n in Zustände in einer vorbestimmten Kombinati­ on gesetzt sind.

Die Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 weist ein Sicherungselement auf. Das Sicherungselement wird nur für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung durchgebrannt, von der, auf dem Waferniveautest, bestimmt ist, daß sie ein akzep­ tables Produkt ist. Die Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung 44 hat den Bestanden/Durchgefallen-Zustand der ent­ sprechenden integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung ent­ sprechend des leitenden/nicht-leitenden Zustands dieses Siche­ rungselementes gespeichert. Als Reaktion auf die Aktivierung des Signales Φ21, das von der Testmodusschaltung 41 über die Signalleitung 43 angelegt wird, liefert die Bestanden/Durch­ gefallen-Bestätigungsschaltung 44 das Signal Φ22 auf einem lo­ gischen Wert bzw. logischen Pegel entsprechend des leitenden/ nicht-leitenden Zustands des Sicherungselements. Durch Detek­ tieren des logischen Wertes des Signales Φ22 in der Außenwelt kann der leitende/nicht-leitende Zustand des Sicherungselemen­ tes in der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 ex­ tern bestimmt werden.

Das Ausgangssignal Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung 44 wird normalerweise nicht an einen externen Anschluß geliefert. Dieses ist so, da der externe Anschluß (Anschlußfläche) 49 zum Eingeben oder Ausgeben einer Signal­ spannung in den oder von dem Funktionsblock 55 in einem norma­ len Betriebsmodus (in einem Betriebsmodus, der ein anderer als der Sicherungsbrenntestmodus ist) verwendet wird. Darum wandelt die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 in dem Sicherungsbrenntest­ modus das Signal Φ22 von der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung 44 in das Signal Φ23 um, welches an dem externen Anschluß 49 geliefert wird. Das Signal Φ23 ist ein Signal, das extern beobachtet werden kann. Die Bestimmung des leitenden/ nicht-leitenden Zustandes der Sicherung der integrierten Halb­ leiterschaltungsvorrichtung kann durch Beobachten des Signales Φ23 gemacht werden.

In der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung entspre­ chend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Sicherungselement, das in der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung 44 einer integrierten Halbleiterschaltungsvor­ richtung enthalten ist, die in dem Wafertestschritt S10, der in Fig. 3 gezeigt ist, als ein akzeptables Produkt bestimmt worden ist, durchgebrannt. Irgendeine andere integrierte Halbleiter­ schaltungsvorrichtung, die in dem Wafertestschritt S10 als ein nicht-akzeptables Produkt bestimmt worden ist bzw. als solches zu bestimmen ist, wird im voraus in dem in Fig. 3 gezeigten Produktaussortierungsschritt S23 aussortiert. Darum wird in dem finalen Testschritt S24 auf dem Chipeinheitsniveau nur die in­ tegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung getestet, die auf Wa­ ferniveau als ein akzeptables Produkt bestimmt worden ist. Durch Ausführen eines Sicherungsbrenntestmodus in der Fehlera­ nalyse kann, wenn viele Defekte in dem finalen Testschritt S24 gefunden werden, eine Identifizierung gemacht werden, ob das Sicherungselement in der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung 44 abgetrennt bzw. durchgebrannt ist oder nicht.

Genauer gesagt, wenn die Logik des Ausgangssignales Φ22 der Be­ standen/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 sich von einem vorbestimmten Logikwert unterscheidet, kann eine Bestimmung ge­ macht werden, daß das Sicherungselement, das in der Bestan­ den/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 enthalten ist, nicht durchgebrannt ist. Darum kann die Bestimmung gemacht werden, daß der Fehler durch einen Durchbrennfehler bei dem internen Sicherungselement verursacht wird, bei der Fehleranalyse ge­ macht werden.

Im Gegensatz dazu kann, indem dieser Sicherungsbrenntest in dem finalen Testschritt S24 zuerst ausgeführt wird, eine Bestimmung des leitenden/nicht-leitenden Zustands des Sicherungselementes, das in der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 enthalten ist, gemacht werden. Wenn eine Bestimmung gemacht worden ist, daß das Sicherungselement nicht durchgebrannt ist, kann die Bestimmung gemacht werden, daß das Durchbrennen des Sicherungselementes, das in der sicherungsprogrammierbaren Schaltung 55c aus Fig. 5 enthalten ist, nicht vollständig bzw. zufriedenstellend ist. Darum kann diese integrierte Halbleiter­ schaltungsvorrichtung als ein nicht-akzeptables Produkt bestimmt werden. Es ist nicht notwendig, das nachfolgende Testen bei dieser Vorrichtung auszuführen. Derart wird die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die als einen Defekt aufwei­ send, der durch ein Sicherungselement verursacht wird, als ein Ergebnis der Detektierung der Logik des Ausgangssignals Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 identifiziert ist, in dem finalen Testschritt S24 dem nachfolgenden Testen nicht unterworfen. Das Testen wird nur für eine solche inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung ausgeführt, bei der das Sicherungselement vollständig durchgebrannt ist, d. h. bei der eine korrekte Programmierung (oder ein korrektes Trimmen) des Sicherungselementes in einer normalen sicherungsprogrammierba­ ren Schaltung 55c ausgeführt worden ist. Derart kann das Testen einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, die die Fehlerursache aufweist, weggelassen werden. Des weiteren kann in diesem Zustand der Fehler einer integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung, die als ein nicht-akzeptables Produkt in dem Sicherungsbrenntestmodus des finalen Testschrittes S24 bestimmt worden ist, leicht als durch einen Durchbrenn- bzw. Abschneide­ fehler des Sicherungselementes verursacht identifiziert werden.

Ein Sicherungsbrenntestmodus wird entsprechend einer Kombinati­ on der Zustände der Signale Φ20a-Φ20n, die auf den Signallei­ tungen 39j-39n über Eingangsanschlüsse 42j-42n, die in einem normalen Betriebsmodus verwendet werden, eingestellt. Es ist nicht notwendig, einen weiteren externen Anschluß zum Zweck der Spezifizierung eines Sicherungsbrenntestmodus vorzusehen. Das Signal Φ23, das das Testergebnis des Sicherungsbrenntestmodus anzeigt, wird über einen externen Anschluß (Anschlußfläche) 49, der in einem normalen Betriebsmodus verwendet wird, über die Signalleitung 47 von der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 ausge­ geben. Ein extra externer Anschluß zum Liefern des Signales, das das Sicherungsbrenntestergebnis anzeigt, wird nicht benö­ tigt. Darum kann der leitende/nicht-leitende Zustand eines Si­ cherungselementes in einer integrierten Halbleiterschaltungs­ vorrichtung extern leicht unter Verwendung eines Einga­ be/Ausgabe-Anschlusses, der entsprechend eines vorbestimmten Standards vorgesehen ist, bestimmt werden.

Fig. 6 zeigt ein spezifisches Beispiel der Bestanden/Durch­ gefallen-Bestätigungsschaltung 44 und der Ausgabeumwandlungs­ schaltung 46 aus Fig. 5. Unter Bezugnahme auf Fig. 6, die Be­ standen/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 weist einen p- Kanal-MOS-Transistor 72, der zwischen einem Stromversorgungs­ knoten, an dem eine externe Stromversorgungsspannung Vcc zuge­ führt wird, und die Signalleitung 45 geschaltet ist und das Ausgangssignal Φ21 von der Testmodusschaltung 41 an seinem Gate empfängt, ein Sicherungselement 74, das mit der Signalleitung 45 verbunden ist, und einen n-Kanal-MOS-Transistor 73, der zwi­ schen das Sicherungselement 74 und einen Masseknoten geschaltet ist und das Signal Φ21 von der Testmodusschaltung 41 an seinem Gate über die Signalleitung 43 empfängt, eine Inverterschaltung 46, die ein Signal auf der Signalleitung 45 empfängt, eine In­ verterschaltung 77 zum Invertieren eines Ausgangssignals der Inverterschaltung 76 zum Ausgeben des Signales Φ22 und einen p-Kanal-MOS-Transistor 75, der zwischen den Knoten, an den die externe Stromversorgungsspannung Vcc geliefert wird, und die Signalleitung 45 verbunden ist und ein Ausgangssignal der In­ verterschaltung 76 an seinem Gate empfängt, auf. Der MOS- Transistor 75 und die Inverterschaltung 76 bilden eine Verrie­ gelungsschaltung.

