DE19608484A1 - Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat sowie Dickfilmpaste zur Verwendung bei der Herstellung desselben - Google Patents
Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat sowie Dickfilmpaste zur Verwendung bei der Herstellung desselbenInfo
- Publication number
- DE19608484A1 DE19608484A1 DE19608484A DE19608484A DE19608484A1 DE 19608484 A1 DE19608484 A1 DE 19608484A1 DE 19608484 A DE19608484 A DE 19608484A DE 19608484 A DE19608484 A DE 19608484A DE 19608484 A1 DE19608484 A1 DE 19608484A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- parts
- fired
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/035—Paste overlayer, i.e. conductive paste or solder paste over conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
- H05K3/247—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders
- H05K3/248—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders fired compositions for inorganic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein bei niedriger Temperatur
gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat, das durch gemeinsames
Brennen einer bei niedriger Temperatur brennbaren Keramikroh
lage mit Ag-Verdrahtungsleitern gebildet wird, und eine Dick
filmpaste, die zur Herstellung dieses Substrats verwendet wird.
Der Ag-Verdrahtungsleiter hat gute elektrische Eigenschaften,
wie beispielsweise einen niedrigen Flachmaterial- bzw. Schicht
widerstand. Da der Ag-Verdrahtungsleiter jedoch einen Schmelz
punkt hat, der niedriger ist als die Brenntemperatur (etwa
1.600°C) üblicher Keramiksubstrate, wie beispielsweise eines
Aluminiumoxidsubstrats, kann der Ag-Verdrahtungsleiter nicht
für ein Aluminiumoxidsubstrat verwendet werden. Wolfram (W)
oder Molybdän (Mo), die jeweils einen höheren Schmelzpunkt
haben, sind als Verdrahtungsleiter für das Aluminiumoxidsub
strat verwendet worden. Diese hohe Schmelzpunkte aufweisenden
Metalle haben jedoch hohe Schichtwiderstände und bedürfen eines
Brennens bei hohen Temperaturen in einer reduzierenden Atmo
sphäre, um eine Oxidation zu hemmen.
Um die vorstehend erläuterten Nachteile zu überwinden, offen
bart die US-A-4 621 066 ein bei niedriger Temperatur brennbares
Keramiksubstrat, das in einer oxidierenden Atmosphäre bei einer
Temperatur zwischen 800 und 1.000°C gebrannt werden kann, d. h.
am bzw. unter dem Schmelzpunkt des Ag-Verdrahtungsleiters. Der
Ag-Verdrahtungsleiter wird mit dem Niedrigtemperatur- bzw. bei
niedriger Temperatur brennbaren Keramik-Schaltungssubstrat
zusammen gebrannt. Der Ag-Verdrahtungsleiter verursacht unter
speziellen Bedingungen eine Migration bzw. Wanderung, während
Elektrodenabschnitte und dergleichen auf der Oberfläche des
Substrats einen Schutz gegen Migration erfordern. Deshalb muß
ein Au-Leiterfilm mit überlegener Migrationsschutzeigenschaft
auf dem Ag-Leiter der Elektrodenabschnitte gebildet werden.
Wenn der Ag-Leiter jedoch gebrannt wird, wenn der Au-Leiter
direkt damit verbunden ist, führt der Kirkendall-Effekt dazu,
daß Ag-Atome in den Au-Leiter diffundieren, was dazu führt, daß
in der verbundenen Oberfläche eine Anzahl von Fehlstellen
erzeugt wird. Infolge davon ist die Zuverlässigkeit der Verbin
dung verringert.
Um das vorstehend erläuterte Problem zu verhindern, offenbart
die japanische Patentveröffentlichung Nr. 5(1993)-69319 eine
Metallzwischenschicht aus beispielsweise Ni, Cr oder Ti. Die
Metallzwischenschicht wird zwischen den Ag- und Au-Leitern mit
tels Metallplatieren, Sputtern oder dergleichen gebildet, um
eine Diffusion der Ag-Atome in den Au-Leiter zu verhindern, so
daß die Zuverlässigkeit des verbundenen Abschnitts erhöht ist.
