CN101510520B - 一种抗干扰异步修调晶圆测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，采用探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，包括以下步骤：步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步骤二、修整熔丝；步骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，在上述三个步骤中，每次只采用一种探针与所述芯片相接触。在步骤一和步骤三中测试被测芯片相关参数值时，被测芯片只与测试探针接触，而未接触到熔丝探针，从而避免了熔丝探针对芯片测试的干扰，初始值测试精度得到很大的提高。

Description

一种抗干扰异步修调晶圆测试方法 

技术领域

本发明涉及一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，且特别涉及一种将熔丝探针和测试探针分别布置在不同的芯片上抗干扰异步修调晶圆测试方法。 

背景技术

电子芯片的开发包含：芯片设计，晶圆制造，晶圆测试，切割封装，封装测试等。晶圆测试是由测试机台与探针卡共同构建一个测试环境，在此环境下测试晶圆上的芯片，以确保各个芯片的电气特性与功能都符合设计的规格和规范。未能通过测试的芯片将会被标记为不良产品，在其后的切割封装阶段将被筛选出来。只有通过测试的芯片才会被封装。晶圆测试对于降低芯片的生产成本和提高芯片的质量是非常必要的。而一个优质的芯片测试环境将是这一切的一个非常重要的保证。 

在晶圆测试时，为了提高芯片的良率和质量，通常需要对芯片的若干参数进行必要的修调。以熔丝型芯片为例，常用的修调方法是通过修整熔丝以改变被测芯片的内部电路来实现修调的目的。 

熔丝型芯片在晶圆测试时，修整熔丝一般分为三个基本步骤： 

1、测试被测芯片在修整熔丝前的初始值。在修整熔丝之前，需要测试芯片的初始值以决定修整的熔丝组合。因此该初始值测试的准确性将是致关重要的，甚至直接决定着修整熔丝的成败。 

2、修整熔丝。根据被测芯片在修整熔丝之前的初始值选定需要修整的熔丝组合，然后由熔断电路来电熔断所选熔丝组合。 

3、测试被测芯片在修整熔丝之后的最终修调结果，并判断是否符合要求。 

上述步骤1、3的测试数据是通过探针卡上的测试探针获取的，而步骤2的操作则是通过探针卡上的熔丝探针来进行的。相应的，每一个熔丝型芯片上设有与熔丝探针和测试探针相匹配的接点，供探针接触。 

目前，现有技术方案中在上述步骤中将熔丝探针和测试探针布置在同一颗芯片上，图1是利用现有探针卡测试芯片103时，探针在芯片103上相应位置的放大示意图，由于探针上的熔丝探针122和测试探针121同时与芯片103上的熔丝探针接点和测试探针接点相接触，使得在进行测试芯片103时，熔丝探针和熔丝探针接点之间、测试探针和测试探针接点之间都形成了通路，导致熔丝探针对该集成电路芯片测试的干扰问题。

另外芯片在晶圆测试时的测试环境与芯片封装后的使用环境完全不同，大大增加了芯片在晶圆测试时外部环境对芯片的干扰。这种干扰对于一些比较敏感的芯片或者参数精度要求较高的芯片将是致命的、是必须克服的。 

发明内容

本发明提供一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，以通过避免熔丝探针对芯片参数测试的干扰来提高修调的精确性。 

为了达到上述目的，本发明提供一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，采用探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，所述探针卡上依次设置有第一测试探针组、熔丝探针组和第二测试探针组，包括以下步骤：步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步骤二、修整熔丝；步骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，通过晶圆与探针卡的相对位移，使晶圆上的所述芯片依次移动至各个探针组所对应的区域内，并依次执行步骤一至步骤三，在上述三个步骤中，每次只采用一种探针与所述芯片相接触。 

所述步骤一中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之前的初始值。 

所述步骤二中，采用熔丝探针与所述芯片相接触，并根据所述初始值选定需要修整熔丝的组合，再对所述芯片进行修整熔丝。 

所述修整熔丝步骤采用电路电熔断熔丝法或激光切割熔丝法实现。 

所述步骤三中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之后的最终修调结果，并判断该最终修调结果是否符合要求。 

本技术方案在测试芯片时，对于某一芯片而言，每次只会有一种探针，即测试探针或熔丝探针与之接触，因此在修整熔丝之前进行测试芯片初始值时以 及在修整熔丝之后进行最终修调结果时，被测芯片不会与熔丝探针相接触，从而避免了熔丝探针对芯片测试初始值和修调结果的干扰，测试精度得到很大的提高。 

