CN101937835B - 熔丝类晶圆修调参数的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的熔丝类晶圆修调参数的方法包括以下步骤：初始化变量β和i，创建临时数据文件；i＝i+1；判断i是否小于等于L，如果为是，执行下一步骤，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i；判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N，如果为是，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget+β，β＝Vtarget-Vave_i，Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值，如果为否，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget；选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；更新所述临时数据文件中的数据，返回上述i＝i+1的步骤。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆测试，尤其涉及一种熔丝类晶圆修调参数的方法。
背景技术
使用专门设备测试晶圆上的模拟集成电路或者混合集成电路时，经常需要对模拟集成电路或者混合集成电路的模拟部分修调参数。修调参数是修整熔丝以选择不同的内部电路，使参数达到目标范围，所以这类需要修调参数的晶圆称为熔丝类晶圆。
现有技术中，对熔丝类晶圆上的一个集成电路修调参数包括以下步骤：
步骤1，测量晶圆上的集成电路在修整熔丝前参数的初始值；
步骤2，选定要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；
根据参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值，选择要修整的熔丝组合，被选定的要修整的熔丝组合其修调理论值最接近参数的初始值与参数的目标值之差的绝对值；
步骤3，测量该集成电路在修整熔丝后参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；
若该集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品；
对于特定的集成电路，所述参数的目标值、各熔丝组合的修调理论值是固定值，因此，选择要修整的熔丝组合由参数的初始值决定。
现有技术中，采用上述步骤对熔丝类晶圆上的每个集成电路修调参数，可见，合理选择要修整的熔丝组合对熔丝类晶圆的测试良率(一个熔丝类晶圆中，合格的集成电路数与总集成电路数之比)非常关键，为提高熔丝类晶圆的测试良率，要不断优化选择修整熔丝组合的方法。
在熔丝类晶圆的大规模生产测试中发现，由于参数的初始值分布曲线中心值的变化和各组熔丝组合误差的不同，现有技术存在同一批次不同晶圆之间的 测试良率波动偏大，同一批次整体测试良率低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种熔丝类晶圆修调参数的方法，动态调整要选择的熔丝组合，降低同一批次不同晶圆之间测试良率的波动，提高同一批次整体测试良率。
为了达到上述的目的，本发明提供一种熔丝类晶圆修调参数的方法，包括以下步骤：初始化变量β和i，创建临时数据文件：所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路，i＝0，1，2，……，L，L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数，所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值，所述变量β和i的初始化值都为0；i＝i+1；判断i是否小于等于L，如果为是，执行下一步骤，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i；判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N，N取大于等于100而小于L的整数，如果为是，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget+β，β＝Vtarget-Vave_i，Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值，如果为否，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget，其中，Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值，Vtarget为参数的目标值；选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；更新所述临时数据文件中的数据，返回上述i＝i+1的步骤。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数小于等于N。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，所述参数的目标值Vtarget为定值，N为定值。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，若第i个集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，保存在所述临时数据文件中的参数的修调值是按照集成电路修调次序依次保存至所述临时数据文件中的。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，当所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数等于N时，被保存的N个参数的修调值是正在进行参数修调的集成电路之前的N个集成电路参数的修调值。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，所述更新所述临时数据文件中的数据具体包括以下步骤：判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否小于N，如果为是，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据；如果否，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，并从所述临时数据文件中删除该参数的修调值之前的第N个参数的修调值，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据。
上述熔丝类晶圆修调参数的方法，其中，判断第i个集成电路参数的修调值是否有效的依据是该参数的修调值是否异常，若该参数的修调值异常，认为该参数的修调值无效。
本发明熔丝类晶圆修调参数的方法在选择熔丝组合时引入一个变量β，使熔丝组合的选择根据晶圆参数修调情况不断变化，降低了同一批次不同晶圆之间测试良率的波动，提高了同一批次整体测试良率。
附图说明
本发明的熔丝类晶圆修调参数的方法由以下的实施例及附图给出。
图1是本发明熔丝类晶圆修调参数的方法的流程图。
图2是本发明中更新临时数据文件中的数据的流程图。
具体实施方式
以下将结合图1～图2对本发明的熔丝类晶圆修调参数的方法作进一步的详细描述。
实验研究表明，对同一批次熔丝类晶圆的各个集成电路修调参数时，各个集成电路修整熔丝之间存在一定的关联性，本发明熔丝类晶圆修调参数的方法就利用这种关联性，动态调整要选择的熔丝组合。
本发明熔丝类晶圆修调参数的方法适用于批量生产中，对同一批次熔丝类晶圆的各个集成电路进行修调参数。
参见图1，本发明熔丝类晶圆修调参数的方法包括以下步骤：
步骤S1，初始化；
所述初始化包括初始化变量β、i和创建临时数据文件DataFile；
所述变量β用于选择要修整的熔丝组合；
所述变量i用于表示本批次熔丝类晶圆中第i个集成电路，其中，i＝0，1，2，……，L，L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数；
所述临时数据文件DataFile用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值；