Das zur Bildung der Metallzwischenschicht verwendete Metallpla
tieren bzw. -sputtern ist mit hohen Kosten verbunden, wenn sie
zwischen den Ag- und Au-Leitern vorgesehen wird, wodurch die
Kosten für das Keramiksubstrat erhöht werden. Es ist in
Betracht gezogen worden, daß eine Dickfilm-Drucktechnik zum
Erzeugen der Metallzwischenschicht verwendet wird. Nickel
erfordert jedoch ein Brennen in einer Stickstoffatmosphäre, um
Qxidation zu verhindern, was die Kosten des Keramiksubstrats
erhöht.
Außerdem wird das Substrat bei einer Temperatur zwischen 800
und 900°C zur Bildung anderer Schaltungselemente, wie bei
spielsweise eines Widerstands, wiederholt gebrannt, nachdem der
dicke Film des Au-Leiters auf der Metallzwischenschicht gebil
det wurde. Das wiederholte Brennen führt mitunter zu einer
Unterbrechung oder einem Auseinanderbrechen der Verbindung zwi
schen den Ag- und Au-Leitern. Infolge davon ist eine Erhöhung
der Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen den Ag- und Au-Lei
tern in einem Keramiksubstrat zusammen mit der Verringerung der
Kosten hierfür erwünscht.
Eine Aufgabe dem vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin,
ein bei niederer Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssub
strat zu schaffen, dessen Herstellungsprozeß vereinfacht werden
kann, um die Konten zu verringern und die Zuverlässigkeit der
Verbindung zwischen den Ag- und Au-Leitern zu erhöhen. Außerdem
soll eine Dickfilmpaste zur Herstellung des Substrats geschaf
fen werden.
Hinsichtlich des Substrats wird die Erfindung durch die Merk
male des Anspruchs 1 gelöst. Hinsichtlich der Paste wird die
Erfindung durch die Merkmale des Anspruchs 6 gelöst.
Demnach schafft die Erfindung ein bei niedriger Temperatur
gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat, das bei einer Temperatur
im Bereich von 800 bis 1.000°C gebrannt ist, umfassend eine
Mehrzahl von Isolierschichten, von denen jede aus einer bei
niedriger Temperatur gebrannten Keramik, einer Ag-Leiter
schicht, die in der Isolierschicht gebildet ist, und einer Au-
Leiterschicht, die auf der Oberfläche des Substrats gebildet
ist, besteht, gekennzeichnet durch eine Ag-Pd-Schicht, die zwi
schen den Ag- und den Au-Leiterschichten gebildet ist, wobei
die Ag-Pd-Schicht aus 100 Teilen einer Metallverbindung zusam
mengesetzt ist, die aus 70 bis 95 Gew.-Teilen Ag und 5 bis 30
Gew.-Teilen Pd und aus 2 bis 10 Gew.-Teilen Bleiborsilicatglas
besteht.
In Übereinstimmung mit dem vorstehend erläuterten Aufbau können
die Brennatmosphäre und -temperatur für die zwischen die Ag-
und Au-Verdrahtungsleiter angeordneten Ag-Pd-Schicht mit denje
nigen der Ag- bzw. Au-Verdrahtungsleiter übereinstimmen. Infol
ge davon können die Ag-Pd-Schicht und der Ag-Verdrahtungsleiter
zusammen gebrannt werden, was zu einer Vereinfachung und Ver
kürzung des Herstellungsprozesses für das Keramiksubstrat
führt.
Wie aus den Tabellen 1, 2 und 3 hervorgeht, die nachfolgend
angeführt sind, wird eine Defekt- bzw. Fehlstellenrate in der
Verbindung zwischen den Ag- und Au-Leitern nach wiederholtem
Brennen ungefähr Null, wenn die Dickfilmpaste 100 Teile einer
Metallverbindung umfaßt, die aus 70 bis 75 Gew.-Teilen Ag und 5
bis 30 Gew.-Teilen Pd, 2 bis 10 Gew.-Teilen Bleiborsilicatglas,
und einen organischen Träger umfaßt. Infolge davon kann im Hin
blick auf die Verbindung eine hohe Zuverlässigkeit gewährlei
stet werden.
Ein Gemisch aus CaO-SiO₂-Al₂O₃-B₂O₃-Glaspulver und Al₂O₃-Pulver
führt zu Anorthit oder Anorthit und einer partiellen Kristalli
sation von Calciumsilicat im Brennprozeß, wenn bei niedriger
Temperatur brennbares Keramikrohflachmaterial verwendet wird.