Wenn während des Waferniveautestschrittes die Bestimmung eines akzeptablen Produktes gemacht worden ist, wird das Sicherungse­ lement 74 in der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 unter Verwendung eines Hochenergiestrahles wie eines Laser­ strahles durchgebrannt (abgeschnitten). Wenn bei dem Waferni­ veautest die Bestimmung gemacht wird, daß die integrierte Halb­ leiterschaltungsvorrichtung ein nicht-akzeptables Produkt ist, wird das Durchbrennen des Sicherungselementes 74 nicht ausge­ führt. Wenn das Sicherungselement 74 durchgebrannt ist, wird das Potential auf der Signalleitung 45 auf einem H-Niveau (logisch hoher Pegel) auf dem Pegel der externen Stromversor­ gungsspannung Vcc durch die Inverterschaltung 76 und den MOS- Transistor 75 gehalten. Wenn das Sicherungselement 74 in dem leitenden Zustand ist, arbeiten die MOS-Transistoren 72 und 73 als eine CMOS-Inverterschaltung zum Liefern eines Signals auf die Signalleitung 45 entsprechend des Ausgangssignals Φ21 von der Testmodusschaltung 41. Darum wird, wenn das Ausgangssignal Φ21 der Testmodusschaltung 41 in dem Sicherungsbrenntestmodus auf das H-Niveau gesetzt ist, das Ausgangssignal Φ22 von der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 auf das L- Niveau (logisch niedriger Pegel) getrieben, falls das Siche­ rungselement 74 in einem leitenden Zustand ist. Falls das Si­ cherungselement 74 in einem abgeschnittenen Zustand ist, wird das Signal Φ22 konstant auf dem H-Niveau gehalten. Darum kann die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung durch Detektie­ ren des logischen Pegels (Potentialniveau) des Signals Φ22 als ein akzeptables Produkt oder ein nicht-akzeptables Produkt identifiziert werden.

Das Signal Φ22 ist ein internes Signal der integrierten Halb­ leiterschaltungsvorrichtung 40 und es wird nicht an die Außen­ welt geliefert. Die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 ist zum Er­ lauben einer Beobachtung des Signales Φ22 von der Außenwelt vorgesehen.

Die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 weist einen p-Kanal-MOS- Transistor 83, der zwischen den Knoten, der die externe Strom­ versorgungsspannung Vcc empfängt, und einen internen Knoten N2 geschaltet ist und dessen Gate mit einen internen Knoten N3 verbunden ist, einen p-Kanal-MOS-Transistor 84, der zwischen den Knoten, der die externe Stromversorgungsspannung Vcc emp­ fängt, und den internen Knoten N3 geschaltet ist und dessen Ga­ te mit dem internen Knoten N3 verbunden ist, einem n-Kanal-MOS- Transistor 80, der zwischen den internen Knoten N2 und einen internen Knoten N4 geschaltet ist und eine Referenzspannung Vref an seinem Gate empfängt, einen n-Kanal-MOS-Transistor 82, der zwischen die internen Knoten N3 und N4 geschaltet ist und dessen Gate mit einer Signalleitung 47 verbunden ist, einen n- Kanal-MOS-Transistor 78, der zwischen den internen Knoten N4 und den Masseknoten geschaltet ist und das Signal Φ22 an seinem Gate empfängt, einen p-Kanal-MOS-Transistor 79, der zwischen einen Knoten 49a, der die externe Stromversorgungsspannung Vcc empfängt, und die Signalleitung 47 geschaltet ist und das Si­ gnal Φ22 an seinem Gate empfängt, und einen p-Kanal-MOS-Tran­ sistor 85, der zwischen den externen Stromversorgungsknoten 49c und die Signalleitung 47 geschaltet ist und dessen Gate mit dem internen Knoten N2 verbunden ist, auf.

Die externen Stromversorgungsknoten 49a und 49c können entspre­ chend mit verschiedenen externen Stromversorgungsanschlüssen oder mit demselben Stromversorgungsanschluß verbunden sein. Die Signalleitung 47 ist mit dem internen Knoten 49b verbunden. Die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc wird an dem internen Knoten 49b erzeugt, um als eine Betriebsstromversorgungsspan­ nung des Funktionsblockes 55 aus Fig. 5 angelegt zu werden. Der Knoten 49b ist ein interner Knoten, der von der Außenwelt nicht gesehen werden kann (nach dem Verpacken bzw. Kapseln). Die Aus­ gabeumwandlungsschaltung 46 ist im wesentlichen eine Spannungs­ herunterwandlungsschaltung für eine interne Stromversorgung zum Herunterwandeln einer externen Stromversorgungsspannung Vcc und zum Liefern einer internen Stromversorgungsspannung Int.Vcc bei der Aktivierung derselben. Der Betrieb wird nun kurz beschrie­ ben.

Die MOS-Transistoren 80 und 82 bilden eine Komparatorstufe zum Vergleichen der Referenzspannung Vref mit dem Signal Φ23 (interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc) auf der Signallei­ tung 47. Die MOS-Transistoren 83 und 80 bilden eine Stromspie­ gelschaltung. Der MOS-Transistor 78 arbeitet als eine Strom­ quelle. Diese MOS-Transistoren 78, 80, 82, 83 und 84 bilden eine Differenzverstärkerschaltung.

Wenn der MOS-Transistor 78 nicht-leitend ist, wird der Strom­ pfad zwischen dem Knoten, der die externe Stromversorgungsspan­ nung Vcc empfängt, und dem Masseknoten in dieser Differenzver­ stärkerschaltung abgeschnitten. Darum erreicht die Differenz­ verstärkerschaltung einen inaktiven Zustand. In diesem Zustand erreicht die Spannung des internen Knotens N2 den Pegel der ex­ ternen Stromversorgungsspannung Vcc. Als Reaktion erreicht der MOS-Transistor 85 einen nicht-leitenden Zustand. Das Signal Φ23 (interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc) erreicht den Pegel der externen Stromversorgungsspannung Vcc, da der MOS-Tran­ sistor 79 leitet.

Wenn der MOS-Transistor 48 einen leitenden Zustand erreicht, ist die Differenzverstärkerschaltung aktiviert. Ein Vergleich und eine Verstärkung der Referenzspannung Vref und des Signals Φ23 (interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc) auf der Signal­ leitung 47 werden ausgeführt. Genauer gesagt, wenn die Refe­ renzspannung Vref höher als das Signal Φ23 (im folgenden als interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc bezeichnet) auf der Signalleitung 47 ist, wird die Konduktanz des MOS-Transistors 80 größer als die des MOS-Transistors 82, wodurch der MOS- Transistor 80 einen größeren Stromfluß leitet. Die MOS- Transistoren 83 und 84 bilden eine Stromspiegelschaltung, so daß ein Strom von gleicher Größe in den MOS-Transistoren 83 und 84 fließt (die Größen derselben sind identisch). Daher ent­ lädt der MOS-Transistor 80 den gesamten Strom, der über den MOS-Transistor 83 zugeführt wird. Das Potentialniveau des in­ ternen Knotens N2 wird erniedrigt und die Konduktanz des MOS- Transistors 85 steigt an. Strom wird von dem externen Stromver­ sorgungsknoten 49c auf die Signalleitung 47 zum Anheben des Spannungspegels der internen Stromversorgungsspannung Int.Vcc geliefert.

Im Gegensatz dazu, wenn die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc höher als die Referenzspannung Vref ist, wird die Kon­ duktanz des MOS-Transistors 82 größer als die des MOS-Tran­ sistors 80, wodurch der MOS-Transistor 82 einen größeren Strom­ fluß leitet als der MOS-Transistor 80. Ein Strom einer Größe, die identisch zu der in dem MOS-Transistor 82 fließenden ist, wird dem MOS-Transistor 80 durch die Stromspiegelschaltung der MOS-Transistoren 84 und 83 zugeführt. Darum steigt das Poten­ tialniveau des internen Knotens N2 an, wodurch der MOS-Tran­ sistor 85 in einen nicht-leitenden Zustand getrieben wird. Der­ art wird die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc im we­ sentlichen auf dem Spannungspegel der Referenzspannung Vref ge­ halten.