β的初始化值为0，i的初始化值为0；
步骤S2，i＝i+1；
步骤S3，判断i是否小于等于L，如果为是，执行步骤S3，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；
在半导体制造业中，半导体器件的生产都是批量生产的，本发明熔丝类晶圆修调参数的方法用于同一批次的各个熔丝类晶圆的各个集成电路；
步骤S4，测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i；
步骤S5，判断所述临时数据文件DataFile中保存的参数的修调值的个数是否等于N，N≤L，如果为是，执行步骤S6，如果为否，执行步骤S7；
N取大于等于100而小于L的整数；
对同一批次熔丝类晶圆的各个集成电路，N为定值；
所述临时数据文件DataFile中可保存的参数的修调值的个数小于等于N；
步骤S6，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget+β，其中，Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值，Vtarget为参数的目标值，β为变量，β＝Vtarget-Vave_i，Vave_i等于所述临时数据文件DataFile中N个参数的修调值的平均值；
所述参数的目标值Vtarget为定值，即对同一批次熔丝类晶圆而言，各个集成电路参数的目标值Vtarget相同；
此时，所述临时数据文件DataFile中保存着第i个集成电路之前的N个集成电路参数的修调值，保存在所述临时数据文件DataFile中的N个参数的修调值是按照集成电路修调次序依次保存至所述临时数据文件DataFile中的；
步骤S7，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget，其中，Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值，Vtarget为参数的目标值；
所述参数的目标值Vtarget为定值，即对同一批次熔丝类晶圆而言，各个集成电路参数的目标值Vtarget相同；
步骤S8，从各组熔丝组合中选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为第i个集成电路要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；
步骤S9，测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；
若该参数的修调值符合要求，表明第i个集成电路为合格产品，若该参数的修调值不符合要求，表明第i个集成电路为不合格产品；
步骤S10，更新所述临时数据文件DataFile中的数据；
参见图2，步骤S10.1，判断所述临时数据文件DataFile中保存的参数的修调值的个数是否小于N，如果为是，执行步骤S10.2，如果为否，执行步骤S10.3；
步骤S10.2，判断步骤S8测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件DataFile中，如果否，则不更新所述临时数据文件DataFile中的数据；
步骤S10.3，判断步骤S8测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件DataFile中，并从所述临时数据文件DataFile中删除该参数的修调值之前的第N个参数的修调值，如果否，则不更新所述临时数据文件DataFile中的数据；
若步骤S9测得的第i个集成电路参数的修调值为不完整的数据或者异常的数据(例如与参数的目标值Vtarget相差较大)，则认为该参数的修调值无效，该参数的修调值不能保存至所述临时数据文件DataFile中，即该参数的修调值不能用于动态调整要选择的熔丝组合；
步骤S11，返回步骤S2。
实验表明，本发明熔丝类晶圆修调参数的方法与现有技术相比，可将同一批次不同晶圆之间测试良率的波动控制在一个百分点内，同一批次整体测试良率提高二至三个百分点。
当所述临时数据文件DataFile中保存的参数的修调值的个数等于N时，选择熔丝组合依据变量β，即本发明熔丝类晶圆修调参数的方法使熔丝组合的选 择根据晶圆参数修调情况不断变化，降低了同一批次不同晶圆之间测试良率的波动，提高了同一批次整体测试良率。
Claims (8)
1.一种熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：
初始化变量β和i，创建临时数据文件：所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路，i＝0，1，2，......，L，L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数，所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值，所述变量β和i的初始化值都为0；
i＝i+1；
判断i是否小于等于L，如果为是，执行下一步骤，如果为否，结束本批次熔丝类晶圆的参数修调；
测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i；
判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N，N取大于等于100而小于L的整数，如果为是，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarg et+β，β＝Vtarg et-Vave_i，Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值，如果为否，计算差值Vtrim_i，Vtrim_i＝Vinit_i-Vtarget，其中，Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值，Vtarget为参数的目标值；
选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合，由熔断电路熔断相应的熔丝；
测量第i个集成电路参数的修调值，并判断该参数的修调值是否符合要求；
更新所述临时数据文件中的数据，返回上述i＝i+1的步骤。
2.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数小于等于N。
3.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述参数的目标值Vtarget为定值，N为定值。
4.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，若第i个集成电路参数的修调值符合要求，表明该集成电路为合格产品。
5.如权利要求1所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，保存在所述临时数据文件中的参数的修调值是按照集成电路修调次序依次保存至所述临时数据文件中的。
6.如权利要求5所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，当所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数等于N时，被保存的N个参数的修调值是正在进行参数修调的集成电路之前的N个集成电路参数的修调值。
7.如权利要求1或6所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，所述更新所述临时数据文件中的数据具体包括以下步骤：
判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否小于N，如果为是，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据；如果否，执行下述步骤：判断测得的第i个集成电路参数的修调值是否有效，如果是，将该参数的修调值保存至所述临时数据文件中，并从所述临时数据文件中删除该参数的修调值之前的第N个参数的修调值，如果否，则不更新所述临时数据文件中的数据。
8.如权利要求7所述的熔丝类晶圆修调参数的方法，其特征在于，判断第i个集成电路参数的修调值是否有效的依据是该参数的修调值是否异常，若该参数的修调值异常，认为该参数的修调值无效。
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