Infolge davon kann ein Brennen bei niedriger Temperatur, die
von 800 bis 1.000°C reicht, in einer oxidierenden Atmosphäre
(Luft) realisiert werden. Ferner dämmt die vorstehend erläu
terte partielle Kristallisation Verschiebungen feiner Muster
ein, die beim Brennprozeß verursacht werden, wobei die Brenn
dauer verringert werden kann.
Die Erfindung wird nunmehr lediglich beispielhaft in Bezug auf
die einzige Figur der Zeichnung erläutert, die einen vergrößer
ten Längsschnitt eines bei niedriger Temperatur gebrannten
Keramik-Schaltungssubstrats einer Ausführungsform gemäß der
vorliegenden Erfindung zeigt.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung erläutert. Wie in
der Figur gezeigt, wird ein Keramik-Schaltungssubstrat 11 durch
Laminieren einer Mehrzahl von bei niederer Temperatur brennba
ren Rohlagen 12 als Mehrschichtsubstrat gebildet, von denen
jede nachfolgend erläutert ist, woraufhin das Laminat zu einem
integrierten Schaltungssubstrat gebrannt wird. Jede Rohschicht
lage 12 weist Durchgangslöcher 13 auf, die an vorbestimmten
Stellen mittels Stanzen gebildet sind und einen Durchmesser im
Bereich von 0,05 bis 1,00 mm haben. Die Durchgangslöcher 13
sind mit einer Ag-Leiterpaste oder einem -durchgang 14 derart
gefüllt, daß die Lagen elektrisch miteinander verbunden sind.
Ein Verdrahtungsmuster 15, das aus derselben Ag-Leiterpaste,
wie der Durchgang 14, gebildet ist, wird mittels Siebdruck auf
der Oberfläche jeder Rohschichtlage 12 mit Ausnahme der Oberflächenschicht
vorgesehen. Die Ag-Leiterdurchgänge 14 und die
Verdrahtungsmuster 15 werden mit dem Laminat aus den Rohlagen
12 zusammen gebrannt.
Ag-Pd-Schichten 16, deren Aufbau nachfolgend erläutert ist,
werden durch eine Dickfilmtechnik auf den Durchgängen 14
gedruckt, die auf der Oberfläche des Keramik-Schaltungssub
strats 11 freiliegen, woraufhin die Ag-Pd-Schichten 16 gebrannt
werden. Au-Verdrahtungsleiter 17 werden durch eine Dickfilm
technik auf den Ag-Pd-Schichten gemustert. Die Au-Verdrahtungs
leiter 17 werden mit dem gebrannten Substrat, das die Ag-Pd-
Schichten 16 aufweist, gebrannt. Ein Halbleiterchip 18 wird auf
einem der Au-Verdrahtungsleiter 17 druckbondiert. Elektroden
auf der Oberseite des Halbleiterchips 18 werden durch Bondie
rungsdrähte 19, wie beispielsweise Metalldrähte, mit den ande
ren Au-Verdrahtungsleitern 17 verbunden.
Nunmehr wird die Herstellung des vorstehend erläuterten, bei
niedriger Temperatur gebrannten Keramiksubstrats erläutert. Ein
Gemisch, das 18,2 Gew.-% CaO, 18,2 Gew.-% Al₂O₃, 54,5 Gew.-%
SiO₂ und 9,1 Gew.-% B₂O₃ enthält, wurde bei 1.450°C geschmol
zen, um verglast bzw. gesintert zu werden. Daraufhin wurde das
gesinterte Gemisch in Wasser rasch abgeschreckt und daraufhin
zu CaO-SiO₂-Al₂O₃-B₂O₃-Glaspulver mit einem mittleren Korn
durchmesser von 3 bis 3,5 µm pulverisiert. Ein Keramikisolator-
Mischpulver wurde durch Mischen von 60 Gew.-% Glaspulver mit 40
Gew.-% Aluminiumoxidpulver, mit einem mittleren Korndurchmesser
von 1,2 µm, hergestellt. Ein Lösungsmittel, wie beispielsweise
Toluol oder Xylol, ein Bindemittel, wie beispielsweise Acryl
harz und ein Weichmacher, wie beispielsweise DOP, wurden dem
gemischten Pulver zugesetzt. Das Gemisch wurde ausreichend ver
mengt, so daß eine Aufschlämmung mit einer Viskosität von 2.000
bis 40.000 cps erhalten wurde. Die Aufschlämmung wurde durch
ein Doctor-Verfahren in eine Rohschicht 12 von 0,4 mm Dicke
überführt.