Wenn die Differenzverstärkerschaltung, die von den MOS-Transi­ storen 78, 80, 82, 83 und 84 gebildet wird, aktiv ist, erreicht das Signal Φ23 ein H-Niveau und der MOS-Transistor 79 erreicht einen nicht-leitenden Zustand.

Der folgende Betrieb wird bei einem Sicherungsbrenntestmodus ausgeführt. Wenn das Sicherungselement 74 in der Bestanden/ Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 durchgebrannt ist und die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als ein akzep­ tables Produkt bei dem Wafertest angezeigt ist, erreicht das Ausgangssignal Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung 44 ein H-Niveau. Im Gegensatz, wenn das Sicherungs­ element 74 in dem leitenden Zustand ist, erreicht das Signal Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 ein L-Niveau.

Wenn diese integrierte Halbleiterschaltung in dem Waferniveau­ test als ein akzeptables Produkt bestimmt ist, ist das Siche­ rungselement 74 durchgebrannt. Das Signal Φ22 wird auf einem H-Niveau gehalten und die Differenzialverstärkerschaltung (MOS- Transistoren 78, 70, 82, 83 und 84) ist aktiviert. Die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc wird auf dem Pegel der Refe­ renzspannung Vref gehalten. Im Gegensatz, wenn diese integrier­ te Halbleiterschaltung in dem Waferniveautest als ein nicht- akzeptables Produkt bestimmt ist, ist das Sicherungselement 74 in einem nicht-durchgebrannten Zustand. Das Signal Φ22 wird in einem Sicherungsbrenntestmodus auf ein L-Niveau gesetzt und die die Differenzverstärkerschaltung in der Ausgabeumwandlungs­ schaltung 46 wird in einen inaktiven Zustand gesetzt. In diesem Fall empfängt der MOS-Transistor 85 ein Signal auf dem Pegel der externen Stromversorgungsspannung Vcc an seinem Gate, so daß er einen nicht-leitenden Zustand erreicht. Der MOS-Transi­ stor 79 leitet entsprechend des Signals Φ22 auf einem L-Niveau, um die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc auf dem Niveau der externen Stromversorgungsspannung Vcc zu halten. Das Span­ nungsniveau der internen Stromversorgungsspannung Int.Vcc, das dem Bestanden/Durchgefallen-Zustand der integrierten Halblei­ terschaltung entspricht, wird von der Außenwelt beobachtet. In diesem Fall ist der interne Stromversorgungsknoten 49b ein in­ terner Knoten und ein direkter Kontakt zu diesem kann von der Außenwelt nicht bereitgestellt werden. Darum wird eine Test­ anordnung, wie sie in Fig. 7 gezeigt ist, verwendet.

Fig. 7 zeigt insbesondere die Testumgebung eines Sicherungs­ brenntestmodus einer integrierten Halbleiterspeichervorrichtung aus Fig. 6. In Fig. 7 sind Anschlüsse (Anschlußflächen) 49a und 49c mit verschiedenen externen Pin-Anschlüssen verbunden. Ein Testmuster wird von dem Tester 53 an die integrierte Halblei­ terschaltungsvorrichtung 40a mit einer vorbestimmten Sequenz geliefert. Die Stromversorgungsspannung Vcc von dem Tester 53 wird an den Stromversorgungsanschluß 49a der integrierten Halb­ leiterschaltung 40a angelegt. In dem Anlegepfad der Stromver­ sorgungsspannung Vcc ist ein Strommesser (Amperemeter) 55 für den externen Anschluß 49a angeordnet. Wenn diese integrierte Halbleiterschaltung ein akzeptables Produkt ist, ist der MOS- Transistor 79 aus Fig. 6 in einem nicht-leitenden Zustand und kein Strom fließt (ausgenommen ein kleiner Leckstrom). Wenn diese integrierte Halbleiterschaltung ein nicht-akzeptables Produkt ist, leitet der MOS-Transistor 79 aus Fig. 6, wodurch ein Leckstrom von dem Stromversorgungsanschluß 49a in Richtung des internen Funktionsblocks über den internen Stromversor­ gungsknoten 49b, der in Fig. 6 gezeigt ist, fließt. Ein relativ großer Leckstrom fließt selbst dann, falls diese integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung einen Standby-Zustand erreicht. Darum kann durch Detektieren des Pegels dieses Leckstroms mit dem Strommesser 55 leicht eine Identifizierung gemacht werden, ob das Sicherungselement 74 in der Bestanden/Durchgefallen- Bestätigungsschaltung 44, das in der integrierten Halbleiter­ schaltungsvorrichtung 40a enthalten ist, durchgebrannt bzw. ab­ geschnitten ist oder nicht.

Bei der Anordnung aus Fig. 7 sind die Stromversorgungsanschlüs­ se 49a und 49c so dargestellt, daß sie individuell vorgesehen sind. Falls jedoch die Stromtreiberfähigkeit des MOS-Transi­ stors 79 in der in Fig. 6 gezeigten Struktur ausreichend nied­ riger als die des MOS-Transistors 85 ist, ist der Leckstrom entsprechend reduziert. Selbst falls die externen Stromversor­ gungsanschlüsse 49a und 49c derselbe Anschluß sind, kann der leitende/nicht-leitende Zustand des Sicherungselementes in der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung durch Beobachten des Pegels des Leckstroms unter Verwendung eines externen Strommeters 55 einer vergleichbaren Art und Weise identifiziert werden.

Des weiteren, in dem Fall, in dem die Stromversorgungsanschlüs­ se 49a und 49c individuell und getrennt vorgesehen sind, kann die Spannung von dem Stromversorgungsanschluß 49a durch eine andere Schaltung (eine Schaltung in dem Funktionsblock) verwen­ det werden.

Wenn die Stromversorgungsanschlüsse 49a und 49c derselbe Strom­ versorgungsanschluß sind, erreicht die interne Stromversor­ gungsspannung Int.Vcc den Pegel der Referenzspannung Vref, der niedriger als die externe Stromversorgungsspannung Vcc ist, wenn die integrierte Halbleiterschaltung ein akzeptables Pro­ dukt ist. Ein Leckstrom fließt über den MOS-Transistor 85 und ein relativ großer Strom fließt über den MOS-Transistor 78. In diesem akzeptablen Produkt weist der MOS-Transistor 79 ein Ga­ tepotential auf dem Pegel der externen Stromversorgungsspannung Vcc auf, wobei er einen nicht-leitenden Zustand erreicht. Nur ein Leckstrom auf einem Pegel, der im Vergleich zu dem Leck­ strom des MOS-Transistors 85 vernachlässigt werden kann, wird erzeugt.

Im Gegensatz, wenn die integrierte Halbleiterspeichervorrich­ tung ein nicht-akzeptables Produkt ist, erreicht die interne Stromversorgungsspannung Int.Vcc den Pegel der externen Strom­ versorgungsspannung Vcc. Die Source- und Drain-Spannungen der MOS-Transitoren 85 und 79 werden beide gleich. Es wird nahezu kein Leckstrom der MOS-Transistoren 79 und 85 erzeugt. Nur ein kleiner Leckstrom wird in dem MOS-Transistor 85 erzeugt. Darum kann, selbst wenn die Stromversorgungsanschlüsse 49a und 49c mit demselben externen Stromversorgungsanschluß verbunden sind, eine Identifizierung, ob das Sicherungselement 74 in der Be­ standen/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 in der inte­ grierten Halbleiterschaltungsvorrichtung abgeschnitten ist oder nicht, durch Beobachten des Pegels des Leckstroms des Stromver­ sorgungsanschlusses unter Verwendung eines Strommesser gemacht werden.

Obwohl die Spannungsherunterwandelschaltung 46 für die interne Stromversorgung als Ausgabeumwandlungsschaltung 46 verwendet wird, wird diese Spannungsherunterwandelschaltung für die in­ terne Stromversorgung entsprechend des Ausgangssignals Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 aktiviert/deaktiviert. Darum kann, wenn das Signal, das entsprechend der internen Stromversorgungsspannung Int.Vcc variiert, über einen anderen Ausgangsanschluß ausgegeben wird, die Änderung in dem Spannungspegel des Signales an dem Ausgangsanschluß detektiert werden. Die Bestimmung des leitenden/nicht-leitenden Zustands des Sicherungselementes 70 in der Bestanden/Durchgefallen- Bestätigungsschaltung 44 kann durch Überwachen des Stromes an dem Stromversorgungsanschluß unter Verwendung eines Strommes­ sers überwacht werden, oder durch Empfangen der Spannung des Anschlusses, von dem das Signal auf einem internen Stromversor­ gungsspannungspegel ausgegeben wird.