附图说明

图1所示为现有技术方案中测试芯片时探针在芯片相应位置的放大示意图。 

图2所示为本发明技术方案中进行晶圆测试时探针在相邻芯片相应位置的放大示意图。 

图3所示为本发明晶圆测试的流程图。 

具体实施方式

下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。 

图2是利用本实用新型探针卡进行晶圆测试时，熔丝探针122和测试探针121在晶圆上相邻芯片102、103、104上对应位置的放大示意图，如图所示，熔丝探针仅与芯片103上相应的接点接触，两组测试探针分别与芯片102和芯片104上的测试探针接点接触，可见，熔丝探针122和测试探针121在同一步骤时是对应于不同芯片的，因此测试某一芯片时，不会存在由于熔丝探针122和测试探针121同时与芯片接触而带来干扰的问题。 

图3所示为利用本实用新型探针卡进行晶圆测试流程图，晶圆单方向进行测试，程序设计要与测试方向一致。为便于说明，假定设置探针台，使晶圆从右向左单向测试。以芯片103的修调过程为例来说明本技术方案实现修调的整个过程。主要分为以下三个步骤： 

步骤一：测试芯片103在修整熔丝之前的初始值； 

1、使被测芯片103相对探针卡的位置移动到如图202位置，此时探针卡上只有右侧的一组测试探针位于芯片103上方。 

2、使该组测试探针与芯片103上的测试探针接点相接触，测试被测芯片103在修整熔丝之前的初始值并保存该初始值到临时文件1中。因为在测试芯片103时芯片103上没有接触到熔丝探针，所以就避免了熔丝探针对芯片103测试的干扰。在大量的对比实验中，与现有的技术方案相比，本方案可将电压初始值的测试精度由±2％提高到±0.5％。 

3、将临时文件1中数据传送给临时文件2。 

步骤二：修调熔丝； 

1、晶圆向左步移一位，使芯片103相对探针卡位移到203位置，此时芯片103上方只有熔丝探针； 

2、读取临时文件2中数据，此数据为芯片103在修整熔丝之前的初始值。根据该初始值选定需要修整熔丝的组合，使熔丝探针与芯片103上的熔丝探针接点相接触，并进行修整熔丝； 

其中修整熔丝的方法可以是使用熔断电路电熔断熔丝，也可以用激光切割熔丝法来实现。 

3、将临时文件2中数据传送给临时文件3。 

步骤三：测试修整熔丝之后的最终修调结果。 

1、晶圆向左步移一位，使芯片103相对探针卡位移到204位置，此时与芯片103相对应的是探针卡上左侧的一组测试探针； 

2、测试芯片103在修整熔丝之后的最终修调结果。因为在测试时芯片103上没有接触到熔丝探针，所以就避免了熔丝探针对芯片103测试的干扰。在大量的对比实验中，与现有的技术方案相比，本方案可将电压修调结果的测试精度由±5％提高到±0.5％。 

3、判断在修整熔丝之后的最终修调结果是否符合要求。读取临时文件3中数据，打印修整熔丝前后的测试数据结果。 

在步骤一和步骤三中测试被测芯片相关参数值时，被测芯片只与测试探针接触，而未接触到熔丝探针，从而避免了熔丝探针对芯片测试的干扰，初始值测试精度得到很大的提高。 

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。 

Claims (5)

1.一种抗干扰异步修调晶圆测试方法，采用探针卡对晶圆上的芯片进行测试和修整，所述探针卡上具有测试探针和熔丝探针两种探针，所述探针卡上依次设置有第一测试探针组、熔丝探针组和第二测试探针组，所述方法包括以下步骤：步骤一、测试芯片在修整熔丝之前的初始值；步骤二、修整熔丝；步骤三、测试修整熔丝之后的最终修调结果，其特征在于：通过晶圆与探针卡的相对位移，使晶圆上的所述芯片依次移动至各个探针组所对应的区域内，并依次执行步骤一至步骤三，在上述三个步骤中，每次只采用一种探针与所述芯片相接触。

2.根据权利要求1所述的抗干扰异步修调晶圆测试方法，其特征在于：所述步骤一中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之前的初始值。

3.根据权利要求2所述的抗干扰异步修调晶圆测试方法，其特征在于：所述步骤二中，采用熔丝探针与所述芯片相接触，并根据所述初始值选定需要修整熔丝的组合，再对所述芯片进行修整熔丝。

4.根据权利要求3所述的抗干扰异步修调晶圆测试方法，其特征在于：所述修整熔丝步骤采用电路电熔断熔丝法或激光切割熔丝法实现。

5.根据权利要求3所述的抗干扰异步修调晶圆测试方法，其特征在于：所述步骤三中，采用测试探针与所述芯片相接触，测试芯片在修整熔丝之后的最终修调结果，并判断该最终修调结果是否符合要求。

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