Daraufhin wurde die Rohlage 12 durch eine Stanzform oder Stanz
maschine in ein Quadrat mit einer Kantenlänge von 30 mm
geschnitten. Die Durchgangslöcher mit jeweils einem Durchmesser
von 0,3 mm wurden durch vorbestimmte Stellen auf der Lage 12
mittels Stanzen gebildet. Ein Bindemittel, wie beispielsweise
Ethylcellulose, und ein Lösungsmittel, wie beispielsweise Ter
pineol, wurden einer vorbestimmten Menge Ag-Pulver vorausgehend
zugesetzt, und das Gemisch wurde ausreichend vermengt, um eine
Ag-Leiterpaste herzustellen. Die Durchgangslöcher 13 wurden mit
der Leiterpaste gefüllt. Das Verdrahtungsmuster 15 wurde auf
der Oberfläche der Rohschicht 12 mittels Siebdruck mit dersel
ben Ag-Leiterpaste gebildet. In derselben Weise wie vorstehend
erläutert wurden Verdrahtungsmuster 15 aus dem Ag-Leiter auf
einer Mehrzahl von Rohlagen 12 gedruckt, mit Ausnahme derjeni
gen, die die Oberseitenschicht bildet. Die Rohlagen 12 wurden
aufeinander laminiert und daraufhin mittels Thermodruckbondie
rung bei einer Temperatur von 80 bis 150°C unter einem Druck
von 50 bis 250 kg/cm² integriert bzw. miteinander vereinigt.
Daraufhin wurde das Laminat in einer oxidierenden Atmosphäre
(oder Luft) bei einer Temperatur von 800 bis 1.000°C (bevorzugt
900°C) für 20 Minuten mit einem herkömmlichen elektrischen End
losbandofen gebrannt und in ein Keramiksubstrat 11 überführt.
Der Lagen- bzw. Schichtwiderstand des Ag-Leiters, der aus dem
Durchgang 14 und dem Verdrahtungsmuster 15 zusammengesetzt ist,
das mit der bei niedriger Temperatur brennbaren Rohschicht
zusammen gebrannt wurde, betrug 2,4 mΩ/Quadrat (square), wobei
dieser Wert relativ niedrig ist.
Daraufhin wurde die Ag-Pd-Schicht 16 auf den freiliegenden
Abschnitt jedes Ag-Leiterdurchgangs 14 auf der Oberfläche des
Keramiksubstrats 11 gedruckt. Zu diesem Zweck wurde die Ag-Pd-
Paste Nr. 1, die in der nachfolgenden Tabelle 1 angeführt ist,
siebgedruckt, getrocknet und gebrannt.
Das Verdrahtungsmuster 17 wurde auf dem gebrannten Muster der
Ag-Pd-Schicht 16 unter Verwendung einer Au-Leiterpaste
gedruckt. Daraufhin wurde das Keramiksubstrat 11 für 10 Minuten
bei 850°C in einer oxidierenden Atmosphäre oder in der Luft des
elektrischen Endlosbandofens derart gebrannt, daß die Ag-Pd-
Schicht 16 als die Zwischenschicht und das Verdrahtungsmuster
17 aus dem Au-Verdrahtungsleiter mit dem Durchgang 14 in dem
Keramiksubstrat in Leitungsverbindung gebracht wurden, der aus
dem Ag-Leiter gebildet ist.
Um die Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen dem Durchgang 14,
der aus dem Ag-Leiter 14 gebildet ist, und dem Verdrahtungs
muster 17, das aus dem Au-Leiter in dem Keramiksubstrat gebil
det ist, die wie vorstehend erläutert hergestellt ist, wurde
ein Experiment durchgeführt, bei dem das bei niedriger Tempera
tur gebrannte Keramiksubstrat (Ausführungsform 1) mit dem RuO₂-
Widerstand auf der Oberfläche bei 900°C für 10 Minuten
gebrannt. Das Brennen wurde fünfmal wiederholt. Auf die Verbin
dung wird nachfolgend als "Ag- und Au-Verbindung" Bezug genom
men. Das Ergebnis des Experiments erbrachte eine Fehlstellen
rate, d. h., die Anzahl an Fehlstellen/die Anzahl an geprüften
Verbindungen aufgrund einer Unterbrechung oder einer Trennung
des Verdrahtungsabschnitts, einschließlich der Ag- und Au-Ver
bindung. Die Proben 1 bis 4 der Ag-Pd-Paste, die in Tabelle 1
dargestellt ist, wurden bei der Untersuchung verwendet. Aus
Vergleichszwecken wurden auch die Proben Nr. 5 bis 8, die in
Tabelle 2 dargestellt sind, bei der Untersuchung verwendet.