Durch Beobachten des Wertes des Stromversorgungsstroms an dem Stromversorgungsanschluß 49a unter Verwendung eines externen Strommessers kann der leitende/nicht-leitende Zustand eines Si­ cherungselementes, das entsprechend des Ergebnisses des Wafer­ niveautests durchgebrannt ist, durch Untersuchen des Strom/ Spannungs-Pegels eines vorbestimmten externen Anschlusses in dem finalen Testschritt bestimmt werden. Es ist nicht notwen­ dig, das Gußharz zum Packen zu schmelzen oder die Packung zu zerstören, um eine mikroskopische Beobachtung bzw. Untersuchung durchzuführen.

Da die Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 nicht an einem Signalpropagationspfad (Signalausbreitungsweg) zwi­ schen einem Signaleingangsanschluß und einer internen Funkti­ onsblockschaltung vorgesehen ist, und da sie an einem unter­ schiedlichen Signalweg vorgesehen ist, wird der interne Betrieb der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 40 während ir­ gendeines Betriebszeitraumes, der nicht der Sicherungsbrenn­ testmodus ist, nicht nachteilig beeinflußt. Des weiteren, da der leitende/nicht-leitende Zustand des Sicherungselementes der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung unter Verwendung eines externen Stromversorgungsanschlusses bestimmt wird, ist es nicht notwendig, einen extra Pin-Anschluß vorzusehen bzw. hinzuzufügen. Die Kompatibilität der Pin-Anordnung mit dem In­ dustriestandard kann beibehalten werden.

Fig. 8 zeigt ein Beispiel einer Struktur einer Testmodusschal­ tung 41 aus Fig. 6. Bei der Struktur der Testmodusschaltung 41, die in Fig. 8 gezeigt ist, wird ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) als eine integrierte Halbleiterschal­ tungsvorrichtung verwendet.

Unter Bezugnahme auf Fig. 8, die Testmodusschaltung 41 weist kaskadierte Inverterschaltungen 101, 102 und 103 in drei Stu­ fen, die ein Zeilenadreßtaktsignal ZRAS, das an einen Eingangs­ anschluß (Anschlußfläche) 42j angelegt ist, empfangen, einen Drei-Zustands-Inverterpuffer 104, der, wenn das Ausgangssignal Φ20g der Inverterschaltung 103 aktiviert ist (L-Niveau) zum In­ vertieren und Ausgeben des Spaltenadreßtaktsignales ZCAS (Signal Φ20b), das an den Anschluß (Anschlußfläche) 42k ange­ legt ist, aktiviert wird, eine Inverterschaltung 105 zum Inver­ tieren eines Ausgangssignals des Drei-Zustands-Inverterpuffers 104, einen Drei-Zustands-Inverterpuffer 106, der, wenn das Aus­ gangssignal Φ20f der Inverterschaltung 102 aktiviert ist (L- Niveau), zum Invertieren des Ausgangssignals der Inverterschal­ tung 105 und zum Übertragen des invertierten Signals an den Eingangsabschnitt der Inverterschaltung 105 aktiviert wird, ei­ nen Drei-Zustands-Inverterpuffer 107, der, wenn das Ausgangs­ signal Φ20g der Inverterschaltung 103 aktiviert ist, zum Inver­ tieren und Ausgeben eines Schreibfreigabesignals ZWE (Signal Φ20c), das an einen Eingangsanschluß (Anschlußfläche) 42m ange­ legt ist, aktiviert wird, eine Inverterschaltung 108 zum Inver­ tieren des Ausgangssignals der Drei-Zustands-Inverterpuffers 107 und einen Drei-Zustands-Inverterpuffer 109, der, wenn das Ausgangssignal Φ20f der Inverterschaltung 102 aktiviert ist, zum Invertieren des Ausgangssignals der Inverterschaltung 108 und zum Übertragen des invertierten Signals an den Eingangsab­ schnitt der Inverterschaltung 108 aktiviert wird, auf.

Die Drei-Zustands-Inverterpuffer 104, 106, 107 und 109 errei­ chen einen Ausgangszustand hoher Impedanz während einer Deakti­ vierung derselben. Die Drei-Zustands-Inverterpuffer 106 und 109 arbeiten als ein Inverter, wenn sie aktiviert sind, um entspre­ chend mit den Inverterschaltungen 105 und 108 eine Verriege­ lungsschaltung zu bilden.

Die Testmodusschaltung 41 weist weiter eine Inverterschaltung 110 zum Empfangen eines Zeilenadressentaktsignals ZRAS (Signal Φ20a), das über den Eingangsanschluß 42j angelegt ist, eine In­ verterschaltung 111, die das Ausgangssignal Φ20h der Inverter­ schaltung 108 empfängt, eine 2-Eingangs-NAND-Schaltung 112 zum Empfangen des Ausgangssignals Φ20j der Inverterschaltung 110 und des Ausgangssignals Φ20k der Inverterschaltung 111, eine 2- Eingangs-NOR-Schaltung 113 zum Empfangen eines Ausgangssignals der NAND-Schaltung 112 und eines Signals, das von der Inverter­ schaltung 105 über die Signalleitung 41 angelegt wird, eine In­ verterschaltung 114 zum Empfangen eines Ausgangssignals der NOR-Schaltung 113 und eine Inverterschaltung 115 zum Empfangen eines Ausgangssignals der Inverterschaltung 114 und zum Liefern des Signals Φ20m auf. Diese Schaltungsabschnitte bilden eine WCBR-Detektionsschaltung, die das Signal Φ20m auf ein H-Niveau treibt, wenn die sogenannte WCBR(WE, CAS before RAS = WE, CAS vor RAS)-Bedingung erfüllt ist. Der Betrieb derselben wird spä­ ter im Detail beschrieben.

Die Testmodusschaltung 41 weist weiter eine VIH-Detektions­ schaltung 116 zum Detektieren, ob ein Adreßsignalbit An, das an den Eingangsanschluß 42n angelegt ist, einen Pegel von minde­ stens einer vorbestimmten Spannung erreicht, eine 2-Eingangs- NAND-Schaltung 117 zum Empfangen eines Ausgangssignals der VIH- Dektektionsschaltung 116 und des Signals Φ20m, eine Inverter­ schaltung 118 zum Empfangen eines Ausgangssignals der NAND- Schaltung 117 und eine Verriegelungsschaltung 119 zum Verrie­ geln eines Ausgangssignals der Inverterschaltung 118 auf. Das Signal Φ21 wird von der Verriegelungsschaltung 119 ausgegeben.

Das Adreßsignalbit An, das an den Eingangsanschluß 42n angelegt wird, wird außerdem an einen Eingangspuffer 120 angelegt, um ein internes Adreßsignalbit intAn zu werden. Obwohl das Signal An als ein Adreßsignalbit beschrieben worden ist, kann es zum Beispiel ein Schreibwert sein. Die VHI-Detektionsschaltung 116 bestimmt, ob das Signal An, das an den Eingangsanschluß 42n an­ gelegt ist, auf einen Spannungspegel, der höher als der Strom­ versorgungsspannungspegel eines normalen Betriebes ist, einge­ stellt ist. Daher treibt die Testmodusschaltung 41 das Signal Φ21 auf ein H-Niveau eines aktiven Zustands, wenn die sogenann­ te Super-Vcc+WCBR-Bedingung erfüllt ist.

Das Zeilenadressentaktsignal ZRAS ist ein Signal, das einen Be­ triebszyklus (Standby-Zyklus und aktiver Zyklus) einer Halblei­ tervorrichtung definiert. Ein aktiver Zyklus beginnt, einen Auswahlbetrieb einer Speicherzelle zu initiieren, wenn dieses Zeilenadressentaktsignal ZRAS einen aktiven Zustand auf einem L-Niveau erreicht. Das Spaltenadressentaktsignal ZCAS liefert den Zeitablauf zum Übernehmen einer Spaltenadresse. Wenn das Spaltenadressentaktsignal ZCAS einen aktiven Zustand auf einem L-Niveau erreicht bzw. annimmt, wird ein Spaltenauswahlbetrieb der Speicherzelle intern in der integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung initiiert. Das Schreibfreigabesignal ZWE ist ein Schreibmodusbestimmungssignal, das ein Datenschreiben an­ weist. Wenn die Signale ZCAS und ZWE beide einen aktiven Zu­ stand auf einem L-Niveau erreichen, wird ein Wert intern in ei­ ne ausgewählte Speicherzelle geschrieben. Der Betrieb der Test­ modusschaltung aus Fig. 8 wird nun unter Bezugnahme auf die Zeitablaufdiagramme aus den Fig. 9A-9E beschrieben.