Tabelle 3 zeigt die Untersuchungsergebnisse, bei denen die in
den Tabellen 1 und 2 gezeigten Proben unter den vorstehend
erläuterten Bedingungen wiederholt gebrannt wurden.
Bei jeder der Untersuchungen Nr. 1 und 4 der erfindungsgemäßen
Ausführungsform in Tabelle 3 wurde die Ag-Pd-Schicht 16
(Zwischenschicht) auf den Durchgang 14 des Ag-Leiters in dem
gebrannten Keramiksubstrat 11 gebrannt, und die Au-Schicht
wurde auf dem gebrannten Keramiksubstrat mit den Ag-Pd-Schich
ten gebrannt. In jedem der Untersuchungen Nr. 2 und 3 der
erfindungsgemäßen Ausführungsform wurde das Muster der Ag-Pd-
Schicht auf dem Durchgang 14 des Ag-Leiters siebgedruckt, das
auf der Oberfläche der gebrannten Rohschicht 12 freiliegt,
unter Verwendung einer Ag-Pd-Paste Nr. 2 und Nr. 3, wie in
Tabelle 1 gezeigt, und daraufhin zusammen mit der laminierten
Rohschicht 12 gebrannt. Das Verdrahtungsmuster 17 des Au-Lei
ters wurde außerdem auf das gebrannte Muster der Ag-Pd-Schicht
16 siebgedruckt.
Bei der Untersuchung Nr. 1 bis 4 der Vergleichsbeispiele wurde
das Brennen unter Verwendung der jeweiligen Ag- und Pd-Paste
Nr. 5 bis 8 in derselben Weise wie bei der Untersuchung Nr. 2
und 3 der erfindungsgemäßen Ausführungsform durchgeführt. Bei
der Untersuchung Nr. 5 der Vergleichsbeispiele wurde das Ver
drahtungsmuster 17 aus dem Au-Leiter direkt auf den Durchgang
14 des Ag-Leiters auf dem gebrannten Keramiksubstrat ohne Ver
wendung der Ag-Pd-Schicht 16 gebildet.
Wie aus Tabelle 3 hervorgeht, ist die Anzahl an Fehlstellen in
den 10.000 Ag- und Au-Verbindungen in jeder der Untersuchungen
1 bis 4 der erfindungsgemäßen Ausführungsform Null. Es hat sich
bestätigt, daß die Ag-Pd-Schicht 16, die als die Zwischen
schicht dient, die Zuverlässigkeit der Ag- und Au-Verbindung
erhöht. Die Paste, die als die Ag-Pd-Schicht 16 dient, welche
die vorstehend angeführte hohe Zuverlässigkeit der Ag- und Au-
Verbindung erbringt, umfaßt 100 Teile einer Metallverbindung,
die aus 70 bis 95 Gew.-Teilen Ag- und 5 bis 30 Gew.-Teilen Pd-
Pulver, sowie 2 bis 10 Gew.-Teilen Bleiborsilicatglas besteht.
Der Korndurchmesser von sowohl dem Ag- wie dem Pd-Pulver liegt
im Bereich von 0,1 bis 10 µm. Die Ag-Pd-Paste kann ein Ag-Pd-
Legierungspulver oder ein gemischtes Pulver aus Ag und Pd sein.
Das Glaspulver ist bevorzugt ein Bleiborsilicat(PbO-SiO₂-B₂O₃)-
Glaspulver. Der Hauptbestandteil des Bleiborsilicatglases ent
hält PbO, SiO₂ und B₂O₃ mit den Zusätzen Al₂O₃, ZrO₂, TiO₂,
Ta₂O₃, CaO, ZnO, BaO und dergleichen, die zur Schaffung von
Wasserdichtigkeit und für die Änderungen des thermischen Expan
sionskoeffizienten zugesetzt sind. Die Menge an Bleiborsilicat
glas beträgt bevorzugt 2 bis 10 Gew.-Teile. Der Bindungsgrad
zwischen Ag und Au wird herabgesetzt, wenn die Menge an Blei
borsilicat unter 2 Gew.-Teilen liegt. Andererseits besteht die
Möglichkeit, daß eine Unterbrechung oder eine Trennung aufgrund
wiederholten Brennens auftritt, wenn die Menge an Bleiborsili
catglas über 10 Gew.-Teilen liegt.
Ein Bindemittel des organischen Trägers in der Ag-Pd-Paste
besteht bevorzugt aus Ethylcellulose, und ein Lösungsmittel
davon ist bevorzugt Butylcarbitol, Acetat oder Terpineol.
Andere siebdruckbare Bindemittel können ebenfalls verwendet
werden.
Jede der Rohlagen 12, aus denen das Keramiksubstrat 11 zusam
mengesetzt ist, besteht bevorzugt aus einem Gemisch aus CaO-
SiO₂-Al₂O₃-B₂O₃-Glaspulver mit Al₂O₃-Pulver. Das Gemisch ist
bevorzugt aus 50 bis 65 Gew.-% Glaspulver zusammengesetzt, das
aus 10 bis 55 Gew.-% CaO, 45 bis 70 Gew.-% SiO₂, 0 bis 30 Gew.-%
Al₂O₃ und 5 bis 20 Gew.-% B₂O₃ besteht, und aus 50 bis 35%
Al₂O₃ Pulver. Wenn die wie vorstehend zusammengesetzte Rohlage
12 verwendet wird, wird Anorthit erzeugt, oder Calciumsilicat
wird unter der Erzeugung von Anorthit im Brennprozeß partiell
kristallisiert. Infolge davon wird ein Brennen bei niedriger
Temperatur zwischen 800 und 1.000°C in einer oxidierenden Atmo
sphäre (Luft) möglich gemacht. Ferner dämmt die vorstehend
erläuterte partielle Kristallisation des Calciumsilicats die
Verschiebung feiner Muster ein, die durch den Brennprozeß
erzeugt werden, und die Brenndauer kann verringert werden.
Infolge davon kann ein feines Verdrahtungsmuster problemlos
gebildet werden. Da die Glasschicht weder erweicht noch
schrumpft, kann außerdem ihre Porosität im Temperaturbereich
von 730 bis 850°C während des Brennens selbst dann beibehalten
werden, wenn die Brenntemperatur auf eine hohe Rate von 30 bis
50°C pro Minute erhöht wird. Infolge davon kann verhindert wer
den, daß die Glasschicht springt, wobei ferner verhindert wer
den kann, daß Kohlenstoff in der Glasschicht eingeschlossen
wird, wodurch das Bindemittel problemlos entfernt werden kann.
Da Schrumpfen und Sintern bei einer Brenntemperatur von 800 bis
1.000°C rasch stattfindet, kann außerdem ein feines Keramiksub
strat in einer kurzen Zeitdauer erhalten werden.
In der Figur ist das Verdrahtungsmuster 17 aus dem Au-Leiter
auf einer einzigen Seite des Keramiksubstrats gebildet, wobei
die Ag-Pd-Schicht 16 bei der vorstehend erläuterten erfindungs
gemäßen Ausführungsform dazwischen angeordnet ist. Das Verdrah
tungsmuster 17 kann jedoch auch auf beiden Seiten des Substrats
angeordnet sein, wobei dann auf beiden Seiten dazwischen Ag-Pd-
Schichten angeordnet sind. Ferner kann die Anzahl an laminier
ten Rohlagen variiert werden.
Claims (6)
1. Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssub
strat, das bei einer Temperatur im Bereich von 800 bis
1.000°C gebrannt ist, umfassend eine Mehrzahl von Isolier
schichten, von denen jede aus einer bei niedriger Tempera
tur gebrannten Keramik, einer Ag-Leiterschicht, die in der
Isolierschicht gebildet ist, und einer Au-Leiterschicht,
die auf der Oberfläche des Substrats gebildet ist, besteht,
gekennzeichnet durch eine Ag-Pd-Schicht (16), die zwischen
den Ag- und den Au-Leiterschichten gebildet ist, wobei die
Ag-Pd-Schicht (16) aus 100 Teilen einer Metallverbindung
zusammengesetzt ist, die aus 70 bis 95 Gew.-Teilen Ag und 5
bis 30 Gew.-Teilen Pd und aus 2 bis 10 Gew.-Teilen Bleibor
silicatglas besteht.