Wenn das Zeilenadressentaktsignal ZRAS ein H-Niveau in einem Zeitraum T1 vor dem Zeitpunkt t1 erreicht, werden das Spaltena­ dressentaktsignal ZCAS und das Schreibfreigabesignal ZWE beide auf ein L-Niveau gesetzt und ein Adreßsignalbit An wird auf ei­ nen Spannungspegel gesetzt, der höher als der Stromversorgungs­ spannungspegel eines normalen Betriebes ist. Wenn das Zeilena­ dressentaktsignal ZRAS ein H-Niveau erreicht, erreicht das Si­ gnal Φ20a ein H-Niveau, wobei das Signal Φ20f ein H-Niveau er­ reicht und das Signal Φ20g ein L-Niveau erreicht. Darum werden die Drei-Zustands-Inverterpuffer 104 und 107 aktiv gemacht und die Drei-Zustands-Inverterpuffer 106 und 109 werden inaktiv ge­ macht. Die Drei-Zustands-Inverterpuffer 104 und 107 invertieren das interne Signal Φ20b, das dem das Spaltenadressentaktsignal ZGAS entspricht, und das interne Signal Φ20c, das dem Schreib­ freigabesignal ZWE entspricht, um die invertierten Signale an die Inverterschaltung 105 bzw. 108 zu übertragen.

Da das Zeilenadressentaktsignal ZRAS auf einem H-Niveau ist, erreicht das Ausgangssignal Φ20j der Inverterschaltung 110 ein L-Niveau. Das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 112 wird auf ein H-Niveau getrieben. Das Signal Φ20m, das über die NOR- Schaltung 113 und die Inverterschaltung 114 und 115 ausgegeben wird, erreicht ein L-Niveau. Darum behält das Signal Φ21, das über die NAND-Schaltung 117, die Inverterschaltung 118 und die Verriegelung 119 ausgegeben wird, ein L-Niveau.

Wenn das Zeilenadressentaktsignal ZRAS auf ein L-Niveau zum Zeitpunkt t1 heruntergezogen wird, erreichen die internen Si­ gnale Φ20g und Φ20f ein H-Niveau bzw. ein L-Niveau. Die Drei- Zustands-Inverterpuffer 104 und 107 werden inaktiv, um einen Ausgabezustand hoher Impedanz zu erreichen. Im Gegensatz werden die Drei-Zustands-Inverterpuffer 106 und 109 aktiviert. Die vor dem Zeitpunkt t1 angelegten Signale werden durch die Inverter 105 und 109 verriegelt. Außerdem wird das Signal Φ20c, das vor dem Zeitpunkt t1 angelegt ist, durch die Inverterschaltungen 108 und 109 verriegelt.

Das Adreßsignalbit An wird auf einen Spannungspegel gesetzt, der höher als die Stromversorgungsspannung eines normalen Be­ triebsmodus ist. Das Ausgangssignal der VIH-Detektionsschaltung 116 erreicht ein H-Niveau. Wenn das Zeilenadressentaktsignal ZRAS auf L-Niveau heruntergezogen wird, wird das interne Signal Φ20a auf ein L-Niveau getrieben und das Ausgangssignal Φ20g der Inverterschaltung 110 wird auf ein H-Niveau getrieben. Das Aus­ gangssignal Φ20h der Inverterschaltung 108 erreicht ein L- Niveau und das Ausgangssignal Φ20k der Inverterschaltung 111 erreicht ein H-Niveau. Darum wird das Ausgangssignal der NAND- Schaltung 112 auf ein L-Niveau heruntergezogen. Außerdem er­ reicht das Ausgangssignal der Inverterschaltung 105 ein L- Niveau und das Ausgangssignal der NOR-Schaltung 113 wird auf ein H-Niveau getrieben. Als Reaktion wird das Signal Φ20m über die Inverterschaltungen 114 und 115 auf ein H-Niveau hochgezo­ gen.

Wenn das Signal Φ20m auf ein H-Niveau getrieben ist, empfängt die NAND-Schaltung 117 an ihren beiden Eingängen Signale auf H- Niveau und das Ausgangssignal derselben erreicht ein L-Niveau, und das Ausgangssignal der Inverterschaltung 118 erreicht ein H-Niveau. Das Signal Φ21 von der Verriegelung 119 wird auf H-Niveau hochgezogen. Es gibt eine Verzögerungszeit in jeder Schaltung, bevor das Signal Φ21 zum Zeitpunkt t2 ansteigt. Die­ ser Zeitraum T2 vom Zeitpunkt t1 bis zum Zeitpunkt t2 ist ein Testmoduseintrittszeitraum. Wenn das Signal Φ21 ein H-Niveau erreicht, kann der Bestimmungsbetrieb der Logik des Ausgangs­ signals der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44, die in Fig. 6 gezeigt ist, bewirkt werden. Der Zeitraum t3, der dem Zeitpunkt t2 folgt, ist der Testmoduszeitraum.

Wenn ein vorbestimmter Test vervollständigt ist, steigt das Zeilenadressentaktsignal ZRAS auf ein H-Niveau an. Das Aus­ gangssignal Φ20j der Inverterschaltung 110 wird auf ein L-Niveau getrieben und das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 112 wird auf ein H-Niveau getrieben. Als Reaktion wird das Aus­ gangssignal der NOR-Schaltung 113 auf ein L-Niveau herunterge­ zogen und das Signal Φ20m, das über die Inverterschaltungen 114 und 115 angelegt wird, erreicht ein L-Niveau. Als Reaktion wird das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 117 auf ein H-Niveau hochgezogen. Wenn die Verriegelung 119, zum Beispiel, aus einer Inverterverriegelung ausgebildet ist, wird das Signal Φ21 auf ein L-Niveau als Reaktion auf den Anstieg des Zeilenadressen­ taktsignal ZRAS zurückgesetzt. Falls die Verriegelung 119 aus einem Flip-Flop ausgebildet ist, bleibt das Signal Φ21 in einem aktiven Zustand auf einem H-Niveau, selbst falls das Zeilena­ dressentaktsignal ZRAS auf ein H-Niveau hochgezogen wird und die verbleibenden Signale ZCAS, ZWE und An in den anfänglichen Zustand (H-Niveau) zurückkehren. Wenn ein solches Flip-Flop verwendet wird, wird das Signal Φ21 unter Verwendung des Zei­ lenadressentaktsignals ZRAS und das Spaltenadressentaktsignal ZCAS mit einer CBR-Bedingung (CBR = CAS before RAS = CAS vor RAS) zurückgesetzt. Durch das Setzen/Zurücksetzen des Testmodus unter Verwendung einer Kombination der Zustände einer Mehrzahl von externen Signalen kann der Testmodus korrekt ge­ setzt/zurückgesetzt werden, ohne durch Rauschen oder ähnliches beeinflußt zu werden.

Fig. 10 zeigt ein Beispiel einer Struktur einer VIH-Detektions­ schaltung 116 aus Fig. 8. Unter Bezugnahme auf Fig. 10, die VIH-Detektionsschaltung 116 weist als Widerstand geschaltete p-Kanal-MOS-Transistoren 116a1-116an, die in Reihe zwischen einen Eingangsanschluß (Anschlußfläche) 42n und einen internen Knoten N5 geschaltet sind, einen Widerstand 116b mit einem hohen Widerstand (Widerstandswert), der zwischen den internen Knoten N5 und den Masseknoten geschaltet ist, eine Inverter­ schaltung 116c zum Invertieren eines Signals auf dem internen Knoten N5 und eine Inverterschaltung 116d zum Invertieren des Ausgangssignals der Inverterschaltung 116c auf. Ein Ausgangs­ signal der VIH-Detektionsschaltung 116 wird von der Inverter­ schaltung 116d ausgegeben, damit es an den einen Eingang der NAND-Schaltung 117 (siehe Fig. 8) angelegt wird.