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede
Isolierschicht durch Brennen eines Gemisches aus CaO-SiO₂-
Al₂O₃-B₂O₃-Glas und Al₂O₃ bei einer Temperatur in einem
Bereich zwischen 800 und 1.000°C gebildet ist.
3. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Ag-Pd-Schicht (16) auf der Oberfläche der Isolierschichten
gebrannt ist, nachdem diese zusammen mit der inneren Ag-
Leiterschicht gebrannt ist, woraufhin die Au-Leiterschicht
gebrannt ist.
4. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Isolierschichten die Ag-Leiterschicht und die Ag-Pd-Zwi
schenschicht (16) zusammen gebrannt sind, woraufhin die Au-
Leiterschicht gebrannt ist.
5. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Ag-Pd-Zwischenschicht (16) Ag-Durchgangsleiter in der Oberflächenschicht
des Substrats bedeckt, und die Au-Leiter
schicht auf der Ag-Pd-Schicht gebildet ist, welche die Ag-
Durchgangsleiter abdeckt.
6. Dickfilmpaste, die zur Bildung einer Ag-Pd-Schicht verwen
det wird, um einen Au-Verdrahtungsleiter in Bezug auf einen
Ag-Verdrahtungsleiter zu bilden, der innerhalb eines Kera
mik-Schaltungssubstrats gebildet ist, wobei die Ag-Pd-
Schicht dazwischen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dickfilmpaste 100 Teile einer Metallverbindung
umfaßt, die aus 70 bis 95 Gew.-Teilen Ag und 5 bis 30 Gew.-
Teilen Pd, 2 bis 10 Gew.-Teilen Bleiborsilicatglas und
einem organischen Träger besteht.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04468495A JP3331083B2 (ja) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | 低温焼成セラミック回路基板 |
JP7-44684 | 1995-03-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19608484A1 true DE19608484A1 (de) | 1996-09-12 |
DE19608484B4 DE19608484B4 (de) | 2004-07-08 |
Family
ID=12698267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19608484A Expired - Lifetime DE19608484B4 (de) | 1995-03-06 | 1996-03-05 | Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5665459A (de) |
JP (1) | JP3331083B2 (de) |
DE (1) | DE19608484B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10030468B4 (de) * | 1999-06-25 | 2007-05-03 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Dickfilmschaltungen und Metallisierungsprozeß |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246723A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 低温焼成セラミック回路基板 |
US5855995A (en) * | 1997-02-21 | 1999-01-05 | Medtronic, Inc. | Ceramic substrate for implantable medical devices |
US6146743A (en) * | 1997-02-21 | 2000-11-14 | Medtronic, Inc. | Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices |
JPH11160356A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
US6076726A (en) * | 1998-07-01 | 2000-06-20 | International Business Machines Corporation | Pad-on-via assembly technique |
US6215320B1 (en) * | 1998-10-23 | 2001-04-10 | Teradyne, Inc. | High density printed circuit board |
JP3494115B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2004-02-03 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミック電子部品 |
JP3473601B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2003-12-08 | 株式会社デンソー | プリント基板およびその製造方法 |
US7046104B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-05-16 | Harris Corporation | Controlling a time delay line by adding and removing a fluidic dielectric |
JP4556422B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US20080176103A1 (en) * | 2005-03-28 | 2008-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Conductive Paste and Electronic Parts |
JP4613103B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-01-12 | アルプス電気株式会社 | 配線基板 |
KR100651358B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2006-11-29 | 삼성전기주식회사 | Rf모듈의 전력단 회로를 내장한 인쇄회로기판 |
ATE547919T1 (de) * | 2005-07-18 | 2012-03-15 | Datec Coating Corp | Bei niedriger temperatur gebranntes, bleifreies dickfilm-heizelement |
WO2007083811A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Hitachi Metals, Ltd. | 導体ペースト、多層セラミック基板及び多層セラミック基板の製造方法 |
JP2007258436A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Alps Electric Co Ltd | 配線基板、及びその製造方法 |
US7704416B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-04-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit |
KR101046134B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2011-07-01 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 전기장치 |
JP2015065344A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0247617A2 (de) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Narumi China Corporation | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Schaltungsmustern |
US4795670A (en) * | 1986-05-14 | 1989-01-03 | Narumi China Corporation | Multilayer ceramic substrate with circuit patterns |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3891450A (en) * | 1971-07-02 | 1975-06-24 | Owens Illinois Inc | Solvents and vehicles for micro-circuitry pastes and pastes made therefrom |