Die MOS-Transistoren 116a1-116an weisen jeweils einen Absolut­ wert VTH der entsprechenden Schwellspannung auf. Jeder Kanalwi­ derstand ist ausreichend niedriger als derjenige (Widerstand) des Widerstands 116b eingestellt. Wenn das Spannungsniveau des Signals An, das an den Eingangsanschluß 42n angelegt wird, niedriger als n.VTH ist, erreicht mindestens einer der MOS- Transistoren 116a1-116an einen nicht-leitenden Zustand, so daß kein Strom von dem internen Knoten 42n zu dem internen Knoten N5 fließt. In diesem Zustand wird der interne Knoten N5 durch den Widerstand 116b auf einem L-Niveau gehalten. Wenn der Span­ nungspegel des Signals An, das an den Eingangsanschluß 42n an­ gelegt ist, höher als n.VTH wird, leiten alle MOS-Transistoren 116a1-116an, so daß ein Strom von dem internen Anschluß 42n zu dem Masseknoten fließt. Obwohl die MOS-Transistoren 116a1-116an jeweils in einem Widerstandsmodus arbeiten, ist jeder Kanalwi­ derstand ausreichend kleiner als der Widerstandswert des Wider­ stands 116b eingestellt. Daher steigt das Potential des inter­ nen Knotens N5 auf ein H-Niveau entsprechend des Wertes des durch den Widerstand 116b fließenden Stroms und das Ausgangs­ signal von der Inverterschaltung 116d wird auf ein H-Niveau hochgezogen. Derart kann eine Detektion gemacht werden, daß das Signal An auf einen Pegel gesetzt ist, der höher als der Span­ nungspegel eines normalen Betriebsmodus ist. Eine geeignete An­ zahl von MOS-Transistoren 116a1-116an kann entsprechend des zu detektierenden Spannungspegels vorgesehen werden.

Fig. 11 zeigt eine Struktur einer Modifikation einer integrier­ ten Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der Struktur einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 40 aus Fig. 11 ist eine Kombi­ nationsschaltung 50 zwischen der Bestanden/Durchgefallen- Bestätigungsschaltung 44 und der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 vorgesehen. Die Kombinationsschaltung 50 kombiniert ein Signal Φ25, das von einem Eingangsanschluß 65 über eine Signalleitung 66 angelegt wird, und ein Signal Φ22, das auf der Signalleitung 45 von der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 ge­ liefert wird, zum Bereitstellen des kombinierten Signals auf einer Signalleitung 51 als ein Signal Φ26. Die verbleibende Struktur ist ähnlich zu derjenigen, die in den Fig. 6 und 6 ge­ zeigt ist. Entsprechende Komponenten weisen dieselben zugeord­ neten Bezugszeichen auf, und ihre Beschreibung wird nicht wie­ derholt.

Die Kombinationsschaltung 50 wählt entweder das Signal Φ25, das von dem Eingangsanschluß (Anschlußfläche) 65 über die Signal­ leitung 66 angelegt wird, oder das Signal Φ22 von der Signal­ leitung 45, das dem Ausgangssignal Φ22 von der Bestanden/ Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 entspricht, aus, um das ausgewählte Signal in ein Signal, das einem Logikpegel ent­ spricht, umzuwandeln und das umgewandelte Signal als Signal Φ26 zu liefern. Das Signal Φ26, das von der Kombinationsschaltung 50 über die Signalleitung 51 angelegt wird, wird durch die Aus­ gabeumwandlungsschaltung 46 in eine Signalform, die extern be­ obachtbar ist, umgewandelt und dann an den externen Anschluß 67a ausgegeben. Die Struktur der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 ist ähnlich zu derjenigen, die in Fig. 6 gezeigt ist. Das Aus­ gangssignal Φ22 von der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung 44 und das Signal Φ25, das an einen speziellen Ein­ gangsanschluß angelegt wird, werden kombiniert. Das Signal Φ26 wird entsprechend des Kombinationsergebnisses erzeugt und an die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 angelegt. Es ist daher mög­ lich, zuverlässig zu identifizieren, auf welchem Spannungspegel das Ausgangssignal Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung 44 in einem Sicherungsbrenntestmodus gesetzt ist bzw. gesetzt worden ist.

Fig. 12 zeigt insbesondere eine Struktur einer Kombinations­ schaltung 50 aus Fig. 11. Unter Bezugnahme auf Fig. 12, die Kombinationsschaltung 50 weist eine 2-Eingangs-NAND-Schaltung 94, die das Signal Φ25a, das dem internen Signal Φ25 ent­ spricht, und das Signal Φ22, das von der Bestanden/Durchgefal­ len-Bestätigungsschaltung 44 ausgegeben wird, empfängt. Das Si­ gnal Φ25a wird aus dem Signal Φ25 über die kaskadierten drei Stufen von Inverterschaltungen 91, 92 und 93 erzeugt. Die Struktur der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 in Fig. 12 ist ähnlich zu derjenigen, die in Fig. 6 gezeigt ist.

Der Betrieb der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, die in Fig. 12 gezeigt ist, wird nun im Detail beschrieben.

In einem Sicherungsbrenntestmodus ist das Signal Φ21 von der Testmodusschaltung 41 auf ein H-Niveau gesetzt. Wenn das Siche­ rungselement 74 in diesem Zustand nicht durchgebrannt ist, er­ reicht das Ausgangssignal Φ22 von der Bestanden/Durchgefallen- Bestätigungsschaltung 44 ein L-Niveau und das Ausgangssignal der NAND-Schaltung 94 erreicht konstant ein H-Niveau, ungeach­ tet des logischen Pegels des Signals Φ25, das an den Eingangs­ anschluß 65 angelegt wird. Wenn das Sicherungselement 74 in ei­ nem Sicherungsbrenntestmodus durchgebrannt bzw. abgeschnitten ist, erreicht das Ausgangssignal Φ22 der Bestanden/Durchgefal­ len-Bestätigungsschaltung 44 regelmäßig ein H-Niveau und die NAND-Schaltung 94 arbeitet als ein Inverter zum Invertieren des Signals Φ25a und überträgt das invertierte Signal auf den in­ ternen Knoten 67. Daher erreicht das Signal auf dem internen Knoten 67 einen logischen Pegel, der identisch zu demjenigen des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird, ist.

In einem Sicherungsbrennmodus wird der logische Pegel des Si­ gnals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird, geän­ dert. Wenn das Sicherungselement 74 nicht durchtrennt bzw. durchgebrannt ist, erreicht das Signal auf dem Eingangsknoten 67 regelmäßig ein H-Niveau, unabhängig von einer Änderung des logischen Pegels des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt ist. Wenn das Sicherungselement 74 durchtrennt ist und die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung bei dem Wa­ ferniveautest als ein akzeptables Produkt bestimmt worden ist, variiert das Signal auf dem internen Knoten 67 entsprechend der Änderung in dem logischen Pegel des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird. Die Ausgabeumwandlungsschal­ tung 46 weist die in Fig. 6 gezeigte Struktur auf. Darum vari­ iert, wenn das Sicherungselement 74 durchtrennt ist, das Si­ gnal, das in einer beobachtbaren Art und Weise an den Ausgangs­ anschluß 67a über die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 angelegt wird, entsprechend des logischen Pegels des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird. Wenn das Sicherungsele­ ment 74 nicht durchtrennt ist, ist der logische Pegel des beob­ achtbaren Signals, das an den externen Anschluß 67a angelegt wird, regelmäßig konstant unabhängig von einer Änderung im lo­ gischen Pegel des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird. Darum kann das Sicherungselement 74 zuverlässig als in einem durchtrennten Zustand oder in einem nicht- durchtrennten Zustand befindlich in einem Sicherungsbrenntest­ modus identifiziert werden.

In anderen Modi als dem Sicherungsbrenntestmodus erreicht das Signal Φ21 ein L-Niveau und das Signal Φ22 erreicht ein H-Niveau. Der logische Pegel des Signals Φ26 des internen Kno­ tens 67 ist identisch zu dem logischen Pegel des Signals Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird. Darum kann der geforderte bzw. benötigte Test selbst in dem Fall korrekt aus­ geführt werden, in dem das Signal Φ26 ein Signal zum Steuern der Aktivierung/Deaktivierung der internen Stromversorgungs­ spannungsherunterwandlungsschaltung in der Ausgabeumwandlungs­ schaltung 46 oder ein Signal, das den Spannungspegel der inter­ nen Stromversorgungsspannung, die von der internen Stromversor­ gungsspannungsherunterwandelschaltung ausgegeben wird, entspre­ chend einer externen Stromversorgungsspannung in einem spezifi­ schen Testmodus (Burn-in-Modus-Test) variiert, ist.

Fig. 13 zeigt schematisch eine weitere Struktur einer inte­ grierten Halbleiterschaltungsvorrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der in Fig. 13 gezeigten integrierten Halbleiterschaltung 40 ist eine Auswahl­ schaltung 53 zwischen der Bestanden/Durchgefallen-Bestäti­ gungsschaltung 44 und der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 zum Auswählen eines Signals Φ25, das an einen Eingangsanschluß (Anschlußfläche) 65 angelegt wird, oder des Ausgangssignals Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 entspre­ chend des Ausgangssignals Φ21 der Testmodusschaltung 41 zum Liefern des ausgewählten Signals an die Ausgabeumwandlungs­ schaltung 46 über die Signalleitung 54 vorgesehen. Die verblei­ bende Struktur ist ähnlich zu derjenigen, die in den Fig. 5, 6 und 12 gezeigt ist, und entsprechende Komponenten weisen die­ selben zugewiesenen Bezugszeichen auf.

Die Auswahlschaltung 53 wählt das Signal Φ22 von der Bestan­ den/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 zum Anlegen des aus­ gewählten Signals an die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 über die Signalleitung 54 aus, wenn der Sicherungsbrenntestmodus spezifiziert ist. Wenn das Ausgangssignal Φ21 der Testmodus­ schaltung 41 ein L-Niveau erreicht und ein Betriebsmodus, der ein anderer als der Sicherungsbrenntestmodus ist, spezifiziert wird, wählt die Auswahlschaltung 53 das Signal Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 angelegt wird, aus, welches über die Si­ gnalleitung 54 an die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 angelegt wird. Daher wird in einem Sicherungsbrenntestmodus das Signal Φ22, das einen logischen Pegel aufweist, der entsprechend des Zustands des Leitens/Nicht-Leitens des Sicherungselementes 74 eingestellt ist, an die Ausgabeumwandlungsschaltung 46 ange­ legt. Ähnlich zu den vorhergehenden Ausführungsformen wird das Signal Φ27 auf dem Knoten 28 an den externen Anschluß 68a in einer beobachtbaren Art und Weise durch die Ausgabeumwandlungs­ schaltung 46 zum Detektieren des leitenden/nicht-leitenden Zu­ stands des Sicherungselementes 74 in der Bestan­ den/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 angelegt. Die Auswahlschaltung 53 wählt das Signal Φ25, das an den Ein­ gangsanschluß 65 angelegt wird, aus und liefert es an die Aus­ gabeumwandlungsschaltung 46, in einem Modus, der ein anderer als der Sicherungsbrenntestmodus ist. Wenn das Signal Φ25 ein Signal ist, das die Aktivierung/Inaktivierung der Differenzver­ stärkerschaltung in der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 steuert, zum Beispiel, oder ein Signal zum Setzen der internen Stromver­ sorgungsspannung auf den Pegel der externen Stromversorgungs­ spannung Vcc in einem Belastungsbeschleunigungsbetriebsmodus ist, kann der Betriebsmodus der internen Stromversorgungsspan­ nungsherunterwandelschaltung in der Ausgabeumwandlungsschaltung 46 korrekt entsprechend des an den internen Eingangsanschluß 65 angelegten Signals Φ25 in einem normalen Betriebsmodus (in ei­ nem Modus, der ein anderer als der Sicherungsbrenntestmodus ist) eingestellt werden. Darum kann ein Testmodus, der ein an­ derer als der Sicherungsbrenntestmodus ist, zuverlässig ausge­ führt werden.Entsprechend der in Fig. 13 gezeigten Struktur erreicht das Si­ gnal Φ21 in einem Sicherungsbrenntestmodus ein H-Niveau. Wenn das Sicherungselement 74 durchtrennt ist, ist das Signal Φ22 auf einem H-Niveau fixiert. Wenn das Sicherungselement 74 lei­ tend ist, ist das Signal Φ22 auf ein L-Niveau eingestellt. Der­ art kann eine korrekte bzw. saubere Identifizierung dessen, ob das Sicherungselement durchtrennt ist oder nicht, ausgeführt werden, ohne den normalen Betriebsmodus der integrierten Halb­ leiterschaltungsvorrichtung nachteilig zu beeinflussen.Fig. 14 zeigt ein Beispiel einer Struktur der Auswahlschaltung 53 aus Fig. 13. Unter Bezugnahme auf Fig. 14, die Auswahlschal­ tung 53 weist eine Inverterschaltung 53a zum Invertieren des Ausgangssignals Φ21 der Testmodusschaltung 41, ein CMOS-Über­ tragungsgatter 53b zum selektiven Durchlassen des Ausgangs­ signals Φ22 der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung 44 entsprechend des Signals Φ21 und des Ausgangssignals der In­ verterschaltung 53a und ein CMOS-Übertragungsgatter 53c zum se­ lektiven Durchlassen des Signals Φ25, das an den Eingangsan­ schluß 65 angelegt ist, entsprechend des Signals Φ21 und des Ausgangssignals der Inverterschaltung 53a auf. Die anderen Aus­ gangsknoten der CMOS-Übertragungsgatter 53b und 53c sind zusam­ men mit der Signalleitung 54 verbunden. Wenn das Signal Φ21 ein H-Niveau erreicht und ein Sicherungs­ brenntestmodus spezifiziert ist, leitet das CMOS-Übertragungs­ gatter 53b, wodurch das Signal Φ22 von der Bestanden/Durchge­ fallen-Bestätigungsschaltung 44 auf die Signalleitung 54 als Signal Φ27 übertragen wird. Wenn das Signal Φ21 ein L-Niveau erreicht, das einen Betriebsmodus anzeigt, der ein anderer als der Sicherungsbrenntestmodus ist, leitet das CMOS-Übertragungs­ gatter 53c. Das Signal Φ25, das an den Eingangsanschluß 65 an­ gelegt ist, wird ausgewählt und auf die Signalleitung 54 als Signal Φ27 übertragen.Bei der Struktur der Auswahlschaltung 53 aus Fig. 14 kann eine Drei-Zustands-Pufferschaltung anstelle der Struktur, die die CMOS-Übertragungsgatter 53b und 53c verwendet, verwendet wer­ den.Entsprechend den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird ein Schmelzelement (Sicherungselement) in einer Bestan­ den/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung nur in einer integrier­ ten Halbleiterschaltungsvorrichtung durchtrennt, die bei einem Test auf Waferniveau als ein akzeptables Produkt bestimmt wor­ den ist. Da der durchtrennte Zustand des Sicherungselementes in einem Sicherungsbrenntestmodus, d. h. einem Modus zum Testen des Zustandes einer oder mehrerer Sicherungen, extern beobachtbar ist, kann die Identifizierung des leitenden/nicht-leitenden Zu­ stands eines Sicherungselementes leicht von der Außenwelt durchgeführt werden, ohne bei einer Fehleranalyse das Einguß­ teil bzw. die Verkapselung zu zerstören.Da nur eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die bei einem Test auf Waferniveau als ein akzeptables Produkt be­ stimmt worden ist, einem finalen Testverfahrensablauf unterwor­ fen wird, ist es nicht notwendig, die weitere Bestimmung eines bei dem Test auf dem Waferniveau (bereits) als nicht-akzeptab­ lem Produkt detektierten Produkt während des finalen Test­ schrittes auszuführen. Darum kann der Testverfahrensablauf ver­ einfacht werden.Bei der obigen Beschreibung wurde ein DRAM als ein Beispiel für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung genommen. Je­ doch ist die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, auf die die vorliegende Erfindung anwendbar ist, nicht auf einen DRAM begrenzt, und jedwede integrierte Halbleiterschaltungsvor­ richtung ist verwendbar, die einem Testen auf Waferniveau und einem finalen Testen auf einem individuellen Ghipniveau unter­ worfen wird.Obwohl die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und il­ lustriert worden ist, ist dasselbe klar nur zum Zwecke der Il­ lustration und des Beispiels und nicht als Begrenzung zu ver­ stehen.

Claims (13)

1. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (40), mit
einer Testmodusschaltung (41), die auf ein Testmodusbestim­ mungssignal (Φ20a, Φ20b, Φ20c, An) reagiert, zum Erzeugen eines Testmodusaktivierungssignals (Φ21) und
einer Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44), die ein Sicherungselement (74), das durchgebrannt werden kann, auf­ weist und auf die Aktivierung des Testmodusaktivierungssignals reagiert, zum Liefern eines Signals auf einem logischen Pegel, der einem leitenden Zustand oder einem nicht-leitenden Zustand des Sicherungselementes entspricht,
wobei das Sicherungselement durchgeschmolzen wird, wenn die in­ tegrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung bei einem Test auf einem Waferniveau als ein akzeptables Produkt bestimmt ist.

2. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, die weiter eine Ausgabeumwandlungsschaltung (46), die mit der Bestan­ den/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44) gekoppelt ist, zum Umwandeln einer Signalausgabe (Φ22) von der Bestanden/Durch­ gefallen-Bestätigungsschaltung in ein Signal, das an einem vor­ bestimmten externen Anschluß (49a; 67a; 68a) beobachtbar ist, aufweist.

3. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 2, die weiter eine Kombinationsschaltung (50), die zwischen die Bestanden/ Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44) und die Ausgabeumwand­ lungsschaltung (46) gekoppelt ist, zum Kombinieren eines Si­ gnals (Φ25), das über einen vorbestimmten Signaleingangsan­ schluß (65) angelegt ist, und des Ausgangssignals (Φ22) der Be­ standen/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung zur Übertragung an die Ausgabeumwandlungsschaltung aufweist.

4. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Kombinationsschaltung (50) ein Logikgatter (94) aufweist, das selektiv entsprechend eines logischen Pegels des Ausgangs­ signals (Φ22) der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44) freigegeben und gesperrt wird.

5. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 4, bei der das Logikgatter (94) ein Signal auf einem logischen Pegel, der identisch zu dem logischen Pegel eines Eingangssignals (Φ25), das von dem vorbestimmten Signaleingangsanschluß (65) angelegt wird, liefert, wenn das Ausgangssignal (Φ22) der Bestanden/ Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44) einen logischen Pegel erreicht, der einem durchgebrannten Zustand des Sicherungsele­ mentes (74) entspricht, als Reaktion darauf, daß das Testmo­ dusaktivierungssignal (Φ21) aktiv ist.

6. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 2, die weiter eine Auswahlschaltung (53), die ein Ausgangssignal (Φ25) von einem vorbestimmten Signaleingangsanschluß (65) und das Aus­ gangssignal (Φ22) der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungs­ schaltung (44) empfängt und auf die Aktivierung des Testmodus­ aktivierungssignals (Φ21) reagiert, zum Auswählen und Liefern des Ausgangssignals (Φ22) der Bestanden/Durchgefallen-Bestä­ tigungsschaltung an die Ausgabeumwandlungsschaltung (46) auf­ weist.

7. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei der
die Ausgabeumwandlungsschaltung (46)
eine Herunterwandlungsschaltung (78, 80, 82, 83, 84, 85) für eine interne Stromversorgungsspannung zum Herunterwandeln einer Stromversorgungsspannung (Vcc), die an einen ersten externen Stromversorgungsknoten (49c) angelegt ist, zum Erzeugen einer internen Stromversorgungsspannung (Int.Vcc) an eine interne Stromversorgungsleitung (47), wenn sie aktiviert ist, und
einen Umschalttransistor (79), der komplementär zu der Herun­ terwandlungsschaltung für eine interne Stromversorgungsspannung aktiviert wird, zum Liefern eines Stromes von einem zweiten ex­ ternen Stromversorgungsknoten (49a) an die interne Stromversor­ gungsleitung (47) bei Aktivierung desselben aufweist,
wobei die Herunterwandlungsschaltung für eine interne Stromver­ sorgungsspannung und der Umschalttransistor durch das Ausgangs­ signal (Φ22) der Bestanden/Durchgefallen-Bestätigungsschaltung (44) selektiv aktiviert und deaktiviert werden.

8. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei der
die Ausgabeumwandlungsschaltung (46)
eine Herunterwandlungsschaltung (78, 80, 82, 83, 84, 85) für eine interne Stromversorgungsspannung zum Herunterwandeln einer Stromversorgungsspannung (Vcc), die an einen ersten externen Stromversorgungsknoten (49c) angelegt ist, zum Erzeugen einer internen Stromversorgungsspannung (Int.Vcc) auf einer internen Stromversorgungsleitung (47), wenn sie aktiviert ist, und
einen Umschalttransistor (79), der komplementär zu der Herun­ terwandlungsschaltung für eine interne Stromversorgungsspannung aktiviert wird, zum Liefern eines Stromes von einem zweiten ex­ ternen Stromversorgungsknoten (49a) an die interne Stromversor­ gungsleitung (47) bei Aktivierung derselben aufweist,
wobei die Herunterwandlungsschaltung für eine interne Stromver­ sorgungsspannung und der Umschalttransistor durch das Ausgangs­ signal (Φ26) der Kombinationsschaltung (50) selektiv aktiviert und deaktiviert werden.

9. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, bei der
die Ausgabeumwandlungsschaltung (46)
eine Herunterwandlungsschaltung (78, 80, 82, 83, 84, 85) für eine interne Stromversorgungsspannung zum Herunterwandeln einer Stromversorgungsspannung, die an einen ersten externen Strom­ versorgungsknoten (49c) angelegt ist, zum Erzeugen einer inter­ nen Stromversorgungsspannung auf einer internen Stromversor­ gungsleitung (47), wenn sie aktiviert ist, und
einen Umschalttransistor (79), der komplementär zu der Herun­ terwandlungsschaltung für eine interne Stromversorgungsspannung aktiviert wird, zum Zuführen eines Stromes zu der internen Stromversorgungsleitung (47) von einem zweiten externen Strom­ versorgungsknoten (49c), wenn derselbe aktiviert ist, aufweist,
wobei die Herunterwandlungsschaltung für eine interne Stromver­ sorgungsspannung und der Umschalttransistor entsprechend des Ausgangssignals (Φ27) von der Auswahlschaltung (53) selektiv aktiviert und deaktiviert werden.

10. Ein Bestanden/Durchgefallen-Bestimmungsverfahren für eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, wobei die inte­ grierte Halbleiterschaltungsvorrichtung ein Sicherungselement (74) zum Speichern eines Bestanden/Durchgefallen-Zustandes der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung aufweist, wobei das Verfahren aufweist:
einen Wafertestschritt zum Ausführen eines Funktionstestes der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung in einem Zustand der Ausbildung auf einen Wafer (35),
einem Sicherungstrennungsschritt des Durchtrennens des Siche­ rungselementes in der integrierten Halbleiterschaltungsvorrich­ tung, wenn die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung bei dem Wafertestschritt als ein akzeptables Produkt bestimmt ist,
einem Verpackungsschritt des Schneidens des Wafers zum Aus­ schneiden der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung aus dem Wafer und des Abdichtens der integrierten Halbleiterschal­ tungsvorrichtung in einer Verpackung nur dann, wenn die Vor­ richtung bei dem Wafertestschritt als ein akzeptables Produkt bestimmt worden ist, und
einen finalen Testschritt des Ausführens eines Funktionstestes der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, die in dem Verpackungsschritt verpackt worden ist.

11. Verfahren nach Anspruch 10, das weiter einen Sicherungsdurchtrennungstestschritt des Einstellens der verpackten integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung in ei­ nen Durchtrenntestbetriebsmodus zum Messen eines Stromes oder einer Spannung an einem vorbestimmten Pin-Anschluß (49a; 67a; 68a) der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung zum Be­ stimmen, ob das Sicherungselement (74) entsprechend des Ergeb­ nisses der Messung durchtrennt ist, aufweist.

12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem der Sicherungsdurchtrennungstestschritt den Schritt des Messens eines Stromes, der durch den vorbestimmten Pin-Anschluß (49a; 67a; 68a) fließt, aufweist.

13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, bei dem der vorbestimmte Pin-Anschluß (49a; 67a; 68a) ein Stromversor­ gungspinanschluß (49a) ist, an den eine externe Stromversor­ gungsspannung (Vcc) angelegt ist.