JPS5729185U (de) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | ||
JPS5852900A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク多層配線板の製造方法 |
JPS60260465A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-23 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス |
JPH0437629A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Toshiba Corp | 厚膜ペースト |
JP3259845B2 (ja) * | 1991-09-09 | 2002-02-25 | マツダ株式会社 | 研磨制御方法及びその装置 |
JP3237258B2 (ja) * | 1993-01-22 | 2001-12-10 | 株式会社デンソー | セラミック多層配線基板 |
-
1995
- 1995-03-06 JP JP04468495A patent/JP3331083B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-26 US US08/606,798 patent/US5665459A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-05 DE DE19608484A patent/DE19608484B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-11 US US08/816,032 patent/US5879788A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4795670A (en) * | 1986-05-14 | 1989-01-03 | Narumi China Corporation | Multilayer ceramic substrate with circuit patterns |
EP0247617A2 (de) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Narumi China Corporation | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Schaltungsmustern |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 04-037629 A (Japio-Abstr.) * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10030468B4 (de) * | 1999-06-25 | 2007-05-03 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Dickfilmschaltungen und Metallisierungsprozeß |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19608484B4 (de) | 2004-07-08 |
US5879788A (en) | 1999-03-09 |
JP3331083B2 (ja) | 2002-10-07 |
JPH08242062A (ja) | 1996-09-17 |
US5665459A (en) | 1997-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19608484B4 (de) | Bei niedriger Temperatur gebranntes Keramik-Schaltungssubstrat | |
DE4401616B4 (de) | Keramische Mehrfachschichten-Verdrahtungskarte | |
EP0016307B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen glaskeramischen Struktur mit innen liegenden Versorgungsleitungen auf Kupferbasis | |
DE10157443B4 (de) | Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, Verwendung der Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil und Vefahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils | |
DE69628548T2 (de) | Elektrische durchführung für keramische leiterplattenträgersubstrate | |
DE2703956C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtkeramik | |
DE3784764T2 (de) | Mehrschichtiges keramisches substrat mit gedruckten leiterbahnen und sein herstellungsverfahren. | |
DE69300907T2 (de) | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Gradienten-Kontaktlöchern. | |
DE19628680C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramiksubstrats | |
DE69632722T2 (de) | Gasbondierungsanlage für ein Versteifungssubstrat einer keramischen Leiterplatte | |
DE68910155T2 (de) | Mehrschichtige keramische Unterlagen und Verfahren zu ihrer Herstellung. | |
DE3485930T2 (de) | Mehrschichtiges keramisches substrat und verfahren zum herstellen desselben. | |
DE3621667C2 (de) | ||
DE19707253C2 (de) | Keramische Mehrlagenleiterplatte in LTCC-Technik mit verbesserter Beständigkeit der Ag-Au-Verbindung | |
EP0653898A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von keramischen Heizelementen | |
DE10042909A1 (de) | Mehrlagiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE69329357T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leitern in Kontaktlöcher in vielschichtigen Keramiksubstraten | |
DE3434449A1 (de) | Keramisches mehrschichtsubstrat und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19961537B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Glaskeramiktafel | |
DE10143919B4 (de) | Elekrisch leitende Paste und Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen keramischen elektronischen Bauteils unter verwendung dieser Paste | |
DE2924292C2 (de) | Keramikkörper mit einer diesen zumindest teilweise bedeckenden Schicht aus elektrisch leitendem Werkstoff | |
DE69919806T2 (de) | Leitpaste und Keramikschaltungsplatte | |
DE69125121T2 (de) | Keramisches Substrat für elektronische Schaltung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19609118B4 (de) | Widerstandspaste, Glasüberzugsspaste und ein diese verwendendes keramisches Schaltungssubstrat | |
DE2606963C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer hartlötbaren Dickschichtschaltung auf ein vorzugsweise aus einer Oxidkeramik bestehendes Trägerplättchen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SUMITOMO METAL (SMI) ELECTRONICS DEVICES INC., MIN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: MURATA MFG. CO., LTD., NAGAOKAKYO, KYOTO, JP |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |